JPH06312962A

JPH06312962A - １，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体、それを用いた電荷輸送材料及び電子写真感光体

Info

Publication number: JPH06312962A
Application number: JP5123106A
Authority: JP
Inventors: Yoshimasa Matsushima; 義正松嶋; Hiroshi Sugiyama; 弘杉山; Toshimitsu Hagiwara; 利光萩原
Original assignee: Takasago International Corp; Takasago Perfumery Industry Co
Current assignee: Takasago International Corp
Priority date: 1993-04-28
Filing date: 1993-04-28
Publication date: 1994-11-08
Also published as: US5521042A; US5750785A

Abstract

(57)【要約】【目的】１，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニ
ル）ベンゼン誘導体、それを用いた電荷輸送材料及び電
子写真感光体。【構成】一般式（１）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は相異なる低級アルキルを示し、
Ｍｅはメチル基を示す。）で表される１，４−ビス
（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体、該
誘導体を含有する電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を電
荷輸送層に含有する電子写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、次の一般式（１）

【化２】（式中、Ｒ¹及びＲ²は相異なる低級アルキル基を示
し、Ｍｅはメチル基を示す。）で表される新規化合物
１，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼ
ン誘導体及びこれを含有する電荷輸送材料、さらにこの
電荷輸送材料を電荷輸送層に含有する電子写真感光体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、無機系の光導電性材料としては、
アモルファスシリコン、アモルファスセレン、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛等が用いられているが、製造が困難で
あるため高価であったり、毒性があり環境保護の観点か
ら問題の有る場合がある。一方、有機系の光導電体とし
ては、特に、光導電体を電荷発生材料と電荷輸送材料と
に機能分離した形態が盛んに提案されている（例えば、
米国特許第3791826 号）。この方式においては、キャリ
ア（キャリアとは電荷を示す、以下同様）の発生効率の
大きい物質を電荷発生材料として用い、かつ電荷輸送能
力の高い物質を電荷輸送材料として組み合わせることに
よって高感度の電子写真感光体が得られる可能性があ
る。

【０００３】このうち電荷輸送材料に要求されること
は、電界印加下で光照射により電荷発生材料において発
生したキャリアを効率良く受取り、感光体層内を速く移
動させ、表面電荷を速やかに消滅させることである。キ
ャリアが単位電界当りに移動する速さをキャリア移動度
と呼ぶ。キャリア移動度が高いということはキャリアが
電荷輸送層内を速く移動するということである。このキ
ャリア移動度は電荷輸送物質固有のものであり、したが
って、高いキャリア移動度を達成するためにはキャリア
移動度の高い材料を使用する必要があるが、未だ十分な
レベルに達しているとはいえないのが現状である。

【０００４】一方、キャリア移動度は電荷輸送物質の濃
度にも依存しているので、電荷輸送層内の電荷輸送物質
の濃度を高くする方法がとられる。電荷輸送物質の濃度
が最大になるのは電荷輸送物質のみで電荷輸送層を形成
した場合であり、これは蒸着法などによって作成され
る。例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
等はこの方法を用いて作成している（Tang,C.W. and Va
nSlyke,S.A.,Appl.Phys.Lett.,51,913(1987)）。

【０００５】しかしながら、薄膜そのものが電荷輸送物
質のみからなる蒸着膜の場合には特に結晶の析出やピン
ホールが生成しやすく均質な層を形成することが難し
い。また、電荷輸送物質を結着剤ポリマーとともに有機
溶剤に高濃度に溶解させ塗布して用いる場合にも、塗膜
において結晶の析出やピンホールの生成のない均質な有
機薄膜を形成する必要がある。これは得られた薄膜に高
電界を印加するため微結晶やピンホールが生成したとこ
ろで絶縁破壊が起きたり、ノイズの原因となるからであ
る。また、電荷発生物質および電荷輸送物質、両者の特
性が良くても、電荷発生物質から電荷輸送物質へのキャ
リアの注入、すなわち、電荷発生層から電荷輸送層への
電荷の注入が効率よく行われることが重要である。この
電荷の注入は電荷発生物質（または電荷発生層）と電荷
輸送物質（または電荷輸送層）の界面の特性によるもの
であって各種物質間で一様ではない。以上のように電荷
輸送材料には種々の条件が要求される。

【０００６】従来、電荷輸送材料としては例えば、特開
昭63-269158 号公報には次の一般式（２）

【化３】（式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₄は独立してアルキル基、アラル
キル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は
置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示し、Ａは
それぞれ置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル
基、アリ−ル基又は複素環基を示す。）で表されるジス
チリル化合物が提案されている。

【０００７】また、特開平3-11355 号公報には次の一般
式（３）

【化４】（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁸、Ｒ⁹は独立してそれぞれ置
換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、ア
リ−ル基を示し、Ｒ⁵、Ｒ⁷、Ｒ¹⁰は独立して水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を示し、
Ｒ⁶、Ｒ¹¹はアルキル基又はアルコキシ基を示し、ｌ、
ｎは１〜３の整数、ｍは０〜２の整数を示す。）で表さ
れるジスチリル化合物が提案されている。

【０００８】しかしながら、上述の化合物は、両末端に
置換するジアルキルアミノ基が同一のものであり、結着
剤ポリマ−への溶解性の点で満足できなかったり、また
溶解したとしても製膜化した時に結晶化、ピンホ−ル生
成、膜の白色化、またはもろくなり、結果的に、得られ
る画像に欠陥が生じるといった問題があり、従って添加
量に制限があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、電荷輸送材料において、結着剤ポリマ−への溶解性
が良く、添加量を増やしても製膜化したときに安定で、
そのため高いキャリア移動度が発現でき、しかも電子写
真感光体を形成したときの諸特性においても優れている
新しい素材を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような実情におい
て、本発明者らは様々な化合物について鋭意研究を行っ
た結果、両末端にそれぞれ異なるジアルキルアミノ基を
有する次の一般式（１）

【化５】（式中、Ｒ¹及びＲ²は相異なる低級アルキル基を示
し、Ｍｅはメチル基を示す。）で表される１，４−ビス
（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体が上
記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

【００１１】即ち、本発明者らは、１，４−ビス
（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体
（１）が、結着剤ポリマ−への溶解性が良く、高濃度に
溶解させても結晶の析出やピンホ−ルの生成が起こら
ず、そのため高いキャリア移動度を発現出来、また、こ
れを使用した感光体は高感度にして残留電位が低いこと
を見出した。したがって、本発明は、前記一般式（１）
で表される新規な１，４−ビス（２′，２′−ジフェニ
ルビニル）ベンゼン誘導体、一般式（１）の化合物を含
有する電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を電荷輸送層に
含有する電子写真感光体に関する。

【００１２】本発明化合物（１）のＲ¹及びＲ²は相異
なる低級アルキル基を示し、特に限定されないが、好ま
しいものとして炭素数１〜４個の低級アルキル基、具体
的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基
等が挙げられる。本発明化合物（１）についてのさらに
好ましい具体例としては、以下の表１に示される化合物
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【００１３】

【表１】表１ ──────────────────────── 例示化合物Ｒ¹ Ｒ² ──────────────────────── １ＭｅＥｔ２ＭｅＰｒ３ＭｅＢｕ４ＥｔＰｒ５ＥｔＢｕ６ＰｒＢｕ ──────────────────────── （表中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒは
プロピル基を、Ｂｕはｎ−ブチル基を示す。）本発明の
１，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼ
ン誘導体（１）は、例えば、次の反応式１に従って合成
することができる。

【００１４】

【化６】（式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＭｅは前記と同じ意味を示
す。）

【００１５】すなわち、ｉ）１，４−ビス（２，４−ジ
メチルベンゾイルメチル）ベンゼン（４）及び、１−ジ
アルキル−４−ブロモベンゼンから得られる第１のグリ
ニア試薬（５）を反応させ、ii) 次いで必要に応じて、
酸触媒の存在下で脱水反応させて、モノケトン化合物
（６）を得る。iii)このモノケトン化合物（６）と第２
のグリニア試薬（８）とを反応させ、iv) 次いで必要に
応じて、酸触媒の存在下で脱水反応させることにより、
容易に１，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）
ベンゼン誘導体（１）を得ることができる。

【００１６】ここで、出発化合物の１，４−ビス（２，
４−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン（４）は、例
えば、K,Sakamotoら、Bulletin of the Chemical Socie
ty of Japan , vol.46,p270-275(1973) の方法に示され
るように、次の反応式２に従って容易に合成できる。

【化７】すなわち、ｐ−フェニレン２酢酸に塩化チオニルを反応
させて酸塩化物（９）を得、これとｍ−キシレンとをフ
リ−デルクラフト反応させて容易に得ることができる。

【００１７】上述のようにして得られる本発明化合物
（１）の有用性について述べる。特開昭６３ー２６９１
５８号公報等に記載された従来の化合物は、化合物の両
末端にそれぞれ同一のジアルキルアミノ基を有してお
り、このような両末端にそれぞれ同一のジアルキルアミ
ノ基を有する１，４−ビス（２′，２′−ジフェニルビ
ニル）ベンゼン化合物は結晶性が高く、蒸着などの方法
で形成された化合物そのものからなる分子性薄膜におい
ても、あるいは、結着剤ポリマーとともに用いる高濃度
分散性薄膜においても微結晶の析出が起こり、画像の欠
陥の原因になる。

【００１８】しかしながら、上記のようにして得られる
本発明化合物（１）、すなわち、両末端にそれぞれ相異
なるジアルキルアミノ基を有する１，４−ビス（２′，
２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体は蒸着などの
方法で形成された化合物そのものからなる分子性薄膜に
おいても、あるいは、結着剤ポリマーとともに用いる高
濃度分散性薄膜においても微結晶の析出がなく、得られ
た薄膜は均質で安定である。

【００１９】このような結晶性の差は、例えば示差走査
熱量計（ＤＳＣ）を用いた測定において明らかにされ
る。即ち、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定された
ガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化温度（Ｔｃ）、融点
（Ｔｍ）において以下のようなことを全体として兼ね備
えていることが結晶化しにくい条件となる。１．結晶化
温度（Ｔｃ）が測定できない（すなわち結晶化しな
い）、あるいは結晶化温度（Ｔｃ）が高ければ高い程、
結晶化が起こりにくい。２．結晶化温度とガラス転移温
度の差（Ｔｃ−Ｔｇ）が大きい程、結晶化が起こりにく
い。３．融点と結晶化温度の差（Ｔｍ−Ｔｃ）が小さい
程、結晶化が起こりにくい。４．ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が高ければ高い程、結晶化が起こりにくい。つま
り、後述する試験例１から理解されるように、従来の両
末端にそれぞれ同一のジアルキルアミノ基を有する１，
４−ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン化
合物は、ＤＳＣ分析において温度上昇にともなってガラ
ス転移温度、結晶化温度、融点が認められ、ガラス転移
温度に比較して結晶化温度が低く、すなわち、分子性固
溶体として安定な温度領域が狭いことがわかる。

【００２０】しかしながら、本発明化合物の両末端にそ
れぞれ相異なるジアルキルアミノ基を有する１，４−ビ
ス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体
（１）は、ＤＳＣ分析において結晶化温度が認められな
い場合もあり、またはガラス転移温度に比較して結晶化
温度が高く、分子性固溶体として安定な温度領域が広い
ことがわかる。このため前述したように本発明化合物
（１）を高濃度に含有する薄膜においても結晶の析出の
ない、安定で均質な薄膜を形成することができるのであ
る。

【００２１】上述の本発明化合物（１）は電荷輸送材料
として優れた性質を持ち、これを用いれば、キャリア移
動度が高く、高感度で残留電位のない電子写真感光体を
得ることができる。具体的には、導伝性支持体上に電荷
発生層と電荷輸送層を含む感光層を設けた電子写真感光
体において、電荷輸送材料として本発明化合物（１）を
電荷輸送層に用いることによる。

【００２２】本発明における電荷輸送層は本発明化合物
（１）のみをそのまま蒸着させるか、本発明化合物
（１）を適当な溶剤に溶かした溶液を塗布、乾燥して本
発明化合物（１）の分子性薄膜を形成することができ
る。あるいは、機械的強度などを必要とする場合には、
電荷輸送層は、本発明化合物（１）と結着剤を適当な溶
剤に溶解させた溶液を、導伝性支持体又は電荷発生層に
塗布し，乾燥させることにより形成される。

【００２３】ここに結着剤としては，例えばポリアクリ
レート、ポリアミド、ポリメタクリレート、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリスチレンあるい
はこれらの共重合体を挙げることができる。また，この
ような絶縁性ポリマーの他にポリビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセンやポリビニレンなどの有機光導
電性ポリマーも使用できる。

【００２４】これらの結着剤と本発明化合物（１）との
配合割合は、特に限定されず任意の割合で良いが、本発
明化合物（１）を可能なかぎり多く用いることが望まし
い。具体的には、結着剤１００重量部当たり本発明化合
物（１）を１０〜１０００重量部添加することができ
る。すなわち、従来は結着剤１重量部に対し、約２重量
部以上添加すると膜の安定性に問題があったが、本発明
化合物（１）を用いれば結着剤１重量部に対し、約１０
重量部添加しても安定である。

【００２５】用いる溶剤としては、特に限定されないが
有機溶剤が好ましく、具体的には、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシド
などのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテ
ル類、酢酸エチル、酢酸メチルなどのエステル類、塩化
メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジ
クロロエチレン、四塩化炭素、トリクロロエチレンなど
の脂肪族ハロゲン化炭化水素あるいはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなど
の芳香族化合物、およびこれらの混合物を用いることが
できる。

【００２６】本発明の感光体に用いられる導電性支持体
としては、銅、アルミニウム、銀、鉄、亜鉛、ニッケル
等の金属や合金の箔ないしは板をシート状またはドラム
状にしたものが使用され、あるいはこれらの金属をプラ
スチックのフィルムや円筒等に真空蒸着、電解メッキし
たもの、あるいは導電性ポリマー、酸化インジウム、酸
化スズ等の導電性化合物の層をガラス、紙あるいはプラ
スチックフィルムなどの支持体状に塗布もしくは蒸着に
よって設けられたものが用いられる。

【００２７】塗布は、浸漬塗工法、スプレーコーティン
グ法、スピンナーコーティング法、ワイヤ−バ−コ−テ
ィング法、ブレードコーティング法、ローラーコーティ
ング法、カーテンコーティング法などのコーティング法
を用いて行うことができる。乾燥は、室温における乾燥
の後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は３０〜
２００℃の温度で５分〜２時間の範囲で無風または送風
下で行うことが好ましい。

【００２８】さらに、本発明における電荷輸送層には必
要に応じて種々の添加剤を含有させて用いることができ
る。例えば、ビフェニル、ジブチルフタレ−トなどの可
塑剤、シリコンオイル、グラフト型シリコンポリマ−、
各種フルオロカ−ボン類などの表面潤滑剤、ジシアノビ
ニル化合物、カルバゾ−ル誘導体などの電位安定剤、
１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン、２−
tert−ブチル−４−メトキシフェノ−ルなどのモノフェ
ノ−ル系酸化防止剤、ビスフェノ−ル系酸化防止剤、ア
ミン系酸化防止剤、サリチル酸系酸化防止剤などを挙げ
ることができる。また、他の電荷輸送材料を添加するこ
ともできる。得られる電荷輸送層の膜厚は一般に２〜４
０μｍであるが、好ましい範囲は５〜３０μｍである。

【００２９】上述のようにして得られる電荷輸送層は、
電荷発生層と電気的に接続されることにより、電界の存
在下で電荷発生層から注入されたキャリアを受け取ると
共に、これらのキャリアを感光層の表面まで輸送する機
能を有することができる。この際、この電荷輸送層は導
電性支持体上において、電荷発生層の上に積層されてい
ても良く、またその下に積層されていても良いが、電荷
発生層の上に積層されていることが望ましい。この様に
作られた層上に、必要に応じて保護層を塗布することに
より感光層を形成することができる。

【００３０】本発明における電荷発生層としては、セレ
ン、セレン−テルル、アモルファスシリコンなどの無機
の電荷発生材料、ピリリウム塩系染料、チアピリリウム
塩系染料、アズレニウム塩系染料、チアシアニン系染
料、キノシアニン系染料などのカチオン染料、スクアリ
ウム塩系顔料、フタロシアニン系顔料、アントアントロ
ン系顔料、ジベンズピレンキノン系顔料、ピラントロン
系顔料などの多環キノン顔料、インジゴ系顔料、キナク
リドン系顔料、アゾ顔料、ピロロピロール系顔料などの
有機電荷発生物質から選ばれた材料を単独ないしは組み
合わせて用い、蒸着層あるいは塗布層として用いること
ができる。これ以外でも、光を吸収し高い効率で電荷を
発生する材料であれば、いずれの材料であっても使用す
ることができる。

【００３１】以上のようにして本発明化合物の１，４−
ビス（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体
（１）を電荷輸送層に含有する電子写真感光体を得るこ
とができる。本発明の１，４−ビス（２′，２′−ジフ
ェニルビニル）ベンゼン誘導体（１）は安定なアモルフ
ァスの薄膜を形成することが出来、高いキャリア移動度
を有することを利点としており、電子写真感光体のみな
らず、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの電
荷輸送材料としても広く用いることができる。

【００３２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。尚、実施例中において用いる測定機器及び測定条件
を以下に示す。（１）¹Ｈ−ＮＭＲ機器：ブルッカー社製、AM-400
型装置（400MHz）溶剤：ＣＤＣｌ₃ 内部標準物質：テトラメチルシラン（２）ＩＲ機器：ＩＲ−８１０型赤外分光光度計
（日本分光工業株式会社製）（３）ＭＡＳＳ機器：日立Ｍ−８０Ｂ（株式会社
日立製作所製）イオン化室温度：２００℃ イオン化電圧：２０ｅＶ（４）示差走査熱量計（ＤＳＣ）機器：SSC-5220装置（セイコー電子工業株式会社製）

【００３３】実施例１１，４−ビス（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチ
ル）ベンゼンの合成ｐーフェニレン二酢酸20ｇ（0.103mol）、塩化チオニル
40ml（0.551mol）、塩化メチレン200ml の混合溶液を24
時間還流撹拌し、冷却後ろ過して未反応のｐーフェニレ
ン二酢酸を除去した。濾液を濃縮した後、濃縮物を塩化
メチレン100mlにとかした（この溶液を溶液１とす
る）。500ml の反応フラスコに塩化メチレン100ml を取
り、ここへ無水塩化アルミニウム32ｇ（0.24mol ）を０
℃、30分で加えた。続いてｍーキシレン22ｇ（0.207mo
l）を同温度で滴下し、さらに先の溶液１を０〜５℃で3
0分で加えた。この溶液をさらに同温度で１時間、室温
で30分反応させた後、氷水にあけ、ベンゼンで抽出、ソ
ーダ灰水にて洗浄、乾燥、濃縮し、35ｇの粗生成物を得
た。エタノールから再結晶化させて14ｇの１，４−ビス
（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼンの
結晶を得た（理論収率３６．４％）。ｍ．ｐ．９４〜９６℃ ＩＲ（ｃｍ^-1）：１６８０

【００３４】実施例２１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビニル〕−４−
（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン、
及び１，４−ビス〔β−（２′，４′−ジメチルフェニ
ル）−β−（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビニ
ル〕ベンゼン（比較化合物１）の合成５リットルの反応フラスコに窒素雰囲気下でマグネシウ
ム33.64 ｇ（1.384mol）、乾燥テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）50mlを仕込み、ヨウ素と臭化エチル少量を加え
た。反応開始を確認した後、ここへＮ，Ｎ−ジプロピル
−ｐ−ブロモアニリン337.69ｇ（1.305mol）と乾燥ＴＨ
Ｆ1268mlの混合液を２５〜３５℃、２時間で滴下した。
その後室温で18時間反応させグリニア試薬を調製した。

【００３５】次いでこの反応溶液に、実施例１で合成し
た１，４−ビス（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチ
ル）ベンゼン199.32ｇ（0.514mol）と特級トルエン1318
mlの混合液を23〜35℃、２時間で滴下した。続いて室温
で３時間撹拌し、８１℃で２５時間還流させた後、トル
エン２リットルを加え、ＴＨＦを常圧（沸点〜104 ℃、
２リットル）で除去した後、107 ℃で16時間加熱撹拌し
た。反応溶液を冷却後、氷冷した５％塩化アンモニア水
溶液2961ｇ中へ注入し、冷却下で３０分撹拌した。その
後、ここへトルエン２リットルを加え、セライトろ過
し、分液、食塩水で洗浄（1.５リットル、２回、洗浄後
ｐＨ７）とし、乾燥（無水硫酸マグネシウム）、濃縮
し、粗モノオ−ル体Ａ（１−〔２−ヒドロキシ−２−
（２′，４′−ジメチルフェニル）−２−（４′−ジプ
ロピルアミノフェニル）エチル〕−４−（２′，４′−
ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン）及び粗ジオ−ル
体Ａ（１，４−ビス〔２−ヒドロキシ−２−（２′，
４′−ジメチルフェニル）−２−（４′−ジプロピルア
ミノフェニル）エチル〕ベンゼン）の混合物443.44ｇを
得た。

【００３６】

【化８】

【００３７】５リットルの反応フラスコに、上記の様に
して得た混合物443.44ｇ、トルエン1330ml、ｐ−トルエ
ンスルホン酸（ＰＴＳＡ）22.2ｇを仕込み、還流(112
℃）下で４時間共沸脱水反応させた。反応液を冷却後、
食塩水で洗浄（2.５リットル、２回、洗浄後のｐＨ
４）、５％ソーダ灰水（2.５リットル）で洗浄、食塩水
で洗浄（2.５リットル、３回、洗浄後のｐＨ７）、乾燥
（無水硫酸ナトリウム）、濃縮し、粗モノケトン体Ａ
（１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビニル〕−４−
（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン）
及び粗ジエン体Ａ（１，４−ビス〔β−（２′，４′−
ジメチルフェニル）−β−（４′−ジプロピルアミノフ
ェニル）ビニル〕ベンゼン）の混合物424.07ｇを得た。

【００３８】

【化９】

【００３９】この混合物をビグロー付きクライゼンにて
蒸留（沸点〜87℃/1mmHg、浴温〜160 ℃）し、Ｎ，Ｎ−
ジプロピルアニリン80.12 ｇを除去し、残渣315.17ｇを
得た。これにエタノール2521mlを加え、79℃で白熱灯照
射下で３時間還流撹拌した。熱時減圧ろ過してジエン体
Ａ103.42ｇの結晶をろ別した（この結晶を第１結晶とす
る）。この第１母液よりシリカゲルカラムクロマトグラ
フィ−（溶離液：ベンゼン）にて精製し、基質に対して
グリニア試薬が１モルだけ反応して生成した目的化合物
であるオイル状のモノケトン体Ａ（１−〔β−（２′，
４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジプロピルア
ミノフェニル）ビニル〕−４−（２′，４′−ジメチル
ベンゾイルメチル）ベンゼン）を85.27 ｇ（理論収率2
8.0％）を得た。

【００４０】ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）：５２９（Ｍ⁺）ＩＲ（ｎｅａｔ，ｃｍ^-1）：１６８０（Ｃ＝Ｏ）¹ ＨーＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm ，CDCl₃；0.91(6
H, t, J = 7.4Hz ), 1.60 (4H,m),2.01(3H,s),2.33(3H,
s),2.37(3H,s),2.41(3H,s),3.23(4H,t, J = 7.6Hz ),
4.07(2H,s),6.56(2H,d,J = 8.9Hz),6.85(2H,d,J = 8.2H
z),6.89(1H,s),6.96(2H,d,J = 8.2Hz),6.97-7.05(5H,
m),7.15(2H,d,J = 8.9Hz),7.60(1H,d,J = 8.4Hz)

【００４１】ろ別した第１結晶をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィ−（溶離液：ベンゼン）にて精製し、さら
にエタノール334ml から再結晶して94.94 ｇのジエン体
Ａを得た。さらに第１母液からシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ−（溶離液：ベンゼン）にて精製し、再結晶
して38.19 ｇのジエン体Ａを得た。よって、合計133.13
ｇのジエン体Ａ、すなわち１，４−ビス〔β−（２′，
４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジプロピルア
ミノフェニル）ビニル〕ベンゼン（比較化合物１）を得
た（理論収率37.2％）。

【化１０】

【００４２】ｍ．ｐ．１７２〜１７３℃ ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）：６８８，３５８¹ ＨーＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ，δppm ，CDCl
₃）；0.90(12H, t, J =7.4Hz ), 1.58 (8H,m),1.98(6
H,s),2.36(6H,s),3.21(8H,t, J = 7.7Hz ), 6.53(4H,d,
J = 9.1Hz),6.64(4H,s),6.80(2H,s),6.95(2H,d,J = 7.7
Hz),6.99(2H,d,J= 7.8Hz),7.03(2H,s),7.10(4H,d,J =
9.1Hz)

【００４３】実施例３１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビニル〕−４−
〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′
−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕ベンゼン（例示化
合物４）の合成２リットルの反応フラスコに、窒素雰囲気下でマグネシ
ウム7.12ｇ（0.292mol）、乾燥ＴＨＦとトルエンの混合
溶媒（容量比405:111 ）９mlを仕込み、ここへヨウ素と
臭化エチル少量を加えた。反応開始を確認した後、Ｎ，
Ｎ−ジエチルｐ−ブロモアニリン64.38 ｇ（0.282mol）
と上記混合溶媒507ml の混合液を２５〜４５℃、0.5 時
間で滴下した。その後、45℃で３時間反応させグリニア
試薬を調製した。

【００４４】次いで、この反応溶液に、実施例２で合成
したモノケトン体Ａ（１−〔β−（２′，４′−ジメチ
ルフェニル）−β−（４′−ジプロピルアミノフェニ
ル）ビニル〕−４−（２′，４′−ジメチルベンゾイル
メチル）ベンゼン）を67.09 ｇ（0.105mol）と乾燥トル
エン134ml の混合液を23〜30℃、0.５時間で滴下し、続
いて室温で19時間反応した後、氷冷した５％塩化アンモ
ニウム水溶液603 ｇ中へ注入した。この溶液を３０分撹
拌した後、分液、食塩水で洗浄、乾燥（無水硫酸マグネ
シウム）、濃縮し、粗モノオール体Ｂ（１−〔β−
（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジプ
ロピルアミノフェニル）ビニル〕−４−〔２−ヒドロキ
シ−２−（２′，４′−ジメチルフェニル）−２−
（４′−ジエチルアミノフェニル）エチル〕ベンゼン）
106.92ｇを得た。

【００４５】

【化１１】

【００４６】１リットルの反応フラスコに、この粗モノ
オール体Ｂ106.9 ｇ、トルエン427.68ml、ＰＴＳＡ2.12
ｇを仕込み、還流（112 ℃）下で２時間共沸脱水反応さ
せた。これを冷却後、食塩水で洗浄、１％ソーダ灰水で
洗浄、再度食塩水で洗浄した後、乾燥、濃縮し、粗生成
物101.25ｇを得た。この粗生成物をビグロー付きクライ
ゼンにて蒸留（沸点〜96℃/1mmHg、浴温〜160 ℃）して
Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン11.19 ｇを除去し、残査85.7
1 ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液：
ベンゼン）にて精製し、次いで熱酢酸エチル106ml に加
熱溶解させ、さらに熱エタノール424ml を加え放冷して
再結晶をし、24.39 ｇの１−〔β−（２′，４′−ジメ
チルフェニル）−β−（４′−ジプロピルアミノフェニ
ル）ビニル〕−４−〔β−（２′，４′−ジメチルフェ
ニル）−β−（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニ
ル〕ベンゼン（例示化合物４）を得た。

【００４７】ｍ．ｐ．１３６〜１３７℃ ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）：６６０（Ｍ⁺）¹ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm 、CDCl₃）；0.90
(6H, t, J = 7.4Hz ),1.14(6H, t, J = 7.0Hz ),1.58(4
H, q, J = 7.5Hz ),1.98(6H,s),2.36(6H,s),3.21(4H,q,
J = 7.5Hz ),3.33(4H,q, J = 7.0Hz ), 6.53(2H,d,J =
9.0Hz),6.57(2H,d,J = 9.0),6.64(4H,s),6.80(2H,s),
6.95(2H,d,J = 7.7Hz),6.99(2H,d,J = 7.8Hz),7.03(2H,
s),7.11(2H,d,J = 9.0Hz),7.12(2H,d,J = 9.0Hz) また、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液：
ベンゼン）にて精製し、モノケトン体Ａ32.76 ｇを回収
した。

【００４８】実施例４１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビニル〕−４−
〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′
−ジメチルアミノフェニル）ビニル〕ベンゼン（例示化
合物２）の合成 0.５リットルの反応フラスコに、窒素雰囲気下でマグネ
シウム1.９ｇ（0.0792mol ）、乾燥ＴＨＦ20mlを仕込
み、少量のヨウ素と臭化エチルを加えた。反応開始を確
認した後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−ブロモアニリン15.5
2g(0.0776mol) を乾燥トルエン100ml に溶かした溶液を
室温で１時間で滴下してグリニア試薬を調製した。

【００４９】次いで、この反応溶液に、実施例２で合成
したモノケトン体Ａ（１−〔β−（２′，４′−ジメチ
ルフェニル）−β−（４′−ジプロピルアミノフェニ
ル）ビニル〕−４−（２′，４′−ジメチルベンゾイル
メチル）ベンゼン）20.5ｇ（0.0388mol ）の乾燥トルエ
ン200ml 溶液を室温下２時間で滴下した。滴下後、１８
時間、室温で撹拌反応させ、実施例３と同様に後処理し
て粗生成物4.41ｇを得た。これを酢酸エチルから再結晶
して３．９８ｇの１−〔β−（２′，４′−ジメチルフ
ェニル）−β−（４′−ジプロピルアミノフェニル）ビ
ニル〕−４−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）
−β−（４′−ジメチルアミノフェニル）ビニル〕ベン
ゼン（例示化合物２）を得た。

【００５０】ｍ．ｐ．１９０〜１９１℃ ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）；６３２（Ｍ⁺）¹ Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm 、CDCl₃）；0.90
(6H, t, J = 7.4Hz ),1.58(4H,m),1.96(3H,s) ,1.97(3
H,s),2.36(3H,s),2.37(3H,s),2.93(6H,s),3.21(4H,t, J
= 7.7Hz ), 6.53(2H,d,J = 9.0Hz),6.63(2H,d,J = 9.
0),6.64(4H,s),6.80(1H,s),6.81(1H,s),6.95(2H,d,J =
7.6Hz),6.99(2H,d,J = 7.7Hz),7.03(2H,s),7.11(2H,d,J
= 9.0Hz),7.15(2H,d,J = 9.0Hz)

【００５１】実施例５１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕−４−
（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン及
び１，４−ビス〔β−（２′，４′−ジメチルフェニ
ル）−β−（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕
ベンゼン（比較化合物２）の合成２リットルの反応フラスコに、窒素雰囲気下でマグネシ
ウム9.8g（0.4 mol ）、乾燥ＴＨＦ20mlを仕込み、ここ
へヨウ素と臭化エチル少量を加えた。反応開始を確認
し、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−ブロモアニリン91.2ｇ(0.4
mol)の乾燥ＴＨＦ400ml の溶液を２５〜３５℃、２時間
で滴下した。その後、室温で18時間反応させグリニア試
薬を調製した。

【００５２】次いで、この溶液に、実施例１で合成した
１，４−ビス（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチ
ル）ベンゼン74ｇ(0.2mol)と乾燥トルエン400ml の混合
液を−３０〜−４０℃で、２時間で滴下し、続いて同温
で３時間反応させた。その後、反応溶液を５％塩化アン
モニウム水溶液中へ注入し、３０分撹拌した。その後、
トルエンで抽出、食塩水で洗浄（1.５リットル、２回、
洗浄後のｐＨ７）、乾燥（無水硫酸マグネシウム）、濃
縮し、粗生成物１５８ｇを得た。これをエタノール３１
６ｇから再結晶（−２０℃）し、53.1ｇの未反応の１，
４−ビス（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベ
ンゼンを除去した。残ったこの母液を濃縮し、ＰＴＳＡ
0.5ｇ、トルエン500ml を加え、還流攪拌し共沸脱水を
２時間行った。この溶液を冷却後、食塩水で洗浄、５％
ソーダ灰水で洗浄、再度食塩水で洗浄、乾燥、濃縮し、
ビグロー付きクライゼンにて蒸留（沸点〜87℃/1mmHg、
浴温〜160 ℃）し、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン52.4ｇを
除去して残査51.1ｇを得た。これをシリカゲルカラムク
ロマトグラフィ−（溶離液：ベンゼン）にて精製し、４
ｇの１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β
−（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕−４−
（２′，４′−ジメチルベンゾイルメチル）ベンゼン
（オイル状）を得た。

【００５３】ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）；５０１（Ｍ⁺），３６８，１３３ＩＲ（ｎｅａｔ，ｃｍ^-1）；１６８０（Ｃ＝Ｏ）¹ ＨーＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm ，CDCl₃）；1.14
(6H,t,J = 7.1Hz),2.00(3H,s),2.32(3H,s),2.36(3H,s),
2.40(3H,s),3.33(4H,t,J = 7.6Hz),6.58(2H,d,J=8.9H
z),6.85(2H,d,J = 8.3Hz),6.89(1H,s),6.95(2H,d,J =
8.3Hz),6.98〜7.04(5H,m),7.16(2H,d,J = 8.9Hz),7.59
(1H,d,J = 8.4Hz)

【００５４】また、さらに上述のシリカゲルカラムクロ
マトグラフィ−（溶離液：ベンゼン）にて7.0 ｇの１，
４−ビス〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β
−（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕ベンゼン
（比較化合物２）の粗結晶を得た。これをエタノール−
酢酸エチルの混合溶媒から再結晶して3.9 ｇの１，４−
ビス〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕ベンゼン
（比較化合物２）を得た。

【００５５】ｍ．ｐ．２３４〜２３６℃ ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）；６３２（Ｍ⁺）¹ ＨーＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm 、CDCl₃）；1.14
(12H, t, J = 7.0Hz ),1.98(6H,S),2.37(6H,s),3.33(8
H,q, J = 7.0Hz ), 6.57(4H,d,J = 9Hz),6.64(4H,S),6.
80(2H,s),6.95(2H,d,J = 7.6Hz),6.99(2H,d,J = 7.6H
z),7.12(4H,d,J = 7.0Hz)

【００５６】実施例６１−〔β−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−
（４′−ジエチルアミノフェニル）ビニル〕−４−〔β
−（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジ
メチルアミノフェニル）ビニル〕ベンゼン（例示化合物
１）の合成 200ml の反応フラスコに、窒素雰囲気下でマグネシウム
0.48ｇ（20mmol）、乾燥ＴＨＦ５mlを仕込み、そこへヨ
ウ素と臭化エチル少量を加えた。反応開始を確認した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−ブロモアニリン4.０ｇ（20
mmol）と乾燥ＴＨＦ50mlを室温下0.５時間で滴下した
後、同温で３時間反応させグリニア試薬を調製した。

【００５７】次いで、実施例５で合成した１−〔β−
（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジエ
チルアミノフェニル）ビニル〕−４−（２′，４′−ジ
メチルベンゾイルメチル）ベンゼン1.82ｇ（4.28mmol）
と乾燥トルエン50mlの混合液を23〜30℃、0.5 時間で滴
下し、続いて室温で19時間反応した。その後、この溶液
を氷冷した５％塩化アンモニウム水溶液６００ｇ中へ注
入し、３０分撹拌した後、分液、食塩水で洗浄、乾燥
（無水硫酸マグネシウム）、濃縮し、粗１−〔β−
（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジエ
チルアミノフェニル）ビニル〕−４−〔２−ヒドロキシ
−２−（２′，４′−ジメチルフェニル）−２−（４′
−ジメチルアミノフェニル）エチル〕ベンゼンを5.３ｇ
得た。

【００５８】

【化１２】

【００５９】これにトルエン100ml 、ＰＴＳＡ0.2 ｇを
仕込み、還流下で２時間共沸脱水反応させた。この溶液
を冷却後、食塩水で洗浄、１％ソーダ灰水で洗浄、再度
食塩水で洗浄、乾燥、濃縮し、残査4.4 ｇを得た。これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（溶離液：ベン
ゼン）にて精製して2.0 ｇの粗生成物を得た。これをさ
らに酢酸エチルから再結晶して0.5gの１−〔β−
（２′，４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジエ
チルアミノフェニル）ビニル〕−４−〔β−（２′，
４′−ジメチルフェニル）−β−（４′−ジメチルアミ
ノフェニル）ビニル〕ベンゼン（例示化合物１）を得
た。

【００６０】ｍ．ｐ．１９５〜１９６℃ ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）；６０４（Ｍ⁺）¹ ＨーＮＭＲ（４００ＭＨｚ、δppm 、CDCl₃； 1.14(6
H, t, J = 7.0Hz) ,1.96(3H,s),1.98(3H,s),2.37(6H,
s),2.93(6H,s),3.33(4H,t, J = 7.0Hz ), 6.56(2H,d,J
=9.0Hz),6.63(2H,d,J=9.0Hz),6.64(4H,s),6.80(1H,s),
6.80(1H,s)6.95(2H,d,J = 7.6Hz),6.97(2H,d,J = 7.7H
z),7.03(2H,s),7.12(2H,d,J = 9.0Hz),7.15(2H,d,J =
9.0Hz)

【００６１】試験例１上記実施例で合成した例示化合物４、２、１及び比較化
合物１、２それぞれのガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化
温度（Ｔｃ）、融点（Ｔｍ）について、示差走査熱量計
（ＤＳＣ）を用いて熱分析した。即ち、上記化合物をそ
れぞれ、５℃／分で昇温していくと融解による吸熱ピ−
クが見られる。このとき融解して得られた等方性液体を
液体窒素で急冷し、透明なガラス状化合物を形成した。
次いで、このガラス状化合物を再度５℃／分で昇温する
と、ガラス転移点が見られ、この時の温度をガラス転移
温度（Ｔｇ）とした。その後、昇温を続けると結晶化に
よる発熱ピ−クが見られ、この時の温度を結晶化温度
（Ｔｃ）とした。さらに昇温を続け、融解による吸熱ピ
−クが見られ、この時の温度を融点（Ｔｍ）とした。結
果を表２に示す。

【００６２】この結果より、比較化合物１、２に比べ、
本発明化合物４、２、１は、Ｔｃ及び（Ｔｃ−Ｔｇ）の
値が大きく、また、（Ｔｍ−Ｔｃ）の値が小さいことが
わかる。すなわち、本発明化合物は製膜化する際に結晶
化が起こりにくいものであることがわかる。

【００６３】応用例１、２ τ型無金属フタロシアニン１重量部とブチラール樹脂
（積水化学工業株式会社製ポリビニルブチラールＢＭ−
１）１重量部をテトラヒドロフラン３０重量部を溶剤と
してボールミルで５時間混練した。このようにして得ら
れた顔料分散液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシート上に塗
布し、１００℃で２時間乾燥させた。さらに実施例３、
４において合成した例示化合物４、２をそれぞれ１重量
部、及びポリカーボネート樹脂（三菱瓦斯化学株式会社
製ポリカーボネートＺ）１重量部をジクロロエタン８重
量部中で混合溶解した。この溶液をドクターブレードで
電荷発生層上に塗布し、８０℃で３時間乾燥させた。

【００６４】このようにしてそれぞれ得られた電子写真
感光体の電子写真特性を静電記録試験装置ＳＰ-428型
（川口電機製作所製）を用いてスタティック方式により
電子写真特性を測定した。すなわち、前記感光体それぞ
れを６kVのコロナ放電を５秒間行って帯電せしめ、表面
電位Ｖ₀（単位ボルト）を測定し、これを暗所で５秒間
保持した後、タングステンランプにより照度５ルックス
の光を照射し、表面電位を半分に減衰させるに必要な露
光量すなわち半減電光量Ｅ_1/2（ルックス・秒）、およ
び照度５ルックスの光を20秒間照射後の表面残留電位Ｖ
_R10（ボルト）を求めた。この結果を表３に示した。応
用例３

【００６５】τ型フタロシアニンをｘ型フタロシアニン
に代え、例示化合物４、２の代わりに実施例６で合成し
た例示化合物１を用いた以外は、応用例１、２と同様に
して電子写真感光体を作成し、電子写真特性を測定し
た。結果を表３に示した。以上の結果より、本発明化合
物を用いた応用例１〜３では、光を２０秒間照射した後
の表面残留電位Ｖ_R10は全て０ボルトであり、本発明化
合物が電荷輸送能力において優れたものであることがわ
かる。

【００６６】応用例４〜６実施例３、４、６において合成した例示化合物４、２、
１をそれぞれ１重量部、及びポリカーボネート樹脂１重
量部をジクロロエタン８重量部中で混合溶解した。この
溶液をドクターブレードでポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシート
上に塗布し、８０℃で３時間乾燥させた。さらに電荷輸
送層上に半透明金電極を蒸着してキャリア移動度を測定
した。キャリア移動度の測定は、光源としてパルス半値
幅0.9nsec ，波長３３７nmの窒素ガスレーザーを用い、
Time-of-flight法（田中聡明、山口康浩、横山正明：電
子写真,29,p366(1990)）にて行った。結果を表４に示し
た。この結果より、通常はキャリア移動度が８〜９×１
０^-6（ｃｍ²／Ｖｓ）程度あれば優れたものであると考
えられるが、本発明化合物を用いればそれ以上のキャリ
ア移動度を得られることがわかる。

【００６７】応用例７実施例３で合成した例示化合物４を結着剤であるポリカ
ーボネート樹脂に溶解させるに際し、例示化合物４の重
量比が全体の３０、５０、７０、８０％となるようにそ
れぞれの割合で加え、さらにその固形物の４倍量（重
量）のジクロロエタンで混合溶解した。すべて均一に溶
解し、電荷輸送材料の溶解性は高かった。この溶液を、
τ型フタロシアニンをｘ型フタロシアニンに代え、電荷
輸送材料として上記混合溶解物を用いた以外は応用例
１、２と同様にしてポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシート上に塗
布し、８０℃で３時間乾燥させた。このように電荷輸送
物質を高濃度に含有する電荷輸送層を形成しても、結晶
の析出やピンホールの生成のない均質な層を形成するこ
とができた。次いで電荷輸送層上に半透明金電極を蒸着
してキャリア移動度を測定した。その結果を表５に示し
た。

【００６８】さらに、結着剤を加えない、１００％の例
示化合物４を、その固形物の２倍量（重量）のジクロロ
エタンで混合溶解し、この溶液を上記シ−ト上にパスツ
ールピペットで滴下した。室温で乾燥した後、減圧下、
８０℃で３時間乾燥させた。このように結着剤を加え
ず、電荷輸送物質のみからなる電荷輸送層を形成して
も、結晶の析出やピンホールの生成のない均質な層を形
成することができた。同様にキャリア移動度を測定し、
その結果を表５に示した。この結果からわかるように、
１００％本発明化合物を用いた場合には、６３×１０^-6
（ｃｍ²／Ｖｓ）もの高いキャリア移動度を発現するこ
とができ、本発明化合物が極めて有用であることがわか
る。

【００６９】応用例８実施例４で合成した例示化合物２を結着剤であるポリカ
ーボネート樹脂に溶解させるに際し、例示化合物２の重
量比が全体の５０、９０％となるようにそれぞれの割合
で加え、さらにその固形物の４倍量（重量）のジクロロ
エタンで混合溶解した。すべて均一に溶解し、電荷輸送
材料の溶解性は高かった。この溶液を、τ型フタロシア
ニンをｘ型フタロシアニンに代え、電荷輸送材料として
上記混合溶解物を用いた以外は応用例１、２と同様にし
てポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に
アルミニウムを蒸着したシート上に塗布し、８０℃で３
時間乾燥させた。このように電荷輸送物質を高濃度に含
有する電荷輸送層を形成しても、結晶の析出やピンホー
ルの生成のない均質な層を形成することができた。次い
で電荷輸送層上に半透明金電極を蒸着してキャリア移動
度を測定した。その結果を表６に示した。

【００７０】比較例１実施例２で合成した比較化合物１を結着剤であるポリカ
ーボネート樹脂に溶解させるに際し、比較化合物１の重
量比が全体の２０、３０、５０、７０％となるようにそ
れぞれの割合で加え、さらにその固形物の４倍量（重
量）のジクロロエタンで混合溶解した。この溶液を、τ
型フタロシアニンをｘ型フタロシアニンに代え、電荷輸
送材料として上記混合溶解物を用いた以外は応用例１、
２と同様にしてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルム上にアルミニウムを蒸着したシート上に塗布
し、８０℃で３時間乾燥させた。その結果、２０、３
０、５０％では均一な塗膜が得られたが、７０％では塗
膜の全面に結晶が析出した。次いで電荷輸送層上に半透
明金電極を蒸着してキャリア移動度を測定した（７０％
の場合は結晶が析出したため測定不可）。その結果を表
７に示した。この結果より、比較化合物１を用いた場合
には７０％で結晶が析出してしまい、また５０％までは
均一な塗膜が得られるものの、応用例７、８と比べ満足
できるキャリア移動度が得られないことがわかる。

【００７１】比較例２実施例５で合成した比較化合物２を結着剤であるポリカ
ーボネート樹脂に溶解させるに際し、比較化合物２の重
量比が全体の２０、３０、４０、５０、６０、７０、８
０％となるようにそれぞれの割合で加え、さらにその固
形物の４倍量（重量）のジクロロエタンで混合溶解し
た。この溶液を、τ型フタロシアニンをｘ型フタロシア
ニンに代え、電荷輸送材料として上記混合溶解物を用い
た以外は応用例１、２と同様にしてポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルム上にアルミニウムを蒸着し
たシート上に塗布し、８０℃で３時間乾燥させた。その
結果、２０〜７０％では均一な塗膜が得られたが、８０
％では塗膜の全面に結晶が析出した。次いで電荷輸送層
上に半透明金電極を蒸着してキャリア移動度を測定した
（８０％の場合は結晶が析出したため測定不可）。その
結果を表８に示した。この結果より、比較化合物２を用
いた場合には８０％で結晶が析出してしまい、また７０
％までは均一な塗膜が得られるものの、応用例７、８と
比べ満足できるキャリア移動度が得られないことがわか
る。

【００７２】

【表２】表２ ─────────────────────────────────── 例示ＴｇＴｃＴｍＴｃ−ＴｇＴｍ−Ｔｃ化合物（℃）（℃）（℃）（℃）（℃） ─────────────────────────────────── ４ 65.3 −¹⁾ 126.6 − − ２ 67.0 149.7 185.0 82.7 35.3 １ 76.9 160.7 186.9 83.8 26.2 比較化合物１ 58.9 125.2 166.3 66.3 41.1 ２ 74.5 77.3 223.5 2.8 146.2 ─────────────────────────────────── １）結晶化温度は測定されなかった。すなわち結晶化し
なかった。

【００７３】

【表３】表３ ──────────────────────────────── 応用例Ｖ₀（Ｖ）Ｖ_R10（Ｖ）Ｅ_1/2(lux・ sec) ──────────────────────────────── １９９８００．９２９４０００．７３９６０００．９ ────────────────────────────────

【００７４】

【表４】表４ ───────────────────────────────── 応用例例示化合物キャリア移動度（10^-6cm²Ｖ^-1ｓ^-1） ───────────────────────────────── ４４１５．５５２８６．９６１８．５８ ─────────────────────────────────

【００７５】

【表５】表５例示化合物（４）の濃度に対する移動度変化 ───────────────────────────── ｗｔ％キャリア移動度（10^-6cm²Ｖ^-1ｓ^-1） ───────────────────────────── ３０２．１５５０１５．５７０３４．２８０４９．１１００６３．０ ─────────────────────────────

【００７６】

【表６】表６例示化合物２の濃度に対する移動度変化 ───────────────────────────── ｗｔ％キャリア移動度（10^-6cm²Ｖ^-1ｓ^-1） ───────────────────────────── ５０８６．９９０９１．６ ─────────────────────────────

【００７７】

【表７】表７比較化合物１の濃度に対する移動度変化 ───────────────────────────── ｗｔ％キャリア移動度（10^-6cm²Ｖ^-1ｓ^-1） ───────────────────────────── ２００．５１３０１．２３５０９．５２７０（結晶が析出） ─────────────────────────────

【００７８】

【表８】表８比較化合物２の濃度に対する移動度変化 ───────────────────────────── ｗｔ％キャリア移動度（10^-6cm²Ｖ^-1ｓ^-1） ───────────────────────────── ３０１．１７４０４．４３５０１１．７６０１６．０７０１８．３８０（結晶が析出） ─────────────────────────────

【００７９】

【発明の効果】上述のように、本発明の１，４−ビス
（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体
（１）は、溶解性が良く、その添加量を増やし高濃度に
して製膜化したときにも均質及び安定で、電荷輸送材料
としての性能に優れ、そのため電子写真感光体としたと
きに高いキャリア移動度を発現することができ、しかも
高感度で残留電位の無いといった諸特性も良好な、工業
的に優れた化合物である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】次の一般式（１）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は相異なる低級アルキル基を示
し、Ｍｅはメチル基を示す。）で表される１，４−ビス
（２′，２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体。
【請求項２】請求項１記載の１，４−ビス（２′，
２′−ジフェニルビニル）ベンゼン誘導体を含有するこ
とを特徴とする電荷輸送材料。
【請求項３】請求項２記載の電荷輸送材料を電荷輸送
層に含有することを特徴とする電子写真感光体。