JPH06334343A - Manufacture of multilayered wiring board and high density multilayered wiring board - Google Patents

Manufacture of multilayered wiring board and high density multilayered wiring board

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JPH06334343A
JPH06334343A JP5206321A JP20632193A JPH06334343A JP H06334343 A JPH06334343 A JP H06334343A JP 5206321 A JP5206321 A JP 5206321A JP 20632193 A JP20632193 A JP 20632193A JP H06334343 A JPH06334343 A JP H06334343A
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wiring board
multilayer wiring
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直也 北村
Hisashi Sugiyama
寿 杉山
Yoshihide Yamaguchi
欣秀 山口
Masayuki Kyoi
正之 京井
Hideyasu Murooka
秀保 室岡
Ryoji Iwamura
亮二 岩村
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真貴雄 渡辺
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Abstract

PURPOSE:To manufacture a multilayered wiring board in a short time, with high yield and a small number of processes, by a method wherein fluid polymer precursor containing no solvent is cured by applying hydrostatic pressure, and an insulating film is formed. CONSTITUTION:A metal mold 104 is arranged on the wiring layer side of a base board 100 having at least either one of horizontal wiring conductor 101 and vertical viaconductor 102, and fluid polymer precursor containing no solvent is supplied between the base board 100 and the metal mold 104. After gas in a gap 105 is exhausted from a vent 106, the metal mold is moved toward the base board 100 direction, and the adjacent conductor gap on the base board 100 is filled with the fluid polymer precursor 103. By curing it under hydrostatic pressure, an insulating film 107 is formed. After the upper surface of the vertical viaconductor 102 is exposed, a wiring layer composed of the following is formed; at least either one of other horizontal wiring conductor 108 and vertical viaconductor 109 which are connected with the horizontal wiring conductor 101 or the vertical viaconductor 102.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板の製造方
法および高密度多層配線基板に係り、特に、大型計算
機、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、マ
ルチメディアコンピュータ等のコンピュータ、通信用A
TM交換機等に用いられる高密度な多層配線基板やマル
チチップモジュール基板の製造方法および高密度な多層
配線基板の構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multi-layer wiring board and a high-density multi-layer wiring board, and more particularly to a computer such as a large-scale computer, a workstation, a personal computer, a multimedia computer, a communication A
The present invention relates to a method for manufacturing a high-density multilayer wiring board or a multi-chip module board used in a TM switch or the like, and a structure of the high-density multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明と対比される従来技術を、図16
ないし図19を用いて説明する。第一に、ベース基板と
してセラミック配線基板を用いた従来の多層配線基板の
製造方法を図16を用いて説明する。図16は、従来の
技術に係る多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図
(その一)である。
2. Description of the Related Art FIG. 16 shows a conventional technique compared with the present invention.
It will be described with reference to FIGS. First, a conventional method of manufacturing a multilayer wiring board using a ceramic wiring board as a base substrate will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a process diagram (No. 1) showing an example of a method of manufacturing a multilayer wiring board according to a conventional technique.

【0003】その工程は、下記(1)〜(8)の工程を
逐次複数回繰り返して多層配線基板を製造するものであ
る。 図16(a):(1)基板1601の上面全面にわたっ
て、めっきの電極となりうる下地金属層1602を形成
する。 図16(b):(2)その上面に、所望の導体パターン
の形状に穴開け加工されたレジスト1603を形成す
る。 図16(c):(3)しかる後、露出した溝部分160
4の下地金属層1602を電極として電気めっきを行な
い、レジスト1603の溝部分1604を選択的に導体
充填して、配線、ビア、グランド、電源等の導体160
5を形成する。 図16(d):(4)レジスト1603を除去して導体
1605を露出させる。 図16(e):(5)その後、導体1605に対接する
部分以外の下地金属層1602を除去する。 図16(f):(6)次ぎに、基板1601の上面全面
に導体1605を包むようにポリマーの絶縁層1606
を形成する。 図16(g):(7)その後、研磨等により、導体16
05の上面を露出させるとともに、絶縁層1606の表
面を平面研磨する。
In the process, the following steps (1) to (8) are sequentially repeated a plurality of times to manufacture a multilayer wiring board. FIG. 16A: (1) A base metal layer 1602 that can serve as an electrode for plating is formed on the entire upper surface of the substrate 1601. FIG. 16B: (2) A resist 1603 is formed on the upper surface thereof by punching into a desired conductor pattern shape. FIG. 16C: (3) Then, the exposed groove portion 160
No. 4 underlying metal layer 1602 is used as an electrode for electroplating, and the groove portion 1604 of the resist 1603 is selectively filled with a conductor to form a conductor 160 such as a wiring, a via, a ground, or a power supply.
5 is formed. FIG. 16D: (4) The resist 1603 is removed to expose the conductor 1605. 16E: (5) After that, the underlying metal layer 1602 other than the portion in contact with the conductor 1605 is removed. 16F: (6) Next, a polymer insulating layer 1606 is formed so as to wrap the conductor 1605 on the entire upper surface of the substrate 1601.
To form. FIG. 16G: (7) After that, the conductor 16 is polished and the like.
The upper surface of 05 is exposed, and the surface of the insulating layer 1606 is flat-polished.

【0004】なお、上記工程の導体パターンを形成する
技術としては、特開昭57−50489号公報、特開昭
57−50490号公報、特開昭57−50491号公
報に、また、絶縁層を形成する技術としては特開昭50
−64767号公報に記載がある。
The technique for forming the conductor pattern in the above process is described in JP-A-57-50489, JP-A-57-50490, JP-A-57-50491, and an insulating layer. As a technique for forming, Japanese Patent Laid-Open No. Sho 50
-64767 publication.

【0005】第二に、さらに、別の従来技術による多層
配線基板の製造方法を、図17を用いて説明する。図1
7は、従来の技術に係る多層配線基板の製造方法の一例
を示す工程図(その二)である。
Secondly, another conventional method of manufacturing a multilayer wiring board will be described with reference to FIG. Figure 1
FIG. 7 is a process diagram (No. 2) showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a conventional technique.

【0006】その工程は、下記(1)〜(4)の工程を
逐次複数回繰り返して多層配線基板を製造するものであ
る。 図17(a)(b):(1)基板1701上に第1導電
層1702とコンタクトポストとしての第2導電層17
03を形成する。 図17(c):(2)これらの表面にエポキシ樹脂ある
いは半硬化状態のポリイミド1704を被着する。 図17(d):(3)次いでこれらの樹脂層を押圧しな
がら硬化させてコンタクトポストの表面1705が露出
した平坦な絶縁層1706を形成する。 図17(e):(4)次に、この絶縁層上に露出したコ
ンタクトポストと接続した第3の導電層1707を形成
して多層配線基板を形成する。
In the process, the following steps (1) to (4) are successively repeated a plurality of times to manufacture a multilayer wiring board. 17A and 17B: (1) First conductive layer 1702 on substrate 1701 and second conductive layer 17 as a contact post
Form 03. FIG. 17C: (2) Epoxy resin or semi-cured polyimide 1704 is deposited on these surfaces. FIG. 17D: (3) Next, these resin layers are pressed and cured to form a flat insulating layer 1706 in which the surface 1705 of the contact post is exposed. 17E: (4) Next, a third conductive layer 1707 connected to the exposed contact posts is formed on the insulating layer to form a multilayer wiring board.

【0007】なお、上記多層配線基板の製造方法は特公
平4−38157号公報、特公平4−38158号公報
に記載されている。ここで、配線層を形成するために必
要な下地導電膜を形成する方法としては、一般的には、
特開昭57−50489号公報、特開昭57−5049
0号公報、特開昭57−50491号公報に記載がある
ように、スパッタリング法や蒸着法等のドライ成膜法が
用いられる。
The method of manufacturing the above-mentioned multilayer wiring board is described in Japanese Patent Publication No. 4-38157 and Japanese Patent Publication No. 4-38158. Here, as a method of forming the underlying conductive film necessary for forming the wiring layer, generally,
JP-A-57-50489 and JP-A-57-5049
As described in Japanese Patent Laid-Open No. 0-57-50491, a dry film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method is used.

【0008】さらにまた、前記2つの従来技術よりも、
ビア径としては一般的に大きいが、工程が簡単な感光性
ポリイミド等の感光性絶縁材料を用いた多層配線基板の
製造方法が知られている。その例としては、例えば、特
公昭62−43544号公報が挙げられる。
Furthermore, in comparison with the above two prior arts,
Although the via diameter is generally large, a method of manufacturing a multilayer wiring board using a photosensitive insulating material such as photosensitive polyimide is known, which is simple in process. An example thereof is Japanese Patent Publication No. 62-43544.

【0009】第三に、ベース基板としてプリント配線基
板を用いた従来の多層配線基板の構造を、図18および
図19を用いて説明する。図18は、従来の技術に係る
多層プリント配線基板の一例を示す図(その一)であ
る。図19は、従来の技術に係る多層プリント配線基板
の一例を示す図(その二)である。
Thirdly, the structure of a conventional multilayer wiring board using a printed wiring board as a base board will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG. 18 is a diagram (part 1) illustrating an example of a multilayer printed wiring board according to a conventional technique. FIG. 19 is a diagram (part 2) showing an example of a multilayer printed wiring board according to a conventional technique.

【0010】この多層配線基板の製造方法によれば、感
光性ポリイミドを用いた多層配線基板の製造方法と同様
の考え方に基づくが、従来の貫通めっきスルーホールを
用いて層間接続を取る多層プリント配線基板に比べれば
高密度な多層プリント配線基板を提供することができ
る。
According to this method for manufacturing a multilayer wiring board, the same concept as the method for manufacturing a multilayer wiring board using a photosensitive polyimide is used, but the conventional multilayer printed wiring for making interlayer connection by using through-plated through holes. It is possible to provide a multilayer printed wiring board having a higher density than that of the board.

【0011】この多層配線基板の製造方法は、基本的に
は、表層導体がパターニングされたプリント配線板の表
層に感光性絶縁材料を成膜した後、露光・現像によりビ
アホールを形成し、次いで、全面に導体を形成した後、
導体をパターニングする。さらに、これを繰り返して多
層化した後、最後に、貫通めっきスルーホールを形成す
る方法である。
In this method for manufacturing a multilayer wiring board, basically, a photosensitive insulating material is formed on the surface layer of a printed wiring board on which the surface layer conductor is patterned, and then a via hole is formed by exposure and development, and then, After forming the conductor on the entire surface,
Pattern the conductor. Furthermore, this is a method in which after repeating this to form a multilayer, a through-plated through hole is finally formed.

【0012】このような多層配線基板の製造方法はビル
ドアップ法と呼ばれ、この方法によれば、図18に示す
ように、プリント配線板表層導体1800とビルドアッ
プの導体層1801およびビルドアップの導体層同士の
接続が、ドリリングによる貫通めっきスルーホール18
02による接続でなく、コンフォーマルビア1803に
よる接続であるために、従来の貫通めっきスルーホール
のみで層間接続をとるプリント配線板に比べると高密度
な多層プリント配線基板が得られる。
A method for manufacturing such a multilayer wiring board is called a build-up method, and according to this method, as shown in FIG. 18, a printed wiring board surface layer conductor 1800, a build-up conductor layer 1801 and a build-up conductor layer 1801. The conductor layers are connected to each other by drilling through-holes 18
Since the connection is made by the conformal via 1803 instead of the connection made by 02, a high-density multilayer printed wiring board can be obtained as compared with the conventional printed wiring board in which interlayer connection is made only by through-holes.

【0013】また、配線層を形成するために必要な下地
導電膜を形成する方法としては無電解めっき法が一般的
に用いられる。そして、このようなビルドアップ法の例
としては特開平4−148590号公報が挙げられる。
Further, as a method of forming a base conductive film necessary for forming a wiring layer, an electroless plating method is generally used. And as an example of such a build-up method, there is JP-A-4-148590.

【0014】さらに、図19に示すように、層間接続の
ためにドリリングで形成しためっきスルーホールの穴を
樹脂充填し、上部にめっきスルーホールと接続する導体
パッドを形成してめっきスルーホールの面積を有効利用
する多層プリント配線板の製造方法としては、例えば、
特開平4−168794号公報に示される方法がある。
Further, as shown in FIG. 19, the hole of the plated through hole formed by drilling for interlayer connection is filled with resin, and a conductor pad for connecting to the plated through hole is formed on the upper portion to form the area of the plated through hole. As a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that effectively uses, for example,
There is a method disclosed in JP-A-4-168794.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】従来技術の困難な問題
点の第一は、絶縁膜形成工程と平坦化工程にある。上記
第一の従来技術の(6)の絶縁膜形成工程(図16
(f))と(7)の平坦化工程(図16(g))におい
て、絶縁層1606を形成するポリマーとして汎用とさ
れているポリイミド系材料は、熱硬化反応により溶剤や
水分が蒸発するので、ピンホールやボイドが発生し易
い。
The first of the difficult problems of the prior art is the insulating film forming step and the flattening step. The above-mentioned first prior art (6) insulating film forming step (FIG. 16).
In the flattening steps (f)) and (7) (FIG. 16G), the polyimide-based material generally used as a polymer for forming the insulating layer 1606 evaporates the solvent and water due to the thermosetting reaction. , Pinholes and voids are likely to occur.

【0016】また、この材料は、下地の凹凸に沿って収
縮するので、基板の凹凸に沿った絶縁膜が形成され、平
坦性が著しく劣る。そのため軟らかいポリイミドと硬い
金属膜を研削、研磨して平坦化する必要があり、その工
程は長時間を要する。その上、研削粉、研磨粉の洗浄に
よる異物排除が容易でない。
Further, since this material shrinks along the irregularities of the base, an insulating film is formed along the irregularities of the substrate, and the flatness is extremely poor. Therefore, it is necessary to grind and polish the soft polyimide and the hard metal film to flatten them, and the process requires a long time. Moreover, it is not easy to remove foreign matter by cleaning the grinding powder and the polishing powder.

【0017】さらに、ポリイミド系材料はポリアミド酸
溶液あるいはポリイミド溶液にして塗布加熱するので、
一回塗りでは所要の膜厚が得られないため、塗布乾燥等
の工程数が多くなる。またさらに、ポリイミドの硬化に
は、高温、長時間を要することなどの問題点がある。
Further, since the polyimide material is applied as a polyamic acid solution or a polyimide solution and heated,
Since the required film thickness cannot be obtained with a single coating, the number of steps such as coating and drying increases. Furthermore, there are problems such as high temperature and long time required for curing the polyimide.

【0018】これら多くの問題により、第一の従来技術
による多層配線基板の製造方法では、歩留が低く、工程
数が多くてリードタイムが長く、量産性に著しく劣ると
いう欠点があった。
Due to these many problems, the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the first conventional technique has drawbacks that the yield is low, the number of steps is large, the lead time is long, and the mass productivity is extremely poor.

【0019】また、上記第二の従来技術においても、図
17(c)に示される(2)の工程において、エポキシ
樹脂溶液あるいはポリアミド酸溶液を塗布した後、溶剤
を揮発させて、エポキシ樹脂あるいはポリアミド酸を配
線層に被着させると、硬化時に残存溶剤の揮発によりボ
イドやピンホールが発生するという問題点がある。
Also in the second prior art, in the step (2) shown in FIG. 17C, after the epoxy resin solution or the polyamic acid solution is applied, the solvent is volatilized and the epoxy resin or When the polyamic acid is applied to the wiring layer, there is a problem that voids and pinholes are generated due to volatilization of the residual solvent during curing.

【0020】また、ポリアミド酸の硬化による縮合水の
揮発でもボイドやピンホールが発生する。またさらに、
無溶剤の状態で塗布しても、配線層1702,1703
と絶縁層1704の間に空気を巻き込み、隙間や気泡を
残すことがあるので、これがまたボイドやピンホールの
原因となる。
Further, voids and pinholes are generated even when the condensation water is volatilized by the curing of the polyamic acid. Furthermore,
Even if applied in the solvent-free state, the wiring layers 1702, 1703
Since air may be trapped between the insulating layer 1704 and the insulating layer 1704 to leave a gap or a bubble, this also causes a void or a pinhole.

【0021】これら絶縁膜中の欠陥は、上層配線層の形
成を困難にする。さらに、のみならず、配線形成時のめ
っきやエッチング等のウエットプロセスにおける処理液
を絶縁膜中に取り込み、絶縁不良の原因ともなる。
Defects in these insulating films make it difficult to form the upper wiring layer. Furthermore, not only the treatment liquid in a wet process such as plating and etching at the time of wiring formation is taken into the insulating film, which may cause insulation failure.

【0022】このため、上記第二の従来技術に示した方
法を実施しようとすると、無溶剤のエポキシ樹脂あるい
は無溶剤のポリイミド樹脂で、かつ、非常に粘度の低い
材料が必要となる。しかし、そのような材料を使用する
と配線が金型に強く押されて、配線の変形や断線が起こ
るという不都合がある。ところが、逆に、粘度を高くし
ていくと、配線間に樹脂を充填できず、しかも、配線上
面に樹脂が厚く残る。
Therefore, in order to carry out the method shown in the second prior art, a solventless epoxy resin or a solventless polyimide resin and a material having a very low viscosity are required. However, when such a material is used, there is a disadvantage that the wiring is strongly pressed by the mold and the wiring is deformed or broken. However, conversely, when the viscosity is increased, the resin cannot be filled between the wirings, and moreover, the resin remains thick on the upper surface of the wiring.

【0023】この他にも、押圧だけの圧力であるため
に、圧力が上記樹脂に均一にかからず、高い圧力の絶縁
層中心部と低い圧力の絶縁層周辺部で耐熱性、熱膨張
率、機械的強度等の物性に差が出たり、樹脂が基板から
漏れ出て、絶縁層周辺部の膜厚が薄くなったり、さら
に、漏れ出る際に巻き込む空気や樹脂中の溶存空気、水
分の揮発等に起因するボイド・ピンホールが絶縁層周辺
部に発生するなど種々の不都合がある。さらに、押圧す
るだけでは、実際には、配線上面に無視できない1μm
前後の薄膜が残るなどの問題がある。
In addition to this, since the pressure is only applied to the pressure, the pressure is not evenly applied to the resin, and the heat resistance and the coefficient of thermal expansion are high in the central portion of the insulating layer of high pressure and the peripheral portion of the insulating layer of low pressure. , The physical properties such as mechanical strength are different, the resin leaks from the substrate, the film thickness around the insulating layer becomes thin, and the air entrained when leaking out and the dissolved air in the resin, moisture There are various inconveniences such as the occurrence of voids and pinholes in the periphery of the insulating layer due to volatilization and the like. In addition, just pressing it will actually make the upper surface of the wiring 1 μm not negligible.
There is a problem that the front and back thin films remain.

【0024】これら多くの問題により、この第二の従来
技術の多層配線基板の製造方法では、歩留が低いという
欠点があった。さらに、従来技術の困難な問題点の第二
は、絶縁膜を形成した後、次ぎの配線層を形成する際の
配線導体と絶縁膜との接着強度にある。
Due to these many problems, the second conventional method for manufacturing a multilayer wiring board has a drawback that the yield is low. Further, the second difficult problem of the conventional technique is the adhesive strength between the wiring conductor and the insulating film when the next wiring layer is formed after forming the insulating film.

【0025】無電解めっきまたは電気めっきのための下
地導電膜を形成する方法として、一般的には、特開昭5
7−50489号公報、特開昭57−50490号公
報、特開昭57−50491号公報に記載があるよう
に、スパッタリング法や蒸着法等のドライ成膜法が挙げ
られる。
As a method for forming a base conductive film for electroless plating or electroplating, generally, Japanese Patent Laid-Open No. Sho 5 (1998) -58200 is used.
As described in JP-A-7-50489, JP-A-57-50490, and JP-A-57-50491, dry film forming methods such as a sputtering method and a vapor deposition method can be mentioned.

【0026】スパッタリング法は、絶縁膜に下地導電膜
材料を物理的の食い込ませるため比較的高い接着強度を
確保することができる方法である。一方、蒸着法はその
ような効果がないためスパッタリング法よりも接着強度
が劣る。ところで、このようなスパッタリング法あるい
は蒸着法には高価な装置が必要であり、その成膜時間も
長く、低コスト、高スループットな方法とは言えない。
The sputtering method is a method in which a relatively high adhesive strength can be secured because the underlying conductive film material is physically bitten into the insulating film. On the other hand, since the vapor deposition method does not have such an effect, the adhesive strength is inferior to that of the sputtering method. By the way, such a sputtering method or vapor deposition method requires an expensive apparatus, requires a long film forming time, and cannot be said to be a low cost and high throughput method.

【0027】また、プリント配線基板の製造において良
く使われる方法は無電解めっき法である。この方法は、
絶縁膜表面をエッチングしてエッチングの強弱により凹
凸を形成し、そのアンカー効果により絶縁膜と下地導電
膜との接着強度を確保するものであり、比較的高い接着
強度を出せる方法である。
A method often used in the production of printed wiring boards is electroless plating. This method
The surface of the insulating film is etched to form irregularities due to the strength of the etching, and the anchoring effect secures the adhesive strength between the insulating film and the underlying conductive film, which is a method capable of providing a relatively high adhesive strength.

【0028】しかしながら、エッチングの強弱を出すた
めには絶縁材料の組成にかなりの工夫が必要である。す
なわち、エッチングされ易い成分とエッチングされにく
い成分を含んでいる必要があり、エッチングされ易い成
分が多く含まれている場合は、接着力は、大きくなる
が、耐熱性や機械的物性に問題があり、エッチングされ
にくい成分が多く含まれている場合は、その逆のことが
成り立つ。したがって、耐熱性や機械的物性等の絶縁膜
物性とはトレードオフの関係にあるということができ、
理想的な絶縁膜を得ることは難しいという問題点があっ
た。
However, in order to obtain the strength of etching, it is necessary to devise the composition of the insulating material considerably. That is, it is necessary to contain a component that is easily etched and a component that is difficult to be etched, and if a large amount of a component that is easily etched is included, the adhesive strength increases, but there is a problem in heat resistance and mechanical properties. The opposite is true when many components that are difficult to etch are included. Therefore, it can be said that there is a trade-off relationship with the insulating film physical properties such as heat resistance and mechanical properties.
There is a problem that it is difficult to obtain an ideal insulating film.

【0029】また、製造条件により、エッチングの効果
が異なるため、一定の粗面を安定に形成することは困難
で、接着強度を安定的に確保することが難しいという問
題点もあった。
Further, since the effect of etching varies depending on the manufacturing conditions, it is difficult to stably form a certain rough surface, and it is difficult to secure a stable adhesive strength.

【0030】さらに、従来技術の困難な問題点の第三
は、プリント配線基板の配線密度に関するものである。
前述したプリント配線基板のビルドアップ法において
は、感光性エポキシ材料等の感光性絶縁材料の解像性の
観点からビアホール1803底部の径は100μm程度
が限界である。
Furthermore, the third difficulty of the prior art is related to the wiring density of the printed wiring board.
In the build-up method of the printed wiring board described above, the diameter of the bottom of the via hole 1803 is limited to about 100 μm from the viewpoint of the resolution of the photosensitive insulating material such as the photosensitive epoxy material.

【0031】さらに、導体の段切れを防ぐためにコンフ
ォーマルビアはテーパ形状にする必要がある。このた
め、ランドを含めたビアの占める表面積は大きく、ビア
径をさらに小さくして高密度にすることは困難であると
いう問題点があった。また、コンフォーマルビアの上部
には凹凸ができるために、この上に次ぎのコンフォーマ
ルビアまたは配線導体を形成することができない。これ
は1層隔てた薄膜多層配線層の接続に2ヶ所のビアを使
わねばならないことを意味し、接続のために配線面積を
ロスする結果となり、高密度化のための障壁となる。ま
た、サーマルビアの形成もできないという問題もある。
Further, the conformal via needs to have a tapered shape in order to prevent disconnection of the conductor. Therefore, there is a problem that the surface area of the via including the land is large, and it is difficult to further reduce the diameter of the via to achieve a high density. Further, since the upper portion of the conformal via has unevenness, the next conformal via or the wiring conductor cannot be formed thereon. This means that two vias must be used to connect the thin film multilayer wiring layers separated by one layer, resulting in a loss of the wiring area for the connection and a barrier for high density. There is also a problem that thermal vias cannot be formed.

【0032】さらにまた、一般に導体は配線抵抗から一
定以上の段面積を必要とする。そのため、薄い導体で長
方形のパターンを形成するよりは厚い導体で正方形のパ
ターンを形成する方が微細なパターンが形成できる。と
ころが、導体を形成した後エッチングでパターニングす
るために、サイドエッチ効果により、導体を厚くしすぎ
ると微細な配線パターンを形成できなくなる。 したが
って、導体の厚さをあまり厚くできず、その結果配線密
度が向上しないという結果になっていた。
Furthermore, in general, the conductor requires a step area larger than a certain level due to the wiring resistance. Therefore, a finer pattern can be formed by forming a square pattern with a thick conductor rather than forming a rectangular pattern with a thin conductor. However, since the conductor is formed and then patterned by etching, the side etching effect makes it impossible to form a fine wiring pattern if the conductor is too thick. Therefore, the conductor cannot be made so thick that the wiring density is not improved.

【0033】また、プリント配線板の内層導体との接続
あるいはプリント配線板両面の接続は最終段階で形成す
る貫通めっきスルーホール1802による接続であるた
めに、貫通めっきスルーホールの面積分、配線密度がさ
らに低下する欠点がある。さらに、穴埋めされていない
貫通めっきスルーホールを有するプリント配線板の製造
方法において、貫通めっきスルーホールをドリリングに
より形成する方法では、感光性絶縁材料やレジスト等の
液状材料を成膜できないため、ビルドアップ法による薄
膜多層配線層を形成できないという問題点もある。
Further, since the connection with the inner layer conductor of the printed wiring board or the connection of both surfaces of the printed wiring board is made by the through plating through hole 1802 formed at the final stage, the area of the through plating through hole and the wiring density are There is a further drawback. Further, in the method of manufacturing a printed wiring board having through-plated through holes which are not filled up, the method of forming the through-plated through holes by drilling cannot form a liquid material such as a photosensitive insulating material or a resist. There is also a problem that a thin film multilayer wiring layer cannot be formed by the method.

【0034】また、層間接続のためにドリリングで形成
しためっきスルーホールの穴を樹脂充填し、上部にめっ
きスルーホールと接続する導体パッドを形成してめっき
スルーホールの面積を有効利用する特開平4−1687
94号公報の方法は多層プリント配線板の隣接する2層
の導体層(1902/1903及び1904/190
5)の接続には有効であるが、プリント配線板の両面あ
るいは、1層以上の導体層を隔てた2層の導体層の接続
には、やはり、最終段階で形成する貫通めっきスルーホ
ール1906に頼らざるを得えず、出来上がった多層プ
リント配線板には穴埋めされていない貫通めっきスルー
ホールが残るという問題点がある。
Further, the hole of the plated through hole formed by drilling for interlayer connection is filled with resin, and a conductor pad for connecting with the plated through hole is formed on the upper part to effectively utilize the area of the plated through hole. -1687
The method of Japanese Patent Laid-Open No. 94 is based on two adjacent conductor layers (1902/1903 and 1904/190) of a multilayer printed wiring board.
Although it is effective for the connection of 5), for the connection of both sides of the printed wiring board or two conductor layers with one or more conductor layers separated, the through plating through hole 1906 formed at the final stage is also used. There is a problem that there is no choice but to rely on it, and the through-hole plated through holes that are not filled up remain in the finished multilayer printed wiring board.

【0035】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたもので、その第一の目的は、多層配線
基板を形成する工程において、歩留が高く、また、工程
数が少なくてリードタイムが短く、量産性に優れ、低コ
ストな高密度多層配線基板の新しい製造方法を提供する
ことにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the first object thereof is a high yield and a small number of steps in the process of forming a multilayer wiring board. Another object of the present invention is to provide a new manufacturing method of a high-density multilayer wiring board with a short lead time, excellent mass productivity, and low cost.

【0036】また、その第二の目的は、この方法をベー
ス基板としてセラミック配線基板からプリント配線基板
まで適用できるプロセスにすることである。
A second object of the invention is to make the method applicable to ceramic wiring boards to printed wiring boards using this method as a base substrate.

【0037】さらに、第三の目的は、プリント配線基板
を用いた多層配線基板において、貫通めっきスルーホー
ルによって配線密度が向上しないという問題点を解決
し、さらに、薄膜多層配線層としてもビルドアップ法よ
りもさらに高密度な配線形成が可能な多層配線の構造体
を提供することにある。
Further, a third object is to solve the problem that the wiring density is not improved by the through-plated through holes in the multilayer wiring board using the printed wiring board, and the build-up method can be used as a thin film multilayer wiring layer. It is another object of the present invention to provide a multilayer wiring structure capable of forming wiring with a higher density.

【0038】[0038]

【課題を解決するための手段】〔I〕以下では、本発明
の主要な構成を図1を用いて説明する。図1は、本発明
の一実施例に係る多層配線基板の製造方法を示す工程図
である。
[I] The main structure of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a process drawing showing a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【0039】本発明の主要な構成は、すなわち、図1
(a):(1)少なくとも一方の面上に配線層として水
平配線導体101および垂直ビア導体102の少なくと
も一つを有するベース基板100を形成する工程、図1
(b)(c):(2)ベース基板100の配線層側に表
面の平坦な金型104を設置し、このベース基板100
と金型104との間に溶剤を含まない流動性高分子前駆
体103を供給する工程、(3)金型104とベース基
板100との間105にある気体を給排気口106から
排気する工程、図1(d):(4)金型104をベース
基板100方向へ移動させて溶剤を含まない流動性高分
子前駆体103をベース基板100と金型104の間に
充填し、少なくともベース基板100上の隣接する導体
間隙に該溶剤を含まない流動性高分子前駆体103を充
填されるようにする工程、(5)溶剤を含まない流動性
高分子前駆体103に所定の静水圧をかける工程、
(6)静水圧下において溶剤を含まない流動性高分子前
駆体103を硬化して絶縁膜107とする工程、図1
(e)(f)(g):(7)垂直ビア導体102の上面
を露出させる工程図1(h):(8)水平配線導体10
1または垂直ビア導体102と接続する別の水平配線導
体108及び垂直ビア導体109の少なくとも一方から
成る配線層を形成する工程の各工程含む多層配線基板の
製造方法において、上記工程(1)から(7)の工程を
この工程順におこなうか、または、(1)の工程の後
に、上記工程(2)から(8)の工程をこの工程順に少
なくとも一回以上行なって多層化する多層配線基板の製
造方法である。
The main structure of the present invention is as follows:
(A): (1) A step of forming a base substrate 100 having at least one of a horizontal wiring conductor 101 and a vertical via conductor 102 as a wiring layer on at least one surface, FIG.
(B) (c): (2) A mold 104 having a flat surface is placed on the wiring layer side of the base substrate 100, and the base substrate 100 is
A step of supplying a fluid polymer precursor 103 containing no solvent between the mold 104 and the mold 104, and (3) a step of exhausting the gas in the part 105 between the mold 104 and the base substrate 100 from the supply / exhaust port 106. FIG. 1D: (4) The mold 104 is moved toward the base substrate 100 to fill the solvent-free fluid polymer precursor 103 between the base substrate 100 and the mold 104, and at least the base substrate 100. A step of filling the gaps between adjacent conductors on 100 with the solvent-free fluid polymer precursor 103, (5) applying a predetermined hydrostatic pressure to the solvent-free fluid polymer precursor 103 Process,
(6) Step of curing the fluid polymer precursor 103 containing no solvent under hydrostatic pressure to form the insulating film 107, FIG.
(E) (f) (g): (7) Step of exposing the upper surface of the vertical via conductor 102 Fig. 1 (h): (8) Horizontal wiring conductor 10
In the method for manufacturing a multilayer wiring board, including the steps of forming a wiring layer including at least one of the horizontal wiring conductor 108 and the vertical via conductor 109 which is connected to one or the vertical via conductor 102, from the above-mentioned step (1) ( Producing a multilayer wiring board in which the step 7) is performed in this order, or after the step (1), the steps (2) to (8) are performed at least once in this order to form a multilayer. Is the way.

【0040】またさらに、図1(f)に示すように、上
面が露出した配線導体の高さが著しく異なる場合には、
必要に応じて、導体上面を機械研磨または化学研磨等に
より研磨して導体高さを均一にしてもよい。この場合に
は、研磨するのは導体のみであり、また、量も少ないの
で、従来技術で述べたような長時間かかる困難な作業に
はならない。
Furthermore, as shown in FIG. 1 (f), when the heights of the wiring conductors whose upper surfaces are exposed are significantly different,
If necessary, the conductor upper surface may be polished by mechanical polishing, chemical polishing, or the like to make the conductor height uniform. In this case, since only the conductor is ground and the amount thereof is small, it is not necessary to perform the difficult work that takes a long time as described in the prior art.

【0041】図1では、水平配線導体101と垂直ビア
導体102が対で存在する場合を示したが、ベース基板
100上に水平配線導体101のみ、あるいは、垂直ビ
ア導体102のみがあっても良く、また、上層に接続さ
れる導体は、水平配線導体108のみ、あるいは、垂直
ビア導体109のみを形成する場合もある。
Although FIG. 1 shows the case where the horizontal wiring conductor 101 and the vertical via conductor 102 exist as a pair, only the horizontal wiring conductor 101 or only the vertical via conductor 102 may be present on the base substrate 100. In some cases, only the horizontal wiring conductor 108 or the vertical via conductor 109 is formed as the conductor connected to the upper layer.

【0042】さらに、図1はベース基板100の片面に
水平配線導体101と垂直ビア導体102があり、片面
に多層配線を形成した例であるが、表裏両面に上記方法
により同時に多層配線を積層することもできる。表裏同
時に多層配線を形成すれば、絶縁層107形成の際の硬
化収縮や硬化温度から冷却する際の絶縁材料107とベ
ース基板材料100の熱膨張率の差によるベース基板1
00の反りを解消できるほか、多層配線基板の配線密度
をさらに向上させることができる。また、工程数の削減
やリードタイムの短縮が図れる。
Further, FIG. 1 shows an example in which the horizontal wiring conductor 101 and the vertical via conductor 102 are provided on one surface of the base substrate 100, and the multilayer wiring is formed on one surface. You can also If multilayer wiring is formed simultaneously on the front and back sides, the base substrate 1 due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the insulating material 107 and the base substrate material 100 when the insulating layer 107 is cured and shrinks or when cooled from the curing temperature.
The warp of No. 00 can be eliminated, and the wiring density of the multilayer wiring board can be further improved. Also, the number of steps and the lead time can be shortened.

【0043】ベース基板100としては配線導体を含ん
でいてもいなくても良い。また、その絶縁材料として
は、プリント配線基板、メタルコア配線基板のような有
機絶縁物から、セラミック配線基板のような無機絶縁物
でも良い。さらに、導体としては、特に薄膜層には、配
線抵抗の観点から銅が好ましいが、ベース基板の導体に
は、タングステン等も使え、銅に限定されるものではな
い。
The base substrate 100 may or may not include a wiring conductor. The insulating material may be an organic insulating material such as a printed wiring board or a metal core wiring board, or an inorganic insulating material such as a ceramic wiring board. Further, as the conductor, copper is preferable especially in the thin film layer from the viewpoint of wiring resistance, but tungsten or the like can be used as the conductor of the base substrate and the conductor is not limited to copper.

【0044】〔II〕以下では、本発明に用いることが
できるベース基板としての形態例を、図2を用いて、ま
た、ベース基板の製造方法を図3および図4を用いて説
明する。図2は、本発明の一実施例に係るベース基板の
形態例を示す図である。
[II] In the following, an example of the form of a base substrate that can be used in the present invention will be described with reference to FIG. 2 and a method of manufacturing the base substrate with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 2 is a diagram showing an example of the form of a base substrate according to an embodiment of the present invention.

【0045】図2(a)は、貫通めっきスルーホール2
00を有し、表層導体201がパターニングされ、貫通
めっきスルーホールの導体または表層導体の少なくとも
一方の所定位置に接続するビア導体202が設けられた
プリント配線基板の一例である。
FIG. 2A shows a through-plated through hole 2
00, the surface layer conductor 201 is patterned, and the via conductor 202 connected to a predetermined position of at least one of the conductor of the through-plated through hole or the surface layer conductor is provided.

【0046】また、図2(b)は、貫通めっきスルーホ
ールを有し、表層導体がパターニングされているプリン
ト配線基板の一例である。さらに、図2(c)は、貫通
めっきスルーホールを有し、表層導体がパターニングさ
れていないプリント配線基板の一例を示した。この場合
には後で表層導体をパターニングする。さらにまた、図
2(d)(e)にメタルコア配線基板の一例を、図2
(f)(g)にはセラミック配線基板の一例を示す。以
後、記載を簡単にするために、ベース基板としては図2
(h)の構造で代表させる場合がある。
FIG. 2 (b) shows an example of a printed wiring board having through-plated through holes and patterned surface conductors. Further, FIG. 2C shows an example of the printed wiring board having through-plated through holes and not having the surface layer conductors patterned. In this case, the surface conductor is patterned later. Furthermore, an example of a metal core wiring board is shown in FIGS.
An example of a ceramic wiring board is shown in (f) and (g). Hereinafter, in order to simplify the description, the base substrate shown in FIG.
It may be represented by the structure of (h).

【0047】さて、次に、ベース基板として用いる図2
(a)のプリント配線基板を製造する方法を図3および
図4を用いて説明する。図3は、本発明の一実施例に係
るプリント配線基板の製造方法を示す工程図(その一)
である。
Next, FIG. 2 used as a base substrate.
A method of manufacturing the printed wiring board of (a) will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a process diagram (No. 1) showing a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention.
Is.

【0048】さて、その製造方法とは、図3(a)に示
すような貫通めっきスルーホール301を有し、表層導
体302がパターニングされていないプリント配線基板
300から出発して、図3(b):(1)所定の位置に
レジスト303の抜きパターンを形成する工程、図3
(c)(d):(2)レジストの抜きパターン内にビア
導体304を充填し、レジスト303を剥離する工程、
図3(e):(3)所定の位置にレジスト305の残し
パターンを形成する工程、図3(f)(g):(4)エ
ッチングにより表層導体302を所定の形状にパターニ
ングし、レジスト305を剥離する工程とを含んで成る
ものである。
By the way, the manufacturing method means that the printed wiring board 300 having the through-plated through holes 301 as shown in FIG. 3A and the surface conductor 302 is not patterned is used. ): (1) Step of forming a punching pattern of the resist 303 at a predetermined position, FIG.
(C) (d): (2) a step of filling the via conductor 304 in the resist removal pattern and removing the resist 303,
3 (e): (3) a step of forming a residual pattern of the resist 305 at a predetermined position, and FIG. 3 (f) (g): (4) the surface conductor 302 is patterned into a predetermined shape by etching to form the resist 305. And a step of peeling.

【0049】なお、上記方法とは逆に、表層導体302
を先にパターニングし、後でビア導体304を形成して
も良い。以下、その方法を図4を用いて説明する。図4
は、本発明の一実施例に係るプリント配線基板の製造方
法を示す工程図(その二)である。
In contrast to the above method, the surface layer conductor 302
May be patterned first, and the via conductor 304 may be formed later. The method will be described below with reference to FIG. Figure 4
FIG. 6A is a process diagram (2) illustrating the method for manufacturing the printed wiring board according to the embodiment of the present invention.

【0050】その方法とは、図4(a)に示すような貫
通めっきスルーホール401を有し、表層導体402が
パターニングされていないプリント配線基板400から
出発して、図4(b):(1)所定の位置にレジスト4
03の残しパターンを形成する工程、図4(c)
(d):(2)エッチングにより表層導体402を所定
の形状にパターニングし、レジスト403を剥離する工
程、図4(e):(3)所定の位置にレジスト405の
抜きパターンを形成する工程、図4(c)(d):
(2)レジストの抜きパターン内にビア導体406を充
填し、レジスト405を剥離する工程とを含んで成るも
のである。
The method is to start from a printed wiring board 400 having through-plated through holes 401 as shown in FIG. 4 (a) and in which the surface layer conductor 402 is not patterned, and FIG. 4 (b): ( 1) Resist 4 in place
Step 03 of forming the remaining pattern of FIG.
(D): (2) a step of patterning the surface layer conductor 402 into a predetermined shape by etching and peeling the resist 403; FIG. 4 (e): (3) a step of forming a punched pattern of the resist 405 at a predetermined position, 4 (c) (d):
(2) The step of filling the via conductor 406 in the resist removal pattern and peeling the resist 405 is included.

【0051】〔III〕以下では、本発明に用いること
ができる溶剤を含まない流動性高分子前駆体103の供
給形態を図5を用いて説明する。図5は、本発明の一実
施例に係る溶剤を含まない流動性高分子前駆体の供給時
の形態例を示す図である。
[III] Hereinafter, a supply mode of the solvent-free fluid polymer precursor 103 that can be used in the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing an example of the form at the time of supplying the fluid polymer precursor containing no solvent according to one embodiment of the present invention.

【0052】溶剤を含まない流動性高分子前駆体の供給
形態は、図5(a)に示すようなフィルム状または金型
104もしくは単なる表面の平坦な板に塗布された膜
状、図5(b)に示すような粉末状、または、図5
(c)に示すような、ベース基板100上の少なくとも
配線層に塗布された膜状のいずれでも良い。
The solvent-free flowable polymer precursor is supplied in the form of a film as shown in FIG. 5 (a) or in the form of a film applied to a die 104 or a simple flat plate, as shown in FIG. powdered as shown in b), or FIG.
As shown in (c), it may be any of film-like films applied to at least the wiring layer on the base substrate 100.

【0053】しかしながら、請求項1で記載した(3)
の工程でおこなう配線間の排気のおこないやすさから言
うと、図5(c)のベース基板100上の少なくとも配
線層に塗布された膜状は、好ましくなく、図5(a)の
フィルム状または金型104もしくは単なる表面の平坦
な板に塗布された膜状、図5(b)の粉末状がよい。さ
らに、量産性や現場のクリーン度を考慮すると、フィル
ム状が最も好ましい。
However, (3) described in claim 1
In terms of the easiness of exhausting the air between the wirings performed in the step of (5), the film shape applied to at least the wiring layer on the base substrate 100 of FIG. 5C is not preferable, and the film shape of FIG. The film shape applied to the die 104 or a simple plate having a flat surface, or the powder shape shown in FIG. 5B is preferable. Further, considering the mass productivity and the cleanliness of the site, the film form is most preferable.

【0054】フィルム状の前駆体は、例えば、前駆体を
溶剤に溶解し、フッ素系ポリマーシート上に塗布した
後、溶剤をベークで揮発させることにより作製できる
し、また、無溶剤の状態で溶融固着しても良い。塗布の
方法はスピンコート、ロールコート、カーテンコート等
が使える。
The film-form precursor can be prepared, for example, by dissolving the precursor in a solvent, applying it on a fluoropolymer sheet, and then volatilizing the solvent by baking, or by melting it in the solvent-free state. You may stick. Spin coating, roll coating, curtain coating, etc. can be used as the coating method.

【0055】また、前記のフッ素系ポリマーシートの替
わりに、金型あるいは単なる表面が平坦な板、さらに、
配線層が形成されたベース基板を使えば、それぞれの基
板上に前駆体の膜を作製することができる。そしてま
た、粉末状の前駆体は、配線層が形成されたベース基板
もしくは金型あるいは単なる表面が平坦な板上に散布す
れば良い。
Further, instead of the above-mentioned fluoropolymer sheet, a die or a plate whose surface is simply flat,
By using the base substrate on which the wiring layer is formed, the precursor film can be formed on each substrate. Further, the powdery precursor may be dispersed on a base substrate on which a wiring layer is formed, a mold, or a simple plate having a flat surface.

【0056】〔IV〕以下では、上記の製造工程の製造
条件について、図1を用いて詳説する。
[IV] Hereinafter, the manufacturing conditions of the above manufacturing process will be described in detail with reference to FIG.

【0057】第一に、金型104とベース基板100と
の間105は、溶剤を含まない流動性高分子前駆体10
3を導体間隙に充填する前に、図1(c)に示すような
給排気口106から排気する必要がある。その際の真空
度は、望ましくは20Torr以下である。この排気を
必要とするのは、配線導体間隙や貫通めっきスルーホー
ル内の空気を除き、流動性高分子前駆体103と導体の
間に隙間を作らないために、また、気泡の原因となる外
気を流動性高分子前駆体103中に取り込まないため
に、さらには、流動性高分子前駆体103中の既に存在
する気泡、水分、溶剤等を除くためである。
First, the space 105 between the die 104 and the base substrate 100 contains a solvent-free fluid polymer precursor 10.
Before filling 3 into the conductor gap, it is necessary to exhaust from the air supply / exhaust port 106 as shown in FIG. The degree of vacuum at that time is preferably 20 Torr or less. This exhaust is necessary because there is no gap between the fluid polymer precursor 103 and the conductor except for the air in the wiring conductor gap and the through-plated through hole, and also the outside air that causes bubbles. This is to prevent air bubbles, moisture, solvent, etc. already present in the fluid polymer precursor 103 from being incorporated into the fluid polymer precursor 103.

【0058】次に、図1(d)に示すように、金型10
4をベース基板100方向へ移動させて、溶剤を含まな
い流動性高分子前駆体103を導体間隙に充填する際に
は、溶剤を含まない流動性高分子前駆体103の粘度に
より、特に高粘度の場合には、溶剤を含まない流動性高
分子前駆体103を加熱して溶融させる必要がある。一
般に、粘度が低い程、充填しやすく、また、排気による
溶剤を含まない流動性高分子前駆体103中の気泡、水
分、溶剤の除去効果も大きい。
Next, as shown in FIG. 1D, the mold 10
4 is moved toward the base substrate 100 to fill the solvent-free fluid polymer precursor 103 in the conductor gap, the viscosity of the solvent-free fluid polymer precursor 103 is particularly high. In this case, it is necessary to heat and melt the fluid polymer precursor 103 containing no solvent. In general, the lower the viscosity, the easier the filling and the greater the effect of removing bubbles, water, and solvent in the solvent-free fluid polymer precursor 103 by evacuation.

【0059】第三に、金型104をベース基板100方
向に移動させる方法としては、金型104とベース基板
100との間105を減圧状態にする。さらに、金型1
04をベース基板100方向に移動させる方法として、
上下方向から圧縮圧力をかけても良い。圧縮圧力として
は30kgf/cm2以下、さらに好ましくは、20k
gf/cm2以下、さらに、好ましくは10kgf/c
2以下が望ましい。
Thirdly, as a method of moving the mold 104 toward the base substrate 100, the pressure between the mold 104 and the base substrate 100 is reduced. Furthermore, mold 1
As a method of moving 04 in the direction of the base substrate 100,
You may apply a compression pressure from the up-down direction. The compression pressure is 30 kgf / cm 2 or less, and more preferably 20 k
gf / cm 2 or less, more preferably 10 kgf / c
m 2 or less is desirable.

【0060】このように、金型104をベース基板10
0方向に移動させることにより、水平配線導体101と
垂直ビア導体102から成る配線層が形成されたベース
基板100上は、溶剤を含まない流動性高分子前駆体1
03で充填される。そして、金型104の配線層側の平
坦な面は配線層の上面あるいはその上で止まる。上下方
向からの圧縮圧力が大き過ぎると配線導体の断線や破壊
を引き起こすことになるため注意を要する。
In this way, the mold 104 is attached to the base substrate 10
By moving in the 0 direction, the fluid polymer precursor 1 containing no solvent is formed on the base substrate 100 on which the wiring layer including the horizontal wiring conductor 101 and the vertical via conductor 102 is formed.
Filled with 03. The flat surface of the mold 104 on the wiring layer side stops on or above the upper surface of the wiring layer. If the compressive pressure from the upper and lower directions is too large, the wiring conductor may be broken or broken, so caution is required.

【0061】第四に、排気を止め、大気圧に戻した後、
配線導体間隙に充填された前駆体103に静水圧をかけ
る必要がある。静水圧は、上下方向からの圧縮圧力と横
方向からの圧力でかける。この横方向からの圧力は給排
気口106から空気や窒素等の不活性ガスを注入してか
ける。なお、静水圧としては、20kgf/cm2以下
が好ましく、さらに好ましくは、10kgf/cm2
下とすることが望ましい。
Fourth, after stopping the exhaust and returning to atmospheric pressure,
It is necessary to apply hydrostatic pressure to the precursor 103 filled in the wiring conductor gap. The hydrostatic pressure is applied by the compression pressure from the vertical direction and the pressure from the lateral direction. The pressure from the lateral direction is applied by injecting an inert gas such as air or nitrogen from the air supply / exhaust port 106. The hydrostatic pressure is preferably 20 kgf / cm 2 or less, more preferably 10 kgf / cm 2 or less.

【0062】さらに、静水圧は前駆体103の外部表面
全体にほぼ一様な圧力が作用するようにかけることを原
則とするが、本発明の場合、上下方向からの圧縮圧力を
横方向からの圧力よりも大きいかあるいは等しくするこ
とで金型を持ち上げないようにする。この上下方向から
の圧縮圧力が横方向からの圧力よりも大きい場合には、
金型104はさらにベース基板100上の配線層側に移
動する。なお、この上下方向からの圧縮圧力と横方向か
らの圧力の差は10kgf/cm2以下、さらに、好ま
しくは、5kgf/cm2以下、さらに好ましくは、1
kgf/cm2以下であることが望ましい。
In principle, the hydrostatic pressure is applied so that a substantially uniform pressure is applied to the entire outer surface of the precursor 103. In the case of the present invention, however, the compressive pressure from the vertical direction is applied from the vertical direction. Do not lift the mold by making it greater than or equal to the pressure. If the compression pressure from this vertical direction is greater than the pressure from the lateral direction,
The mold 104 further moves to the wiring layer side on the base substrate 100. The difference between the compression pressure in the vertical direction and the pressure in the lateral direction is 10 kgf / cm 2 or less, more preferably 5 kgf / cm 2 or less, and further preferably 1 kgf / cm 2.
It is desirable to be less than kgf / cm 2 .

【0063】この圧力差が大き過ぎると配線導体の断線
や破壊を引き起こすことになるのでこの場合も注意を要
する。
If this pressure difference is too large, the wiring conductor may be broken or broken, so caution is required in this case as well.

【0064】このように、配線導体間隙に充填された前
駆体103に静水圧をかけることにより、前駆体103
中の気泡を押しつぶし、また、水分、溶存空気、溶剤等
の揮発成分の気化を抑制してボイドの発生を抑止するこ
とができるのである。さらに、前駆体103に均一に圧
力をかけるため、前駆体103が基板から漏れ出ること
もなく、ベース基板全域で平坦で膜厚の均一な前駆体1
03の層を形成することができる。
In this way, by applying hydrostatic pressure to the precursor 103 filled in the wiring conductor gap, the precursor 103
It is possible to crush the air bubbles therein and suppress vaporization of volatile components such as water, dissolved air, and solvent to prevent generation of voids. Further, since the pressure is applied uniformly to the precursor 103, the precursor 103 does not leak from the substrate, and the precursor 1 having a flat and uniform film thickness over the entire base substrate.
03 layers can be formed.

【0065】第五に、配線導体間隙に充填された溶剤を
含まない流動性高分子前駆体103を硬化する際は、金
型内で上記のような静水圧をかけながら硬化する。静水
圧をかけることにより、前駆体103中の気泡を押しつ
ぶし、また、水分、溶存空気、溶剤等の揮発成分の気化
を抑制してボイドの発生を抑止することができるのであ
る。さらに、前駆体103に均一に圧力をかけるため、
前駆体103が基板から漏れ出ることもなく、ベース基
板全域で平坦で膜厚の均一な前駆体103の層を形成す
ることができ、さらには、耐熱性、熱膨張率、機械的強
度等の物性が均一な絶縁膜107を形成することができ
る。またさらに、硬化温度を2段以上に設定し、順次上
げていくことにより絶縁膜の物性を向上させることがで
きる。ここで、いったん、硬化させてしまったならば、
静水圧をかける必要はなく、型抜きした後に硬化させて
も良い。
Fifth, when the fluid polymer precursor 103 containing no solvent filled in the wiring conductor gap is cured, the fluid polymer precursor 103 is cured while applying the above-mentioned hydrostatic pressure in the mold. By applying the hydrostatic pressure, the bubbles in the precursor 103 can be crushed, and the vaporization of volatile components such as water, dissolved air, and solvent can be suppressed, and the generation of voids can be suppressed. Furthermore, in order to apply pressure evenly to the precursor 103,
The precursor 103 does not leak from the substrate, and a layer of the precursor 103 having a flat and uniform film thickness can be formed over the entire area of the base substrate, and further, heat resistance, thermal expansion coefficient, mechanical strength, etc. The insulating film 107 having uniform physical properties can be formed. Furthermore, the physical properties of the insulating film can be improved by setting the curing temperature in two or more steps and increasing it sequentially. Here, once cured,
It is not necessary to apply hydrostatic pressure, and curing may be performed after die cutting.

【0066】〔V〕以下では、この請求項1記載の工程
(7)について、図1を用いて説明する。
[V] In the following, step (7) of claim 1 will be described with reference to FIG.

【0067】上記のような工程により形成した多層配線
基板は、図1(e)に示すように、導体上面が露出した
り、露出しなかったりする。これは、金型104の表面
を実際には完全に平坦にできないこと、金型104の表
面の止める位置を完全には、コントロールできないこと
および配線層の高さを実際には完全には均一にすること
ができないためである。
In the multilayer wiring board formed by the above steps, the upper surface of the conductor may or may not be exposed, as shown in FIG. 1 (e). This is because the surface of the mold 104 cannot actually be made flat, the position where the surface of the mold 104 is stopped cannot be completely controlled, and the height of the wiring layer is actually completely uniform. This is because it cannot be done.

【0068】そのため、図1(f)に示すように、絶縁
膜107で覆われた導体上面をウェットエッチングもし
くはドライエッチングにより露出させる必要がある。ウ
ェットエッチングとしては過マンガン酸塩水溶液もしく
はクロム酸塩水溶液が良く、さらに好ましくは、導体を
溶解しないアルカリ性の過マンガン酸塩水溶液が望まし
い。ドライエッチングとしてはO2プラズマもしくはU
V/O3が良い。
Therefore, as shown in FIG. 1F, it is necessary to expose the upper surface of the conductor covered with the insulating film 107 by wet etching or dry etching. As the wet etching, an aqueous solution of permanganate or an aqueous solution of chromate is preferable, and an alkaline aqueous solution of permanganate which does not dissolve the conductor is more preferable. O 2 plasma or U for dry etching
V / O 3 is good.

【0069】これにより、絶縁膜107を均一にエッチ
バックすることができ、また、エッチングされた絶縁膜
表面は接着性が確保された面になる。さらに、前駆体1
03を完全に硬化してしまわずに、半硬化の状態でエッ
チングし、しかる後に、完全硬化すると接着強度が向上
する。
As a result, the insulating film 107 can be uniformly etched back, and the etched surface of the insulating film becomes a surface having adhesiveness. Furthermore, precursor 1
When 03 is not completely cured, it is etched in a semi-cured state, and then completely cured to improve the adhesive strength.

【0070】またさらに、〔I〕で説明したように、上
面が露出した配線導体の高さが著しく異なる場合には、
必要に応じて、導体上面を機械研磨もしくは化学研磨等
により研磨して導体高さを均一にしても良い。
Furthermore, as described in [I], when the heights of the wiring conductors whose upper surfaces are exposed are significantly different,
If necessary, the conductor upper surface may be polished by mechanical polishing, chemical polishing, or the like to make the conductor height uniform.

【0071】〔VI〕以下では、このベース基板の水平
配線導体または垂直ビア導体と接続する別の水平配線導
体及び垂直ビア導体の少なくとも一者から成る配線層を
形成する工程を、図6ないし図9を用いてさらに詳しく
説明する。図6は、本発明の一実施例に係るベース基板
の導体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工程
図(その一)である。
[VI] In the following, the steps of forming a wiring layer including at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of this base substrate will be described with reference to FIGS. Further detailed description will be given with reference to FIG. FIG. 6 is a process diagram (No. 1) showing a method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【0072】その第一の方法は、図6(a)(b):
(1)ベース基板600の垂直ビア導体602と接続す
る電気めっきもしくは化学めっき用の下地導電膜604
を形成する工程、図6(c):(2)下地導電膜604
の所定の位置に水平配線導体用のレジスト605の抜き
パターンを形成する工程、図6(d):(3)レジスト
の抜きパターン内に水平配線導体606を充填する工
程、図6(e):(4)水平配線導体606の所定の位
置に垂直ビア導体用のレジスト607の抜きパターンを
形成する工程、図6(f):(5)レジストの抜きパタ
ーン内に垂直ビア導体608を充填する工程、図6
(g):(6)2層のレジスト605と607を剥離す
る工程、図6(h):(7)下地導電膜604の不要部
分をエッチングする工程とを含む方法である。
The first method is shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b):
(1) Base conductive film 604 for electroplating or chemical plating connected to the vertical via conductor 602 of the base substrate 600.
6C: (2) Base conductive film 604
6 (d): (3) Step of filling the horizontal wiring conductor 606 in the resist removal pattern, FIG. 6 (e): (4) Step of forming a resist 607 removal pattern for a vertical via conductor at a predetermined position of the horizontal wiring conductor 606, FIG. 6F: (5) Step of filling a vertical via conductor 608 in the resist removal pattern , Fig. 6
(G): (6) a step of removing the two-layer resists 605 and 607, and FIG. 6 (h): (7) a step of etching an unnecessary portion of the underlying conductive film 604.

【0073】この方法により水平配線導体と垂直ビア導
体を対にして形成することができる。
By this method, the horizontal wiring conductor and the vertical via conductor can be formed as a pair.

【0074】図7は、本発明の一実施例に係るベース基
板の導体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工
程図(その二)である。
FIG. 7 is a process diagram (No. 2) showing a method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【0075】第二の方法は、図7(a)(b):(1)
ベース基板700の垂直ビア導体702と接続する電気
めっきもしくは化学めっき用の下地導電膜704を形成
する工程、図7(c):(2)下地導電膜704の所定
の位置に水平配線導体用のレジスト705の抜きパター
ンを形成する工程、図7(d):(3)レジストの抜き
パターン内に水平配線導体706を充填する工程、図7
(e):(4)レジスト705を剥離する工程、図7
(f):(5)下地導電膜704の不要部分をエッチン
グする工程を含む方法である。
The second method is shown in FIGS. 7A and 7B: (1)
Step of forming an underlying conductive film 704 for electroplating or chemical plating, which is connected to the vertical via conductor 702 of the base substrate 700, FIG. 7C: (2) For a horizontal wiring conductor at a predetermined position of the underlying conductive film 704. 7D, (3) filling the horizontal wiring conductor 706 in the resist removal pattern, FIG. 7D.
(E): (4) Step of removing resist 705, FIG.
(F): (5) A method including a step of etching an unnecessary portion of the underlying conductive film 704.

【0076】この方法は、特に、最表面の水平配線導体
を形成する時などに用いる。
This method is used especially when forming the outermost horizontal wiring conductor.

【0077】図8は、本発明の一実施例に係るベース基
板の導体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工
程図(その三)である。
FIG. 8 is a process diagram (third) showing a method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【0078】第三の方法は、図8(a)(b):(1)
ベース基板800の垂直ビア導体802と接続する電気
めっきもしくは化学めっき用の下地導電膜804を形成
する工程、図8(c):(2)下地導電膜804上に導
体805を全面に形成する工程、図8(d):(3)導
体805上の所定の位置に水平配線導体用のレジスト8
06の残しパターンを形成する工程、図8(e)
(f):(4)エッチングにより所定の形状に導体80
5と下地導電膜804をパターニングし、レジスト80
6を剥離する工程を含む方法である。
The third method is shown in FIGS. 8 (a) (b) :( 1).
Step of forming a base conductive film 804 for electroplating or chemical plating connected to the vertical via conductor 802 of the base substrate 800, FIG. 8C: (2) Step of forming a conductor 805 on the entire surface of the base conductive film 804. 8D: (3) The resist 8 for the horizontal wiring conductor is provided at a predetermined position on the conductor 805.
Process for forming the remaining pattern of No. 06, FIG.
(F): (4) Conductor 80 is formed into a predetermined shape by etching
5 and the underlying conductive film 804 are patterned to form a resist 80.
6 is a method including a step of peeling.

【0079】下地導電膜804と導体805は同時に形
成しても良い。この方法も、特に、最表面の水平配線導
体を形成する時などに用い、第二の方法がいわゆるアデ
ィティブ法であるのに対して、第三の方法はいわゆるサ
ブトラクティブ法によるものである。
The base conductive film 804 and the conductor 805 may be simultaneously formed. This method is also used particularly when forming the outermost horizontal wiring conductor, and the second method is the so-called additive method, while the third method is the so-called subtractive method.

【0080】図9は、本発明の一実施例に係るベース基
板の配線層を形成する方法を示す工程図である。
FIG. 9 is a process chart showing a method of forming a wiring layer of a base substrate according to an embodiment of the present invention.

【0081】第四の方法は、図9(a)(b):(1)
ベース基板900の水平配線導体901の所定の位置に
垂直ビア導体用のレジスト904の抜きパターンを形成
する工程、図9(c)(d):(2)レジストの抜きパ
ターン内に垂直ビア導体905を充填し、レジスト90
4を剥離する工程とを含む方法である。
The fourth method is shown in FIGS. 9A and 9B: (1)
A step of forming a resist 904 removal pattern for a vertical via conductor at a predetermined position of the horizontal wiring conductor 901 of the base substrate 900, FIGS. 9C and 9D: (2) Vertical via conductor 905 in the resist removal pattern. Filled with resist 90
4 is peeled off.

【0082】第一、第二、および第三の方法が、垂直ビ
ア導体上に水平配線導体を含む導体を形成する方法であ
るのに対して、第四の方法は水平配線導体上に垂直ビア
導体を形成する方法である。
The first, second, and third methods are methods of forming conductors including horizontal wiring conductors on vertical via conductors, while the fourth method is for forming vertical vias on horizontal wiring conductors. This is a method of forming a conductor.

【0083】上記配線の形成方法はベース基板としてプ
リント配線基板、メタルコア配線基板、セラミック配線
基板などのあらゆる基板に共通に適用できるが、プリン
ト配線基板に関しては特殊な場合があるので、以下に、
図10ないし図12を用いてその方法を説明する。な
お、以下では、プリント配線基板で説明するが、メタル
コア配線基板の場合も同様に適用できる。
The above wiring forming method can be commonly applied to all substrates such as a printed wiring board, a metal core wiring board, and a ceramic wiring board as a base board. However, there are special cases regarding the printed wiring board.
The method will be described with reference to FIGS. 10 to 12. Although a printed wiring board will be described below, the same applies to a metal core wiring board.

【0084】図10は、本発明の一実施例に係る穴埋め
された貫通めっきスルーホールを有し、ベース基板の導
体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工程図
(その一)である。
FIG. 10 is a process diagram (No. 1) showing a method of forming another wiring layer which has through-hole plated through holes filled with holes and is connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention. is there.

【0085】その第一の方法は、図10(a)(b):
(1)プリント配線基板1000のパターニングされて
いない表層導体1001の所定の位置に垂直ビア導体用
のレジスト1003の抜きパターンを形成する工程、図
10(c)(d):(2)レジストの抜きパターン内に
垂直ビア導体1004を充填し、レジスト1003を剥
離する工程、図10(e):(3)所定の位置にレジス
ト1005の残しパターンを形成する工程、図10
(f)(g):(4)エッチングにより表層導体100
1を所定の形状にパターニングし、レジスト1005を
剥離する工程とを含む方法である。
The first method is shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b):
(1) A step of forming a removal pattern of a resist 1003 for a vertical via conductor at a predetermined position of an unpatterned surface layer conductor 1001 of a printed wiring board 1000, FIG. 10 (c) (d): (2) Removal of resist Step of filling the vertical via conductor 1004 in the pattern and peeling the resist 1003, FIG. 10E: (3) Step of forming the remaining pattern of the resist 1005 at a predetermined position, FIG.
(F) (g): (4) Surface layer conductor 100 by etching
1 is patterned into a predetermined shape, and the resist 1005 is peeled off.

【0086】垂直ビア導体は、場合によっては、水平配
線導体にもなり得る。
The vertical via conductors can in some cases also be horizontal wiring conductors.

【0087】図11は、本発明の一実施例に係る穴埋め
された貫通めっきスルーホールを有し、ベース基板の導
体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工程図
(その二)である。
FIG. 11 is a process diagram (No. 2) showing a method of forming another wiring layer which has through-hole plated through holes filled with holes and which is connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention. is there.

【0088】また、その第二の方法は、図11(a)
(b):(1)プリント配線基板1100のパターニン
グされていない表層導体1101の所定の位置にレジス
ト1103の残しパターンを形成する工程、図11
(c)(d):(2)エッチングにより表層導体110
1を所定の形状にパターニングし、レジスト1103を
剥離する工程、図11(e):(3)所定の位置に垂直
ビア導体用のレジスト1104の抜きパターンを形成す
る工程、図11(f)(g):(4)レジストの抜きパ
ターン内に垂直ビア導体1105を充填し、レジスト1
104を剥離する工程とを含む方法である。
The second method is shown in FIG.
(B): (1) A step of forming a residual pattern of the resist 1103 at a predetermined position of the unpatterned surface conductor 1101 of the printed wiring board 1100, FIG.
(C) (d): (2) Surface conductor 110 by etching
11 (e): (3) a step of patterning the resist 1104 for a vertical via conductor at a predetermined position, and FIG. 11 (f) ( g): (4) The vertical via conductor 1105 is filled in the resist removal pattern to form the resist 1
And a step of peeling 104 away.

【0089】この場合も、垂直ビア導体は、場合によっ
ては、水平配線導体になる。
Also in this case, the vertical via conductor becomes a horizontal wiring conductor in some cases.

【0090】図12は、本発明の一実施例に係る穴埋め
された貫通めっきスルーホールを有し、ベース基板の導
体と接続する他の配線層を形成する方法を示す工程図
(その三)である。
FIG. 12 is a process diagram (No. 3) showing a method of forming another wiring layer having a through-plated through hole filled with holes and connected to a conductor of a base substrate according to an embodiment of the present invention. is there.

【0091】さらにまた、その第三の方法は、図12
(a)(b):(1)プリント配線基板1200のパタ
ーニングされていない表層導体1201の全面に水平配
線導体用もしくは垂直ビア導体用の導体1203を形成
する工程、図12(c):(2)所定の位置にレジスト
1204の残しパターンを形成する工程、図12(d)
(e):(3)エッチングにより導体1201と120
3を所定の形状にパターニングし、レジスト1204を
剥離する工程とを含む方法である。
Furthermore, the third method is shown in FIG.
(A), (b): (1) A step of forming a conductor 1203 for a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor on the entire surface of the unpatterned surface layer conductor 1201 of the printed wiring board 1200, FIG. 12C: (2) ) Step of forming a residual pattern of the resist 1204 at a predetermined position, FIG.
(E): (3) Conductors 1201 and 120 by etching
3 is patterned into a predetermined shape, and the resist 1204 is peeled off.

【0092】〔VI〕以下では、ベース基板の垂直ビア
導体と接続する下地導電膜を形成する工程を、図1、図
13および図14を用いてさらに詳しく説明する。
[VI] Hereinafter, the step of forming the underlying conductive film connected to the vertical via conductor of the base substrate will be described in more detail with reference to FIGS. 1, 13 and 14.

【0093】下地導電膜を形成する方法としては、公知
のドライ成膜法、例えば、スパッタリング法、蒸着法、
イオンプレーティング法、溶射法等を用いることができ
るし、また、無電解めっき法等のウェット法を用いるこ
ともできる。しかし、低コストで絶縁膜との接着強度に
優れた成膜方法としては、次ぎの図13の方法が好まし
い。
As a method of forming the underlying conductive film, a known dry film forming method such as sputtering method, vapor deposition method,
An ion plating method, a thermal spraying method, or the like can be used, and a wet method such as an electroless plating method can also be used. However, the following method shown in FIG. 13 is preferable as a film forming method which is low in cost and excellent in adhesive strength with the insulating film.

【0094】図13は、本発明の一実施例に係る下地導
電膜を形成する方法の一例を示す工程図である。
FIG. 13 is a process chart showing an example of a method of forming a base conductive film according to an embodiment of the present invention.

【0095】すなわち、図13(a):(1)図1
(b)から図1(d)の工程において、金型104と溶
剤を含まない流動性高分子前駆体103の間に導体箔1
301を挾んだ状態で、平坦で導体間隙を充填して成る
有機絶縁膜107を形成して図13(a)の構造とし、
図13(b):(2)導体箔1301の所定の位置にレ
ジスト1302の抜きパターンを形成する工程、図13
(c)(d):(3)レジストのパターンをマスクに垂
直ビア導体102上部の導体箔1301をエッチング
し、レジスト1302を剥離する工程、図13(e):
(4)導体箔1301のパターンをマスクに垂直ビア導
体102上部の絶縁膜107をエッチングする工程、
と、図13(f):(5)全面に無電解めっき膜130
3を形成する工程とを含む方法である。
That is, FIG. 13A: (1) FIG.
In the process from FIG. 1B to FIG. 1D, the conductor foil 1 is interposed between the mold 104 and the solvent-free fluid polymer precursor 103.
In the state where 301 is sandwiched, a flat organic insulating film 107 is formed by filling the conductor gap to form the structure of FIG.
FIG. 13B: (2) a step of forming a punched pattern of the resist 1302 at a predetermined position of the conductor foil 1301, FIG.
(C) (d): (3) A step of etching the conductor foil 1301 on the vertical via conductor 102 using the resist pattern as a mask and peeling the resist 1302, FIG. 13 (e):
(4) A step of etching the insulating film 107 on the vertical via conductor 102 using the pattern of the conductor foil 1301 as a mask,
13 (f): (5) The electroless plating film 130 is formed on the entire surface.
And the step of forming 3.

【0096】次に、図14を用いて導体箔1301を形
成する工程を説明する。図14は、下地導電膜を形成す
る際の導体箔と金属箔の関係を示す説明図である。
Next, the process of forming the conductor foil 1301 will be described with reference to FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram showing the relationship between the conductor foil and the metal foil when the underlying conductive film is formed.

【0097】扱い易さの観点からは、導体箔1301は
金属箔1402上にめっき法により形成した導体箔14
01を形成する。そして、溶剤を含まない流動性高分子
前駆体103を硬化した後、金属箔1402を剥離す
る。この方法によって、図13(a)の構造とするもの
である。
From the viewpoint of easy handling, the conductor foil 1301 is the conductor foil 14 formed on the metal foil 1402 by a plating method.
01 is formed. Then, after curing the fluid polymer precursor 103 containing no solvent, the metal foil 1402 is peeled off. By this method, the structure shown in FIG. 13A is obtained.

【0098】ただし、めっき法により形成した導体箔1
401と金属箔1402は、後に剥離するため接着力の
それほど強くない材料を使うことが必要である。さら
に、導体箔1301または水平配線導体101もしくは
垂直ビア導体102のいずれかとから成る配線層の絶縁
膜107と接する面を絶縁膜形成前に粗面化するとアン
カー効果により、さらに導体と絶縁膜の接着強度を向上
させることができる。
However, the conductor foil 1 formed by the plating method
Since 401 and the metal foil 1402 are peeled off later, it is necessary to use a material having a not so strong adhesive force. Furthermore, if the surface of the wiring layer formed of the conductor foil 1301 or the horizontal wiring conductor 101 or the vertical via conductor 102 that contacts the insulating film 107 is roughened before the insulating film is formed, the bonding between the conductor and the insulating film is further achieved due to the anchor effect. The strength can be improved.

【0099】〔VII〕以下では、上記溶剤を含まない
流動性高分子前駆体についてさらに詳しく説明する。
[VII] In the following, the fluid polymer precursor containing no solvent will be described in more detail.

【0100】ここで用いた溶剤を含まない流動性高分子
前駆体とは、少なくとも硬化開始温度以下または加圧下
の一方の条件が成立するときに、流動可能な1種類以上
の有機化合物あるいはその化合物を含む組成物である。
As used herein, the solvent-free fluid polymer precursor is one or more kinds of organic compounds or their compounds that can flow at least when one of the conditions below the curing start temperature or under pressure is satisfied. It is a composition containing.

【0101】このような前駆体から形成される硬化物
は、多層配線基板、あるいは、これを用いたモジュール
等を製造する際の半田やアニール等の熱プロセスに耐え
る耐熱性が要求される。
A cured product formed from such a precursor is required to have heat resistance to withstand a thermal process such as soldering or annealing when manufacturing a multilayer wiring board or a module using the same.

【0102】さらに、これらの硬化物は、従来から使用
されているポリイミドに比べて安価で、多層配線基板製
造の低コスト化に貢献するものであり、また、ポリイミ
ドに比べて硬化温度が低く、絶縁膜形成工程の工期短縮
にも貢献するものでなければならない。また、本発明の
方法を有機絶縁材料を用いているプリント配線基板にも
適用可能にするためにも、硬化温度が低いことは重要な
条件である。
Further, these cured products are cheaper than the conventionally used polyimides and contribute to the cost reduction of the multilayer wiring board manufacturing. Moreover, the curing temperature is lower than the polyimides, It must also contribute to shortening the construction period of the insulating film formation process. A low curing temperature is also an important condition for making the method of the present invention applicable to a printed wiring board using an organic insulating material.

【0103】上記特性を満たす前駆体としては、例え
ば、エポキシ樹脂組成物、分子内に2個以上のマレイミ
ド骨格を持つ化合物あるいはその化合物を含む組成物、
分子内に2個以上のシアン酸エステル骨格を持つ化合物
あるいはその化合物を含む組成物、分子内に2個以上の
ベンゾシクロブテン骨格を持つ化合物あるいはその化合
物を含む組成物、またはこれら化合物、組成物の2種以
上の混合物等が使用できる。
As the precursor satisfying the above characteristics, for example, an epoxy resin composition, a compound having two or more maleimide skeletons in the molecule or a composition containing the compound,
A compound having two or more cyanate ester skeletons in the molecule or a composition containing the compound, a compound having two or more benzocyclobutene skeletons in the molecule or a composition containing the compound, or these compounds or compositions A mixture of two or more of the above can be used.

【0104】また、これらの前駆体に、低誘電率、低熱
膨張率、高耐熱性のいずれか1つの性質を示す有機粉体
および、あるいは有機高分子の繊維が含まれていても良
い。これらの粉体あるいは繊維は、予め配線導体間隙に
充填しておき、上記工程で溶剤を含まない流動性高分子
前駆体を充填硬化する方法により使用できる。
Further, these precursors may contain organic powders and / or organic polymer fibers exhibiting any one property of low dielectric constant, low thermal expansion coefficient and high heat resistance. These powders or fibers can be used by a method of previously filling the space between the wiring conductors and filling and curing the solvent-free fluid polymer precursor in the above step.

【0105】さらに、上記粉体あるいは繊維は、上記前
駆体に対して1〜300(重量%、以下同じ)含有する
ことが望ましく、さらに、その材料はポリイミドからな
ることが望ましい。
Further, the powder or fiber is preferably contained in the precursor in an amount of 1 to 300 (% by weight, the same applies hereinafter), and the material is preferably made of polyimide.

【0106】このような前駆体は、高耐熱性の硬化物を
得るように、一般的には、多数の官能基を持ち、芳香環
や縮合系の骨格から構成されているために、室温で固体
である。そこで、未硬化あるいは半硬化の、望ましくは
脱泡して形成したフィルムあるいはシート状にするか、
あるいは、金型あるいは単なる表面が平坦な板に塗布さ
れた膜状にして使用するのが望ましい。
In order to obtain a cured product having high heat resistance, such a precursor generally has a large number of functional groups and is composed of an aromatic ring or a condensed skeleton. It is solid. Therefore, uncured or semi-cured, preferably defoamed to form a film or sheet, or
Alternatively, it is desirable to use it in the form of a film coated on a die or a simple plate having a flat surface.

【0107】上記エポキシ樹脂組成物としては、例え
ば、多官能エポキシ樹脂と多官能硬化剤とから成るエポ
キシ樹脂組成物が好ましく、さらに、上記多官能エポキ
シ樹脂としては、例えば、分子内に3つ以上のエポキシ
基と芳香環あるいは、および複素環を有する化合物、特
に下記の化学構造式(1)に示す化合物が適している。
The above-mentioned epoxy resin composition is preferably, for example, an epoxy resin composition comprising a polyfunctional epoxy resin and a polyfunctional curing agent, and the above polyfunctional epoxy resin has, for example, three or more molecules in the molecule. Compounds having an epoxy group and an aromatic ring or a heterocycle, and particularly a compound represented by the following chemical structural formula (1) are suitable.

【0108】ただし、式中のArは表1に示す分子骨格
から任意に選ばれた多価分子構造、Xは表2に示す分子
骨格から任意に選ばれた1種以上の分子構造、nは3か
ら6の整数である。
In the formula, Ar is a polyvalent molecular structure arbitrarily selected from the molecular skeletons shown in Table 1, X is one or more kinds of molecular structures arbitrarily selected from the molecular skeletons shown in Table 2, and n is It is an integer from 3 to 6.

【0109】[0109]

【化1】 [Chemical 1]

【0110】[0110]

【表1】 [Table 1]

【0111】[0111]

【表2】 [Table 2]

【0112】また、上記多官能硬化剤としては、例え
ば、その主成分が(1)酸無水物基を2つ以上有する炭
素数6以上の化合物で、特に、脂環式酸無水物かあるい
は芳香族酸無水物、あるいは、その酸無水物のうちの少
なくとも1つと、酸無水物基を1個または2個有する化
合物との混合物、(2)アミノ基と芳香核とをそれぞれ
2個以上持つ芳香族アミン系化合物あるいはアミノ基を
有するヘテロ芳香族化合物、(3)フェノ−ル性水酸基
を有する樹脂で、特に、フェノ−ル樹脂、クレゾ−ル樹
脂、あるいはピロガロ−ル樹脂のうちの少なくとも1つ
を含有する樹脂、あるいは、フェノ−ル性水酸基を有す
るヘテロ芳香族化合物、フェノ−ル性水酸基を分子内に
3個以上有する化合物、脂肪族アルコ−ル性水酸基、特
に、第1級アルコ−ルの水酸基を分子内に3個以上有す
る化合物等の内の1種以上である硬化剤が適している。
The polyfunctional curing agent is, for example, a compound whose main component is (1) a compound having 2 or more acid anhydride groups and 6 or more carbon atoms, and particularly, an alicyclic acid anhydride or an aromatic compound. Group acid anhydrides, or a mixture of at least one of the acid anhydrides and a compound having one or two acid anhydride groups, (2) an aroma having two or more amino groups and two or more aromatic nuclei, respectively. Group amine compounds or heteroaromatic compounds having amino groups, and (3) resins having phenolic hydroxyl groups, particularly at least one of phenol resin, cresol resin, or pyrogallol resin. Or a heteroaromatic compound having a phenolic hydroxyl group, a compound having three or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, an aliphatic alcoholic hydroxyl group, particularly a primary alcohol Curing agent is one or more of such compounds having a hydroxyl group in the molecule three or more are suitable.

【0113】〔VIII〕以下では、図15を用いて本
発明の高密度多層配線基板を詳細に説明する。図15
は、本発明の一実施例に係る多層プリント配線基板の一
例を示す図である。
[VIII] Hereinafter, the high-density multilayer wiring board of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Figure 15
FIG. 3 is a diagram showing an example of a multilayer printed wiring board according to an embodiment of the present invention.

【0114】以上説明した多層配線基板の製造方法によ
り、セラミック配線基板あるいはメタルコア配線基板上
に形成する薄膜多層配線構造体が、プリント配線基板上
にも形成可能となる。
By the method for manufacturing a multilayer wiring board described above, a thin film multilayer wiring structure formed on a ceramic wiring board or a metal core wiring board can be formed on a printed wiring board.

【0115】そして、その高密度多層配線基板の構造
は、例えば、図15に示すように、穴埋めされている層
間接続スルーホールの導体1501またはパターニング
された表層導体の少なくとも一方とその穴埋めされてい
る層間接続スルーホールの導体1501とそのパターニ
ングされた表層導体のいずれかの導体に接続されるビア
導体1502とを有するプリント配線基板であって、そ
の片面もしくは両面上に、少なくとも1層以上の導体パ
ターン層1503と有機系高分子の層間絶縁膜層150
4とが交互に形成され、前記ビア導体1502と前記導
体パターン層1503及び前記導体パターン層同士が電
気的に接続されている特徴を持つものである。
In the structure of the high-density multilayer wiring board, for example, as shown in FIG. 15, at least one of the conductor 1501 of the inter-layer connection through hole or the patterned surface conductor and the hole is filled. A printed wiring board having a conductor 1501 of an interlayer connection through hole and a via conductor 1502 connected to one of the conductors of the patterned surface layer conductors, wherein at least one layer of conductor pattern is formed on one side or both sides. Layer 1503 and organic polymer interlayer insulating film layer 150
4 are alternately formed, and the via conductor 1502, the conductor pattern layer 1503, and the conductor pattern layers are electrically connected to each other.

【0116】また、プリント配線基板上に形成されてい
るビア導体1502もしくは導体パターン層1503同
士を電気的に接続するビア導体1505は微細な柱状に
することができる。
Further, the via conductor 1502 formed on the printed wiring board or the via conductor 1505 for electrically connecting the conductor pattern layers 1503 to each other can be made into a fine columnar shape.

【0117】[0117]

【作用】本発明の製造方法によれば、絶縁材料として、
従来使われてきたポリイミド系材料に変えて、溶剤を含
まない流動性高分子前駆体を用い、絶縁層形成のためこ
れを硬化する方法をとるため、従来技術において、溶剤
の揮発時に生じていた絶縁層でのピンホールやボイドの
発生が低減する。しかも、配線層と絶縁層との空気の巻
き込みなどもなく、ウェトエッチングを行った場合に絶
縁不良の心配ない。
According to the manufacturing method of the present invention, as the insulating material,
In place of the conventional polyimide-based material, a fluid polymer precursor containing no solvent was used, and a method of curing this was used to form an insulating layer. Generation of pinholes and voids in the insulating layer is reduced. Moreover, there is no entrapment of air between the wiring layer and the insulating layer, and there is no fear of insulation failure when wet etching is performed.

【0118】さらに、溶剤を含まない流動性高分子前駆
体に静水圧をかけて硬化させるため、導体を変形、破壊
させることなく、物性が均一で平坦な絶縁膜を形成でき
る。また、静水圧の影響で、さらに、配線層と絶縁層と
の空気の巻き込み、絶縁層でのピンホールやボイドの発
生が、さらに抑止されることになる。
Furthermore, since the fluid polymer precursor containing no solvent is hardened by applying hydrostatic pressure, a flat insulating film having uniform physical properties can be formed without deforming or destroying the conductor. Further, due to the influence of the hydrostatic pressure, the inclusion of air between the wiring layer and the insulating layer and the generation of pinholes and voids in the insulating layer are further suppressed.

【0119】また、材料的にも、絶縁層の材料として、
従来から使用されているポリイミド系材料に変えて、溶
剤を含まない流動性有機系高分子前駆体(多官能エポキ
シ樹脂組成物、分子内に2個以上のマレイミド骨格を持
つ化合物あるいは該化合物を含む組成物、分子内に2個
以上のシアン酸エステル骨格を持つ化合物あるいは該化
合物を含む組成物、分子内に2個以上のベンゾシクロブ
テン骨格を持つ化合物あるいは該化合物を含む組成物、
あるいは、これら化合物、組成物の2種以上の混合物の
内の少なくとも1つ以上を含む組成物等)を使用するの
で、ポリイミド系材料に比して安価であり、より低い硬
化温度で、しかも、短時間で硬化形成できる。したがっ
て、安価な絶縁材料の耐熱性、機械特性、電気特性等の
特性に優れた信頼性の高い高密度多層配線基板を低コス
トで短リードタイム、高スループットで製造することが
可能になる。
In terms of material, as the material of the insulating layer,
A solvent-free fluid organic polymer precursor (a polyfunctional epoxy resin composition, a compound having two or more maleimide skeletons in the molecule, or a compound containing the compound) is used instead of the conventionally used polyimide material. A composition, a compound having two or more cyanate ester skeletons in the molecule or a composition containing the compound, a compound having two or more benzocyclobutene skeletons in the molecule or a composition containing the compound,
Alternatively, since a composition containing at least one of these compounds and a mixture of two or more kinds of compositions) is used, it is cheaper than a polyimide-based material, has a lower curing temperature, and Can be cured and formed in a short time. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable high-density multi-layered wiring board having excellent heat resistance, mechanical characteristics, electrical characteristics, and the like of an inexpensive insulating material at low cost with short lead time and high throughput.

【0120】また、絶縁膜の硬化温度が低いことが、上
記製造方法をプリント配線基板にまで適用可能にならし
めたという作用もある。
Further, the low curing temperature of the insulating film also has the effect that the above manufacturing method can be applied to a printed wiring board.

【0121】次に、水平配線導体または垂直ビア導体の
上面が絶縁膜で覆われた場合の上面を露出させる工程
が、ウェットエッチングもしくはドライエッチングで絶
縁膜をエッチバックする方法なので、絶縁膜の平坦性を
保ったまま、導体上面を露出させることができ、さらに
その絶縁膜表面の接着性を確保することができる。
Next, when the upper surface of the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor is covered with the insulating film, the step of exposing the upper surface is a method of etching back the insulating film by wet etching or dry etching. The upper surface of the conductor can be exposed while maintaining the property, and the adhesiveness of the surface of the insulating film can be secured.

【0122】さらに、導体表面をわずかに露出させた状
態で、導体を研磨し導体高さを均一にできるで、研磨工
程が非常に簡単で短時間になる。
Furthermore, since the conductor can be polished to make the conductor height uniform while the conductor surface is slightly exposed, the polishing process is very simple and takes a short time.

【0123】また、水平配線導体または垂直ビア導体と
接続する別の水平配線導体及び垂直ビア導体の少なくと
も一者から成る配線層を形成する際の下地導電膜を形成
する工程を、従来のドライ成膜法や無電解めっき法ばか
りでなく、前述したような金型と溶剤を含まない流動性
高分子前駆体の間に導体箔を挾んだ状態で、請求項1記
載の(2)から(6)の工程で行うため、さらに、絶縁
膜と接する導体箔と導体面の少なくとも一方を粗面化し
ておくため、この粗面化された導体箔と絶縁膜のアンカ
ー効果による接着強度は、従来の無電解めっき膜と粗面
化された絶縁膜とのアンカー効果による場合より大きく
なり、低コストで接着強度の大きな下地導電膜を簡単に
形成することが可能となった。
Further, the step of forming the underlying conductive film when forming a wiring layer made of at least one of a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor which is connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor is carried out by a conventional dry process. In addition to the film method and the electroless plating method, the conductive foil is sandwiched between the mold and the fluid-free polymer precursor containing no solvent as described above. Since the step 6) is performed and at least one of the conductor foil and the conductor surface in contact with the insulating film is roughened, the adhesive strength due to the anchor effect between the roughened conductor foil and the insulating film is This is larger than the case due to the anchor effect between the electroless plated film and the roughened insulating film, and it has become possible to easily form a base conductive film having a large adhesive strength at low cost.

【0124】さらに、例えば、特公昭62−43544
号記載の従来技術の感光性絶縁材料を使わず、汎用の高
解像性レジストを用いること、また、レジストの溝に導
体をめっきで充填すること等により、厚い導体で微細な
ビアや配線を形成することができるため、高密度な配線
が形成できることになった。
Further, for example, Japanese Patent Publication No. 62-43544.
By using a general-purpose high resolution resist without using the photosensitive insulating material of the prior art described in No. 1, and by filling the groove of the resist with a conductor, it is possible to form fine vias and wiring with a thick conductor. Since it can be formed, high-density wiring can be formed.

【0125】加えて、上記製造方法をベース基板の表裏
両面に同時に行なえば、ベース基板の反りを低減でき
る。また、表にのみ配線する場合と比べ、工程数の削
減、リードタイムの短縮が図れる。
In addition, if the above manufacturing method is performed on both the front and back surfaces of the base substrate at the same time, the warp of the base substrate can be reduced. Further, the number of steps and the lead time can be shortened as compared with the case of wiring only on the table.

【0126】さらに、請求項50に記載したプリント配
線基板の構造によれば、層間接続スルーホールを絶縁材
料で穴埋めするために、従来技術の貫通めっきスルーホ
ールがなくなり、ホールの上下にも薄膜多層配線層を形
成できることになった。また、従来技術でおこなってい
た最終段階で形成する貫通めっきスルーホール工程が不
要となり、ベース基板上の薄膜多層配線層の配線密度を
最大限に引き出せることになった。しかも、このように
貫通めっきスルーホールがなくとも、べース基板上の薄
膜多層配線層とベース基板の内層導体層との接続あるい
はベース基板の両面の接続等、各導体層の接続ができる
ことには変わりがない。
Further, according to the structure of the printed wiring board as claimed in claim 50, since the interlayer connection through hole is filled with the insulating material, the through plating through hole of the prior art is eliminated, and the thin film multilayer structure is formed above and below the hole. It became possible to form a wiring layer. Further, the through-plating through-hole process formed in the final stage, which is performed in the conventional technique, becomes unnecessary, and the wiring density of the thin film multilayer wiring layer on the base substrate can be maximized. Moreover, even if there is no through-plated through hole, it is possible to connect each conductor layer such as the connection between the thin-film multilayer wiring layer on the base substrate and the inner conductor layer of the base substrate or both sides of the base substrate. Does not change.

【0127】さらに、また、請求項51に記載した如く
ビア導体の形状を柱状にしたので、ランドを含めたビア
導体の占める表面積がコンフォーマルビアの場合より小
さくなり高密度配線が可能になる。しかも、ビア導体の
上部が平坦なためにこの上に次ぎの柱状のビア導体を形
成できる構造となり、1層隔てた薄膜多層配線層の接続
に、異なった場所に2ヶ所のビアを使うことなく、配線
のための面積をロスしない。また、これによりサーマル
ビアも形成できる。
Furthermore, since the via conductor has a columnar shape as described in claim 51, the surface area of the via conductor including the land is smaller than that of the conformal via, and high density wiring is possible. Moreover, since the top of the via conductor is flat, the structure in which the next columnar via conductor can be formed on top of this is made possible, without using two vias at different places to connect the thin film multilayer wiring layers separated by one layer. , Does not lose the area for wiring. Moreover, a thermal via can also be formed by this.

【0128】[0128]

【実施例】以下、本発明に係る各実施例を、図1ないし
図23を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 23.

【0129】〔実施例1〕以下、本発明に係る一実施例
を、図1、図2、図5、図6、図7を用いて説明する。
[Embodiment 1] An embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1, 2, 5, 6, and 7.

【0130】図1(a)の構造のベース基板として、図
2(f)の構造のガラス銅セラミック配線基板を用意す
る。
As a base substrate having the structure shown in FIG. 1A, a glass copper ceramic wiring substrate having the structure shown in FIG. 2F is prepared.

【0131】次ぎに、ナフタレン系4官能エポキシ樹脂
としてエピクロンEXA4700(大日本インキ化学工
業(株)製の商品名)とフェノール樹脂としてバーカム
TD−2131(大日本インキ化学工業(株)製の商品
名)65phrとを混練してフッ素系ポリマーシート2
枚の間に置き、後述のモールド方法と同様の静水圧下、
70℃で溶融してエポキシ樹脂組成物のフィルム103
を形成した。
Next, Epicron EXA4700 (trade name of Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) as a naphthalene-based tetrafunctional epoxy resin and Barkham TD-2131 (trade name of Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) as a phenol resin. ) Fluorine-based polymer sheet 2 by kneading with 65 phr
Placed between the sheets, under hydrostatic pressure similar to the molding method described below,
Epoxy resin composition film 103 melted at 70 ° C.
Was formed.

【0132】そして、図1(b)に示すように1枚のフ
ッ素系ポリマーシートを剥がしてエポキシ樹脂組成物の
フィルム側を上記基板の配線層側に置き、図1(c)に
示すように金型104(フッ素系ポリマーでコーティン
グされた表面粗さ1μm以下の表面を持つ。)中に基板
とエポキシ樹脂組成物のフィルムを装着した。この樹脂
の供給形態は、図5(a)の例である。
Then, as shown in FIG. 1 (b), one fluoropolymer sheet is peeled off and the film side of the epoxy resin composition is placed on the wiring layer side of the above substrate, and as shown in FIG. 1 (c). A substrate and a film of an epoxy resin composition were mounted in a mold 104 (having a surface roughness of 1 μm or less coated with a fluoropolymer). This resin supply mode is the example of FIG.

【0133】次いで、図1(d)に示すように金型を7
0℃に加熱して上記組成物を溶融させ、金型と基板間1
05を吸排気口106から10torrに排気して約7
分間保ち、上記組成物103を配線導体間に充填した。
そして、金型と基板間を大気圧に戻した後、上下方向の
圧縮圧力5kgf/cm2と吸排気口から横方向の空気
圧5kgf/cm2をかけ、5分後に金型を70℃から
200℃まで昇温(70℃/分)して30分間保った。
Then, as shown in FIG.
Between the mold and the substrate 1
05 is exhausted from the intake / exhaust port 106 to 10 torr and about 7
After being kept for a minute, the composition 103 was filled between the wiring conductors.
Then, after returning the pressure between the mold and the substrate to atmospheric pressure, a vertical compression pressure of 5 kgf / cm 2 and a lateral air pressure of 5 kgf / cm 2 from the intake and exhaust ports are applied, and after 5 minutes, the mold is heated from 70 ° C. to 200 ° C. The temperature was raised to 70 ° C (70 ° C / min) and kept for 30 minutes.

【0134】さらに、金型を脱着した後、フッ素系ポリ
マーシートを剥がし、常圧で220℃60分加熱して、
図1(e)に示すような平坦でボイドやピンホールがな
く、物性の均一な絶縁層107を形成した。
Further, after detaching the mold, the fluoropolymer sheet was peeled off and heated at normal pressure at 220 ° C. for 60 minutes,
As shown in FIG. 1E, a flat insulating layer 107 having no voids or pinholes and uniform physical properties was formed.

【0135】このようにして作製した基板上の垂直ビア
導体102の上面は導体が露出した所と露出していない
所があったので、図1(f)に示すように基板をO2
ラズマにさらすことで、絶縁膜を約1μmエッチバック
し、垂直ビア導体の上面を完全に露出させた。その際の
2プラズマアッシング装置の条件は以下の通りであ
る。
Since the upper surface of the vertical via conductor 102 on the substrate thus manufactured was exposed and not exposed, the substrate was exposed to O 2 plasma as shown in FIG. 1 (f). By exposing, the insulating film was etched back by about 1 μm, and the upper surface of the vertical via conductor was completely exposed. The conditions of the O 2 plasma ashing apparatus at that time are as follows.

【0136】 O2流量;5SCCM O2分圧;2.7Pa 入射電力;100W 処理時間;15分O 2 flow rate; 5 SCCM O 2 partial pressure; 2.7 Pa incident power; 100 W treatment time; 15 minutes

【0137】そして、平坦性をさらに良くするために、
図1(g)に示すように露出した垂直ビア導体102の
上面をテープ研磨し、完全に平坦な面を形成した。
Then, in order to further improve the flatness,
As shown in FIG. 1G, the exposed upper surface of the vertical via conductor 102 was tape-polished to form a completely flat surface.

【0138】次の図1(g)から図1(h)への工程
は、図6を用いて説明する。
The next step from FIG. 1G to FIG. 1H will be described with reference to FIG.

【0139】図1(g)の基板すなわち図6(a)の基
板上に、図6(b)に示すように厚さ0.5〜0.8μ
mのCr/Cu/Crの重ねスパッタ膜からなる下地金
属膜604を形成した。次いで、図6(c)に示すよう
にこの下地金属膜上に露光・現像により水平配線導体用
の溝加工をした液状フォトレジスト(クレゾールノボラ
ック型ポジ型レジスト)605を塗布し、溝内のCrを
フェリシアン化カリウム系エッチャントでエッチング除
去してCuを露出させる。
On the substrate of FIG. 1 (g), that is, the substrate of FIG. 6 (a), a thickness of 0.5 to 0.8 μm is obtained as shown in FIG. 6 (b).
A base metal film 604 made of a Cr / Cu / Cr layered sputtered film of m was formed. Next, as shown in FIG. 6C, a liquid photoresist (cresol novolac positive resist) 605 in which a groove for a horizontal wiring conductor has been processed by exposure and development is applied onto the underlying metal film, and Cr in the groove is applied. Is removed by etching with a potassium ferricyanide etchant to expose Cu.

【0140】次いで、図6(d)に示すようにレジスト
の溝部分に硫酸銅水溶液を用いた電気銅めっきにより水
平配線導体606を形成した。電気銅めっき液組成は以
下の通りである。
Next, as shown in FIG. 6D, horizontal wiring conductors 606 were formed in the groove portions of the resist by electrolytic copper plating using an aqueous solution of copper sulfate. The composition of the electrolytic copper plating solution is as follows.

【0141】 硫酸銅五水和物 75g/l 濃硫酸 98ml/l 濃塩酸 0.15ml/l 添加剤 10ml/lCopper sulfate pentahydrate 75 g / l Concentrated sulfuric acid 98 ml / l Concentrated hydrochloric acid 0.15 ml / l Additive 10 ml / l

【0142】さらに、図6(e)に示すように成膜・露
光・現像により垂直ビア導体用の溝を同様のレジスト6
07に形成し、図6(f)に示すようにこの溝部分に硫
酸銅水溶液を用いた電気銅めっきにより垂直ビア導体6
08を形成した。
Further, as shown in FIG. 6E, a groove for a vertical via conductor is formed by film formation, exposure and development in the same resist 6 as described above.
No. 07, and as shown in FIG. 6 (f), vertical via conductors 6 were formed in the groove portions by electrolytic copper plating using an aqueous solution of copper sulfate.
08 was formed.

【0143】しかる後、図6(g)に示すように2層の
レジストをアルカリ水溶液で溶解除去し、さらに、図6
(h)に示すように下地金属膜を硝酸第2セリウムアン
モニウム水溶液でエッチング除去して、水平配線導体と
垂直ビア導体からなる配線層を形成した。図6(h)の
構造は図1(h)の構造に対応する。
Thereafter, as shown in FIG. 6 (g), the two-layer resist is dissolved and removed with an alkaline aqueous solution, and further, as shown in FIG.
As shown in (h), the underlying metal film was removed by etching with an aqueous solution of cerium ammonium nitrate to form a wiring layer including a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor. The structure of FIG. 6 (h) corresponds to the structure of FIG. 1 (h).

【0144】さらに、上記図1(b)から(h)までの
工程を2回繰り返し、次いで、図1(b)から(g)の
工程を行い、最後に最上層は図7に示す工程(使用した
材料およびプロセスは図6の方法と本質的には変わらな
い。異なるのは水平配線導体と垂直ビア導体の2層では
なく、水平配線導体の1層のみを形成する所にある。)
により形成して、薄膜の配線層数計4層の多層配線基板
を作製した。
Further, the steps of FIGS. 1 (b) to 1 (h) are repeated twice, then the steps of FIGS. 1 (b) to 1 (g) are carried out, and finally the uppermost layer is formed by the steps shown in FIG. The materials and processes used are essentially the same as in the method of Figure 6. The only difference is that only one layer of horizontal wiring conductors is formed, rather than two layers of horizontal wiring conductors and vertical via conductors.)
To form a multilayer wiring board having a total of four thin film wiring layers.

【0145】なお、水平配線導体の幅は25μm、高さ
は18μmで最小ピッチは50μm、垂直ビア導体は2
5×25μm、高さ18μmに形成した。
The width of the horizontal wiring conductor is 25 μm, the height is 18 μm, the minimum pitch is 50 μm, and the vertical via conductor is 2 μm.
It was formed in a size of 5 × 25 μm and a height of 18 μm.

【0146】〔実施例1−A−1〕ベース基板として、
図2(f)の構造のムライトタングステンセラミック配
線基板を用意し、これを図1(a)の構造として、実施
例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-A-1] As a base substrate,
A mullite tungsten ceramic wiring board having the structure of FIG. 2 (f) was prepared, and this was used as the structure of FIG. 1 (a) to manufacture a multilayer wiring board in the same manner as in Example 1.

【0147】〔実施例1−A−2〕ベース基板として、
図2(d)の構造の銅をコア材とするメタルコアガラス
ポリイミドプリント配線基板を用意し、これを図1
(a)の構造として、実施例1と同様にして多層配線基
板を作製した。
[Example 1-A-2] As a base substrate,
A metal-core glass-polyimide printed wiring board having copper as the core material having the structure of FIG.
As the structure of (a), a multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1.

【0148】〔実施例1−A−3〕ベース基板として、
図2(g)の構造のガラス銅セラミック配線基板を用意
し、この上に実施例1と同様にして、水平配線導体の間
隙に絶縁膜を形成した。次いで、上記水平配線の所望の
位置に垂直ビア導体用のフォトレジストの抜きパターン
を形成し、レジストの溝内に無電解めっきにて垂直ビア
導体を充填し、フォトレジストを剥離した。そして、こ
れを新たなベース基板として、実施例1と同様にして、
薄膜の配線層数計4層の多層配線基板を作製した。
[Example 1-A-3] As a base substrate,
A glass-copper ceramic wiring board having the structure shown in FIG. 2G was prepared, and an insulating film was formed on the glass-copper ceramic wiring board in the gap between the horizontal wiring conductors in the same manner as in Example 1. Next, a photoresist removal pattern for a vertical via conductor was formed at a desired position on the horizontal wiring, the vertical via conductor was filled in the groove of the resist by electroless plating, and the photoresist was peeled off. Then, using this as a new base substrate, in the same manner as in Example 1,
A multilayer wiring board having a total of four thin film wiring layers was produced.

【0149】〔実施例1−A−4〕ベース基板として、
図2(e)の構造の銅をコア材とするメタルコアガラス
ポリイミドプリント配線基板を用意し、実施例1−A−
3と同様にして多層配線基板を作製した。
Example 1-A-4 As a base substrate,
A metal core glass polyimide printed wiring board having copper as a core material having the structure of FIG.
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in 3.

【0150】〔実施例1−B−1〕エポキシ樹脂組成物
の供給形態を図5(a)のフィルム状に替えて、図5
(b)の粉末状とした。実施例1のエポキシ樹脂組成物
を混練して粉砕した粉体をベース基板上の配線層間に散
布し、実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-B-1] The supply form of the epoxy resin composition was changed to the film form shown in FIG.
The powder of (b) was used. A powder obtained by kneading and pulverizing the epoxy resin composition of Example 1 was dispersed between the wiring layers on the base substrate, and a multilayer wiring substrate was prepared in the same manner as in Example 1.

【0151】〔実施例1−B−2〕エポキシ樹脂組成物
の供給形態を図5(a)のフィルム状に替えて、図5
(a)の金型に塗布された膜状とした。実施例1のエポ
キシ樹脂組成物を金型の表面に溶融固着して膜状にし、
実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-B-2] The supply form of the epoxy resin composition was changed to that shown in FIG.
The film was applied to the mold of (a). The epoxy resin composition of Example 1 was melted and fixed on the surface of the mold to form a film,
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1.

【0152】〔実施例1−B−3〕エポキシ樹脂組成物
の供給形態を図5(a)のフィルム状に替えて、図5
(a)の金型に塗布された膜状とした。実施例1のエポ
キシ樹脂組成物をメチルエチルケトンに溶解し、金型の
表面にロールコートして溶剤を加熱乾燥させて膜状に
し、実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-B-3] The supply form of the epoxy resin composition was changed to the film form shown in FIG.
The film was applied to the mold of (a). The epoxy resin composition of Example 1 was dissolved in methyl ethyl ketone, the surface of the mold was roll-coated, the solvent was heated and dried to form a film, and a multilayer wiring board was prepared in the same manner as in Example 1.

【0153】〔実施例1−B−4〕エポキシ樹脂組成物
の供給形態を図5(a)のフィルム状に替えて、図5
(c)の配線層に塗布された膜状とした。上記エポキシ
樹脂組成物をメチルエチルケトンに溶解し、配線層を形
成したベース基板上にロールコートして溶剤を加熱乾燥
させて膜状にし、実施例1と同様にして多層配線基板を
作製した。
[Example 1-B-4] The supply form of the epoxy resin composition was changed to the film form of FIG.
The film was applied to the wiring layer of (c). The above epoxy resin composition was dissolved in methyl ethyl ketone, roll-coated on a base substrate on which a wiring layer was formed, and the solvent was dried by heating to form a film, and a multilayer wiring substrate was prepared in the same manner as in Example 1.

【0154】〔実施例1−B−5〕実施例1と同様にし
て作製した多層配線基板のエポキシ樹脂組成物に関し
て、その他、実施したエポキシ樹脂の組成、硬化条件及
び物性を表3の項目1〜15に示す。
[Example 1-B-5] With respect to the epoxy resin composition of the multilayer wiring board manufactured in the same manner as in Example 1, the composition, curing conditions and physical properties of the executed epoxy resin are shown in Table 1 item 1. ~ 15.

【0155】[0155]

【表3】 [Table 3]

【0156】〔実施例1−B−6〕実施例1のエポキシ
樹脂組成物に替えて、ベンゾシクロブテン系絶縁材料と
して、180℃で5時間加熱してオリゴマー化したシス
ビスベンゾシクロブテニルエテンを室温で金型にロール
コートして作製した膜を用い、実施例1と同様にして多
層配線基板を作製した。なお、その際上記ベンゾシクロ
ブテン系材料は室温で粘稠な液体であるので、加熱する
ことなく室温で配線導体間に充填し、硬化は250℃1
時間の条件で行なった。
Example 1-B-6 In place of the epoxy resin composition of Example 1, as a benzocyclobutene-based insulating material, cisbisbenzocyclobutenylethene was oligomerized by heating at 180 ° C. for 5 hours. A multilayer wiring board was prepared in the same manner as in Example 1 except that the film prepared by roll-coating was prepared on a mold at room temperature. At this time, since the benzocyclobutene-based material is a viscous liquid at room temperature, it is filled between the wiring conductors at room temperature without heating and cured at 250 ° C.
It was carried out under the condition of time.

【0157】〔実施例1−B−7〕実施例1のエポキシ
樹脂組成物に替えて、ビスマレイミド/シアン酸エステ
ル系絶縁材料として、BT−3309T((株)三菱瓦
斯化学社製商品名)を静水圧下、50℃で溶融してフィ
ルム化したものを用い、実施例1と同様にして多層配線
基板を作製した。なお、その際、50℃で溶融させて配
線導体間に充填し、硬化は150℃1時間の条件で行な
った。
Example 1-B-7 In place of the epoxy resin composition of Example 1, as a bismaleimide / cyanate ester insulating material, BT-3309T (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 by using a film obtained by melting at 50 ° C. under hydrostatic pressure to form a film. At that time, it was melted at 50 ° C., filled between the wiring conductors, and cured at 150 ° C. for 1 hour.

【0158】〔実施例1−B−8〕実施例1のエポキシ
樹脂組成物に替えて、このエポキシ樹脂組成物に200
重量%の粒径分布7〜12μmのポリイミド粉末を混練
し、静水圧下、90℃で溶融してフィルム化した組成物
を用い、実施例1と同様にして多層配線基板を作製し
た。なお、その際、70℃で溶融させて配線導体間に充
填し、硬化は静水圧下で180℃10分、常圧下で20
0℃1時間の条件で行なった。
Example 1-B-8 The epoxy resin composition of Example 1 was replaced with 200 parts of this epoxy resin composition.
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 using the composition prepared by kneading polyimide powder having a particle size distribution of 7 to 12 μm in weight% and melting at 90 ° C. under hydrostatic pressure to form a film. At that time, it is melted at 70 ° C. and filled between the wiring conductors, and curing is performed under hydrostatic pressure at 180 ° C. for 10 minutes and at 20 ° C. under normal pressure.
It was carried out under the condition of 0 ° C. for 1 hour.

【0159】〔実施例1−C−1〕実施例1における減
圧度を20torrにし、その他実施例1と同様にして
多層配線基板を作製した。
[Example 1-C-1] A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure reduction degree in Example 1 was set to 20 torr.

【0160】〔実施例1−C−2〕実施例1における減
圧度を10torrのままで、さらに、上下方向の圧縮
圧力を10kgf/cm2かけてエポキシ樹脂組成物を
配線導体間に充填し、その他実施例1と同様にして多層
配線基板を作製した。
Example 1-C-2 The epoxy resin composition was filled between the wiring conductors while the pressure reduction degree in Example 1 was kept at 10 torr and the vertical compression pressure was applied at 10 kgf / cm 2 . Others In the same manner as in Example 1, a multilayer wiring board was produced.

【0161】〔実施例1−C−3〕実施例1における減
圧度を10torrのままで、さらに、上下方向の圧縮
圧力を20kgf/cm2かけてエポキシ樹脂組成物を
配線導体間に充填し、その他実施例1と同様にして多層
配線基板を作製した。
Example 1-C-3 With the pressure reduction degree in Example 1 kept at 10 torr and a vertical compression pressure of 20 kgf / cm 2, the epoxy resin composition was filled between wiring conductors. Others In the same manner as in Example 1, a multilayer wiring board was produced.

【0162】〔実施例1−C−4〕実施例1における上
下方向の圧縮圧力を5.5kgf/cm2、横方向から
の空気圧を5kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物
を硬化させ、その他実施例1と同様にして多層配線基板
を作製した。
[Example 1-C-4] The epoxy resin composition was cured by setting the vertical compression pressure to 5.5 kgf / cm 2 and the lateral air pressure to 5 kgf / cm 2 in Example 1 and others. A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1.

【0163】〔実施例1−C−5〕実施例1における上
下方向の圧縮圧力を10kgf/cm2、横方向からの
空気圧を8kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物を
硬化させ、その他実施例1と同様にして多層配線基板を
作製した。
[Example 1-C-5] The epoxy resin composition was cured by setting the compression pressure in the vertical direction to 10 kgf / cm 2 and the air pressure from the lateral direction to 8 kgf / cm 2 in Example 1 and other examples. A multilayer wiring board was produced in the same manner as in 1.

【0164】〔実施例1−C−6〕実施例1における上
下方向の圧縮圧力を25kgf/cm2、横方向からの
空気圧を20kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物
を硬化させ、その他実施例1と同様にして多層配線基板
を作製した。
[0164] Example 1-C-6] The compression pressure in the vertical direction in Embodiment 1 25 kgf / cm 2, and the air pressure from the lateral direction to 20 kgf / cm 2 to cure the epoxy resin composition, other embodiments A multilayer wiring board was produced in the same manner as in 1.

【0165】〔実施例1−D−1〕絶縁膜に覆われた垂
直ビア導体の上面を露出させる方法をO2プラズマアッ
シングからUV/O3によるエッチングに替えて、その
他実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。その
際のUV/O3処理装置の条件は以下のとおりである。
[Example 1-D-1] The method of exposing the upper surface of the vertical via conductor covered with the insulating film was changed from O 2 plasma ashing to etching by UV / O 3 , and the same as in Example 1 To produce a multilayer wiring board. The conditions of the UV / O 3 processing apparatus at that time are as follows.

【0166】 UVランプ温度;55℃ UVランプから基板までの距離;15cm オゾナイザ−1次電流、1次電圧;5A、74V 酸素ガス圧力;0.048MPa O3ガス流量;8l/分 基板温度;100℃ 処理時間;20分UV lamp temperature; 55 ° C. Distance from UV lamp to substrate; 15 cm Ozonizer-primary current, primary voltage; 5 A, 74 V Oxygen gas pressure; 0.048 MPa O 3 gas flow rate; 8 l / min Substrate temperature; 100 ℃ treatment time: 20 minutes

【0167】〔実施例1−D−2〕絶縁膜に覆われた垂
直ビア導体の上面を露出させる方法を、O2プラズマア
ッシングから、過マンガン酸カリウム0.2mol/
l、水酸化ナトリウム0.2mol/lのエッチング組
成液で70℃10分間処理する方法に替えて、その他実
施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-D-2] The method of exposing the upper surface of the vertical via conductor covered with the insulating film was carried out by O 2 plasma ashing at 0.2 mol / potassium permanganate.
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the method of treating with an etching composition liquid of sodium hydroxide of 0.2 mol / l at 70 ° C. for 10 minutes was used.

【0168】〔実施例1−D−3〕静水圧下、金型を7
0℃から150℃まで昇温(70℃/分)して30分間
保った後、金型を脱着、フッ素系ポリマーシートを剥が
した後、絶縁膜に覆われた垂直ビア導体の上面を露出さ
せる方法を、O2プラズマアッシングから、過マンガン
酸カリウム0.2mol/l、水酸化ナトリウム0.2
mol/lのエッチング組成液で70℃10分間処理す
る方法に替え、さらに、常圧で220℃60分加熱し、
その他の条件は実施例1と同様にして多層配線基板を作
製した。
[Example 1-D-3] The mold was moved to 7 under hydrostatic pressure.
After raising the temperature from 0 ° C to 150 ° C (70 ° C / min) and holding it for 30 minutes, the mold is removed, the fluoropolymer sheet is peeled off, and the upper surface of the vertical via conductor covered with the insulating film is exposed. The method is as follows: from O 2 plasma ashing, potassium permanganate 0.2 mol / l, sodium hydroxide 0.2
In place of the method of treating at 70 ° C. for 10 minutes with a mol / l etching composition liquid, further, heating at 220 ° C. for 60 minutes at normal pressure,
Other conditions were the same as in Example 1 to produce a multilayer wiring board.

【0169】〔実施例1−D−4〕絶縁膜に覆われた垂
直ビア導体の上面を露出させる方法を、O2プラズマア
ッシングから、無水クロム酸2.0mol/l〜飽和濃
度、硫酸3.6〜6mol/l組成のエッチング液で7
0℃10分間処理し、アルカリで中和する方法に替え、
その他実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
[Example 1-D-4] The method of exposing the upper surface of the vertical via conductor covered with the insulating film was carried out by O 2 plasma ashing, from chromic anhydride 2.0 mol / l to a saturated concentration, sulfuric acid 3. 7 with an etching solution of 6 to 6 mol / l composition
Change to the method of treating at 0 ° C for 10 minutes and neutralizing with alkali,
Others In the same manner as in Example 1, a multilayer wiring board was produced.

【0170】〔実施例1−F〕実施例1における最上層
の配線形成方法を以下のように替えて、その他は実施例
1と同様にして多層配線基板を作製した。図8を用いて
説明する。すなわち、図8(a)から(b)に示すよう
に、厚さ0.5〜0.8μmのCr/Cuの重ねスパッ
タ膜からなる下地金属膜804を形成し、次いで、図8
(c)に示すように、この下地金属膜上に電気銅めっき
にて導体805を形成する。
[Example 1-F] A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the method for forming the uppermost layer wiring in Example 1 was changed as follows. This will be described with reference to FIG. That is, as shown in FIGS. 8A and 8B, a base metal film 804 made of a Cr / Cu overlapping sputtered film having a thickness of 0.5 to 0.8 μm is formed, and then, as shown in FIG.
As shown in (c), a conductor 805 is formed on this underlying metal film by electrolytic copper plating.

【0171】さらに、図8(d)に示すように、成膜・
露光・現像により水平配線導体用の溝加工をした液状フ
ォトレジスト806を形成し、次いで、図8(e)に示
すように、溝内のCuとCrを硝酸第2セリウムアンモ
ニウム水溶液でエッチング除去する。最後に図8(f)
に示すように、レジストを剥離して、最上層の水平配線
導体を形成した。
Further, as shown in FIG.
A liquid photoresist 806 having grooves for horizontal wiring conductors is formed by exposure and development, and then Cu and Cr in the grooves are removed by etching with an aqueous solution of ceric ammonium nitrate as shown in FIG. 8 (e). . Finally, FIG. 8 (f)
As shown in, the resist was peeled off to form the horizontal wiring conductor of the uppermost layer.

【0172】〔実施例2〕図1、図2、図6、図13、
図14を用いて説明する。
[Embodiment 2] FIG. 1, FIG. 2, FIG. 6, FIG.
This will be described with reference to FIG.

【0173】図1(a)の構造のベース基板として、図
2(f)の構造のガラス銅セラミック配線基板を用意す
る。
As the base substrate having the structure shown in FIG. 1A, a glass copper ceramic wiring substrate having the structure shown in FIG. 2F is prepared.

【0174】次ぎに、電気めっき法により厚さ3μmの
銅箔をステンレス(厚さ500μm)に形成する。そし
て、図1(a)の基板の配線層導体の表面とステンレス
上の銅箔表面を亜塩素酸ナトリウム31g/l、水酸化
ナトリウム15g/l、りん酸ナトリウム12g/lの
組成の処理液で95℃2分間、黒化処理した。
Next, a copper foil with a thickness of 3 μm is formed on stainless steel (thickness: 500 μm) by electroplating. Then, the surface of the wiring layer conductor of the substrate of FIG. 1 (a) and the surface of the copper foil on stainless steel were treated with a treating solution having a composition of 31 g / l of sodium chlorite, 15 g / l of sodium hydroxide and 12 g / l of sodium phosphate. It was blackened at 95 ° C. for 2 minutes.

【0175】次いで、上記銅箔とフッ素系ポリマーシー
トとの間に実施例1で使用したエポキシ樹脂組成物を挾
み、実施例1と同様に、静水圧下、70℃で溶融し、フ
ッ素系ポリマーシートを剥がした。そして、図14
(a)に示すように、図1(b)と同様に、ステンレス
と銅箔とエポキシ樹脂組成物の積層体を図1(a)の基
板の配線層側に置き、図1(c)のように、金型104
(フッ素系ポリマーでコーティングされた表面粗さ1μ
m以下の表面を持つ)中に装着した。なお、図14でい
えば、ステンレスが金属箔1402に、銅箔が導体箔1
401にあたる。
Then, the epoxy resin composition used in Example 1 was sandwiched between the copper foil and the fluoropolymer sheet and melted at 70 ° C. under hydrostatic pressure in the same manner as in Example 1 to give a fluororesin composition. The polymer sheet was peeled off. And in FIG.
As shown in FIG. 1A, a laminate of stainless steel, a copper foil, and an epoxy resin composition is placed on the wiring layer side of the substrate of FIG. 1A as shown in FIG. So that the mold 104
(Surface roughness 1μ coated with fluoropolymer
It has a surface of m or less). It should be noted that in FIG. 14, stainless steel is the metal foil 1402 and copper foil is the conductor foil 1.
It corresponds to 401.

【0176】次ぎに、実施例1と同様の図1(c)から
(d)の工程を経て、上記エポキシ樹脂組成物を硬化
し、図14(b)に示すように、ステンレスを剥がすこ
とにより、図13(a)の構造体を得た。銅箔1301
に、しわ、破れ等はなく、絶縁層107はボイドやピン
ホールがない物性の均一な膜である。また、ステンレス
と銅とは、接着力が弱いため、本製造方法に好適な材料
である。そして、図13(a)の基板の銅箔上に図13
(b)に示すような垂直ビア導体102の上部に位置合
わせして穴開け加工した液状フォトレジスト(クレゾー
ルノボラック型ポジ型レジスト)1302(厚さ25μ
m)を形成し、図13(c)に示すように、穴底部の銅
箔を塩化第2銅系エッチャントでエッチング除去した。
除去部には、垂直ビア導体の上面が露出した所と露出し
ていない所があったので、図13(d)に示すようにレ
ジストを剥離し、図13(e)に示すように実施例1と
同様のO2プラズマアッシングにより絶縁膜を約1μm
エッチバックして垂直ビア導体の上面を完全に露出させ
た。
Next, the epoxy resin composition is cured through the same steps of FIGS. 1 (c) to 1 (d) as in Example 1, and the stainless steel is peeled off as shown in FIG. 14 (b). , The structure of FIG. 13 (a) was obtained. Copper foil 1301
Moreover, the insulating layer 107 is a film having uniform physical properties without any wrinkles or tears and without voids or pinholes. Further, since stainless steel and copper have weak adhesive strength, they are suitable materials for the present manufacturing method. Then, on the copper foil of the substrate of FIG.
Liquid photoresist (cresol novolac type positive type resist) 1302 (thickness: 25 μm) aligned and drilled on the upper portion of the vertical via conductor 102 as shown in (b).
m) was formed, and as shown in FIG. 13C, the copper foil at the bottom of the hole was removed by etching with a cupric chloride-based etchant.
In the removed portion, there was a portion where the upper surface of the vertical via conductor was exposed and a portion where it was not exposed. Therefore, the resist was peeled off as shown in FIG. 13D, and the example shown in FIG. By O 2 plasma ashing similar to that of 1, the insulating film is about 1 μm
The upper surface of the vertical via conductor was completely exposed by etching back.

【0177】そして、図13(f)に示すように垂直ビ
ア導体上面、ビア導体周辺部の絶縁層上面を含む上面全
面に市販の第2すずイオン−パラジウム系活性化触媒液
と硫酸銅−水酸化ナトリウム−ホルマリン−EDTA系
めっき液を用いて無電解銅めっき膜1303(厚さ0.
5μm)を形成した。図13(f)に示す基板の銅箔1
301と無電解めっき膜1303からなる下地金属膜
は、すなわち、図6(b)の下地導電膜604に相当す
る。
Then, as shown in FIG. 13 (f), commercially available second tin ion-palladium-based activating catalyst liquid and copper sulfate-water were applied to the entire upper surface including the upper surface of the vertical via conductor and the upper surface of the insulating layer around the via conductor. An electroless copper plating film 1303 (thickness: 0.
5 μm) was formed. Copper foil 1 of the substrate shown in FIG. 13 (f)
The underlying metal film composed of 301 and the electroless plated film 1303 corresponds to the underlying conductive film 604 in FIG. 6B.

【0178】しかる後は実施例1と同様にして、水平配
線導体と垂直ビア導体とから成る図6(h)の構造、す
なわち、図1(h)の構造の配線層を形成した。なお、
下地導電膜のエッチングには塩化第2銅系エッチャント
を用いた。
Thereafter, in the same manner as in Example 1, the wiring layer having the structure shown in FIG. 6 (h), that is, the structure shown in FIG. 1 (h), including the horizontal wiring conductors and the vertical via conductors was formed. In addition,
A cupric chloride-based etchant was used for etching the underlying conductive film.

【0179】さらに、実施例1と同様に、図1(b)か
ら(h)までの工程に相当する上記工程を2回繰り返
し、次いで、図1(b)から(g)の工程に相当する上
記工程を行い、最後の最上層は図7に示す工程(ただ
し、下地導電膜は上記方法と同様に形成した。使用した
材料およびプロセスは上記図6の方法と本質的には変わ
らない。異なるのは水平配線導体と垂直ビア導体の2層
ではなく、水平配線導体の1層のみを形成する所であ
る。)により形成して、薄膜の配線層数計4層の多層配
線基板を作製した。なお、水平配線導体の幅は25μ
m、高さは18μmで最小ピッチは50μm、垂直ビア
導体は25×25μm、高さ18μmに形成した。
Further, as in the first embodiment, the above steps corresponding to the steps of FIGS. 1B to 1H are repeated twice, and then the steps of FIGS. 1B to 1G. The above steps were performed, and the final uppermost layer was the step shown in FIG. 7 (however, the underlying conductive film was formed in the same manner as in the above method. The materials and processes used are essentially the same as those in the above FIG. 6). Is a place where only one layer of the horizontal wiring conductor is formed, not two layers of the horizontal wiring conductor and the vertical via conductor.), And a multilayer wiring board having a total of four thin film wiring layers is produced. . The width of the horizontal wiring conductor is 25μ.
m, height 18 μm, minimum pitch 50 μm, vertical via conductor 25 × 25 μm, height 18 μm.

【0180】〔実施例3〕次ぎに、ベース基板としてプ
リント配線基板を用いた時の実施例を、図15の基板の
作製を例にして説明する。
[Embodiment 3] Next, an embodiment in which a printed wiring board is used as a base substrate will be described by taking the production of the substrate of FIG. 15 as an example.

【0181】この基板は両面プリント配線板の両表層導
体を2種類の電源層とし、この両面にXY信号層2層と
グランド兼キャップ層を1層形成して成る多層配線基板
であるが、上記両面プリント配線板の内層にXY信号層
2層を入れた4層板を用いても良いし、さらに、本発明
はこれらの層構成、層数に限定されるものではない。ま
た、両面プリント配線板の片面に薄膜多層配線層を形成
しても良い。
This board is a multilayer wiring board in which two surface layer conductors of a double-sided printed wiring board are used as two types of power supply layers, and two XY signal layers and one ground / cap layer are formed on both surfaces of the conductor. A four-layer board in which two XY signal layers are inserted in the inner layer of the double-sided printed wiring board may be used, and the present invention is not limited to these layer configurations and the number of layers. Further, a thin film multilayer wiring layer may be formed on one surface of the double-sided printed wiring board.

【0182】まず、図2(a)の構造の、層間接続スル
ーホールの導体またはパターニングされた表層導体の少
なくとも一つと接続するビア導体が設けられた両面銅張
りガラスポリイミドプリント配線基板の製造方法を、図
3を用いて説明する。
First, a method of manufacturing a double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having a via conductor connected to at least one of the conductor of the interlayer connection through hole or the patterned surface conductor of the structure of FIG. 2A will be described. , FIG. 3 will be described.

【0183】図3(a)に示すような貫通めっきスルー
ホール301を有し、表層導体302がパターニングさ
れていない両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基
板300の表面に、図3(b)に示すように、ドライフ
ィルムレジスト(20μm厚)303をラミネートし、
所望の位置に抜きパターンを形成する。
As shown in FIG. 3B, the surface of the double-sided copper-clad glass polyimide printed wiring board 300 having the through-plated through holes 301 as shown in FIG. Then, dry film resist (20 μm thick) 303 is laminated on
A punching pattern is formed at a desired position.

【0184】そして、図3(c)に示すように、レジス
トの抜きパターン内に実施例1と同様の電気銅めっきに
てビア導体304を充填し、図3(d)に示すように、
レジスト303を剥離する。
Then, as shown in FIG. 3C, a via conductor 304 is filled in the resist removal pattern by the same electrolytic copper plating as in Example 1, and as shown in FIG.
The resist 303 is peeled off.

【0185】次ぎに、図3(e)に示すように、電着レ
ジスト305を形成し、所望の位置に残しパターンを形
成する。そして、図3(f)に示すように、塩化第2銅
エッチャントにより表層導体302を所望の形状にパタ
ーニングし、図3(g)に示すように、レジスト305
を剥離した。なお、図3(g)の構造は図2(a)の構
造に相当する。
Next, as shown in FIG. 3E, an electrodeposition resist 305 is formed, and a pattern is formed by leaving it at a desired position. Then, as shown in FIG. 3F, the surface conductor 302 is patterned into a desired shape with a cupric chloride etchant, and as shown in FIG.
Was peeled off. The structure of FIG. 3G corresponds to the structure of FIG.

【0186】そして、これを図1(a)のベース基板と
して、図1と同様の工程により多層配線基板を作製す
る。
Then, using this as a base substrate of FIG. 1A, a multi-layer wiring substrate is manufactured by the same steps as in FIG.

【0187】すなわち、4官能エポキシ樹脂エピクロン
EXA4700((株)大日本インキ製商品名)とフェ
ノール樹脂バーカムTD−2131((株)大日本イン
キ製商品名)65phrとから成るフィルム状組成物を
この基板の両面に置き、これをテフロンコーティング済
み金型の間に挿入する。
[0187] That is, a film composition composed of tetrafunctional epoxy resin Epicron EXA4700 (trade name of Dainippon Ink Co., Ltd.) and phenol resin Barkham TD-2131 (trade name of Dainippon Ink Co., Ltd.) 65 phr was prepared. Place on both sides of the substrate and insert it between the Teflon coated molds.

【0188】次いで、金型を70℃に加熱して上記組成
物を溶融させ、さらに、金型と基板の間を10torr
に排気して約7分間保ち、上記組成物を導体間隙及び貫
通めっきスルーホール内に充填した。そして、金型とこ
の基板間を大気圧に戻した後、上下方向の圧縮圧力5k
gf/cm2と横方向からの空気圧5kgf/cm2をか
け、5分後に金型を70℃から200℃まで昇温(70
℃/分)して30分間保った。そしてさらに、金型を外
して、常圧で220℃、60分加熱して、平坦でボイド
やピンホールがなく、物性の均一な絶縁層を形成した。
このようにして作製した基板のビア導体の上面は導体が
露出した所と露出していない所があったので、この基板
を実施例33と同様に過マンガン酸塩系エッチング液に
浸漬することで、絶縁膜をエッチバックし、ビア導体の
上面を完全に露出させる。
Then, the mold is heated to 70 ° C. to melt the above composition, and the space between the mold and the substrate is further adjusted to 10 torr.
It was evacuated and kept for about 7 minutes to fill the conductor gap and the through-plated through hole with the above composition. Then, after returning the pressure between the mold and this substrate to atmospheric pressure, a vertical compression pressure of 5 k
gf / cm 2 and air pressure of 5 kgf / cm 2 from the lateral direction are applied, and after 5 minutes, the mold is heated from 70 ° C. to 200 ° C. (70
(° C / min) and kept for 30 minutes. Then, the mold was removed, and heating was carried out at 220 ° C. for 60 minutes under normal pressure to form a flat insulating layer having no voids or pinholes and uniform physical properties.
Since the upper surface of the via conductor of the substrate thus manufactured was exposed and not exposed in some places, the substrate was immersed in a permanganate-based etching solution in the same manner as in Example 33. , The insulating film is etched back to completely expose the upper surface of the via conductor.

【0189】そして、平坦性をさらに良くするために、
露出したビア導体の上面をバフ研磨し、完全に平坦な基
板を得た。
Then, in order to further improve the flatness,
The upper surface of the exposed via conductor was buffed to obtain a completely flat substrate.

【0190】次ぎに、この基板上に薄膜多層配線層を形
成する。この基板上に無電解銅めっき法により0.5〜
0.8μmの下地導電膜を成膜した後、ドライフィルム
レジストを形成し、水平配線導体用の所望の抜きパター
ンを形成した。
Next, a thin film multilayer wiring layer is formed on this substrate. 0.5 ~ by electroless copper plating method on this substrate
After forming an underlying conductive film having a thickness of 0.8 μm, a dry film resist was formed to form a desired blank pattern for a horizontal wiring conductor.

【0191】次いで、レジストの溝内に電気銅めっき法
を用いてレジスト膜厚と同程度の高さの水平配線導体を
形成した。さらにこの上にドライフィルムレジストを形
成し、垂直ビア導体用の所望の抜きパターンを形成す
る。
Then, a horizontal wiring conductor having a height approximately equal to the resist film thickness was formed in the groove of the resist by electrolytic copper plating. Further, a dry film resist is formed on this, and a desired punching pattern for the vertical via conductor is formed.

【0192】さらに、レジストの溝内に電気銅めっき法
を用いてレジスト膜厚と同程度の高さの垂直ビア導体を
形成した。
Further, a vertical via conductor having a height about the same as the resist film thickness was formed in the groove of the resist by electrolytic copper plating.

【0193】そして、水平配線導体と垂直ビア導体の形
成に使用した2層のレジストを剥離し、下地導電膜を塩
化第2銅エッチャントによりエッチング除去して、水平
配線導体と垂直ビア導体を形成した基板を得た。
Then, the two layers of resist used for forming the horizontal wiring conductor and the vertical via conductor were peeled off, and the underlying conductive film was removed by etching with a cupric chloride etchant to form a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor. A substrate was obtained.

【0194】次いで、上記絶縁膜形成工程から配線層形
成工程をもう一回繰り返し、最後に、最上層の水平配線
導体を上記と同様の方法(使用した材料及びプロセスは
本質的には変わらない。異なるのは水平配線導体と垂直
ビア導体の2層ではなく、水平配線導体の1層のみを形
成する所にある。)で形成し、図13の多層配線基板作
製した。なお、水平配線導体の幅は50μm、高さは1
8μmで最小ピッチは100μm、垂直ビア導体は50
×50μm、高さ18μmに形成した。
Then, the insulating film forming step to the wiring layer forming step are repeated once more, and finally, the uppermost horizontal wiring conductor is subjected to the same method as described above (the materials and processes used are essentially the same. The difference is that only one layer of the horizontal wiring conductor is formed instead of the two layers of the horizontal wiring conductor and the vertical via conductor.), And the multilayer wiring board of FIG. 13 was produced. The horizontal wiring conductor has a width of 50 μm and a height of 1
8 μm, minimum pitch 100 μm, vertical via conductor 50
The film was formed to have a height of × 50 μm and a height of 18 μm.

【0195】〔実施例3−A−1〕図2(a)の構造
の、層間接続スルーホールの導体またはパターニングさ
れた表層導体の少なくとも一つと接続するビア導体が設
けられた両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基板
の製造方法を以下のように変更し、実施例3と同様にし
て多層配線基板を作製した。すなわち、貫通めっきスル
ーホールを有し、表層導体がパターニングされていない
両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基板の表面
に、ドライフィルムレジスト(20μm厚)をラミネー
トし、所望の位置に残しパターンを形成する。そして、
塩化第2銅エッチャントにより表層導体を所望の形状に
パターニングし、レジストを剥離する。次いで、この上
にレジストを形成し、所望の位置に抜きパターンを形成
する。そして、レジストの抜きパターン内に無電気銅め
っき法にてビア導体を充填し、レジストを剥離した。
[Example 3-A-1] A double-sided copper-clad glass polyimide provided with a via conductor connected to at least one of the conductor of the interlayer connecting through hole and the patterned surface layer conductor of the structure of FIG. 2 (a). The manufacturing method of the printed wiring board was changed as follows, and a multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 3. That is, a dry film resist (20 μm thick) is laminated on the surface of a double-sided copper-clad glass polyimide printed wiring board that has through-plated through holes and the surface layer conductor is not patterned, and a pattern is formed by leaving it at a desired position. And
The surface conductor is patterned into a desired shape with a cupric chloride etchant, and the resist is peeled off. Next, a resist is formed on this, and a punching pattern is formed at a desired position. Then, a via conductor was filled in the resist removal pattern by electroless copper plating, and the resist was peeled off.

【0196】〔実施例3−A−2〕両面銅張りガラスポ
リイミドプリント配線基板の替わりに、両面銅張りガラ
スBTレジンプリント配線基板((株)三菱瓦斯化学社
製)を用い、実施例3と同様にして多層配線基板を作製
した。
[Example 3-A-2] A double-sided copper-clad glass polyimide printed wiring board (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) was used in place of the double-sided copper-clad glass polyimide printed wiring board. A multilayer wiring board was produced in the same manner.

【0197】〔実施例3−A−3〕図2(a)の構造
の、銅をコア材とするメタルコア両面銅張りガラスポリ
イミドプリント配線基板を用いて、実施例3と同様にし
て、多層配線基板を作製した。
[Embodiment 3-A-3] Using the metal core double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having the structure of FIG. A substrate was produced.

【0198】〔実施例3−B−1〕実施例3と同様にし
て作製した多層配線基板のエポキシ樹脂組成物に関し
て、その他実施したエポキシ樹脂の組成、硬化条件及び
物性を表4の項目1〜15に示す。
[Example 3-B-1] With respect to the epoxy resin composition of the multilayer wiring board produced in the same manner as in Example 3, the compositions, curing conditions and physical properties of the other epoxy resins carried out are shown in Table 1 from item 1 to item 1. Shown in 15.

【0199】[0199]

【表4】 [Table 4]

【0200】〔実施例3−B−2〕実施例3のエポキシ
樹脂組成物に替えて、ベンゾシクロブテン系絶縁材料と
して、180℃で5時間加熱してオリゴマー化したシス
ビスベンゾシクロブテニルエテンを室温で金型にロール
コートして作製した膜を用い、実施例3と同様にして多
層配線基板を作製した。なお、その際上記ベンゾシクロ
ブテン系材料は室温で粘稠な液体であるので、加熱する
ことなく室温で配線導体間に充填し、硬化は250℃1
時間の条件で行なった。
Example 3-B-2 In place of the epoxy resin composition of Example 3, as a benzocyclobutene-based insulating material, cis-bisbenzocyclobutenylethene oligomerized by heating at 180 ° C. for 5 hours was used. Using a film prepared by roll-coating a mold onto a mold at room temperature, a multilayer wiring board was prepared in the same manner as in Example 3. At this time, since the benzocyclobutene-based material is a viscous liquid at room temperature, it is filled between the wiring conductors at room temperature without heating and cured at 250 ° C.
It was carried out under the condition of time.

【0201】〔実施例3−B−3〕実施例3のエポキシ
樹脂組成物に替えて、ビスマレイミド/シアン酸エステ
ル系絶縁材料として、BT−3309T((株)三菱瓦
斯化学社製商品名)を静水圧下、50℃で溶融してフィ
ルム化したものを用い、実施例3と同様にして多層配線
基板を作製した。なお、その際、50℃で溶融させて配
線導体間に充填し、硬化は150℃1時間の条件で行な
った。
Example 3-B-3 In place of the epoxy resin composition of Example 3, as a bismaleimide / cyanate ester-based insulating material, BT-3309T (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 3 by using the film obtained by melting at 50 ° C. under hydrostatic pressure to form a film. At that time, it was melted at 50 ° C., filled between the wiring conductors, and cured at 150 ° C. for 1 hour.

【0202】〔実施例3−B−4〕実施例3のエポキシ
樹脂組成物に替えて、このエポキシ樹脂組成物に200
重量%の粒径分布7〜12μmのポリイミド粉末を混練
し、静水圧下、90℃で溶融してフィルム化した組成物
を用い、実施例1と同様にして多層配線基板を作製し
た。なお、その際、70℃で溶融させて配線導体間に充
填し、硬化は静水圧下で180℃10分、常圧下で20
0℃1時間の条件で行なった。
Example 3-B-4 The epoxy resin composition of Example 3 was replaced with 200 parts of this epoxy resin composition.
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 using the composition prepared by kneading polyimide powder having a particle size distribution of 7 to 12 μm in weight% and melting at 90 ° C. under hydrostatic pressure to form a film. At that time, it is melted at 70 ° C. and filled between the wiring conductors, and curing is performed under hydrostatic pressure at 180 ° C. for 10 minutes and at 20 ° C. under normal pressure.
It was carried out under the condition of 0 ° C. for 1 hour.

【0203】〔実施例3−C−1〕実施例3における減
圧度を20torrにし、その他実施例3と同様にして
多層配線基板を作製した。
[Example 3-C-1] A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 3 except that the pressure reduction degree in Example 3 was 20 torr.

【0204】〔実施例3−C−2〕実施例3における減
圧度を10torrのままで、さらに、上下方向の圧縮
圧力を10kgf/cm2かけてエポキシ樹脂組成物を
配線導体間に充填し、その他実施例3と同様にして多層
配線基板を作製した。
Example 3-C-2 With the pressure reduction degree in Example 3 kept at 10 torr and a vertical compression pressure of 10 kgf / cm 2, the epoxy resin composition was filled between the wiring conductors. Others In the same manner as in Example 3, a multilayer wiring board was produced.

【0205】〔実施例3−C−3〕実施例3における減
圧度を10torrのままで、さらに、上下方向の圧縮
圧力を20kgf/cm2かけてエポキシ樹脂組成物を
配線導体間に充填し、その他実施例3と同様にして多層
配線基板を作製した。
Example 3-C-3 With the pressure reduction degree in Example 3 kept at 10 torr and a vertical compression pressure of 20 kgf / cm 2, the epoxy resin composition was filled between the wiring conductors. Others In the same manner as in Example 3, a multilayer wiring board was produced.

【0206】〔実施例3−C−4〕実施例3における上
下方向の圧縮圧力を5.5kgf/cm2、横方向から
の空気圧を5kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物
を硬化させ、その他実施例3と同様にして多層配線基板
を作製した。
[Example 3-C-4] The epoxy resin composition was cured by setting the vertical compression pressure to 5.5 kgf / cm 2 and the lateral air pressure to 5 kgf / cm 2 in Example 3 and the like. A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 3.

【0207】〔実施例3−C−5〕実施例3における上
下方向の圧縮圧力を10kgf/cm2、横方向からの
空気圧を8kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物を
硬化させ、その他実施例3と同様にして多層配線基板を
作製した。
[Example 3-C-5] The epoxy resin composition was cured by setting the vertical compression pressure to 10 kgf / cm 2 and the lateral air pressure to 8 kgf / cm 2 in Example 3 to cure the epoxy resin composition. A multilayer wiring board was produced in the same manner as in 3.

【0208】〔実施例3−C−6〕実施例3における上
下方向の圧縮圧力を25kgf/cm2、横方向からの
空気圧を20kgf/cm2にしてエポキシ樹脂組成物
を硬化させ、その他実施例3と同様にして多層配線基板
を作製した。
[0208] Example 3-C-6] Example 3 25 kgf / cm 2 compression pressure in the vertical direction in, and the air pressure from the lateral direction to 20 kgf / cm 2 to cure the epoxy resin composition, other embodiments A multilayer wiring board was produced in the same manner as in 3.

【0209】〔実施例3−D−1〕絶縁膜に覆われた垂
直ビア導体の上面を露出させる方法を過マンガン酸塩系
エッチング液から実施例1と同様のO2プラズマアッシ
ングに替えて、その他実施例3と同様にして多層配線基
板を作製した。
[Example 3-D-1] The method of exposing the upper surface of the vertical via conductor covered with the insulating film was changed from the permanganate-based etching solution to the same O 2 plasma ashing as in Example 1, Others In the same manner as in Example 3, a multilayer wiring board was produced.

【0210】〔実施例3−D−2〕静水圧下、金型を7
0℃から150℃まで昇温(70℃/分)して30分間
保った後、金型を脱着、フッ素系ポリマーシートを剥が
した後、過マンガン酸塩系エッチング液により絶縁膜に
覆われた垂直ビア導体の上面を露出させ、さらに、常圧
で220℃60分加熱し、その他の条件は実施例3と同
様にして多層配線基板を作製した。
[Example 3-D-2] The mold was moved to 7 under hydrostatic pressure.
The temperature was raised from 0 ° C. to 150 ° C. (70 ° C./min) and kept for 30 minutes, then the mold was removed, the fluoropolymer sheet was peeled off, and the insulating film was covered with a permanganate-based etching solution. The upper surface of the vertical via conductor was exposed and further heated at 220 ° C. for 60 minutes under normal pressure, and other conditions were the same as in Example 3 to manufacture a multilayer wiring board.

【0211】〔実施例3−D−3〕実施例3における最
上層の配線形成方法を以下のように替え、その他は実施
例3と同様にして多層配線基板を作製した。すなわち、
上面が露出した垂直ビア導体上に厚さ18μmの無電解
銅めっきを形成し、次いで、この上にドライフィルムレ
ジストをラミネートし、所望の位置にレジストの残しパ
ターンを形成する。そして、塩化第2銅エッチャントに
より上記銅をエッチングし、レジストを剥離して、最上
層の水平配線導体を形成した。
Example 3-D-3 A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 3, except that the method for forming the uppermost layer wiring in Example 3 was changed as follows. That is,
An electroless copper plating having a thickness of 18 μm is formed on the vertical via conductor having an exposed upper surface, and then a dry film resist is laminated on this to form a resist residual pattern at a desired position. Then, the copper was etched with a cupric chloride etchant and the resist was peeled off to form the uppermost horizontal wiring conductor.

【0212】〔実施例3−E〕図2(b)の構造の、層
間接続スルーホールを有し、表層導体がパターニングさ
れている両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基板
を用い、実施例3と同様にして、層間接続スルーホール
とパターニングされている表層導体の間隙を絶縁膜で充
填し、導体上面を露出させた。
[Embodiment 3-E] A double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having an interlayer connection through hole and a surface conductor patterned as shown in FIG. Then, the gap between the interlayer connection through hole and the patterned surface layer conductor was filled with an insulating film to expose the upper surface of the conductor.

【0213】ついで、この上にレジストを成膜してビア
導体用の抜きパターンを形成し、このレジストの溝内に
無電解銅めっき法によりビア導体を充填し、レジストを
剥離した。そして、実施例3と同様にしてビア導体間隙
を絶縁膜で充填し、以後、実施例3の配線層形成法及び
絶縁膜形成法と同様にして、多層配線基板を作製した。
Next, a resist was formed thereon to form a via conductor punching pattern, the via conductor was filled in the groove of this resist by electroless copper plating, and the resist was peeled off. Then, the via conductor gap was filled with an insulating film in the same manner as in Example 3, and thereafter, a multilayer wiring board was produced in the same manner as in the wiring layer forming method and the insulating film forming method of Example 3.

【0214】〔実施例3−F〕図2(c)の構造の、層
間接続スルーホールを有し、表層導体がパターニングさ
れていない両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基
板を用い、実施例3と同様にして、層間接続スルーホー
ル内を絶縁膜で充填し、導体上面を露出させた。つい
で、この上にレジストを成膜してビア導体用の抜きパタ
ーンを形成し、このレジストの溝内に電気銅めっき法に
よりビア導体を充填して、レジストを剥離した。しかる
後、この上にレジストを成膜して表層導体の所望の位置
に残しパターンを形成し、表層導体を塩化第2銅系エッ
チャントでパターニングし、レジストを剥離した。そし
て、以後、これをベース基板にして実施例3と同様にし
て多層配線基板を作製した。
[Embodiment 3-F] A double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having an interlayer connection through hole and having a non-patterned surface layer conductor, having the structure of FIG. Then, the interlayer connection through hole was filled with an insulating film to expose the upper surface of the conductor. Then, a resist was formed thereon to form a via conductor removal pattern, the via conductor was filled in the groove of the resist by an electrolytic copper plating method, and the resist was peeled off. After that, a resist was formed thereon to leave a pattern on the surface layer conductor at a desired position to form a pattern, and the surface layer conductor was patterned with a cupric chloride-based etchant, and the resist was peeled off. Then, thereafter, using this as a base substrate, a multilayer wiring substrate was manufactured in the same manner as in Example 3.

【0215】〔実施例3−G〕図2(c)の構造の、層
間接続スルーホールを有し、表層導体がパターニングさ
れていない両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基
板を用い、実施例3と同様にして、層間接続スルーホー
ル内を絶縁膜で充填し、導体上面を露出させた。
[Embodiment 3-G] A double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having an interlayer connection through hole and a non-patterned surface-layer conductor having the structure of FIG. Then, the interlayer connection through hole was filled with an insulating film to expose the upper surface of the conductor.

【0216】ついで、この上にレジストを成膜して表層
導体の所望の位置に残しパターンを形成し、表層導体を
塩化第2銅系エッチャントでパターニングし、レジスト
を剥離した。しかる後、この上にレジストを成膜してビ
ア導体用の抜きパターンを形成し、このレジストの溝内
に無電解銅めっき法によりビア導体を充填して、レジス
トを剥離した。そして、以後、これをベース基板にして
実施例3と同様にして多層配線基板を作製した。
Then, a resist was formed on this, a pattern was formed by leaving a desired position on the surface layer conductor, the surface layer conductor was patterned with a cupric chloride etchant, and the resist was peeled off. After that, a resist was formed thereon to form a blank pattern for a via conductor, the via conductor was filled in the groove of the resist by an electroless copper plating method, and the resist was peeled off. Then, thereafter, using this as a base substrate, a multilayer wiring substrate was manufactured in the same manner as in Example 3.

【0217】〔実施例3−H〕図2(c)の構造の、層
間接続スルーホールを有し、表層導体がパターニングさ
れていない両面銅張りガラスポリイミドプリント配線基
板を用い、実施例3と同様にして、層間接続スルーホー
ル内を絶縁膜で充填し、導体上面を露出させた。つい
で、この上に無電解銅めっき法にて導体を18μm形成
し、次いで、この上にレジストを成膜して表層導体の所
望の位置に残しパターンを形成し、表層導体を塩化第2
銅系エッチャントでパターニングして、レジストを剥離
した。しかる後、この上にレジストを成膜してビア導体
用の抜きパターンを形成し、このレジストの溝内に無電
解銅めっき法によりビア導体を充填して、レジストを剥
離した。そして、以後、これをベース基板にして実施例
3と同様にして多層配線基板を作製した。
[Embodiment 3-H] A double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board having the structure of FIG. Then, the interlayer connection through hole was filled with an insulating film to expose the upper surface of the conductor. Then, a conductor of 18 μm is formed thereon by an electroless copper plating method, and then a resist is formed on the conductor to leave a pattern on a desired position of the surface layer conductor to form a pattern.
The resist was peeled off by patterning with a copper-based etchant. After that, a resist was formed thereon to form a blank pattern for a via conductor, the via conductor was filled in the groove of the resist by an electroless copper plating method, and the resist was peeled off. Then, thereafter, using this as a base substrate, a multilayer wiring substrate was manufactured in the same manner as in Example 3.

【0218】〔実施例4〕ベース基板として、層間接続
スルーホールの導体またはパターニングされた表層導体
の少なくとも一つと接続するビア導体が設けられた両面
銅張りガラスポリイミドプリント配線基板を実施例3と
同様にして作製する。
[Embodiment 4] A double-sided copper-clad glass-polyimide printed wiring board provided with a via conductor connected to at least one of a conductor of an interlayer connection through hole or a patterned surface conductor is used as a base substrate as in Embodiment 3. And make.

【0219】次ぎに、電気めっき法により厚さ3μmの
銅箔をステンレス(厚さ500μm)に形成する。そし
て、基板の配線層導体の表面とステンレス上の銅箔表面
を亜塩素酸ナトリウム31g/l、水酸化ナトリウム1
5g/l、りん酸ナトリウム12g/lの組成の処理液
で95℃2分間、黒化処理した。
Next, a copper foil having a thickness of 3 μm is formed on stainless steel (thickness of 500 μm) by electroplating. Then, the surface of the wiring layer conductor of the substrate and the surface of the copper foil on stainless steel were treated with sodium chlorite 31 g / l and sodium hydroxide 1
Blackening treatment was carried out at 95 ° C. for 2 minutes with a treatment liquid having a composition of 5 g / l and sodium phosphate 12 g / l.

【0220】次いで、上記銅箔とフッ素系ポリマーシー
トとの間に実施例3で使用したエポキシ樹脂組成物を挾
み、実施例3と同様に、静水圧下、70℃で溶融し、フ
ッ素系ポリマーシートを剥がした。
Then, the epoxy resin composition used in Example 3 was sandwiched between the copper foil and the fluoropolymer sheet and melted at 70 ° C. under hydrostatic pressure in the same manner as in Example 3 to give a fluoropolymer composition. The polymer sheet was peeled off.

【0221】そして、ステンレスと銅箔とエポキシ樹脂
組成物の積層体を基板の両配線層側に置き、金型(フッ
素系ポリマーでコーティングされた表面粗さ1μm以下
の表面を持つ)中に装着した。
Then, a laminate of stainless steel, copper foil and epoxy resin composition was placed on both wiring layer sides of the substrate and mounted in a mold (having a surface roughness of less than 1 μm coated with a fluoropolymer). did.

【0222】次ぎに、実施例3と同様の工程を経て、上
記エポキシ樹脂組成物を硬化し、ステンレスを剥がした
後、基板の銅箔上にビア導体の上部に位置合わせして穴
開け加工したドライフィルムレジスト(厚さ25μm)
を形成し、穴底部の銅箔を塩化第2銅系エッチャントで
エッチング除去した。
Next, after the same steps as in Example 3 were carried out to cure the epoxy resin composition and peel off the stainless steel, the copper foil of the substrate was aligned with the upper portion of the via conductor and punched. Dry film resist (thickness 25 μm)
Was formed, and the copper foil at the bottom of the hole was removed by etching with a cupric chloride-based etchant.

【0223】除去部には、ビア導体の上面が露出した所
と露出していない所があったので、レジストを剥離し、
実施例3と同様の過マンガン酸系エッチング液により絶
縁膜を約1μmエッチバックしてビア導体の上面を完全
に露出させた。
In the removed portion, there were portions where the upper surface of the via conductor was exposed and portions where it was not exposed. Therefore, the resist was peeled off.
The insulating film was etched back by about 1 μm using the same permanganate-based etching solution as in Example 3 to completely expose the upper surface of the via conductor.

【0224】そして、ビア導体上面、ビア導体周辺部の
絶縁層上面を含む上面全面に市販の第2すずイオン−パ
ラジウム系活性化触媒液と硫酸銅−水酸化ナトリウム−
ホルマリン−EDTA系めっき液を用いて無電解銅めっ
き膜(厚さ0.5μm)を形成した。
Then, a commercially available second tin ion-palladium-based activating catalyst liquid and copper sulfate-sodium hydroxide-was formed on the entire upper surface including the upper surface of the via conductor and the insulating layer around the via conductor.
An electroless copper plating film (thickness 0.5 μm) was formed using a formalin-EDTA-based plating solution.

【0225】しかる後は、実施例3と同様にして、水平
配線導体と垂直ビア導体とから成る配線層を形成し、さ
らに、上記絶縁膜形成から配線層形成を再度繰り返した
後、絶縁膜を形成し、最後に、最上層の配線層を形成し
て、図13と同様の多層配線基板を作製した。なお、水
平配線導体の幅は50μm、高さは18μmで最小ピッ
チは100μm、垂直ビア導体は50×50μm、高さ
18μmに形成した。
Thereafter, in the same manner as in Example 3, a wiring layer consisting of horizontal wiring conductors and vertical via conductors was formed, and after the above-mentioned insulating film formation and wiring layer formation were repeated again, an insulating film was formed. After the formation, finally, the uppermost wiring layer was formed to manufacture a multilayer wiring board similar to that shown in FIG. The width of the horizontal wiring conductor was 50 μm, the height was 18 μm, the minimum pitch was 100 μm, the vertical via conductor was 50 × 50 μm, and the height was 18 μm.

【0226】〔実施例4−A−1〕ステンレスに形成し
た厚さ3μmの銅箔の片面に黒化処理を施し、実施例3
のエポキシ樹脂組成物を溶融固着してフィルム状にした
積層体を用いて、実施例4と同様にして多層配線基板を
作製した。
[Example 4-A-1] A blackening treatment was applied to one surface of a copper foil with a thickness of 3 µm formed on stainless steel, and Example 3 was performed.
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 4 by using the laminate obtained by melting and fixing the epoxy resin composition of Example 1 to form a film.

【0227】〔実施例4−A−2〕ステンレスに形成し
た厚さ5μmの銅箔の片面に機械研磨処理を施し、実施
例3のエポキシ樹脂組成物を溶融固着してフィルム状に
した積層体を用いて、実施例4と同様にして多層配線基
板を作製した。
[Example 4-A-2] A laminate obtained by mechanically polishing one surface of a copper foil having a thickness of 5 µm formed on stainless steel, and melt-fixing the epoxy resin composition of Example 3 into a film. A multilayer wiring board was manufactured in the same manner as in Example 4.

【0228】〔実施例4−A−3〕片面に黒化処理を施
した厚さ5μmの銅箔を用い、実施例4と同様にして多
層配線基板を作製した。
[Example 4-A-3] A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 4 except that a copper foil having a thickness of 5 µm and having one surface blackened was used.

【0229】〔実施例5〕図20は、本発明の他の一実
施例に係る多層配線基板およびその製造方法の工程を示
す説明図である。図20において、穴埋めされた層間接
続スル−ホ−ルの導体と前記導体に接続されるビア導体
が設けられた両面プリント配線板の製造方法を説明す
る。
[Embodiment 5] FIG. 20 is an explanatory view showing steps of a multilayer wiring board and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 20, a method of manufacturing a double-sided printed wiring board provided with a buried interlayer conductor and a via conductor connected to the conductor will be described.

【0230】図20において、まず、図20(a)に示
されるような両面の信号層を接続する貫通めっきスル−
ホ−ル2001と裏面の電源層との接続をとる2種類の
貫通めっきスル−ホ−ル2002,2003とを有し、
両面の銅がパタ−ニングされたガラスポリイミド両面プ
リント配線板を基板として用意する。前記プリント配線
板としては、例えばBTレジンのプリント配線板(三菱
瓦斯化学(株)製)や高耐熱性エポキシ樹脂を用いたプ
リント配線板にて差し支えない。
In FIG. 20, first, as shown in FIG. 20 (a), a through-plating solder for connecting signal layers on both sides is connected.
It has two kinds of through-plated through-holes 2002 and 2003 for connecting the hole 2001 and the power supply layer on the back surface,
A glass polyimide double-sided printed wiring board having copper patterns on both sides is prepared as a substrate. The printed wiring board may be, for example, a printed wiring board of BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) or a printed wiring board using a high heat resistant epoxy resin.

【0231】次に、上記両面プリント配線板の両面にド
ライフィルムレジストを形成し、露光・現像により表層
導体やスル−ホ−ルランド上の所定位置にレジストの抜
きパタ−ンを形成する。そして、図20(b)に示すご
とく無電解銅めっきにて抜きパタ−ンの溝内に垂直ビア
導体2004を形成してレジストを剥離し、基板B3
形成する。
Next, a dry film resist is formed on both sides of the above double-sided printed wiring board, and a resist removal pattern is formed at a predetermined position on the surface layer conductor or through hole land by exposure and development. Then, as shown in FIG. 20B, a vertical via conductor 2004 is formed in the groove of the extraction pattern by electroless copper plating and the resist is peeled off to form a substrate B 3 .

【0232】さらに、溶剤を含まない流動性高分子前駆
体、例えば4官能エポキシ樹脂エピクロンEXA470
0(大日本インキ化学工業(株)製商品名)とフェノ−
ル樹脂バ−カムTD−2131((株)大日本インキ化
学工業(株)製商品名)65phrとからなるフィルム
状組成物2005を形成する。前記基板B3の両面に前
記フィルム状組成物2005を配置し、この状態にて前
記基板B3は、テフロンコ−ティング加工が施してある
金型104の間に挿入される。
Furthermore, a solvent-free fluid polymer precursor, for example, tetrafunctional epoxy resin Epicron EXA470.
0 (trade name of Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) and phenol
A film-form composition 2005 is formed from 65 phr of resin resin bar cam TD-2131 (trade name, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.). The film composition 2005 is arranged on both sides of the substrate B 3 , and in this state, the substrate B 3 is inserted between the molds 104 which have been subjected to the Teflon coating process.

【0233】次いで、前記金型104を70℃に加熱し
て上記フィルム状組成物2005を溶融させる。さら
に、前記金型104と前記基板B3との空間Sのガス体
を排気し、前記空間の真空度を約20torrにし、そ
のまま約7分間保持する。このようにして、図20
(d)に示されるように、上記組成物2005が表層導
体間隙および貫通スル−ホ−ル2001,2002,2
003内に充填される。
Then, the die 104 is heated to 70 ° C. to melt the film composition 2005. Further, the gas body in the space S between the mold 104 and the substrate B 3 is exhausted, the degree of vacuum in the space is set to about 20 torr, and the space is maintained for about 7 minutes. In this way, FIG.
As shown in (d), the composition 2005 has a surface layer conductor gap and through-hole through holes 2001, 2002, and 2.
It is filled in 003.

【0234】そして、前記金型104と前記基板B3
の前記空間Sの圧力を大気圧に戻し、上下方向には圧縮
圧力5kgf/cm2、横方向には空気圧5kgf/c
2を加圧し、5分のちに前記金型104を70℃から
200℃まで昇温(昇温速度;70℃/分)し、その状
態を30分間保持する。さらに、次いで、前記金型10
4を取り除き、常圧下にて220℃、60分加熱する。
Then, the pressure in the space S between the die 104 and the substrate B 3 is returned to atmospheric pressure, the compression pressure is 5 kgf / cm 2 in the vertical direction, and the air pressure is 5 kgf / c in the horizontal direction.
m 2 is pressurized, and after 5 minutes, the die 104 is heated from 70 ° C. to 200 ° C. (heating rate; 70 ° C./min), and that state is maintained for 30 minutes. Further, then, the mold 10
Remove 4 and heat at 220 ° C. for 60 minutes under normal pressure.

【0235】図20(e)に示されるように、平坦、か
つ、ボイド、ピンホ−ルがなく、物性の均一な絶縁層2
006が形成され、基板B2が作成される。このように
して作成された前記基板B2は、その垂直ビア導体20
04の上面において導体が露出されている場所と露出さ
れていない場所とを生ずる。
As shown in FIG. 20 (e), the insulating layer 2 is flat and has no voids or pinholes and has uniform physical properties.
006 is formed, and the substrate B 2 is created. The substrate B 2 thus prepared has its vertical via conductors 20
There are places where the conductor is exposed and places where the conductor is not exposed on the upper surface of 04.

【0236】そこで、前記基板B2を100℃に加熱
し、O3雰囲気中において紫外線を20分間照射し、前
記絶縁膜2006をエッチバックし、垂直ビア導体の上
面を完全に露出させる。このようにして、図20(f)
に示される基板B1を作成する。そして、図20(f)
に示される前記基板B1の平坦性をさらに良くするため
に、露出した垂直ビア導体の上面を研磨し、図20
(g)に示される完全に平坦な両面プリント配線板Bが
得られる。
Therefore, the substrate B 2 is heated to 100 ° C. and irradiated with ultraviolet rays for 20 minutes in an O 3 atmosphere to etch back the insulating film 2006 to completely expose the upper surface of the vertical via conductor. In this way, FIG.
Substrate B 1 shown in FIG. Then, FIG. 20 (f)
In order to further improve the flatness of the substrate B 1 shown in FIG.
The completely flat double-sided printed wiring board B shown in (g) is obtained.

【0237】上記モ−ルドの圧力、温度等の条件は一例
を示したものであり、一般に、真空度は20Torr以
下、圧力は20kgf/cm2以下が望ましい。また、
上下方向の圧縮圧力は横方向からの圧力よりも大きいか
あるいはすくなくとも等しいことが望ましく、その差は
10kgf/cm2以下であるとさらに良い結果が得ら
れる。上記絶縁膜2006のエッチバックの方法とし
て、酸素プラズマアッシングや研磨等を実施しても差し
支えない。
The conditions such as the pressure and temperature of the mold are shown as an example, and it is generally desirable that the degree of vacuum is 20 Torr or less and the pressure is 20 kgf / cm 2 or less. Also,
It is desirable that the compressive pressure in the vertical direction is greater than or at least equal to the pressure in the lateral direction, and if the difference is 10 kgf / cm 2 or less, even better results are obtained. As a method of etching back the insulating film 2006, oxygen plasma ashing or polishing may be performed.

【0238】〔実施例6〕図21は、本発明のまた他の
一実施例に係る多層配線基板およびその製造方法の工程
を示す説明図である。実施例5の図20(g)に示され
ると同様の両面プリント配線板Bを作成した。図21
(a)に示すように、実施例5のプロセスにおける図2
0(a)に示される両面プリント配線板と同様の基板を
用意する。図20(a)における両面プリント配線板の
基板については、実施例5において詳細説明したので再
度の説明は省略する。
[Embodiment 6] FIG. 21 is an explanatory view showing steps of a multilayer wiring board and a method of manufacturing the same according to still another embodiment of the present invention. A double-sided printed wiring board B similar to that shown in FIG. 20 (g) of Example 5 was prepared. Figure 21
As shown in (a), FIG.
A substrate similar to the double-sided printed wiring board shown in 0 (a) is prepared. Since the substrate of the double-sided printed wiring board in FIG. 20A has been described in detail in the fifth embodiment, the description thereof will be omitted.

【0239】前記基板を実施例5の図20(c)から図
20(d)の工程と同様にして、溶剤を含まない流動性
高分子前駆体を用い、そのフィルム状組成物2005を
前記基板の両面に配置する。前記挾着物を含む前記基板
は、テフロンコ−ティング加工が施してある金型104
の間に挿入される。
In the same manner as in the steps of FIGS. 20 (c) to 20 (d) of Example 5, a solvent-free fluid polymer precursor was used as the substrate, and the film-like composition 2005 was applied to the substrate. Place on both sides of. The substrate including the clinging material has a Teflon-coated mold 104.
Inserted between.

【0240】次いで、実施例5と同様、前記金型104
を一定時間、一定温度に加熱して上記フィルム状組成物
2005を溶融させ、さらに、前記金型104と前記基
板との空間Sのガス体を排気する。また、前記空間は一
定の真空度に所定時間保持される。このようにして、上
記フィルム状組成物2005が表層導体間隙および貫通
スル−ホ−ル内に充填される。図21(c)に示される
ような基板B6が作成される。
Then, as in the fifth embodiment, the mold 104 is used.
Is heated to a constant temperature for a certain period of time to melt the film composition 2005, and the gas in the space S between the mold 104 and the substrate is exhausted. Further, the space is kept at a constant degree of vacuum for a predetermined time. In this way, the film-like composition 2005 is filled in the surface-layer conductor gap and the through-hole. A substrate B 6 as shown in FIG. 21C is created.

【0241】次に、実施例5と同様、上記両面プリント
配線板の両面にドライフィルムレジストを形成し、露光
・現像により表層導体やスル−ホ−ルランド上の所定の
位置にレジストの抜きパタ−ンを形成する。そして、図
21(d)に示すごとく無電解銅めっきにて抜きパタ−
ンの溝内に垂直ビア導体2004を形成してレジストを
剥離し、基板B5を形成する。
Next, as in the fifth embodiment, dry film resists are formed on both sides of the double-sided printed wiring board, and a resist removal pattern is formed at predetermined positions on the surface conductors and through-hole lands by exposure and development. Form Then, as shown in FIG. 21 (d), the pattern is removed by electroless copper plating.
A vertical via conductor 2004 is formed in the groove of the groove and the resist is peeled off to form a substrate B 5 .

【0242】前記基板B5を再度、金型104間に挿入
し、実施例5と上述の場合と同様に、図21(e)、
(f)に示すごとく、モ−ルドを実施する。上記フィル
ム状組成物2005が垂直ビア導体2004間隙内に充
填される。実施例6における上述の2回のモ−ルドの条
件は、実施例5と同一にて差し支えない。
The substrate B 5 is again inserted between the molds 104, and as in the fifth embodiment and the case described above, as shown in FIG.
As shown in (f), a mold is implemented. The film-like composition 2005 is filled in the gap between the vertical via conductors 2004. The conditions of the above-mentioned two-time molding in the sixth embodiment may be the same as in the fifth embodiment.

【0243】次いで、前記金型104を取り除き、常圧
にて加熱すると図21(g)に示されるように、平坦、
かつ、ボイド、ピンホ−ルがなく、物性の均一な絶縁膜
2006が形成され、基板B4が作成される。このよう
にして作成された前記基板B4は、実施例5と同様、そ
の垂直ビア導体2004の上面には導体が露出されてい
たり、露出されていなかったり、不完全である。そのた
め、前記絶縁膜2006を加熱し、O3雰囲気中におけ
る紫外線による絶縁膜2006をエッチバックし、垂直
ビア導体2004の上面を完全に露出させ、さらに、そ
の上面を研磨し、図21(h)に示す図20(g)と同
様な完全な両面プリント配線板Bが得られる。
Then, the mold 104 is removed and heated at normal pressure, as shown in FIG.
In addition, the insulating film 2006 having no voids and pinholes and uniform physical properties is formed, and the substrate B 4 is formed. In the substrate B 4 thus produced, the conductor is exposed or not exposed on the upper surface of the vertical via conductor 2004 as in the case of the fifth embodiment, or is incomplete. Therefore, the insulating film 2006 is heated, the insulating film 2006 is etched back by ultraviolet rays in an O 3 atmosphere, the upper surface of the vertical via conductor 2004 is completely exposed, and the upper surface is polished, as shown in FIG. A complete double-sided printed wiring board B similar to that shown in FIG.

【0244】〔実施例7〕次に、本発明のさらに他の一
実施例を説明する。図22は、本発明のさらに他の一実
施例に係る多層配線基板およびその製造方法の工程を示
す説明図である。本実施例では、実施例5の図20
(g)と同様の両面プリント配線板を作成した。図22
(a)に示すごとく、両面の信号層を接続する貫通めっ
きスル−ホ−ル2001と裏面の電源層と接続される2
種類の貫通めっきスル−ホ−ル2002、2003とを
有し、両面の銅がパタ−ニングされていないガラスポリ
イミド両面プリント配線板を用意する。
[Embodiment 7] Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 22 is an explanatory view showing the steps of a multilayer wiring board and a method of manufacturing the same according to still another embodiment of the present invention. In the present embodiment, FIG.
A double-sided printed wiring board similar to (g) was prepared. FIG. 22
As shown in (a), the through-plated through-hole 2001 for connecting the signal layers on both sides and the power source layer on the back surface 2 are connected.
A glass-polyimide double-sided printed wiring board having two types of through-plated through-holes 2002 and 2003 and having copper on both sides not patterned is prepared.

【0245】実施例5、実施例6と同様に金型104を
使用し、同様に高分子前駆体のフイルム状組成物200
5を用い、モ−ルドを行なう。貫通スル−ホ−ル200
1,2002,2003が有機系高分子の絶縁膜200
6により充填された図22(c)に示される基板B9
形成される。
A mold 104 is used in the same manner as in Examples 5 and 6, and a film precursor composition 200 of a polymer precursor is similarly used.
5 is used to carry out the molding. Through Thru Hole 200
1, 2002 and 2003 are organic polymer insulating films 200
The substrate B 9 shown in FIG. 22 (c) filled with 6 is formed.

【0246】次いで、実施例5、実施例6と同様に表層
導体やスル−ホ−ルランド上の所定の位置に垂直ビア導
体2004を形成して図22(d)に示される基板B8
がえられる。次に、前記基板B8の両面にエッチングレ
ジストを形成し、露光・現像によりレジストの残しパタ
−ンを形成した後、表層導体を所定のパタ−ンにエッチ
ングし、レジストを剥離することにより、図22(e)
に示される基板B7とした。
Then, as in the fifth and sixth embodiments, a vertical via conductor 2004 is formed at a predetermined position on the surface layer conductor or through-hole land to form a substrate B 8 shown in FIG.
Can be obtained. Then, an etching resist is formed on both surfaces of the substrate B 8, leaving patterns in the resist by exposure and development - after forming a down, the surface layer conductor predetermined pattern - by etching to down, the resist is peeled off, FIG. 22 (e)
Substrate B 7 shown in FIG.

【0247】しかるのち、再度、金型104と高分子前
駆体2005とを用い、図22(f)、図22(g)に
示すごとくモ−ルドを行なう。次いで、紫外線による絶
縁膜2006のエッチバック、垂直ビア導体2004の
上面の研磨等を施すが、実施例5、実施例6と同様であ
るので、詳細な説明は省略する。実施例5における図2
0(g)、実施例6における図21(h)に示すと同様
の図22(h)に示される両面プリント配線板Bが得ら
れた。
Then, the mold 104 and the polymer precursor 2005 are used again to carry out the molding as shown in FIGS. 22 (f) and 22 (g). Then, the insulating film 2006 is etched back by ultraviolet rays, the upper surface of the vertical via conductor 2004 is polished, and the like, but the detailed description is omitted because it is the same as in the fifth and sixth embodiments. FIG. 2 in Example 5
0 (g), a double-sided printed wiring board B shown in FIG. 22 (h) similar to that shown in FIG. 21 (h) in Example 6 was obtained.

【0248】〔実施例8〕次に、本発明のさらに他の一
実施例を説明する。図23は、本発明のさらに他の一実
施例に係る多層配線基板およびその製造方法の工程を示
す説明図である。本実施例は、実施例5の図20
(g)、実施例6の図21(h)、実施例7の図22
(h)に示される両面プリント配線板B、すなわち、穴
埋めされた層間接続スル−ホ−ルの導体と前記導体に接
続されるビア導体が設けられた両面プリント配線板を用
い、この面上に薄膜多層配線層を形成された多層配線基
板およびその製造方法を説明する。
[Embodiment 8] Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 23 is an explanatory view showing the steps of a multilayer wiring board and its manufacturing method according to still another embodiment of the present invention. This embodiment is similar to FIG. 20 of the fifth embodiment.
(G), FIG. 21 (h) of the sixth embodiment, FIG. 22 of the seventh embodiment
A double-sided printed wiring board B shown in (h), that is, a double-sided printed wiring board provided with a conductor of a buried interlayer connection through hole and a via conductor connected to the conductor, is used on this surface. A multilayer wiring board having a thin film multilayer wiring layer and a method for manufacturing the same will be described.

【0249】図23(a)に示される図20(g)に示
される両面プリント配線板Bを基板とし、この基板上に
0.5〜0.8μmのCr/Cu/Crとを積層したス
パッタ膜から成る下地金属膜(図示せず)を成膜する。
次に、前記下地金属膜上にレジスト膜を形成し、所定の
水平配線導体用抜きパタ−ンを形成させる。前記抜きパ
タ−ンの溝内Crをエッチングにより除去してCuを露
出させ、下地電極とし電気めっきを施し、レジスト膜厚
と同程度の高さの水平配線導体2007を形成した。
The double-sided printed wiring board B shown in FIG. 23A and FIG. 20G is used as a substrate, and Cr / Cu / Cr having a thickness of 0.5 to 0.8 μm is laminated on this substrate. A base metal film (not shown) made of a film is formed.
Next, a resist film is formed on the underlying metal film to form a predetermined horizontal wiring conductor removal pattern. Cr in the groove of the punched pattern was removed by etching to expose Cu, and electroplating was performed as a base electrode to form a horizontal wiring conductor 2007 having a height approximately the same as the resist film thickness.

【0250】さらに、同様の手法により、前記水平配線
導体を下地電極にして垂直ビア導体を所定位置に形成
し、そして、水平配線導体2007と垂直ビア導体20
04との形成に使用したレジストを剥離し、上面に導体
を形成していない上記Cr/Cu/Crの積層スパッタ
膜をエッチング除去して、図23(b)に示されている
水平配線導体2007と垂直ビア導体2008とが形成
されている基板M3を得た。
Further, by the same method, a vertical via conductor is formed at a predetermined position by using the horizontal wiring conductor as a base electrode, and the horizontal wiring conductor 2007 and the vertical via conductor 20 are formed.
04, the resist used for the formation of No. 04 is peeled off, and the Cr / Cu / Cr laminated sputtered film having no conductor formed on the upper surface thereof is removed by etching to form the horizontal wiring conductor 2007 shown in FIG. A substrate M 3 on which the vertical via conductor 2008 and the vertical via conductor 2008 are formed is obtained.

【0251】次いで、実施例5、実施例6において施し
た金型104と高分子前駆体のフイルム状組成物200
5によるモ−ルド工程(図示せず)により前記導体20
07,2008間隙間に絶縁膜2006が充填される。
このようにして、図23(c)に示される基板M2が得
られる。
Next, the film composition 200 of the mold 104 and the polymer precursor applied in Examples 5 and 6 was used.
The conductor 20 by a molding process (not shown) according to FIG.
The insulating film 2006 is filled between the gaps 07 and 2008.
In this way, the substrate M 2 shown in FIG. 23 (c) is obtained.

【0252】上記工程を繰り返し積層を行なうと、図2
3(d)に示される多層基板M1が得られる。そして、
上記と同様にして、前記基板M1の最上層に導体層20
09を形成し、感光性のソルダ−レジスト2010を形
成して図23(e)に示される多層配線基板Mが得られ
る。
When the above steps are repeated to carry out lamination, FIG.
The multilayer substrate M 1 shown in 3 (d) is obtained. And
Similarly to the above, the conductor layer 20 is formed on the uppermost layer of the substrate M 1.
09, and a photosensitive solder resist 2010 is formed to obtain a multilayer wiring board M shown in FIG.

【0253】〔実施例9〕次に、本発明のさらに他の一
実施例を説明する。上記各実施例においては、実施例8
においては、基板としての両面プリント配線板として、
実施例5から実施例7の、例えばBTレジンのプリント
配線板(三菱瓦斯化学(株)製)や高耐熱性エポキシ樹
脂を用いた両面プリント配線板が使用されたが、前記エ
ポキシ樹脂組成物にかえて、ベンゾシクロブテン系絶縁
材料を貫通スル−ホ−ルの穴埋め材として使用した両面
プリント配線板を用いても差し支えなく、その実施例を
説明する。
[Embodiment 9] Next, still another embodiment of the present invention will be described. In each of the above embodiments, the eighth embodiment
In, as a double-sided printed wiring board as a substrate,
A printed wiring board of BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) or a double-sided printed wiring board using a high heat resistant epoxy resin of Example 5 to Example 7 was used. Alternatively, a double-sided printed wiring board using a benzocyclobutene-based insulating material as a filling material for a through-hole may be used, and an example thereof will be described.

【0254】前記実施例8と同様であるので図23を参
照して説明する。上記ベンゾシクロブテン系絶縁材料と
して、180℃で5時間加熱してオリゴマ−化したシス
ビスベンゾシクロブテニルエテンを室温にて金型にロ−
ルコ−トして作成した膜を用いる。図23の実施例8と
同様にして、抜きパタ−ンの形成、モ−ルド、エッチバ
ック、上面研磨等の工程を経て、さらに、実施例8の工
程を経て図23(e)に示されると多層配線基板Mを形
成することができる。なお、上記ベンゾシクロブテン系
材料は室温で粘稠な液体であるので、加熱することなく
室温で導体間隙に充填し、モ−ルドは、金型内で実施例
8と同様の圧力下、250℃、1時間の条件で実施す
る。
Since it is the same as the eighth embodiment, it will be described with reference to FIG. As the benzocyclobutene-based insulating material, cisbisbenzocyclobutenylethene oligomerized by heating at 180 ° C. for 5 hours was rolled in a mold at room temperature.
A film prepared by rutting is used. Similar to the eighth embodiment shown in FIG. 23, the steps of forming a relief pattern, molding, etch back, polishing the upper surface, etc. are performed, and further, the steps of the eighth embodiment are performed, as shown in FIG. Thus, the multilayer wiring board M can be formed. Since the above-mentioned benzocyclobutene-based material is a viscous liquid at room temperature, the conductor gap was filled at room temperature without heating, and the mold was placed in a mold under the same pressure as in Example 8 at 250 ° C. It is carried out under the condition of 1 ° C for 1 hour.

【0255】〔実施例10〕次に、本発明のさらに他の
一実施例を説明する。上記各実施例においては、実施例
8の基板としての両面プリント配線板として、例えばB
Tレジンのプリント配線板(三菱瓦斯化学(株)製)や
高耐熱性エポキシ樹脂を用いたプリント配線板が使用さ
れたが、前記エポキシ樹脂組成物にかえて、ビスマレイ
ミド/シアン酸エステル系絶縁材料として、BT−33
09T(三菱瓦斯化学(株)製商品名)を貫通スル−ホ
−ルの穴埋め材として用いても差し支えなく、その実施
例を説明する。前記実施例8と同様であるので図23を
参照して説明する。
[Embodiment 10] Next, still another embodiment of the present invention will be described. In each of the above embodiments, as a double-sided printed wiring board as the substrate of the eighth embodiment, for example, B
A printed wiring board made of T resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) or a printed wiring board made of a high heat resistant epoxy resin was used. Instead of the epoxy resin composition, a bismaleimide / cyanate ester insulation was used. As a material, BT-33
An example will be described, although 09T (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) may be used as a filling material for the through-hole through hole. Since it is similar to the eighth embodiment, it will be described with reference to FIG.

【0256】前記ビスマレイミド/シアン酸エステル系
絶縁材料として、BT−3309T(三菱瓦斯化学
(株)製商品名)を用い、実施例8、実施例9と同様に
して、図23(e)と同様の基板Mを形成した。なお、
上記BT−3309Tは、50℃にて溶融されて導体間
隙に充填し、モ−ルドは金型内で実施例8、実施例9と
同様の圧力下、150℃、1時間の条件で実施した。
As the bismaleimide / cyanate ester-based insulating material, BT-3309T (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) was used, and in the same manner as in Example 8 and Example 9, as shown in FIG. A similar substrate M was formed. In addition,
The BT-3309T was melted at 50 ° C. and filled in the conductor gap, and the mold was placed in a mold under the same pressure as in Examples 8 and 9 at 150 ° C. for 1 hour. .

【0257】上記各実施例においては、両面プリント配
線板の両表層導体を2種類の電源層とし、この両面にX
Y信号層2層と、グランドとキャップ層とをかねる1層
形成して成る多層配線基板およびその製造方法について
説明したが、本発明は前記各実施例の層構成、層数に限
定されるものではない。したがって、本各実施例に限ら
ず、上記両面プリント配線板の内層にXY信号層2層を
入れた4層板を用いても差し支えなく、また、両面プリ
ント配線板の片面に薄膜多層配線層を形成しても差し支
えない。
In each of the above-mentioned embodiments, two surface layer conductors of the double-sided printed wiring board are used as two kinds of power source layers, and X is provided on both surfaces.
The multilayer wiring board formed by forming two layers of the Y signal layer and one layer serving also as the ground and the cap layer and the manufacturing method thereof have been described, but the present invention is limited to the layer configuration and the number of layers of each of the embodiments is not. Therefore, the present invention is not limited to the respective embodiments, and it is possible to use a four-layer board in which two XY signal layers are inserted in the inner layer of the above-mentioned double-sided printed wiring board. It can be formed.

【0258】[0258]

【発明の効果】上述したように、本発明の多層配線基板
の製造方法によれば、導体を変形、破壊すること無く、
さらに、平坦でボイドやピンホールがなく、基板全域に
わたって膜厚及び物性の均一な絶縁膜を一度に形成する
ことができた。したがって、プロセスが簡単になり、し
かも、歩留良く、短時間に多層配線基板を製造すること
ができる。
As described above, according to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, without deforming or destroying the conductor,
Furthermore, it was possible to form a flat insulating film having uniform film thickness and physical properties all over the substrate at one time without forming voids or pinholes. Therefore, the process is simplified, the yield is good, and the multilayer wiring board can be manufactured in a short time.

【0259】また、上面を露出させる工程の構成によ
り、絶縁膜の平坦性を保つことができ、さらにその絶縁
膜表面の接着性を確保することができる。またさらに、
研磨工程が非常に簡単で短時間になり、これにより、接
続信頼性を確保した多層配線基板を短時間に製造するこ
とができる。
Further, by the constitution of the step of exposing the upper surface, the flatness of the insulating film can be maintained and the adhesiveness of the surface of the insulating film can be secured. Furthermore,
The polishing process is very simple and takes a short time, which makes it possible to produce a multilayer wiring board with secured connection reliability in a short time.

【0260】また、下地導電膜を形成する工程の構成に
よれば、低コストで接着強度の大きな下地導電膜を簡単
に形成することが可能となった。これにより、絶縁膜と
導体の接着性や導体同士の接続性等、信頼性の良い多層
配線基板を低コストに短時間に製造することができる。
Further, according to the constitution of the step of forming the underlying conductive film, it is possible to easily form the underlying conductive film having a large adhesive strength at low cost. This makes it possible to manufacture a multilayer wiring board having high reliability such as adhesiveness between an insulating film and a conductor and connectivity between conductors at low cost in a short time.

【0261】さらに、汎用の高解像性レジストを用いる
こと、また、レジストの溝に導体をめっきで充填するこ
と等により、厚い導体で微細なビアや配線を形成するこ
とができるようになった。したがって、より高密度な多
層配線基板が提供できるようになった。
Furthermore, by using a general-purpose high resolution resist, and filling a groove of the resist with a conductor, it is possible to form a fine via or wiring with a thick conductor. . Therefore, a higher density multilayer wiring board can be provided.

【0262】加えて、上記製造方法をベース基板の表裏
両面に同時に行なえば、ベース基板の反りを低減できる
ばかりか、工程数の削減、リードタイムの短縮が図れ
る。
In addition, if the above manufacturing method is performed on both the front and back surfaces of the base substrate at the same time, not only the warp of the base substrate can be reduced, but also the number of steps and the lead time can be shortened.

【0263】また材料的にも、本明細書に記載された溶
剤を含まない流動性高分子前駆体によれば、耐熱性、機
械特性、電気特性等の特性に優れた信頼性の高い高密度
多層配線基板を低コストで短リードタイム、高スループ
ットで製造することできる。また、絶縁膜の硬化温度が
低いことが、上記製造方法をプリント配線基板にまで適
用可能にならしめた。
In terms of materials, the fluid polymer precursor containing no solvent described in the present specification has high reliability and high density with excellent properties such as heat resistance, mechanical properties, and electrical properties. A multilayer wiring board can be manufactured at low cost with short lead time and high throughput. Further, the low curing temperature of the insulating film made it possible to apply the above manufacturing method to a printed wiring board.

【0264】以上述べたような、プロセス簡略化、短リ
ードタイム化、信頼性向上、歩留向上、低コスト化の作
用により、全体として、量産性に優れた低コストの高密
度多層配線基板を短時間で製造することができる。
Due to the effects of the process simplification, the shortening of lead time, the improvement of reliability, the improvement of yield and the reduction of cost as described above, a low-cost high-density multilayer wiring board excellent in mass productivity as a whole It can be manufactured in a short time.

【0265】このような多層配線基板の製造方法とする
ことで、プリント配線基板の領域においては従来にない
高密度な多層配線基板が形成可能である。
By adopting such a method for manufacturing a multilayer wiring board, it is possible to form a high density multilayer wiring board which has not been heretofore available in the area of the printed wiring board.

【0266】また、本発明に係る多層配線基板の構造に
よれば、まず、ベースのプリント配線板の貫通めっきス
ルーホールの穴による配線面積のロスがなくなり、この
上に薄膜多層配線層を形成できる。また、最終段階で形
成する貫通めっきスルーホールがないので、ベース基板
上の薄膜多層配線層の配線密度を最大限に引き出せる。
Further, according to the structure of the multilayer wiring board according to the present invention, first, the loss of the wiring area due to the holes of the through-plated through holes of the base printed wiring board is eliminated, and the thin film multilayer wiring layer can be formed thereon. . Further, since there is no through-plated through hole formed at the final stage, the wiring density of the thin film multilayer wiring layer on the base substrate can be maximized.

【0267】しかも、最終段階での貫通めっきスルーホ
ールがなくとも、各導体層の接続が可能である。さらに
また、ビア導体の形状が柱状であるので、高密度配線が
可能になる。また、ビア導体の上部が平坦なためにこの
上に次ぎの柱状のビア導体を形成できる構造であるた
め、他の配線のための面積をロスすることもない。しか
も、これによりサーマルビアも形成できる。
In addition, each conductor layer can be connected without the through plating through hole at the final stage. Furthermore, since the via conductor has a columnar shape, high density wiring is possible. Further, since the via conductor has a flat upper portion, the next columnar via conductor can be formed on the via conductor, so that the area for other wiring is not lost. Moreover, thermal vias can also be formed by this.

【0268】この効果を数量的に計算すると、貫通スル
ーホールやインタースティシャルビアホールで層間接続
をとる通常のプリント配線基板で、格子ピッチを1.2
7mmとし、格子間に2本の配線を形成できるとして計
算した時の配線密度(格子の数、配線長を考慮)を1と
すると、本発明の多層配線基板の製造方法で形成した薄
膜多層配線層は格子ピッチ0.635mmに少なくとも
3本の配線を形成できるので相対配線密度は約3以上と
なる。これは面積を同じとすると通常のプリント配線基
板の信号層数を1/3以下に、逆に、信号層数を同じと
すると面積を1/3以下にすることができる計算にな
り、高密度化とコスト低減の効果が大きい。
Quantitatively calculating this effect, in a normal printed wiring board having interlayer connection with through through holes or interstitial via holes, the grid pitch is 1.2.
If the wiring density (considering the number of grids and the wiring length) is 7 when the wiring density is 7 mm and two wirings can be formed between the grids, the thin-film multilayer wiring formed by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention. Since at least three wirings can be formed in the layer with a grid pitch of 0.635 mm, the relative wiring density is about 3 or more. This is a calculation that can reduce the number of signal layers of a normal printed wiring board to 1/3 or less if the areas are the same, and conversely if the number of signal layers is the same, the area can be reduced to 1/3 or less. Effect of cost reduction and cost reduction.

【0269】これに対して、ビルドアップ法では相対配
線密度は約2となる。また、製造の最終段階で貫通めっ
きスルーホールを形成すると、その面積分の配線をロス
することになる。
On the other hand, in the build-up method, the relative wiring density is about 2. Further, if the through-plated through holes are formed in the final stage of manufacturing, the wiring for that area will be lost.

【0270】このように、本発明の多層配線基板および
その製造方法により、貫通めっきスルーホールの穴があ
るための配線面積のロスをなくすことができた。
As described above, the multilayer wiring board and the method of manufacturing the same according to the present invention can eliminate the loss of the wiring area due to the through-plated through holes.

【0271】さらに、薄膜多層配線層としてもビルドア
ップ法よりもさらに高密度な配線形成が可能となり、多
層配線基板の高密度化と低コストを実現することができ
た。
Further, even as a thin film multilayer wiring layer, wiring can be formed with a higher density than in the build-up method, and higher density and lower cost of the multilayer wiring board can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る多層配線基板の製造方
法を示す工程図である。
FIG. 1 is a process drawing showing a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係るベース基板の形態例を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a form example of a base substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例に係るプリント配線基板の製
造方法を示す工程図(その一)である。
FIG. 3 is a process chart (1) showing a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例に係るプリント配線基板の製
造方法を示す工程図(その二)である。
FIG. 4 is a process diagram (2) showing the method for manufacturing the printed wiring board according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例に係る溶剤を含まない流動性
高分子前駆体の供給時の形態例を示す図である。
FIG. 5 is a view showing an example of the form at the time of supplying a solvent-free fluid polymer precursor according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例に係るベース基板の導体と接
続する他の配線層を形成する方法を示す工程図(その
一)である。
FIG. 6 is a process diagram (No. 1) showing a method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例に係るベース基板の導体と接
続する他の配線層を形成する方法を示す工程図(その
二)である。
FIG. 7 is a process diagram (No. 2) showing the method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例に係るベース基板の導体と接
続する他の配線層を形成する方法を示す工程図(その
三)である。
FIG. 8 is a process diagram (No. 3) showing the method of forming another wiring layer connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例に係るベース基板の配線層を
形成する方法を示す工程図である。
FIG. 9 is a process drawing showing a method of forming a wiring layer of a base substrate according to an embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施例に係る穴埋めされた貫通め
っきスルーホールを有し、ベース基板の導体と接続する
他の配線層を形成する方法を示す工程図(その一)であ
る。
FIG. 10 is a process diagram (No. 1) showing a method of forming another wiring layer having through-hole plated through holes filled with holes and connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施例に係る穴埋めされた貫通め
っきスルーホールを有し、ベース基板の導体と接続する
他の配線層を形成する方法を示す工程図(その二)であ
る。
FIG. 11 is a process diagram (No. 2) showing a method of forming another wiring layer having through-hole plated through holes filled with holes and connected to the conductor of the base substrate according to the embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施例に係る穴埋めされた貫通め
っきスルーホールを有し、ベース基板の導体と接続する
他の配線層を形成する方法を示す工程図(その三)であ
る。
FIG. 12 is a process diagram (third) showing a method of forming another wiring layer having through-hole plated through holes filled with holes and connected to a conductor of a base substrate according to an embodiment of the present invention.

【図13】本発明の一実施例に係る下地導電膜を形成す
る方法の一例を示す工程図である。
FIG. 13 is a process chart showing an example of a method of forming a base conductive film according to an example of the present invention.

【図14】下地導電膜を形成する際の導体箔と金属箔の
関係を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a relationship between a conductor foil and a metal foil when forming a base conductive film.

【図15】本発明の一実施例に係る多層プリント配線基
板の一例を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing an example of a multilayer printed wiring board according to an embodiment of the present invention.

【図16】従来の技術に係る多層配線基板の製造方法の
一例を示す工程図(その一)である。
FIG. 16 is a process drawing (1) showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a conventional technique.

【図17】従来の技術に係る多層配線基板の製造方法の
一例を示す工程図(その二)である。
FIG. 17 is a process diagram (2) showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a conventional technique.

【図18】従来の技術に係る多層プリント配線基板の一
例を示す図(その一)である。
FIG. 18 is a diagram (part 1) illustrating an example of a multilayer printed wiring board according to a conventional technique.

【図19】従来の技術に係る多層プリント配線基板の一
例を示す図(その二)である。
FIG. 19 is a diagram (No. 2) showing an example of a multilayer printed wiring board according to a conventional technique.

【図20】本発明の他の一実施例に係る多層配線基板お
よびその製造方法の工程を示す説明図である。
FIG. 20 is an explanatory view showing the steps of a multilayer wiring board and a method of manufacturing the same according to another embodiment of the present invention.

【図21】本発明のまた他の一実施例に係る多層配線基
板およびその製造方法の工程を示す説明図である。
FIG. 21 is an explanatory view showing the steps of a multilayer wiring board and a method of manufacturing the same according to still another embodiment of the present invention.

【図22】本発明のさらに他の一実施例に係る多層配線
基板およびその製造方法の工程を示す説明図である。
FIG. 22 is an explanatory view showing the steps of a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same according to still another embodiment of the present invention.

【図23】本発明のさらに他の一実施例に係る多層配線
基板およびその製造方法の工程を示す説明図である。
FIG. 23 is an explanatory diagram showing the steps of a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same according to still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…ベース基板 101,108…水平配線導体 102,109…垂直ビア導体 103…溶剤を含まない流動性高分子前駆体 104…金型 105…金型とベース基板との間 106…給排気口 107…絶縁膜 200…貫通めっきスルーホール 201…表層導体 202…ビア導体 203…水平配線導体 204…垂直ビア導体 300…プリント配線基板 301…貫通めっきスルーホール 302…表層導体 303,305…レジスト 304…ビア導体 600…ベース基板 601,606…水平配線導体 602,608…垂直ビア導体 603…絶縁膜 604…下地導電膜 605,607…レジスト 700…ベース基板 701,706…水平配線導体 702…垂直ビア導体 703…絶縁膜 704…下地導電膜 705…レジスト 800…ベース基板 801…水平配線導体 802…垂直ビア導体 803…絶縁膜 804…下地導電膜 805…導体 806…レジスト 900…ベース基板 901…水平配線導体 903…絶縁膜 904…レジスト 905…垂直ビア導体 1000…プリント配線基板 1001…表層導体 1002…絶縁膜 1003,1005…レジスト 1004…垂直ビア導体 1100…プリント配線基板 1101…表層導体 1102…絶縁膜 1103,1104…レジスト 1105…垂直ビア導体 1200…プリント配線基板 1201…表層導体 1202…絶縁膜 1203…導体 1204…レジスト 1301…導体箔 1302…レジスト 1303…無電解めっき膜 1401…導体箔 1402…金属箔 1500…プリント配線基板 1501…層間接続スルーホールの導体 1502…ビア導体 1503…導体パターン層 1504…層間絶縁膜層 1505…ビア導体 1601…基板 1602…下地金属層 1603…レジスト 1604…レジストの溝部分 1605…導体 1606…絶縁層 1701…基板 1702…第1導電層 1703…第2導電層 1704…エポキシ樹脂あるいは半硬化状態のポリイミ
ド 1705…第2導電層の表面 1706…絶縁膜 1707…第3導電層 1800…プリント配線基板表層導体 1801…ビルドアップの導体層 1802…貫通めっきスルーホール 1803…コンフォーマルビア 1901…プリント配線基板 1902,1903,1904,1905…導体層 1906…貫通めっきスルーホール 2001…両面の信号層を接続する貫通めっきスル−ホ
−ル 2002…裏面の電源層との接続をとる貫通めっきスル
−ホ−ル 2003…裏面の電源層との接続をとる貫通めっきスル
−ホ−ル 2004…垂直ビア導体 2005…溶剤を含まない流動性有機系高分子前駆体の
フイルム状組成物 2006…有機系高分子の絶縁膜 2007…水平配線導体 2008…垂直ビア導体 2009…水平配線導体 2010…ソルダ−レジスト S…金型と基板との空間 B…両面プリント配線基板
100 ... Base substrate 101, 108 ... Horizontal wiring conductor 102, 109 ... Vertical via conductor 103 ... Solvent-free fluid polymer precursor 104 ... Mold 105 ... Between mold and base substrate 106 ... Air supply / exhaust port 107 Insulating film 200 ... Through-hole plated through-hole 201 ... Surface layer conductor 202 ... Via conductor 203 ... Horizontal wiring conductor 204 ... Vertical via conductor 300 ... Printed wiring board 301 ... Through-plated through hole 302 ... Surface layer conductor 303, 305 ... Resist 304 ... Via Conductor 600 ... Base substrate 601, 606 ... Horizontal wiring conductor 602, 608 ... Vertical via conductor 603 ... Insulating film 604 ... Base conductive film 605, 607 ... Resist 700 ... Base substrate 701, 706 ... Horizontal wiring conductor 702 ... Vertical via conductor 703 ... Insulating film 704 ... Base conductive film 705 ... Resist 80 ... Base substrate 801 ... Horizontal wiring conductor 802 ... Vertical via conductor 803 ... Insulating film 804 ... Underlying conductive film 805 ... Conductor 806 ... Resist 900 ... Base substrate 901 ... Horizontal wiring conductor 903 ... Insulating film 904 ... Resist 905 ... Vertical via conductor 1000 ... printed wiring board 1001 ... surface layer conductor 1002 ... insulating film 1003, 1005 ... resist 1004 ... vertical via conductor 1100 ... printed wiring board 1101 ... surface layer conductor 1102 ... insulating film 1103, 1104 ... resist 1105 ... vertical via conductor 1200 ... printed wiring board Reference numeral 1201 ... Surface conductor 1202 ... Insulating film 1203 ... Conductor 1204 ... Resist 1301 ... Conductor foil 1302 ... Resist 1303 ... Electroless plating film 1401 ... Conductor foil 1402 ... Metal foil 1500 ... Printed wiring board 1501 ... Interlayer Continued through-hole conductor 1502 ... Via conductor 1503 ... Conductor pattern layer 1504 ... Interlayer insulating film layer 1505 ... Via conductor 1601 ... Substrate 1602 ... Base metal layer 1603 ... Resist 1604 ... Resist groove 1605 ... Conductor 1606 ... Insulating layer 1701 ... Substrate 1702 ... First conductive layer 1703 ... Second conductive layer 1704 ... Epoxy resin or semi-cured polyimide 1705 ... Second conductive layer surface 1706 ... Insulating film 1707 ... Third conductive layer 1800 ... Printed wiring board surface layer conductor 1801 ... Build-up conductor layer 1802 ... Through-hole plating through-hole 1803 ... Conformal via 1901 ... Printed wiring board 1902, 1903, 1904, 1905 ... Conductor layer 1906 ... Through-hole plating through-hole 2001 ... Through-hole plating connecting signal layers on both sides Ru-Hall 2002 ... Through-plated through-hole for connection with back surface power layer 2003 ... Through-plated through-hole for connection with back surface power layer 2004 ... Vertical via conductor 2005 ... Solvent Film-like composition of fluid organic polymer precursor that does not contain 2006 ... Insulating film of organic polymer 2007 ... Horizontal wiring conductor 2008 ... Vertical via conductor 2009 ... Horizontal wiring conductor 2010 ... Solder resist S ... Mold and substrate Space B with double-sided printed wiring board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B32B 31/04 7148−4F C08G 59/40 NKG (72)発明者 京井 正之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 室岡 秀保 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 岩村 亮二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 渡辺 真貴雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Internal reference number FI Technical display location // B32B 31/04 7148-4F C08G 59/40 NKG (72) Inventor Masayuki KYOI Yokohama, Kanagawa Prefecture 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Hitachi, Ltd., Production Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor: Hideho Murooka, 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture, Ltd., Production Engineering Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Ryoji Iwamura, Kanagawa Hitachi, Ltd., Production Engineering Laboratory, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Japan (72) Inventor Makio Watanabe 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa

Claims (51)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多層配線基板の製造方法において、 (1)少なくとも一方の面上に、配線層として水平配線
導体および垂直ビア導体の少なくとも一方を有するベー
ス基板を形成する工程、 (2)前記ベース基板の配線層側に表面の平坦な金型を
設置し、該ベース基板と該金型との間に溶剤を含まない
流動性高分子前駆体を供給する工程、 (3)前記金型と前記ベース基板との間にある気体を排
気する工程、 (4)前記金型を前記ベース基板方向へ移動させて前記
溶剤を含まない流動性高分子前駆体を該ベース基板と該
金型の間に充填し、少なくとも該ベース基板上の隣接す
る導体間隙に該溶剤を含まない流動性高分子前駆体が充
填されるようにする工程、 (5)前記溶剤を含まない流動性高分子前駆体に所定の
静水圧をかける工程、 (6)前記静水圧下において前記溶剤を含まない流動性
高分子前駆体を硬化する工程、 (7)前記水平配線導体または前記垂直ビア導体の上面
を露出させる工程、 (8)前記水平配線導体または前記垂直ビア導体と接続
する別の水平配線導体および垂直ビア導体の少なくとも
一つから成る配線層を形成する工程 の各工程を含む多層配線基板の製造方法において、 前記(1)から(7)の工程をこの工程順におこなうこ
と、 または、前記(1)の工程の後に、少なくとも一回以
上、前記(2)から(8)の工程をこの工程順におこな
い多層化することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。
1. A method for manufacturing a multilayer wiring board, (1) forming a base substrate having at least one of a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor as a wiring layer on at least one surface, (2) the base A step of installing a mold having a flat surface on the wiring layer side of the substrate and supplying a fluid polymer precursor containing no solvent between the base substrate and the mold, (3) the mold and the above Evacuating the gas between the base substrate and (4) moving the mold toward the base substrate so that the solvent-free fluid polymer precursor is present between the base substrate and the mold. Filling, so that at least adjacent conductor gaps on the base substrate are filled with the solvent-free fluid polymer precursor, (5) predetermined to the solvent-free fluid polymer precursor Applying hydrostatic pressure of (6) Curing the solvent-free fluid polymer precursor under the hydrostatic pressure, (7) exposing the upper surface of the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor, (8) the horizontal wiring conductor or the vertical In a method for manufacturing a multilayer wiring board, including the steps of forming a wiring layer including at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to a via conductor, the steps (1) to (7) above are performed. Manufacturing of a multilayer wiring board, characterized in that the steps are performed in this order, or after the step (1), the steps (2) to (8) are performed at least once in this order to form a multilayer. Method.
【請求項2】 上面が露出した水平配線導体または垂直
ビア導体を機械研磨または化学研磨の少なくとも一方に
より導体高さを均一にする研磨工程を請求項1記載の
(7)の工程の後に付加して成る請求項1記載の多層配
線基板の製造方法。
2. A polishing step for making the conductor height uniform by at least one of mechanical polishing and chemical polishing of a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor whose upper surface is exposed is added after the step (7) of claim 1. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 ベース基板の表裏両面に配線層と高分子
層とを同時に形成して行くことを特徴とする請求項1お
よび請求項2記載の多層配線基板の製造方法。
3. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein a wiring layer and a polymer layer are simultaneously formed on both front and back surfaces of the base substrate.
【請求項4】 導体材料として少なくとも銅導体を含む
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3記載のいずれ
かの多層配線基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the conductor material includes at least a copper conductor.
【請求項5】 ベース基板がプリント配線基板、メタル
コア配線基板、セラミック配線基板のいずれかであるこ
とを特徴とする請求項1ないし請求項4記載のいずれか
の多層配線基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the base board is any one of a printed wiring board, a metal core wiring board, and a ceramic wiring board.
【請求項6】 ベース基板がプリント配線基板またはメ
タルコア配線基板であって、該ベース基板が、貫通めっ
きスルーホールを有し、表層導体がパターニングされ、
貫通めっきスルーホールの導体および表層導体の所定位
置に接続するビア導体が設けられたプリント配線基板ま
たはメタルコア配線基板であることを特徴とする請求項
5記載の多層配線基板の製造方法。
6. The base substrate is a printed wiring board or a metal core wiring board, the base substrate has a through-plated through hole, and a surface conductor is patterned.
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, wherein the printed wiring board or the metal core wiring board is provided with via conductors that are connected to predetermined positions of the through-plated through-hole conductor and the surface layer conductor.
【請求項7】 ベース基板がプリント配線基板またはメ
タルコア配線基板であって、該ベース基板が、貫通めっ
きスルーホールを有し、表層導体がパターニングされて
いるプリント配線基板またはメタルコア配線基板である
ことを特徴とする請求項5記載の多層配線基板の製造方
法。
7. The base substrate is a printed wiring board or a metal core wiring board, and the base substrate is a printed wiring board or a metal core wiring board having through-plated through holes and patterned surface conductors. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, characterized in that:
【請求項8】 ベース基板がプリント配線基板またはメ
タルコア配線基板であって、該ベース基板が、貫通めっ
きスルーホールを有し、表層導体がパターニングされて
いないプリント配線基板またはメタルコア配線基板であ
ることを特徴とする請求項5記載の多層配線基板の製造
方法。
8. The base substrate is a printed wiring board or a metal core wiring board, and the base substrate is a printed wiring board or a metal core wiring board which has through-plated through holes and has no surface layer conductor patterned. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, characterized in that:
【請求項9】 貫通めっきスルーホールを有し、表層導
体がパターニングされていないプリント配線基板または
メタルコア配線基板から出発し、 (1)前記基板上の所定位置にレジストの抜きパターン
を形成する工程、 (2)前記レジストの抜きパターン内にビア導体を充填
し、該レジストを剥離する工程、 (3)前記表層導体または前記ビア導体上にレジストの
残しパターンを形成する工程、 (4)前記エッチングにより前記表層導体を所定形状に
パターニングし、前記レジストを剥離する工程 を含む方法により製造されたプリント配線基板またはメ
タルコア配線基板を用いることを特徴とする請求項6記
載の多層配線基板の製造方法。
9. Starting from a printed wiring board or a metal core wiring board having through-plated through holes and not having a surface layer conductor patterned, (1) a step of forming a resist removal pattern at a predetermined position on the board, (2) a step of filling a via conductor in the resist removal pattern and peeling the resist, (3) a step of forming a resist residual pattern on the surface conductor or the via conductor, (4) by the etching 7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6, wherein a printed wiring board or a metal core wiring board manufactured by a method including a step of patterning the surface layer conductor into a predetermined shape and removing the resist is used.
【請求項10】 貫通めっきスルーホールを有し、表層
導体がパターニングされていないプリント配線基板また
はメタルコア配線基板から出発し、 (1)前記表層導体または前記ビア導体上にレジストの
残しパターンを形成する工程、 (2)前記エッチングにより前記表層導体を所定形状に
パターニングし、前記レジストを剥離する工程、 (3)前記基板上の所定位置にレジストの抜きパターン
を形成する工程、 (4)前記レジストの抜きパターン内にビア導体を充填
し、該レジストを剥離する工程 を含む方法により製造されたプリント配線基板またはメ
タルコア配線基板を用いることを特徴とする請求項6記
載の多層配線基板の製造方法。
10. Starting from a printed wiring board or a metal core wiring board having through-plated through holes and not having a surface layer conductor patterned, (1) forming a resist residual pattern on the surface layer conductor or the via conductor. Step (2) Patterning the surface layer conductor into a predetermined shape by the etching and peeling the resist, (3) Forming a resist removal pattern at a predetermined position on the substrate, (4) Forming the resist 7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6, wherein a printed wiring board or a metal core wiring board manufactured by a method including a step of filling a via conductor in the cutout pattern and peeling off the resist is used.
【請求項11】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体
が、フィルム状、粉末状、または金型に塗布された膜状
のいずれかであることを特徴とする請求項1ないし請求
項5記載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
11. The solvent-free fluid polymer precursor is in the form of a film, a powder, or a film applied to a mold, as claimed in any one of claims 1 to 5. 1. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of 1.
【請求項12】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体
が、ベース基板上の少なくとも配線層に塗布された場合
に、膜状であることを特徴とする請求項1ないし請求項
5記載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
12. The solvent-free fluid polymer precursor is in the form of a film when applied to at least the wiring layer on the base substrate, according to any one of claims 1 to 5. A method for manufacturing the multilayer wiring board.
【請求項13】 金型とベース基板との間を排気する際
の真空度を20Torr以下とする請求項1記載ないし
請求項5記載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
13. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the degree of vacuum when exhausting between the die and the base substrate is 20 Torr or less.
【請求項14】 金型をベース基板方向へ移動させて溶
剤を含まない流動性高分子前駆体を導体間隙に充填する
に際し、該溶剤を含まない流動性高分子前駆体を加熱
し、溶融させることを特徴とする請求項1ないし請求項
5記載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
14. The solvent-free fluid polymer precursor is heated and melted when the die is moved toward the base substrate to fill the solvent gap with the solvent-free fluid polymer precursor. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5, wherein:
【請求項15】 金型をベース基板方向へ移動させて溶
剤を含まない流動性高分子前駆体を導体間隙に充填する
際に、該金型と該ベース基板との間を減圧状態にするこ
とで該金型を該ベース基板方向へ移動させることを特徴
とする請求項1ないし請求項5記載のいずれかの多層配
線基板の製造方法。
15. When the mold is moved toward the base substrate and the fluid polymer precursor containing no solvent is filled in the conductor gap, the pressure between the mold and the base substrate is reduced. 6. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the mold is moved toward the base substrate by.
【請求項16】 金型をベース基板方向へ移動させるた
めに上下方向の圧縮圧力をかけることを特徴とする請求
項1ないし請求項5記載のいずれかの多層配線基板の製
造方法。
16. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein a compressive pressure is applied in the vertical direction to move the mold toward the base substrate.
【請求項17】 上下方向の圧縮圧力を30kgf/c
2以下とすることを特徴とする請求項16記載の多層
配線基板の製造方法。
17. A vertical compression pressure of 30 kgf / c
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 16, wherein the number is m 2 or less.
【請求項18】 上下方向からの圧縮圧力と横方向から
の圧縮ガスによる圧力で静水圧をかけることを特徴とす
る請求項1ないし請求項5記載のいずれかの多層配線基
板の製造方法。
18. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein hydrostatic pressure is applied by a vertical compression pressure and a horizontal compression gas pressure.
【請求項19】 静水圧を20kgf/cm2以下とす
ることを特徴とする請求項1ないし請求項5記載のいず
れかの多層配線基板の製造方法。
19. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the hydrostatic pressure is 20 kgf / cm 2 or less.
【請求項20】 上下方向からの圧縮圧力を、横方向か
らの圧力よりも大きくするか、もしくは等しくすること
を特徴とする請求項18記載の多層配線基板の製造方
法。
20. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 18, wherein the compressive pressure in the vertical direction is made greater than or equal to the pressure in the lateral direction.
【請求項21】 上下方向からの圧縮圧力と横方向から
の圧力差を10kgf/cm2以下とすることを特徴と
する請求項20記載の多層配線基板の製造方法。
21. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 20, wherein the difference between the compression pressure in the vertical direction and the pressure in the horizontal direction is 10 kgf / cm 2 or less.
【請求項22】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体を
硬化する工程が、金型内で静水圧をかけた状態で硬化す
る1次硬化処理工程と、静水圧をかけない型抜き後の2
次硬化処理工程とを含む多段階の硬化処理工程を有する
ことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載のいずれ
かの多層配線基板の製造方法。
22. The step of curing the fluid polymer precursor containing no solvent comprises a primary curing treatment step of curing in a mold under hydrostatic pressure and a step of removing the mold without hydrostatic pressure. Two
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, further comprising a multi-step hardening treatment step including a subsequent hardening treatment step.
【請求項23】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体硬
化物で覆われた水平配線導体または垂直ビア導体の上面
を露出させる工程が、ウェットエッチングまたはドライ
エッチングによることを特徴とする請求項1ないし請求
項5記載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
23. The step of exposing the upper surface of a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor covered with a fluid polymer precursor cured product containing no solvent is performed by wet etching or dry etching. A method for manufacturing the multilayer wiring board according to claim 5.
【請求項24】 ウェットエッチングが過マンガン酸塩
水溶液もしくはクロム酸塩水溶液によるエッチングであ
ることを特徴とする請求項23記載の多層配線基板の製
造方法。
24. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 23, wherein the wet etching is etching with an aqueous solution of permanganate or an aqueous solution of chromate.
【請求項25】 ドライエッチングがO2プラズマもし
くはUV/O3によるエッチングであることを特徴とす
る請求項23記載の多層配線基板の製造方法。
25. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 23, wherein the dry etching is etching by O 2 plasma or UV / O 3 .
【請求項26】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体の
硬化物で覆われた水平配線導体または垂直ビア導体の上
面を露出させる工程を、該溶剤を含まない流動性高分子
前駆体の半硬化の状態で行ない、しかる後に、該溶剤を
含まない流動性高分子前駆体を完全硬化することを特徴
とする請求項1ないし請求項5記載のいずれかの多層配
線基板の製造方法。
26. A step of exposing the upper surface of a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor covered with a cured product of a solvent-free fluid polymer precursor to a semi-polymer of the solvent-free fluid polymer precursor. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5, wherein the flowable polymer precursor containing no solvent is completely cured after being performed in a cured state.
【請求項27】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板の垂直ビア導体と接続する下地導電膜
を形成する工程、 (2)前記下地導電膜の所定位置に水平配線導体用のレ
ジストの抜きパターンを形成する工程、 (3)前記レジストの抜きパターン内に水平配線導体を
充填する工程、 (4)前記水平配線導体の所定位置に垂直ビア導体用の
前記レジストの抜きパターンを形成する工程、 (5)前記レジストの抜きパターン内に垂直ビア導体を
充填する工程、 (6)2層の前記レジストを剥離する工程、 (7)前記下地導電膜の不要部分をエッチングする工程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
27. A step of forming a wiring layer formed of at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate includes (1) a vertical via conductor of the base substrate. A step of forming an underlying conductive film to be connected, (2) a step of forming a resist removal pattern for a horizontal wiring conductor at a predetermined position of the underlying conductive film, (3) a filling of a horizontal wiring conductor in the resist removal pattern (4) a step of forming the resist removal pattern for a vertical via conductor at a predetermined position of the horizontal wiring conductor, (5) a step of filling a vertical via conductor in the resist removal pattern, (6) 6. The method according to claim 1, further comprising a step of removing the two layers of the resist, and (7) a step of etching an unnecessary portion of the underlying conductive film. Method for manufacturing a multilayer wiring board of Zureka.
【請求項28】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板の垂直ビア導体と接続する下地導電膜
を形成する工程、 (2)前記下地導電膜の所定位置に水平配線導体用のレ
ジストの抜きパターンを形成する工程、 (3)前記レジストの抜きパターン内に前記水平配線導
体を充填する工程、 (4)前記レジストを剥離する工程、 (5)前記下地導電膜の不要部分をエッチングする工程 を含むことを特徴とする請求項1記載ないし請求項5の
多層配線基板の製造方法。
28. A step of forming a wiring layer composed of at least one of a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate includes (1) a vertical via conductor of the base substrate. A step of forming a base conductive film to be connected, (2) a step of forming a resist removal pattern for a horizontal wiring conductor at a predetermined position of the base conductive film, (3) a horizontal wiring conductor in the resist removal pattern 6. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, further comprising: a step of filling, (4) a step of peeling off the resist, and (5) a step of etching an unnecessary portion of the underlying conductive film. .
【請求項29】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板の垂直ビア導体と接続する下地導電膜
を形成する工程、 (2)前記下地導電膜上に導体を形成する工程、 (3)前記導体上の所定位置に前記水平配線導体用のレ
ジストの残しパターンを形成する工程、 (4)エッチングにより所定形状に導体と前記下地導電
膜をパターニングし、前記レジストを剥離する工程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
29. A step of forming a wiring layer formed of at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate is (1) as a vertical via conductor of the base substrate. A step of forming an underlying conductive film for connection, (2) a step of forming a conductor on the underlying conductive film, (3) a step of forming a residual pattern of a resist for the horizontal wiring conductor at a predetermined position on the conductor, (4) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5, further comprising a step of patterning a conductor and the underlying conductive film into a predetermined shape by etching and peeling the resist.
【請求項30】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板の水平配線導体の所定位置に垂直ビア
導体用のレジストの抜きパターンを形成する工程、 (2)前記レジストの抜きパターン内に前記垂直ビア導
体を充填し、該レジストを剥離する工程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
30. A step of forming a wiring layer composed of at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate includes (1) 7. A step of forming a resist removal pattern for a vertical via conductor at a predetermined position, (2) a step of filling the vertical via conductor in the resist removal pattern and peeling off the resist. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5.
【請求項31】ベース基板の水平配線導体または垂直ビ
ア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導体
の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板のパターニングされていない表層導体
の所定位置に垂直ビア導体用もしくは水平配線導体用の
レジストの抜きパターンを形成する工程、 (2)前記レジストの抜きパターン内に垂直ビア導体も
しくは水平配線導体を充填し、前記レジストを剥離する
工程、 (3)所定位置にレジストの残しパターンを形成する工
程、 (4)エッチングにより表層導体を所定形状にパターニ
ングし、前記レジストを剥離する工程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
31. A step of forming a wiring layer comprising at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate is (1) unpatterned on the base substrate. A step of forming a resist removal pattern for a vertical via conductor or a horizontal wiring conductor at a predetermined position of a surface conductor, (2) filling the vertical via conductor or the horizontal wiring conductor in the resist removal pattern, and peeling the resist And (3) forming a resist residual pattern at a predetermined position, and (4) patterning the surface layer conductor into a predetermined shape by etching and peeling off the resist. Item 6. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of items 5.
【請求項32】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板のパターニングされていない表層導体
の所定位置にレジストの残しパターンを形成する工程、 (2)エッチングにより表層導体を所定形状にパターニ
ングし、前記レジストを剥離する工程、 (3)所定位置に垂直ビア導体用もしくは水平配線導体
用のレジストの抜きパターンを形成する工程、 (4)前記レジストの抜きパターン内に垂直ビア導体も
しくは水平配線導体を充填し、該レジストを剥離する工
程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
32. A step of forming a wiring layer comprising at least one of another horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor of the base substrate is (1) unpatterned on the base substrate. A step of forming a resist residual pattern at a predetermined position of the surface conductor, (2) a step of patterning the surface conductor into a predetermined shape by etching and peeling the resist, (3) a vertical via conductor or a horizontal wiring conductor at a predetermined position 7. A step of forming a resist removal pattern for use, (4) filling a vertical via conductor or a horizontal wiring conductor in the resist removal pattern, and peeling off the resist. Item 6. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of items 5.
【請求項33】 ベース基板の水平配線導体または垂直
ビア導体と接続する別の水平配線導体および垂直ビア導
体の少なくとも一方から成る配線層を形成する工程が、 (1)ベース基板のパターニングされていない表層導体
の全面に水平配線導体用もしくは垂直ビア導体用の導体
を形成する工程、 (2)所定位置にレジストの残しパターンを形成する工
程、 (3)エッチングにより導体を所定形状にパターニング
し、前記レジストを剥離する工程 を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5記載の
いずれかの多層配線基板の製造方法。
33. A step of forming a wiring layer composed of at least one of a horizontal wiring conductor and a vertical via conductor connected to a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor of the base substrate is (1) unpatterned on the base substrate. A step of forming a conductor for a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor on the entire surface of the surface layer conductor; (2) a step of forming a resist residual pattern at a predetermined position; (3) patterning the conductor into a predetermined shape by etching, The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, further comprising a step of removing the resist.
【請求項34】 ベース基板の垂直ビア導体と接続する
下地導電膜を形成する工程が、 (1)請求項1記載の(2)から(6)の工程におい
て、金型と溶剤を含まない流動性高分子前駆体の間に導
体箔を挾んだ状態で有機絶縁膜を形成する工程、 (2)導体箔の所定位置にレジストの抜きパターンを形
成する工程、 (3)前記レジストのパターンをマスクに垂直ビア導体
上部の前記導体箔をエッチングし、該レジストを剥離す
る工程、 (4)前記導体箔の前記レジストのパターンをマスクに
前記垂直ビア導体上部の絶縁膜をエッチングする工程、 (5)全面に無電解めっきをする工程 を含むことを特徴とする請求項27ないし請求項29記
載のいずれかの多層配線基板の製造方法。
34. The step of forming an underlying conductive film connected to a vertical via conductor of a base substrate is (1) in the steps (2) to (6) of claim 1, wherein the mold and the solvent-free flow are included. Forming an organic insulating film with the conductive foil sandwiched between the conductive polymer precursors, (2) forming a resist removal pattern at a predetermined position of the conductive foil, (3) forming the resist pattern Etching the conductor foil above the vertical via conductor with a mask and peeling off the resist; (4) etching the insulating film above the vertical via conductor using the resist pattern of the conductor foil as a mask; 30. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 27, further comprising a step of electroless plating the entire surface.
【請求項35】 金属箔上に形成された導体箔を用い、
溶剤を含まない流動性高分子前駆体を硬化した後、金属
箔を剥離する工程を含むことを特徴とする請求項34記
載の多層配線基板の製造方法。
35. Using a conductor foil formed on a metal foil,
The method for producing a multilayer wiring board according to claim 34, further comprising a step of peeling off the metal foil after curing the fluid polymer precursor containing no solvent.
【請求項36】 導体箔または水平配線導体もしくは垂
直ビア導体のいずれかとから成る配線層において、該導
体箔または該配線層の絶縁膜と接する面を絶縁膜形成前
に粗面化することを特徴とする請求項34記載の多層配
線基板の製造方法。
36. In a wiring layer formed of a conductor foil or a horizontal wiring conductor or a vertical via conductor, a surface of the conductor foil or the wiring layer in contact with the insulating film is roughened before forming the insulating film. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 34.
【請求項37】 ベース基板の垂直ビア導体と接続する
下地導電膜を形成する工程が、ドライ成膜法であること
を特徴とする請求項27ないし請求項29記載のいずれ
かの多層配線基板の製造方法。
37. The multilayer wiring board according to claim 27, wherein the step of forming the underlying conductive film connected to the vertical via conductor of the base substrate is a dry film forming method. Production method.
【請求項38】 ベース基板の垂直ビア導体と接続する
下地導電膜を形成する工程が、無電解めっき法であるこ
とを特徴とする請求項27ないし請求項29記載のいず
れかの多層配線基板の製造方法。
38. The multilayer wiring board according to claim 27, wherein the step of forming the underlying conductive film connected to the vertical via conductor of the base board is an electroless plating method. Production method.
【請求項39】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体
が、硬化開始温度以下または加圧下で流動可能な1種類
以上の有機化合物もしくはこの化合物を含む組成物から
成ることを特徴とする請求項1ないし請求項5記載のい
ずれかの多層配線基板の製造方法。
39. The solvent-free fluid polymer precursor is composed of one or more kinds of organic compounds or compositions containing the compounds which can flow at a temperature below the curing initiation temperature or under pressure. A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5.
【請求項40】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体
が、エポキシ樹脂組成物、分子内に2個以上のマレイミ
ド骨格を持つ化合物もしくはこの化合物を含む組成物、
分子内に2個以上のシアン酸エステル骨格を持つ化合物
もしくはこの化合物を含む組成物、分子内に2個以上の
ベンゾシクロブテン骨格を持つ化合物もしくはこの化合
物を含む組成物、またはこれら化合物、組成物の2種以
上の混合物で構成して成ることを特徴とする請求項39
記載の多層配線基板の製造方法。
40. A solvent-free fluid polymer precursor is an epoxy resin composition, a compound having two or more maleimide skeletons in the molecule, or a composition containing this compound,
A compound having two or more cyanate ester skeletons in the molecule or a composition containing this compound, a compound having two or more benzocyclobutene skeletons in the molecule or a composition containing this compound, or these compounds and compositions 40. It is composed of a mixture of two or more of
A method for manufacturing the multilayer wiring board described.
【請求項41】 エポキシ樹脂組成物が、多官能エポキ
シ樹脂と多官能硬化剤とから成ることを特徴とする請求
項40記載の多層配線基板の製造方法。
41. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 40, wherein the epoxy resin composition comprises a polyfunctional epoxy resin and a polyfunctional curing agent.
【請求項42】 多官能エポキシ樹脂が、分子内に3つ
以上のエポキシ基と芳香環または複素環を有する化合物
から成ることを特徴とする請求項41記載の多層配線基
板の製造方法。
42. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 41, wherein the polyfunctional epoxy resin comprises a compound having three or more epoxy groups and an aromatic ring or a heterocycle in the molecule.
【請求項43】 多官能エポキシ樹脂が下記化1に示す
化合物から成ることを特徴とする請求項42記載の多層
配線基板の製造方法。ただし、Arは下記の表1に示し
た分子骨格から任意に選ばれた多価分子構造、Xは下記
の表2に表示した分子骨格から任意に選ばれた1種以上
の分子構造、nは3〜6の整数である。 【化1】 【表1】 【表2】
43. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 42, wherein the polyfunctional epoxy resin comprises a compound represented by the following chemical formula 1. However, Ar is a polyvalent molecular structure arbitrarily selected from the molecular skeletons shown in Table 1 below, X is one or more kinds of molecular structures arbitrarily selected from the molecular skeletons shown in Table 2 below, and n is It is an integer of 3 to 6. [Chemical 1] [Table 1] [Table 2]
【請求項44】 多官能硬化剤の主成分が、酸無水物基
を2つ以上有する炭素数6以上の化合物、アミノ基と芳
香核とをそれぞれ2個以上有する芳香族アミン化合物、
アミノ基を有するヘテロ芳香族化合物、フェノ−ル性水
酸基を有する樹脂、フェノ−ル性水酸基を有するヘテロ
芳香族化合物、フェノ−ル性水酸基を分子内に3個以上
有する化合物、脂肪族アルコ−ル性水酸基を分子内に3
個以上有する化合物の内の少なくとも1種から成ること
を特徴とする請求項41記載の多層配線基板の製造方
法。
44. A main component of the polyfunctional curing agent is a compound having two or more acid anhydride groups and having 6 or more carbon atoms, an aromatic amine compound having two or more amino groups and two or more aromatic nuclei, respectively.
Heteroaromatic compounds having amino groups, resins having phenolic hydroxyl groups, heteroaromatic compounds having phenolic hydroxyl groups, compounds having 3 or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, aliphatic alcohols 3 in the molecule
42. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 41, comprising at least one kind of compounds having two or more.
【請求項45】 多官能酸無水物系硬化剤が、脂環式酸
無水物、芳香族酸無水物、または、これらのうちの少な
くとも1つと酸無水物基を1個もしくは2個有する化合
物との混合物から成ることを特徴とする請求項44記載
の多層配線基板の製造方法。
45. A polyfunctional acid anhydride-based curing agent comprises an alicyclic acid anhydride, an aromatic acid anhydride, or a compound having at least one of them and one or two acid anhydride groups. 45. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 44, characterized in that it comprises a mixture of
【請求項46】 フェノール性水酸基を有する樹脂がフ
ェノ−ル樹脂、クレゾ−ル樹脂、あるいはピロガロ−ル
樹脂のうちの少なくとも1つを含有して成ることを特徴
とする請求項44記載の多層配線基板の製造方法。
46. The multilayer wiring according to claim 44, wherein the resin having a phenolic hydroxyl group contains at least one of a phenol resin, a cresol resin and a pyrogallol resin. Substrate manufacturing method.
【請求項47】 多官能脂肪族アルコ−ル系硬化剤が、
第1級アルコ−ルであることを特徴とする請求項44記
載の多層配線基板の製造方法。
47. A polyfunctional aliphatic alcohol-based curing agent,
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 44, wherein the method is a first-class alcohol.
【請求項48】 溶剤を含まない流動性高分子前駆体
が、低誘電率、低熱膨張率、高耐熱性の何れか1つの性
質を有する有機粉体および有機高分子の繊維の少なくと
も一つを1〜300重量%含有して成ることを特徴とす
る請求項39および請求項40記載のいずれかの多層配
線基板の製造方法。
48. A fluid polymer precursor containing no solvent comprises at least one of an organic powder and an organic polymer fiber having a property of any one of low dielectric constant, low thermal expansion coefficient and high heat resistance. 41. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 39 or 40, wherein the content is 1 to 300% by weight.
【請求項49】 有機粉体と有機高分子の繊維がポリイ
ミドから成ることを特徴とする請求項48記載の多層配
線基板の製造方法。
49. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 48, wherein the organic powder and the organic polymer fiber are made of polyimide.
【請求項50】 多層配線基板において、 穴埋めされている層間接続スルーホールの導体またはパ
ターニングされた表層導体の少なくとも一方と、 該穴埋めされている層間接続スルーホールの導体と該パ
ターニングされた表層導体のいずれかの導体に接続され
るビア導体とを有するプリント配線基板であって、 その片面もしくは両面上に、少なくとも1層以上の導体
パターン層と有機系高分子の層間絶縁膜層とが交互に形
成され、 前記ビア導体と前記導体パターン層および該導体パター
ン層同士が電気的に接続されていることを特徴とする高
密度多層配線基板。
50. In a multilayer wiring board, at least one of a conductor of an inter-layer connection through hole that is filled up and a patterned surface layer conductor, and a conductor of the inter-layer connection through hole that is filled up and the patterned surface layer conductor. A printed wiring board having a via conductor connected to any conductor, wherein at least one or more conductor pattern layers and an organic polymer interlayer insulating film layer are alternately formed on one surface or both surfaces thereof. The high-density multilayer wiring board, wherein the via conductor, the conductor pattern layer, and the conductor pattern layers are electrically connected to each other.
【請求項51】 プリント配線基板上に形成されている
ビア導体または導体パターン層同士を電気的に接続する
ビア導体が柱状であることを特徴とする請求項50記載
の高密度多層配線基板。
51. The high-density multilayer wiring board according to claim 50, wherein the via conductor formed on the printed wiring board or the via conductor for electrically connecting the conductor pattern layers is columnar.
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