JPH06283104A

JPH06283104A - 電子放出素子の検査装置

Info

Publication number: JPH06283104A
Application number: JP2761294A
Authority: JP
Inventors: Hidetoshi Suzuki; 英俊鱸; Toshihiko Takeda; 俊彦武田; Yasuhiro Hamamoto; 康弘浜元; Naohito Nakamura; 尚人中村; Ichiro Nomura; 一郎野村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-02-01
Filing date: 1994-02-01
Publication date: 1994-10-07

Abstract

(57)【要約】【目的】表面伝導形放出素子のように電圧依存の非線
形性を有する電子放出素子であっても、該素子を用いた
表示パネル等の封着工程前に、素子の良，不良の選別を
精度良く行うことのできる検査装置を提供することを目
的とする。【構成】電子放出素子７への一定電圧の印加手段１
と、電子放出素子７に流れる電流の検知手段２と、検知
手段２により検知された電流値と比較するための基準値
が記憶されている記憶手段５と、検知手段２により検知
された電流値と上記基準値を比較するための比較手段６
を具備する電子放出素子の検査装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子線発生装置や画像
表示装置等の電子源として用いられる表面伝導形放出素
子の検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像表示装置などへの応用を目的
とした電子放出素子の研究が盛んである。例えば、特開
平１−２００５３２で技術開示された表面伝導形放出素
子、あるいはこれと類似の表面伝導形放出素子は、いず
れも構造が単純なうえ、比較的大きな電流の電子ビーム
が微小な消費電力で得られるため、平板型ＣＲＴや、様
々な分野への応用が期待されている。

【０００３】上記表面伝導形放出素子の構成例を図７を
用いて説明する。

【０００４】同図においてＮｉ，Ｃｒ等の金属材料で構
成される電極７１，７２は間隙Ｌだけ離れて、絶縁性基
板７５上に設置され、電子放出材であるＳｎＯ₂ ，Ｐｄ
等の微粒子で構成される電子放出用薄膜７３がその上に
成膜されている。同図の構成において電極７１，７２に
電圧を印加し通電処理を行うと該電極７１，７２間の間
隙の電子放出用薄膜７３の内部に島状構造を有する亀裂
が生じ、電子放出部７４が形成され電子が放出される。
この時、放出される電子の量は電極７１，７２間に加え
る電圧（流れる電流）によって制御することができる。

【０００５】かかる表面伝導形放出素子を平面基板上に
多数配置し画像を表示する画像表示装置の概略断面図を
図８に示す。同図において、８１は前記の表面伝導形放
出素子、８５はガラス等の絶縁材で構成される基板、８
３は透明なガラスで構成されるフェースプレート、８４
は前記フェースプレートの内面に塗布された蛍光体、８
２は基板８５とフェースプレート８３を一定の間隔（例
えば３ｍｍ〜５ｍｍの間のある値）に保つためのスペー
サ、８６はスペーサ８２と基板８５やフェースプレート
８３を融着し真空封止するためのフリットガラス、８７
は基板８５とフェースプレート８３間の空間を真空排気
するための排気管である。同図の構成において、基板８
５とフェースプレート８３間の空間を真空ポンプ（図示
せず）によって１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下に真空排気す
る。表面伝導形放出素子８１から放出された電子は、表
面伝導形放出素子８１に対して数ｋＶの正電位にした蛍
光体８４に向かって加速され、衝突し蛍光体８４を発光
させ輝点が生じる。輝点の明るさは表面伝導形放出素子
８１の電極７１，７２に加える電圧によって制御し、所
望の画像を表示することができる。

【０００６】図９は、表面伝導形放出素子を電子源とし
て用いた画像表示装置の構造を更に詳しく説明するため
に、その一部を切り欠いて示した斜視図である。

【０００７】図中ＶＣはガラス製の真空容器で、表示面
側のフェースプレートＦＰ，側壁ＳＷ，底板ＢＰをフリ
ットガラスで溶着して形成したものである。

【０００８】フェースプレートＦＰの内面には、例えば
ＩＴＯを材料とする透明電極（図示せず）が形成され、
さらにその内側には、赤，緑，青の蛍光体ＰＨがモザイ
ク状に塗り分けられ、ＣＲＴの分野では公知のメタルバ
ック処理ＭＢが施されている。また、前記透明電極は、
例えば、１０［ＫＶ］程度の加速電圧を印加するため
に、端子ＥＶを通じて真空容器外と電気的に接続されて
いる。

【０００９】また、Ｓは前記真空容器ＶＣの底面に固定
されたガラス基板で、その上面には、表面伝導形放出素
子がＮ個×Ｌ列にわたり配列形成されている。

【００１０】前記表面伝導形放出素子は、ＸＹ方向に沿
って単純マトリクス配線されているが（図示の便宜上、
配線電極は省略してある）、各配線は、端子ＥＸ₁ 〜Ｅ
Ｘ_Lおよび端子ＥＹ₁ 〜ＥＹ_N を介して、真空容器外と
電気的に接続している。

【００１１】前記表面伝導形放出素子の電気的な接続
を、図１０に示す。この様な単純マトリクス配線された
マルチ電子ビーム源を用いて画像表示を行うには、ＥＸ
₁ 〜ＥＸ_L の１列づつに順次選択的に電圧を印加してラ
イン順次走査を行う一方、ＥＹ₁ 〜ＥＹ_N の各々に、各
ラインに対する所望の表示パターンに従って変調電圧を
印加する事により、蛍光体ＰＨに所望の電子ビームパタ
ーンを照射すれば良い。

【００１２】以上、表面伝導形放出素子を用いた平板型
ＣＲＴの一例について構成を説明したが、上記平板型Ｃ
ＲＴは、例えば次の様な手順で製造される。

【００１３】先ず、ガラス基板Ｓ上に、単純マトリクス
配線された表面伝導形放出素子を形成するが、表面伝導
形放出素子は、例えば、特開平１−２００５３２あるい
は特開平２−５６８２２に開示される方法により容易に
作成可能である。また、単純マトリクス配線について
は、例えばＮｉなどの金属とＳｉＯ₂ などの絶縁体を材
料として、蒸着やフォトリソグラフィーエッチングの技
術を組み合わせて積層加工する事により、容易に作成が
可能である。

【００１４】一方、フェースプレートＦＰは、ガラス基
板上に透明電極，蛍光体，メタルバック層の順に積層さ
れ、別途用意される。また、側壁ＳＷの４面のうち３面
には端子ＥＹ₁ 〜ＥＹ_N および端子ＥＸ₁ 〜ＥＸ_L およ
び端子Ｅ_V を設けるが、これは予めガラス板と端子用金
属部材をフリットガラスで融着して各面を作成した後、
４面の部材を接続し、枠状の部材として準備しておく。

【００１５】そして、固定治具を用いて、フェースプレ
ートＦＰ，底板ＢＰ，基板Ｓ，側壁ＳＷを位置決めし、
固定するが、この時、各部材間の接合面には、フリット
ガラスが挟み込まれている（上記、組立ての過程で、各
端子と電極の間の電気的接続が行われるのは言うまでも
ない。）。

【００１６】その後、全体を、例えば４３０℃で６０分
程度加熱しフリットガラスを溶融させ封着する。

【００１７】次に、図８に示したような基板とフェース
プレート間の空間を排気管８７に接続されるターボ分子
ポンプ等の真空ポンプ（図示せず）によって１×１０^-6
Ｔｏｒｒ以下に真空排気する。次に、各素子に電圧を印
加し通電処理を行い、電子放出部を形成する。更に、こ
の画像装置全体をベーキングし脱ガスを十分行った後、
ゲッター材（図示せず）を飛ばす。最後に排気管８７を
封じ切る。

【００１８】上記製造方法に於て、完成品の歩留りを向
上させ、不必要な費用の発生を防止するためには、各工
程における検査が重要な事は言うまでもない。

【００１９】特に、真空容器を形成するための封着工程
では、封着後に不良が発見されても、ガラス部材，蛍光体，
電極材等は再利用が困難であり、高価な部材が無駄にな
る。封着装置は比較的大きな設備投資を必要とするうえ、
加熱に多くのエネルギーを必要とする。

【００２０】以上の観点から、事前に各構成部品に不良
がないかを十分検査しておく事が重要である。

【００２１】そこで、表面伝導形放出素子が多数形成さ
れているマルチ電子源部についても、封着工程前に特性
を検査し、不良が発見された場合には修理して再利用す
るか、もしくは除去してしまう事が望ましい。

【００２２】マルチ電子源部の不良としては、例えば以
下の点が考えられる。表面伝導形放出素子を配線する配線電極の断線あるい
は配線電極同志のショート。表面伝導形放出素子の電子放出部を形成する微粒子膜
の微粒子径や膜厚が、適当な範囲内に収まっていない。

【００２３】以上の様な不良を迅速かつ確実に発見する
には、配線電極を介して電子放出素子の電気抵抗を測定
するのが適当であると考えられてきた。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表面伝
導形放出素子の初期の抵抗を検査するうえで、従来次の
ような問題が生じていた。電気抵抗が電圧依存の非線形性を有しているため、例
えば定電流回路で抵抗測定を行うと、測定値が収束しな
い場合がある。素子抵抗は湿度や温度の影響で比較的大巾に変化する
ため、検査の合否判定の基準となる抵抗範囲の設定が困
難である。電気抵抗の測定により、表面伝導形放出素子の特性に
悪影響を与える場合がある。即ち、前述の真空排気され
た表示パネル内の表面伝導形放出素子には、通電による
フォーミングが施され（フォーミングを必要としない場
合もある）、さらに、所定時間駆動する事により性能を
安定化させるためのエージングが行われる。

【００２５】しかし、真空雰囲気中でのフォーミングあ
るいはエージング工程より前に、電気抵抗を測定するた
めに大気中で過大な電圧を印加すると、電子放出部とな
る微粒子膜の構造や組成に変化をきたし、最終的な電子
放出特性に悪影響を与える場合があるのである。

【００２６】本発明は、上記従来技術が有する問題点に
鑑みてなされたものであり、表示パネルの封着工程前
に、表面伝導形放出素子の良，不良の選別を精度良く行
う検査装置を提供することを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために成された本発明は、被検物への一定電圧の印
加手段と、該被検物に流れる電流の検知手段と、該検知
手段により検知された電流値と比較するための基準値が
記憶されている記憶手段と、上記検知手段により検知さ
れた電流値と上記基準値を比較するための比較手段を具
備する電子放出素子の検査装置である。

【００２８】本発明によれば、素子に一定電圧を印加し
た際に流れる電流値と、基準電流値とを比較することに
より、電圧依存の非線形性を有する素子であっても、素
子抵抗が所望の範囲内にあるか否かを容易に検査できる
ものである。

【００２９】上記基準電流値は該素子を用いて構成する
電子線発生装置や画像表示装置等の規格や、素子の構成
部材等によって適宜設定することができる。

【００３０】被検物となる素子に印加する一定電圧は、
通常の表面伝導形放出素子の場合、２ボルト以下である
ことが好ましい。２ボルトを超える場合には、素子を構
成する微粒子膜を変質させるおそれが有り、素子の最終
的（フォーミング工程やエージング工程後）の電子放出
特性に最影響を及ぼしかねず好ましくない。

【００３１】先述した様に、表面伝導形放出素子の素子
抵抗は、温度や湿度により変化しやすいため、本発明に
おいて被検物近傍もしくは被検物自体の温度及び／又は
湿度を検知する手段を具備し、前記記憶手段に記憶され
ている基準値は温度及び／又は湿度をパラメータとして
設定されていることが好ましい。このことにより、環境
変動下においても検査の精度を大幅に向上させることが
できる。

【００３２】本発明においては更に、被検物近傍もしく
は被検物自体の温度及び／又は湿度を制御する制御手段
を具備するのが好ましい。このことにより、検査環境の
温度や湿度を所定の範囲内に制御でき、前記記憶手段に
記憶する基準値は広範囲の温度，湿度パラメータを含有
する必要がなく、更には、より一層検査精度を向上させ
ることができる。

【００３３】ここで、本発明に係る表面伝導形電子放出
素子について、以下に説明する。

【００３４】まず、本発明に係る表面伝導形電子放出素
子の基本的な構成について説明する。

【００３５】図５（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明
にかかわる基本的な表面伝導形電子放出素子の構成を示
す平面図及び断面図である。図５を用いて、本発明に関
わる素子の基本的な構成を説明する。

【００３６】図５において５１は基板、５５と５６は素
子電極、５４は電子放出部を含む薄膜、５３は電子放出
部である。

【００３７】基板５１としては、石英ガラス、Ｎａ等の
不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラ
スにスパッタ法等により形成したＳｉＯ₂を積層したガ
ラス基板等及びアルミナ等のセラミックス等が、挙げら
れる。

【００３８】対向する素子電極５５，５６の材料として
は、導電性を有するものであればどのようなものであっ
ても構わないが、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属或は合金及びＰ
ｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂，Ｐｄ−Ａｇ等の金属或は金
属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ₂Ｏ₃
−ＳｎＯ₂等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体
材料等が挙げられる。

【００３９】素子電極間隔Ｌ１は、数百オングストロー
ムより数百マイクロメートルであり、素子電極の製法の
基本となるフォトリソグラフィー技術、即ち、露光機の
性能とエッチング方法等、及び素子電極間に印加する電
圧と電子放出し得る電界強度等により設定されるが、好
ましくは、数マイクロメートルより数十マイクロメート
ルである。

【００４０】素子電極長さＷ１、素子電極５５，５６の
膜厚ｄは、電極の抵抗値、前述したＸ，Ｙ配線との結
線、多数配置された電子源の配置上の問題より適宜設計
され、通常は、素子電極長さＷ１は、数マイクロメート
ルより数百マイクロメートルであり、素子電極５５，５
６の膜厚ｄは、数百オングストロームより数マイクロメ
ートルである。

【００４１】基板５１上に設けられた対向する素子電極
５５と素子電極５６間及び素子電極５５，５６上設置さ
れた電子放出部を含む薄膜５４は、電子放出部５３を含
むが、図５（ｂ）に示された場合だけでなく、素子電極
５５，５６上には、設置されない場合もある。即ち、絶
縁性基板５１上に、電子放出部を含む薄膜５４、対向す
る素子電極５５，５６の電極順に積層構成した場合であ
る。また、対向する素子電極５５と素子電極５６間全て
が、製法によっては、電子放出部として機能する場合が
ある。この電子放出部を含む薄膜５４の膜厚は、好まし
くは、数オングストロームより数千オングストローム
で、特に好ましくは、１０オングストロームより５００
オングストロームであり、素子電極５５，５６へのステ
ップカバレージ、電子放出部５３と素子電極５５，５６
間の抵抗値及び電子放出部５３の導電性微粒子の粒径、
後述する通電処理条件等によって、適宜設定される。そ
の抵抗値は、１０の３乗より１０の７乗オーム／□のシ
ート抵抗値を示す。

【００４２】電子放出部を含む薄膜５４を構成する材料
の具体例を挙げるならばＰｄ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，
Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ，ＳｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，
Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化物、ＨｆＢ₂，ＺｒＢ₂，ＬａＢ₆，Ｃ
ｅＢ₆，ＹＢ₄，ＧｄＢ₄等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，
ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，Ｚ
ｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、カー
ボン、ＡｇＭｇ，ＮｉＣｕ，Ｐｂ，Ｓｎ等であり、微粒
子からなる。

【００４３】なおここで述べる微粒子膜とは、複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子
が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
さす。

【００４４】微粒子の粒径は、数オングストロームより
数千オングストローム、好ましくは、１０オングストロ
ームより２００オングストロームである。

【００４５】電子放出部５３は、好ましくは、数オング
ストロームより数百オングストローム、特にこのましく
は、１０オングストロームより５００オングストローム
の粒径の導電性微粒子多数個からなり、電子放出部を含
む薄膜５４の膜厚及び後述する通電処理条件等の製法に
依存しており、適宜設定される。

【００４６】電子放出部５３を構成する材料は、電子放
出部を含む薄膜５４を構成する材料の元素の一部あるい
は全てと同様の物である。

【００４７】電子放出部５３を有する電子放出素子の製
造方法としては様々な方法が考えられるが、その一例を
図６に示す。図中、５２は電子放出部形成用薄膜で例え
ば微粒子膜が挙げられる。

【００４８】以下、順をおって製造方法を図５及び図６
に基づいて説明する。

【００４９】１）基板５１を洗剤、純水および有機溶剤
により十分に洗浄後、真空蒸着法，スパッタ法等により
素子電極材料を堆積後、フォトリソグラフィー技術によ
り該絶縁性基板５１の面上に素子電極５５，５６を形成
する（図６（ａ））。

【００５０】２）絶縁性基板５１上に設けられた素子電
極５５と素子電極５６との間に、素子電極５５と５６を
形成した絶縁性基板上に有機金属溶液を塗布して放置す
ることにより、有機金属薄膜を形成する。なお、有機金
属溶液とは、前記Ｐｄ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等
の金属を主元素とする有機化合物の溶液である。この
後、有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ，エッ
チング等によりパターニングし、電子放出部形成用薄膜
５２を形成する（図６（ｂ））。尚、ここでは、有機金
属溶液の塗布法により説明したが、これに限る物でな
く、真空蒸着法，スパッタ法，化学的気相堆積法，分散
塗布法，ディッピング法，スピンナー法等によって形成
される場合もある。

【００５１】３）続いて、素子電極５５，５６間に不図
示の電源によりパルス状あるいは、昇電圧によるフォー
ミングと呼ばれる通電処理を施すと、電子放出部形成用
薄膜５２の部位に構造の変化した電子放出部５３が形成
される（図６（ｃ））。この通電処理により電子放出部
形成用薄膜５２を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、構造の変化した部位を電子放出部５３と呼ぶ。先に
説明したように、電子放出部５３は導電性微粒子で構成
されていることを本出願人らは観察している。

【００５２】

【実施例】以下に本発明の実施例を述べる。

【００５３】実施例１本実施例は、本発明の検査装置に関するものであり、図
１に本実施例における検査装置のブロック構成を示す。

【００５４】図中、１は定電圧印加手段、２は電流検知
手段、３は温度検知手段、４は湿度検知手段、５は基準
値データテーブルが蓄えられた記憶手段、６は比較手
段、７は被検物である表面伝導形放出素子を示してい
る。

【００５５】定電圧印加手段１は、例えば従来市販され
ているような電圧安定化電源を用いて良い。

【００５６】電流検知手段２は、被検物７と比べて十分
に内部抵抗が低いものが適しており、また検知結果をデ
ジタル値で出力する方式である方が、装置構成を簡便化
する上で有利な場合が多い。

【００５７】温度検知手段３は、被検物自体もしくは被
検物近傍の温度を検知するためのものであり、例えば赤
外線温度計や熱電対温度計のようなもので良い。

【００５８】湿度検知手段４は、被検物近傍の湿度を測
定するためのものであり、一般に用いられている湿度セ
ンサーで良い。但し、前記温度検知手段３及び湿度検知
手段４も、電流検知手段２と同様に、デジタル値で検知
結果を出力するものの方が装置構成上有利である。記憶
手段５は、例えばＩＣ−ＲＯＭ（読出し専用メモリーＩ
Ｃ）やフロッピーディスクなどの記憶装置であり、これ
に蓄えられるデータテーブルには以下に述べるような内
容を含んでいる。即ち、被検物７に定電圧を印加した際
に電流検知手段２により検知される電流値に関して、被
検物７が良好な特性を有する場合に示す数値範囲の数値
表である。この数値表には温度と湿度をパラメータとし
て、予め良好な特性を有する素子をいろいろな条件で測
定した結果が含まれている。

【００５９】比較手段６は、温度検知手段３及び湿度検
知手段４より出力される検知結果に基づき、記憶装置に
格納されているデータテーブルから良否判定基準となる
数値範囲を読みだし、この数値範囲と電流検知手段２の
出力とを比較し、被検物７が良好な特性を有するものか
否かを判定するものである。

【００６０】尚、被検物７は表面伝導形放出素子１素子
に限らず、複数の素子が並列あるいは直列あるいはマト
リクス状に配線されているものでも差し支えない。いず
れの場合にも、各素子に印加される電圧は２［Ｖ］以下
となるように定電圧印加手段１の出力を設定しておく。

【００６１】例えば図１０に示したような単純マトリク
ス配線の場合、ＥＸ₁ を０［Ｖ］とし、ＥＸ₂ 〜ＥＸ_L
及びＥＹ₁ 〜ＥＹ_N のすべてに２［Ｖ］を印加すれば、
ＥＸ₁ と直接結線されている１列（Ｎ素子）に定電圧が
印加される。この時、予め並列Ｎ素子分の電流値に対す
るデータテーブルを用意しておけば良く、以後、同様に
ＥＸ₂ ，ＥＸ₃ ……ＥＸ_L を順次選択して０［Ｖ］を印
加してゆけば、Ｌ列の素子列を１列づつ順次検査するこ
とが可能となる。

【００６２】次に、図２を用いて本実施例をより具体的
に説明する。

【００６３】図２は図１で示した構成に従って、マイク
ロコンピュータを応用して装置化したときの構成を示し
ている。図中、１は定電圧印加手段であるところの定電
圧電源、３は温度検知手段であるところの温度センサ
ー、４は湿度検知手段であるところの湿度センサー、５
は記憶手段であるところのメモリー、６は比較手段であ
るところのＣＰＵ、７は表面伝導形放出素子、８及び９
は接触子、１０は温度補償された抵抗、１１は増巾器、
１２，１３及び１４はＡ／Ｄ変換器、１５，１６及び１
７は入力ポートである。

【００６４】本装置に於ては、温度補償抵抗１０，増巾
器１１及びＡ／Ｄ変換器１２により、図１中の電流検知
手段２が構成されている。温度補償抵抗１０は被検物７
と比較して十分に電気抵抗が小さく、しかも温度補償さ
れた物を用いる。温度補償抵抗１０の両端の電位差は、
増巾器１１により電圧増巾された後、Ａ／Ｄ変換器１２
によりデジタル化され、入力ポート１５を介してバスラ
インと接続する。

【００６５】また、温度センサー３及び湿度センサー４
の出力は、各々、Ａ／Ｄ変換器１３及び１４によりデジ
タル信号化され、入力ポート１６及び１７を介してバス
ラインと接続している。

【００６６】また、メモリー５には、先に説明したデー
タテーブルが予め記憶されている。

【００６７】ＣＰＵ６はバスラインを介して入力ポート
１６，１７から温度データ及び湿度データを読み出す
と、メモリー５に対して適宜アドレスを発生し、前記デ
ータテーブルの中から、その時点での温度及び湿度にお
ける判定基準データを読み出す。しかる後、ＣＰＵ６は
入力ポート１５から入力される電流データと前記判定基
準データを比較し、良品か否かの判定を行うものであ
る。

【００６８】尚、ＣＰＵ６やバスラインは必ずしも本検
査装置専用のものである必要はなく、時分割動作により
他の装置の制御などを行うものであっても差し支えな
い。

【００６９】実施例２本実施例では、本発明の検査装置の他の態様を示すもの
である。図３に本実施例における検査装置のブロック構
成を示す。

【００７０】同図において、定電圧印加手段１，電流検
知手段２，温度検知手段３，湿度検知手段４の機能は実
施例１と同様である。本実施例に於ては、温度及び湿度
に関して、その検知手段を備えるだけでなく、昇温手段
１８，降温手段１９，加湿手段２０，除湿手段２１を併
わせて設ける事により、温度と湿度をほぼ一定の条件に
制御し、この条件のもとで電流検知が行えるようにした
ものである。従って、本実施例の場合には、データテー
ブル５の内容は必ずしも広範囲の温度，湿度パラメータ
を包含する必要は無い。

【００７１】本実施例に於ては、制御装置２５は以下に
説明するような制御機能を果たす。温度検知手段３より入力する温度計測値に基づき、昇
温手段１８あるいは降温手段１９を作動し、所定の温度
を維持するよう制御する。湿度検知手段４より入力する湿度計測値に基づき、加
湿手段２０あるいは除湿手段２１を作動し、所定の湿度
を維持するよう制御する。位置検出手段２２より入力される被検物の位置情報に
基づき、被検物搬送手段２３を適宜駆動し、被検物を所
定の位置に移動せしめた後、接触子駆動手段２４を駆動
し、被検物と測定回路との電気的接続を制御する。定電圧印加手段１を適宜駆動し、電流検知手段２によ
って検知された電流値と、データテーブル５に記憶され
た判定基準値とを比較し、電子放出素子の良否を判定す
る。

【００７２】図４は図３の構成に基づいて装置化したも
のであり、同図に示すのは検査装置の一部斜視図であ
る。図４中、２２はＣＣＤ撮像素子等を用いた被検物の
位置検出手段であるところの光学センサー、２３は被検
物基板２６の搬送手段であるところの搬送ベルト、２４
は接触子２７を被検物と接触もしくは離間させるための
駆動ステージ、２８は検査装置のカバー、２９は温度・
湿度調整器、３０は送風路である。

【００７３】本装置は、多数の被検物を短時間内に検査
するためのものであり、被検物は搬送ベルト２３によ
り、次々と検査装置内に搬入される。

【００７４】位置検出用光学センサー２２の検出信号に
基づき、被検物が検査装置内の所定位置に置かれると、
接触子アレイ駆動ステージ２４が作動し、接触子２７が
被検物基板２６上の所定の位置に接触する。そして、先
に説明した様な方法により、被検物の特性の良否を判定
する。この間、被検物近傍に設置された温度センサー３
と湿度センサー４が、例えば温度３０℃，湿度５０％を
指示するように、温度・湿度調整器２９により調整され
た空気が、送風路３０を介して装置内に吹き込まれる。

【００７５】尚、カバー２８は電磁ノイズを遮蔽した
り、装置内の温度や湿度の維持に補助的な役割りを果た
すものであり、図４では図示の都合上、２面を開放した
形状としているが、実際には被検物の搬入と搬出に必要
十分なサイズの開口とするのが望ましい。

【００７６】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば以下の
効果を奏する。

【００７７】本発明の検査装置は、表面伝導形放出素子
に一定電圧を印加した際に流れる電流値と、良好な素子
特性を有する素子の基準電流値の範囲とを比較判定する
ことにより、電圧依存の非線形性を有する素子であって
も、素子の良否判定を容易にすることができる。

【００７８】また、素子に印加する一定電圧を２［Ｖ］
以下に設定することで、素子の電子放出特性に悪影響を
与えることなく良否判定を行うことができる。

【００７９】更に、温度・湿度検知や温度・湿度制御を
することにより、より一層、上記検査を精度良く行うこ
とが可能である。

【００８０】以上の結果、不良な素子基板を封着工程前
に選別する事が可能となり、従来と比較して製造に関わ
る資源とエネルギーの浪費を大巾に低減させる事が可能
となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の検査装置のブロック構成例である。

【図２】本発明の検査装置をマイクロコンピュータを応
用して構成した例である。

【図３】本発明の検査装置のブロック構成例である。

【図４】本発明の検査装置の一例を示す部分斜視図であ
る。

【図５】本発明に係る表面伝導形電子放出素子の基本構
成図である。

【図６】図５の素子の製造方法を説明するための図であ
る。

【図７】本発明に係る画像表示装置に用いられる電子放
出素子の一例を示す斜視図である。

【図８】本発明に係る画像表示装置の一例を示す概略断
面図である。

【図９】本発明に係る画像表示装置の一例を示す部分切
欠斜視図である。

【図１０】単純マトリクス配線を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

１定電圧印加手段２電流検知手段３温度検知手段４湿度検知手段５記憶手段６比較（判定）手段７表面伝導形放出素子（被検物）８，９接触子１０温度補償抵抗１１増巾器１２，１３，１４Ａ／Ｄ変換器１５，１６，１７入力ポート１８昇温手段１９降温手段２０加湿手段２１除湿手段２２位置検出手段２３被検物搬送手段２４接触子駆動手段２５制御装置２６被検物基板２７接触子２８カバー２９温度・湿度調整器３０送風路５１基板５２電子放出部形成用薄膜５３電子放出部５４電子放出部を含む薄膜５５，５６素子電極７１，７２電極７３電子放出用薄膜７４電子放出部７５絶縁性基板８１表面伝導形放出素子８２スペーサ８３フェースプレート８４蛍光体８５基板８６フリットガラス８７排気管

フロントページの続き (72)発明者中村尚人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者野村一郎東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検物への一定電圧の印加手段と、該被
検物に流れる電流の検知手段と、該検知手段により検知
された電流値と比較するための基準値が記憶されている
記憶手段と、上記検知手段により検知された電流値と上
記基準値を比較するための比較手段を具備する電子放出
素子の検査装置。
【請求項２】前記被検物に印加される一定電圧が、２
ボルト以下であることを特徴とする請求項１記載の検査
装置。
【請求項３】前記被検物近傍の温度及び／又は湿度を
検知する手段を具備し、前記記憶手段に記憶されている
基準値は温度及び／又は湿度をパラメータとして設定さ
れていることを特徴とする請求項１又は２記載の検査装
置。
【請求項４】前記被検物近傍の温度及び／又は湿度を
制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１
〜３いずれかに記載の検査装置。