JPH06212408A - Metallic composition for melt evaporation and method for melt-evaporating metal - Google Patents

Metallic composition for melt evaporation and method for melt-evaporating metal

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JPH06212408A
JPH06212408A JP2078593A JP2078593A JPH06212408A JP H06212408 A JPH06212408 A JP H06212408A JP 2078593 A JP2078593 A JP 2078593A JP 2078593 A JP2078593 A JP 2078593A JP H06212408 A JPH06212408 A JP H06212408A
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evaporation
melt
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Abstract

PURPOSE:To control the temperature distribution in a hearth for the melt evaporation to a desired level and to efficiently perform the vapor deposition and the ion plating by allowing a metal to be evaporated having thermal conductivity of higher than a specified value and a material having a vapor pressure of lower than a specified value to coexist in the metallic composition used for the melt evaporation. CONSTITUTION:The metallic composition for the melt evaporation comprises a metal to be evaporated having >=80joule/m/sec/K thermal conductivity at the evaporation temp. and a material having <=10<-2>Pa vapor pressure at 2000K. Elemental metals such as Al, Ag, etc., or their compounds can be used as the metal to be evaporated, and W, etc., can be used as the material having <=10<-2>Pa vapor pressure at 2000K. A large amount of the metal to be evaporated can be rapidly melt-evaporated by performing the process at about 300 to 2500 deg.C melting and evaporation temp. of the metal, under about 1X10<-8> to 10Pa pressure.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、溶融蒸発用金属組成物
および金属の溶融蒸発方法に関し、さらに詳細には、た
とえば、真空蒸着およびイオンプレーティングするため
の溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法に係
わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal composition for melt evaporation and a method for melt evaporation of metal, and more specifically, for example, a metal composition for melt evaporation and metal for vapor deposition and ion plating. Related to the melt evaporation method.

【0002】[0002]

【従来の技術、発明が解決しようとする課題】従来、た
とえば、電子工業において、また、各種金属ならびにガ
ラス、プラスチック、紙および布などの非金属などの表
面加工処理工程において真空蒸着およびイオンプレーテ
ィングなどが広く使用されている。これらの真空蒸着お
よびイオンプレーティングなどでは、これらを工業的に
効率よく行なうために、高い減圧度(以下 真空 と記
すこともある)で、多量の金属を可及的に急速に溶融蒸
発させることが必要であるとされている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in the electronics industry, and also in the surface processing of various metals and non-metals such as glass, plastic, paper and cloth, vacuum deposition and ion plating. Are widely used. In vacuum deposition and ion plating, in order to perform these industrially efficiently, a large amount of metal should be melted and evaporated as quickly as possible with a high degree of vacuum (hereinafter also referred to as vacuum). Is required.

【0003】処で、従来の金属の溶融蒸発方法におい
て、比較的熱伝導率が大きい金属を蒸発させる場合であ
って、荷電粒子ビームを使用したときには、金属溶融用
のハース(水冷るつぼ)内に、熱伝導率がハースの材料
よりも低く、かつ、溶融金属とは反応しにくい、たとえ
ば、グラファイトのような物質で作られたハースライナ
ーを設置し、その中に装填された金属に荷電粒子ビーム
を照射して該金属を溶融蒸発させている。しかしなが
ら、この方法では、金属の蒸発速度が遅く実用上、満足
し得ないものであった。たとえば、2.4KWのプラズ
マを使用し、ハースの直径を72mm、溶融金属温度を8
00〜900℃としてアルミニウムを溶融蒸発させた場
合に、その蒸発速度は1.7×10-4 kg/m2/秒であっ
た。また、アルミニウムは熱伝導率が大きいため、たと
えば、圧力勾配型プラズマガン(以下URガン と記
す)を使用した比較的低エネルギー密度の電子ビームで
溶融蒸発させることができるが、この場合でも蒸発速度
が実用するには遅く、蒸発速度を増加させるべく蒸発源
の温度を上昇させる必要があり、そのためには、ハース
の断熱が必要となる。しかしながら、たとえば、グラフ
ァイトなどの断熱材で作られたハースライナーで断熱し
ようとすると、次のような問題が生ずる。すなわち、 a)電子ビームのパワーを上げてハース内全体の温度を
上昇させると、突沸する危険性が増大し、もしも、突沸
した場合には、溶融せしめられた金属がハース外へ飛散
することになる。 b)溶融アルミニウムは反応活性が大きいために、高温
下ではハースライナーと反応して、ハースライナーの寿
命を短縮させることになり、また、この反応生成物が被
蒸発金属の表面を覆って蒸発速度を低下せしめることに
なる。 このような問題を回避するために、ハース内の内容物の
温度分布を、中心部では比較的高く、周縁部では比較的
低く、その差を大きくすればよいことが理論的に知られ
ている。それにも拘わらず、たとえば、アルミニウムな
どを単独で使用した場合には、ハース内の内容物は、中
心部と周縁部とでは温度差が小さく、実質的に均一とな
り、前記のような温度分布が得られない。また、ハース
内の内容物にこのような温度分布を形成させるための具
体的な手段は、未だ知られていない。このことは、アル
ミニウムを始めとする、蒸発温度における熱伝導率が8
0ジュール/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属に共通
する問題点であり、就中、反応性が大きいアルミニウム
を被蒸発金属として使用する場合には、特に問題とされ
る。
Here, in the conventional metal evaporation method, when a metal having a relatively high thermal conductivity is evaporated and a charged particle beam is used, it is placed in a hearth (water cooling crucible) for melting the metal. , A hearth liner made of a substance such as graphite, which has a lower thermal conductivity than that of the hearth material and is difficult to react with molten metal, is installed, and the metal charged in the hearth liner is charged particle beam. Is irradiated to melt and evaporate the metal. However, with this method, the evaporation rate of the metal was slow and it was not satisfactory in practice. For example, using a 2.4 kW plasma, the hearth diameter is 72 mm, the molten metal temperature is 8
When aluminum was melt-evaporated at a temperature of 00 to 900 ° C., the evaporation rate was 1.7 × 10 −4 kg / m 2 / sec. Further, since aluminum has a high thermal conductivity, it can be melted and evaporated by an electron beam having a relatively low energy density using a pressure gradient type plasma gun (hereinafter referred to as UR gun). However, it is slow for practical use, and it is necessary to raise the temperature of the evaporation source in order to increase the evaporation rate, which requires heat insulation of the hearth. However, when trying to insulate with a hearth liner made of a heat insulating material such as graphite, the following problems occur. That is: a) If the power of the electron beam is increased to raise the temperature inside the hearth, the risk of bumping will increase, and if bumping occurs, the molten metal will scatter out of the hearth. Become. b) Since molten aluminum has a large reaction activity, it reacts with the hearth liner at high temperatures and shortens the life of the hearth liner, and the reaction product covers the surface of the metal to be evaporated and the evaporation rate. Will be reduced. In order to avoid such a problem, it is theoretically known that the temperature distribution of the contents in the hearth is relatively high in the central part and relatively low in the peripheral part, and the difference between them may be increased. . Nevertheless, for example, when aluminum or the like is used alone, the content in the hearth has a small temperature difference between the central portion and the peripheral portion and becomes substantially uniform, and the temperature distribution as described above is generated. I can't get it. Moreover, a specific means for forming such a temperature distribution in the contents in the hearth has not yet been known. This means that aluminum and other materials have a thermal conductivity of 8 at the evaporation temperature.
This is a problem common to vaporized metals of 0 Joule / meter / sec / ° K or more, and is particularly a problem when aluminum having a high reactivity is used as the vaporized metal.

【0004】[0004]

【課題を解決する手段、作用】本発明者は、たとえば、
真空蒸着およびイオンプレーティングなどにおいて、こ
れらを工業的に効率よく行なうために、真空下、比較的
高温下で、被蒸発金属とハースライナーの構成材料とを
互いに反応させることなく、多量の金属を可及的に急速
に溶融蒸発させるために、ハース内の内容物の温度分布
を中心部では比較的高く、周縁部では比較的低く、この
両者の差を大きくすることことについて、鋭意、研鑚を
重ねた結果、たとえば、アルミニウムなどの被蒸発金属
と、特定な物質とを共存させることにより、ハース内の
内容物の温度分布を前記の所望の温度分布とすることが
可能であるとの新知見を得、この新知見に基づいて、本
発明に到達した。すなわち、本発明は、減圧中で溶融蒸
発させられる金属であって、蒸発温度における熱伝導率
が80ジュール/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属
と、2000゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル以下の物質
とを含有させてなることを特徴とする溶融蒸発用金属組
成物であり、また、金属を減圧中で溶融蒸発させる方法
において、蒸発温度における熱伝導率が80ジュール/
メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属を、2000゜Kで蒸
気圧が10-2パスカル以下の物質の共存下で溶融蒸発さ
せることを特徴とする金属の溶融蒸発方法である。
The present inventor has, for example,
In order to industrially and efficiently perform such processes in vacuum deposition and ion plating, a large amount of metal is removed under vacuum and at a relatively high temperature without reacting the metal to be evaporated with the constituent materials of the hearth liner. In order to melt and evaporate as quickly as possible, the temperature distribution of the contents in the hearth is relatively high in the central part and relatively low in the peripheral part. As a result, it is possible to make the temperature distribution of the contents in the hearth the desired temperature distribution by coexisting a metal to be evaporated such as aluminum and a specific substance. Based on this new finding, the inventors arrived at the present invention. That is, the present invention is a metal that can be melt-evaporated under reduced pressure and has a thermal conductivity at the evaporation temperature of 80 Joule / meter / sec / ° K or more and a vapor pressure at 2000 ° K of 10 or less. -A metal composition for melting and vaporizing, which comprises a substance of 2 Pascal or less, and in a method of melting and vaporizing a metal under reduced pressure, the thermal conductivity at the vaporizing temperature is 80 joules /
A method for melting and evaporating a metal, characterized in that a vaporized metal having a rate of at least meters / second / ° K is melted and vaporized at 2000 ° K in the coexistence of a substance having a vapor pressure of 10 -2 Pascal or less.

【0005】本発明における、蒸発温度における熱伝導
率が80ジュール/メートル/秒/゜K以上、好ましく
は、80〜10000ジュール/メートル/秒/゜Kの被
蒸発金属(以下単に 被蒸発金属 と記すこともある)
は、代表例は、アルミニウム、銀、金および銅などの金
属単体ならびにふっ化マグネシウムなどの金属化合物お
よび氷晶石(ナトリウムとアルミニウムのふっ化物)な
どの金属化合物を含有する物質などである。蒸発温度に
おける熱伝導率が80ジュール/メートル/秒/゜K未満
の金属は従来の方法で、実用するに満足し得るように蒸
発速度をあげることができるので本発明を適用する必要
はない。
In the present invention, the metal to be vaporized (hereinafter simply referred to as the metal to be vaporized) having a thermal conductivity at the vaporization temperature of 80 joules / meter / sec / ° K or more, preferably 80 to 10000 joules / meter / sec / ° K. (Sometimes noted)
Typical examples are substances containing a metal simple substance such as aluminum, silver, gold, and copper, a metal compound such as magnesium fluoride, and a metal compound such as cryolite (fluoride of sodium and aluminum). It is not necessary to apply the present invention to a metal having a thermal conductivity at the evaporation temperature of less than 80 Joules / meter / sec / ° K because the evaporation rate can be increased by the conventional method so as to be satisfactory for practical use.

【0006】本発明における2000゜Kでの蒸気圧が1
-2パスカル以下であればよく低い程好ましいが、実用
上、10-10〜10-2パスカルの物質が好適である。こ
の物質(以下 促進物質 と記載することもある)は、
短周期型元素周期表における第5周期IV〜VIII族もしく
は第6周期IV〜VIII族に属し、前記の蒸気圧を有する元
素である。前者の代表例は、ジルコニウム、ニオブ、モ
リブデン、テクネチウムおよびルテニウムなど、後者の
代表例は、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニ
ウム、オスミウムおよびイリジウムなどである。200
0゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル未満の物質を共存させ
てた場合には、このような物質も蒸発し、金属蒸気中ま
たは金属化合物の蒸気中に不純物として多量に混入さ
れ、形成された被膜中にこの物質が混入され、その結
果、形成された被膜の特性を著しく低下させることにな
る。
In the present invention, the vapor pressure at 2000 ° K is 1
It is preferably as low as 0 -2 pascal or less, and the lower the better, the more preferable, but practically, a substance having a concentration of 10 -10 -10 -2 pascal is preferable. This substance (sometimes referred to below as a promoting substance)
It is an element which belongs to the 5th period IV-VIII group or the 6th period IV-VIII group in the short-period element periodic table, and which has the above vapor pressure. Typical examples of the former are zirconium, niobium, molybdenum, technetium and ruthenium, and typical examples of the latter are hafnium, tantalum, tungsten, rhenium, osmium and iridium. 200
When a substance whose vapor pressure at 0 ° K is less than 10 -2 Pascal coexists, such a substance also evaporates and is mixed in a large amount as an impurity in the metal vapor or the vapor of the metal compound to form. This material is incorporated into the formed coating, resulting in a significant deterioration in the properties of the formed coating.

【0007】被蒸発金属に対する促進物質の比は重量比
で0.1〜10、好ましくは0.5〜2とされる。この比
が0.1未満および10を越えた場合には、比較的高温
における被蒸発金属の蒸発量および蒸発速度のいずれも
実用するに満足できる程度に増大させることはできない
が、この範囲を外すことを妨げない。
The ratio of the promoting substance to the metal to be evaporated is 0.1 to 10, preferably 0.5 to 2, by weight. If this ratio is less than 0.1 or exceeds 10, neither the amount of evaporation of the metal to be evaporated nor the evaporation rate at a relatively high temperature can be increased to a level sufficient for practical use, but this range is excluded. Does not prevent things.

【0008】本発明における溶融蒸発用金属組成物と
は、被蒸発金属と促進物質とが、溶融蒸発時において混
合状態にあることを意味し、被蒸発金属と促進物質と
は、たとえば、ハースに装填されるに先立って、予め互
いに混合されてもよく、また、別々にハースに供給して
ハース内で互いに混合されて組成物とされてもよいが、
実用上、前者が好ましい。なお、この溶融蒸発用金属組
成物は、溶融後、冷却時には合金を形成することになる
ことから、この溶融蒸発用金属組成物の溶融物は、合金
の前駆体ともいえる(以下、この溶融蒸発用金属組成物
の溶融物を 合金前駆体 と記すこともある)。通常
は、溶融と蒸発とは、同一のハース内で連続して行われ
るが、溶融と蒸発とを別々のハース内で行うこともでき
る。後者の場合には、蒸発のみに使用されるハース内に
は、ライナーを設ける必要はない。
The metal composition for melt evaporation in the present invention means that the metal to be evaporated and the promoting substance are in a mixed state at the time of melt evaporation, and the metal to be evaporated and the promoting substance are, for example, hearth. Prior to being loaded, they may be premixed with each other, or they may be separately fed to the hearth and mixed with each other in the hearth to form the composition.
The former is preferable in practical use. In addition, since this metal composition for melt evaporation forms an alloy upon cooling after melting, the melt of this metal composition for melt evaporation can also be said to be a precursor of the alloy (hereinafter, this melt evaporation). The melt of the metal composition for use may be referred to as an alloy precursor). Usually, melting and evaporation are continuously performed in the same hearth, but melting and evaporation can be performed in different hearths. In the latter case, it is not necessary to have a liner in the hearth used solely for evaporation.

【0009】本発明の金属の溶融蒸発方法では、溶融蒸
発の熱源として、通常は、荷電粒子ビームが使用され
る。また、荷電粒子ビームとしては、通常は、電子ビー
ムおよびプラズマイオンビームなどが使用される。これ
らのビームを発生させる装置として、市販品をそのまま
使用することができる。就中、圧力勾配型プラズマガン
が好ましい。なお、本発明で使用される荷電粒子ビーム
は、出力が比較的低いものでよいが、出力が比較的高い
荷電粒子ビームを使用することを妨げない。また、本発
明の金属の溶融蒸発方法における運転諸元は、溶融蒸発
の熱源を発生させる装置の種類、使用される被蒸発金属
および促進物質のそれぞれの種類、相互の比、ハースへ
の装填量およびハースライナーの構成材料などによって
異なり、一概に特定し得ないが、実用上、たとえば、溶
融蒸発の熱源の発生装置として、圧力勾配型プラズマガ
ンを使用した場合には、つぎの如くである。すなわち、 溶融蒸発させる温度…500〜2500℃、好ましく
は、1500〜2500℃ 溶融蒸発させる圧力…1×10-8 〜10パスカル(P
a)、好ましくは、5×10-3〜1×10-1Pa 放電用電源 印加電圧…………20〜100ボルト(V)好ましく
は、30〜60V 放電電流…………20〜250アンペア(A)好ましく
は、40〜100A プラズマにかけられる磁場の強さ…プラズマガンの中心
線とハースの中心線との交点の位置で20〜50G などである。但し、電子ビーム蒸着の場合には、溶融蒸
発させる圧力は、低い程、好ましい。なお、本発明で使
用される金属溶融蒸発装置として、通常は、市販品をそ
のまま使用することができる。
In the metal melt evaporation method of the present invention, a charged particle beam is usually used as a heat source for melt evaporation. As the charged particle beam, an electron beam, a plasma ion beam or the like is usually used. A commercial product can be used as it is as a device for generating these beams. Above all, a pressure gradient type plasma gun is preferable. The charged particle beam used in the present invention may have a relatively low output, but it does not prevent the use of a charged particle beam having a relatively high output. Further, the operating specifications in the method for melting and evaporating metal of the present invention include the type of device for generating a heat source for melt evaporation, the types of evaporated metal and promoting substance used, the mutual ratios, and the loading amount in the hearth. It is different depending on the constituent material of the hearth liner and the like and cannot be specified in a general manner, but in practical use, for example, when a pressure gradient type plasma gun is used as a generator of a heat source for melt evaporation, it is as follows. That is, the temperature for melting and evaporating ... 500 to 2500 ° C., preferably 1500 to 2500 ° C., the pressure for melting and evaporating ... 1 × 10 −8 to 10 Pascal (P
a), preferably 5 × 10 −3 to 1 × 10 −1 Pa, power source for discharge applied voltage: 20 to 100 V (V), preferably 30 to 60 V, discharge current: 20 to 250 amps (A) Preferably, the magnetic field strength applied to the plasma is 40 to 100 A ... 20 to 50 G at the intersection of the center line of the plasma gun and the center line of the hearth. However, in the case of electron beam evaporation, the lower the pressure for melting and evaporating, the more preferable. As the metal melt evaporation device used in the present invention, a commercially available product can be usually used as it is.

【0010】本発明の溶融蒸発用金属組成物および金属
の溶融蒸発方法は、ガラスおよびプラスチックなどの表
面にアルミニウム、銀、金および銅ならびにこれらの金
属の酸化物、窒化物および炭化物などの金属化合物など
を蒸着させて、これらの表面に金属光沢を付与して、た
とえば、反射鏡、装飾品、自動車部品および電気器具部
品とする場合、これらの表面を導電性にして、たとえ
ば、蓄電器を製造する場合、発信器用水晶の表面に銀を
蒸着させて周波数特性および安定性を改善する場合、な
らびに、他の金属薄膜上に金を蒸着させて金の被膜を形
成させた後に、この被膜を剥離して金箔を製造する場合
などに好適に使用される。
The metal composition for melt evaporation and the method for melt evaporation of metal according to the present invention comprises a metal compound such as aluminum, silver, gold and copper and oxides, nitrides and carbides of these metals on the surface of glass and plastics. For example, when a metal luster is imparted to these surfaces by vapor-depositing them to form, for example, reflectors, ornaments, automobile parts and electric appliance parts, these surfaces are made electrically conductive to manufacture, for example, a condenser. In this case, when silver is deposited on the surface of the crystal for an oscillator to improve frequency characteristics and stability, and when gold is deposited on another metal thin film to form a gold coating, the coating is peeled off. It is preferably used when producing a gold foil by using

【0011】[0011]

【実施例】本発明を、図1の縦断面図で示された金属溶
融蒸発装置を使用した実施例によってさらに具体的に説
明するが、本発明は、この実施例に限定されるものでは
ない。すなわち、図1で示された金属溶融蒸発装置は、
真空チェンバー11の上部には真空蒸着すべき基板 7をそ
の下面に支持するための基板ホルダー 8が垂下せしめら
れており、他方、下部には、その内部に永久磁石が内蔵
せしめられたハース(水冷るつぼ) 5が配設されてお
り、該基板 7とハース 5とは、その間に介在せしめられ
たシャッター 6で隔離されている。また、真空チェンバ
ー11は真空ポンプ3と接続されている。さらに、真空チ
ェンバー11の側面から、空芯コイルであるプラズマ集束
用コイル 4を経由してプラズマを発生させ照射するプラ
ズマガン 2が設けられている。該プラズマガン 2の中心
には、プラズマ作動ガス 1を真空チェンバー11へ供給す
るための供給孔が設けられている。また、金属化合物の
被膜を形成させる場合に使用される、酸素、窒素および
アセチレンなどの反応ガスを真空チエンバー11内へ導入
するための反応ガス導入管13が真空チェンバー11の壁を
貫通して配設されている。プラズマガン 2および基板ホ
ルダー 8は、放電用電源 9およびバイアス電源10のそれ
ぞれと接続されている。また、放電用電源 9、プラズマ
ガン 2、ハース 5およびバイアス電源10はいずれもアー
スされている。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to an example using the metal melt evaporation apparatus shown in the longitudinal sectional view of FIG. 1, but the present invention is not limited to this example. . That is, the metal melt evaporation device shown in FIG.
A substrate holder 8 for supporting a substrate 7 to be vacuum-deposited on its lower surface is hung above the vacuum chamber 11, while a lower portion of a hearth (water-cooled) having a permanent magnet built therein is mounted on the lower portion thereof. A crucible 5 is provided, and the substrate 7 and the hearth 5 are separated by a shutter 6 interposed therebetween. Further, the vacuum chamber 11 is connected to the vacuum pump 3. Further, a plasma gun 2 for generating and irradiating plasma from the side surface of the vacuum chamber 11 via a plasma focusing coil 4 which is an air-core coil is provided. A supply hole for supplying the plasma working gas 1 to the vacuum chamber 11 is provided at the center of the plasma gun 2. In addition, a reaction gas introduction pipe 13 for introducing a reaction gas such as oxygen, nitrogen and acetylene into the vacuum chamber 11 which is used when forming a film of a metal compound is arranged so as to penetrate the wall of the vacuum chamber 11. It is set up. The plasma gun 2 and the substrate holder 8 are connected to a discharge power supply 9 and a bias power supply 10, respectively. The discharge power supply 9, plasma gun 2, hearth 5, and bias power supply 10 are all grounded.

【0012】真空チェンバー11は、通常は、アルミニウ
ム合金で作られている。また、ハース 5の内部は、所望
により、ハースライナーで断熱されている。プラズマガ
ン 2としてURガンが使用されており、このプラズマガ
ン 2は真空チェンバー11の側面に取り付けられている。
このプラズマガン 2から発生せしめられたプラズマ12は
プラズマ集束用コイル 4を経由して真空チェンバー11内
に照射され、さらにハース 5内の永久磁石によって直角
に曲げられてハース 5に達する。基板ホルダー8は真空
チェンバー11から絶縁されており、また、バイアス電源
10によってバイアス電圧の印加を可能ならしめている。
The vacuum chamber 11 is usually made of aluminum alloy. Further, the inside of the hearth 5 is thermally insulated with a hearth liner, if desired. An UR gun is used as the plasma gun 2, and the plasma gun 2 is attached to the side surface of the vacuum chamber 11.
The plasma 12 generated from the plasma gun 2 is applied to the vacuum chamber 11 via the plasma focusing coil 4 and is further bent at a right angle by the permanent magnet in the hearth 5 to reach the hearth 5. The substrate holder 8 is isolated from the vacuum chamber 11 and also the bias power supply.
10 makes it possible to apply a bias voltage.

【0013】本発明の方法においては、この装置を使用
して、次のようにして金属または金属化合物の被膜が形
成される。すなわち、たとえば、真空蒸着すべき基板 7
を基板ホルダー 8に装着し、かつ、本発明の溶融蒸発用
金属組成物をハース 5内に装填した後に、真空チェンバ
ー11内を真空ポンプ 3によってベース圧力まで排気し、
プラズマの作動ガス 1として一定量のアルゴンをプラズ
マガン 2内を経由させて真空チェンバー11に導入する。
真空チェンバー11内が所定圧力に達した後、プラズマガ
ン 2の陰極とハース5との間で放電させて、これによっ
て生成せしめられたプラズマの電子ビーム成分12をハー
ス 5中の被蒸発金属組成物に集中させて被蒸発金属組成
物を溶融せしめ、合金前駆体を形成せしめる。この合金
前駆体の温度はさらに上昇せしめられ、被蒸発金属はこ
の温度に対応した蒸気圧で蒸発を開始せしめられ、蒸発
せしめられた被蒸発金属の蒸気は真空チェンバー11内を
基板 7に向って移行する。金属化合物の被膜を形成せし
める場合には、被蒸発金属の蒸発速度およびハース 5内
の温度が共に安定し、定常状態に達したときに、酸素ガ
スのような反応ガスを反応ガス導入管13から真空チェン
バー11に導入する。この導入された反応ガスと蒸発せし
められた被蒸発金属の蒸気とは、ハース 5から間隔をお
いた箇所で互いに反応せしめられつつ、対応する金属化
合物の蒸気を生成し、この金属化合物の蒸気は、基板 7
に向ってさらに移行する。プラズマが安定し、反応ガス
を導入した場合には、反応ガス導入後に、シャッター 6
を開けて、金属蒸気または金属化合物の蒸気を通過せし
め、基板 7の表面に金属または金属化合物の被膜の形成
を開始する。多くの場合に、イオンプレーティグによっ
て作られる被膜(金属化合物)は導電性がよいため、バ
イアス電圧を印加するが、アルミニウムの酸化物は絶縁
物であるので、バイアス電圧を印加することができな
い。
In the method of the present invention, this apparatus is used to form a metal or metal compound coating as follows. That is, for example, the substrate 7 to be vacuum-deposited.
Was mounted on the substrate holder 8, and after loading the melt-evaporating metal composition of the present invention into the hearth 5, the vacuum chamber 11 was evacuated to the base pressure by the vacuum pump 3.
A certain amount of argon as a plasma working gas 1 is introduced into the vacuum chamber 11 via the inside of the plasma gun 2.
After the inside of the vacuum chamber 11 reaches a predetermined pressure, the electron beam component 12 of the plasma generated by causing the discharge between the cathode of the plasma gun 2 and the hearth 5 to be vaporized metal composition in the hearth 5 is generated. The metal composition to be vaporized is melted by concentrating it to form an alloy precursor. The temperature of this alloy precursor is further raised, the vaporized metal is caused to start vaporizing at a vapor pressure corresponding to this temperature, and the vaporized vapor of the vaporized metal is directed to the substrate 7 in the vacuum chamber 11. Transition. When forming a film of a metal compound, when the evaporation rate of the metal to be evaporated and the temperature in the hearth 5 are both stable and reach a steady state, a reaction gas such as oxygen gas is supplied from the reaction gas introduction pipe 13. Introduced into the vacuum chamber 11. The introduced reaction gas and the vapor of the vaporized metal to be vaporized react with each other at a position spaced from the hearth 5 to generate vapor of the corresponding metal compound, and the vapor of the metal compound is , Board 7
Move further towards. When the plasma is stable and the reaction gas is introduced, after the reaction gas is introduced, the shutter 6
Then, the metal vapor or the vapor of the metal compound is allowed to pass therethrough, and the formation of the film of the metal or the metal compound is started on the surface of the substrate 7. In many cases, a coating (metal compound) formed by ion plating has good conductivity and thus a bias voltage is applied, but since an oxide of aluminum is an insulator, a bias voltage cannot be applied.

【0014】実施例1 前記の装置を使用して、基板であるアルミニウム合金の
表面にアルミニウムを蒸着させた。すなわち、真空チェ
ンバー11の内容積は0.64m3である。また、ハース 5
の内部は、グラファイト製のハースライナーで断熱さ
れ、その内容積は100ccである。プラズマガンの先端
からハースの中心線までの間隔は290mmである。この
ハース 5内にアルミニウム70gとタングステン70gと
を装填し、真空チェンバー11内の圧力を5×10-5Pa
とした後、プラズマガン2から40SCCM(標準状態)で
アルゴンガスを導入した。その結果、真空チェンバー11
内の圧力は1×10-1Paとなった。放電電源に40V
の電圧を印加し、プラズマガン 2に40Aの電流を印加
してプラズマを発生させ、ハース 5内の被蒸発金属組成
物を800℃で10分間加熱して、溶融させアルミニウ
ムとタングステンとの合金の前駆体を形成せしめた。な
お、このときの、真空チェンバー11中の、プラズマガン
2の中心線とハース5の中心線との交点における磁場の強
さは30ガウスであった。ついで、プラズマガン 2の印
加電流を60Aに上昇せしめて得られたアルゴンプラズ
マでこの合金前駆体を引続いて加熱すると、この合金前
駆体の温度は1940℃に達し、また、被蒸発金属の蒸
発速度は4.7×10-3 kg/m2/秒に達した。また、被
蒸発金属であるアルミニウムとハースライナーの構成材
料であるグラファイトとの反応は、実質的に認められな
かった。なお、このときの、真空チェンバー11中の、プ
ラズマガン2の中心線とハース5の中心線との交点におけ
る磁場の強さは30ガウスであった。他方、タングステ
ンを共存せしめることなく、アルミニウムのみを使用し
た以外は前記と同様にしてアルミニウムを溶融蒸発せし
めた処、ハース 5中のアルミニウムの温度は800〜9
00℃までしか上昇せず、この温度での蒸発速度は1.
7×10-4 kg/m2/秒に過ぎなかった。その後、加熱
時間の経過に伴い、温度が比較的低いにも係わらず、ア
ルミニウムはハースライナーの構成材料と反応し、溶融
せしめられたアルミニウムの表面はその反応生成物で覆
われ、蒸発速度は時間の経過とともに低下した。
Example 1 Using the above-mentioned apparatus, aluminum was vapor-deposited on the surface of an aluminum alloy as a substrate. That is, the internal volume of the vacuum chamber 11 is 0.64 m 3 . Also hearth 5
The inside of the is insulated with a hearth liner made of graphite, and the internal volume is 100 cc. The distance from the tip of the plasma gun to the center line of the hearth is 290 mm. 70 g of aluminum and 70 g of tungsten were loaded in the hearth 5, and the pressure in the vacuum chamber 11 was adjusted to 5 × 10 −5 Pa.
Then, argon gas was introduced from the plasma gun 2 at 40 SCCM (standard condition). As a result, the vacuum chamber 11
The internal pressure was 1 × 10 -1 Pa. 40V for discharge power supply
Is applied to the plasma gun 2 to generate plasma by heating the vaporized metal composition in the hearth 5 at 800 ° C. for 10 minutes to melt the alloy of aluminum and tungsten. The precursor was allowed to form. At this time, the plasma gun in the vacuum chamber 11
The strength of the magnetic field at the intersection of the center line of 2 and the center line of Haas 5 was 30 gauss. Next, when the alloy precursor is subsequently heated with an argon plasma obtained by increasing the applied current of the plasma gun 2 to 60 A, the temperature of the alloy precursor reaches 1940 ° C. The speed reached 4.7 × 10 −3 kg / m 2 / s. Further, the reaction between aluminum, which is the metal to be evaporated, and graphite, which is the constituent material of the hearth liner, was not substantially observed. At this time, the magnetic field strength at the intersection of the center line of the plasma gun 2 and the center line of the hearth 5 in the vacuum chamber 11 was 30 gauss. On the other hand, when aluminum was melted and evaporated in the same manner as described above except that only aluminum was used without coexisting tungsten, the temperature of aluminum in the hearth 5 was 800 to 9
It only rises to 00 ° C and the evaporation rate at this temperature is 1.
It was only 7 × 10 −4 kg / m 2 / sec. After that, as the heating time elapses, the aluminum reacts with the constituent materials of the hearth liner despite the relatively low temperature, the surface of the molten aluminum is covered with the reaction product, and the evaporation rate is Decreased with the passage of.

【0015】実施例2 アルミニウムの代りに銀および銅をそれぞれ使用した以
外は、実施例1と同様にして行なった。結果を表1に示
す。 表1 組成物使用 金属単体単独使用 到達温度 2200゜K 1200゜K 銀 2.0×10-1 1.6×10-7 蒸発速度* 銅 1.5×10-3 1.3×10-8 * 蒸発速度の単位:kg/m2/秒 なお、本実施例においても、実施例1におけると同様に
被蒸発金属である銀および銅のそれぞれとハースライナ
ーの構成材料であるグラファイトとの反応は、実質的に
認められなかった。この表1の結果からも、促進物質を
共存させることにより、被蒸発金属の蒸発速度が著しく
増大せしめられることが明白である。
Example 2 Example 1 was repeated except that silver and copper were used instead of aluminum. The results are shown in Table 1. Table 1 Composition use Single metal use Ultimate temperature 2200 ° K 1200 ° K Silver 2.0 × 10 -1 1.6 × 10 -7 Evaporation rate * Copper 1.5 × 10 -3 1.3 × 10 -8 * Evaporation rate unit: kg / m 2 / sec. Also in this example, the reaction between each of the metals to be evaporated, silver and copper, and graphite, which is a constituent material of the hearth liner, was the same as in Example 1. , Practically not recognized. From the results shown in Table 1, it is apparent that the coexistence of the promoting substance can markedly increase the evaporation rate of the metal to be evaporated.

【0016】[0016]

【発明の効果】金属の蒸着およびイオンプレーテイング
などにおいて行なわれる金属の溶融蒸発において、本発
明を使用することにより、荷電粒子ビームが低出力のも
のであっても、ハース内で中心部が比較的高温で周縁部
が比較的低温な温度分布を生ぜしめ、被蒸発金属が比較
的高温度であるにも拘わらず、被蒸発金属とハースライ
ナーの構成材料とを反応させることなく、多量の被蒸発
金属を急速に溶融蒸発させることを可能ならしめ、以
て、従来と同一電力でプラズマを発生させて溶融蒸発さ
せれば、被蒸発金属の蒸発速度を大幅に増大させること
が可能となり、被蒸発金属の蒸発速度を従来におけると
同等にすれば電力を節減でき、大幅な省エネルギーが可
能となり、金属の蒸着およびイオンプレーテイングを効
率よく行なわせることができる。また、本発明の金属の
溶融蒸発方法は、被蒸発金属として、ハースライナーと
の反応性の大きいアルミニウムを使用する場合には、特
に、好適に使用される。
INDUSTRIAL APPLICABILITY By using the present invention in metal vaporization and evaporation performed in metal plating such as ion plating, even if the charged particle beam has a low output, the center portion in the hearth is compared. At a relatively high temperature, the peripheral portion produces a relatively low temperature distribution, and despite the relatively high temperature of the metal to be evaporated, the metal to be evaporated does not react with the constituent material of the hearth liner, and a large amount of material to be evaporated is not reacted. If it is possible to rapidly melt and evaporate the evaporated metal, and if plasma is generated and melted and evaporated with the same power as in the past, it is possible to greatly increase the evaporation rate of the evaporated metal. If the evaporation rate of evaporated metal is the same as the conventional one, power consumption can be saved, significant energy saving is possible, and metal deposition and ion plating can be performed efficiently. Can. Further, the metal melt evaporation method of the present invention is particularly preferably used when aluminum having a high reactivity with the hearth liner is used as the metal to be evaporated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】金属溶融蒸発装置の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view of a metal melt evaporation device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プラズマ作動ガス 2 プラズマガン 3 真空ポンプ 4 プラズマ集束用コイル 5 ハース(水冷るつぼ) 6 シャッター 7 基板 8 基板ホルダー 9 放電用電源 10 バイアス電源 11 真空チエンバー 12 プラズマ 13 反応ガス導入管 1 Plasma working gas 2 Plasma gun 3 Vacuum pump 4 Plasma focusing coil 5 Hearth (water cooling crucible) 6 Shutter 7 Substrate 8 Substrate holder 9 Discharge power supply 10 Bias power supply 11 Vacuum chain 12 Plasma 13 Reactive gas introduction tube

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 減圧中で溶融蒸発させられる金属であっ
て、蒸発温度における熱伝導率が80ジュール/メート
ル/秒/゜K以上の被蒸発金属と、2000゜Kでの蒸気圧
が10-2パスカル以下の物質とを含有させてなることを
特徴とする溶融蒸発用金属組成物。
1. A metal which is melted and vaporized under reduced pressure and has a thermal conductivity at the vaporization temperature of 80 Joules / meter / sec / ° K or more, and a vapor pressure at 2000 ° K of 10 −. A metal composition for melt evaporation, comprising a substance of 2 Pascal or less.
【請求項2】 蒸発温度における熱伝導率が80ジュー
ル/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属がアルミニウム
である請求項1記載の溶融蒸発用金属組成物。
2. The metal composition for melt evaporation according to claim 1, wherein the metal to be evaporated having a thermal conductivity at the evaporation temperature of 80 Joule / meter / sec / ° K or more is aluminum.
【請求項3】 2000゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル
以下の物質がタングステンである請求項1記載の溶融蒸
発用金属組成物。
3. The metal composition for melt evaporation according to claim 1, wherein the substance having a vapor pressure of 10 −2 Pascal or less at 2000 ° K is tungsten.
【請求項4】 蒸発温度における熱伝導率が80ジュー
ル/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属に対する200
0゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル以下の物質の比が、重
量比で0.1〜10である請求項1乃至3のいずれか1
項記載の溶融蒸発用金属組成物。
4. A metal having a thermal conductivity of 80 joules / meter / sec / ° K or more at an evaporation temperature of 200 or more.
4. The ratio of substances having a vapor pressure of 10 −2 Pascal or less at 0 ° K of 0.1 to 10 by weight.
The metal composition for melt evaporation according to the item.
【請求項5】金属を減圧中で溶融蒸発させる方法におい
て、蒸発温度における熱伝導率が80ジュール/メート
ル/秒/゜K以上の被蒸発金属を、2000゜Kでの蒸気圧
が10-2パスカル以下の物質の共存下で溶融蒸発させる
ことを特徴とする金属の溶融蒸発方法。
5. A method of melting and evaporating a metal under reduced pressure, wherein a vapor-deposited metal having a thermal conductivity at an evaporation temperature of 80 joules / meter / sec / ° K or more and a vapor pressure at 2000 ° K of 10 -2. A method for melting and evaporating a metal, which comprises melting and evaporating in the presence of a substance below Pascal.
【請求項6】 蒸発温度における熱伝導率が80ジュー
ル/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属がアルミニウム
である請求項5記載の金属の溶融蒸発方法。
6. The method for melting and evaporating a metal according to claim 5, wherein the metal to be vaporized having a thermal conductivity at the vaporization temperature of 80 Joule / meter / sec / ° K or more is aluminum.
【請求項7】 2000゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル
以下の物質がタングステンである請求項5記載の金属の
溶融蒸発方法。
7. The method for melting and evaporating a metal according to claim 5, wherein the substance having a vapor pressure of 10 −2 Pascal or less at 2000 ° K is tungsten.
【請求項8】 蒸発温度における熱伝導率が80ジュー
ル/メートル/秒/゜K以上の被蒸発金属に対する200
0゜Kでの蒸気圧が10-2パスカル以下の物質の比が重量
比で0.1〜10である請求項5乃至7のいずれか1項
記載の金属の溶融蒸発方法。
8. The heat conductivity at the evaporation temperature is 200 Joules / meter / sec / ° K or more for a metal to be evaporated having a temperature of at least K
8. The method for melting and evaporating a metal according to claim 5, wherein the weight ratio of the substances having a vapor pressure at 0 ° K of 10 -2 Pascal or less is 0.1 to 10.
【請求項9】 金属を溶融蒸発させる温度が300〜2
500℃である請求項5乃至8のいずれか1項記載の金
属の溶融蒸発方法。
9. The temperature for melting and evaporating a metal is 300 to 2
The method for melting and evaporating a metal according to claim 5, wherein the temperature is 500 ° C.
【請求項10】 金属を溶融蒸発させる圧力が1×10
-8〜10パスカルである請求項5乃至9のいずれか1項
記載の金属の溶融蒸発方法。
10. The pressure for melting and evaporating metal is 1 × 10.
-8 to 10 Pascals, The method for melting and evaporating metal according to any one of claims 5 to 9.
【請求項11】 金属を溶融蒸発させる熱源として荷電
粒子ビームを使用する請求項5乃至10のいずれか1項
記載の金属の溶融蒸発方法。
11. The method of melting and evaporating metal according to claim 5, wherein a charged particle beam is used as a heat source for melting and evaporating the metal.
【請求項12】 金属を溶融蒸発させる荷電粒子ビーム
として電子ビームまたはプラズマイオンビームを使用す
る請求項5乃至11のいずれか1項記載の金属の溶融蒸
発方法。
12. The method of melting and evaporating a metal according to claim 5, wherein an electron beam or a plasma ion beam is used as the charged particle beam for melting and evaporating the metal.
【請求項13】 ビームを発生させる装置として圧力勾
配型プラズマガンを使用する請求項5乃至12のいずれ
か1項記載の金属の溶融蒸発方法。
13. The method of melting and evaporating metal according to claim 5, wherein a pressure gradient plasma gun is used as a device for generating a beam.
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