JPH06242015A - Microparticle detection system - Google Patents

Microparticle detection system

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Publication number
JPH06242015A
JPH06242015A JP3323593A JP3323593A JPH06242015A JP H06242015 A JPH06242015 A JP H06242015A JP 3323593 A JP3323593 A JP 3323593A JP 3323593 A JP3323593 A JP 3323593A JP H06242015 A JPH06242015 A JP H06242015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scattered light
light
detection
optical system
inspection
Prior art date
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Pending
Application number
JP3323593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Sasaki
賢司 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH06242015A publication Critical patent/JPH06242015A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a microparticle detection system for detecting a microparticle in a short time. CONSTITUTION:The microparticle detection system comprises a scattering light detecting optical system 4 for irradiating the surface 10 of an object 9 with a plurality of laser beams and detecting the light Ls scattered from a microparticle adhered to the surface 10, a scan mechanism section 2 for relatively displacing the object 9 and the optical system 4 and scanning the surface 10 by means of the laser beam, and a data processing section 3 for processing data detected by the optical system 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ
等の被検査物体に付着した微粒子を光学式に検出する微
粒子検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a particle detection device for optically detecting particles adhering to an object to be inspected such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体や光ディスク等の製造の
際には、例えば数μm以下の極微細な粒子(異物)や傷
が品質に悪影響を及ぼす。このため、粒子や傷を事前に
検出する技術の開発が行われている。この種の技術は、
特公平1−20483号公報、特公平3−34576号
公報、及び、特公平3−34577号公報等に示されて
いる。そして、これらの技術においては、基板やディス
ク等の被検査物体の表面にレ−ザ光が走査され、粒子か
らの散乱光が観察される。
2. Description of the Related Art Generally, in manufacturing semiconductors, optical disks, etc., ultrafine particles (foreign particles) of several μm or less and scratches adversely affect the quality. Therefore, a technique for detecting particles and scratches in advance has been developed. This kind of technology
Japanese Patent Publication No. 1-20483, Japanese Patent Publication No. 3-34576, Japanese Patent Publication No. 3-34577 and the like. In these techniques, the surface of an object to be inspected such as a substrate or a disk is scanned with laser light, and scattered light from particles is observed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来の検出技術においては、レ−ザ光のスポット径は
数μm程度に絞られている。しかし、微粒子の径がレ−
ザ光のスポット径に対して極小さい(例えば粒子径が
0.1μm以下)場合、散乱光が極めて微弱になり、散乱
光の信号成分と検出器や光源のノイズ成分との区別がで
きなくなる。また、検出感度を高めるために、レ−ザ光
を更に集光してスポット径をより細く絞ることも考えら
れる。しかし、レ−ザ光を被検査物体の全面に走査する
のに要する時間が大幅に増すため、この技術を実際の検
査に適用することは困難である。本発明の目的とすると
ころは、極微小な粒子の検出を短時間で行うことが可能
な微粒子検出装置を提供することにある。
By the way, in the conventional detection technique as described above, the spot diameter of the laser light is limited to about several μm. However, the diameter of the particles is
The spot size of light is extremely small (for example, the particle size is
In the case of 0.1 μm or less), the scattered light becomes extremely weak, and the signal component of the scattered light and the noise component of the detector or the light source cannot be distinguished. Further, in order to increase the detection sensitivity, it is possible to further concentrate the laser light and narrow the spot diameter. However, it is difficult to apply this technique to actual inspection because the time required to scan the entire surface of the object to be inspected with the laser light increases significantly. An object of the present invention is to provide a particle detection device capable of detecting extremely small particles in a short time.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、複数の検出光を被検査物体の検
査面に照射するとともに検査面に付着した微粒子からの
散乱光を受光して検出する散乱光検出光学系と、被検査
物体と散乱光検出光学系とを相対変位させて検出光を検
査面に走査する走査機構部と、散乱光検出光学系の検出
デ−タを処理するデ−タ処理部とを具備したことにあ
る。こうすることによって本発明は、極微小な粒子の検
出を短時間で行えるようにしたことにある。
In order to achieve the above object, the present invention irradiates a plurality of detection lights onto an inspection surface of an object to be inspected and receives scattered light from fine particles adhering to the inspection surface. The scattered light detection optical system for detecting the scattered light, the scanning mechanism unit for relatively displacing the inspected object and the scattered light detection optical system to scan the detection surface with the detected light, and the detection data of the scattered light detection optical system are processed. And a data processing unit for performing the same. By doing so, the present invention is to enable detection of extremely small particles in a short time.

【0005】[0005]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1〜図6に基づ
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0006】図1は本発明の一実施例を示すもので、図
中の符号1は微粒子検出装置(以下、検出装置と称す
る)である。この検出装置1は、走査機構部2、デ−タ
処理部3、及び、散乱光検出光学系(以下、検出光学系
と称する)4を有している。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. Reference numeral 1 in the drawing is a particle detection device (hereinafter referred to as a detection device). The detection device 1 has a scanning mechanism section 2, a data processing section 3, and a scattered light detection optical system (hereinafter referred to as a detection optical system) 4.

【0007】これらのうち走査機構部2は、直動ステ−
ジ5、回転ステ−ジ6、リニアエンコ−ダ7、及び、ロ
−タリエンコ−ダ8を備えている。直動ステ−ジ5は回
転ステ−ジ6を支持しており、矢印Aで示すように一方
向に直線変位する。さらに、直動ステ−ジ5の移動量は
リニアエンコ−ダ7によって検出される。
Of these, the scanning mechanism section 2 is a linear motion stage.
A rotary stage 6, a rotary stage 6, a linear encoder 7 and a rotary encoder 8 are provided. The linear motion stage 5 supports the rotary stage 6 and is linearly displaced in one direction as shown by an arrow A. Further, the amount of movement of the linear motion stage 5 is detected by the linear encoder 7.

【0008】また、回転ステ−ジ6は直動ステ−ジ5に
垂設されており、この回転ステ−ジ6にはディスク状の
被検査物体9が水平に搭載されている。被検査物体9の
表面(検査面)10は高精度に平坦に加工されている。
回転ステ−ジ6は被検査物体9を矢印Bで示すように同
心的に回転させる。そして、被検査物体9の回転量はロ
−タリエンコ−ダ5によって検出される。
Further, the rotary stage 6 is vertically provided on the linear motion stage 5, and a disk-shaped object 9 to be inspected is horizontally mounted on the rotary stage 6. The surface (inspection surface) 10 of the inspected object 9 is processed into a flat surface with high accuracy.
The rotating stage 6 rotates the object 9 to be inspected concentrically as indicated by an arrow B. Then, the rotation amount of the inspected object 9 is detected by the rotary encoder 5.

【0009】ここで、直動ステ−ジ5や回転ステ−ジ6
のための駆動源及び案内機構として一般的な種々のもの
を利用できるので、これらの説明は省略する。また、リ
ニアエンコ−ダ7やロ−タリエンコ−ダ8としても、一
般的な種々のものが利用できるので、これらの説明も省
略する。
The linear stage 5 and the rotary stage 6 are used here.
Various general drive sources and guide mechanisms can be used, and thus description thereof will be omitted. Also, as the linear encoder 7 and the rotary encoder 8, various general ones can be used, and therefore their description will be omitted.

【0010】デ−タ処理部3は、パルス検出回路11、
コンピュ−タ12、及び、出力部13を備えている。パ
ルス検出回路11はリニアエンコ−ダ7やロ−タリエン
コ−ダ8の検出デ−タを受ける。また、パルス検出回路
11の出力はコンピュ−タ12に送られ、コンピュ−タ
12はパルス検出回路11の出力を基にして所定のデ−
タ処理を行う。そして、コンピュ−タ12の処理結果は
出力部13に出力される。出力部13として一般的なデ
ィスプレイやプリンタ等を利用することが可能である。
The data processing unit 3 includes a pulse detection circuit 11,
A computer 12 and an output unit 13 are provided. The pulse detection circuit 11 receives the detection data of the linear encoder 7 and the rotary encoder 8. The output of the pulse detection circuit 11 is sent to the computer 12, and the computer 12 outputs a predetermined data based on the output of the pulse detection circuit 11.
Data processing. The processing result of the computer 12 is output to the output unit 13. A general display, printer, or the like can be used as the output unit 13.

【0011】前記検出光学系4は被検査物体9の上方に
配置されている。検出光学系4は半導体レ−ザアレイ1
4とマイクロレンズアレイ15とを有しており、両アレ
イ14、15は共に正方形な平板状に加工されている。
両アレイ14、15は所定の間隔で平行に対向してい
る。さらに、マイクロレンズアレイ15は被検査物体9
のに表面10に、均一な間隔をおきながら平行に対向し
ている。
The detection optical system 4 is arranged above the object 9 to be inspected. The detection optical system 4 is the semiconductor laser array 1
4 and a microlens array 15. Both arrays 14 and 15 are processed into a square flat plate shape.
Both arrays 14 and 15 face each other in parallel at a predetermined interval. Further, the microlens array 15 is used for the inspection object 9
However, they are parallel to and oppose the surface 10 at regular intervals.

【0012】半導体レ−ザアレイ14には、図2及び図
3に示すように多数の光源としての半導体レ−ザ16…
と散乱光検出手段としてのフォトダイオ−ド17…とが
形成されている。つまり、半導体レ−ザアレイ14の基
板18の表面は細くマトリクス状に区画されており、各
区画19…の中央に半導体レ−ザ16…が形成されてい
る。そして、それぞれの半導体レ−ザ16…が、基板1
8の表面に対して垂直に検出光としてのレ−ザ光20…
を出射する。
As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor laser array 14 has a plurality of semiconductor lasers 16 serving as light sources.
And a photodiode 17 as the scattered light detecting means. That is, the surface of the substrate 18 of the semiconductor laser array 14 is finely divided into a matrix, and the semiconductor lasers 16 ... Are formed in the center of each division 19. Each semiconductor laser 16 ...
Laser light 20 as detection light perpendicular to the surface of 8 ...
Is emitted.

【0013】また、フォトダイオ−ド17…は薄膜であ
り、その表面が受光面21である。フォトダイオ−ド1
7…は各区画19…毎に形成されている。フォトダイオ
−ド17…の形状は真円環状であり、中央にピンホ−ル
(出射孔)22…が開口している。ピンホ−ル22…の
中央から半導体レ−ザ16…が露出しており、レ−ザ光
20…は拡がりながらピンホ−ル22…を通過して出射
される。
The photodiodes 17 ... Are thin films, and the surface thereof is the light receiving surface 21. Photodiode 1
7 are formed for each of the sections 19 ... The photodiodes 17 have a perfect circular ring shape, and a pinhole (emission hole) 22 is opened in the center. The semiconductor lasers 16 ... Are exposed from the center of the pinholes 22 ..., and the laser light 20 ... Is emitted while passing through the pinholes 22.

【0014】ここで、フォトダイオ−ド17と半導体レ
−ザ14との配置は相関を有している。つまり、両者の
位置関係は、拡がりながら進行するレ−ザ光20がフォ
トダイオ−ド17…の内周縁部によって遮られないよう
設定されている。
Here, the arrangement of the photodiode 17 and the semiconductor laser 14 has a correlation. That is, the positional relationship between the two is set so that the laser light 20 that propagates while spreading is not blocked by the inner peripheral edge of the photodiode 17.

【0015】前記マイクロレンズアレイ15において
は、図4及び図5に示すように、マイクロレンズアレイ
本体23に多数の集光手段としてのロッドレンズ(以
下、レンズと称する)24…が形成されている。各レン
ズ24は円柱状であり、レンズ24の長さとマイクロレ
ンズアレイ本体23の厚さとは一致している。さらに、
レンズ24は屈折率変化型であり、屈折率は軸心から外
側へいくほど大きく変化している。
In the microlens array 15, as shown in FIGS. 4 and 5, a large number of rod lenses (hereinafter referred to as lenses) 24 ... . Each lens 24 has a cylindrical shape, and the length of the lens 24 and the thickness of the microlens array main body 23 are the same. further,
The lens 24 is of a refractive index changing type, and the refractive index changes greatly from the axial center to the outside.

【0016】レンズ24…は等ピッチでマトリクス状に
配列されており、レンズ24…の配列ピッチは前記半導
体レ−ザ16…の配列ピッチと同じに設定されている。
さらに、レンズ24…は半導体レ−ザ16…に一対一で
対応しており、半導体レ−ザ16…と同じ光軸上に位置
している。そして、それぞれ一つの半導体レ−ザ16、
フォトダイオ−ド17、及び、レンズ24によって単位
光学系25が構成されている。単位光学系の検出原理が
図6に示されている。
The lenses 24 are arranged in a matrix at an equal pitch, and the arrangement pitch of the lenses 24 is set to be the same as the arrangement pitch of the semiconductor lasers 16.
Further, the lenses 24 ... One-to-one correspond to the semiconductor lasers 16 ... And are located on the same optical axis as the semiconductor lasers 16. And each one semiconductor laser 16,
A unit optical system 25 is composed of the photodiode 17 and the lens 24. The detection principle of the unit optical system is shown in FIG.

【0017】半導体レ−ザ16から出射されたレ−ザ光
20は、円錐状に拡がりながらピンホ−ル22を通過
し、対応したレンズ24に達する。レ−ザ光20がピン
ホ−ル19を通過する際のビ−ム径は、ピンホ−ル22
の直径と同じか、或いは、僅かに小さい。また、レンズ
24の端面の直径は、到達したレ−ザ光20の直径より
も大きい。
The laser light 20 emitted from the semiconductor laser 16 spreads in a conical shape, passes through the pinhole 22, and reaches the corresponding lens 24. The beam diameter when the laser light 20 passes through the pinhole 19 is the pinhole 22.
The diameter is the same as or slightly smaller. The diameter of the end surface of the lens 24 is larger than the diameter of the laser light 20 that has reached.

【0018】レンズ24…を通過したレ−ザ光20は集
光され、被検査物体9の表面10に焦点を結ぶ。表面1
0で正反射した光LO は反射前と同じ開き角θでレンズ
24に達し、レンズ24を通過して半導体レ−ザ16に
戻る。
The laser light 20 that has passed through the lenses 24 is focused and focused on the surface 10 of the object 9 to be inspected. Surface 1
0 In light L O that specular reflection reaches the lens 24 at the same opening angle θ as the previous reflection, semiconductor laser passes through the lens 24 - Back to The 16.

【0019】しかし、表面10に微粒子26が付着して
いる場合、微粒子26で反射した光は全方位角に散乱す
る。このため、図中に斜線で示すように正反射光LO
外側からレンズ24に入射する散乱光LS が発生し、こ
の散乱光LS は正反射光LOの外側から半導体レ−ザ1
6に向う。正反射光LO がフォトダイオ−ド17のピン
ホ−ル22を通過する際、正反射光LO のビ−ム径はピ
ンホ−ル22の直径と略同じであるので、散乱光LS
ピンホ−ル22を通過せずに、フォトダイオ−ド17の
受光面21に入射する。そして、散乱光LS はフォトダ
イオ−ド17によって検出される。
However, when the fine particles 26 adhere to the surface 10, the light reflected by the fine particles 26 is scattered in all azimuth angles. Therefore, scattered light L S that enters the lens 24 is generated from the outside of the regular reflection light L O as indicated by the diagonal lines in the figure, and this scattered light L S is emitted from the outside of the regular reflection light L O to the semiconductor laser. 1
Go to 6. When the regular reflection light L O passes through the pinhole 22 of the photodiode 17, the beam diameter of the regular reflection light L O is approximately the same as the diameter of the pinhole 22, so the scattered light L S is The light does not pass through the pinhole 22 and is incident on the light receiving surface 21 of the photodiode 17. Then, the scattered light L S is detected by the photodiode 17.

【0020】本実施例においては、図1中に示すように
半導体レ−ザアレイ14がパルス検出回路11に接続さ
れており、各フォトダイオ−ド17…の出力がパルス検
出回路11に送られる。また、走査機構2が被検査物体
9を回転させるので、レ−ザ光20…が被検査物の表面
10に走査され、レ−ザ光20…は表面10の一部のみ
ではなく、全体に照射される。また、被検査物体9を回
転させるだけでは全面を走査できない場合には、直動ス
テ−ジ5によって被検査物体9が直線的に動かされ、レ
−ザ光20…が残りの部分にも走査される。
In this embodiment, the semiconductor laser array 14 is connected to the pulse detection circuit 11 as shown in FIG. 1, and the output of each photodiode 17 ... Is sent to the pulse detection circuit 11. Further, since the scanning mechanism 2 rotates the object 9 to be inspected, the laser light 20 ... Is scanned on the surface 10 of the object to be inspected, and the laser light 20 ... Is irradiated. Further, when the entire surface cannot be scanned only by rotating the inspection object 9, the inspection object 9 is linearly moved by the linear movement stage 5, and the laser beam 20 ... To be done.

【0021】リニアエンコ−ダ7及びロ−タリエンコ−
ダ8が直動ステ−ジ5及び回転ステ−ジ6の変位量を検
出し、検出デ−タはパルス検出回路11に送られる。パ
ルス検出回路11は、半導体レ−ザアレイ14の出力と
両エンコ−ダ7、8の出力とコンピュ−タ入力用の信号
に変換してコンピュ−タ12に送る。コンピュ−タ12
は、フォトダイオ−ド17…の出力デ−タをメモリにマ
ッピングする。そして、所定値以上の強い散乱光が検出
された場合、その散乱光が得られた位置に微粒子が存在
していることが判断される。
Linear encoder 7 and rotary encoder
The datum 8 detects the amount of displacement of the linear motion stage 5 and the rotational stage 6, and the detected data is sent to the pulse detection circuit 11. The pulse detection circuit 11 converts the output of the semiconductor laser array 14 and the outputs of both encoders 7 and 8 into a signal for computer input and sends the signal to the computer 12. Computer 12
Maps the output data of the photodiode 17 ... To the memory. Then, when strong scattered light of a predetermined value or more is detected, it is determined that the fine particles are present at the position where the scattered light is obtained.

【0022】上述のような検出装置1においては、検出
光学系4を備えており、この検出光学系4から複数のレ
−ザ光20…が被検査物体9の表面10の複数箇所に照
射される。さらに、走査機構部2が、レ−ザ光20…が
表面10の全体を走査するよう、被検査物体9を変位さ
せる。そして、デ−タ処理部3が検出光学系4の検出デ
−タに基づいて微粒子の有無を判断する。したがって、
レ−ザ光の走査を短時間で行うことができ、微粒子の検
出に要する時間を短縮できる。
The detection device 1 as described above is provided with the detection optical system 4, and a plurality of laser lights 20 ... Are irradiated from the detection optical system 4 to a plurality of positions on the surface 10 of the object 9 to be inspected. It Further, the scanning mechanism section 2 displaces the inspected object 9 so that the laser light 20 scans the entire surface 10. Then, the data processing unit 3 determines the presence or absence of fine particles based on the detection data of the detection optical system 4. Therefore,
Laser light scanning can be performed in a short time, and the time required for detecting fine particles can be shortened.

【0023】さらに、検出光学系4には半導体レ−ザア
レイ14とマイクロレンズアレイ15とが備えられてお
り、半導体レ−ザアレイ14には多数の半導体レ−ザ1
6…とフォトダイオ−ド17が形成されている。そし
て、半導体レ−ザ16…から出射されたレ−ザ光20…
はレンズ22により絞られて被検査物体9の表面10に
照射される。したがって、レ−ザ光20のスポット径の
縮小化が可能になる。なお、本発明は上述の実施例に限
定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々に
変形することが可能である。
Further, the detection optical system 4 is provided with a semiconductor laser array 14 and a microlens array 15, and the semiconductor laser array 14 has a large number of semiconductor lasers 1.
6 and a photo diode 17 are formed. The laser light 20 emitted from the semiconductor laser 16 ...
Is squeezed by the lens 22 and irradiates the surface 10 of the inspection object 9. Therefore, the spot diameter of the laser light 20 can be reduced. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the scope of the invention.

【0024】例えば、本実施例においては、散乱光LS
の受光のために薄膜のフォトダイオ−ド17…が用いら
れているが、本発明はこれに限定されるものではなく、
例えば図7(a)、(b)に示すように、光ファイバ−
束31を環状に配設してもよい。この場合、光検出器が
半導体レ−ザアレイ14から分離しており、散乱光が光
ファイバ−束31を介して光検出器に導かれる。
For example, in this embodiment, scattered light L S
Although a thin film photodiode 17 ... Is used for receiving light, the present invention is not limited to this.
For example, as shown in FIGS. 7A and 7B, an optical fiber-
The bundle 31 may be arranged annularly. In this case, the photodetector is separate from the semiconductor laser array 14 and the scattered light is guided to the photodetector via the optical fiber bundle 31.

【0025】また、本実施例では半導体レ−ザ16…と
フォトダイオ−ド17…とが同一の基板18に形成され
ているが、例えばこれらを別々の基板に作成して組合せ
てもよい。
Although the semiconductor lasers 16 ... And the photodiodes 17 ... Are formed on the same substrate 18 in this embodiment, they may be formed on different substrates and combined, for example.

【0026】また、本実施例ではマイクロレンズアレイ
15のレンズ24…がロッド状の屈折率変化型である
が、例えば図8に示すように曲面型のレンズ33…を利
用してもよい。
Further, in the present embodiment, the lenses 24 of the microlens array 15 are rod-shaped refractive index changing type, but curved type lenses 33 may be used as shown in FIG. 8, for example.

【0027】また、半導体レ−ザ16…から出射された
レ−ザ光20…がマイクロレンズアレイ15に直接入射
しているが、例えば、光ファイバを利用してレ−ザ光2
0…を外部から伝送し、レ−ザ光20…を光ファイバか
らレンズ24…向けて出射してもよい。さらに、本実施
例と同様の拡散光が得られれば、半導体レ−ザ16…以
外の光源を利用してもよい。
The laser light 20 emitted from the semiconductor laser 16 is directly incident on the microlens array 15. For example, the laser light 2 is made by using an optical fiber.
0 may be transmitted from the outside, and the laser light 20 may be emitted from the optical fiber toward the lenses 24. Furthermore, a light source other than the semiconductor lasers 16 may be used as long as the same diffused light as in this embodiment can be obtained.

【0028】さらに、単位光学系25の配列は必ずしも
マトリクス状である必要はなく、半導体レ−ザアレイ1
4の大きさや、走査機構部2にとって最適な配列を選択
してよい。例えば、本実施例のように被検査物体9の形
状がディスク状で被検査物体9が回転する場合には、単
位光学系25を等間隔で一列に並べるだけでも表面10
の全体を走査することが可能である。
Further, the array of the unit optical system 25 does not necessarily have to be a matrix, but the semiconductor laser array 1
4 or the optimum arrangement for the scanning mechanism unit 2 may be selected. For example, when the object 9 to be inspected has a disk shape and the object 9 to be inspected rotates as in this embodiment, the surface 10 can be obtained by arranging the unit optical systems 25 in a line at equal intervals.
It is possible to scan the whole of.

【0029】また、図9に示すように、半導体レ−ザア
レイ14の各区画19…(及びマイクロレンズアレイ1
5のレンズ24…)を段差状にずらしながら斜め配列す
れば、レ−ザ光20…の走査間隔p…を狭めることがで
きる。このような配列は、各区画19…を自由に縮小化
できない場合などに有効である。この他の配列として
は、不当ピッチの配列や千鳥配列などが考えられる。
Further, as shown in FIG. 9, each section 19 of the semiconductor laser array 14 (and the microlens array 1)
If the lenses 24 of 5 are diagonally arranged while being shifted in a stepped manner, the scanning interval p of the laser light 20 can be narrowed. Such an arrangement is effective when, for example, each section 19 cannot be freely reduced. As other arrangements, an illegal pitch arrangement, a staggered arrangement, and the like can be considered.

【0030】さらに、本実施例では、レ−ザ光20…を
走査するために、直動ステ−ジ5と回転ステ−ジ6が用
いられているが、一般的な種々の移動機構を採用するこ
とが可能である。
Further, in this embodiment, the linear motion stage 5 and the rotary stage 6 are used for scanning the laser light 20 ..., However, various general moving mechanisms are adopted. It is possible to

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数の検
出光を被検査物体の検査面に照射するとともに検査面に
付着した微粒子からの散乱光を受光して検出する散乱光
検出光学系と、被検査物体と散乱光検出光学系とを相対
変位させて検出光を検査面に走査する走査機構部と、散
乱光検出光学系の検出デ−タを処理するデ−タ処理部と
を具備した。したがって本発明は、極微小な粒子の検出
を短時間で行えるという効果がある。
As described above, the present invention irradiates a plurality of detection lights onto the inspection surface of an object to be inspected and receives scattered light from fine particles adhering to the inspection surface to detect the scattered light. A scanning mechanism section for relatively displacing the object to be inspected and the scattered light detection optical system to scan the inspection surface with the detected light, and a data processing section for processing the detection data of the scattered light detection optical system. Equipped Therefore, the present invention has an effect that detection of extremely small particles can be performed in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】散乱光検出光学系の作用を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing the operation of a scattered light detection optical system.

【図3】半導体レ−ザアレイの一部を示す拡大図。FIG. 3 is an enlarged view showing a part of a semiconductor laser array.

【図4】マイクロレンズアレイの一部を示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing a part of a microlens array.

【図5】マイクロレンズアレイの一部を拡大して示す断
面図。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a microlens array.

【図6】単位光学系の検出原理を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a detection principle of a unit optical system.

【図7】(a)は散乱光検出手段の変形例を示す図、
(b)は(a)中の円Cで囲った部分の拡大図。
FIG. 7A is a view showing a modified example of the scattered light detection means,
(B) is an enlarged view of a portion surrounded by a circle C in (a).

【図8】マイクロレンズアレイの変形例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a modified example of a microlens array.

【図9】半導体レ−ザアレイに形成された各区画の配列
の変形例を示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory view showing a modified example of the arrangement of each section formed in the semiconductor laser array.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…微粒子検出装置、2…走査機構部、3…デ−タ処理
部、4…散乱光検出光学系、9…被検査物体、10…被
検査物体の表面(検査面)、14…半導体レ−ザアレ
イ、15…マイクロレンズアレイ、16…半導体レ−ザ
(光源)、17…フォトダイオ−ド(散乱光検出手
段)、20…レ−ザ光(検出光)、24…ロッドレンズ
(集光手段)、26…微粒子、LO …正反射光、LS
散乱光。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Particle detection device, 2 ... Scanning mechanism part, 3 ... Data processing part, 4 ... Scattered light detection optical system, 9 ... Inspected object, 10 ... Inspected object surface (inspection surface), 14 ... Semiconductor laser -The array, 15 ... Microlens array, 16 ... Semiconductor laser (light source), 17 ... Photodiode (scattered light detecting means), 20 ... Laser light (detection light), 24 ... Rod lens (light collecting) Means), 26 ... fine particles, L O ... regular reflection light, L S ...
Scattered light.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の検出光を被検査物体の検査面に照
射するとともに上記検査面に付着した微粒子からの散乱
光を受光して検出する散乱光検出光学系と、上記被検査
物体と上記散乱光検出光学系とを相対変位させて上記検
出光を上記検査面に走査する走査機構部と、上記散乱光
検出光学系の検出デ−タを処理するデ−タ処理部とを具
備した微粒子検出装置。
1. A scattered light detection optical system that irradiates a plurality of detection lights onto an inspection surface of an inspection object and receives and detects scattered light from fine particles adhering to the inspection surface, the inspection object, and the inspection object. Fine particles provided with a scanning mechanism section that relatively displaces the scattered light detection optical system to scan the detection surface onto the inspection surface, and a data processing section that processes the detection data of the scattered light detection optical system. Detection device.
【請求項2】 上記散乱光検出光学系が、集積化された
複数の光源と、これら光源毎に配列された散乱光検出手
段と、集積化され上記検出光を上記検査面に集光すると
ともに上記散乱光を上記散乱光検出手段に導く集光手段
とを備えた請求項1記載の微粒子検出装置。
2. The scattered light detecting optical system includes a plurality of integrated light sources, scattered light detecting means arranged for each of the light sources, and integrated and collects the detected light on the inspection surface. The particle detection device according to claim 1, further comprising a condensing unit that guides the scattered light to the scattered light detecting unit.
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