JPH0631961A - Thermal print head - Google Patents

Thermal print head

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Publication number
JPH0631961A
JPH0631961A JP4194292A JP19429292A JPH0631961A JP H0631961 A JPH0631961 A JP H0631961A JP 4194292 A JP4194292 A JP 4194292A JP 19429292 A JP19429292 A JP 19429292A JP H0631961 A JPH0631961 A JP H0631961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
sialon
layer
head substrate
titanium boride
Prior art date
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Granted
Application number
JP4194292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuzo Matsuo
安藏 松尾
Original Assignee
Rohm Co Ltd
ローム株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd, ローム株式会社 filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP4194292A priority Critical patent/JPH0631961A/en
Publication of JPH0631961A publication Critical patent/JPH0631961A/en
Granted legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve durability, responsibility, and power resistance by forming a glaze layer, a heat generating resistor layer, feeding conductor films, and a protective film on a top face of a head substrate, and making the protective film of material of sialon of Si-Al-O-N compound to which boride titanium is added. CONSTITUTION:On a top face of a ceramic head substrate 11, a glass glaze layer 12 is formed so as to extend in the longitudinal direction of the head substrate 11. For example, a heat generating resistor layer 13 consisting of Ta-SiO2 is formed. Further, on the heat generating resistor layer 13, a large number of feeding conductor films 14 are formed for heating the heat generating resistor layer 13 partially along the glaze layer 12. The whole of the head substrate 11 having the above formed thereon is put in a sputtering container kept in a highly vacuum state. On a position opposite to the top face of the head substrate 11, a target made by mixing sialon of Si-Al-O-N compound and boride titanium properly and sintering them is arranged and sputtered so as to form a protective film 15 made of sialon and titanium boride.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ等におけ
る印字ヘッドとして使用されるサーマルプリントヘッド
の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a thermal print head used as a print head in a facsimile or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、薄膜型のサーマルプリントヘッ
ドは、図9に示すように、セラミック製のヘッド基板1
の上面に、ガラス製のグレーズ層2をヘッド基板1の長
手方向に延びるように形成すると共に、例えば、Ta−
SiO2 等から成る発熱抵抗体層3を形成し、更に、こ
の発熱抵抗体層3の上面に、当該発熱抵抗体層3を前記
グレーズ層2に沿って部分的に発熱するためのアルミ等
から成る多数本の給電用導体膜4を形成したのち、これ
らの全体の表面を、保護膜5にて覆うように構成してい
る。
2. Description of the Related Art Generally, a thin film type thermal print head has a ceramic head substrate 1 as shown in FIG.
A glaze layer 2 made of glass is formed on the upper surface of the head substrate 1 so as to extend in the longitudinal direction of the head substrate 1.
A heat generating resistor layer 3 made of SiO 2 or the like is formed, and further, on the upper surface of the heat generating resistor layer 3, the heat generating resistor layer 3 is made of aluminum or the like for partially generating heat along the glaze layer 2. After forming a large number of the conductive films 4 for feeding, the whole surface of these is covered with the protective film 5.

【0003】ところで、前記保護膜5には、当該保護膜
に対して記録紙がプラテン等によって押圧されながら擦
り付けられることにより、高い耐磨耗性と、給電用導体
膜4及び発熱抵抗体層3に対する高い電気絶縁性とを有
することが要求される。そこで、先行技術としての特開
平2−238956号公報は、前記の保護膜5の材料と
して、高い耐磨耗性と、高い電気絶縁性とを有するSi
−Al−O−N形の化合物から成るサイアロン(SIA
LON)を使用することを提案している。
By the way, a recording paper is rubbed against the protective film 5 while being pressed by a platen or the like, so that the protective film 5 has high abrasion resistance, and the power supply conductor film 4 and the heating resistor layer 3 are provided. It is required to have a high electrical insulation property against. Therefore, JP-A-2-238956 as a prior art discloses, as a material of the protective film 5, Si having high abrasion resistance and high electric insulation.
-Al-O-N type compound composed of sialon (SIA
LON) is proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、サイアロン
は、一般に、1014(Ωcm)を遙かに越える高い電気
絶縁性を有するため、このサイアロンにて形成した保護
膜5には、静電気が蓄電し、静電放電により発熱抵抗体
層3が静電破壊を起こすと言う問題が発生するのであ
り、しかも、サイアロンは、Na等のアルカリ金属と容
易に化学反応するために、このサイアロン製の保護膜5
には、大気中のNaとか、記録紙に含まれているSiや
Ca等のアルカリ金属との化学反応によって欠損が発生
すると言う問題もあった。
However, since sialon generally has a high electrical insulation property far exceeding 10 14 (Ωcm), static electricity is stored in the protective film 5 formed of this sialon. However, there is a problem that the heating resistor layer 3 is electrostatically destroyed by electrostatic discharge. Moreover, since Sialon easily chemically reacts with an alkali metal such as Na, the protective film made of Sialon is used. 5
In addition, there is a problem that defects occur due to a chemical reaction with Na in the atmosphere or an alkali metal such as Si or Ca contained in the recording paper.

【0005】本発明は、前記サイアロンに対してホウ化
チタン(TiB2 )を添加することにより、サイアロン
における電気絶縁性を、静電気が蓄電しない程度まで下
げることができると共に、サイアロンのアルカリ金属に
対する化学反応を抑制でき、更に、サイアロンにおける
硬度よりも向上できると言う実験結果に基づいて、前記
の問題を解消すると共に、耐磨耗性を更に向上できるよ
うにすることを技術的課題とするものである。
According to the present invention, by adding titanium boride (TiB 2 ) to the sialon, the electrical insulating property of the sialon can be lowered to the extent that static electricity does not accumulate, and the chemical properties of sialon with respect to alkali metals are reduced. Based on the experimental results that the reaction can be suppressed and the hardness can be improved more than that of Sialon, the technical problem is to solve the above-mentioned problems and further improve the wear resistance. is there.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発
熱抵抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、
これらの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリ
ントヘッドにおいて、前記保護膜を、Si−Al−O−
N形の化合物から成るサイアロンに対してホウ化チタン
を適宜添加した材料にて形成することにした。
In order to achieve this technical object, the present invention forms a glaze layer, a heating resistor layer and a plurality of power supply conductor films on the upper surface of a head substrate, and further,
In a thermal print head formed by forming a protective film covering all of these, the protective film is formed of Si-Al-O-
It was decided to use a material in which titanium boride was appropriately added to sialon made of an N-type compound.

【0007】[0007]

【作 用】図8は、前記したSi−Al−O−N形の
化合物から成るサイアロンに対してホウ化チタン(Ti
2 )を適宜添加した材料において、その硬度(Hv)
と電気の抵抗率(Ωcm)とを、サイアロンに対するホ
ウ化チタンの混合率を変化した場合について測定した結
果を示すものである。
[Operation] FIG. 8 shows titanium boride (Ti) for sialon composed of the above-mentioned Si-Al-O-N type compound.
The hardness (Hv) of a material to which B 2 ) is appropriately added
And the electrical resistivity (Ωcm) are shown when the mixing ratio of titanium boride to sialon is changed.

【0008】すなわち、電気抵抗率は、図8に曲線Aで
示すように、サイアロンに対するホウ化チタンの混合率
が高くなることに反比例して小さくなる一方、硬度は、
図8に曲線B示すように、逆に、サイアロンに対するホ
ウ化チタンの混合率が高くなることに比例して高くなる
ことが認められるのであり、サイアロンに対してホウ化
チタンを適宜混合することにより、電気抵抗率を下げる
ことができる一方、硬度をアップすることができること
が判った。しかも、サイアロンに対してホウ化チタンを
適宜混合することにより、Na等のアルカリ金属に対す
る耐腐食性も、ホウ化チタンの混合率の比例して向上で
き、更に、熱伝達率も、サイアロンに対してホウ化チタ
ンを適宜混合することにより、サイアロン単体の場合よ
りも向上できるのであった。
That is, as shown by the curve A in FIG. 8, the electrical resistivity decreases in inverse proportion to the increase in the mixing ratio of titanium boride to sialon, while the hardness is
On the contrary, as shown by the curve B in FIG. 8, it is recognized that the proportion of titanium boride mixed with sialon increases in proportion to the increase. Therefore, by appropriately mixing titanium boride with sialon. It was found that the hardness can be increased while the electric resistivity can be reduced. Moreover, by appropriately mixing titanium boride with sialon, the corrosion resistance to alkali metals such as Na can be improved in proportion to the mixing ratio of titanium boride, and the heat transfer coefficient can be improved with respect to sialon. By properly mixing titanium boride with the titanium borohydride, it was possible to improve the sialon alone.

【0009】そこで、サーマルプリントヘッドにおい
て、発熱抵抗体層及び給電用導体膜の全体を覆う保護膜
を、前記のように、サイアロンに対してホウ化チタンを
適宜添加した材料にて形成することにより、保護膜にお
ける静電気の蓄電を低減できると共に、保護膜の耐磨耗
性を向上することができ、しかも、保護膜におけるNa
等のアルカリ金属に対する耐腐食性、及び保護膜におけ
る熱伝達率を向上できるのである。
Therefore, in the thermal print head, as described above, the protective film that covers the entire heating resistor layer and the power supply conductor film is formed of a material in which titanium boride is appropriately added to sialon as described above. In addition, it is possible to reduce the accumulation of static electricity in the protective film and improve the abrasion resistance of the protective film.
It is possible to improve the corrosion resistance to alkali metals such as, and the heat transfer coefficient in the protective film.

【0010】例えば、サイアロンに対するホウ化チタン
の混合率を、保護膜における静電気の蓄電を出来るだけ
小さくすることのために当該保護膜における電気抵抗率
が10〜104 (Ωcm)になるように設定したとき、
保護膜における硬度を、当該保護膜をサイアロンのみに
て形成する場合よりも、1.2〜1.6倍にも高くする
ことができるのである。
For example, the mixing ratio of titanium boride to sialon is set so that the electric resistance of the protective film is 10 to 10 4 (Ωcm) in order to minimize the storage of static electricity in the protective film. When I did
The hardness of the protective film can be made 1.2 to 1.6 times higher than that when the protective film is made of sialon alone.

【0011】前記したように、サイアロンに対するホウ
化チタンの混合率を高くすることにより、保護膜におけ
る耐磨耗性を、当該保護膜に静電気の蓄電を小さくした
状態のもとで、更に向上することができる。しかし、そ
の反面、ホウ化チタンの混合率を高くすることによっ
て、保護膜における硬度を高すると、当該保護膜におけ
る内部応力が増大することにより、保護膜に亀裂が発生
するおそれが増大するばかりか、当該保護膜の下地層
(発熱抵抗体層及び給電用導体膜)に対する密着性が低
下して、保護膜に剥離が発生するおそれが増大する。
As described above, by increasing the mixing ratio of titanium boride to sialon, the abrasion resistance of the protective film is further improved under the condition that the storage of static electricity on the protective film is small. be able to. However, on the other hand, if the hardness of the protective film is increased by increasing the mixing ratio of titanium boride, the internal stress in the protective film increases, which not only increases the risk of cracking of the protective film. The adhesion of the protective film to the underlying layer (the heating resistor layer and the power feeding conductor film) is reduced, and the possibility that the protective film is peeled off increases.

【0012】これを解消するために「請求項2」のよう
に構成したのであり、このように構成することにより、
下地層(発熱抵抗体層及び給電用導体膜)に対する密着
性を、サイアロン製の第1保護膜によって確保すること
ができる一方、サイアロン−ホウ化チタン製の第2保護
膜によって、耐磨耗性及び静電気の蓄電防止並びに耐腐
食性の向上を達成することができるのであり、しかも、
このサイアロン−ホウ化チタン製第2保護膜より内側に
おけるサイアロン製第1保護膜の存在により、前記サイ
アロン−ホウ化チタン製第2保護膜における内部応力を
緩和することができるのである。
In order to solve this, the present invention is constructed as in "claim 2". By constructing in this way,
Adhesion to the underlying layer (heating resistor layer and power supply conductor film) can be ensured by the first protective film made of Sialon, while abrasion resistance is provided by the second protective film made of Sialon-titanium boride. It is possible to prevent the accumulation of static electricity and improve corrosion resistance, and moreover,
The presence of the sialon-first protective film made of sialon inside the second protective film made of sialon-titanium boride can relieve the internal stress in the second protective film made of sialon-titanium boride.

【0013】また、「請求項3」のように構成した場合
には、保護膜における耐磨耗性及び静電気の蓄電防止並
びに耐腐食性を、保護膜に亀裂及び剥離が発生すること
のない状態で、更に向上できるのである。
Further, in the case of the "claim 3", the protective film is provided with abrasion resistance, static electricity storage prevention and corrosion resistance in a state in which the protective film is not cracked or peeled. Therefore, it can be further improved.

【0014】[0014]

【発明の効果】従って、本発明によると、保護膜におけ
る静電気の蓄電による静電気破壊と、アルカリ金属によ
る腐食破壊とを確実に低減できる一方、保護膜における
耐磨耗性をも向上できるから、サーマルプリントヘッド
の耐久性を大幅に向上できるのであり、しかも、保護膜
における熱伝達率を高くすることができるから、サーマ
ルプリントヘッドにおける熱的特性(応答性及び耐電力
等)を向上できる効果を有する。
Therefore, according to the present invention, it is possible to surely reduce the electrostatic breakdown due to the accumulation of static electricity in the protective film and the corrosion breakdown due to the alkali metal, while improving the abrasion resistance of the protective film. The durability of the print head can be significantly improved, and further, the heat transfer coefficient in the protective film can be increased, so that the thermal characteristics (responsiveness, power resistance, etc.) of the thermal print head can be improved. .

【0015】また、「請求項2及び3」によると、前記
の効果を更に助長することができるのである。
Further, according to "Claims 2 and 3," the above effects can be further promoted.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明における第1の実施例を、その
製造方法と一緒に、図1〜図3の図面について説明す
る。図1及び図2は、セラミック性のヘッド基板11の
上面に、ガラス製のグレーズ層12をヘッド基板11の
長手方向に延びるように形成すると共に、例えば、Ta
−SiO2 等から成る発熱抵抗体層13を形成し、更
に、この発熱抵抗体層13の上面に、当該発熱抵抗体層
13を前記グレーズ層12に沿って部分的に発熱するた
めのアルミ等から成る多数本の給電用導体膜14を形成
したものを示すものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings of FIGS. 1 to 3 together with its manufacturing method. 1 and 2, a glass glaze layer 12 is formed on the upper surface of a ceramic head substrate 11 so as to extend in the longitudinal direction of the head substrate 11, and, for example, Ta is used.
-A heating resistor layer 13 made of SiO 2 or the like is formed, and aluminum or the like for heating the heating resistor layer 13 partially along the glaze layer 12 is formed on the upper surface of the heating resistor layer 13. It shows a film in which a large number of power supply conductor films 14 made of is formed.

【0017】このように、上面にグレーズ層12、発熱
抵抗体層13及び給電用導体膜14を形成したヘッド基
板11の全体を、高真空度に保持したスパッタリング容
器内に入れて、当該ヘッド基板11の上面と対向する部
位に、サイアロンとホウ化チタンとを適宜混合して焼結
して成るターゲットを配設し、このターゲットとヘッド
基板11との間に電流を印加すると言うスパッタリング
を行うことにより、図3に示すように、サイアロン−ホ
ウ化チタン製の保護膜15を形成するのである。
As described above, the entire head substrate 11 having the glaze layer 12, the heating resistor layer 13 and the power supply conductor film 14 formed on the upper surface thereof is put into a sputtering container kept at a high degree of vacuum, and the head substrate is placed. A target, which is formed by appropriately mixing and sintering sialon and titanium boride, is arranged at a portion facing the upper surface of 11, and sputtering is performed by applying a current between the target and the head substrate 11. Thus, as shown in FIG. 3, the protective film 15 made of sialon-titanium boride is formed.

【0018】この保護膜15をスパッタリングにて形成
するに際しては、ターゲットとして、図6に示すよう
に、サイアロン製のターゲットC1 とホウ化チタン製の
ターゲットC2 とを、適宜の混合率に応じた面積率でモ
ザイク状に組み合わせて成る合成ターゲットCを使用す
ることによって行うようにしても良いのである。また、
図7に示すように、高真空度に保持したスパッタリング
容器D内に、矢印方向に適宜速度で回転する回転体Eを
配設して、この回転体Eの外周面に、ヘッド基板11を
取付ける一方、前記スパッタリング容器D内に、サイア
ロン製のターゲットC1 とホウ化チタン製のターゲット
2 とを配設して成るスパッタリング装置を使用し、前
記回転体Eを回転しながら、これに取付けた各ヘッド基
板11と、両ターゲットC1 ,C2 との間に電流を印加
することによって、サイアロン−ホウ化チタン製の保護
膜15を形成するようにしても良いのである。
When the protective film 15 is formed by sputtering, as shown in FIG. 6, a target C 1 made of sialon and a target C 2 made of titanium boride are used as targets according to an appropriate mixing ratio. It is also possible to use a synthetic target C which is formed by combining them in a mosaic pattern with different area ratios. Also,
As shown in FIG. 7, a rotating body E that rotates at an appropriate speed in the direction of the arrow is arranged in a sputtering container D held at a high degree of vacuum, and the head substrate 11 is attached to the outer peripheral surface of the rotating body E. On the other hand, a sputtering apparatus was used in which the target C 1 made of sialon and the target C 2 made of titanium boride were arranged in the sputtering container D, and the rotating body E was attached thereto while rotating. The protective film 15 made of sialon-titanium boride may be formed by applying a current between each head substrate 11 and both targets C 1 and C 2 .

【0019】図4は、第2の実施例を示すものであり、
この第2の実施例は、保護膜15を、下層における厚さ
の薄い第1保護膜15aと、上層における厚さの厚い第
2保護膜15bとの二層に構成し、前記第1保護膜15
aを、Si−Al−O−N形の化合物から成るサイアロ
ンにて形成する一方、前記第2保護膜15bを、Si−
Al−O−N形の化合物から成るサイアロンに対してホ
ウ化チタンを適宜添加した材料にて形成したものであ
る。
FIG. 4 shows a second embodiment,
In the second embodiment, the protective film 15 is composed of two layers, that is, a first protective film 15a having a small thickness in a lower layer and a second protective film 15b having a large thickness in an upper layer. 15
a is formed of sialon composed of a Si-Al-O-N type compound, while the second protective film 15b is formed of Si-
It is formed of a material in which titanium boride is appropriately added to sialon composed of an Al—O—N type compound.

【0020】そして、この二層構造の保護膜15をスパ
ッタリングにて形成するに際しては、前記図7に示した
スパッタリング装置を使用し、その回転体Eを回転しな
がら、これに取付けた各ヘッド基板11と、両ターゲッ
トC1 ,C2 のうち一方のサイアロン製ターゲットC1
との間にのみ電流を印加することによって、サイアロン
製の第1保護膜15aを適宜厚さに形成したのち、回転
体Eを回転しながら、これに取付けた各ヘッド基板11
と、両ターゲットC1 ,C2 との間に電流を印加するこ
とによって、サイアロン−ホウ化チタン製の第2保護膜
15bを適宜厚さに形成するのである。
When the protective film 15 having the two-layer structure is formed by sputtering, the sputtering apparatus shown in FIG. 7 is used, and the rotating body E is rotated while each head substrate attached thereto. 11 and one of the targets C 1 and C 2 made of Sialon C 1
The first protective film 15a made of sialon is formed to have an appropriate thickness by applying a current only between the head substrate 11 and the head substrate 11 attached thereto while rotating the rotating body E.
If, by applying a current between the two target C 1, C 2, sialon - is to form the second protective film 15b made of titanium boride as appropriate thickness.

【0021】また、図5は、第3の実施例を示すもので
あり、この第3の実施例は、保護膜15を、下層におけ
る第1保護膜15aと、中層における第2保護膜15b
と、上層の第3保護膜15cとの三層に構成し、前記第
1保護膜15aをSi−Al−O−N形の化合物から成
るサイアロンにて、前記第2保護膜15bをSi−Al
−O−N形の化合物から成るサイアロンに対してホウ化
チタンを適宜添加した材料にて、前記第3保護膜15c
をホウ化チタンにて各々形成したものである。
Further, FIG. 5 shows a third embodiment. In this third embodiment, the protective film 15 is composed of a lower first protective film 15a and an intermediate second protective film 15b.
And a third protective film 15c as an upper layer, and the first protective film 15a is made of sialon made of a Si—Al—O—N type compound, and the second protective film 15b is made of Si—Al.
The third protective film 15c is made of a material in which titanium boride is appropriately added to sialon made of an —O—N type compound.
Are formed of titanium boride.

【0022】そして、この三層構造の保護膜15をスパ
ッタリングにて形成するに際しては、前記図6に示した
スパッタリング装置を使用し、その回転体Eを回転しな
がら、これに取付けた各ヘッド基板11と、両ターゲッ
トC1 ,C2 のうち一方のサイアロン製ターゲットC1
との間にのみ電流を印加することによって、サイアロン
製の第1保護膜15aを適宜厚さ(約1ミクロン)に形
成し、次いで、回転体Eを回転しながら、これに取付け
た各ヘッド基板11と、両ターゲットC1 ,C 2 との間
に電流を印加することによって、サイアロン−ホウ化チ
タン製の第2保護膜15bを適宜厚さ(約2ミクロン)
に形成する。そして、最後に、回転体Eを回転しなが
ら、これに取付けた各ヘッド基板11と、両ターゲット
1 ,C2のうち他方のホウ化チタン製ターゲットC2
との間にのみ電流を印加することによって、ホウ化チタ
ン製の第3保護膜15cを適宜厚さ(約3ミクロン)に
形成するのである。
Then, the protective film 15 having the three-layer structure is used as a spa.
When forming by tattering, as shown in FIG.
Do not rotate the rotor E using a sputtering device.
Each head substrate 11 attached to this, and both target
To C1, C2Sialon target C1
By applying a current only between and the sialon
Form the first protective film 15a made of an appropriate thickness (about 1 micron)
And then attach it to the rotating body E while rotating it.
Each head substrate 11 and both targets C1, C 2Between
By applying an electric current to
The second protective film 15b made of tongue is appropriately thick (about 2 microns)
To form. And finally, while rotating the rotating body E
, Each head substrate 11 attached to this, and both targets
C1, C2Titanium boride target C2
By applying an electric current only between
The third protective film 15c made of silicon to an appropriate thickness (about 3 microns)
To form.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ヘッド基板の上面に、グレーズ層及び発熱抵抗
体層並びに給電用導体膜を形成した状態の要部拡大断面
図である。
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a state in which a glaze layer, a heating resistor layer, and a power supply conductor film are formed on an upper surface of a head substrate.

【図2】図1の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.

【図3】本発明における第1の実施例を示す要部拡大断
面図である。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of an essential part showing a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明における第2の実施例を示す要部拡大断
面図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of an essential part showing a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明における第3の実施例を示す要部拡大断
面図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an essential part showing a third embodiment of the present invention.

【図6】保護膜をスパッタリングにて形成するときに使
用する合成ターゲットの斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a synthetic target used when forming a protective film by sputtering.

【図7】スパッタリング装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a sputtering apparatus.

【図8】サイアロンに対するホウ化チタンの混合率と、
電気抵抗率及び硬度との関係を示す図である。
FIG. 8 shows the mixing ratio of titanium boride to sialon,
It is a figure which shows the relationship with an electrical resistivity and hardness.

【図9】従来における要部拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of a conventional main part.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ヘッド基板 12 グレーズ層 13 発熱抵抗体層 14 給電用導体膜 15 保護膜 15a 第1保護膜 15b 第2保護膜 15c 第3保護膜 11 Head Substrate 12 Glaze Layer 13 Heating Resistor Layer 14 Conductor Film for Feeding 15 Protective Film 15a First Protective Film 15b Second Protective Film 15c Third Protective Film

Claims (3)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
    抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
    らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
    ヘッドにおいて、前記保護膜を、Si−Al−O−N形
    の化合物から成るサイアロンに対してホウ化チタンを適
    宜添加した材料にて形成したことを特徴とするサーマル
    プリントヘッド。
    1. A thermal print head comprising a head substrate, a glaze layer, a heating resistor layer, and a plurality of power supply conductor films formed on the upper surface of the head substrate, and a protective film covering the entire layers. A thermal print head, wherein the protective film is formed of a material in which titanium boride is appropriately added to sialon made of a Si-Al-O-N type compound.
  2. 【請求項2】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
    抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
    らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
    ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における第1保護
    膜と、上層における第2保護膜との二層に構成し、前記
    第1保護膜を、Si−Al−O−N形の化合物から成る
    サイアロンにて形成する一方、前記第2保護膜を、Si
    −Al−O−N形の化合物から成るサイアロンに対して
    ホウ化チタンを適宜添加した材料にて形成したことを特
    徴とするサーマルプリントヘッド。
    2. A thermal print head comprising a glaze layer, a heating resistor layer, and a plurality of power supply conductor films formed on the upper surface of a head substrate, and a protective film covering all of these layers. The protective film is composed of two layers, a first protective film as a lower layer and a second protective film as an upper layer, and the first protective film is formed of sialon made of a Si-Al-O-N type compound. On the other hand, the second protective film is made of Si
    A thermal print head, which is made of a material in which titanium boride is appropriately added to sialon composed of an -Al-O-N type compound.
  3. 【請求項3】ヘッド基板の上面に、グレーズ層、発熱抵
    抗体層及び複数本の給電用導体膜を形成し、更に、これ
    らの全体を覆う保護膜を形成して成るサーマルプリント
    ヘッドにおいて、前記保護膜を、下層における第1保護
    膜と、中層における第2保護膜と、上層の第3保護膜と
    の三層に構成し、前記第1保護膜をSi−Al−O−N
    形の化合物から成るサイアロンにて、前記第2保護膜を
    Si−Al−O−N形の化合物から成るサイアロンに対
    してホウ化チタンを適宜添加した材料にて、前記第3保
    護膜をホウ化チタンにて各々形成したことを特徴とする
    サーマルプリントヘッド。
    3. A thermal print head comprising a head substrate, a glaze layer, a heating resistor layer, and a plurality of power supply conductor films formed on the upper surface of the head substrate, and a protective film covering the entire layers. The protective film is composed of three layers of a first protective film as a lower layer, a second protective film as an intermediate layer, and a third protective film as an upper layer, and the first protective film is made of Si-Al-O-N.
    Form a sialon compound, the second protective film is made of a Si-Al-O-N compound compound sialon, titanium boride is added to the third protective film. A thermal print head that is made of titanium.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5847744A (en) * 1995-02-07 1998-12-08 Rohm Co., Ltd. Thin-film thermal print head and method of producing same
US6091437A (en) * 1996-10-25 2000-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thermal recording system including thermal head and thermal recording material

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