JPH06338381A - Transparent sheet-like heater and manufacture thereof - Google Patents

Transparent sheet-like heater and manufacture thereof

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JPH06338381A
JPH06338381A JP3843394A JP3843394A JPH06338381A JP H06338381 A JPH06338381 A JP H06338381A JP 3843394 A JP3843394 A JP 3843394A JP 3843394 A JP3843394 A JP 3843394A JP H06338381 A JPH06338381 A JP H06338381A
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JP
Japan
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transparent
metal
layer
electrode
thickness
Prior art date
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Application number
JP3843394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Takase
三男 高瀬
Nobuhiro Fukuda
信弘 福田
Hisahiro Momo
寿浩 百々
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Abstract

PURPOSE:To provide a transparent sheet-like heater simplifying the manufacturing process and having high reliability. CONSTITUTION:An electrode backing layer 4 is provided on a transparent conducting film 3 laminated with at least one layer of a transparent thin film and a metal layer made of a nitride and/or a carbide is provided on at least one face of a transparent substrate 2, and a metal layer is provided on the metal backing layer 4 to form a transparent planar heater 1. A protective film 6 is formed on the metal backing layer 4 except for the region where the metal electrode 5 is to be formed, and the metal electrode 5 is formed by electric plating.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、窓部分に使用される透
明な面状ヒーターに関し、特に、液晶表示素子、冷蔵シ
ョーケース、冷凍ショーケース、自動車用デフロスター
などに使用される透明面状ヒーター及びそれに使用する
透明積層体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent sheet heater used for windows, and more particularly, a transparent sheet heater used for liquid crystal display devices, refrigerated showcases, frozen showcases, defrosters for automobiles and the like. And a transparent laminate used therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、冷凍、冷蔵ショーケースは、その
窓部を構成するガラス表面への結露防止をする必要があ
り、このためガラス表面に透明導電膜を形成し、これに
所定の電力を印加して窓面を加熱することが行われてい
る。また、近年、液晶表示素子の需要が大きくなってい
るが、寒冷地で使用した場合に液晶の動作が遅くなる等
の問題があり、液晶表示素子にも温度制御用の透明面状
ヒーターを備えることの必要性が高まってきた。従来、
寒冷地などの条件下で使用される液晶表示素子として
は、例えば特開昭58−126517号公報に提案され
るように、メッシュ状の発熱抵抗体を配置して加熱する
ものがあった。しかしこの方法では、液晶素子全体を均
一に加熱することは困難であり、また、不透明な金属か
らなる発熱抵抗体が液晶表示を見る際の邪魔になったり
する不都合がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, it has been necessary to prevent dew condensation on the glass surface forming the window of a freezing or refrigerating showcase. Therefore, a transparent conductive film is formed on the glass surface and a predetermined electric power is applied to it. It is applied to heat the window surface. Further, in recent years, the demand for liquid crystal display elements has increased, but there is a problem that the operation of the liquid crystal becomes slower when used in cold regions, and the liquid crystal display element also includes a transparent planar heater for temperature control. The need for things has increased. Conventionally,
As a liquid crystal display element used under conditions such as a cold region, there has been one in which a mesh-shaped heating resistor is arranged and heated, as proposed in, for example, JP-A-58-126517. However, with this method, it is difficult to uniformly heat the entire liquid crystal element, and the heating resistor made of an opaque metal becomes an obstacle when viewing the liquid crystal display.

【0003】透明基板上に透明導電膜を形成した透明な
発熱体は、例えば米国特許4,952,783号公報が
提案されている。このような発熱体の構成の一例が図1
に示されている。すなわち、透明基板51上の全面に透
明導電膜52が形成され、透明導電膜52に電力を供給
するための一対の電極53が透明導電膜52の両端部に
設けられている。さらに、透明導電膜52や電極53を
保護するための透明保護層54が、発熱体の全面に設け
られている。ここで電極53は、透明導電膜52上に、
銀ペースト等の導電性塗料をスクリーン印刷法等によっ
て塗布し、更に熱処理を行なうことで形成されている。
さらに電極の信頼性を向上するために、特開平4−28
9685号公報には、金属箔を導電性塗料で挟み込んだ
構成の電極が開示されている。
As a transparent heating element having a transparent conductive film formed on a transparent substrate, for example, US Pat. No. 4,952,783 has been proposed. An example of the configuration of such a heating element is shown in FIG.
Is shown in. That is, the transparent conductive film 52 is formed on the entire surface of the transparent substrate 51, and the pair of electrodes 53 for supplying power to the transparent conductive film 52 are provided at both ends of the transparent conductive film 52. Further, a transparent protective layer 54 for protecting the transparent conductive film 52 and the electrodes 53 is provided on the entire surface of the heating element. Here, the electrode 53 is formed on the transparent conductive film 52 by
It is formed by applying a conductive paint such as a silver paste by a screen printing method or the like and further heat-treating it.
In order to further improve the reliability of the electrode, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-28
Japanese Patent No. 9685 discloses an electrode having a configuration in which a metal foil is sandwiched between conductive paints.

【0004】しかしながら、この種の透明面状ヒーター
において電極を銀ペースト等の導電性塗料で構成した場
合、透明導電膜の抵抗に比較して導電性塗料自身の抵抗
が大きいことや、電極と透明導電膜との間の接触抵抗が
高くなりやすい。接触抵抗が大きくなると、透明面状ヒ
ーターの大型化にともない、透明導電膜内での通電状態
が不均一となって発熱量の不均一が生じ、透明面状ヒー
ター全体が均一に昇温しないという問題や、電極接点近
傍部分に電流集中が起こって透明面状ヒーターの電極近
傍が異常発熱し、断線に至る等の問題が発生する。
However, in the case of the transparent planar heater of this type, when the electrodes are made of a conductive paint such as silver paste, the resistance of the conductive paint itself is larger than that of the transparent conductive film, and the electrodes and the transparent material are transparent. The contact resistance with the conductive film tends to increase. When the contact resistance becomes large, the energization state in the transparent conductive film becomes non-uniform due to the increase in size of the transparent planar heater, resulting in non-uniform heat generation, and the entire transparent planar heater does not heat up uniformly. This causes problems such as a problem that current concentration occurs in the vicinity of the electrode contacts and abnormal heat is generated in the vicinity of the electrodes of the transparent sheet heater, resulting in disconnection.

【0005】前述の特開平4−289685号公報に示
されるような電極とした場合、通電状態の不均一さの改
善はなされるものの、透明導電膜と電極との密着性が不
十分であって使用中に両者が剥がれ易い等の問題や、電
極を形成するための製作工程が複雑となりかつ作業性が
悪いので製品のコストアップにつながるなどの問題があ
る。
In the case of using the electrode as disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-289685, although the non-uniformity of the energized state is improved, the adhesion between the transparent conductive film and the electrode is insufficient and it is used. There are problems such that both are easily peeled off, and the manufacturing process for forming the electrodes is complicated and the workability is poor, leading to an increase in the cost of the product.

【0006】本発明者らは、特願平5−189560に
おいて、透明導電膜上に実質的に透光性のある電極下地
層を形成したのち、ウェットプロセスにより電極下地層
上に金属電極を形成して透明面状ヒーターを提供出来る
ことを開示した。該発明は、透明面状ヒーターを提供す
る有効な発明であるが、ウェットプロセスにより透明面
状ヒーターの金属電極を形成する際の処理に熟練が必要
であった。
The inventors of the present invention, in Japanese Patent Application No. 5-189560, form a substantially transparent electrode underlayer on a transparent conductive film and then form a metal electrode on the electrode underlayer by a wet process. It has been disclosed that a transparent sheet heater can be provided. The present invention is an effective invention for providing a transparent sheet heater, but requires skill in the process of forming the metal electrode of the transparent sheet heater by a wet process.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
性塗料を使用しない電極を有し、透明導電膜への電極形
成方法が改善され、金属電極を形成する際のウェットプ
ロセスにおいても透明導電膜への損傷を無くし、高い生
産性で製造できる透明面状ヒーター及びそれに使用する
透明積層体を提供することにある。本発明の別の目的
は、導電性塗料を用いることなく電極が形成され、か
つ、生産性が向上した透明面状ヒーターの製造方法を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to have an electrode that does not use a conductive paint, improve the method for forming an electrode on a transparent conductive film, and make it transparent even in a wet process for forming a metal electrode. It is an object of the present invention to provide a transparent sheet heater which can be manufactured with high productivity without damaging a conductive film and a transparent laminate used for the heater. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a transparent sheet heater in which an electrode is formed without using a conductive paint and the productivity is improved.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、鋭意検討した結果、透明基板上に設け
られた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電
膜に通電するための一対の電極を備えた透明面状ヒータ
ーにおいて、前記透明導電膜上に設けられた金属からな
り実質的に透光性の電極下地層を有し、前記透明導電膜
が窒化物及び/または炭化物からなる透明薄膜層と実質
的に透光性の金属層とを少なくとも各1層ずつ積層積層
したものであり、前記電極が金属で構成され、かつドラ
イプロセスの中から選ばれた方法とウエットプロセスの
中から選ばれた方法とを組み合わせることにより、本発
明を完成した。
In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have made extensive studies and as a result, as a result of using a transparent conductive film provided on a transparent substrate as a heat generating surface and conducting electricity to the transparent conductive film. In a transparent planar heater provided with a pair of electrodes for performing, a substantially transparent electrode underlying layer made of metal provided on the transparent conductive film is provided, and the transparent conductive film has a nitride and / or Or a method in which at least one transparent thin film layer made of carbide and at least one substantially transparent metal layer are laminated, and the electrode is made of metal and is selected from a dry process. The present invention has been completed by combining it with a method selected from wet processes.

【0009】かくして、透明導電膜上に密着の良い電極
を設けると共に、第1の透明保護層を用いて電極の位置
決定と透明導電膜の保護層とを兼用した作用効果を奏せ
しめることが出来るものであって、作業効率と信頼性を
格段に高めた透明面状ヒーターおよびその製造方法が提
供されるものである。すなわち、本発明は、透明基板上
に設けられた透明導電膜を発熱面として使用し、前記透
明導電膜に通電するための一対の金属電極を備えた透明
面状ヒーターにおいて、前記透明導電膜上に設けられた
金属からなり実質的に透光性の電極下地層を有し、前記
透明導電膜が窒化物及び/または炭化物からなる透明薄
膜層と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各1層ず
つ積層したものであり、前記金属電極が前記電極下地層
上に形成されている透明面状ヒーターであり、また、前
記金属電極が形成されない部分に前記電極下地層を被覆
する第1の透明樹脂保護層を有する透明面状ヒーターで
あり、また、前記透明薄膜層が、窒化アルミニウム、窒
化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化錫、窒化
硼素、窒化クロム、炭化珪素、アモルファスカーボン、
ダイヤモンド状カーボンのうち少なくとも1種からなる
高屈折率透明薄膜である透明面状ヒーターであり、ま
た、前記透明薄膜層を構成する材料が一部酸化している
透明面状ヒーターであり、また、前記透明薄膜層を構成
する材料が一部水素化している透明面状ヒーターであ
り、また、前記電極下地層が銅、ニッケル、クロム、パ
ラジウム、鉛、白金、金、銀のうち少なくとも1種を含
む金属又は合金からなる透明面状ヒーターであり、ま
た、前記金属電極が銅、ニッケル、クロム、金、スズ、
鉛、銀、はんだのうちの少なくとも1種を含む金属又は
合金からなる単層体または積層体である透明面状ヒータ
ーであり、また、前記電極下地層が、0.5nm〜20
nm厚みの金属薄膜をドライプロセスによって前記透明
導電膜上に設けたものである透明面状ヒーターであり、
また、前記金属層が銀または銀を主成分とする薄膜層で
ある透明面状ヒーターであり、また、前記金属層が銀ま
たは銀を主成分とする薄膜層の少なくとも片面に銀以外
の金属を主成分とする薄膜層とを積層させたものである
透明面状ヒーターであり、また、前記透明薄膜層と前記
電極下地層との間に透明な中間層が設けられている透明
面状ヒーターであり、また、前記透明基板と前記透明薄
膜層との間に透明な中間層が設けられている請求項1記
載の透明面状ヒーターであり、また、前記金属電極およ
び前記第1の透明樹脂保護層を被覆する第2の透明樹脂
保護層とを有する透明面状ヒーターであり、また、前記
第1の透明樹脂保護層及び/または電極の一部または
全部に接着層が設けられている透明面状ヒーターであ
り、また、前記第2の透明樹脂保護層に接着層が設けら
れている透明面状ヒーターであり、また、前記透明基板
に接着層が設けられている透明面状ヒーターであり、ま
た、前記金属電極に外部接続用金具が設けられた透明面
状ヒーターである。
Thus, an electrode having good adhesion can be provided on the transparent conductive film, and the first transparent protective layer can be used to provide the effect of determining the position of the electrode and also serving as the protective layer of the transparent conductive film. In addition, the present invention provides a transparent sheet heater and a method for manufacturing the same, in which work efficiency and reliability are significantly improved. That is, the present invention provides a transparent planar heater that uses a transparent conductive film provided on a transparent substrate as a heating surface and includes a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film. A transparent thin film layer made of a metal and a substantially transparent electrode underlayer, wherein the transparent conductive film is made of a nitride and / or a carbide, and at least a substantially transparent metal layer. A transparent planar heater in which the metal electrode is formed on the electrode underlayer, and the metal electrode is formed on the electrode underlayer; and a portion where the metal electrode is not formed is covered with the electrode underlayer. And a transparent thin film layer having a transparent resin protective layer of aluminum nitride, indium nitride, gallium nitride, silicon nitride, tin nitride, boron nitride, chromium nitride, silicon carbide, and amorph. Scan carbon,
A transparent planar heater, which is a high-refractive-index transparent thin film made of at least one of diamond-like carbon, and a transparent planar heater in which a material forming the transparent thin film layer is partially oxidized. The material forming the transparent thin film layer is a transparent planar heater in which a part thereof is hydrogenated, and the electrode underlayer is made of at least one of copper, nickel, chromium, palladium, lead, platinum, gold and silver. A transparent planar heater made of a metal or an alloy containing, wherein the metal electrode is copper, nickel, chromium, gold, tin,
A transparent planar heater which is a single layer or a laminated body made of a metal or alloy containing at least one of lead, silver and solder, and the electrode underlayer has a thickness of 0.5 nm to 20.
A transparent planar heater in which a thin metal film having a thickness of nm is provided on the transparent conductive film by a dry process,
Further, the metal layer is a transparent planar heater which is a thin film layer containing silver or silver as a main component, and the metal layer contains a metal other than silver on at least one surface of the thin film layer containing silver or silver as a main component. A transparent sheet heater which is a laminate of a thin film layer as a main component, and a transparent sheet heater in which a transparent intermediate layer is provided between the transparent thin film layer and the electrode underlayer. The transparent planar heater according to claim 1, wherein a transparent intermediate layer is provided between the transparent substrate and the transparent thin film layer, and the metal electrode and the first transparent resin are protected. A transparent sheet heater having a second transparent resin protective layer covering the layer, and a part of the first transparent resin protective layer and / or the electrode, or
A transparent sheet heater having an adhesive layer on the entire surface, a transparent sheet heater having an adhesive layer on the second transparent resin protective layer, and an adhesive layer on the transparent substrate. It is a transparent sheet heater provided, and is also a transparent sheet heater in which a metal for external connection is provided on the metal electrode.

【0010】また、本発明は、透明基板上に設けらた透
明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜に通電
するための一対の金属電極を備えた透明面状ヒーターの
製造方法において、窒化物及びまたは炭化物からなる透
明薄膜層と実質的に透光性の金属層とを少なくとも各1
層ずつ積層した透明導電膜を前記透明基板上にドライプ
ロイセスによって形成する第1の工程と、前記透明導電
膜上にドライプロイセスによって金属または合金を付着
させ実質的に透光性の電極下地層を形成する第2の工程
と、前記金属電極が形成される部位以外の場所に第1の
透明樹脂保護層を設ける第3の工程と、湿式めっき法に
よって前記金属電極を前記電極下地層上に形成する第4
の工程とを有する透明面状ヒーターの製造方法であり、
また、前記金属薄膜層の厚さが0.5nm〜20nmで
ある透明面状ヒーターの製造方法であり、また、前記湿
式めっき法が電気めっき法である透明面状ヒーターの製
造方法であり、また、前記湿式めっき法が無電解めっき
法である透明面状ヒーターの製造方法であり、また、前
記第4の工程において無電解めっき法と電気めっき法と
が組み合わされて前記金属電極が形成される透明面状ヒ
ーターの製造方法であり、また、前記第3の透明樹脂保
護層形成工程が、紫外線硬化型レジストインキ、電子線
硬化型レジストインキ、熱硬化型レジストインキ、紫外
線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂のうち
いずれかのもの、あるいはそれらの組合せ又は混合物を
塗布硬化させることによって行われる透明面状ヒーター
の製造方法であり、また、前記第3の透明樹脂保護層形
成工程が、接着層を有する透明フィルムを積層させるこ
とによって行われる透明面状ヒーターの製造方法であ
り、また、前記第3の透明樹脂保護層形成工程が、ドラ
イフィルムを積層硬化させることによって行われる透明
面状ヒーターの製造方法であり、また、前記第3の透明
樹脂保護層形成工程が、塗料を塗布積層させることによ
って行われる透明面状ヒーターの製造方法である。
The present invention also provides a method for manufacturing a transparent sheet heater, which uses a transparent conductive film provided on a transparent substrate as a heat generating surface and is provided with a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film. At least one of a transparent thin film layer made of a nitride, a nitride and / or a carbide and a substantially transparent metal layer.
A first step of forming a layer-by-layer transparent conductive film on the transparent substrate by a dry process; and a step of forming a metal or alloy on the transparent conductive film by a dry process to form a substantially transparent electrode bottom. A second step of forming an underlayer, a third step of providing a first transparent resin protective layer in a place other than a site where the metal electrode is formed, and a step of forming the metal electrode on the electrode underlayer by a wet plating method. Fourth to form
A method of manufacturing a transparent planar heater having the steps of
Further, it is a method for producing a transparent sheet heater in which the metal thin film layer has a thickness of 0.5 nm to 20 nm, and a method for producing a transparent sheet heater in which the wet plating method is an electroplating method, A method of manufacturing a transparent planar heater, wherein the wet plating method is an electroless plating method, and the metal electrode is formed by combining an electroless plating method and an electroplating method in the fourth step. It is a manufacturing method of a transparent sheet heater, and the third transparent resin protective layer forming step is an ultraviolet curable resist ink, an electron beam curable resist ink, a thermosetting resist ink, an ultraviolet curable resin, an electron beam. A method for producing a transparent sheet heater, which is performed by applying and curing any one of a curable resin and a thermosetting resin, or a combination or mixture thereof. Further, the third transparent resin protective layer forming step is a method for manufacturing a transparent planar heater, which is performed by laminating a transparent film having an adhesive layer, and the third transparent resin protective layer forming step is And a method for manufacturing a transparent planar heater, which is carried out by laminating and curing a dry film, and the third transparent resin protective layer forming step is a process for manufacturing a transparent planar heater, which is carried out by coating and laminating a coating material. Is the way.

【0011】さらに本発明は、透明基板上に設けられた
透明導電膜を発熱面として使用し、前記透明導電膜に通
電するための一対の金属電極を備えた透明面状ヒーター
において、前記透明導電膜の少なくとも片面に透明な中
間層を有し、前記透明導電膜の一要素である前記金属層
が前記銀または銀を主成分とする金属層の少なくとも片
面に前記銀以外の金属からなる金属層を積層したものか
らなり、前記金属電極が前記透明な中間層を含む前記透
明導電膜上に形成されている透明面状ヒーターである。
Further, the present invention provides a transparent planar heater comprising a transparent conductive film provided on a transparent substrate as a heat generating surface and comprising a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film. A metal layer having a transparent intermediate layer on at least one surface of the film, wherein the metal layer as an element of the transparent conductive film is made of silver or a metal other than silver on at least one surface of the metal layer containing silver as a main component. A transparent planar heater in which the metal electrode is formed on the transparent conductive film including the transparent intermediate layer.

【0012】以下、図面を参照しつつ本発明の好まし
い、実施の一例を説明する。
A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】まず、添付図面について説明するに、図1
は、比較例を示す構成の断面図であり、図2は、本発明
の構成の平面図、図3a、図3b及び図3cは本発明の
好ましい態様の一例を示す構成の断面図であり、図4
は、本発明の構成の斜視図であり、図5は、発明の他の
透明導電膜の好ましい一例を示す構成の断面図である。
図6a、図6b、図6cおよび図7は他の好ましい一例
を示す構成の断面図である。図2、図3a、図3b、図
3c、図4、図6a、図6b、図6c、図7、図8、図
9に示される透明面状ヒーター1は、略4角形の面状の
ものであって、プラスチック等からなる透明基板2と、
透明基板2の主面上に順次積層された透明導電膜3およ
び電極下地層4と、透明導電膜3に通電するために電極
下地層4上にあってヒーター1の両端部に設けられた一
対の電極5と、電極下地層4の表面で電極5が形成され
ない部分を被覆する第1の透明樹脂保護層6と、金属電
極5および第1の透明樹脂保護層6を覆う第2の透明樹
脂保護層7とによって、構成されている。
First, referring to the attached drawings, FIG.
Is a cross-sectional view of a structure showing a comparative example, FIG. 2 is a plan view of the structure of the present invention, and FIGS. 3a, 3b and 3c are cross-sectional views of the structure showing an example of a preferred embodiment of the present invention. Figure 4
FIG. 5 is a perspective view of a configuration of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view of a configuration showing a preferred example of another transparent conductive film of the present invention.
6a, 6b, 6c and 7 are cross-sectional views of a structure showing another preferable example. The transparent planar heater 1 shown in FIGS. 2, 3a, 3b, 3c, 4, 6a, 6b, 6c, 7, 8 and 9 has a substantially rectangular planar shape. And a transparent substrate 2 made of plastic or the like,
A transparent conductive film 3 and an electrode underlayer 4 which are sequentially stacked on the main surface of the transparent substrate 2, and a pair provided on both ends of the heater 1 on the electrode underlayer 4 for energizing the transparent conductive film 3. Electrode 5, a first transparent resin protective layer 6 that covers the surface of the electrode underlayer 4 where the electrode 5 is not formed, and a second transparent resin that covers the metal electrode 5 and the first transparent resin protective layer 6. And the protective layer 7.

【0014】透明導電膜3は実質的に透光性の金属層と
窒化物及び/または炭化物からなる透明薄膜層とを少な
くとも各1層ずつ積層した構成となっている。図5に示
す例では、透明導電膜3は透明薄膜層3a/金属層3b
/透明薄膜層3aの3層構成となっている。また、金属
下地層4は実質的に透光性を有するように、その厚さが
決定されている。金属電極5は細長い形状であって、そ
の一端が接続部5aとなっている。接続部5aは、金属
電極5に電圧を印加するための電線などが接続される部
位であり、接続部5aの上には第2の透明樹脂保護層7
は設けられていない。図2および図4に示されるよう
に、接続部5aはヒーター1の本体部分から面内方向に
突出している。なお、図7は中間層13を有する一例を
示す構成の断面図を示している。
The transparent conductive film 3 has a structure in which at least one transparent metal layer and at least one transparent thin film layer made of nitride and / or carbide are laminated. In the example shown in FIG. 5, the transparent conductive film 3 is a transparent thin film layer 3a / metal layer 3b.
The transparent thin film layer 3a has a three-layer structure. Further, the thickness of the metal underlayer 4 is determined so that it is substantially translucent. The metal electrode 5 has an elongated shape, and one end thereof serves as the connecting portion 5a. The connection portion 5a is a portion to which an electric wire or the like for applying a voltage to the metal electrode 5 is connected, and the second transparent resin protective layer 7 is provided on the connection portion 5a.
Is not provided. As shown in FIGS. 2 and 4, the connecting portion 5a projects in the in-plane direction from the main body portion of the heater 1. Note that FIG. 7 shows a cross-sectional view of a configuration showing an example having the intermediate layer 13.

【0015】電極下地層4は、透明導電膜3上に、蒸着
粒子のエネルギーが特定の値以上、好ましくは1eV以
上となる、ドライプロセスから選ばれた方法により形成
される。電極下地層4の厚さは、例えば、0.5nm〜
20nmである。電極5は、電極下地層4の表面であっ
て電極5が形成される領域以外の部位に第1の透明樹脂
保護層6を形成した後に、電極下地層4の表面に無電解
めっき法や電気めっき法等のウェットプロセスから選ば
れた方法により形成される。
The electrode underlayer 4 is formed on the transparent conductive film 3 by a method selected from dry processes in which the energy of vapor-deposited particles is a specific value or more, preferably 1 eV or more. The thickness of the electrode base layer 4 is, for example, 0.5 nm to
It is 20 nm. After forming the first transparent resin protective layer 6 on the surface of the electrode underlayer 4 other than the region where the electrode 5 is formed, the electrode 5 is formed on the surface of the electrode underlayer 4 by electroless plating or electroplating. It is formed by a method selected from wet processes such as plating.

【0016】第2の透明樹脂保護層7は、電極5や透明
導電膜3の機械的、化学的な保護のために設けられるも
のであって、樹脂またはフィルムからなる可視光線透過
率が例えば70%以上のものである。
The second transparent resin protective layer 7 is provided for mechanical and chemical protection of the electrode 5 and the transparent conductive film 3, and has a visible light transmittance of, for example, 70 made of resin or film. % Or more.

【0017】このように透明面状ヒーターを構成するこ
とにより、透明導電膜に損傷を与えることなく、透明導
電膜上に金属からなる電極を実質的に直接形成しうるこ
とになるから、電極と透明導電膜との電気的接続が良好
なものとなって両者間の接触抵抗が小さくなり、透明面
状ヒーターとしての性能が向上し、信頼性も格段に向上
する。第1の透明樹脂保護層は、引き続く金属電極形成
工程における電極の形成されるべき位置を決定するとと
もに、透明導電膜の保護も行うこととなり、透明面状ヒ
ーター製造時の作業効率も格段に高められる。
By configuring the transparent sheet heater as described above, an electrode made of metal can be formed substantially directly on the transparent conductive film without damaging the transparent conductive film. The electrical connection with the transparent conductive film becomes good, the contact resistance between the two becomes small, the performance as a transparent sheet heater is improved, and the reliability is significantly improved. The first transparent resin protective layer not only determines the position where the electrode should be formed in the subsequent metal electrode forming step, but also protects the transparent conductive film, which significantly improves the work efficiency during the production of the transparent planar heater. To be

【0018】さらに、透明面状ヒーターを他の支持体に
取りつけるための接着層を設けることも可能である。図
6a、図6b、図6c、図7は接着層8を有する構成を
示している。図6a、図6b、図7は接着層8は透明基
板2上又は第2の透明樹脂保護層7上に設けられてお
り、使用前に、接着層8が他の部材に付着することを防
ぐために、接着層8の表面にはセパレーター(離型紙)
9が設けられている。
Further, it is possible to provide an adhesive layer for attaching the transparent sheet heater to another support. 6a, 6b, 6c, and 7 show a configuration having an adhesive layer 8. 6a, 6b and 7 show that the adhesive layer 8 is provided on the transparent substrate 2 or the second transparent resin protective layer 7 to prevent the adhesive layer 8 from adhering to other members before use. In order to protect the adhesive layer 8, a separator (release paper) is provided on the surface of the adhesive layer 8.
9 is provided.

【0019】図6cは第1の透明樹脂保護層6と、電極
5の一部に接着層8を設け、そのうえに、セパレータを
積層している。当然のことながら、この透明面状ヒータ
ーを実際に支持体に取りつける場合には、セパーター
(離型紙)9は剥離除去される。図8、図9は金属電極
5に電圧を印加するための電線をハンダ付け等で取りつ
けるための金具11をハトメで、金属電極5の接続部5
aに設けた構成を示している。本発明の透明面状ヒータ
ーでは、電極下地層や透明薄膜層は、一般的にはドライ
プロセスで形成され、金属電極は、一般的にはウエット
プロセスによって形成される。
In FIG. 6c, a first transparent resin protective layer 6 and an adhesive layer 8 are provided on a part of the electrode 5, and a separator is laminated thereon. As a matter of course, when the transparent sheet heater is actually attached to the support, the separator (release paper) 9 is peeled off. 8 and 9 are eyelets of a metal fitting 11 for attaching an electric wire for applying a voltage to the metal electrode 5 by soldering or the like, and a connecting portion 5 of the metal electrode 5
The structure provided in a is shown. In the transparent planar heater of the present invention, the electrode underlayer and the transparent thin film layer are generally formed by a dry process, and the metal electrode is generally formed by a wet process.

【0020】本発明においてドライプロセスとは、非溶
液中で膜を形成する方法を意味するものであって、真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
分子線エピタキー法(MBE)等の物理的蒸着法やCV
D法、MOCVD法、プラズマCVD法等の化学堆積法
が挙げられる。また、ウェットプロセスとは、溶液中で
膜を形成するものを意味するものであって、特に、湿式
めっきである電気めっき、無電解めっき(化学めっき)
を指称するものである。
In the present invention, the dry process means a method for forming a film in a non-solution, and includes a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method,
Physical vapor deposition such as molecular beam epitaxy (MBE) and CV
Chemical deposition methods such as D method, MOCVD method and plasma CVD method can be mentioned. Further, the wet process means forming a film in a solution, and in particular, wet plating such as electroplating and electroless plating (chemical plating).
Is meant.

【0021】本発明において透明基板としては、波長が
400nm〜800nmの可視光線領域において光線透
過率が70%以上、より好ましくは80%以上の基板で
あって、ガラスの他、透明なプラスチックフィルムを用
いることが出来る。薄さ、可撓性、耐衝撃性、連続生産
性などの面から、透明基板としてはプラスチックフィル
ムが特に好ましく用いられる。
In the present invention, the transparent substrate is a substrate having a light transmittance of 70% or more, more preferably 80% or more in a visible light region having a wavelength of 400 nm to 800 nm, and a transparent plastic film other than glass is used. Can be used. From the viewpoint of thinness, flexibility, impact resistance, continuous productivity, etc., a plastic film is particularly preferably used as the transparent substrate.

【0022】透明基板を構成するフィルムの素材として
好ましいプラスチックを例示するならば、ポリエチレン
テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル、ポリアミド、ポリエーテ
ル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン(PE
S)、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、
ポリイミド、アラミド、ポリパラバン酸などのホモポリ
マーまたはコポリマーからなるものが挙げられる。さら
に、透明基板と透明導電膜との密着力を向上させるため
に、透明基板の上にアンダーコートを設けて、透明基板
としても良い。ここでアンダーコートとは架橋性樹脂硬
化物層またはアンカー剤の上に架橋性樹脂硬化物層を設
けたものである。架橋性樹脂硬化物としてはアクリルエ
ポキシ樹脂、アクリルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、フェノキシエーテル型架橋樹脂、メラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、または紫外線
硬化型アクリレート類等が好ましく用いられる。またア
ンカー剤としては水溶性ポリウレタン樹脂、水溶性ポリ
アミド樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、A−PET(ア
モルファス−ポリエチレンテレフタレート)、エチレン
−酢酸ビニル系エマルジョン、または(メタ)アクリル
系エマルジョン等が好ましく用いられる。言うまでもな
いが、透明基板と透明導電膜との密着力を向上させるも
のならば、いずれのものでも使用可能である。アンダー
コートの厚みは通常は1〜100μmであり、好ましく
は10〜50μmである。
As examples of preferable plastics as the material of the film constituting the transparent substrate, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyamides, polyethers, polysulfones, and polyethersulfones (PE) are used.
S), polycarbonate, polyarylate, polyetherimide, polyetheretherketone (PEEK),
Examples thereof include those composed of homopolymers or copolymers of polyimide, aramid, polyparabanic acid and the like. Furthermore, in order to improve the adhesion between the transparent substrate and the transparent conductive film, an undercoat may be provided on the transparent substrate to form a transparent substrate. Here, the undercoat refers to a cured crosslinkable resin layer or an anchoring agent on which a cured crosslinkable resin layer is provided. As the crosslinkable resin cured product, acrylic epoxy resin, acrylic silicone resin, epoxy resin,
Acrylic resins, phenoxy ether type cross-linking resins, melamine resins, phenol resins, urethane resins, and UV-curable acrylates are preferably used. As the anchor agent, a water-soluble polyurethane resin, a water-soluble polyamide resin, a water-soluble polyester resin, A-PET (amorphous polyethylene terephthalate), an ethylene-vinyl acetate emulsion, a (meth) acrylic emulsion or the like is preferably used. Needless to say, any material can be used as long as it improves the adhesion between the transparent substrate and the transparent conductive film. The thickness of the undercoat is usually 1 to 100 μm, preferably 10 to 50 μm.

【0023】本発明に用いられるプラスチックフィルム
の厚みは、通常は5〜500μmであり、好ましくは1
0〜200μmであり、さらに好ましくは50〜150
μmである。
The thickness of the plastic film used in the present invention is usually 5 to 500 μm, preferably 1
0 to 200 μm, more preferably 50 to 150
μm.

【0024】本発明おいて透明導電膜は窒化物及びまた
は炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の金属層
とを少なくとも各1層積層したものである。好ましくは
透明導電膜が窒化物及びまたは炭化物からなる透明薄膜
層と実質的に透光性の金属層と透明導電膜が窒化物及び
または炭化物からなる透明薄膜層とからなる3層構造で
ある。さらに、透明薄膜層と金属層とをそれぞれ複数層
交互に積層することも可能である。
In the present invention, the transparent conductive film is a laminate of at least one transparent thin film layer made of nitride and / or carbide and at least one substantially transparent metal layer. Preferably, the transparent conductive film has a three-layer structure including a transparent thin film layer made of nitride and / or carbide, a substantially transparent metal layer, and a transparent conductive film made of a transparent thin film layer made of nitride and / or carbide. Furthermore, it is also possible to alternately laminate a plurality of transparent thin film layers and a plurality of metal layers.

【0025】本発明おいて金属層としては金、銀、銅、
パラジウム等の導電性を有する金属の単体または合金の
薄膜ならいかなるものでも使用可能であるが、導電性の
点から銀を主成分とする薄膜が好ましい。銀を主成分と
する薄膜の場合、銀の含有量は望ましくは30重量%以
上、好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは50
重量%以上である。もちろん、銀を主成分とする薄膜と
して銀そのものの使用も有効であり、ここで述べた範囲
外であっても、場合によっては使用可能である。なお、
通電による透明導電膜劣化防止や金属層と透明薄膜層と
の密着性向上の観点から、導電性、透明性を損なわない
範囲で、銀を主成分とする薄膜中に金、銅、パラジウ
ム、白金、タングステン、チタン、コバルト、クロム、
ニッケル、スズ、インジウム、ITO(インジウム・ス
ズ・オキサイド)、亜鉛等の金属を含ませても良い。言
うまでもなく、透明導電膜劣化防止や金属層と透明薄膜
層との密着性向上の観点から好ましい金属であれば、こ
れら以外の金属でも用いられる。金属層の厚さは、1n
m〜100nmが望ましい。好ましくは5nm〜50n
mさらに好ましくは10nm〜30nmである。
In the present invention, as the metal layer, gold, silver, copper,
Although any thin film of a simple substance or an alloy of a conductive metal such as palladium can be used, a thin film containing silver as a main component is preferable from the viewpoint of conductivity. In the case of a thin film containing silver as a main component, the silver content is desirably 30% by weight or more, preferably 40% by weight or more, more preferably 50% by weight or more.
It is more than weight%. Of course, it is effective to use silver itself as a thin film containing silver as a main component, and even if it is out of the range described here, it can be used in some cases. In addition,
From the viewpoint of preventing deterioration of the transparent conductive film due to energization and improving the adhesion between the metal layer and the transparent thin film layer, gold, copper, palladium and platinum are contained in the thin film containing silver as a main component, as long as conductivity and transparency are not impaired. , Tungsten, titanium, cobalt, chromium,
A metal such as nickel, tin, indium, ITO (indium tin oxide), or zinc may be included. Needless to say, other metals can be used as long as they are preferable from the viewpoint of preventing deterioration of the transparent conductive film and improving the adhesion between the metal layer and the transparent thin film layer. The thickness of the metal layer is 1n
m to 100 nm is desirable. Preferably 5 nm to 50 n
m is more preferably 10 nm to 30 nm.

【0026】また、透明薄膜層への金属層の密着性を向
上するために、銀を主成分とする薄膜層にその他の金属
からなる薄膜層を少なくとも、片面、積層して、ここで
使用する金属層としてもよい。銀以外の金属からなる薄
膜層を銀または銀を主成分とする薄膜層に積層する場
合、銀以外の金属からなる薄膜層の好ましい金属とし
て、金、銅、パラジウム、白金、タングステン、チタ
ン、ニッケル、スズ、亜鉛、イリジウム、クロム、コバ
ルト、マンガン、カドミウム、鉄、、アルミニウム、珪
素、インジウム、ジルコニウム、ゲルマニウム、モリブ
デン、鉛、バナジウム、ニオブ、タンタル、バリウム、
ガリウム等の金属またはそれらのうち1種以上を含む合
金が用いられるが、透明薄膜層への金属層の密着性向上
の観点から好ましい金属または合金であればこれら以外
の金属または合金でも用いられる。また、ここで言う合
金とはこれに限定されるものではない。
In order to improve the adhesion of the metal layer to the transparent thin film layer, at least one thin film layer made of other metal is laminated on the thin film layer containing silver as a main component and used here. It may be a metal layer. When a thin film layer made of a metal other than silver is laminated on silver or a thin film layer containing silver as a main component, preferred metals for the thin film layer made of a metal other than silver include gold, copper, palladium, platinum, tungsten, titanium, and nickel. , Tin, zinc, iridium, chromium, cobalt, manganese, cadmium, iron, aluminum, silicon, indium, zirconium, germanium, molybdenum, lead, vanadium, niobium, tantalum, barium,
A metal such as gallium or an alloy containing at least one of them is used, and any other metal or alloy may be used as long as it is a preferable metal or alloy from the viewpoint of improving the adhesion of the metal layer to the transparent thin film layer. The alloy mentioned here is not limited to this.

【0027】銀以外の金属からなる薄膜層の厚さは、通
常、0.1nm〜60nmが望ましい。好ましくは0.
3m〜50nmさらに好ましくは0.5nm〜30nm
である。言うまでもなく、ここで述べた範囲以外であっ
ても、場合によっては使用可能である。銀以外の金属か
らなる薄膜層は、透明薄膜層または銀または銀を主成分
とする薄膜層上に均一な連続層として形成されることが
望ましいが、形成する厚さ相当により、透明薄膜または
金属薄膜上に島状に形成されてもよく、また局部的に形
成されても良い。
Generally, the thickness of the thin film layer made of a metal other than silver is preferably 0.1 nm to 60 nm. Preferably 0.
3 m to 50 nm, more preferably 0.5 nm to 30 nm
Is. Needless to say, it can be used in some cases even outside the range described here. The thin film layer made of a metal other than silver is preferably formed as a uniform continuous layer on the transparent thin film layer or the thin film layer containing silver or silver as a main component. It may be formed in an island shape on the thin film, or may be formed locally.

【0028】本発明おいて透明薄膜層を構成する素材と
しては窒化物及びまたは炭化物であり、好ましい窒化物
及びまたは炭化物としては窒化アルミニウム、窒化イン
ジウム、窒化ガリウム、窒化ケイ素、窒化スズ、窒化ホ
ウ素、窒化クロム、窒化炭化ケイ素、炭化ケイ素、アモ
ルファスカーボン、ダイヤモンド状カーボンなどが例示
される。通常、屈折1.6以上、好ましくは屈折率1.
8以上、さらに好ましくは屈折率2.0以上の窒化物及
びまたは炭化物からなる高屈折率透明薄膜が好ましい。
また、めっき液に対し、充分な耐久性を持つためには、
pH5以下、好ましくはpH3以下、さらに好ましくは
pH1以下の酸性溶液中でも不要もしくは著しく溶解せ
ず、光学的バンドギャップが好ましくは3eV以上の窒
化物、炭化物及びそれらの混合物からなるものであれば
いかなるものでもよい。なお、光線透過率は通常60%
以上、好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%
以上である。
In the present invention, the material constituting the transparent thin film layer is a nitride and / or a carbide. Preferred nitrides and / or carbides are aluminum nitride, indium nitride, gallium nitride, silicon nitride, tin nitride, boron nitride, Examples thereof include chromium nitride, silicon nitride carbide, silicon carbide, amorphous carbon and diamond-like carbon. Usually, the refractive index is 1.6 or more, preferably the refractive index is 1.
A high refractive index transparent thin film made of a nitride and / or a carbide having a refractive index of 8 or more, and more preferably 2.0 or more is preferable.
Also, in order to have sufficient durability against the plating solution,
Any material that is unnecessary or does not dissolve in an acidic solution having a pH of 5 or less, preferably pH 3 or less, and more preferably pH 1 or less, and has an optical band gap of preferably 3 eV or more, and is composed of a nitride, a carbide, or a mixture thereof. But it's okay. The light transmittance is usually 60%
Or more, preferably 70% or more, more preferably 80%
That is all.

【0029】この場合、一部が酸化されていたり、水素
化されていてもよい。一部が酸化されたものの透明薄膜
としては、例えば、酸窒化アルミニウム、酸窒化インジ
ウム、酸窒化ガリウム、酸窒化ケイ素、酸窒化スズ、酸
窒化ホウ素、酸窒化クロム、酸窒化炭化ケイ素などの酸
窒化物が挙げられる。これら酸窒化物の金属及びまたは
炭素を除く成分中の窒素分は30原子%以上、さらに好
ましくは、50原子%以上である。一部が水素化された
ものの透明薄膜としては 例えば、水素化窒化アルミニ
ウム、水素化窒化インジウム、水素化窒化ガリウム、水
素化窒化ケイ素、水素化窒化スズ、水素化窒化ホウ素、
水素化窒化クロム、水素化窒化炭化ケイ素などの水素化
窒化物が挙げられる。これら水素化窒化物の金属及びま
たは炭素を除く成分中の窒素分は50原子%以上、さら
に好ましくは、80原子%以上である。
In this case, a part may be oxidized or hydrogenated. Examples of the transparent thin film partially oxidized include oxynitrides such as aluminum oxynitride, indium oxynitride, gallium oxynitride, silicon oxynitride, tin oxynitride, boron oxynitride, chromium oxynitride, and silicon oxynitride carbide. Things can be mentioned. The nitrogen content in the components of these oxynitrides excluding the metal and / or carbon is 30 atomic% or more, and more preferably 50 atomic% or more. Examples of the transparent thin film partially hydrogenated include aluminum hydronitride, indium hydronitride, gallium hydronitride, silicon hydronitride, tin hydronitride, boron hydronitride,
Examples thereof include hydronitrides such as chromium hydronitride and silicon hydrocarbide. The nitrogen content in the components other than the metal and / or carbon of these hydronitrides is 50 atomic% or more, and more preferably 80 atomic% or more.

【0030】以上の様に、透明薄膜層はこれらの窒化
物、炭化物、酸窒化物、酸窒化炭化物、水素化窒化物、
水素化窒化炭化物の中の少なくとも一種からなる透明薄
膜の単層体または積層体からなる。このような、透明薄
膜層の厚さは、通常0.3nm〜100nmであり、好
ましくは1nm〜100nmであり、さらに好ましくは
5nm〜50nm、より好ましくは10nm〜30nm
である。
As described above, the transparent thin film layer is formed of these nitrides, carbides, oxynitrides, oxynitride carbides, hydronitrides,
The transparent thin film is composed of a single layer or a laminated body of a transparent thin film made of at least one of hydrogenated and nitrided carbides. The thickness of such a transparent thin film layer is usually 0.3 nm to 100 nm, preferably 1 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 50 nm, and further preferably 10 nm to 30 nm.
Is.

【0031】本発明の金属層、透明薄膜層、透明導電膜
を透明基板上に形成する方法としては、スプレ−法、塗
布法の他、物理的蒸着法等の公知の方法が利用できる。
ここで、物理的蒸着法とは、減圧下もしくは真空下で金
属等の薄膜を形成する方法であって、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレ−ティング法、イオンビ−ム
アシスト蒸着法、イオンクラスタ−ビ−ム法等が例示さ
れる。
As the method for forming the metal layer, the transparent thin film layer and the transparent conductive film of the present invention on the transparent substrate, known methods such as a spray method and a coating method as well as a physical vapor deposition method can be used.
Here, the physical vapor deposition method is a method of forming a thin film of a metal or the like under reduced pressure or under vacuum, and includes a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assisted vapor deposition method, an ion cluster-bi-layer method. -Mum method etc. are illustrated.

【0032】本発明において電極下地層としては、銅、
ニッケル、パラジウム、クロム、金、銀、鉛、白金等、
通常の電極材料として用いられる金属が用いられるが、
ウエットプロセスの時のメッキの核としての機能があれ
ば、いかなる金属または合金でも使用可能である。電極
下地層は、透明導電膜上に蒸着粒子が、直接的にもしく
は間接的に電磁界からエネルギーを得る、ドライプロセ
スから選ばれた方法により形成される。直接的にエネル
ギーを得るとは、イオンが電磁界中で受ける力により加
速されエネルギーを得ることを意味する。間接的にエネ
ルギーを得るとは、直接的にエネルギーを得た粒子か
ら、衝突過程を通してエネルギーを得ることを意味す
る。前述の過程により蒸着粒子が得るエネルギーは、好
ましくは0.5eV以上100eV以下であり、より好
ましくは、1eV以上50eV以下である。あまりエネ
ルギーがちいさく例えば0.5eV未満では電極下地層
の密着力が充分でないことが多く、またあまり大であり
例えば100eVを越えると蒸着粒子により薄膜がスパ
ッタリングされる過程が顕著になってくる。なお、前述
の範囲のエネルギーを持たない粒子が、電極下地層を作
製するための蒸着粒子中に数%乃至数10%混在しても
よい。
In the present invention, the electrode underlayer is copper,
Nickel, palladium, chromium, gold, silver, lead, platinum, etc.
The metal used as a normal electrode material is used,
Any metal or alloy can be used as long as it functions as a plating nucleus during the wet process. The electrode underlayer is formed on the transparent conductive film by a method selected from dry processes in which vapor deposition particles directly or indirectly obtain energy from an electromagnetic field. Obtaining energy directly means obtaining energy by being accelerated by the force that an ion receives in an electromagnetic field. Obtaining energy indirectly means obtaining energy through a collision process from particles that have obtained energy directly. The energy obtained by the vapor deposition particles in the above process is preferably 0.5 eV or more and 100 eV or less, and more preferably 1 eV or more and 50 eV or less. If the energy is too small, for example, less than 0.5 eV, the adhesion of the electrode underlayer is often insufficient, and if it is too large, for example, more than 100 eV, the process in which the thin film is sputtered by vapor deposition particles becomes remarkable. Particles having no energy in the above range may be mixed in the vapor deposition particles for forming the electrode underlayer by several% to several tens%.

【0033】電極下地層の具体的な形成方法を例示する
ならば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッ
タリング法、分子線エピタキー法(MBE)、CVD
法、MOCVD法、プラズマCVD法等の方法が挙げら
れ、透明基板の耐熱温度等に応じて適宜選択することが
出来る。電極下地層のより好ましい形成方法として、蒸
着粒子のエネルギーが特定の値、例えば1eV以上とな
るようなスパッタリング法、イオンプレーティング法、
イオンビームアシスト蒸着法、イオンクラスタービーム
法、イオン蒸着薄膜形成法等イオンを用いた方法が挙げ
られる。また、反応性物理蒸着法で窒化物を設ける場
合、使用するガスは窒素成分供与として、窒素、アンモ
ニア等窒素成分を含むものなら何れでも使用可能であ
る。また酸窒化物、水素化窒化物においては、これら窒
素供与成分に加えて、酸素や水素や水及びそれら酸素成
分や水素成分を供与できるものを混合して供給してもよ
いし、別々に系内に供給しても良い。言うまでもない
が、非反応系の場合でも前記の成分供与体を系内に導入
して、薄膜の成分を補充しても良い。
To exemplify a specific method of forming the electrode underlayer, a vacuum deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a molecular beam epitaxy method (MBE), a CVD method.
Method, MOCVD method, plasma CVD method and the like, and can be appropriately selected according to the heat resistant temperature of the transparent substrate. As a more preferable method for forming the electrode underlayer, a sputtering method, an ion plating method, or the like, in which the energy of the vapor deposition particles has a specific value, for example, 1 eV or more,
Examples include ion beam assisted vapor deposition method, ion cluster beam method, ion vapor deposition thin film forming method, and the like. Further, when the nitride is provided by the reactive physical vapor deposition method, any gas may be used as long as it contains nitrogen components such as nitrogen and ammonia as a nitrogen component donating. Further, in the case of oxynitride and hydronitride, in addition to these nitrogen-donating components, oxygen, hydrogen, water, and those capable of donating these oxygen components and hydrogen components may be mixed and supplied, or they may be supplied separately. You may supply in. Needless to say, even in the case of a non-reactive system, the above component donor may be introduced into the system to replenish the components of the thin film.

【0034】電極下地層は、透明導電膜上に均一な連続
層として形成されることが望ましいが、形成する厚さ相
当により、透明導電膜上に島状に形成されてもよく、ま
た、透明導電膜上に局部的に形成されても良い。電極下
地層の厚さは、0.5nm〜20nmが望ましい。この
数値自体は特に臨界的なものではないが、通常膜厚が
0.5nm未満であまり薄い場合には、めっき処理によ
って形成される電極の厚みが不均一になり易い。また、
20nmを越えあまり厚い場合には、可視光線透過率が
著しく低下し、透明面状ヒーターの光線透過率が損なわ
れ、本発明の目的にそぐわなくなる。
The electrode underlayer is preferably formed as a uniform continuous layer on the transparent conductive film, but may be formed in an island shape on the transparent conductive film depending on the thickness to be formed. It may be locally formed on the conductive film. The thickness of the electrode underlayer is preferably 0.5 nm to 20 nm. This value itself is not particularly critical, but when the film thickness is usually less than 0.5 nm and is too thin, the thickness of the electrode formed by the plating process tends to be uneven. Also,
When the thickness exceeds 20 nm and is too thick, the visible light transmittance is remarkably lowered, and the light transmittance of the transparent planar heater is impaired, which is not suitable for the purpose of the present invention.

【0035】本発明の透明面状ヒーターにおいて、窒化
物及び/または炭化物からなる透明薄膜層と金属層とを
少なくとも各1層積層した積層体を透明導電膜として用
いる際、透明導電膜とウエットプロセスによる金属電極
との接着性またはめっき膜の平滑性をより向上させる目
的で透明導電膜と電極下地層との間に中間層を設けるこ
とができる。本発明の中間膜としては、光線透過率が通
常60%以上、好ましくは70%以上、さらに好ましく
は80%以上あれば、とくに限定されるものでないが、
好ましい例としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化
インジウム・スズ、酸化亜鉛、酸化珪素等の金属酸化物
が挙げられる。
In the transparent sheet heater according to the present invention, when a laminate having at least one transparent thin film layer made of nitride and / or carbide and one metal layer is used as a transparent conductive film, the transparent conductive film and the wet process are used. An intermediate layer can be provided between the transparent conductive film and the electrode underlayer for the purpose of further improving the adhesiveness to the metal electrode or the smoothness of the plated film. The interlayer film of the present invention is not particularly limited as long as it has a light transmittance of usually 60% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more,
Preferred examples include metal oxides such as indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, zinc oxide, and silicon oxide.

【0036】また、透明基板からの低分子量化合物等の
浮きだしによる導電膜の浮き等の劣化を防止するため、
この中間膜を透明基板と透明薄膜層の間に設けても良
い。中間膜の厚みは、通常1nm〜150nm、好まし
くは5nm〜50nmであり、さらに好ましくは10n
m〜〜20nmである。なお、透明導電膜とウエットプ
ロセスによる金属電極との接着性またはめっき膜の平滑
性の向上や透明基板からの低分子量化合物等の浮きだし
防止等いずれの観点から好ましいものなら、これらに限
定されず使用できる。
Further, in order to prevent deterioration of floating of the conductive film due to floating of a low molecular weight compound or the like from the transparent substrate,
This intermediate film may be provided between the transparent substrate and the transparent thin film layer. The thickness of the intermediate film is usually 1 nm to 150 nm, preferably 5 nm to 50 nm, and more preferably 10 n.
m to -20 nm. It should be noted that the present invention is not limited to these, as long as it is preferable from the viewpoint of improving the adhesiveness between the transparent conductive film and the metal electrode by the wet process or the smoothness of the plating film and preventing the low molecular weight compound from rising from the transparent substrate. Can be used.

【0037】なお、透明導電膜とウェットプロセスによ
る金属電極との接着性またはメッキ膜の平滑性をより向
上させる目的で透明導電膜の少なくとも片面に中間層を
設ける場合、透明導電膜の一要素である金属層が銀また
は銀を主成分とする金属層の少なくとも片面に銀以外の
金属を主成分とする金属層を積層したものであるときに
は、場合によっては、透明導電膜中に銀以外の金属を主
成分とする金属層を含むので、透明導電膜上に電極下地
層を必ずしも設けなくてもよいのである。
When an intermediate layer is provided on at least one side of the transparent conductive film for the purpose of further improving the adhesion between the transparent conductive film and the metal electrode by the wet process or the smoothness of the plated film, it is an element of the transparent conductive film. When a certain metal layer is a metal layer containing silver or a metal containing silver as a main component and a metal layer containing a metal other than silver as a main component is laminated on at least one surface of the metal layer, a metal other than silver may be added to the transparent conductive film in some cases. Since it contains a metal layer containing as a main component, it is not always necessary to provide an electrode underlayer on the transparent conductive film.

【0038】本発明に用いられる第1の透明樹脂保護層
としては、550nmの波長の光線透過率が通常70%
以上、好ましくは80%以上であり、かつめっき処理時
に耐えうるような保護層であれば如何なるものであって
もよい。このような第1の透明樹脂保護層としては、例
えば、公知のUV硬化型のレジストインキを塗布硬化せ
しめたもの、電子線硬化型のレジストインキを塗布硬化
せしめたもの、熱硬化型のレジストインキを塗布硬化せ
しめたもの、UV硬化型樹脂を塗布硬化せしめたもの、
電子線硬化型樹脂を塗布硬化せしめたもの、熱硬化型樹
脂を塗布硬化せしめたものの他、ドライフィルムなどが
挙げられる。この他、耐水性、耐薬品性のある透明な膜
が得られるものであれば、第1の透明樹脂保護層として
使用でき、例えば、透明な塗料、硬化性モノマーまたは
オリゴマー、ポリエステル等のプラスチックフィルムに
接着剤を塗布したものや、エチレン−酢酸ビニル共重合
体等の自己粘着性を有するフィルムを積層して、第1の
透明樹脂保護層を形成することができる。言うまでもな
いが、これらを混合したり、積層したものも透明樹脂保
護層として使用可能である。ここでUV硬化型樹脂とし
てはエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポ
リエステルアクリレート、多官能性アクリレート、ポリ
エーテルアクリレート、シリコンアクリレート、ポリブ
タジエンアクリレート、不飽和ポリエステル/スチレ
ン、ポリエン/チオール、ポリスチリルメタクリレー
ト、UV硬化ラッカー等が好ましく用いられる。
As the first transparent resin protective layer used in the present invention, the light transmittance at a wavelength of 550 nm is usually 70%.
As described above, any protective layer may be used as long as it is 80% or more, and can withstand the plating treatment. Examples of such a first transparent resin protective layer include a known UV curable resist ink applied and cured, an electron beam curable resist ink applied and cured, and a thermosetting resist ink. That is applied and cured, or that is applied and cured with a UV curable resin,
Examples include those obtained by applying and curing an electron beam-curable resin, those obtained by applying and curing a thermosetting resin, and dry films. In addition to this, a transparent transparent film having water resistance and chemical resistance can be used as the first transparent resin protective layer. For example, a transparent paint, a curable monomer or oligomer, a plastic film such as polyester film. The first transparent resin protective layer can be formed by laminating a film having an adhesive applied thereto or a film having self-adhesiveness such as ethylene-vinyl acetate copolymer. Needless to say, a mixture of these or a laminate thereof can be used as the transparent resin protective layer. Here, as the UV curable resin, epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate, polyfunctional acrylate, polyether acrylate, silicon acrylate, polybutadiene acrylate, unsaturated polyester / styrene, polyene / thiol, polystyryl methacrylate, UV curable lacquer, etc. Is preferably used.

【0039】電子線硬化型樹脂としてはエポキシアクリ
レート、ウレタンアクリレート、ポポリエステルアクリ
レート、多官能性アクリレート、ポリエーテルアクリレ
ート、シリコンアクリレート、ポリブタジエンアクリレ
ート、不飽和ポリエステル/スチレン、ポリエン/チオ
ール、ポリスチリルメタクリレート、UV硬化ラッカー
等が好ましく用いられる。
As the electron beam curable resin, epoxy acrylate, urethane acrylate, popolyester acrylate, polyfunctional acrylate, polyether acrylate, silicon acrylate, polybutadiene acrylate, unsaturated polyester / styrene, polyene / thiol, polystyryl methacrylate, UV. A hardened lacquer or the like is preferably used.

【0040】熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂、キ
シレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、ポリウレタン、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエ
ステル、ポリイミド、メラミン樹脂、マレイン酸樹脂、
ユリヤ樹脂、アクリル樹脂等が好ましく用いられる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, xylene resin, guanamine resin, diallyl phthalate resin, polyurethane, vinyl ester resin, unsaturated polyester, polyimide, melamine resin, maleic acid resin,
A urea resin and an acrylic resin are preferably used.

【0041】塗料としては、ニトロセルロースラッカ
ー、アクリルラッカー、アセチルセルロースラッカー等
の繊維素誘導体塗料やアルキッド樹脂塗料、アミノアル
キッド樹脂塗料、グアナミン樹脂塗料、塩化ビニル樹脂
塗料、ブチラール樹脂塗料、スチレン・ブタジエン樹脂
塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗料、エポキシ樹脂塗料、
不飽和ポリエステル塗料、ポリウレタン樹脂塗料、ケイ
素樹脂塗料等が好ましく用いられる。
Examples of the paint include fibrin derivative paints such as nitrocellulose lacquer, acrylic lacquer and acetylcellulose lacquer, alkyd resin paints, aminoalkyd resin paints, guanamine resin paints, vinyl chloride resin paints, butyral resin paints, styrene-butadiene resins. Paint, thermosetting acrylic resin paint, epoxy resin paint,
Unsaturated polyester paint, polyurethane resin paint, silicon resin paint and the like are preferably used.

【0042】第1の透明樹脂保護層の厚みは、通常は1
μm〜100μmであり、好ましくは5μm〜50μm
であり、さらに好ましくは10μm〜30μmである。
The thickness of the first transparent resin protective layer is usually 1
μm to 100 μm, preferably 5 μm to 50 μm
And more preferably 10 μm to 30 μm.

【0043】本発明において金属電極としては、めっき
によって堆積させることの出来る金属であればいずれの
ものも使用できるが、電気的特性や耐久性の観点から、
銅、銀、金、ニッケル、クロム、スズ、鉛、はんだを少
なくとも1種を含む金属又はこれら金属の合金の単層ま
たは積層体からなることが好ましい。金属電極の厚み
は、透明導電膜が発熱面として機能できるだけの電流が
流すことができるだけの厚みがあれば良く、0.5μm
以上あることが好ましい。この電極は、上述したよう
に、一般に電気めっきあるいは無電解めっきで形成され
る。電気めっきと無電解めっきを併用してもよい。
In the present invention, any metal can be used as the metal electrode as long as it can be deposited by plating, but from the viewpoint of electrical characteristics and durability,
A single layer or a laminate of a metal containing at least one of copper, silver, gold, nickel, chromium, tin, lead and solder, or an alloy of these metals is preferable. The thickness of the metal electrode may be 0.5 μm as long as the transparent conductive film has a thickness sufficient to allow a current to flow therethrough as a heat generating surface.
It is preferable to have the above. As described above, this electrode is generally formed by electroplating or electroless plating. You may use electroplating and electroless plating together.

【0044】さらに、金属電極および第1の透明樹脂保
護層の機械的保護、水分などによる腐食防止等の化学的
保護の為に、電極や第1の透明樹脂保護層の上を覆うよ
うに第2の透明樹脂保護層を設けることが好ましい。第
2の透明樹脂保護層には、550nmの波長の光線透過
率が通常60%以上、好ましくは70%、さらに好まし
くは80%以上であるものが使用される。第2の透明樹
脂保護層は、透明基板として用いたのと同種のプラスチ
ックフィルムを接着剤を用いて積層することによって形
成できるし、第1の透明樹脂保護層として用いられたも
のと同種のものを用いてもよいし、あるいは、ポリエス
テル、ポリオレフィン、アクリル樹脂などの有機物や、
シリコーン系ハードコート剤、等を塗布して形成するこ
とできる。なお、同様の機能を有するシリカゾル剤等を
第2の透明樹脂保護層として使用しても好い。
Further, in order to mechanically protect the metal electrode and the first transparent resin protective layer, and to chemically protect the metal layer from corrosion such as moisture, it is necessary to cover the electrode and the first transparent resin protective layer. It is preferable to provide the second transparent resin protective layer. For the second transparent resin protective layer, one having a light transmittance at a wavelength of 550 nm of usually 60% or more, preferably 70%, more preferably 80% or more is used. The second transparent resin protective layer can be formed by laminating the same kind of plastic film used as the transparent substrate with an adhesive, and the same kind as that used as the first transparent resin protective layer. May be used, or organic materials such as polyester, polyolefin, acrylic resin,
It can be formed by applying a silicone-based hard coating agent or the like. A silica sol agent having the same function may be used as the second transparent resin protective layer.

【0045】第2の透明樹脂保護層としてプラスチック
フィルムを用いる場合には、透明性のある一般の粘着剤
や接着剤を使用することが出来る。好ましい接着剤を例
示するならば、アクリル系の感圧粘着剤、シアノアクリ
レート系反応型接着剤が望ましい。第2の透明樹脂保護
層の厚みとしては、通常1μm〜200μmであり、好
ましくは2μm〜100μmであり、さらに好ましくは
5μm〜50μmである。
When a plastic film is used as the second transparent resin protective layer, a general transparent pressure-sensitive adhesive or adhesive can be used. As a preferable adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive or a cyanoacrylate-based reactive adhesive is preferable. The thickness of the second transparent resin protective layer is usually 1 μm to 200 μm, preferably 2 μm to 100 μm, and more preferably 5 μm to 50 μm.

【0046】本発明の透明面状ヒーターを支持体に接着
する場合には、透明基板あるいは第1の透明樹脂保護層
あるいは第2の透明樹脂保護層の表面に接着層を設けれ
ばよい。第2の透明樹脂保護層のない場合には第1の透
明樹脂保護層の他、電極の一部あるいは全部の表面に接
着層を設ければよい。
When the transparent planar heater of the present invention is adhered to a support, an adhesive layer may be provided on the surface of the transparent substrate, the first transparent resin protective layer or the second transparent resin protective layer. When the second transparent resin protective layer is not provided, an adhesive layer may be provided on the surface of part or all of the electrodes in addition to the first transparent resin protective layer.

【0047】この接着層としては、透明性のある一般の
粘着剤や接着剤を使用することが出来る。好ましい接着
剤としてはアクリル系の感圧粘着剤、シアノアクリレー
ト系反応型接着剤を例示することが出来る。接着剤面
は、必要に応じてセパレータを積層しておくことが出
来、製品を搬送する場合や保管時に接着剤面が付着しな
いようにしておくことが望ましい。セパレータとして
は、通常使用される離型紙の他、ポリプロピレンフィル
ム、ポリエステルフィルム等を用いることが出来る。セ
パレータの厚みとしては、通常1μm〜200μmであ
り、好ましくは2μm〜100μmであり、さらに好ま
しくは5μm〜50μmである。
As this adhesive layer, a general transparent pressure-sensitive adhesive or adhesive can be used. Examples of preferred adhesives include acrylic pressure-sensitive adhesives and cyanoacrylate-based reactive adhesives. A separator may be laminated on the adhesive surface as necessary, and it is desirable that the adhesive surface does not adhere when the product is transported or stored. As the separator, polypropylene film, polyester film or the like can be used in addition to release paper that is usually used. The thickness of the separator is usually 1 μm to 200 μm, preferably 2 μm to 100 μm, and more preferably 5 μm to 50 μm.

【0048】本発明の透明面状ヒーターの金属電極にハ
トメ等で金具を取りつけ、それに電線等をはんだ付けな
どで取りつけて、使用する場合、前記金具は金属電極上
なら、どこでも良いが、好ましくは金属電極の接続部分
5aに設けられる。さらに、前記金具は本発明の透明面
状ヒーターの金属電極上に設けるだけでなく、金属電極
と反対側の透明基板の上に設け、ハトメ等で物理的に本
発明の透明面状ヒーターに固定すると共に、金属電極と
電気的に連結してもよい。また、透明面状ヒーターの金
属電極上およびその反対側の透明基板上の両面に設け、
金属電極と電気的に連結をはかると共に、前記金具の安
定をはかっても良い。また、金具には孔があいていて
も、いなくても良い。言うまでもなく、接着層またはセ
パレーター上に設置して、金属電極と電気的な連結をは
かっても良い。以下、実施例により本発明の実施の態様
の一例を説明する。
When metal fittings of the transparent sheet heater of the present invention are attached with metal fittings such as eyelets, and electric wires or the like are attached by soldering or the like to use, the metal fittings may be anywhere on the metal electrodes, but preferably. It is provided at the connection portion 5a of the metal electrode. Further, the metal fitting is not only provided on the metal electrode of the transparent planar heater of the present invention, but also provided on the transparent substrate opposite to the metal electrode, and physically fixed to the transparent planar heater of the present invention by eyelets or the like. In addition, it may be electrically connected to the metal electrode. Also, provided on both sides of the transparent flat heater on the metal electrode and on the opposite transparent substrate,
The metal fitting may be electrically connected and the metal fitting may be stabilized. Further, the metal fitting may or may not have a hole. Needless to say, it may be installed on the adhesive layer or the separator and electrically connected to the metal electrode. Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to examples.

【0049】[0049]

【実施例】【Example】

実施例1 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ3
0nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッタリ
ング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成し
た。得られた透明導電性フィルムの可視光線透過率は8
1%、表面抵抗は7Ω/□であった。DCマグネトロン
スパッタリング法により、この導電性フィルム上に、銅
からなる電極下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を
形成した。得られた積層体上の金属下地層の上に、電極
形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明ポリオー
ルアクリレートを塗布硬化し、厚み10μmの第1の透
明樹脂保護層を形成した。その後、pH2の酸水溶液に
浸した後、さらに、pH4.5のスルファミン酸ニッケ
ルめっき浴で電気めっきを行い、20μm厚みのニッケ
ル膜を形成し、金属電極とした。金属電極の大きさは1
25mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離
は90mmであった。さらに電極の接続部を残して20
μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィルム
を積層し、第2の透明樹脂保護層を形成した。以上によ
って、図2〜図5に示す構成の透明面状ヒーターを完成
させた。
Example 1 Silicon nitride (thickness: 30 nm) / silver (thickness: 12 nm) / silicon nitride (thickness: 3) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
A laminated film of 0 nm) was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. The visible light transmittance of the obtained transparent conductive film is 8
The surface resistance was 1% and the surface resistance was 7Ω / □. An electrode underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this conductive film by a DC magnetron sputtering method to form a laminate. A (UV) UV-curable transparent polyol acrylate was applied and cured on the metal underlayer on the obtained laminate except for the electrode formation region to form a first transparent resin protective layer having a thickness of 10 μm. Then, after being immersed in an acid aqueous solution having a pH of 2, electroplating was further performed in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 4.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 1
It was 25 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Furthermore, leaving the electrode connection part 20
A 25 μm-thick PET film with a pressure-sensitive adhesive having a μm-thickness was laminated to form a second transparent resin protective layer. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed.

【0050】形成された透明面状ヒーターの両電極間の
抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒーターを−20℃
の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電圧を投
入したところ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇し
た。すなわち温度上昇分は、22℃であった。
The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. -20 ℃ this transparent sheet heater
Then, the surface temperature was raised to + 2 ° C in 1 minute when a voltage of 13 V was applied. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0051】実施例2 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PETフィルム上に窒化ケイ素(厚さ3
0nm)/銀(厚さ10nm)/銅(厚さ)5nm)/
窒化ケイ素(厚さ10nm)からなる積層膜をDCマグ
ネトロンスパッタリング法により、堆積させ、さらに同
法にて、めっき時の濡れ性を向上させることを目的とし
て、酸化インジウム(厚さ20nm)からなる中間層を
設けた。その後、DCマグネトロンスパッタリング法に
より、パラジウムからなる金属下地層を2nmの厚みで
堆積し、積層体を形成した。得られた積層体の電極下地
層の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化
型透明ウレタンアクリレートを塗布硬化し、第1の透明
樹脂保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液にこ
の積層体を浸し、さらに、アルカノールスルフォン酸浴
中で電気めっきを行い、約10μm厚みのスズ−鉛合金
からなるはんだ層を形成して金属電極とした。金属電極
の大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)であり、
電極間の距離は90mmであった。さらに、金属電極の
接続部を残して、20μm厚みの粘着剤付きの50μm
厚のPETフィルムを積層し、第2の透明保護層とし
た。以上によって図2〜図5に示す構成の透明面状ヒー
ターを完成させた。形成された透明面状ヒーターの両電
極間の抵抗は6Ωであった。この透明面状ヒーターを−
20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電
圧を投入したところ、1分間で+1℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、21℃であった。
Example 2 Polyethylene terephthalate having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm (silicon nitride (thickness 3
0 nm) / silver (thickness 10 nm) / copper (thickness 5 nm) /
A layered film made of silicon nitride (thickness 10 nm) is deposited by the DC magnetron sputtering method, and in the same method, an intermediate layer made of indium oxide (thickness 20 nm) is formed for the purpose of improving the wettability during plating. Layers were provided. Then, a metal underlayer made of palladium was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. On the electrode underlayer of the obtained laminate, (UV) UV-curable transparent urethane acrylate was applied and cured except for the electrode formation region to form a first transparent resin protective layer. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in an alkanol sulfonic acid bath to form a solder layer made of a tin-lead alloy having a thickness of about 10 μm to form a metal electrode. The size of the metal electrode is 125 mm (length) x 4 mm (width),
The distance between the electrodes was 90 mm. Further, with the metal electrode connection part left, 50 μm with a 20 μm thick adhesive
A thick PET film was laminated to form a second transparent protective layer. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 6Ω. This transparent sheet heater
When placed in a constant temperature bath of 20 ° C. and left to stand and then a voltage of 13 V was applied, the surface temperature rose to + 1 ° C. in 1 minute. That is, the temperature rise was 21 ° C.

【0052】実施例3 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に高周波(rf)マ
グネトロンスパッタ法により、酸窒化インジウム(30
nm)/銀(13nm)/酸窒化ケイ素(30nm)の
積層膜を堆積させて透明導電性フィルムとした。更に,
DCマグネトロンスパッタ法により,銅からなる厚さ2
nmの電極下地層を形成した。得られた積層体の電極下
地層上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化
型エポキシアクリレートを塗布硬化し、第1の透明保護
層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に浸した後、
次いで、pH4.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴
で電気メッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成
し、金属電極とした。金属電極の大きさは125mm
(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は90m
mであった。さらに電極の接続部を残して20μm厚み
の粘着剤付きの25μm厚みのPETフィルムを積層
し、第2の透明保護層とした。そして、透明基板側にセ
パレーター(離型シート)付き粘着層を設けて、図6b
に示す構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成され
た透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。
この透明面状ヒーターをガラス板に貼り、ガラス板とと
もにこの透明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れ
て放置し、その後、13Vの電圧を投入したところ、1
分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上
昇分は、22℃であった。
Example 3 Indium oxynitride (30%) was formed on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm by a high frequency (rf) magnetron sputtering method.
nm) / silver (13 nm) / silicon oxynitride (30 nm) was deposited to obtain a transparent conductive film. Furthermore,
Thickness 2 made of copper by DC magnetron sputtering
An electrode underlayer having a thickness of nm was formed. A (UV) ultraviolet-curable epoxy acrylate was applied and cured on the electrode underlayer of the obtained laminate except the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, after soaking in an acid aqueous solution of pH 1,
Then, electroplating was performed in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 4.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 125 mm
(Length) x 4 mm (width), distance between electrodes is 90 m
It was m. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated to leave a connection portion of the electrode, and a second transparent protective layer was obtained. Then, a pressure-sensitive adhesive layer with a separator (release sheet) is provided on the transparent substrate side, as shown in FIG.
The transparent sheet heater having the structure shown in FIG. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω.
This transparent sheet heater was attached to a glass plate, and this transparent sheet heater was put together with the glass sheet in a constant temperature bath at −20 ° C. and allowed to stand, and then a voltage of 13 V was applied.
The surface temperature rose to + 2 ° C in minutes. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0053】実施例4 可視光線透過率88%、100μm厚のポリエーテルス
ルフォン(PES)の片面に、高周波イオンプレーティ
ング法により、窒化ケイ素(40nm)/銀+3重量%
金からなる金属層(11nm)/炭窒化ケイ素(30n
m)の積層膜を堆積させて透明導電性フィルムとした。
さらに、同法によりパラジウムからなる厚さ2nmの電
極下地層を形成した。得られた積層体の金属下地層上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型レジ
ストインキを塗布硬化し、第1の透明保護層を形成し
た。その後、pH1の酸水溶液にこの積層体を浸し、さ
らに、pH3.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で
電気メッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成し、
金属電極とした。金属電極の大きさは125mm(長
さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は90mmで
あった。さらに電極の接続部を残して金属電極及び第1
の透明樹脂保護層上にアクリルウレタン系UV硬化型樹
脂を塗布硬化して第2の透明樹脂保護層を形成し、透明
面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒータ
ーの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒー
ターをガラス板に貼り、ガラス板とともにこの透明面状
ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その
後、12Vの電力を投入したところ、1分間で+1℃ま
で表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は21℃で
あった。
Example 4 Polyethersulfone (PES) having a visible light transmittance of 88% and a thickness of 100 μm was coated on one side with a high-frequency ion plating method to obtain silicon nitride (40 nm) / silver + 3% by weight.
Gold metal layer (11 nm) / Silicon carbonitride (30 n
The laminated film of m) was deposited to obtain a transparent conductive film.
Further, a 2 nm-thick electrode underlayer made of palladium was formed by the same method. A (UV) ultraviolet curable resist ink was applied and cured on the metal underlayer of the obtained laminate except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, the laminate is dipped in an acid aqueous solution having a pH of 1 and electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm.
A metal electrode was used. The size of the metal electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, the metal electrode and the first
A second transparent resin protective layer was formed by coating and curing an acrylic urethane UV curable resin on the transparent resin protective layer of (1) to complete the transparent planar heater. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. This transparent sheet heater was attached to a glass plate, and this transparent sheet heater was put together with the glass sheet in a constant temperature bath at -20 ° C and allowed to stand, and then 12 V of electric power was turned on. The temperature has risen. That is, the temperature rise was 21 ° C.

【0054】実施例5 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、窒化ケイ素(厚さ12nm)/銅(厚さ5n
m)/銀(厚さ12nm)/窒化インジウム(厚さ30
nm)の積層膜をDCマグネトロンスパッタリング法に
より堆積させて透明導電性フィルムとした。次いで、D
Cマグネトロンスパッタリング法により、この透明導電
性フィルム上に銅からなる金属下地層を2nmの厚みで
堆積し積層体とした。得られた積層体の金属下地層上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型アク
リル樹脂レジストインキを塗布硬化し、第1の透明保護
層を形成した。その後、pH2の酸水溶液にこの積層体
を浸し、さらに、pH3.5のスルファミン酸ニッケル
めっき浴で電気メッキを行い20μm厚みのニッケル膜
を形成し、金属電極とした。金属電極の大きさは125
mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は9
0mmであった。さらに電極の接続部を残して金属電極
及び第1の透明樹脂保護層上にアクリルウレタン系UV
硬化型樹脂を塗布硬化して第2の透明樹脂保護層を形成
し、透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面
状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明
面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、そ
の後、13Vの電力を投入したところ、1分間で+2℃
まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は22℃
であった。
Example 5 On a PET film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm, silicon nitride (thickness: 12 nm) / copper (thickness: 5 n)
m) / silver (thickness 12 nm) / indium nitride (thickness 30)
(nm) laminated film was deposited by a DC magnetron sputtering method to obtain a transparent conductive film. Then D
A metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this transparent conductive film by the C magnetron sputtering method to obtain a laminate. A (UV) UV-curable acrylic resin resist ink was applied and cured on the metal underlayer of the obtained laminate except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution of pH 2 and electroplated in a nickel sulfamate plating bath of pH 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 125
mm (length) x 4 mm (width), the distance between the electrodes is 9
It was 0 mm. Acrylic urethane type UV is further applied on the metal electrode and the first transparent resin protective layer, leaving the electrode connecting portion.
A curable resin was applied and cured to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. When this transparent sheet heater was put in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then an electric power of 13V was turned on, it was + 2 ° C in 1 minute.
Up to the surface temperature. That is, the temperature rise is 22 ° C
Met.

【0055】実施例6 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に、炭化ケイ素+窒
化ケイ素(厚さ30nm)/銀(厚さ12nm)/炭化
ケイ素+窒化ケイ素(厚さ30nm)積層膜を高周波
(rf)マグネトロンスパッタ法により、堆積させ、透
明導電性フィルムを形成した。ついで、同法により、こ
の透明導電性フィルム上に銅からなる金属下地層を2n
mの厚みで堆積し、積層体とした。得られた積層体の電
極下地層の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外
線硬化型透明レジストインキを塗布硬化し、第1の透明
保護層を形成した。その後、pH2の酸水溶液にこの積
層体を浸し、さらに、pH3.5のスルファミン酸ニッ
ケルめっき浴で電気メッキを行い20μm厚みのニッケ
ル膜を形成し、金属電極とした。金属電極の大きさは1
25mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離
は90mmであった。さらに電極の接続部を残して20
μm厚みの粘着剤付きの50μm厚みのPETフィルム
を積層し、第2の透明樹脂保護層とし、透明面状、ヒー
ターを完成させた。形成された透明面状ヒーターの両電
極間の抵抗は6Ωであった。この透明面状ヒーターを−
20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電
圧を投入したところ、1分間で+1℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、21℃であった。
Example 6 On a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm, silicon carbide + silicon nitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon carbide + silicon nitride (thickness). A 30 nm thick laminated film was deposited by a high frequency (rf) magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Then, by the same method, a metal base layer made of copper is formed on the transparent conductive film by 2n.
It was deposited in a thickness of m to obtain a laminated body. A (UV) UV-curable transparent resist ink was applied and cured on the electrode underlayer of the obtained laminate except the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution of pH 2 and electroplated in a nickel sulfamate plating bath of pH 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 1
It was 25 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Furthermore, leaving the electrode connection part 20
A 50 μm-thick PET film with a pressure-sensitive adhesive having a μm-thickness was laminated to form a second transparent resin protective layer, and a transparent surface shape and a heater were completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 6Ω. This transparent sheet heater
When placed in a constant temperature bath of 20 ° C. and left to stand and then a voltage of 13 V was applied, the surface temperature rose to + 1 ° C. in 1 minute. That is, the temperature rise was 21 ° C.

【0056】実施例7 可視光線透過率90%、100μm厚のポリカーネート
(PC)フィルム上に銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素
(厚さ30nm)からなる積層膜をDCマグネトロンス
パッタ法により、堆積させて透明導電性フィルムを形成
した。ついで、DCマグネトロンスパッタ法により、こ
の透明導電性フィルム上に銅からなる電極下地層を2n
mの厚みで堆積し、積層体とした。得られた積層体の電
極下地層上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線
硬化型アクリル樹脂レジストインキを塗布硬化し、第1
の透明保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に
この積層体を浸し、さらに、pH3.5のスルファミン
酸ニッケルめっき浴で電気メッキを行い20μm厚みの
ニッケル膜を形成し、金属電極とした。金属電極の大き
さは125mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間
の距離は90mmであった。さらに電極の接続部を残し
てアクリルウレタン系の樹脂を積層して第2の透明樹脂
保護層とし、透明面状ヒーターを完成させた。形成され
た透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。
この透明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放
置し、その後、12Vの電圧を投入したところ、1分間
で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分
は、22℃であった。
Example 7 A laminated film made of silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 30 nm) was deposited on a polycarbonate (PC) film having a visible light transmittance of 90% and a thickness of 100 μm by a DC magnetron sputtering method. To form a transparent conductive film. Then, by DC magnetron sputtering, 2 n of an electrode underlayer made of copper was formed on this transparent conductive film.
It was deposited in a thickness of m to obtain a laminated body. A (UV) UV-curable acrylic resin resist ink is applied and cured on the electrode underlayer of the obtained laminate except the electrode formation region,
To form a transparent protective layer. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, an acrylic urethane resin was laminated while leaving the electrode connecting portion to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω.
When this transparent planar heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then a voltage of 12V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0057】実施例8 可視光線透過率89%、125μm厚みのPETフィル
ム上に、酸窒化インジウム(厚さ30nm)/銀+10
重量%銅からなる金属層(厚さ12nm)/酸窒化ケイ
素(厚さ30nm)からなる積層膜をDCマグネトロン
スパッタリング法により堆積させて透明導電性フィルム
とした。次いで、DCマグネトロンスパッタリング法に
より、この透明導電性フィルム上に銅からなる金属下地
層を2nmの厚みで堆積し積層体とした。得られた積層
体の金属下地層上に、電極形成領域部を除いて(UV)
紫外線硬化型ポリエステルアクリレートを塗布硬化し、
第1の透明保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶
液にこの積層体を浸し、さらに、pH3.5のスルファ
ミン酸ニッケルめっき浴で電気メッキを行い20μm厚
みのニッケル膜を形成し、金属電極とした。金属電極の
大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)であり、電
極間の距離は90mmであった。さらに電極の接続部を
残して20μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPE
Tフィルムを積層し、第2の透明樹脂保護層とし、透明
面状ヒーターを完成させた。形成された透明面状ヒータ
ーの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒー
ターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、1
3Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表面
温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であっ
た。
Example 8 Indium oxynitride (thickness 30 nm) / silver + 10 on a PET film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 125 μm.
A laminated film composed of a metal layer (thickness 12 nm) / silicon oxynitride (thickness 30 nm) made of copper by weight% was deposited by a DC magnetron sputtering method to obtain a transparent conductive film. Then, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this transparent conductive film by a DC magnetron sputtering method to obtain a laminated body. On the metal underlayer of the obtained laminate, except for the electrode formation region (UV)
UV-curable polyester acrylate is applied and cured,
A first transparent protective layer was formed. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Furthermore, leaving a connection part of the electrode, PE of 25 μm thickness with 20 μm of adhesive
A T-film was laminated to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. This transparent sheet heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then 1
When a voltage of 3 V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0058】実施例9 可視光線透過率89%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、窒化ケイ素(厚さ30nm)/銀(厚さ12n
m)/窒化ケイ素(厚さ30nm)/酸化インジウム
(厚さ20nm)からなる積層膜をDCマグネトロンス
パッタリング法により堆積させ、透明導電性フィルムを
形成した。次いで、DCマグネトロンスパッタリング法
により、この透明導電性フィルム上に銅からなる電極下
地層を2nmの厚みで堆積し積層体とした。得られた積
層体の電極下地層上に、電極形成領域部を除いて(U
V)紫外線硬化型透明ポリオールアクリレートを塗布硬
化し、第1の透明樹脂保護層を形成した。その後、pH
2の酸水溶液にこの積層体を浸し、さらに、pH4.5
のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気メッキを行い
20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とした。
金属電極の大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)
であり、電極間の距離は90mmであった。さらに電極
の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの25μm
厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹脂保護層
とし、透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、13Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
Example 9 On a PET film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm, silicon nitride (thickness: 30 nm) / silver (thickness: 12 n)
m) / silicon nitride (thickness 30 nm) / indium oxide (thickness 20 nm) was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Next, an electrode underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this transparent conductive film by a DC magnetron sputtering method to obtain a laminated body. On the electrode base layer of the obtained laminate, except for the electrode formation region (U
V) An ultraviolet curable transparent polyol acrylate was applied and cured to form a first transparent resin protective layer. Then the pH
Immerse this laminate in the acid aqueous solution of 2 and further add pH 4.5.
The nickel sulfamate plating bath was used for electroplating to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode.
The size of the metal electrode is 125 mm (length) x 4 mm (width)
And the distance between the electrodes was 90 mm. 25 μm with 20 μm thick adhesive, leaving the electrode connection part
A PET film having a thickness was laminated to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. This transparent sheet heater is placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand,
After that, when a voltage of 13 V was applied, +2 in 1 minute
The surface temperature rose to ℃. That is, the temperature rise is 2
It was 2 ° C.

【0059】実施例10 可視光線透過率88%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、酸窒化ケイ素(厚さ40nm)/チタン(厚さ
1nm)/銀+9重量%白金(厚さ12nm)/酸窒化
ケイ素(厚さ30nm)からなる積層膜を高周波イオン
プーティング法より堆積させて透明導電性フィルムとし
た。次いで、高周波イオンプーティング法により、この
透明導電性フィルム上にパラジウムからなる金属下地層
を2nmの厚みで堆積し積層体とした。得られた積層体
の金属下地層上に、電極形成領域部を除いて熱硬化性ポ
リエステルを塗布硬化し、第1の透明保護層を形成し
た。その後、pH1の酸水溶液にこの積層体を浸し、さ
らに、pH3.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で
電気メッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成し、
金属電極とした。金属電極の大きさは125mm(長
さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は90mmで
あった。さらに電極の接続部を残して20μm厚みの粘
着剤付きの25μm厚みのPETフィルムを積層し、第
2の透明樹脂保護層とし、透明面状ヒーターを完成させ
た。形成された透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5
Ωであった。この透明面状ヒーターを−20℃の恒温槽
内に入れて放置し、その後、13Vの電圧を投入したと
ころ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわ
ち温度上昇分は、22℃であった。
Example 10 On a PET film having a visible light transmittance of 88% and a thickness of 100 μm, silicon oxynitride (thickness 40 nm) / titanium (thickness 1 nm) / silver + 9 wt% platinum (thickness 12 nm) / oxynitridation A laminated film made of silicon (thickness 30 nm) was deposited by a high frequency ion pooling method to obtain a transparent conductive film. Then, a metal underlayer made of palladium with a thickness of 2 nm was deposited on the transparent conductive film by a high frequency ion pooling method to obtain a laminated body. On the metal underlayer of the obtained laminate, a thermosetting polyester was applied and cured except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, the laminate is dipped in an acid aqueous solution having a pH of 1 and electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm.
A metal electrode was used. The size of the metal electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated to leave a connection portion of the electrode as a second transparent resin protective layer to complete a transparent planar heater. The resistance between both electrodes of the formed transparent flat heater is 5
It was Ω. When this transparent planar heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and allowed to stand, and then a voltage of 13V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0060】実施例11 可視光線透過率88%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、酸窒化アルミニウム(厚さ40nm)/チタン
(厚さ1nm)/銀+3重量%金(厚さ10nm)/酸
窒化ケイ素(厚さ30nm)からなる積層膜を高周波イ
オンプーティング法より堆積させて透明導電性フィルム
を形成した。得られた透明透明導電性フィルムの可視光
線透過率は80%,表面抵抗は8Ω/□、赤外線反射率
は92%であった。次いで、高周波イオンプーティング
法により、この透明導電性フィルム上にパラジウムから
なる金属下地層を2nmの厚みで堆積し積層体とした。
得られた積層体の電極下地層上に、電極形成領域部を除
いて熱硬化性ポリエステルを塗布硬化し、第1の透明保
護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液にこの積層
体を浸し、さらに、pH3.5のスルファミン酸ニッケ
ルめっき浴で電気メッキを行い20μm厚みのニッケル
膜を形成し、金属電極とした。金属電極の大きさは12
5mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は
90mmであった。さらに電極の接続部を残して20μ
m厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィルムを
積層し、第2の透明樹脂保護層とし、透明面状ヒーター
を完成させた。形成された透明面状ヒーターの両電極間
の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒーターを−20
℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、12Vの電圧を
投入したところ、1分間で+1℃まで表面温度が上昇し
た。すなわち温度上昇分は、21℃であった。
Example 11 On a PET film having a visible light transmittance of 88% and a thickness of 100 μm, aluminum oxynitride (thickness 40 nm) / titanium (thickness 1 nm) / silver + 3% by weight gold (thickness 10 nm) / oxynitridation A laminated film made of silicon (thickness: 30 nm) was deposited by a high frequency ion pooling method to form a transparent conductive film. The transparent transparent conductive film thus obtained had a visible light transmittance of 80%, a surface resistance of 8 Ω / □ and an infrared reflectance of 92%. Then, a metal underlayer made of palladium with a thickness of 2 nm was deposited on the transparent conductive film by a high frequency ion pooling method to obtain a laminated body.
On the electrode underlayer of the obtained laminate, a thermosetting polyester was applied and cured except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 12
It was 5 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. 20μ, leaving the electrode connection
A 25 μm-thick PET film with an m-thick adhesive was laminated to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. This transparent sheet heater is -20
When it was placed in a constant temperature bath at ℃ and left to stand and then a voltage of 12 V was applied, the surface temperature rose to +1 ℃ in 1 minute. That is, the temperature rise was 21 ° C.

【0061】実施例12 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/チタン(厚さ0.5nm)/銀(厚さ12
nm)/チタン(厚さ0.5nm)/窒化ケイ素(厚さ
30nm)からなる積層膜をDCマグネパッタリング法
により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成した。さ
らに、DCマグネトロンスパッタリング法により、銅か
らなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を形
成した。得られた積層体上の金属下地層の上に、電極形
成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明アクリル樹
脂(ポリオールアクリレート(12部)とアクリレート
(14部)とウレタンアクリレート(8部)の混合)を
塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。その後、p
H1の酸水溶液に浸した後、さらに、pH3.5のスル
ファミン酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行い、20
μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とした。電極
の大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)であり、
電極間の距離は90mmであった。さらに電極の接続部
を残して20μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのP
ETフィルムを積層し、第2の透明樹脂保護層を形成し
た。次に、透明基板の上に25μm厚みのアクリル系の
感圧接着剤(粘着剤)からなる接着層を設け、さらに、
その上に50μm厚みのポリエステルフィルムからなる
セパレーターを積層した。以上によって、図2〜図5に
示す構成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された
透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。こ
の透明面状ヒーターのセパレーターを剥離し、アクリル
系の感圧接着剤(粘着剤)からなる接着層を介し、ガラ
スに貼った。次に、この透明面状ヒーターをガラスとと
もに−20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13
Vの電圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表面温
度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であっ
た。
Example 12 Silicon nitride (thickness: 30 nm) / titanium (thickness: 0.5 nm) / silver (thickness: 12) was applied on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
nm) / titanium (thickness 0.5 nm) / silicon nitride (thickness 30 nm) was deposited by the DC magnetattering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. (UV) UV-curable transparent acrylic resin (polyol acrylate (12 parts), acrylate (14 parts) and urethane acrylate (8 parts) on the metal underlayer on the obtained laminate except for the electrode formation region. Was mixed and cured to form a first transparent protective layer. Then p
After soaking in H1 acid aqueous solution, electroplating is further performed in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5,
A nickel film having a thickness of μm was formed and used as a metal electrode. The size of the electrode is 125 mm (length) x 4 mm (width),
The distance between the electrodes was 90 mm. Furthermore, leaving the electrode connection part, the P of 25 μm thickness with the adhesive of 20 μm
The ET films were laminated to form a second transparent resin protective layer. Next, an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive) having a thickness of 25 μm is provided on the transparent substrate, and further,
A separator made of a polyester film having a thickness of 50 μm was laminated thereon. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. The separator of the transparent sheet heater was peeled off and attached to glass via an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive). Next, this transparent flat heater was put together with glass in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then 13
When a voltage of V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0062】実施例13 可視光線透過率89%、125μm厚みのPETフィル
ム上に、酸化インジウム(厚さ30nm)/銀(厚さ1
2nm)/窒化ケイ素(厚さ30nm)からなる積層膜
をDCマグネトロンスパッタリング法により、堆積させ
て透明導電性フィルムを形成した。得られた透明透明導
電性フィルムの可視光線透過率は80%、表面抵抗は7
Ω/□であった。次いで、DCマグネトロンスパッタリ
ング法により、この透明導電性フィルム上に銅からなる
金属下地層を2nmの厚みで堆積し積層体とした。得ら
れた積層体の金属下地層上に、電極形成領域部を除いて
(UV)紫外線硬化型アクリル樹脂(ポリオールアクリ
レート(3部)とポリウレタンアクリレート(1部)の
混合物)を塗布硬化し、第1の透明保護層を形成した。
その後、pH1の酸水溶液にこの積層体を浸し、さら
に、pH3.5のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電
気メッキを行い20μm厚みのニッケル膜を形成し、金
属電極とした。金属電極の大きさは125mm(長さ)
×4mm(幅)であり、電極間の距離は90mmであっ
た。さらに電極の接続部を残して20μm厚みの粘着剤
付きの25μm厚みのPETフィルムを積層し、第2の
透明樹脂保護層とし、透明面状ヒーターを完成させた。
形成された透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωで
あった。この透明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に
入れて放置し、その後、12Vの電圧を投入したとこ
ろ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち
温度上昇分は、22℃であった。
Example 13 Indium oxide (thickness: 30 nm) / silver (thickness: 1) on a PET film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 125 μm.
A laminated film of (2 nm) / silicon nitride (thickness: 30 nm) was deposited by the DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. The transparent transparent conductive film thus obtained had a visible light transmittance of 80% and a surface resistance of 7
It was Ω / □. Then, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this transparent conductive film by a DC magnetron sputtering method to obtain a laminated body. A (UV) UV-curable acrylic resin (mixture of polyol acrylate (3 parts) and polyurethane acrylate (1 part)) was applied and cured on the metal base layer of the obtained laminate except the electrode formation region, and The transparent protective layer of No. 1 was formed.
Then, this laminate was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 125 mm (length)
× 4 mm (width) and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated to leave a connection portion of the electrode as a second transparent resin protective layer to complete a transparent planar heater.
The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. When this transparent planar heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then a voltage of 12V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0063】実施例14 可視光線透過率88%、100μm厚みのポリエーテル
スルフォン(PES)の片面に、高周波(rf)マグネ
トロンスパッタ法により、酸化インジウム(厚さ40n
m)/銀+3重量%金(厚さ12nm)/炭窒化ケイ素
(厚さ30nm)からなる積層膜を堆積させ、さらに同
法によりパラジウムからなる厚さ2nmの金属下地層を
形成した。得られた積層体の電極下地層上に、電極形成
領域部を除いてUV硬化型樹脂レジストインキを塗布硬
化し、第1の透明保護層を形成した。その後、pH1の
酸水溶液にこの積層体を浸し、さらに、pH3.5のス
ルファミン酸ニッケルめっき浴で電気メッキを行い20
μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とした。金属
電極の大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)であ
り、電極間の距離は90mmであった。さらに電極の接
続部を残して金属電極及び第1の透明樹脂保護層上にア
クリルウレタン系UV硬化樹脂を塗布硬化して第2の透
明樹脂保護層を形成し、透明面状ヒーターを完成させ
た。形成された透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5
Ωであった。この透明面状ヒーターをガラス板に貼り、
ガラス板とともにこの透明面状を−20℃の恒温槽内に
入れて放置し、その後、12Vの電圧を投入したとこ
ろ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち
温度上昇分は、22℃であった。
Example 14 On one surface of a polyether sulfone (PES) film having a visible light transmittance of 88% and a thickness of 100 μm, indium oxide (thickness: 40 n) was formed by a high frequency (rf) magnetron sputtering method.
m) / silver + 3 wt% gold (thickness 12 nm) / silicon carbonitride (thickness 30 nm) was deposited, and a 2 nm-thick metal underlayer made of palladium was formed by the same method. A UV-curable resin resist ink was applied and cured on the electrode underlayer of the obtained laminate except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then, the laminate is dipped in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 20.
A nickel film having a thickness of μm was formed and used as a metal electrode. The size of the metal electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, an acrylic urethane type UV curable resin was applied and cured on the metal electrode and the first transparent resin protective layer leaving the electrode connection portion to form a second transparent resin protective layer, thus completing the transparent planar heater. . The resistance between both electrodes of the formed transparent flat heater is 5
It was Ω. Stick this transparent heater on a glass plate,
This transparent surface was put together with the glass plate in a constant temperature bath at -20 ° C and allowed to stand. Then, when a voltage of 12V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0064】実施例15 可視光線透過率88%、100μm厚みのPETフィル
ム上に、酸化インジウム(厚さ40nm)/銀+3重量
%金(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ30nm)か
らなる積層膜を高周波(rf)マグネトロンスパッタ法
により、堆積させて、透明透明導電性フィルムを形成し
た。得られた透明透明導電性フィルムの可視光線透過率
は80%、表面抵抗は7Ω/□であった。次いで、高周
波マグネトロンスパッタ法により、この透明導電性フィ
ルム上にパラジウムからなる金属下地層を2nmの厚み
で堆積し積層体とした。得られた積層体の電極下地層上
に、電極形成領域部を除いて熱硬化性ポリエステルを塗
布硬化し、第1の透明保護層を形成した。その後、pH
1の酸水溶液にこの積層体を浸し、さらに、pH3.5
のスルファミン酸ニッケルめっき浴で電気メッキを行い
20μm厚みのニッケル膜を形成し、金属電極とした。
金属電極の大きさは125mm(長さ)×4mm(幅)
であり、電極間の距離は90mmであった。さらに電極
の接続部を残して20μm厚みの粘着剤付きの25μm
厚みのPETフィルムを積層し、第2の透明樹脂保護層
とし、透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明
面状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透
明面状ヒーターを−20℃の恒温槽内に入れて放置し、
その後、12Vの電圧を投入したところ、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
Example 15 A layer made of indium oxide (thickness 40 nm) / silver + 3% by weight gold (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 30 nm) on a PET film having a visible light transmittance of 88% and a thickness of 100 μm. The film was deposited by radio frequency (rf) magnetron sputtering to form a transparent transparent conductive film. The visible light transmittance of the obtained transparent transparent conductive film was 80%, and the surface resistance was 7Ω / □. Then, a metal underlayer made of palladium was deposited to a thickness of 2 nm on the transparent conductive film by a high frequency magnetron sputtering method to obtain a laminated body. On the electrode underlayer of the obtained laminate, a thermosetting polyester was applied and cured except for the electrode formation region to form a first transparent protective layer. Then the pH
Immerse this laminate in the acid aqueous solution of 1 and further add pH 3.5.
The nickel sulfamate plating bath was used for electroplating to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode.
The size of the metal electrode is 125 mm (length) x 4 mm (width)
And the distance between the electrodes was 90 mm. 25 μm with 20 μm thick adhesive, leaving the electrode connection part
A PET film having a thickness was laminated to form a second transparent resin protective layer, and the transparent planar heater was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. This transparent sheet heater is placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand,
After that, when a voltage of 12V was applied, +2 in 1 minute
The surface temperature rose to ℃. That is, the temperature rise is 2
It was 2 ° C.

【0065】実施例16 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ3
0nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッタリ
ング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成し
た。得られた透明導電性フィルムの可視光線透過率は8
1%、表面抵抗は7Ω/□であった。DCマグネトロン
スパッタリング法により、この導電性フィルム上に、銅
からなる電極下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を
形成した。得られた積層体上の金属下地層の上に、電極
形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明ポリエス
テルアクリレートを塗布硬化し、厚み10μmの第1の
透明樹脂保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液
に浸し、さらに、pH3.5のスルファミン酸ニッケル
めっき浴で電気めっきを行い、5μm厚みのニッケル膜
を形成し、金属電極とした。金属電極の大きさは125
mm(長さ×4mm(幅)であり、電極間の距離は90
mmであった。さらに電極の接続部を残して20μm厚
みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィルムを積層
し、第2の透明樹脂保護層を形成した。以上によって、
図2〜図5に示す構成の透明面状ヒーターを完成させ
た。形成された透明面状ヒーターの両電極間の抵抗は5
Ωであった。この透明面状ヒーターを−20℃の恒温槽
内に入れて放置し、その後、12Vの電圧を投入したと
ころ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわ
ち温度上昇分は、22℃であった。
Example 16 Silicon nitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 3) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
A laminated film of 0 nm) was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. The visible light transmittance of the obtained transparent conductive film is 8
The surface resistance was 1% and the surface resistance was 7Ω / □. An electrode underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this conductive film by a DC magnetron sputtering method to form a laminate. A (UV) UV-curable transparent polyester acrylate was applied and cured on the metal base layer on the obtained laminated body except for the electrode formation region to form a first transparent resin protective layer having a thickness of 10 μm. Then, it was dipped in an acid aqueous solution having a pH of 1 and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 5 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrode is 125
mm (length x 4 mm (width), the distance between the electrodes is 90
It was mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated by leaving the electrode connection part to form a second transparent resin protective layer. By the above,
The transparent planar heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent flat heater is 5
It was Ω. When this transparent planar heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and left to stand, and then a voltage of 12V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0066】実施例17 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/チタン(厚さ1nm)/銀(厚さ12n
m)/窒化ケイ素(厚さ20nm)/酸化インジウム
(厚さ30nm)からなる積層膜をDCマグネトロンス
パッタリング法により、堆積させ、透明導電性フィルム
を形成した。さらに、DCマグネトロンスパッタリング
法により、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積
し、積層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層
の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型
透明アクリル樹脂(ポリオールアクリレート(3部)と
ポリウレタンアクリレート(1部)の混合物)を塗布硬
化し、第1の透明保護層を形成した。その後、pH1の
酸水溶液に浸した後、さらに、pH3.5のスルファミ
ン酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行い、5μm厚み
のニッケル膜を形成し、金属電極とした。電極の大きさ
は125mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の
距離は90mmであった。さらに電極の接続部を残して
20μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィ
ルムを積層し、第2の透明樹脂保護層を形成した。次
に、透明基板の上に25μm厚みのアクリル系の感圧接
着剤(粘着剤)からなる接着層を設け、さらに、その上
に50μm厚みのポリエステルフィルムからなるセパレ
ーターを積層した。以上によって、図2〜図5に示す構
成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面
状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明
面状ヒーターのセパレーターを剥離し、アクリル系の感
圧接着剤(粘着剤)からなる接着層を介し、ガラスに貼
った。次に、この透明面状ヒーターをガラスとともに−
20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電
圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であった。
Example 17 Silicon nitride (thickness: 30 nm) / titanium (thickness: 1 nm) / silver (thickness: 12 n) was applied on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
m) / silicon nitride (thickness 20 nm) / indium oxide (thickness 30 nm) was deposited by the DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. A UV-curable transparent acrylic resin (mixture of polyol acrylate (3 parts) and polyurethane acrylate (1 part)) is applied and cured on the metal underlayer on the obtained laminate except the electrode formation region. Then, the first transparent protective layer was formed. Then, after being immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1, electroplating was further performed in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 5 μm, which was used as a metal electrode. The size of the electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated by leaving the electrode connection part to form a second transparent resin protective layer. Next, an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive) having a thickness of 25 μm was provided on the transparent substrate, and a separator made of a polyester film having a thickness of 50 μm was further laminated thereon. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. The separator of the transparent sheet heater was peeled off and attached to glass via an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive). Next, this transparent sheet heater together with glass-
When placed in a constant temperature bath of 20 ° C. and left to stand and then a voltage of 13 V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C. in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0067】実施例18 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PETフィルム上に窒化ケイ素(厚さ3
0nm)/チタン(厚さ1nm)/銀(厚さ2nm)/
窒化ケイ素(厚さ30nm)からなる積層膜をDCマグ
ネパッタリグ法により、堆積させ、透明導電性フィルム
を形成した。さらに、DCマグネトロンスパッタリング
法により、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積
し、積層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層
の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型
透明アクリル樹脂(ポリオールアクリレート(3部アク
リレート(8部)の混合)とを塗布硬化し、第1の透明
保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に浸した
後、さらに、pH3.5のスルファミン酸ニッケルめっ
き浴で電気めっきを行い、5μm厚みのニッケル膜を形
成し、金属電極とした。電極の大きさは125mm(長
さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離は90mmで
あった。さらに電極の接続部を残して20μm厚みの粘
着剤付きの25μm厚みのPETフィルムを積層し、第
2の透明樹脂保護層を形成した。次に、透明基板の上に
25μm厚みのアクリル系の感圧接着剤(粘着剤)から
なる接着層を設け、さらに、その上に50μm厚みのポ
リエステルフィルムからなるセパレーターを積層した。
以上によって、図2〜図5に示す構成の透明面状ヒータ
ーを完成させた。形成された透明面状ヒーターの両電極
間の抵抗は5Ωであった。この透明面状ヒーターのセパ
レーターを剥離し、アクリル系の感圧接着剤(粘着剤)
からなる接着層を介し、ガラスに貼った。次に、この透
明面状ヒーターをガラスとともに−20℃の恒温槽内に
入れて放置し、その後、13Vの電圧を投入したとこ
ろ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち
温度上昇分は、22℃であった。
Example 18 Polyethylene terephthalate having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm (silicon nitride (thickness 3
0 nm) / titanium (thickness 1 nm) / silver (thickness 2 nm) /
A laminated film made of silicon nitride (thickness: 30 nm) was deposited by the DC magnetattering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. A (UV) UV-curable transparent acrylic resin (polyol acrylate (mixture of 3 parts acrylate (8 parts)) was applied and cured on the metal base layer on the obtained laminate except for the electrode formation region, A first transparent protective layer was formed, and after that, it was immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1 and then electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 5 μm. The size of the electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), the distance between the electrodes was 90 mm, and the 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was left, leaving the electrode connection part. Then, a second transparent resin protective layer was formed on the transparent substrate, and an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive) having a thickness of 25 μm was provided on the transparent substrate, and further 50 μm thereon. By laminating a separator consisting of Mino polyester film.
Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. Peel off the separator of this transparent sheet heater and use acrylic pressure sensitive adhesive (adhesive)
It was stuck to glass through an adhesive layer consisting of. Next, this transparent flat heater was put together with glass in a constant temperature bath at -20 ° C and allowed to stand. Then, when a voltage of 13V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0068】実施例19 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化アルミニウム
(厚さ30nm)/銀(厚さ12nm)/窒化アルミニ
ウム(厚さ30nm)からなる積層膜をDCマグネトロ
ンスパッタリング法により、堆積させ、透明導電性フィ
ルムを形成した。得られた透明導電性フィルムの可視光
線透過率は81%、表面抵抗は7Ω/□であった。DC
マグネトロンスパッタリング法により、この導電性フィ
ルム上に、銅からなる電極下地層を2nmの厚みで堆積
し、積層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層
の上に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型
透明ポリオールアクリレートを塗布硬化し、厚み10μ
mの第1の透明樹脂保護層を形成した。その後、pH1
の酸水溶液に浸し、さらに、pH3.5のスルファミン
酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行い、20μm厚み
のニッケル膜を形成し、金属電極とした。金属電極の大
きさは35mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間
の距離は90mmであった。さらに電極の接続部を残し
て20μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフ
ィルムを積層し、第2の透明樹脂保護層を形成した。以
上に よって、図2〜図5に示す構成の透明面状ヒータ
ーを完成させた。形成された透明面状ヒーターの両電極
間の抵抗は14Ωであった。この透明面状ヒーターを2
5℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電圧
を投入したところ、1分間で65℃まで表面温度が上昇
した。すなわち温度上昇分は、40℃であった。
Example 19 A laminated film made of aluminum nitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / aluminum nitride (thickness 30 nm) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm. Was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. The transparent conductive film obtained had a visible light transmittance of 81% and a surface resistance of 7Ω / □. DC
An electrode underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm on this conductive film by a magnetron sputtering method to form a laminate. A (UV) UV-curable transparent polyol acrylate was applied and cured on the metal underlayer on the obtained laminate except for the electrode formation region to give a thickness of 10 μm.
m first transparent resin protective layer was formed. After that, pH 1
Was dipped in the acid aqueous solution and further electroplated in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the metal electrodes was 35 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated by leaving the electrode connection part to form a second transparent resin protective layer. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 14Ω. 2 this transparent sheet heater
When placed in a constant temperature bath of 5 ° C. and left to stand and then a voltage of 13 V was applied, the surface temperature rose to 65 ° C. in 1 minute. That is, the temperature rise was 40 ° C.

【0069】実施例20 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ3
0nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッタリ
ング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成し
た。さらに、DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明
アクリル樹脂を塗布硬化し、厚み10μmの第1の透明
樹脂保護層を形成した。その後、pH1の酸水溶液に浸
し、水洗後、pH12の無電解めっき浴で2μmの銅膜
を形成し、次いで、pH4の電気めっきを行い、15μ
mの銅膜を形成し、金属電極とした。電極の大きさは1
25mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の距離
は90mmであった。さらに電極の接続部を残して20
μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィルム
を積層し、第2の透明樹脂保護層を形成した。以上によ
って、図2〜図5に示す構成の透明面状ヒーターを完成
させた。形成された透明面状ヒーターの両電極間の抵抗
は5Ωであった。この透明面状ヒーターを−20℃の恒
温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電圧を投入し
たところ、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。す
なわち温度上昇分は、22℃であった。
Example 20 Silicon nitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 3) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
A laminated film of 0 nm) was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. A (UV) UV-curable transparent acrylic resin was applied and cured on the metal underlayer on the obtained laminated body except for the electrode formation region to form a first transparent resin protective layer having a thickness of 10 μm. After that, it is dipped in an acid aqueous solution of pH 1 and washed with water, and then a 2 μm copper film is formed in an electroless plating bath of pH 12, and then electroplating of pH 4 is performed to obtain 15 μm.
m copper film was formed and used as a metal electrode. The size of the electrode is 1
It was 25 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Furthermore, leaving the electrode connection part 20
A 25 μm-thick PET film with a pressure-sensitive adhesive having a μm-thickness was laminated to form a second transparent resin protective layer. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. When this transparent planar heater was placed in a constant temperature bath at -20 ° C and allowed to stand, and then a voltage of 13V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0070】実施例21 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に窒化ケイ素(厚さ
30nm)/銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ3
0nm)からなる積層膜をDCマグネトロンスパッタリ
ング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成し
た。さらに、DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体上の金属下地層の上
に、電極形成領域部を除いて(UV)紫外線硬化型透明
アクリル樹脂(ポリオールアクリレート(3部)とポリ
ウレタンアクリレート(1部)の混合物)を塗布硬化
し、第1の透明保護層を形成した。その後、pH1の酸
水溶液に浸した後、さらに、pH3.5のスルファミン
酸ニッケルめっき浴で電気めっきを行い、20μm厚み
のニッケル膜を形成し、金属電極とした。電極の大きさ
は125mm(長さ)×4mm(幅)であり、電極間の
距離は90mmであった。さらに電極の接続部を残して
20μm厚みの粘着剤付きの25μm厚みのPETフィ
ルムを積層し、第2の透明樹脂保護層を形成した。次
に、透明基板の上に25μm厚みのアクリル系の感圧接
着剤(粘着剤)からなる接着層を設け、さらに、その上
に50μm厚みのポリエステルフィルムからなるセパレ
ーターを積層した。以上によって、図2〜図5に示す構
成の透明面状ヒーターを完成させた。形成された透明面
状ヒーターの両電極間の抵抗は5Ωであった。この透明
面状ヒーターのセパレーターを剥離し、アクリル系の感
圧接着剤(粘着剤)からなる接着層を介し、ガラスに貼
った。次に、この透明面状ヒーターをガラスとともに−
20℃の恒温槽内に入れて放置し、その後、13Vの電
圧を投入したところ、1分間で+2℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であった。
Example 21 Silicon nitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 3) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm.
A laminated film of 0 nm) was deposited by a DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. A UV-curable transparent acrylic resin (mixture of polyol acrylate (3 parts) and polyurethane acrylate (1 part)) is applied and cured on the metal underlayer on the obtained laminate except the electrode formation region. Then, the first transparent protective layer was formed. Then, after being immersed in an acid aqueous solution having a pH of 1, electroplating was further performed in a nickel sulfamate plating bath having a pH of 3.5 to form a nickel film having a thickness of 20 μm, which was used as a metal electrode. The size of the electrodes was 125 mm (length) × 4 mm (width), and the distance between the electrodes was 90 mm. Further, a 25 μm-thick PET film with a 20 μm-thick adhesive was laminated by leaving the electrode connection part to form a second transparent resin protective layer. Next, an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive) having a thickness of 25 μm was provided on the transparent substrate, and a separator made of a polyester film having a thickness of 50 μm was further laminated thereon. Through the above steps, the transparent sheet heater having the structure shown in FIGS. 2 to 5 was completed. The resistance between both electrodes of the formed transparent planar heater was 5Ω. The separator of the transparent sheet heater was peeled off and attached to glass via an adhesive layer made of an acrylic pressure-sensitive adhesive (adhesive). Next, this transparent sheet heater together with glass-
When placed in a constant temperature bath of 20 ° C. and left to stand and then a voltage of 13 V was applied, the surface temperature rose to + 2 ° C. in 1 minute. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0071】実施例22 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に酸窒化ケイ素・酸
窒化インジウム〔ケイ素:インジウム=1:1(厚さ3
0nm)〕/銀(厚さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ3
0nm)/酸化インジウム(厚さ40nm)からなる積
層膜を反応性DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、堆積させ、透明導電性フィルムを形成した。さら
に、DCマグネトロンスパッタリング法により、銅から
なる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積層体を形成
した。紫外線硬化型透明アクリル樹脂を〔セルロース系
樹脂及び植物油変性アルキッド樹脂(1:1)〕に変
え、塗布後乾燥(80℃×5分)した以外は実施例21
と同様にして、得られた積層体を処理し、ニッケル金属
電極を設けた両電極間の抵抗が5Ωの透明面上ヒーター
を作製した。同様に昇温テストを行い、13Vの電圧
で、1分間で+2℃まで表面温度が上昇した。すなわち
温度上昇分は、22℃であった。 実施例23 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に酸化インジウム
(厚さ40nm)/窒化ケイ素(厚さ8nm)/銀(厚
さ12nm)/窒化ケイ素(厚さ10nm)/酸化イン
ジウム(厚さ40nm)からなる積層膜を反応性DCマ
グネトロンスパッタリング法により、堆積させ、透明導
電性フィルムを形成した。さらに、DCマグネトロンス
パッタリング法により、銅からなる金属下地層を2nm
の厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた積層体を
実施例21と同様にして、ニッケル金属電極を設けた両
電極間の抵抗が5Ωの透明面上ヒーターを作製した。同
様に昇温テストを行い、13Vの電圧で、1分間で+2
℃まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、2
2℃であった。
Example 22 On a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm, silicon oxynitride / indium oxynitride [silicon: indium = 1: 1 (thickness 3
0 nm)] / silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 3
0 nm) / indium oxide (thickness 40 nm) was deposited by a reactive DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. Example 21 except that the UV-curable transparent acrylic resin was changed to [Cellulose resin and vegetable oil-modified alkyd resin (1: 1)] and dried after coating (80 ° C. × 5 minutes).
The obtained laminate was treated in the same manner as in 1. to produce a transparent heater having a resistance of 5Ω between both electrodes provided with a nickel metal electrode. Similarly, a temperature rise test was performed, and the surface temperature rose to + 2 ° C. in 1 minute at a voltage of 13V. That is, the temperature rise was 22 ° C. Example 23 Indium oxide (thickness 40 nm) / silicon nitride (thickness 8 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 10 nm) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm. ) / Indium oxide (thickness 40 nm) was deposited by a reactive DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper is formed to a thickness of 2 nm by DC magnetron sputtering.
To form a laminated body. The obtained laminated body was treated in the same manner as in Example 21 to prepare a transparent heater having a resistance of 5Ω between both electrodes provided with nickel metal electrodes. Similarly, a temperature rise test is performed, and at a voltage of 13 V, +2 is obtained for 1 minute.
The surface temperature rose to ℃. That is, the temperature rise is 2
It was 2 ° C.

【0072】実施例24 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に熱硬化型アクリル
シリコーンを10μm厚みで塗布硬化し透明基板フィル
ムとした。この透明基板フィルム上に水素化窒化ケイ素
(厚さ30nm)/銀(厚さ12nm)/水素化窒化ケ
イ素(厚さ10nm)/酸化インジウム(厚さ40n
m)からなる積層膜を反応性DCマグネトロンスパッタ
リング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成
した。さらに、DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体を実施例21と同様に
して、ニッケル金属電極を設けた両電極間の抵抗が5Ω
の透明面上ヒーターを作製した。同様に昇温テストを行
い、13Vの電圧で、1分間で+2℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であった。
Example 24 A 100 μm thick polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% was coated with a thermosetting acrylic silicone in a thickness of 10 μm and cured to obtain a transparent substrate film. On this transparent substrate film, silicon hydronitride (thickness 30 nm) / silver (thickness 12 nm) / silicon hydronitride (thickness 10 nm) / indium oxide (thickness 40 n)
The laminated film of m) was deposited by a reactive DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. The laminated body thus obtained was treated in the same manner as in Example 21, and the resistance between both electrodes provided with nickel metal electrodes was 5Ω.
A transparent heater was prepared. Similarly, a temperature rise test was performed, and the surface temperature rose to + 2 ° C. in 1 minute at a voltage of 13V. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0073】実施例25 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に酸化インジウム
(厚さ60nm)/窒化ケイ素・窒化インジウム〔ケイ
素:インジウム=1:1(厚さ10nm)〕/銀(厚さ
12nm)/窒化ケイ素・窒化インジウム〔ケイ素:イ
ンジウム=1:1(厚さ10nm)〕/酸/酸化インジ
ウム(厚さ60nm)からなる積層膜を反応性DCマグ
ネトロンスパッタリング法により、堆積させ、透明導電
性フィルムを形成した。さらに、DCマグネトロンスパ
ッタリング法により、銅からなる金属下地層を2nmの
厚みで堆積し、積層体を形成した。得られた積層体を実
施例21と同様にして、ニッケル金属電極を設けた両電
極間の抵抗が5Ωの透明面上ヒーターを作製した。同様
に昇温テストを行い、13Vの電圧で、1分間で+2℃
まで表面温度が上昇した。すなわち温度上昇分は、22
℃であった。
Example 25 Indium oxide (thickness 60 nm) / silicon nitride / indium nitride [silicon: indium = 1: 1 (thickness 10 nm) on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm. ] / Silver (thickness 12 nm) / silicon nitride / indium nitride [silicon: indium = 1: 1 (thickness 10 nm)] / acid / indium oxide (thickness 60 nm) by a reactive DC magnetron sputtering method , And a transparent conductive film was formed. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. The obtained laminated body was treated in the same manner as in Example 21 to prepare a transparent heater having a resistance of 5Ω between both electrodes provided with nickel metal electrodes. Similarly, a temperature rise test is performed, and at a voltage of 13V, + 2 ° C for 1 minute
Up to the surface temperature. That is, the temperature rise is 22
It was ℃.

【0074】実施例26 可視光線透過率89%、100μm厚のポリエチレンテ
レフタレート(PET)フィルム上に酸化インジウム
(厚さ70nm)/窒化ケイ素(厚さ10nm)/イン
ジウム(厚さ0.5nm)/銀(厚さ12nm)/窒化
ケイ素(厚さ50nm)/窒化インジウム(厚さ5n
m)からなる積層膜を反応性DCマグネトロンスパッタ
リング法により、堆積させ、透明導電性フィルムを形成
した。さらに、DCマグネトロンスパッタリング法によ
り、銅からなる金属下地層を2nmの厚みで堆積し、積
層体を形成した。得られた積層体を実施例21と同様に
して、ニッケル金属電極を設けた両電極間の抵抗が5Ω
の透明面上ヒーターを作製した。同様に昇温テストを行
い、13Vの電圧で、1分間で+2℃まで表面温度が上
昇した。すなわち温度上昇分は、22℃であった。
Example 26 Indium oxide (thickness 70 nm) / silicon nitride (thickness 10 nm) / indium (thickness 0.5 nm) / silver on a polyethylene terephthalate (PET) film having a visible light transmittance of 89% and a thickness of 100 μm. (Thickness 12 nm) / silicon nitride (thickness 50 nm) / indium nitride (thickness 5 n)
The laminated film of m) was deposited by a reactive DC magnetron sputtering method to form a transparent conductive film. Furthermore, a metal underlayer made of copper was deposited to a thickness of 2 nm by a DC magnetron sputtering method to form a laminated body. The laminated body thus obtained was treated in the same manner as in Example 21, and the resistance between both electrodes provided with nickel metal electrodes was 5Ω.
A transparent heater was prepared. Similarly, a temperature rise test was performed, and the surface temperature rose to + 2 ° C. in 1 minute at a voltage of 13V. That is, the temperature rise was 22 ° C.

【0075】比較例1 実施例1と同様サイズ、同構成の透明導電性フィルムを
透明面状ヒーター基材として用い、この両端に4mm幅
に導電性塗料(銀ペースト)を塗布し、透明面状ヒータ
ーの電極とした。これに13Vの電圧を投入し、昇温試
験を行ったところ透明面状ヒーターの透明導電膜と電極
部(導電性塗料)との間で異常発熱し、ヤケが発生し、
透明導電膜が断線した。
Comparative Example 1 A transparent conductive film having the same size and structure as in Example 1 was used as a transparent heater substrate, and a conductive coating material (silver paste) was applied to both ends of the transparent heater film so as to have a width of 4 mm. It was used as the electrode of the heater. When a voltage of 13 V was applied to this and a temperature rise test was performed, abnormal heat was generated between the transparent conductive film of the transparent sheet heater and the electrode portion (conductive paint), causing burns,
The transparent conductive film was broken.

【0076】比較例2 実施例1と同様のPETの片面に実施例2で用いた高周
波イオンプレーティング装置により酸化インジウム(3
0nm)/銀(10nm)/酸化インジウム(30n
m)からなる積層体を形成した。更に同法により銅から
なる金属下地層を2nmの厚みで形成した。これをpH
2の酸水溶液に浸して前処理し、水洗、乾燥したとこ
ろ、積層体の表面抵抗は500Ω/□と高抵抗になり電
気めっきが行えなくなった。
Comparative Example 2 Indium oxide (3) was formed on one surface of the same PET as in Example 1 by the high frequency ion plating apparatus used in Example 2.
0 nm) / silver (10 nm) / indium oxide (30 n
m) was formed. Further, a metal underlayer made of copper was formed to a thickness of 2 nm by the same method. PH this
When the laminate was soaked in the acid aqueous solution of No. 2, pretreated, washed with water and dried, the surface resistance of the laminate was as high as 500 Ω / □, and electroplating could not be performed.

【0077】比較例3 実施例1と同サイズ、同構成の透明導電性フィルムを透
明面状ヒーター基材として用い、金属下地層を形成せず
に実施例1と同様にニッケル膜を形成した。形成したパ
ネルヒーターの電極間抵抗は、10Ωであった。電解め
っきにより形成したニッケル膜は、めっきむらがありピ
ンホールが多く透明導電膜より簡単に剥がれてしまっ
た。
Comparative Example 3 A nickel film was formed in the same manner as in Example 1 using a transparent conductive film having the same size and structure as in Example 1 as a transparent planar heater substrate without forming a metal underlayer. The inter-electrode resistance of the formed panel heater was 10Ω. The nickel film formed by electrolytic plating had uneven plating and had many pinholes, and was easily peeled off from the transparent conductive film.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上の実施例ならび比較例から明らかの
ように、本発明によって、製造工程が改善され、かつ信
頼性の高い透明面状ヒーターの製造が可能になる。
As is clear from the above examples and comparative examples, the present invention makes it possible to improve the manufacturing process and manufacture a highly reliable transparent flat heater.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】比較例1を示す構成の断面図FIG. 1 is a sectional view of a structure showing a comparative example 1.

【図2】本発明の構成の平面図FIG. 2 is a plan view of the configuration of the present invention.

【図3】本発明の好ましい一例を示す構成の断面図FIG. 3 is a sectional view of a structure showing a preferred example of the present invention.

【図4】本発明の構成の平面図の斜視図FIG. 4 is a perspective view of a plan view of the configuration of the present invention.

【図5】本発明の透明導電膜の一例を示す構成の断面図FIG. 5 is a sectional view of a structure showing an example of a transparent conductive film of the present invention.

【図6】本発明の好ましい一例を示す構成の断面図FIG. 6 is a sectional view of a structure showing a preferred example of the present invention.

【図7】本発明の好ましい一例を示す構成の断面図FIG. 7 is a sectional view of a structure showing a preferred example of the present invention.

【図8】本発明の好ましい一例を示す構成の平面図FIG. 8 is a plan view of a configuration showing a preferred example of the present invention.

【図9】本発明の好ましい一例を示す構成の斜視図FIG. 9 is a perspective view of a configuration showing a preferred example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明面状ヒーター 2 透明基板 3 透明導電膜 3a 透明薄膜 3b 金属層 4 電極下地層 5 金属電極 5a 接続部 6 第1の透明保護層 7 第2の透明保護層 7a 接着層 7b 透明プラスチックフィルム 8 接着層 9 セパレーター 11 金具 12 ハトメ 13 中間層 51 透明基板 52 透明導電膜 53 導電性塗料 54 透明保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent planar heater 2 Transparent substrate 3 Transparent conductive film 3a Transparent thin film 3b Metal layer 4 Electrode base layer 5 Metal electrode 5a Connection part 6 1st transparent protective layer 7 2nd transparent protective layer 7a Adhesive layer 7b Transparent plastic film 8 Adhesive layer 9 Separator 11 Metal fitting 12 Eyelet 13 Intermediate layer 51 Transparent substrate 52 Transparent conductive film 53 Conductive paint 54 Transparent protective layer

Claims (27)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に設けられた透明導電膜を発
熱面として使用し、前記透明導電膜に通電するための一
対の金属電極を備えた透明面状ヒーターにおいて、前記
透明導電膜上に設けられた金属からなり実質的に透光性
の電極下地層を有し、前記透明導電膜が窒化物及び/ま
たは炭化物からなる透明薄膜層と実質的に透光性の金属
層とを少なくとも各1層ずつ積層したものであり、前記
金属電極が前記電極下地層上に形成されている透明面状
ヒーター。
1. A transparent planar heater comprising a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film, wherein the transparent conductive film provided on the transparent substrate is used as a heat generating surface. At least each of the transparent thin film layer having a substantially transparent electrode underlayer made of a provided metal, the transparent conductive film being made of a nitride and / or a carbide, and the substantially transparent metal layer. A transparent planar heater in which the metal electrodes are laminated one by one, and the metal electrodes are formed on the electrode underlayer.
【請求項2】 前記金属電極が形成されない部分に前記
電極下地層を被覆する第1の透明樹脂保護層を有する請
求項1記載の透明面状ヒーター。
2. The transparent planar heater according to claim 1, further comprising a first transparent resin protective layer that covers the electrode underlayer on a portion where the metal electrode is not formed.
【請求項3】 前記透明薄膜層が、窒化アルミニウム、
窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化珪素、窒化錫、窒
化硼素、窒化クロム、炭化珪素、アモルファスカーボ
ン、ダイヤモンド状カーボンのうち少なくとも1種から
なる高屈折率透明薄膜である請求項1記載の透明面状ヒ
ーター。
3. The transparent thin film layer is aluminum nitride,
The transparent planar heater according to claim 1, which is a high refractive index transparent thin film made of at least one of indium nitride, gallium nitride, silicon nitride, tin nitride, boron nitride, chromium nitride, silicon carbide, amorphous carbon, and diamond-like carbon. .
【請求項4】 前記透明薄膜層を構成する材料が一部酸
化している請求項1または3に記載の透明面状ヒータ
ー。
4. The transparent sheet heater according to claim 1, wherein the material forming the transparent thin film layer is partially oxidized.
【請求項5】 前記透明薄膜層を構成する材料が一部水
素化している請求項1または3に記載の透明面状ヒータ
ー。
5. The transparent planar heater according to claim 1, wherein the material forming the transparent thin film layer is partially hydrogenated.
【請求項6】 前記電極下地層が銅、ニッケル、クロ
ム、パラジウム、鉛、白金、金、銀のうち少なくとも1
種を含む金属又は合金からなる請求項1記載の透明面状
ヒーター。
6. The electrode underlayer is at least one of copper, nickel, chromium, palladium, lead, platinum, gold and silver.
The transparent planar heater according to claim 1, which is made of a metal or alloy containing a seed.
【請求項7】 前記金属電極が銅、ニッケル、クロム、
金、スズ、鉛、銀、はんだのうちの少なくとも1種を含
む金属又は合金からなる単層体または積層体である請求
項1記載の透明面状ヒーター。
7. The metal electrode is copper, nickel, chromium,
The transparent planar heater according to claim 1, wherein the transparent planar heater is a single layer body or a laminated body made of a metal or an alloy containing at least one of gold, tin, lead, silver and solder.
【請求項8】 前記電極下地層が、0.5nm〜20n
m厚みの金属薄膜をドライプロセスによって前記透明導
電膜上に設けたものである請求項1記載の透明面状ヒー
ター。
8. The electrode underlayer has a thickness of 0.5 nm to 20 n.
The transparent planar heater according to claim 1, wherein a metal thin film having a thickness of m is provided on the transparent conductive film by a dry process.
【請求項9】 前記金属層が銀または銀を主成分とする
薄膜層である請求項1記載の透明面状ヒーター。
9. The transparent planar heater according to claim 1, wherein the metal layer is silver or a thin film layer containing silver as a main component.
【請求項10】 前記金属層が銀または銀を主成分とす
る薄膜層の少なくとも片面に銀以外の金属を主成分とす
る薄膜層とを積層させたものである請求項1記載の透明
面状ヒーター。
10. The transparent surface according to claim 1, wherein the metal layer is a thin film layer containing silver or a silver-based main component and a thin film layer containing a metal other than silver as a main component is laminated on at least one surface of the metal layer. heater.
【請求項11】 前記透明薄膜層と前記電極下地層との
間に透明な中間層が設けられている請求項1記載の透明
面状ヒーター。
11. The transparent planar heater according to claim 1, wherein a transparent intermediate layer is provided between the transparent thin film layer and the electrode underlayer.
【請求項12】 前記透明基板と前記透明薄膜層との間
に透明な中間層が設けられている請求項1記載の透明面
状ヒーター。
12. The transparent planar heater according to claim 1, wherein a transparent intermediate layer is provided between the transparent substrate and the transparent thin film layer.
【請求項13】前記金属電極および前記第1の透明樹脂
保護層を被覆する第2の透明樹脂保護層とを有する請求
項2記載の透明面状ヒーター。
13. The transparent sheet heater according to claim 2, further comprising a second transparent resin protective layer that covers the metal electrode and the first transparent resin protective layer.
【請求項14】 前記第1の透明樹脂保護層及び/また
は電極の一部または全部に接着層が設けられている請求
項1または2に記載の透明面状ヒーター。
14. The transparent sheet heater according to claim 1, wherein an adhesive layer is provided on a part or all of the first transparent resin protective layer and / or the electrode.
【請求項15】 前記第2の透明樹脂保護層に接着層が
設けられている請求項13記載の透明面状ヒーター。
15. The transparent sheet heater according to claim 13, wherein an adhesive layer is provided on the second transparent resin protective layer.
【請求項16】 前記透明基板に接着層が設けられてい
る請求項1、2または13のいずれか1項に記載の透明
面状ヒーター。
16. The transparent sheet heater according to claim 1, wherein the transparent substrate is provided with an adhesive layer.
【請求項17】 前記金属電極に外部接続用金具が設け
られた請求項1、2、13、14、15または16のい
ずれか1項に記載の透明面状ヒーター。
17. The transparent planar heater according to claim 1, wherein the metal electrode is provided with a metal fitting for external connection.
【請求項18】 透明基板上に設けらた透明導電膜を発
熱面として使用し、前記透明導電膜に通電するための一
対の金属電極を備えた透明面状ヒーターの製造方法にお
いて、 窒化物及びまたは炭化物からなる透明薄膜層と実質的に
透光性の金属層とを少なくとも各1層ずつ積層した透明
導電膜を前記透明基板上にドライプロイセスによって形
成する第1の工程と、 前記透明導電膜上にドライプロイセスによって金属また
は合金を付着させ実質的に透光性の電極下地層を形成す
る第2の工程と、 前記金属電極が形成される部位以外の場所に第1の透明
樹脂保護層を設ける第3の工程と、 湿式めっき法によって前記金属電極を前記電極下地層上
に形成する第4の工程とを有する透明面状ヒーターの製
造方法。
18. A method for producing a transparent planar heater, comprising a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film, wherein a transparent conductive film provided on a transparent substrate is used as a heat generating surface, wherein a nitride and Alternatively, a first step of forming a transparent conductive film in which at least one transparent thin film layer made of a carbide and at least one substantially transparent metal layer are laminated on the transparent substrate by dry process, A second step of depositing a metal or an alloy on the film by a dry process to form a substantially translucent electrode underlayer, and a first transparent resin protection at a place other than the site where the metal electrode is formed. A method of manufacturing a transparent planar heater, comprising a third step of providing a layer and a fourth step of forming the metal electrode on the electrode underlayer by a wet plating method.
【請求項19】 前記金属薄膜層の厚さが0.5nm〜
20nmである請求項18記載の透明面状ヒーターの製
造方法。
19. The metal thin film layer has a thickness of 0.5 nm to
The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, which has a thickness of 20 nm.
【請求項20】 前記湿式めっき法が電気めっき法であ
る請求項18記載の透明面状ヒーターの製造方法。
20. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the wet plating method is an electroplating method.
【請求項21】 前記湿式めっき法が無電解めっき法で
ある請求項18記載の透明面状ヒーターの製造方法。
21. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the wet plating method is an electroless plating method.
【請求項22】 前記第4の工程において無電解めっき
法と電気めっき法とが組み合わされて前記金属電極が形
成される請求項18記載の透明面状ヒーターの製造方
法。
22. The method for manufacturing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the metal electrode is formed by combining an electroless plating method and an electroplating method in the fourth step.
【請求項23】 前記第3の透明樹脂保護層形成工程
が、紫外線硬化型レジストインキ、電子線硬化型レジス
トインキ、熱硬化型レジストインキ、紫外線硬化型樹
脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂のうちいずれかの
もの、あるいはそれらの組合せ又は混合物を塗布硬化さ
せることによって行われる請求項18記載の透明面状ヒ
ーターの製造方法。
23. The step of forming the third transparent resin protective layer comprises ultraviolet curable resist ink, electron beam curable resist ink, thermosetting resist ink, ultraviolet curable resin, electron beam curable resin, thermosetting resin. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, which is carried out by applying and curing any one of the resins, or a combination or mixture thereof.
【請求項24】 前記第3の透明樹脂保護層形成工程
が、接着層を有する透明フィルムを積層させることによ
って行われる請求項18記載の透明面状ヒーターの製造
方法。
24. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the third transparent resin protective layer forming step is performed by laminating a transparent film having an adhesive layer.
【請求項25】 前記第3の透明樹脂保護層形成工程
が、ドライフィルムを積層硬化させることによって行わ
れる請求項18記載の透明面状ヒーターの製造方法。
25. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the third transparent resin protective layer forming step is performed by laminating and curing a dry film.
【請求項26】 前記第3の透明樹脂保護層形成工程
が、塗料を塗布積層させることによって行われる請求項
18記載の透明面状ヒーターの製造方法。
26. The method for producing a transparent planar heater according to claim 18, wherein the third transparent resin protective layer forming step is performed by coating and laminating a coating material.
【請求項27】 透明基板上に設けられた透明導電膜を
発熱面として使用し、前記透明導電膜に通電するための
一対の金属電極を備えた透明面状ヒーターにおいて、前
記透明導電膜の少なくとも片面に透明な中間層を有し、
前記透明導電膜の一要素である前記金属層が前記銀また
は銀を主成分とする金属層の少なくとも片面に前記銀以
外の金属からなる金属層を積層したものからなり、前記
金属電極が前記透明な中間層を含む前記透明導電膜上に
形成されている透明面状ヒーター。
27. A transparent planar heater using a transparent conductive film provided on a transparent substrate as a heat generating surface and comprising a pair of metal electrodes for energizing the transparent conductive film, wherein at least the transparent conductive film is provided. Having a transparent intermediate layer on one side,
The metal layer, which is an element of the transparent conductive film, is formed by laminating a metal layer composed of a metal other than silver on at least one surface of the silver or a metal layer containing silver as a main component, and the metal electrode is the transparent electrode. Transparent sheet heater formed on the transparent conductive film including a transparent intermediate layer.
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