JPH06273924A - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition

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JPH06273924A
JPH06273924A JP5082417A JP8241793A JPH06273924A JP H06273924 A JPH06273924 A JP H06273924A JP 5082417 A JP5082417 A JP 5082417A JP 8241793 A JP8241793 A JP 8241793A JP H06273924 A JPH06273924 A JP H06273924A
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decomposable
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利明 青合
Tsukasa Yamanaka
司 山中
Tadayoshi Kokubo
忠嘉 小久保
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Abstract

PURPOSE:To provide the positive composition small in change of sensitivity in a state left as it is from exposure to baking, change of a profile, and decrease of film thickness at the time of development, and good in the profile and high in resolution. CONSTITUTION:The positive photosensitive composition contains (a) a resin insoluble in water but soluble in an aqueous solution of alkali, (b) a compound to be allowed to produce acid by irradiation with active rays car radiation, (c) a low-molecular-weight acid-decomposable dissolution-inhiting compound having a molecular weight <=3000 and a group decomposable by acid and increased in activity by heating to >=70 deg.C in the presence of the acid. and (d) a compound to be allowed to react within 1 hour at a temperature of 50 deg.C by the action of the acid by (b) and increasing in solubility or hydrophilicity in an alkali developer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷板やIC等の
半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の
製造、更にその他のフォトファブリケーション工程に使
用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive type photosensitive composition used in semiconductor manufacturing processes such as lithographic printing plates and ICs, manufacturing of circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photofabrication processes. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂/ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂/トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」)(ACS出版、N
o.2 19号、p112〜121)に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。
2. Description of the Related Art As a positive photoresist composition,
Generally, a composition containing an alkali-soluble resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material is used. For example, as "novolac type phenolic resin / naphthoquinonediazide-substituted compound" in US Pat. No. 3,666,473, US Pat. No. 4,115,128 and US Pat. No. 4,173,470, etc.,
As the most typical composition, "Novolak resin consisting of cresol-formaldehyde / trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide sulfonate" is an example of Thompson "Introduction to Microlithography" (LFThompson "Intr.
oduction to Microlithography ") (ACS Publishing, N
o. 219, p112-121). In such a positive photoresist basically consisting of a novolac resin and a quinonediazide compound, the novolac resin provides high resistance to plasma etching, and the naphthoquinonediazide compound acts as a dissolution inhibitor. When naphthoquinonediazide is irradiated with light, naphthoquinone diazide forms a carboxylic acid and loses its dissolution inhibiting ability, thereby increasing the alkali solubility of the novolak resin.

【0003】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.8μm〜
2μm程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。この必要な解像力を達
成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装
置の使用波長は益々短波化し、今では、遠紫外光やエキ
シマレーザー光(XeCl、KrF、ArFなど)が検
討されるまでになってきている。従来のノボラックとナ
フトキノンジアジド化合物から成るレジストを遠紫外光
やエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーのパター
ン形成に用いると、ノボラック及びナフトキノンジアジ
ドの遠紫外領域に於ける吸収が強いために光がレジスト
底部まで到達しにくくなり、低感度でテーパーのついた
パターンしか得られない。
From this point of view, many positive photoresists containing novolac resin and naphthoquinonediazide type photosensitive material have been developed and put into practical use from the viewpoint of 0.8 μm.
We have achieved sufficient results in line width processing up to about 2 μm. However, the degree of integration of integrated circuits is increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSI, it has become necessary to process ultrafine patterns having line widths of half micron or less. In order to achieve this required resolving power, the wavelength of the exposure apparatus used for photolithography has become shorter and shorter, and now far-ultraviolet light and excimer laser light (XeCl, KrF, ArF, etc.) are being studied. ing. When a conventional resist composed of novolak and naphthoquinonediazide compound is used for pattern formation of lithography using far ultraviolet light or excimer laser light, light is strong in the far ultraviolet region of novolak and naphthoquinonediazide, and light reaches the bottom of the resist. It is hard to reach, and only a pattern with low sensitivity and taper can be obtained.

【0004】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載
されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅
系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させる
パターン形成材料である。
One of means for solving such a problem is
It is a chemically amplified resist composition described in US Pat. No. 4,491,628 and European Patent 249,139. A chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as far-ultraviolet light, and the acid-catalyzed reaction dissolves the active radiation irradiation area and non-irradiation area in the developing solution. It is a pattern-forming material that changes properties and forms a pattern on a substrate.

【0005】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはO,N−アセタール
化合物との組合せ(特開昭48−89003号)、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特
開昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−1
33429号)、エノールエーテル化合物との組合せ
(特開昭55−12995号)、N−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ(特開昭55−126236
号)、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ(特開昭56−17345号)、第3級アルキルエ
ステル化合物との組合せ(特開昭60−3625号)、
シリルエステル化合物との組合せ(特開昭60−102
47号)、及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開
昭60−37549号、特開昭60−121446号)
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
1を越えるため、高い感光性を示す。
As such an example, a combination of a compound capable of generating an acid by photolysis with an acetal or O, N-acetal compound (JP-A-48-89003), or a combination of an orthoester or amide acetal compound ( JP-A-51-120714), a combination with a polymer having an acetal or ketal group in the main chain (JP-A-53-1).
No. 33429), a combination with an enol ether compound (JP-A-55-12995), and a combination with an N-acyliminocarbonate compound (JP-A-55-126236).
No.), a polymer having an orthoester group in the main chain (JP-A-56-17345), a combination with a tertiary alkyl ester compound (JP-A-60-3625),
Combination with silyl ester compound (JP-A-60-102)
47) and a combination with a silyl ether compound (JP-A-60-37549, JP-A-60-121446).
Etc. can be mentioned. Since these have a quantum yield of more than 1 in principle, they exhibit high photosensitivity.

【0006】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭59−45439号、特開昭
60−3625号、特開昭62−229242号、特開
昭63−27829号、特開昭63−36240号、特
開昭63−250642号、Polym.Eng.Sce.,23巻、101
2頁(1983);ACS.Sym.242巻、11頁(1984);Semicond
uctor World 1987年、11月号、91頁;Macromolecules,2
1巻、1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1988)等に
記載されている露光により酸を発生する化合物と、第3
級又は2級炭素(例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニ
ル)のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系が
挙げられる。これらの系も高感度を有し、且つ、ナフト
キノンジアジド/ノボラツク樹脂系と比べて、Deep-UV
領域での吸収が小さいことから、前記の光源短波長化に
有効な系となり得る。
Similarly, a system which is stable at room temperature over time but decomposes by heating in the presence of an acid to solubilize with an alkali is disclosed in, for example, JP-A-59-45439 and JP-A-60-3625. JP-A-62-229242, JP-A-63-27829, JP-A-63-36240, JP-A-63-250642, Polym.Eng.Sce., 23, 101
2 (1983); ACS.Sym.242, 11 (1984); Semicond
uctor World 1987, November issue, p. 91; Macromolecules, 2
Vol. 1, p. 1475 (1988); SPIE, vol. 920, p. 42 (1988), etc.
Mention may be made of systems of secondary or primary carbon (eg t-butyl, 2-cyclohexenyl) in combination with ester or carbonate compounds. These systems also have high sensitivity and, compared to the naphthoquinone diazide / novolak resin system, Deep-UV
Since the absorption in the region is small, it can be an effective system for shortening the wavelength of the light source.

【0007】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる2成分系に大別できる。2成分
系の場合、樹脂中の酸分解基の含量が多くなるため、露
光後のベークによりレジスト膜が収縮するという問題が
あつた。一方、3成分系では、アルカリ可溶性樹脂に対
する溶解阻止性が不十分であるため、現像時の膜減りが
大きく、レジストプロフアイルを著しく劣化させるとい
う問題があつた。しかし、3成分系は、素材選択の幅が
大きいことから有望な系であり、この系に用いられる溶
解阻止性の優れた酸分解性化合物の開発が望まれてい
た。また、2成分系、3成分系共に、特に酸存在下室温
では安定であるが、加熱により分解する基を有する化合
物系では、露光から該加熱処理(Post Expos
ure Bake(PEB)処理)迄の放置時間が長くな
ると、露光部においてもレジスト表面部の現像性が低下
し、いわゆるT型トップ形状を呈し、結果的に感度が低
下するという問題があった。
The positive chemically amplified resist is a three-component composition comprising an alkali-soluble resin, a compound (photoacid generator) which generates an acid upon exposure to radiation, and a dissolution inhibiting compound for the alkali-soluble resin having an acid-decomposable group. The system can be roughly classified into a two-component system comprising a resin having a group which is decomposed by a reaction with an acid to be alkali-soluble and a photo-acid generator. In the case of a two-component system, the content of acid-decomposable groups in the resin increases, so there is a problem that the resist film shrinks due to baking after exposure. On the other hand, in the case of the three-component system, there is a problem that since the dissolution inhibiting property to the alkali-soluble resin is insufficient, the film loss during development is large and the resist profile is remarkably deteriorated. However, the three-component system is a promising system because the range of selection of raw materials is large, and development of an acid-decomposable compound having excellent dissolution inhibiting properties used in this system has been desired. In addition, both the two-component system and the three-component system are stable especially in the presence of an acid at room temperature, but in the case of a compound system having a group which decomposes by heating, from the exposure to the heat treatment (Post Expos).
When the standing time before the ure Bake (PEB) treatment becomes long, the developability of the resist surface portion is lowered even in the exposed portion, so that a so-called T-shaped top shape is exhibited, and as a result, the sensitivity is lowered.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、露光からベークまでの放置による感度変化、プロフ
ァイル形状変化及び現像時の膜減りが少なく、良好なプ
ロファイルと高解像力を有するポジ型感光性組成物を提
供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to reduce the sensitivity change from exposure to baking by leaving it to stand, profile shape change and film loss during development, and to provide a positive type photosensitive material having a good profile and high resolution. To provide a sex composition.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、アルカ
リ可溶性樹脂、光酸発生剤、及び酸の存在下、70℃以
上に加熱することにより分解する基を有する溶解阻止化
合物から成るポジ型化学増幅系において、溶解阻止化合
物として以下に示す要件を満たす低分子酸分解性溶解阻
止化合物を用い、更に酸の作用により、50℃以下で反
応し、アルカリ溶解性又は親水性が増大する化合物を添
加することで達成されることを見いだし、本発明に到達
した。即ち、本発明は、(a)水不溶でアルカリ水溶液に
可溶な樹脂、(b)活性光線または放射線の照射により酸
を発生する化合物、及び(c)酸により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が(b)による酸の存在
下において70℃以上に加熱することにより増大する、
分子量3000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物、
(d)(b)による酸の作用により、50℃以下で1時間以
内に反応し、アルカリ現像液に対する溶解度又は親水性
が増大する化合物、を含有するポジ型感光性組成物にお
いて、該化合物(c)が、(i)酸で分解し得る基を少なく
とも2個有し、該酸分解性基間の距離が、最も離れた位
置において、酸分解性基を除く結合原子を10個以上経
由する化合物、及び、(ii)酸で分解し得る基を少なく
とも3個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置
において、酸分解性基を除く結合原子を9個以上経由す
る化合物、から選ばれた少なくとも1種であることを特
徴とするポジ型感光性組成物を提供するものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies made by the present inventors while paying attention to the above-mentioned various characteristics, the object of the present invention is to obtain an alkali-soluble resin, a photo-acid generator and an acid at 70 ° C. or higher. In a positive-type chemical amplification system comprising a dissolution inhibiting compound having a group capable of decomposing upon heating, a low molecular weight acid-decomposable dissolution inhibiting compound satisfying the following requirements is used as a dissolution inhibiting compound, The inventors have found that this can be achieved by adding a compound that reacts at a temperature of not higher than 0 ° C. and has increased alkali solubility or hydrophilicity, and reached the present invention. That is, the present invention has (a) a resin insoluble in water and soluble in an alkaline aqueous solution, (b) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (c) a group decomposable by an acid, Solubility in alkaline developers is increased by heating above 70 ° C. in the presence of acid according to (b),
A low molecular weight acid-decomposable dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less,
(d) A positive-type photosensitive composition containing a compound which reacts at 50 ° C. or lower within 1 hour to increase solubility or hydrophilicity in an alkali developing solution by the action of an acid according to (d), c) has at least two groups capable of decomposing with (i) an acid, and the distance between the acid decomposable groups is at the farthest position via 10 or more bond atoms excluding the acid decomposable group. A compound and (ii) a compound having at least three groups capable of decomposing with an acid, and having at least nine bond atoms excluding the acid decomposable group at positions where the distance between the acid decomposable groups is the longest. The present invention provides a positive photosensitive composition characterized by being at least one selected from the following.

【0010】本発明の3成分系ポジ型感光性組成物は、
基本的には、酸分解性溶解抑制剤、アルカリ可溶性樹脂
及び光酸発生剤から成る。酸分解性溶解抑制剤は、アル
カリ可溶性樹脂のアルカリへの溶解性を抑制し、露光を
受けると発生する酸により酸分解性基が脱保護され、逆
に樹脂のアルカリへの溶解性を促進する作用を有する。
特開昭63-27829号及び特開平3-198059号にナフタレン、
ビフェニル及びジフェニルシクロアルカンを骨格化合物
とする溶解抑制化合物が開示されているが、アルカリ可
溶性樹脂に対する溶解阻止性が小さく、プロファイル及
び解像力の点で不十分である。以下、本発明に使用する
化合物について詳細に説明する。
The three-component positive photosensitive composition of the present invention comprises
Basically, it consists of an acid-decomposable dissolution inhibitor, an alkali-soluble resin and a photo-acid generator. The acid-decomposable dissolution inhibitor suppresses the solubility of the alkali-soluble resin in alkali, the acid-decomposable group is deprotected by the acid generated when exposed to light, and conversely promotes the solubility of the resin in alkali. Have an effect.
Naphthalene in JP-A-63-27829 and JP-A-3-198059,
Dissolution-inhibiting compounds containing biphenyl and diphenylcycloalkane as a skeleton compound have been disclosed, but their solubility-inhibiting properties to alkali-soluble resins are small, and they are insufficient in terms of profile and resolution. Hereinafter, the compound used in the present invention will be described in detail.

【0011】(A)酸分解性溶解阻止化合物(本発明
(c)の化合物) 本発明(c)に使用される酸分解性溶解阻止化合物は、
酸の存在下70℃以上で加熱することにより分解する。
また、その構造中に酸で分解し得る基を少なくとも2個
有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置におい
て、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも10個、好
ましくは少なくとも11個、更に好ましくは少なくとも
12個経由する化合物、又は酸分解性基を少なくとも3
個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置におい
て、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも9個、好ま
しくは少なくとも10個、更に好ましくは少なくとも1
1個経由する化合物である。又、上記結合原子の好まし
い上限は50個、更に好ましくは30個である。本発明
において、酸分解性溶解阻止化合物が、酸分解性基を3
個以上、好ましくは4個以上有する場合、又酸分解性基
を2個有するものにおいても、該酸分解性基が互いにあ
る一定の距離以上離れている場合、アルカリ可溶性樹脂
に対する溶解阻止性が著しく向上する。なお、本発明に
おける酸分解性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由
結合原子数で示される。例えば、以下の化合物(1),
(2)の場合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子4
個であり、化合物(3)では結合原子12個である。
(A) Acid-decomposable dissolution inhibiting compound (Compound of the invention (c)) The acid-decomposable dissolution inhibiting compound used in the invention (c) is
Decomposes by heating above 70 ° C in the presence of acid.
Further, it has at least two groups capable of decomposing with an acid in its structure, and at a position where the distance between the acid decomposable groups is the longest, at least 10 bond atoms excluding the acid decomposable group, preferably at least 11 compounds, more preferably at least 12 compounds, or at least 3 acid-decomposable groups
At least 9, and preferably at least 10 and more preferably at least 1 bond atom excluding the acid-decomposable group at the position where the distance between the acid-decomposable groups is the longest.
It is a compound that passes through one. Also, the preferable upper limit of the number of bonding atoms is 50, and more preferably 30. In the present invention, the acid-decomposable dissolution inhibiting compound has an acid-decomposable group of 3
When the number of the acid-decomposable groups is two or more, preferably four or more, or when the number of the acid-decomposable groups is two or more, the acid-decomposable groups are remarkably inhibited from dissolving in an alkali-soluble resin when they are separated from each other by a certain distance or more. improves. The distance between acid-decomposable groups in the present invention is indicated by the number of via bond atoms excluding acid-decomposable groups. For example, the following compound (1),
In the case of (2), the distance between acid-decomposable groups is 4 for each bonding atom.
And the compound (3) has 12 bonding atoms.

【0012】[0012]

【化1】 [Chemical 1]

【0013】また更に本発明は、本発明(c)の化合物
の全含有量中、少なくとも10モル%、好ましくは30
モル%、更に好ましくは50モル%はアルカリ可溶性基
を意図的に残存させた化合物であることが好ましい。ア
ルカリ可溶性基の含有量は、第3級アルキルエステル基
含有溶解抑制剤中の平均のアルカリ可溶性基の数N
Sと、平均の第3級アルキルエステル基の数NBで表し
た、NS/(NB+NS)で表せる。アルカリ可溶性基の
量としては、0.01≦NS/(NB+NS)≦0.75
が好ましい。更に好ましくは、0.1≦NS/(NB+N
S)≦0.5である。特に好ましくは、溶解抑制剤1分
子中のアルカリ可溶性基の数(N1S)と第3級アルキル
エステル基(N1B)の比が、0.1≦N1S/(N1B+N
1S)≦0.5である構成成分を、溶解抑制剤全重量の5
0重量%以上含有する場合である。
Furthermore, the present invention provides at least 10 mol%, preferably 30 mol% of the total content of the compound of the present invention (c).
It is preferable that mol%, more preferably 50 mol%, is a compound in which an alkali-soluble group is intentionally left. The content of alkali-soluble groups is the average number N of alkali-soluble groups in the tertiary alkyl ester group-containing dissolution inhibitor.
It can be represented by N S / (N B + N S ), which is represented by S and the average number of tertiary alkyl ester groups N B. The amount of the alkali-soluble group is 0.01 ≦ N S / (N B + N S ) ≦ 0.75
Is preferred. More preferably, 0.1 ≦ N S / (N B + N
S ) ≦ 0.5. Particularly preferably, the ratio of the number of alkali-soluble groups in one molecule of the dissolution inhibitor (N 1S ) to the tertiary alkyl ester group (N 1B ) is 0.1 ≦ N 1S / (N 1B + N
1S ) ≤ 0.5, the content of the dissolution inhibitor is 5
This is the case where the content is 0 wt% or more.

【0014】後述する現像液によつてアルカリ可溶性基
が機能するために、酸分解性結合で保護されるアルカリ
可溶性基及び残存させるアルカリ可溶性基は、pKa
10以下の基であることが好ましい。好ましいアルカリ
可溶性基として、フエノール性水酸基、カルボン酸基、
イミド基、N−ヒドロキシイミド基、N−スルホニルア
ミド基、スルホンアミド基、N−スルホニルウレタン
基、N−スルホニルウレイド基、あるいは活性メチレン
基等を有する基を挙げることができ、より具体的には、
以下の例を挙げることができる。
Since the alkali-soluble group functions according to the developing solution described later, the alkali-soluble group protected by the acid-decomposable bond and the alkali-soluble group to be left are preferably groups having pK a of 10 or less. . As a preferred alkali-soluble group, a phenolic hydroxyl group, a carboxylic acid group,
Examples include groups having an imide group, an N-hydroxyimide group, an N-sulfonylamide group, a sulfonamide group, an N-sulfonylurethane group, an N-sulfonylureido group, an active methylene group, and the like, more specifically. ,
The following examples can be given.

【0015】[0015]

【化2】 [Chemical 2]

【0016】これらの基は、1分子中に混合して導入さ
れていても良い。但し、好ましいアルカリ可溶性基がこ
れら具体例に限定されるものではない。
These groups may be introduced as a mixture in one molecule. However, the preferred alkali-soluble group is not limited to these specific examples.

【0017】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いても良いが、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
3,000以下であり、好ましくは500〜3,00
0、更に好ましくは1,000〜2,500である。
The acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention may have a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring, but preferably one acid-decomposable group on one benzene ring. It is a compound composed of a skeleton having an acid-decomposable group. Further, the molecular weight of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention is 3,000 or less, preferably 500 to 3,000.
It is 0, more preferably 1,000 to 2,500.

【0018】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基−COO−A0,−O−B0基を含む
基としては、−R0−COO−A0、又は−Ar−O−B
0で示される基が挙げられる。ここでA0 は、−C(R
01)(R02)(R03)基を示す。B0は、A0又は−CO
−O−A0基を示す。R01、R02及びR03は、それぞれ
同一でも相異していても良く、水素原子、アルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を
示す。但し、R01〜R03の内少なくとも2つは水素原子
以外の基であり、又、R01〜R03の内の2つの基が結合
して環を形成してもよい。R0は置換基を有していても
良い2価 以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示
し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有していて
も良い2価以上の芳香族基を示す。
In a preferred embodiment of the present invention, the group containing an acid-decomposable group --COO--A 0 or --O--B 0 is --R 0 --COO--A 0 or --Ar--O. -B
Examples thereof include groups represented by 0 . Where A 0 is -C (R
01 ) (R 02 ) (R 03 ) groups are shown. B 0 is A 0 or -CO
Shows a -O-A 0 group. R 01 , R 02 and R 03, which may be the same or different, each represent a hydrogen atom, an alkyl group,
A cycloalkyl group, an alkenyl group or an aryl group is shown. However, at least two of R 01 to R 03 are groups other than a hydrogen atom, and two groups of R 01 to R 03 may combine to form a ring. R 0 represents a divalent or higher aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and —Ar— represents a divalent or higher divalent aromatic group which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Indicates an aromatic group.

【0019】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ基・s
ec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
Here, the alkyl group is preferably one having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, and cycloalkyl group. Is preferably a group having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group, and the alkenyl group is 2 to 2 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group. Four aryl groups are preferable, and the aryl group has 6 to 1 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthracenyl group.
Four is preferable. Further, a hydroxyl group as a substituent,
Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, the above alkyl groups, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, s
an alkoxy group such as an ec-butoxy group or a t-butoxy group,
Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, cumyl group, aralkyloxy group, acyl such as formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, valeryl group, etc. Groups, acyloxy groups such as butyryloxy groups, the above alkenyl groups, vinyloxy groups.
Examples thereof include alkenyloxy groups such as propenyloxy group, allyloxy group and butenyloxy group, the above aryl groups, aryloxy groups such as phenoxy group, and aryloxycarbonyl groups such as benzoyloxy group.

【0020】好ましくは、クミルエステル基、第3級の
アルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル基、第
3級のアルキルカーボネート基等である。更に好ましく
は、第3級アルキルエステル基、第3級アルキルカーボ
ネート基である。
Preferred are cumyl ester group, tertiary alkyl ether group, tertiary alkyl ester group, tertiary alkyl carbonate group and the like. More preferably, it is a tertiary alkyl ester group or a tertiary alkyl carbonate group.

【0021】好ましくは、特開平1−289946号、
特開平1−289947号、特開平2−2560号、特
開平3−128959号、特開平3−158855号、
特開平3−179353号、特開平3−191351
号、特開平3−200251号、特開平3−20025
2号、特開平3−200253号、特開平3−2002
54号、特開平3−200255号、特開平3−259
149号、特開平3−279958号、特開平3−27
9959号、特開平4−1650号、特開平4−165
1号、特開平4−11260号、特開平4−12356
号、特開平4−12357号、特願平3−33229
号、特願平3−230790号、特願平3−32043
8号、特願平4−25157号、特願平4−52732
号、特願平4−103215号、特願平4−10454
2号、特願平4−107885号、特願平4−1078
89号、同4−152195号等の明細書に記載された
ポリヒドロキシ化合物のフエノール性OH基の一部もし
くは全部を上に示した基、−R0−COO−A0もしくは
0基で結合し、保護した化合物が含まれる。
Preferably, JP-A-1-289946,
JP-A 1-289947, JP-A-2-2560, JP-A-3-128959, JP-A-3-158855,
JP-A-3-179353, JP-A-3-191351
No. 3, JP-A-3-200251, JP-A-3-2000025
No. 2, JP-A-3-200253, and JP-A-3-2002.
54, JP-A-3-200255, and JP-A-3-259.
149, JP-A-3-279958, and JP-A-3-27
No. 9959, JP-A-4-1650, and JP-A-4-165.
1, JP-A-4-11260, and JP-A-4-12356.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-12357, Japanese Patent Application No. 3-33229.
Japanese Patent Application No. 3-230790, Japanese Patent Application No. 3-32043
No. 8, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-52732.
Japanese Patent Application No. 4-103215, Japanese Patent Application No. 4-10454
No. 2, Japanese Patent Application No. 4-107885, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 89, No. 4-152195 and the like, a part or all of the phenolic OH group of the polyhydroxy compound described above is bonded with a group shown by the formula, —R 0 —COO—A 0 or B 0 group. And protected compounds are included.

【0022】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。
More preferably, JP-A-1-289946.
JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, and JP-A-3-2002.
51, JP-A-3-200252, and JP-A-3-200.
255, JP-A-3-259149, and JP-A-3-27.
No. 9958, JP-A-4-1650, and JP-A-4-112.
60, JP-A-4-12356, JP-A-4-1235.
7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-15219.
Those using the polyhydroxy compound described in the specification of No. 5 are mentioned.

【0023】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。
More specifically, general formulas [I] to [XV
I] can be mentioned.

【0024】[0024]

【化3】 [Chemical 3]

【0025】[0025]

【化4】 [Chemical 4]

【0026】[0026]

【化5】 [Chemical 5]

【0027】[0027]

【化6】 [Chemical 6]

【0028】ここで、R1,R2,R3,R4:同一でも異
なっていても良く、水素原子、−R0−COO−A0もし
くはB0基、 R1:−CO−,−COO−,−NHCONH−,−N
HCOO−,−O−,−S−,−SO−,−SO2−,
−SO3−,もしくは
Here, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different and each is a hydrogen atom, -R 0 -COO-A 0 or B 0 group, R 1 : -CO-,-. COO-, -NHCONH-, -N
HCOO-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-,
-SO3-, or

【0029】[0029]

【化7】 [Chemical 7]

【0030】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
4,R5のうち少なくとも一方はアルキル基、 R4,R5:同一でも異なっていても良く、水素原子,ア
ルキル基,アルコキシ基,−OH,−COOH,−C
N,ハロゲン原子,−R6−COOR7,もしくは−R8
−OH、 R6,R8:アルキレン基、 R7:水素原子,アルキル基,アリール基,もしくはア
ラルキル基、 R2,R3,R9〜R12,R15,R17〜R21,R25
27,R30〜R32,R37〜R42,R46〜R49及びR51
同一でも異なっても良く、水素原子,水酸基,アルキル
基,アルコキシ基,アシル基,アシロキシ基,アリール
基,アリールオキシ基,アラルキル基,アラルキルオキ
シ基,ハロゲン原子,ニトロ基,カルボキシル基,シア
ノ基,もしくは−N(R13)(R14)(R13,R14:H,アルキ
ル基,もしくはアリール基)、 R16:単結合,アルキレン基,もしくは
[0030] Here, G = 2 to 6, provided that at least one alkyl group of R 4, R 5 when the G = 2, R 4, R 5: may be the same or different, a hydrogen atom, an alkyl Group, alkoxy group, -OH, -COOH, -C
N, halogen atom, -R 6 -COOR 7 or -R 8,
-OH, R 6, R 8: an alkylene group, R 7: a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group,, R 2, R 3, R 9 ~R 12, R 15, R 17 ~R 21, R 25 ~
R 27, R 30 ~R 32, R 37 ~R 42, R 46 ~R 49 and R 51:
The same or different, hydrogen atom, hydroxyl group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, aralkyl group, aralkyloxy group, halogen atom, nitro group, carboxyl group, cyano group, Alternatively, —N (R 13 ) (R 14 ) (R 13 , R 14 : H, alkyl group, or aryl group), R 16 : single bond, alkylene group, or

【0031】[0031]

【化8】 [Chemical 8]

【0032】R22,R24:同一でも異なっても良く、単
結合,アルキレン基,−O−,−S−,−CO−,もし
くはカルボキシル基、 R23:水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,ニトロ基,水酸基,シ
アノ基,もしくはカルボキシル基、但し、水酸基の水素
が−R0−COO−A0基もしくはB0基で置換されてい
てもよい、 R28,R29:同一でも異なっても良く、メチレン基,低
級アルキル置換メチレン基,ハロメチレン基,もしくは
ハロアルキル基、但し本願において低級アルキル基とは
炭素数1〜4のアルキル基を指す、 R33〜R36:同一でも異なっても良く、水素原子,もし
くはアルキル基、 R43〜R45:同一でも異なっても良く、水素原子,アル
キル基,アルコキシ基,アシル基,もしくはアシロキシ
基、 R50:水素原子,−R0−COO−A0基,B0基,もし
くは
R 22 and R 24 may be the same or different and each is a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —CO—, or a carboxyl group, R 23 : a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, acyl group, an acyloxy group, an aryl group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group or a carboxyl group, with the proviso that the hydrogen of the hydroxyl group may be substituted with -R 0 -COO-a 0 group or B 0 group, R 28 , R 29, which may be the same or different, are a methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkyl group, provided that the lower alkyl group in the present application refers to an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 33 to R 36: may be the same or different, a hydrogen atom or an alkyl group,, R 43 to R 45: the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group Or acyloxy group, R 50: a hydrogen atom, -R 0 -COO-A 0 group, B 0 group, or

【0033】[0033]

【化9】 [Chemical 9]

【0034】R52,R53:同一でも異なっても良く、水
素原子,低級アルキル基,低級ハロアルキル基,もしく
はアリール基、 R54〜R57:同一でも異なっていても良く、水素原子,
水酸基,ハロゲン原子,ニトロ基,シアノ基,カルボニ
ル基,アルキル基,アルコキシ基,アルコキシカルボニ
ル基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,アシル基,
アシロキシ基,アルケニル基,アルケニルオキシ基,ア
リール基,アリールオキシ基,もしくはアリールオキシ
カルボニル基、但し、各4個の同一記号の置換基は同一
の基でなくても良い、 Y:−CO−,もしくは−SO2−、Z,B:単結合,
もしくは−O−、 A:メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキル基、 E:単結合,もしくはオキシメチレン基、 a〜z,a1〜y1:複数の時、()内の基は同一または異な
っていてもよい、a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s
1,u1:0もしくは1〜5の整数、r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p
1,r1,t1,v1〜x1:0もしくは1〜4の整数、j1,n1,z1,a
2,b2,c2,d2:0もしくは1〜3の整数、z1,a2,c2,d2の
うち少なくとも1つは1以上、 y1:3〜8の整数、(a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w
+x+y),(c1+d1),(g1+h1+i1+j1),(o1+p1),(s1+t1)≧2、
(j1+n1)≦3、(r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1
+f1),(p1+r1),(t1+v1),(x1+w1)≦4、但し一般式[V]
の場合は(w+z),(x+a1)≦5、(a+c),(b+d),(e+h),(f+i),
(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l
1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)≦5、 を表す。
R 52 and R 53 may be the same or different, and may be a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower haloalkyl group, or an aryl group, and R 54 to R 57 may be the same or different and are a hydrogen atom,
Hydroxyl group, halogen atom, nitro group, cyano group, carbonyl group, alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aralkyloxy group, acyl group,
An acyloxy group, an alkenyl group, an alkenyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, or an aryloxycarbonyl group, provided that each of the four substituents having the same symbol does not have to be the same group, Y: -CO-, or -SO 2 -, Z, B: a single bond,
Alternatively, -O-, A: methylene group, lower alkyl-substituted methylene group, halomethylene group, or haloalkyl group, E: single bond, or oxymethylene group, a to z, a1 to y1: when more than one, the group in () May be the same or different, a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 to m1, o1, q1, s
1, u1: 0 or an integer from 1 to 5, r, u, w, x, y, z, a1 to f1, p
1, r1, t1, v1 to x1: 0 or an integer of 1 to 4, j1, n1, z1, a
2, b2, c2, d2: 0 or an integer of 1 to 3, at least one of z1, a2, c2, d2 is 1 or more, y1: an integer of 3 to 8, (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s), (w
+ x + y), (c1 + d1), (g1 + h1 + i1 + j1), (o1 + p1), (s1 + t1) ≧ 2,
(j1 + n1) ≦ 3, (r + u), (w + z), (x + a1), (y + b1), (c1 + e1), (d1
+ f1), (p1 + r1), (t1 + v1), (x1 + w1) ≦ 4, but general formula [V]
In the case of, (w + z), (x + a1) ≦ 5, (a + c), (b + d), (e + h), (f + i),
(g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q + t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l
1), (i1 + m1), (o1 + q1), (s1 + u1) ≦ 5.

【0035】[0035]

【化10】 [Chemical 10]

【0036】[0036]

【化11】 [Chemical 11]

【0037】[0037]

【化12】 [Chemical 12]

【0038】[0038]

【化13】 [Chemical 13]

【0039】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。
Specific examples of preferable compound skeletons are shown below.

【0040】[0040]

【化14】 [Chemical 14]

【0041】[0041]

【化15】 [Chemical 15]

【0042】[0042]

【化16】 [Chemical 16]

【0043】[0043]

【化17】 [Chemical 17]

【0044】[0044]

【化18】 [Chemical 18]

【0045】[0045]

【化19】 [Chemical 19]

【0046】[0046]

【化20】 [Chemical 20]

【0047】[0047]

【化21】 [Chemical 21]

【0048】[0048]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0049】[0049]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0050】[0050]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0051】[0051]

【化25】 [Chemical 25]

【0052】[0052]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0053】[0053]

【化27】 [Chemical 27]

【0054】[0054]

【化28】 [Chemical 28]

【0055】[0055]

【化29】 [Chemical 29]

【0056】[0056]

【化30】 [Chemical 30]

【0057】[0057]

【化31】 [Chemical 31]

【0058】[0058]

【化32】 [Chemical 32]

【0059】化合物(1)〜(63)中のRは、水素原
子、
R in the compounds (1) to (63) is a hydrogen atom,

【0060】[0060]

【化33】 [Chemical 33]

【0061】を表す。但し、少なくとも2個、もしくは
構造により3個は水素原子以外の基であり、各置換基R
は同一の基でなくても良い。
Represents However, at least two, or three depending on the structure, are groups other than hydrogen atom, and each substituent R
Do not have to be the same group.

【0062】本発明(c)に用いられる化合物の添加量
は、感光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として
3〜50重量%であり、好ましくは5〜35重量%の範
囲である。
The amount of the compound used in the present invention (c) added is 3 to 50% by weight, preferably 5 to 35% by weight, based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent). is there.

【0063】(B)酸により、50℃以下で1時間以内
に反応する化合物(本発明(d)の化合物) 本発明(d)の化合物は、本発明(b)から光生成した
酸の作用により、50℃以下で、1時間以内に反応し、
アルカリ現像液に対する溶解度、又は親水性が増大す
る。その結果、露光からPEB迄の放置時間が長くなっ
ても、現像性の低下が起こり難く、T型トップ形状が改
良され、感度低下が少ない。このような化合物として
は、種々の酸分解性基を有する化合物を挙げることがで
きる。例えば、特公昭52−36442号、特開昭63
−10153号、同64−57258号、特開平1−1
06040号、同1−106041号、同2−2489
53号等に記載のアセタール化合物、特公昭60−20
738号、特開昭63−241540号、特開平1−1
06041号等に記載のオルソエステル化合物、特開昭
63−241540号、特開平3−107163号等に
記載のオルソカルボネート化合物、特開昭63−236
028号等に記載のエポキシ化合物、特開昭60−37
549号、特開平1−106038号等に記載のシリル
エーテル化合物、特開昭60−10247号等に記載の
シリルエステル化合物、特開昭55−12995号等に
記載のアルケニルエーテル化合物、特開平3−1765
3号、同3−208056号等に記載のα−ヘテロ置換
環状又は非環状のメチルエステル型化合物、特開昭63
−110445号等に記載のカルボン酸無水物化合物、
特開昭55−126236号記載のN−アシルイミノカ
ーボネート化合物の他、ラクトン化合物、環状スルホン
酸エステル化合物等が含まれる。代表的には一般式[d
−1]〜[d−12]で示される化合物である。
(B) Compound that reacts with an acid at 50 ° C. or less within 1 hour (Compound of the present invention (d)) The compound of the present invention (d) acts by the acid generated from the present invention (b). Reacts within 1 hour at 50 ° C or below,
The solubility or hydrophilicity in an alkaline developer is increased. As a result, even if the exposure time from exposure to PEB is prolonged, the developability is less likely to decrease, the T-shaped top shape is improved, and the sensitivity is less likely to decrease. Examples of such a compound include compounds having various acid-decomposable groups. For example, Japanese Examined Patent Publication No. 52-36442 and Japanese Patent Laid-Open No. 63-63
-10153, 64-57258, JP-A 1-1
06040, 1-106041, 2-2489.
53, etc., acetal compounds, Japanese Patent Publication No. 60-20
No. 738, JP-A-63-241540, JP-A 1-1
Orthoester compounds described in JP-A-06041, JP-A-63-241540, JP-A-3-107163, and JP-A-63-236.
No. 028, etc., and epoxy compounds described in JP-A-60-37.
549, silyl ether compounds described in JP-A-1-106038 and the like, silyl ester compounds described in JP-A-60-10247, alkenyl ether compounds described in JP-A-55-12995 and JP-A-3. -1765
No. 3, 3-208056 and the like, α-hetero-substituted cyclic or acyclic methyl ester type compounds, JP-A-63-63
Carboxylic acid anhydride compounds described in, for example, No. 110445,
In addition to the N-acyliminocarbonate compounds described in JP-A-55-126236, lactone compounds, cyclic sulfonate compounds and the like are included. Typically, the general formula [d
-1] to [d-12].

【0064】[0064]

【化34】 [Chemical 34]

【0065】式中、R1',R2',R5',R6'は、それぞ
れ同一でも相違していてもよく、置換もしくは未置換の
アルキル基・シクロアルキル基・アリール基もしくはア
ラルキル基を示す。R3',R4',R7',R8',R9',R
10'は、それぞれ同一でも相違していてもよく、水素原
子、置換もしくは未置換のアルキル基・アリール基もし
くはアラルキル基を示す。なお、R7'〜R10'の内、少
なくとも1つは水素原子以外の基であり、[d−1]〜
[d−3]で示されたR1'〜R6'の基の内の2個が結合
して、ヘテロ原子を含んでもよい5〜8員環の環を形成
してもよい。
In the formula, R 1 ′, R 2 ′, R 5 ′ and R 6 ′ may be the same or different and each may be a substituted or unsubstituted alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group. Indicates. R 3 ', R 4', R 7 ', R 8', R 9 ', R
10 ', which may be the same or different, each represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group / aryl group or an aralkyl group. In addition, at least one of R 7 ′ to R 10 ′ is a group other than a hydrogen atom, and [d-1]
Two of the R 1 ′ to R 6 ′ groups represented by [d-3] may be bonded to each other to form a 5- to 8-membered ring which may contain a hetero atom.

【0066】R11',R15',R16',R33'はそれぞれ同
一でも相違していてもよい置換もしくは未置換のn価の
アルキル基・アルケニル基・シクロアルキル基もしくは
アリール基を示し、R12',R13',R14'は置換もしく
は未置換のアルキル基・アルケニル基・シクロアルキル
基・アリール基・アラルキル基・アルコキシ基もしくは
アリーロキシ基を示す。
R 11 ′, R 15 ′, R 16 ′ and R 33 ′ each represent a substituted or unsubstituted n-valent alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group or aryl group which may be the same or different. , R 12 ′, R 13 ′ and R 14 ′ each represent a substituted or unsubstituted alkyl group, alkenyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxy group or aryloxy group.

【0067】R17',R18',R19',R21',R22'はそ
れぞれ同一でも相違していてもよく、水素原子、置換も
しくは未置換のアルキル基・シクロアルキル基・アリー
ル基もしくはアラルキル基を示し、R20',R31'は置換
もしくは未置換のアルキル基・シクロアルキル基・アリ
ール基もしくはアラルキル基を示す。なお、R17'〜R
19',及びR20'〜R22'の基の内の2個が結合して、ヘ
テロ原子を含んでもよい5〜8員環の環を形成してもよ
い。
R 17 ′, R 18 ′, R 19 ′, R 21 ′ and R 22 ′ may be the same or different and each is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, cycloalkyl group or aryl group. Alternatively, it represents an aralkyl group, and R 20 ′ and R 31 ′ represent a substituted or unsubstituted alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group. In addition, R 17 '~ R
19 ', and R 20' 2 atoms are bonded of the group to R 22 ', may form a ring also may 5- to 8-membered ring which contains a hetero atom.

【0068】X'はO,S,SO2もしくは−C
(R34',R35')−を示す。
X'is O, S, SO 2 or -C
(R 34 ′, R 35 ′) − is shown.

【0069】R23',R24',R25',R26',R27',R
28',R29',R30',R34'及びR35'はそれぞれ同一で
も相違していてもよく、水素原子、ハロゲン原子、置換
もしくは未置換のアルキル基・アリール基・アラルキル
基・アルコキシ基もしくはヒドロキシ基を示し、R32'
は置換もしくは未置換のアルキル基もしくはアリール基
を示す。なお、R24',R26'は結合して単結合を示して
もよく、R23'〜R26'及びR27'〜R30',R34',R35'
の基の内の2個が結合して、ヘテロ原子を含んでもよい
5〜8員環を形成してもよい。nは1〜10の整数を示
す。
R 23 ', R 24 ', R 25 ', R 26 ', R 27 ', R
28 ′, R 29 ′, R 30 ′, R 34 ′ and R 35 ′ may be the same or different and each is a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group / aryl group / aralkyl group / alkoxy. Group or hydroxy group, R 32 '
Represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. R 24 ′ and R 26 ′ may combine to represent a single bond, and R 23 ′ to R 26 ′ and R 27 ′ to R 30 ′, R 34 ′, R 35 ′.
Two of the above groups may combine to form a 5- to 8-membered ring which may contain heteroatoms. n shows the integer of 1-10.

【0070】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、
2−エチルヘキシル基の様な炭素数1〜8個のものが好
ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、アダマンチル基の様な炭素数3
〜10個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニ
ル基、プロペニル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個
のものが好ましく、アリール基としてはフエニル基、キ
シリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基の様な炭素数6〜14個のものが好まし
く、アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基、
4−メチルベンジル基、1−ナフチルメチル基の様な炭
素数7〜15個のものが好ましく、アルコキシ基として
はメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、オクトキシ基の様な炭素数1〜8個のものが好まし
く、アリーロキシ基としてはフェノキシ基、4−メチル
フェノキシ基、ナフトキシ基の様な炭素数6〜10個の
ものが好ましい。
Here, as the alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group,
sec-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group,
Those having 1 to 8 carbon atoms such as a 2-ethylhexyl group are preferable, and the cycloalkyl group is a cyclopropyl group,
3 carbon atoms such as cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, adamantyl group
Preferably, those having 10 to 10 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group and butenyl group have 2 to 4 carbon atoms as alkenyl group, and phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group as aryl group, Those having 6 to 14 carbon atoms such as naphthyl group and anthracenyl group are preferable, and the aralkyl group is benzyl group, phenethyl group,
Those having 7 to 15 carbon atoms such as 4-methylbenzyl group and 1-naphthylmethyl group are preferable, and the alkoxy group has 1 to 15 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group and octoxy group. The aryloxy group preferably has 8 carbon atoms, and preferably has 6 to 10 carbon atoms such as a phenoxy group, a 4-methylphenoxy group and a naphthoxy group.

【0071】置換基としては水酸基、ハロゲン原子(フ
ツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、上
記のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキ
ル基、アルコキシ基、及びアリーロキシ基、アセチル
基、プロパノイル基、ブタノイル基、ベンゾイル基等の
アシル基、アセトキシ基・プロパノイルオキシ基・ブタ
ノイルオキシ基・ベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ
基、メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等の
アルコキシカルボニル基、メチルスルホニル基・エチル
スルホニル基・フェニルスルホニル基等のスルホニル
基、メタンスルホネート基・エタンスルホネート基・ベ
ンゼンスルホネート基・トシレート基・メシチレンスル
ホネート基等のスルホニルオキシ基、メトキシスルホニ
ル基・エトキシスルホニル基・フェノキシスルホニル基
・4−メチルフェノキシスルホニル基等のアルコキシス
ルホニル基及びアリーロキシスルホニル基を挙げること
ができる。
As the substituent, a hydroxyl group, a halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), a nitro group, a cyano group, the above-mentioned alkyl group, alkenyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxy group, and aryloxy group, acetyl group Group, propanoyl group, butanoyl group, acyl group such as benzoyl group, acetoxy group / propanoyloxy group / butanoyloxy group / acyloxy group such as benzoyloxy group, alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group / ethoxycarbonyl group, methyl Sulfonyl groups such as sulfonyl groups, ethylsulfonyl groups, phenylsulfonyl groups, methanesulfonate groups, ethanesulfonate groups, benzenesulfonate groups, tosylate groups, mesitylenesulfonate groups, and other sulfonyloxy groups, methoxysulfonyl groups, ethoxysulfonyl groups And the groups-phenoxy sulfonyl group, 4-methylphenoxy sulfonyl alkoxysulfonyl and aryloxy sulfonyl group such as.

【0072】このような化合物の添加については、特開
昭63−236028号(シリルエーテル化合物/光酸
発生剤系にエポキシ化合物添加)、特開平4−2485
54号(アルカリ可溶性樹脂/同一分子内に酸分解性基
と光酸発生基を有する化合物系に、120℃までの温度
で水又はアニオノイド化合物と反応する化合物添加)及
び欧州特許520654号(光酸発生剤/酸分解性基を
有するフィルム形成ポリマーの2成分系にアセタール化
合物添加)等に開示されており、露光後PEB迄の放置
による現像性等の変動を抑える効果が記載されている。
しかし、特開昭63−236028号では、保存経時に
よる安定性(シェルフライフ)に問題があり、特開平4
−248554号ではアルカリ現像液に対する未露光部
の溶解阻止性が十分ではなく、解像度、プロファイルが
低下するという問題があつた。また欧州特許52065
4号では、前記2成分化学増幅系における問題点があっ
た。
Regarding the addition of such a compound, JP-A-63-236028 (addition of epoxy compound to silyl ether compound / photo-acid generator system), JP-A-4-2485.
No. 54 (alkali-soluble resin / compound system having acid-decomposable group and photoacid-generating group in the same molecule, compound added to react with water or anionoid compound at temperature up to 120 ° C.) and European Patent 520654 (photoacid The addition of an acetal compound to a two-component system of a film-forming polymer having a generator / acid-decomposable group) and the like, and the effect of suppressing a change in developability due to standing after exposure to PEB is described.
However, in JP-A-63-236028, there is a problem in stability with time of storage (shelf life).
In No. 248554, there was a problem that the dissolution inhibiting property of the unexposed portion in the alkali developing solution was not sufficient and the resolution and the profile were lowered. European patent 52065
No. 4 had a problem in the two-component chemical amplification system.

【0073】以下に本発明(d)の化合物の具体例を示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Specific examples of the compound of the present invention (d) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0074】[0074]

【化35】 [Chemical 35]

【0075】[0075]

【化36】 [Chemical 36]

【0076】[0076]

【化37】 [Chemical 37]

【0077】[0077]

【化38】 [Chemical 38]

【0078】[0078]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0079】 (C)アルカリ可溶性樹脂(本発明(a)の化合物) 本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例え
ばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−
ピロガロール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン
もしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロ
キシスチレン−N−置換マレイミド共重合体、ポリヒド
ロキシスチレンの一部O−アルキル化物もしくはO−ア
シル化物、スチレン−無水マレイン酸共重合体、カルボ
キシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。特
に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びポ
リヒドロキシスチレンである。該ノボラック樹脂は所定
のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデ
ヒド類と付加縮合させることにより得られる。
(C) Alkali-Soluble Resin (Compound of the Present Invention (a)) Examples of the alkali-soluble resin used in the present invention include novolac resins, hydrogenated novolak resins and acetone-
Pyrogallol resin, polyhydroxystyrene, halogen- or alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, polyoxystyrene partially O-alkylated or O-acylated, styrene-maleic anhydride copolymer Examples thereof include, but are not limited to, a carboxyl group-containing methacrylic resin and its derivative. Particularly preferred alkali-soluble resins are novolac resins and polyhydroxystyrenes. The novolak resin is obtained by addition-condensing an aldehyde with a predetermined monomer as a main component in the presence of an acidic catalyst.

【0080】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
As the predetermined monomer, phenol, m
-Cresol, p-cresol, o-cresol and other cresols, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol, 2,3-xylenol and other xylenols, m-ethylphenol, p- Alkylphenols such as ethylphenol, o-ethylphenol, pt-butylphenol, p-octylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, p-methoxyphenol, m-methoxyphenol, 3,5-dimethoxyphenol, 2 -Methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m-butoxyphenol, alkoxyphenols such as p-butoxyphenol, 2-methyl-4-isopropyl Feno Bis-alkylphenols etc., m
-Hydroxy aromatic compounds such as chlorophenol, p-chlorophenol, o-chlorophenol, dihydroxybiphenyl, bisphenol A, phenylphenol, resorcinol, and naphthol can be used alone or in combination of two or more, but are not limited thereto. It is not something that will be done.

【0081】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられる。酸
性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を
使用することができる。また、これらのアルカリ可溶性
樹脂のアルカリ可溶性基、例えばOH基、−COOH基
の水素原子の一部を上記酸分解性基−R0−COO−
0、又はA0基で置換したものも、現像液に対する溶解
阻止性を向上させる意味で好ましい。その場合の置換率
は全アルカリ可溶性基に対し、1〜50モル%、好まし
くは1〜30モル%、更に好ましくは1〜15モル%で
ある。
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde. , O-chlorobenzaldehyde,
m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-
Methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural,
Chloroacetaldehyde and acetals thereof such as chloroacetaldehyde diethyl acetal can be used, and of these, formaldehyde is preferably used. These aldehydes are
They may be used alone or in combination of two or more. As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid or the like can be used. Further, alkali-soluble group of these alkali-soluble resins, such as OH groups, the acid decomposable group and a part of the hydrogen atoms of the -COOH group -R 0 -COO-
A 0, or those substituted with A 0 group are also preferred in terms of improving the dissolution inhibiting in a developer. In that case, the substitution rate is 1 to 50 mol%, preferably 1 to 30 mol%, and more preferably 1 to 15 mol% based on all alkali-soluble groups.

【0082】これらのアルカリ可溶性樹脂の重量平均分
子量は、1,000〜30,000の範囲であることが
好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の膜減
りが大きく、30,000を越えると現像速度が小さく
なってしまう。特に好適なのは2,000〜20,00
0の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパーミ
エーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値を
もって定義される。
The weight average molecular weight of these alkali-soluble resins is preferably in the range of 1,000 to 30,000. If it is less than 1,000, the film loss of the unexposed area after development is large, and if it exceeds 30,000, the developing speed becomes small. Especially preferred is 2,000 to 20,000.
The range is 0. Here, the weight average molecular weight is defined by the polystyrene conversion value of gel permeation chromatography.

【0083】本発明に於けるこれらのアルカリ可溶性樹
脂は2種類以上混合して使用しても良い。アルカリ可溶
性樹脂の使用量は、感光性組成物の全重量(溶媒を除
く)を基準として、50〜97重量%、好ましくは60
〜90重量%である。
Two or more kinds of these alkali-soluble resins in the present invention may be mixed and used. The amount of the alkali-soluble resin used is 50 to 97% by weight, preferably 60, based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
Is about 90% by weight.

【0084】(D)活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物(本発明(b)の化合物) 本発明で使用される活性光線または放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物としては、光カチオン重合
の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消
色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用さ
れている公知の光により酸を発生する化合物およびそれ
らの混合物を適宜に選択して使用することができる。た
とえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(197
4)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記載のジ
アゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,069,056
号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載のア
ンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,17,24
68(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同
4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crivello
etal,Macromorecules,10(6),1307(1977)、Chem.&Eng.Ne
ws,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143号、米国特許
第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,848号、特
開平2-296,514号等に記載のヨードニウム塩、J.V.Crive
llo etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivello eta
l.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt etal,J.Polym
er Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivel
lo etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello e
tal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello
etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(197
9)、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同233,567
号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377
号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、同4,76
0,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国特許第
2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier etal,J.Rad.Curing,13(4),26(1986)、T.P.
Gill etal,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,Ac
c.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等に
記載の有機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,
J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.Ph
olymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu et
al,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、B.Amit etal,Tet
rahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.
Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal,J.Chem.SoC.,
Perkin I,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahedron
Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Chem.So
c.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Techno
l.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormolecule
s,21,2001(1988)、P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Chem.
Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,18,
1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.Soc.,So
lid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan etal,Ma
cromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750号、
同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343
号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60
-198538号、特開昭53-133022号等に記載の0−ニトロベ
ンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA etal,
Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,J.Rad.
Curing,13(4)、W.J.Mijs etal,Coating Technol.,55(69
7),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Preprints,
Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515号、同19
9,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特許第4,61
8,564号、同4,371,605号、同4,431,774号、特開昭64-18
143 号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等に記載
のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスル
ホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に記 載
のジスルホン化合物を挙げることができる。
(D) Compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (Compound of the invention (b)) Examples of the compound capable of decomposing upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid , A photo-initiator for photo-cationic polymerization, a photo-initiator for photo-radical polymerization, a photo-decoloring agent for dyes, a photo-discoloring agent, or a compound that generates an acid by known light used for micro resist and the like. The mixture can be appropriately selected and used. SI Schlesinger, Photogr.Sci.Eng., 18,387 (197
4), TSBal et al, Polymer, 21,423 (1980) and other diazonium salts, U.S. Pat.Nos. 4,069,055 and 4,069,056
No., same Re 27,992, ammonium salts described in Japanese Patent Application No. 3-140,140, DC Necker et al, Macromolecules, 17, 24
68 (1984), CSWen et al, Teh, Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat.No. 4,069,055,
Phosphonium salts described in 4,069,056, JVCrivello
et al, Macromorecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. Ne
ws, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 104,143, U.S. Patent No. 339,049, No. 410,201, JP-A-2-150,848, JP-A-2-296,514 and the like iodonium salt described in JVCrive.
llo et al, Polymer J. 17, 73 (1985), JVCrivello eta
lJOrg.Chem., 43, 3055 (1978), WRWatt et al, J. Polym
er Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), JVCrivel
lo etal, Polymer Bull., 14, 279 (1985), JVCrivello e
tal, Macromorecules, 14 (5), 1141 (1981), JVCrivello
et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877 (197
9), European Patent Nos. 370,693 and 3,902,114, and 233,567.
No. 297,443, 297,442, U.S. Pat.No. 4,933,377
No. 161, 811, No. 410, 201, No. 339, 049, No. 4, 76
0,013, 4,734,444, 2,833,827, Dokoku Patent No.
2,904,626, 3,604,580, 3,604,581, etc., sulfonium salts, JVCrivello et al, Macromorecule
s, 10 (6), 1307 (1977), JVCrivello et al, J. PolymerSc
i., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979) and other selenonium salts, CSWen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing AS
IA, p478 Tokyo, Oct (1988) and other onium salts such as arsonium salts, U.S. Pat.No. 3,905,815, Japanese Patent Publication No. 46-4605.
JP-A-48-36281, JP-A-55-32070, JP-A-60-2
39736, JP 61-169835, JP 61-169837, JP 62-58241, JP 62-212401, JP 63-70243
No., organic halogen compounds described in JP-A-63-298339, K. Meier et al, J. Rad. Curing, 13 (4), 26 (1986), TP
Gill et al, Inorg. Chem., 19,3007 (1980), D.Astruc, Ac
c. Chem. Res., 19 (12), 377 (1896), and the organic metal / organic halides described in JP-A-2-161445, S. Hayase et al.
J. Polymer Sci., 25, 753 (1987), E. Reichmanis et al, J. Ph
olymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23,1 (1985), QQZhu et
al, J. Photochem., 36, 85, 39, 317 (1987), B. Amit et al, Tet
rahedron Lett., (24) 2205 (1973), DHR Barton et al., J.
Chem Soc., 3571 (1965), PMCollins et al, J. Chem. SoC.,
Perkin I, 1695 (1975), M. Rudinstein et al, Tetrahedron
Lett., (17), 1445 (1975), JWWalker et al J.Am.Chem.So
c., 110,7170 (1988), SCBusman et al, J. Imaging Techno
l., 11 (4), 191 (1985), HM Houlihan et al, Macormolecule
s, 21, 2001 (1988), PMCollins et al, J. Chem. Soc., Chem.
Commun., 532 (1972), S. Hayase et al, Macromolecules, 18,
1799 (1985), E. Reichmanis et al, J. Electrochem. Soc., So
lid State Sci.Technol., 130 (6), FMHoulihan etal, Ma
cromolcules, 21, 2001 (1988), European Patent No. 0290,750,
046,083, 156,535, 271,851, 0,388,343
No. 3,901,710, 4,181,531, U.S. Pat.
-198538, JP-A-53-133022, etc., a photo-acid generator having a 0-nitrobenzyl type protecting group, M.TUNOOKA et al.
Polymer Preprints Japan, 35 (8), G. Berner et al, J. Rad.
Curing, 13 (4), WJMijs et al, Coating Technol., 55 (69
7), 45 (1983), Akzo, H. Adachi etal, Polymer Preprints,
Japan, 37 (3), European Patents 0199,672, 84515, 19
No. 9,672, No. 044,115, No. 0101,122, U.S. Pat.
8,564, 4,371,605, 4,431,774, JP-A-64-18
No. 143, JP-A No. 2-245756, Japanese Patent Application No. 3-140109, and the like, compounds which generate sulfonic acid by photolysis, represented by iminosulfonates, etc., and described in JP-A No. 61-166544. The listed disulfone compounds can be mentioned.

【0085】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979)、米国特許第3,84
9,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、 特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-
146029号等に記載の化合物を用いることができる。
Further, a group generating an acid by these light,
Alternatively, a compound in which a compound is introduced into the main chain or side chain of a polymer, for example, ME Woodhouse et al., J. Am. Chem.
Soc., 104,5586 (1982), SPPappas et al, J. Imaging Sc
i., 30 (5), 218 (1986), S.Kondoetal, Makromol.Chem., Rap
id Commun., 9,625 (1988), Y.Yamada et al, Makromol.Che
m., 152,153,163 (1972), JVCrivello et al, J. PolymerS
ci., Polymer Chem. Ed., 17, 3845 (1979), U.S. Pat.
9,137, Japan Patent No. 3914407, JP-A-63-26653, JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-63-146038
, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-
The compounds described in 146029 and the like can be used.

【0086】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。
Further, VNR Villai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
DHR Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), U.S. Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like which generate an acid by light can also be used.

【0087】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体または一般式(PA
G2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the compounds which decompose when exposed to actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used are described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
1) or an oxazole derivative represented by the general formula (PA
An S-triazine derivative represented by G2).

【0088】[0088]

【化40】 [Chemical 40]

【0089】式中、R1は置換もしくは未置換のアリー
ル基、アルケニル基、R2は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、−CY3をしめ
す。Y は塩素原子または臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。
In the formula, R 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group or alkenyl group, and R 2 represents a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group or —CY 3 . Y represents a chlorine atom or a bromine atom. The following compounds can be specifically mentioned, but the compounds are not limited to these.

【0090】[0090]

【化41】 [Chemical 41]

【0091】[0091]

【化42】 [Chemical 42]

【0092】[0092]

【化43】 [Chemical 43]

【0093】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表され
るスルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following general formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following general formula (PAG4).

【0094】[0094]

【化44】 [Chemical 44]

【0095】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. Preferred substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group and a halogen atom.

【0096】R3,R4,R5は各々独立に、置換もしく
は未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは
炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアルキル
基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基と
しては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコキ
シ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボキ
シル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子であり、アル
キル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボ
キシル基、アルコシキカルボニル基である。
R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Preferred are an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a substituted derivative thereof. Preferred substituents are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom for the aryl group, and an alkyl group for the alkyl group. An alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group.

【0097】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホ ン酸アニオン等の縮合多核芳香
族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。
Z represents a counter anion, for example, BF 4 ,
AsF 6 -, PF 6 -, SbF 6 -, SiF 6 2-, ClO 4 -,
CF 3 SO 3 - perfluoroalkane sulfonate anion such as, pentafluorobenzenesulfonic acid anion, condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anion such as naphthalene-1-sulfonyl phosphate anion, anthraquinone sulfonic acid anion, a sulfonic acid group-containing dyes However, the present invention is not limited to these.

【0098】またR3,R4,R5のうちの2つおよびA
1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を介して結
合してもよい。
Two of R 3 , R 4 , and R 5 and A
r 1 and Ar 2 may be bonded to each other via a single bond or a substituent.

【0099】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include, but are not limited to, the compounds shown below.

【0100】[0100]

【化45】 [Chemical formula 45]

【0101】[0101]

【化46】 [Chemical formula 46]

【0102】[0102]

【化47】 [Chemical 47]

【0103】[0103]

【化48】 [Chemical 48]

【0104】[0104]

【化49】 [Chemical 49]

【0105】[0105]

【化50】 [Chemical 50]

【0106】[0106]

【化51】 [Chemical 51]

【0107】[0107]

【化52】 [Chemical 52]

【0108】[0108]

【化53】 [Chemical 53]

【0109】[0109]

【化54】 [Chemical 54]

【0110】[0110]

【化55】 [Chemical 55]

【0111】[0111]

【化56】 [Chemical 56]

【0112】一般式 (PAG3)、(PAG4)で示
される上記オニウム塩は公知であり、たと え ばJ.W.Kn
apczyk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Mayco
k etal, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal
,Bull.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leiceste
r、J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello eta
l,J.Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980) 、米国特許第2,80
7,648 号および同4,247,473号、特開 昭53-101,331号等
に記載の方法により合成することができる。
The onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known, and for example, JWKn
apczyk et al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969), ALMayco
k et al, J. Org. Chem., 35, 2532, (1970), E. Goethas et al
, Bull.Soc.Chem.Belg., 73,546, (1964), HMLeiceste
r, J.Ame.Chem.Soc., 51,3587 (1929), JVCrivello eta
l, J.Polym.Chem.Ed., 18,2677 (1980), U.S. Pat.No. 2,80
It can be synthesized by the method described in 7,648 and 4,247,473, JP-A-53-101,331 and the like.

【0113】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体。
(3) A disulfone derivative represented by the following general formula (PAG5) or an iminosulfonate derivative represented by the general formula (PAG6).

【0114】[0114]

【化57】 [Chemical 57]

【0115】式中Ar3、Ar4は各々独立に置換もしく
は未置換のアリール基を示す。R6は置換もしくは未置
換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしくは
未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基
を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 6 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group. Specific examples thereof include the compounds shown below, but the invention is not limited thereto.

【0116】[0116]

【化58】 [Chemical 58]

【0117】[0117]

【化59】 [Chemical 59]

【0118】[0118]

【化60】 [Chemical 60]

【0119】[0119]

【化61】 [Chemical formula 61]

【0120】[0120]

【化62】 [Chemical formula 62]

【0121】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として通常0.0
01〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.0
1〜20重量%、更に好ましくは0.1〜5重量%の範
囲で使用される。
The amount of the compound which decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid is usually 0.0 based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the coating solvent).
It is used in the range of 01 to 40% by weight, preferably 0.0
It is used in the range of 1 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight.

【0122】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤及び現
像液に対する溶解性を促進させるフエノール性OH基を
2個以上有する化合物などを含有させることができる。
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具
体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#1
03、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オ
イルブルーBOS,オイルブルー#603、オイルブラ
ックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−5
05(以上オリエント化学工業株式会社製)、クリスタ
ルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレッ
ト(CI42535)、ローダミンB(CI45170
B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレ
ンブルー(CI52015)等を挙げることができる。
In the photosensitive composition of the present invention, if necessary,
Further, a dye, a pigment, a plasticizer, a surfactant, a photosensitizer, and a compound having two or more phenolic OH groups for promoting solubility in a developer can be contained.
Suitable dyes include oil dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 1
03, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-5.
05 (all manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B (CI45170).
B), malachite green (CI42000), methylene blue (CI52015) and the like.

【0123】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外よ
り長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成
物をiまたはg線に感度を持たせることができる。好適
な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、
p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,
p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−
クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアン
トラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチ
アジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビ
ン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラ
セン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナント
レン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテ
ン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、
N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラ
キノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。
Further, the following spectral sensitizers are added to the photosensitive composition of the present invention by sensitizing it to a longer wavelength region than far ultraviolet where the photo-acid generator used does not have absorption. Sensitivity can be imparted to the i or g line. Examples of suitable spectral sensitizers include benzophenone,
p, p'-tetramethyldiaminobenzophenone, p,
p'-tetraethylethylaminobenzophenone, 2-
Chlorothioxanthone, anthrone, 9-ethoxyanthracene, anthracene, pyrene, perylene, phenothiazine, benzyl, acridine orange, benzoflavin, cetoflavin-T, 9,10-diphenylanthracene, 9-fluorenone, acetophenone, phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene, benzoquinone, 2-chloro-4-nitroaniline,
N-acetyl-p-nitroaniline, p-nitroaniline, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, anthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone 1,2-benzanthraquinone, 3-methyl-1,3-diaza-1,
9-benzanthrone, dibenzalacetone, 1,2-
Naphthoquinone, 3,3'-carbonyl-bis (5,7-
Dimethoxycarbonylcoumarin) and coronene, but not limited to these.

【0124】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
The photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent which dissolves each of the above components and coated on a support. As the solvent used here, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate. , Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate,
Ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or as a mixture.

【0125】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
A surfactant may be added to the above solvent. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether,
Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as rate, F-top EF301, E 303, EF352 (manufactured by Shin Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Flora - de FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorine-based surfactants such as SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid-based or methacrylic acid-based (co) polymerization polyflow No. 75, No. 95 (manufactured by Kyoeisha Oil and Fat Chemical Co., Ltd.) and the like. The content of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solid content in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combinations.

【0126】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。
The above photosensitive composition is applied onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for the production of precision integrated circuit devices by a suitable coating method such as a spinner or coater, and then passed through a predetermined mask. A good resist pattern can be obtained by exposing, baking and developing.

【0127】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。これらのアルカリ
類の濃度は、規定濃度で0.001〜1N、好ましくは
0.01〜0.50N、更に好ましくは0.03〜0.
30Nの範囲で使用される。更に、上記アルカリ性水溶
液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用す
ることもできる。以下、本発明を実施例により更に詳細
に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるも
のではない。
The developer for the photosensitive composition of the present invention is
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine. Use an alkaline aqueous solution of triamines, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and pyrelidine. be able to. The concentration of these alkalis is 0.001 to 1 N, preferably 0.01 to 0.50 N, and more preferably 0.03 to 0.
Used in the range of 30N. Furthermore, alcohols and surfactants may be added in appropriate amounts to the alkaline aqueous solution before use. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the content of the present invention is not limited thereto.

【0128】[0128]

【実施例】【Example】

〔溶解阻止剤化合物の合成例−1〕α,α',α''-トリス(4
-ヒト゛ロキシフェニル)-1,3,5-トリイソフ゜ロヒ゜ルヘ゛ンセ゛ン 20g をテトラヒト゛ロフ
ラン400ml に溶解した。この溶液に窒素雰囲気下でtert-フ
゛トキシカリウム 14g を加え、室温にて10分間攪拌後、シ゛-te
rt-フ゛チルシ゛カーホ゛ネート 29.2g を加えた。室温下、3時間反
応させ、反応液を氷水に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽
出した。酢酸エチル層を更に水洗浄し、乾燥させた後溶
媒を留去した。得られた結晶性の固体を再結晶後(ジエ
チルエーテル)、乾燥させ、化合物例(31:Rは全て
t−BOC基)25.6g を得た。
[Synthesis example-1 of dissolution inhibitor compound] α, α ', α''-tris (4
20 g of human hydroxyoxyphenyl) -1,3,5-triisoprophylbenzene was dissolved in 400 ml of tetrahylfurofuran. 14 g of potassium tert-butoxide was added to this solution under a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes,
29.2 g of rt-butyl dicarbonate was added. The reaction was carried out at room temperature for 3 hours, the reaction solution was poured into ice water, and the product was extracted with ethyl acetate. The ethyl acetate layer was further washed with water, dried and the solvent was distilled off. The obtained crystalline solid was recrystallized (diethyl ether) and dried to obtain 25.6 g of a compound example (31: R is all t-BOC group).

【0129】〔溶解阻止剤化合物の合成例−2〕α,
α',α"−トリス(4−ヒドロキシフエニル)−1,3,
5−トリイソプロピルベンゼン19.2g(0.040
モル)のN,N−ジメチルアセトアミド120ml溶液
に、炭酸カリウム21.2g(0.15モル)、更にブ
ロモ酢酸t−ブチル27.1g(0.14モル)を添加
し、120℃にて7時間撹拌した。その後反応混合物を
水1.5lに投入し、酢酸エチルにて抽出した。硫酸マ
グネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮し、カラムクロマ
トグラフイー(担体:シリカゲル,展開溶媒:酢酸エチ
ル/n−ヘキサン=3/7(体積比))にて精製した結
果淡黄色粘稠固体30gを得た。NMRにより、これが
化合物例(31:Rは総て−CH2COOC49 t基)で
あることを確認した。
[Synthesis Example-2 of Dissolution Inhibitor Compound] α,
α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,
5-triisopropylbenzene 19.2 g (0.040
21.2 g (0.15 mol) of potassium carbonate and 27.1 g (0.14 mol) of t-butyl bromoacetate were added to a 120 ml solution of N, N-dimethylacetamide (mol. It was stirred. Then, the reaction mixture was added to 1.5 l of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the extract was concentrated and purified by column chromatography (carrier: silica gel, developing solvent: ethyl acetate / n-hexane = 3/7 (volume ratio)), which was a pale yellow viscous solid. 30 g was obtained. By NMR, this was confirmed to be a compound example (31: R are all —CH 2 COOC 4 H 9 t groups).

【0130】〔溶解阻止剤化合物の合成例−3〕1−
[α−メチル−α−(4'−ヒドロキシフェニル)エチ
ル]−4−[α',α'−ビス(4"−ヒドロキシフェニ
ル)エチル]ベンゼン42.4g(0.10モル)を
N,N−ジメチルアセトアミド300mlに溶解し、こ
れに炭酸カリウム49.5g(0.35モル)、及びブ
ロモ酢酸クミルエステル84.8g(0.33モル)を
添加した。その後、120℃にて7時間撹拌した。反応
混合物をイオン交換水2lに投入し、酢酸にて中和した
後、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮
し、合成例[3]と同様に精製し、化合物例(18:R
は総て−CH2COOC(CH3265基)70gを
得た。
[Synthesis Example-3 of Dissolution Inhibitor Compound] 1-
[Α-Methyl-α- (4′-hydroxyphenyl) ethyl] -4- [α ′, α′-bis (4 ″ -hydroxyphenyl) ethyl] benzene 42.4 g (0.10 mol) was added to N, N. -Dissolved in 300 ml of dimethylacetamide, added thereto were 49.5 g (0.35 mol) of potassium carbonate and 84.8 g (0.33 mol) of bromoacetic acid cumyl ester, and then stirred at 120 ° C for 7 hours. The reaction mixture was poured into 2 liters of ion-exchanged water, neutralized with acetic acid, and extracted with ethyl acetate.The ethyl acetate extract was concentrated and purified in the same manner as in Synthesis Example [3] to give Compound Example (18). : R
Got all -CH 2 COOC (CH 3) 2 C 6 H 5 group) 70 g.

【0131】〔溶解阻止剤化合物の合成例−4〕α,α,
α',α',α",α"−ヘキサキス(4−ヒドロキシフエニ
ル)−1,3,5−トリエチルベンゼン14.3g(0.
020モル)のN,N−ジメチルアセトアミド120m
l溶液に、炭酸カリウム21.2g(0.15モル)、
更にブロモ酢酸t−ブチル27.1g(0.14モル)
を添加し、120℃にて7時間撹拌した。その後、反応
混合物を水1.5lに投入し、酢酸エチルにて抽出し
た。硫酸マグネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮し、カ
ラムクロマトグラフイー(担体:シリカゲル、展開溶
媒:酢酸エチル/n−ヘキサン=2/8(体積比))にて
精製した結果、淡黄色粉体24gを得た。NMRによ
り、これが化合物例(62:Rは総て−CH2−COO
−C49 t基)であることを確認した。
[Synthesis Example-4 of Dissolution Inhibitor Compound] α, α,
α ', α', α ", α" -hexakis (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triethylbenzene 14.3 g (0.
020 mol) of N, N-dimethylacetamide 120 m
1 solution, 21.2 g (0.15 mol) of potassium carbonate,
Further, 27.1 g (0.14 mol) of t-butyl bromoacetate
Was added and stirred at 120 ° C. for 7 hours. Then, the reaction mixture was poured into 1.5 l of water and extracted with ethyl acetate. After drying over magnesium sulfate, the extract was concentrated and purified by column chromatography (carrier: silica gel, developing solvent: ethyl acetate / n-hexane = 2/8 (volume ratio)), which was a pale yellow powder. 24 g was obtained. By NMR, this compound Example (62: R are all -CH 2 -COO
-C 4 H 9 t group) was confirmed.

【0132】〔溶解阻止剤化合物の合成例−5〕α,
α',α"−トリス(4−ヒドロキシフエニル)−1,3,
5−トリイソプロピルベンゼン20g(0.042モ
ル)をテトラヒドロフラン(THF)400mlに溶解
した。この溶液に窒素雰囲気下でt−ブトキシカリウム
9.3g(0.083モル)を加え、室温にて10分間
撹拌後、ジ−t−ブチルジカーボネート19.5g
(0.087モル)を加えた。室温下、3時間反応さ
せ、反応液を氷水に注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出し
た。酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラムクロマトグラフ
イー(担体:シリカゲル、展開溶媒:酢酸エチル/n−
ヘキサン=1/5(体積比))で分別精製した結果、化合
物例(31:2個のRはt−BOC基、1個のRは水素
原子)7gを得た。
[Synthesis Example-5 of Dissolution Inhibitor Compound] α,
α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,
20 g (0.042 mol) of 5-triisopropylbenzene was dissolved in 400 ml of tetrahydrofuran (THF). To this solution was added potassium tert-butoxide (9.3 g, 0.083 mol) under a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes, and then di-t-butyl dicarbonate (19.5 g).
(0.087 mol) was added. The reaction was carried out at room temperature for 3 hours, the reaction solution was poured into ice water, and the product was extracted with ethyl acetate. The ethyl acetate extract was concentrated and subjected to column chromatography (carrier: silica gel, developing solvent: ethyl acetate / n-
As a result of fractional purification with hexane = 1/5 (volume ratio), 7 g of a compound example (31: 2 Rs are t-BOC groups, 1 R is a hydrogen atom) was obtained.

【0133】〔溶解阻止剤化合物の合成例−6〕α,
α',α"−トリス(4−ヒドロキシフエニル)−1,3,
5−トリイソプロピルベンゼン48.1g(0.10モ
ル)をジメチルアセトアミド300mlに溶解し、これ
に炭酸カリウム22.1g(0.16モル)、及びブロ
モ酢酸t−ブチル42.9g(0.22モル)を添加し
た。その後、120℃にて5時間撹拌した。反応混合物
をイオン交換水2lに投入し、酢酸にて中和した後、酢
酸エチルで抽出した。酢酸エチル抽出液を濃縮し、カラ
ムクロマトグラフイー(担体:シリカゲル、展開溶媒:
酢酸エチル/n−ヘキサン=1/5(体積比))にて分別
精製した結果、化合物例(31:2個のRは−CH2
COO−C49 t基、1個のRは水素原子)10gを得
た。
[Synthesis Example-6 of Dissolution Inhibitor Compound] α,
α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,
4-Triisopropylbenzene 48.1 g (0.10 mol) was dissolved in dimethylacetamide 300 ml, and potassium carbonate 22.1 g (0.16 mol) and t-butyl bromoacetate 42.9 g (0.22 mol) were dissolved therein. ) Was added. Then, it stirred at 120 degreeC for 5 hours. The reaction mixture was poured into 2 l of ion-exchanged water, neutralized with acetic acid, and then extracted with ethyl acetate. The ethyl acetate extract was concentrated and subjected to column chromatography (carrier: silica gel, developing solvent:
As a result of fractional purification with ethyl acetate / n-hexane = 1/5 (volume ratio), a compound example (31: 2 R is —CH 2
COO-C 4 H 9 t group, one R is to obtain a hydrogen atom) 10 g.

【0134】〔ノボラック樹脂の合成例〕m−クレゾー
ル40g、p−クレゾール60g、37%ホルマリン水
溶液49g及びシュウ酸0.13gを3つ口フラスコに
仕込み、攪拌しながら100℃まで昇温し15時間反応
させた。その後温度を200℃まで上げ、徐々に5mm
Hgまで減圧して、水、未反応のモノマー、ホルムアル
デヒド、シュウ酸等を除去した。次いで溶融したアルカ
リ可溶ノボラック樹脂(NOV.3)を室温に戻して回
収した。得られたノボラック樹脂(NOV.3)は重量
平均分子量7100(ポリスチレン換算)であった。
[Synthesis Example of Novolac Resin] 40 g of m-cresol, 60 g of p-cresol, 49 g of 37% aqueous formalin solution and 0.13 g of oxalic acid were charged in a three-necked flask and heated to 100 ° C. with stirring for 15 hours. It was made to react. After that, the temperature is raised to 200 ° C and gradually increased to 5 mm.
The pressure was reduced to Hg to remove water, unreacted monomers, formaldehyde, oxalic acid and the like. Next, the molten alkali-soluble novolak resin (NOV.3) was returned to room temperature and recovered. The obtained novolak resin (NOV.3) had a weight average molecular weight of 7100 (converted to polystyrene).

【0135】同様にして、モノマー組成を変えた以下の
ノボラック樹脂を合成した。 NOV.1 m−クレゾール/p−クレゾール=60/40, Mw=12,000 NOV.2 m−クレゾール/p−クレゾール=50/50, Mw=8,700 NOV.4 m−クレゾール/p−クレゾール/3,5−キシレノール =25/50/28, Mw=5,200 NOV.5 m−クレゾール/2,3,5−トリメチルフェノール =55/57, Mw=5,800
Similarly, the following novolak resins having different monomer compositions were synthesized. NOV. 1 m-cresol / p-cresol = 60/40, Mw = 12,000 NOV. 2 m-cresol / p-cresol = 50/50, Mw = 8,700 NOV. 4 m-cresol / p-cresol / 3,5-xylenol = 25/50/28, Mw = 5,200 NOV. 5 m-cresol / 2,3,5-trimethylphenol = 55/57, Mw = 5,800

【0136】上記で得られたノボラック樹脂(NOV.
3)20gをメタノール60gに完全に溶解した後、こ
れに水30gを攪拌しながら徐々に加えて樹脂分を沈澱
させた。上層をデカンテーションにより除去して沈澱し
た樹脂分を回収し、40℃に加熱して減圧下で24時間
乾燥させてアルカリ可溶性ノボラック樹脂(NOV.
6)を得た。重量平均分子量は8000(ポリスチレン
換算)であった。
The novolak resin (NOV.
3) After completely dissolving 20 g in 60 g of methanol, 30 g of water was gradually added to this while stirring to precipitate a resin component. The upper layer was removed by decantation and the precipitated resin component was recovered, heated to 40 ° C. and dried under reduced pressure for 24 hours to obtain an alkali-soluble novolac resin (NOV.
6) was obtained. The weight average molecular weight was 8000 (polystyrene conversion).

【0137】m−クレゾール85g、p−クレゾール1
5g、37%ホルマリン水溶液53gを3つ口フラスコ
に仕込み、110℃の油浴で加熱しながら良く攪拌し、
酢酸亜鉛二水和物を2.4g加えて5時間加熱攪拌を行
った。次いで、同じクレゾール混合物100gとホルマ
リン水溶液47gを続けて同じフラスコに仕込み更に加
熱攪拌を1時間継続した後、温度を80℃に下げシュウ
酸0.2gを添加した。再び、油浴の温度を110℃に
保ち、還流状態で15時間反応させた。その後内容物を
1%の塩酸を含む水にあけエチルセルソルブアセテート
で反応生成物を抽出した。次いでこれを真空蒸留器に移
し、温度を200℃に上げ脱水し、更に2〜3mmHg
の減圧下で2時間蒸留を行って残留モノマーを除いた。
フラスコから溶融ポリマーを回収し、目的のノボラック
樹脂(NOV.7,Mw=7,500)を得た。
85 g of m-cresol, 1 of p-cresol
5 g, 53 g of 37% formalin aqueous solution were charged into a three-necked flask, and stirred well while heating in an oil bath at 110 ° C.,
2.4 g of zinc acetate dihydrate was added, and the mixture was heated with stirring for 5 hours. Next, 100 g of the same cresol mixture and 47 g of a formalin aqueous solution were continuously charged into the same flask, and the mixture was further heated and stirred for 1 hour, then the temperature was lowered to 80 ° C. and 0.2 g of oxalic acid was added. Again, the temperature of the oil bath was kept at 110 ° C., and the reaction was carried out under reflux for 15 hours. Then, the content was poured into water containing 1% hydrochloric acid and the reaction product was extracted with ethyl cellosolve acetate. Then, this was transferred to a vacuum still, the temperature was raised to 200 ° C. and dehydrated, and further 2 to 3 mmHg
Distillation was performed for 2 hours under reduced pressure to remove residual monomers.
The molten polymer was recovered from the flask to obtain the target novolak resin (NOV.7, Mw = 7,500).

【0138】実施例1〜22 上記合成例で示した本発明の化合物を用いレジストを調
製した。そのときの処方を表1に示す。
Examples 1 to 22 Resists were prepared using the compounds of the present invention shown in the above synthesis examples. The prescription at that time is shown in Table 1.

【0139】比較例1 米国特許第4,491,628号明細書に記載された方法に従っ
て、t−ブトキシカルボニルオキシスチレンポリマーを
合成し、2成分系ポジ型レジストを調製した。そのとき
の処方を表1に示す。
Comparative Example 1 According to the method described in US Pat. No. 4,491,628, t-butoxycarbonyloxystyrene polymer was synthesized to prepare a two-component positive resist. The prescription at that time is shown in Table 1.

【0140】比較例2 特開平4−248554号明細書記載のトリス(4−t
−ブトキシカルボニルオキシフエニル)スルホニウムの
トリフルオロメタンスルホン酸塩を合成し、2成分系ポ
ジ型レジストを調製した。その処方を表1に示す。
Comparative Example 2 Tris (4-t described in JP-A-4-248554)
A 2-component positive resist was prepared by synthesizing a trifluoromethanesulfonate of -butoxycarbonyloxyphenyl) sulfonium. The prescription is shown in Table 1.

【0141】比較例3,4,5 欧州特許第249,139号明細書に記載されている化合物ジ
−t−ブチルテレフタレート,4−t−ブトキシ−p−
ビフェニル,t−ブチル−2−ナフチルカーボネートを
溶解阻止剤として3成分系ポジ型レジストを調製した。
そのときの処方を表1に示す。
Comparative Examples 3,4,5 The compound di-t-butyl terephthalate, 4-t-butoxy-p-, described in European Patent 249,139.
A three-component positive resist was prepared using biphenyl, t-butyl-2-naphthyl carbonate as a dissolution inhibitor.
The prescription at that time is shown in Table 1.

【0142】比較例6 本発明の組成物から本発明の化合物(d)だけを除いた
レジストを調製した。そのときの処方を表1に示す。
Comparative Example 6 A resist was prepared by removing only the compound (d) of the present invention from the composition of the present invention. The prescription at that time is shown in Table 1.

【0143】[0143]

【表1】 [Table 1]

【0144】表1において使用した略号は下記の内容を
表す。
The abbreviations used in Table 1 have the following meanings.

【0145】<ポリマー> NOV.1-7 ノボラック樹脂 PVP p-ヒト゛ロキシスチレンホ゜リマー(重量平均分子量9,600) TBOCS t-フ゛トキシカルホ゛ニルオキシスチレンホ゜リマー(数平均分子量2
1,600)
<Polymer> NOV.1-7 Novolac resin PVP p-human oxystyrene polymer (weight average molecular weight 9,600) TBOCS t-butoxy carbonyloxystyrene polymer (number average molecular weight 2
1,600)

【0146】<溶解阻止剤> TBCPS トリス(4-t-フ゛トキシカルホ゛ニルオキシフエニル)スルホニウムのトリフルオロ
メタンスルホン酸塩 DTBTP シ゛-t-フ゛チルテレフタレート TBPBP 4-t-フ゛トキシ-p-ヒ゛フェニル TBNC t-フ゛チル-2-ナフチルカーホ゛ネート
<Dissolution Inhibitor> TBCPS Tris (4-t-butoxycarbenyloxyphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate DTBTP Di-t-butyl terephthalate TBPBP 4-t-butoxy-p-biphenyl TBNC t-butyl- 2-naphthyl carbonate

【0147】<溶解阻止剤中酸分解性基><Acid-decomposable group in dissolution inhibitor>

【0148】[0148]

【化63】 [Chemical formula 63]

【0149】[感光性組成物の調製と評価]表1に示す
各素材をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート/ジグライム(7/3)6gに溶解し、0.2μ
mのフィルターで濾過してレジスト溶液を作成した。こ
のレジスト溶液を、3000rpmの回転数のスピンコ
ーターを利用して、シリコンウエハー上に塗布し、11
0℃60秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、
膜厚1.0μmのレジスト膜を得た。このレジスト膜
に、248nmKrFエキシマレーザーステツパー(N
A=0.42)を用いて露光を行った。露光後90℃の
真空吸着型ホットプレートで60秒間加熱を行い、ただ
ちに2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド(TMAH)水溶液で60秒間浸漬し(ポリマー
としてポリヒドロキシスチレンを用いた系では、加熱1
00℃・60秒、現像1.19%TMAH水溶液で60
秒)、30秒間水でリンスして乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウエハー上のパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストのプロファイルを評価した。
その結果を表2に示す。
[Preparation and Evaluation of Photosensitive Composition] Each material shown in Table 1 was dissolved in 6 g of propylene glycol monomethyl ether acetate / diglyme (7/3) to give 0.2 μm.
m through a filter to prepare a resist solution. This resist solution was applied onto a silicon wafer using a spin coater rotating at 3000 rpm.
Dry on a vacuum adsorption type hot plate at 0 ° C for 60 seconds,
A resist film having a film thickness of 1.0 μm was obtained. 248 nm KrF excimer laser stepper (N
A = 0.42) was used for the exposure. After the exposure, heating was performed on a vacuum adsorption type hot plate at 90 ° C. for 60 seconds, and then immediately immersed in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution for 60 seconds (in a system using polyhydroxystyrene as a polymer, heating 1
00 ℃, 60 seconds, development 1.60% with TMAH aqueous solution
Seconds), rinsed with water for 30 seconds and dried. The pattern on the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist profile.
The results are shown in Table 2.

【0150】感度は0.70μmのマスクパターンを再
現する露光量の逆数をもって定義し、比較例1の感度の
相対値で示した。膜収縮は露光部の露光,ベーク前後の
膜厚の比の百分率で表した。解像力は0.70μmのマ
スクパターンを再現する露光量における限界解像力を表
す。また、上記レジスト膜を露光後、室温下で1時間放
置した後に同様に加熱処理、現像、リンス、及び乾燥を
行った。1時間放置後処理したものと、上記の放置せず
にそのまま処理したものの感度比(露光量比)を表2に
示す。表2の結果から本発明のレジストは、露光後のベ
ークによる膜収縮も少なく、良好なプロファイルと高い
解像力を有し、露光後加熱処理まで放置しても感度低下
が少ないことが判る。
The sensitivity was defined as the reciprocal of the exposure dose for reproducing a 0.70 μm mask pattern, and was shown by the relative value of the sensitivity of Comparative Example 1. The film shrinkage is expressed as a percentage of the ratio of the film thickness before and after exposure and baking in the exposed area. The resolving power represents a limiting resolving power at an exposure amount that reproduces a 0.70 μm mask pattern. Further, after the resist film was exposed, the resist film was left at room temperature for 1 hour, and then similarly heat-treated, developed, rinsed and dried. Table 2 shows the sensitivity ratios (exposure amount ratios) of the samples that were treated after being left for 1 hour and the samples that were directly treated without being left. From the results shown in Table 2, it can be seen that the resist of the present invention has little film shrinkage due to baking after exposure, has a good profile and high resolution, and shows little sensitivity reduction even if it is left to stand after the heat treatment after exposure.

【0151】[0151]

【表2】 [Table 2]

【0152】[0152]

【発明の効果】本発明の化学増幅型のポジ型感光性組成
物は、露光後のベークによる膜収縮及び現像後の膜減り
が少なく、良好なプロファイルと高解像力を有する。ま
た、露光後加熱処理(PEB)まで経時させても感度低下が
少ない。
The chemical amplification type positive photosensitive composition of the present invention has a good profile and a high resolution with little film shrinkage due to baking after exposure and film loss after development. Further, the sensitivity does not decrease much even after the heat treatment (PEB) after exposure.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display area H01L 21/027

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)水不溶でアルカリ水溶液に可溶な
樹脂、(b)活性光線または放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び(c)酸により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が(b)による酸の存
在下において70℃以上に加熱することにより増大す
る、分子量3000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合
物、(d)(b)による酸の作用により、50℃以下で
1時間以内に反応し、アルカリ現像液に対する溶解度又
は親水性が増大する化合物、を含有するポジ型感光性組
成物において、該化合物(c)が、(i)酸で分解し得
る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が、
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
10個以上経由する化合物、及び、(ii)酸で分解し
得る基を少なくとも3個有し、該酸分解性基間の距離が
最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を
9個以上経由する化合物、から選ばれた少なくとも1種
であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
1. An alkali having (a) a resin insoluble in water and soluble in an aqueous alkali solution, (b) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (c) a group decomposable by an acid. The action of the acid by (d) and (b), which is a low molecular weight acid-decomposable dissolution-inhibiting compound having a molecular weight of 3000 or less, whose solubility in a developer is increased by heating to 70 ° C. or more in the presence of the acid by (b). According to the above, in a positive-type photosensitive composition containing a compound which reacts at 50 ° C. or lower within 1 hour and whose solubility or hydrophilicity in an alkali developing solution increases, the compound (c) is decomposed by (i) an acid. Has at least two groups capable of being
A compound having 10 or more bond atoms excluding the acid-decomposable group at the furthest position and (ii) at least three groups capable of being decomposed by an acid are included, and the distance between the acid-decomposable groups is the largest. A positive photosensitive composition, which is at least one compound selected from compounds having 9 or more bond atoms excluding an acid-decomposable group at distant positions.
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