JPH06252179A - Signal charge detector - Google Patents

Signal charge detector

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JPH06252179A
JPH06252179A JP5035149A JP3514993A JPH06252179A JP H06252179 A JPH06252179 A JP H06252179A JP 5035149 A JP5035149 A JP 5035149A JP 3514993 A JP3514993 A JP 3514993A JP H06252179 A JPH06252179 A JP H06252179A
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JP
Japan
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signal
signal charge
region
floating region
horizontal
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JP5035149A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Kozono
利幸 小薗
Original Assignee
Matsushita Electron Corp
松下電子工業株式会社
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Abstract

PURPOSE: To obtain a signal output having a slight waveform distortion, by providing the shielding wirings which shield electrically a floatation region of a signal charge sensor between the floatation region and the region whereto the pulses formed in the periphery of the floatation region are applied.
CONSTITUTION: In a signal charge sensor having a floatation region 24 which converts a signal charge into a signal voltage, shielding wirings 32 which shield electrically the floatation region 24 are provided between the floatation region 24 and the region whereto the pulses formed in the periphery of the floatation region 24 are applied. For example, the gate electrode of the first stage MOS 27, a floatation diffusion layer 33 and floatation wirings 34 out of which the floatation region 24 is formed are shielded by the shielding wirings 32 connected with the source terminal of the first stage MOS 27. Thereby, the pulses formed in the periphery of the signal charge detector are hard to be entrapped in the signal output outputted from the signal charge sensor. Therefore, the waveform distortion of the signal output is hard to be generated.
COPYRIGHT: (C)1994,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置等で用いられる信号電荷検出装置に関する。 The present invention relates to a signal charge detecting device used in the solid-state imaging device or the like.

【0002】 [0002]

【従来の技術】信号電荷検出装置は、ビデオカメラ、監視カメラ及びファックス等において広く使用されている固体撮像装置等に用いられるものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION signal charge detecting device is for use in a video camera, are widely used in surveillance cameras and facsimile solid-state imaging device or the like.

【0003】以下、図面を参照しながら、従来の固体撮像装置の電荷検出装置について説明する。 [0003] Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a description will be given charge detecting device of a conventional solid-state imaging device.

【0004】図5は従来の固体撮像装置の平面模式図であって、同図において、51は光信号を信号電荷に変換し変換した信号電荷を蓄積する光電変換部、52は光電変換部51に蓄積された信号電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部、53は垂直転送部52から転送されてきた信号電荷を水平方向へ転送する水平転送部、54は水平転送部53に転送されてきた信号電荷を出力する信号電荷検出装置である。 [0004] Figure 5 is a schematic plan view of a conventional solid-state imaging device, in this figure, a photoelectric conversion unit for accumulating converts the optical signal into a signal charge converted signal charges 51, 52 photoelectric conversion unit 51 vertical transfer portion for transferring the signal charges accumulated in the vertical direction, 53 a horizontal transfer section for transferring signal charges transferred from the vertical transfer unit 52 in the horizontal direction, 54 have been transferred to the horizontal transfer unit 53 a signal charge detecting device for outputting a signal charge.

【0005】図6は水平転送部53における信号電荷検出装置54側の領域、及び信号電荷検出装置54の拡大平面模式図であって、図7は図6におけるVII −VII 線の断面である。 [0005] Figure 6 is an enlarged schematic plan view of a signal charge detecting device 54 side region, and a signal charge detection device 54 in the horizontal transfer unit 53, FIG. 7 is a cross-section of a VII -VII line in FIG.

【0006】図6において、61は水平転送部53を駆動するための第1の水平駆動ゲート、62は水平転送部53を駆動するための第2の水平駆動ゲート、63は水平転送部53の最終段から信号電荷検出装置54に信号電荷を転送する水平出力ゲート、64は信号電荷を信号電圧に変換するための容量を構成する浮遊領域、65は浮遊領域64の基準電位を決めるリセットドレイン、6 [0006] In FIG. 6, 61 first horizontal driving gate for driving the horizontal transfer unit 53, 62 and the second horizontal driving gate for driving the horizontal transfer unit 53, 63 of the horizontal transfer section 53 horizontal output gate for transferring signal charges from the final stage in the signal charge detection device 54, the reset drain 64 is a floating region forming the capacitor for converting the signal charge into a signal voltage, 65 to determine the reference potential of the floating region 64, 6
6は浮遊領域64とリセットドレイン65との間に設けられたスイッチング用のリセットゲート、67はゲート電極が浮遊領域64となっている初段MOS、68は初段MOS67を含めたときに2段ソースホロワーアンプを構成するアンプ、69は初段MOS67及びアンプ6 6 a reset gate for switching which is provided between the floating region 64 and the reset drain 65, 67 is two-stage Sosuhoro when the gate electrode is the first stage MOS, 68 which is the floating region 64 including the first stage MOS67 amplifier constituting the power amps, 69 first stage MOS67 and the amplifier 6
8の電源となるアンプ電源、70は出力端子、71はアンプ68のロードゲートである。 Amplifier power supply which is a 8 power, the 70 output terminal, 71 is a loading gate of the amplifier 68. また、図7において、 Further, in FIG. 7,
72は浮遊領域64を構成する浮遊拡散層、73は浮遊領域64を構成する浮遊配線である。 72 floating diffusion layer constituting the floating region 64, 73 is a floating wiring constituting the floating region 64.

【0007】図8は、従来の固体撮像装置における水平転送部53及び信号電荷検出装置54を駆動するための駆動パルス及び信号出力の波形を示す。 [0007] Figure 8 shows a drive pulse and the signal output of the waveform for driving the horizontal transfer unit 53 and the signal charge detection device 54 in the conventional solid-state imaging device. 図8において、 In FIG. 8,
74は第1の水平駆動ゲート61に印加する第1の水平駆動パルス、75は第2水平駆動ゲート62に印加する第2水平駆動パルス、76はリセットゲート66に印加するリセットパルス、77は信号出力である。 74 The first horizontal drive pulses applied to the first horizontal driving gate 61, 75 and the second horizontal driving pulses applied to the second horizontal driving gate 62, 76 reset pulse applied to the reset gate 66, 77 is the signal which is the output.

【0008】以下、上記のように構成された固体撮像装置の動作について説明する。 [0008] Hereinafter, the operation of the constructed solid-state imaging device as described above.

【0009】光電変換部51において光信号が光電変換され信号電荷として蓄積される。 [0009] an optical signal in the photoelectric conversion unit 51 is stored as a converted signal charge photoelectrically. 光電変換部51に蓄積された信号電荷は、垂直転送部52に読み出され、順次、水平転送部53の水平出力ゲート63を経由して信号電荷検出装置54の浮遊領域64へ転送される。 The signal charges accumulated in the photoelectric conversion unit 51 is read out to the vertical transfer unit 52, sequentially transferred via the horizontal output gate 63 of the horizontal transfer unit 53 to the floating region 64 of the signal charge detection device 54. 浮遊領域64に転送された信号電荷は浮遊領域64の電位を変化させる。 The signal charges transferred to the floating region 64 varies the potential of the floating region 64. この電位変化は、浮遊領域64を兼ねる初段MOS67のゲート電極の電位を変化させ、初段MO This potential change is to change the potential of the gate electrode of the first-stage MOS67 also serving as a floating region 64, the first stage MO
S67及びアンプ68により構成される2段ソースホロワーアンプの出力端子70から電位変化として出力される。 From S67, and two-stage source-follower amplifier of the output terminal 70 constituted by the amplifier 68 is output as a potential change.

【0010】出力端子70から出力される信号出力77 [0010] signal output 77 which is output from the output terminal 70
としては、リセットパルス76がONされるタイミングT1では浮遊領域64の信号電荷がリセットドレイン6 The signal charge of the floating region 64 at the timing T1 is reset pulse 76 is ON is reset drain 6
5に転送され該リセットドレイン65の電位が出力され、その後のリセットパルス76がOFFで且つ第2の水平駆動パルス75がONであるタイミングT2では基準電位が生じ、その後の第2の水平駆動パルス75がO 5 potential of the reset drain 65 is transferred is output to the subsequent reset pulse 76 occurs and the reference potential at the timing T2 is a second horizontal drive pulse 75 is ON at OFF, then the second horizontal drive pulse 75 O
FFされるタイミングT3では信号電荷が第2の水平駆動ゲート62の最終段から水平出力ゲート63を通って浮遊領域64に転送され、信号電荷に比例した電位変化が出力される。 FF is the timing T3, the signal charges are transferred to the floating region 64 through the horizontal output gate 63 from the last stage of the second horizontal driving gate 62, the potential change proportional to the signal charge is outputted.

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記のような構成では、第1の水平駆動ゲート61、第2の水平駆動ゲート62及びリセットゲート66及びこれらの配線領域と浮遊領域64とのカップリング容量のために、信号出力77に対する第1の水平駆動パルス74、 However [0005] In the structure as described above, the first horizontal driving gate 61, the coupling between the second horizontal driving gate 62 and the reset gate 66 and the wiring region and the floating region 64 for capacitance, the first horizontal drive pulse 74 to the signal output 77,
第2の水平駆動パルス75及びリセットパルス76の飛び込みが発生し、図8に示すように、信号出力77に波形歪が生じるという問題点を有している。 Dive occurs the second horizontal drive pulse 75 and the reset pulse 76, as shown in FIG. 8, there is a problem that waveform distortion to the signal output 77 occurs.

【0012】上記に鑑み、本発明は、波形歪の少ない信号出力を得ることができる信号電荷検出装置を提供することを目的とする。 [0012] In view of the above, the present invention aims to provide a signal charge detection device capable of obtaining a small signal output waveform distortion.

【0013】 [0013]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明は、浮遊領域をその周辺のパルスが印加される領域から電気的にシールドすることによって、浮遊領域の周辺に印加されるパルスの飛び込みを抑制し、これにより、波形歪の少ない信号出力を得ようとするものである。 To achieve the above object, according to an aspect of the present invention, by electrically shielded from the area where the floating region pulse the surrounding is applied, it is applied to the periphery of the floating region suppressing jump pulse, thereby, it is intended to obtain a small signal output waveform distortion.

【0014】具体的に請求項1の発明が講じた解決手段は、信号電荷を信号電圧に変換する浮遊領域を有する信号電荷検出装置を対象とし、上記浮遊領域と該浮遊領域の周辺に形成されたパルスが印加される領域との間に上記浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線が設けられている構成とするものである。 [0014] SOLUTION OF THE INVENTION took a specific claim 1 is directed to a signal charge detecting device having a floating region to convert the signal charge into a signal voltage, it is formed on the periphery of the floating region and the floating region during the the area pulse is applied it is an arrangement that electrically shielded to shield interconnect the floating region is provided.

【0015】また、請求項2の発明は、2次元的に配列され光信号を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部と、該光電変換部から転送されてきた信号電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部と、該垂直転送部から転送されてきた信号電荷を水平方向へ転送する水平転送部と、該水平転送部から転送されてきた信号電荷を信号電圧に変換する浮遊領域を有する信号電荷検出装置とを備えた固体撮像装置の信号電荷検出装置を対象とし、上記浮遊領域と該浮遊領域の周辺に形成されたパルスの印加される領域との間に上記浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線が設けられている構成とするものである。 Further, the invention of claim 2, transfer a photoelectric conversion unit which are two-dimensionally arranged and accumulates the converted optical signal into a signal charge, the signal charges transferred from the photoelectric conversion unit to the vertical direction signal having a vertical transfer portion, and a horizontal transfer section for transferring signal charges transferred from the vertical transfer portion to the horizontal direction, a floating region to convert the transferred becoming the signal charge into a signal voltage from the horizontal transfer unit for targeting signal charge detecting device of a solid-state imaging device including a charge detecting device, electrically shielding the floating region between the floating region and the applied area of ​​the pulses formed in the periphery of the floating region it is an arrangement which shield wiring is provided.

【0016】さらに、請求項3の発明は、請求項1又は2の構成に、上記シールド配線の電位は上記浮遊領域の電位変化に比例して変化するという構成を付加するものである。 Furthermore, the invention of claim 3, in the configuration of claim 1 or 2, the potential of the shield wirings are adding a configuration that varies in proportion to the potential change of the floating region.

【0017】 [0017]

【作用】請求項1〜3の構成により、浮遊領域と該浮遊領域の周辺のパルスが印加される領域との間に浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線が設けられているため、浮遊領域と該浮遊領域の周辺のパルスが印加される領域とのカップリング容量が少なくなり、信号電荷検出装置から出力される信号出力に対する周辺領域からのパルスの飛び込みが発生し難くなるので、上記信号出力には波形歪が生じ難くなる。 By the claims 1-3 configured [act], since the electrically shielded to shield interconnect floating region between the region where the pulse around the floating region and the floating region is applied is provided, the floating region and becomes less coupling capacitance between the region where the pulse of the periphery of the floating region is applied, the pulse dive from the peripheral region to the signal output from the signal charge detector output is less likely to occur, the signal output waveform distortion hardly occurs in.

【0018】 [0018]

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。 EXAMPLES Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention.

【0019】図1は、本発明の一実施例に係る固体撮像装置の平面模式図であって、同図において、11は光信号を信号電荷に変換し変換した信号電荷を蓄積する光電変換部、12は光電変換部11に蓄積された信号電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部、13は垂直転送部12 [0019] Figure 1 is a schematic plan view of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention, reference numeral 11 denotes a photoelectric conversion unit for accumulating converts the optical signal into a signal charge converted signal charges , 12 the vertical transfer unit for transferring the signal charges accumulated in the photoelectric conversion unit 11 to the vertical direction, 13 vertical transfer section 12
から転送されてきた信号電荷を水平方向へ転送する水平転送部、14は水平転送部13に転送されてきた信号電荷を出力する信号電荷検出装置である。 Horizontal transfer section for transferring signal charges transferred in the horizontal direction from 14 a signal charge detecting device for outputting a signal charges transferred to the horizontal transfer unit 13.

【0020】図2は、水平転送部13における信号電荷検出装置14側の領域、及び信号電荷検出装置14の平面拡大模式図であって、図3は図2におけるIII −III [0020] Figure 2 is an enlarged plan schematic view of a horizontal transfer region of the signal charge detecting device 14 side in 13, and the signal charge detecting device 14, III -III in Figure 3 Figure 2
線のの断面構造図である。 It is a sectional view of the line.

【0021】図2において、21は水平転送部13を駆動するための第1の水平駆動ゲート、22は水平転送部13を駆動するための第2の水平駆動ゲート、23は水平転送部13の最終段から信号電荷検出装置14へ信号電荷を転送する水平出力ゲート、24は信号電荷を信号電圧に変換するための容量を構成する浮遊領域、25は浮遊領域24の基準電位を決めるリセットドレイン、2 [0021] In FIG. 2, 21 a first horizontal driving gate for driving the horizontal transfer unit 13, 22 and the second horizontal driving gate for driving the horizontal transfer unit 13, 23 of the horizontal transfer section 13 horizontal output gate for transferring signal charges from the final stage to the signal charge detecting device 14, 24 is a floating region forming the capacitor for converting the signal charge into a signal voltage, 25 reset drain that determines the reference potential of the floating region 24, 2
6は浮遊領域24とリセットドレイン25との間に設けられたスイッチング用のリセットゲート、27はゲート電極が浮遊領域24となっている初段MOS、28は初段MOS27を含めたときに2段ソースホロワーアンプを構成するアンプ、29は初段MOS27及びアンプ2 6 a reset gate for switching which is provided between the floating region 24 and the reset drain 25, two stages when the gate electrode is the first stage MOS, 28 which is the floating region 24 including the first stage MOS27 27 Sosuhoro amplifier constituting the power amps, 29 first-stage MOS27 and amplifier 2
8の電源となるアンプ電源、30は出力端子、31はアンプ28のロードゲートである。 Amplifier power supply which is a 8 power, 30 denotes an output terminal, 31 is a loading gate of the amplifier 28. また、図3において、 Further, in FIG. 3,
33は浮遊領域24を構成する浮遊拡散層、34は浮遊領域24を構成する浮遊配線である。 33 floating diffusion layer constituting the floating region 24, 34 is a floating wiring constituting the floating region 24.

【0022】本実施例の特徴として、図2及び図3に示すように、浮遊領域24を構成する初段MOS27のゲート電極、浮遊拡散層33及び浮遊配線34は、初段M [0022] As a feature of the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the gate electrode of the first-stage MOS27 constituting the floating region 24, the floating diffusion layer 33 and the floating wiring 34, the first stage M
OS27のソース端子に接続されたシールド配線32によって電気的にシールドされている。 It is electrically shielded by the shield wiring 32 connected to the source terminal of the OS 27.

【0023】図4は、本実施例に係る固体撮像装置の水平転送部13及び信号電荷検出装置14を駆動するための駆動パルス及び信号出力の波形を示す。 [0023] Figure 4 shows a driving pulse and the signal output of the waveform for driving the horizontal transfer unit 13 and the signal charge detecting device 14 of the solid-state imaging device according to the present embodiment. 図4において、41は第1の水平駆動ゲート21に印加する第1の水平駆動パルス、42は第2の水平駆動ゲート22に印加する第2水平駆動パルス、43はリセットゲート26 4, 41 first horizontal drive pulses applied to the first horizontal driving gate 21, 42 and the second horizontal drive pulse applied to the second horizontal driving gate 22, 43 reset gate 26
に印加するリセットパルス、44は信号出力の波形である。 Reset pulse applied to, 44 ​​is a waveform of the signal output.

【0024】以下、上記のように構成された本実施例の固体撮像装置の動作について説明する。 [0024] Hereinafter, the operation of the solid-state imaging device of the present embodiment constructed as described above.

【0025】光電変換部11において光信号が光電変換され信号電荷として蓄積される。 The optical signal in the photoelectric conversion unit 11 is stored as the converted signal charge photoelectrically. 光電変換部11に蓄積された信号電荷は、垂直転送部12に読み出され、順次、水平転送部13の水平出力ゲート23を経由して信号電荷検出装置14の浮遊領域24へ転送される。 The signal charges accumulated in the photoelectric conversion unit 11 is read out to the vertical transfer unit 12, sequentially transferred via the horizontal output gate 23 of the horizontal transfer unit 13 to the floating region 24 of the signal charge detecting device 14. 浮遊領域24に転送された信号電荷は浮遊領域24の電位を変化させる。 The signal charges transferred to the floating region 24 varies the potential of the floating region 24. この電位変化は、浮遊領域24を兼ねる初段MOS27のゲート電極の電位を変化させ、初段MO This potential change is to change the potential of the gate electrode of the first-stage MOS27 also serving as a floating region 24, the first stage MO
S27及びアンプ28により構成される2段ソースホロワーアンプの出力端子30から電位変化として出力される。 From S27, and the output terminal 30 of the two-stage source-follower amplifier formed by the amplifier 28 is output as a potential change.

【0026】出力端子30から出力される信号出力44 The signal output from the output terminal 30 outputs 44
としては、リセットパルス43がONされるタイミングT1では浮遊領域24の信号電荷がリセットドレイン2 The signal charge reset drain of the floating region 24 at the timing T1 reset pulse 43 is ON 2
5に転送され該リセットドレイン22の電位が出力され、その後のリセットパルス43がOFFで且つ第2の水平駆動パルス42がONであるタイミングT2では基準電位が生じ、その後の第2の水平駆動パルス42がO 5 potential of the reset drain 22 is transferred is output to the subsequent reset pulse 43 occurs and the reference potential at the timing T2 is a second horizontal drive pulse 42 is ON at OFF, then the second horizontal drive pulse 42 O
FFされるタイミングT3では信号電荷が第2の水平駆動ゲート22の最終段から水平出力ゲート23を通して浮遊領域24に転送され、信号電荷に比例した電位変化が出力される。 FF is the timing T3, the signal charges are transferred to the floating region 24 through the horizontal output gate 23 from the last stage of the second horizontal driving gate 22, the potential change proportional to the signal charge is outputted.

【0027】本実施例に係る信号電荷検出装置によると、第1の水平駆動ゲート21、第2の水平駆動ゲート22、リセットゲート26及びこれらの配線領域と浮遊領域24との間に、浮遊領域24を電気的にシールドするシールド配線32を設けたため、第1の水平駆動ゲート21、第2の水平駆動ゲート22及びリセットゲート26の配線領域と浮遊領域24とのカップリング容量が少なくなり、信号出力44に対する第1の水平駆動パルス41、第2水平駆動パルス42及びリセットパルス4 [0027] According to the signal charge detecting device according to the present embodiment, the first horizontal driving gate 21, the second horizontal driving gate 22, between the reset gate 26 and the wiring region and the floating region 24, the floating region due to the provision of the shield wire 32 which electrically shields 24, first horizontal driving gate 21, the coupling capacitance between the wiring region and the floating region 24 of the second horizontal driving gate 22 and the reset gate 26 is reduced, the signal the first horizontal drive pulse 41 to the output 44, the second horizontal driving pulse 42 and the reset pulse 4
3の飛び込みが発生し難くなるので、図4に示すように、信号出力44には波形歪が生じない。 Since 3 dive is less likely to occur, as shown in FIG. 4, waveform distortion does not occur in the signal output 44.

【0028】尚、上記実施例においては、シールド配線32は初段MOS27のソース端子に接続しているが、 [0028] In the above embodiment, although the shield wire 32 is connected to the source terminal of the first-stage MOS27,
これに代えて、外部よりDC電圧をシールド配線32に印加する構成でもよい。 Alternatively, it may be configured to apply a DC voltage from the outside to the shield wire 32.

【0029】 [0029]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に係る信号電荷検出装置によると、浮遊領域と該浮遊領域の周辺に形成されパルスが印加される領域との間に浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線を設けたため、信号出力に対する周辺領域からのパルスの飛び込みが発生し難くなるので、信号出力には波形歪が生じ難くなる。 As described above, according to the present invention, electric According to the signal charge detecting device according to the invention of claim 1, the floating region between the regions pulse formed around the floating region and the floating region is applied due to the provision of the shielded wire to shield, since a pulse dive from the peripheral region to the signal output is hardly generated, the waveform distortion hardly occurs in the signal output.

【0030】また、請求項2の発明に係る信号電荷検出装置によると、請求項1と同様の原理により、出力信号に歪の少ない固体撮像装置を実現することができる。 Further, according to the signal charge detecting device according to the invention of claim 2 can be realized by the same principle as claimed in claim 1, a strain with less solid-state imaging device to output the signal.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例に係る信号電荷検出装置が適用された固体撮像装置の平面模式図である。 1 is a schematic plan view of a solid-state imaging device to which an exemplary signal charge detecting device according to the embodiment of the present invention is applied.

【図2】上記一実施例に係る信号電荷検出装置における水平転送部の出力部及び信号電荷検出装置の拡大平面模式図である。 2 is an enlarged schematic plan view of an output unit and a signal charge detection device of the horizontal transfer section in the signal charge detecting device according to the embodiment.

【図3】図2におけるII−II線の断面図である。 3 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

【図4】上記一実施例に係る信号電荷検出装置における水平転送部の出力部の駆動パルスと信号出力の波形を示す図である。 4 is a diagram showing a drive pulse signal output of the waveform of the output portion of the horizontal transfer portion in the signal charge detecting device according to the embodiment.

【図5】従来の信号電荷検出装置が適用された固体撮像装置の平面模式図である。 5 is a schematic plan view of a conventional signal charge detection device has been applied the solid-state imaging device.

【図6】従来の信号電荷検出装置における水平転送部の出力部及び信号電荷検出装置の拡大平面模式図である。 6 is an enlarged schematic plan view of an output unit and a signal charge detection device of the horizontal transfer portion in the conventional signal charge detection device.

【図7】図6におけるVII −VII 線の断面図である。 7 is a cross-sectional view of a VII -VII line in FIG.

【図8】従来の信号電荷検出装置における水平転送部の出力部の駆動パルスと信号出力の波形を示す図である。 8 is a diagram showing a drive pulse signal output of the waveform of the output portion of the horizontal transfer portion in the conventional signal charge detection device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11、51 光電変換部 12、52 垂直転送部 13、53 水平転送部 14、54 信号電荷検出装置 21、61 第1水平駆動ゲート 22、62 第2水平駆動ゲート 23、63 水平出力ゲート 24、64 浮遊領域 25、65 リセットドレイン 26、66 リセットゲート 27、67 初段MOS 28、68 アンプ 29、69 アンプ電源 30、70 出力端子 31、71 ロードゲート 32 シールド配線 33、72 浮遊拡散層 34、73 浮遊配線 41、74 第1水平駆動パルス 42、75 第2水平駆動パルス 43、76 リセットパルス 44、77 信号出力 11 and 51 the photoelectric conversion unit 12, 52 a vertical transfer section 13 and 53 the horizontal transfer unit 14, 54 the signal charge detecting device 21, 61 first horizontal driving gate 22 and 62 second horizontal driving gate 23 and 63 horizontal output gate 24, 64 floating region 25,65 the reset drain 26, 66 reset gate 27,67 stage MOS 28,68 amplifiers 29,69 amplifier power supply 30, 70 output terminal 31, 71 loaded gate 32 shield lines 33,72 floating diffusion layer 34,73 floating lines 41,74 first horizontal driving pulses 42,75 second horizontal driving pulses 43,76 reset pulse 44,77 signal output

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 信号電荷を信号電圧に変換する浮遊領域を有する信号電荷検出装置であって、上記浮遊領域と該浮遊領域の周辺に形成されたパルスが印加される領域との間に上記浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線が設けられていることを特徴とする信号電荷検出装置。 1. A signal charge detection device having a floating region to convert the signal charge into a signal voltage, the floating between region where the floating region and the pulse formed around the floating region is applied signal charge detector, characterized in that electrically shielded wire to shield is provided the region.
  2. 【請求項2】 2次元的に配列され光信号を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部と、該光電変換部から転送されてきた信号電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部と、該垂直転送部から転送されてきた信号電荷を水平方向へ転送する水平転送部と、該水平転送部から転送されてきた信号電荷を信号電圧に変換する浮遊領域を有する信号電荷検出装置とを備えた固体撮像装置の信号電荷検出装置であって、上記浮遊領域と該浮遊領域の周辺に形成されたパルスの印加される領域との間に上記浮遊領域を電気的にシールドするシールド配線が設けられていることを特徴とする信号電荷検出装置。 2. A two-dimensionally arranged photoelectric conversion unit and accumulates the converted optical signal into a signal charge, and a vertical transfer section for transferring signal charges transferred from the photoelectric conversion unit to the vertical direction, the with a horizontal transfer section for transferring signal charges transferred from the vertical transfer portion to the horizontal direction, and a signal charge detection device having a floating region to convert the transferred becoming the signal charge into a signal voltage from the horizontal transfer section a signal charge detection device of the solid-state imaging device, and electrically shielded to shield interconnect the floating region between the floating region and the floating region area to be applied the pulse formed around the is provided signal charge detector, characterized in that there.
  3. 【請求項3】 上記シールド配線の電位は上記浮遊領域の電位変化に比例して変化するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の信号電荷検出装置。 3. A signal charge detection device according to claim 1 or 2, characterized in that the potential of the shield wire is configured to vary in proportion to the potential change of the floating region.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191440B1 (en) 1997-07-18 2001-02-20 Nec Corporation Charge transfer device with improved charge detection sensitivity
JP2007201016A (en) * 2006-01-24 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state image pickup device, signal charge detector, and camera

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191440B1 (en) 1997-07-18 2001-02-20 Nec Corporation Charge transfer device with improved charge detection sensitivity
JP2007201016A (en) * 2006-01-24 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state image pickup device, signal charge detector, and camera
US7671386B2 (en) 2006-01-24 2010-03-02 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, signal charge detection device, and camera

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