JPH06204187A - Etching method - Google Patents

Etching method

Info

Publication number
JPH06204187A
JPH06204187A JP5000721A JP72193A JPH06204187A JP H06204187 A JPH06204187 A JP H06204187A JP 5000721 A JP5000721 A JP 5000721A JP 72193 A JP72193 A JP 72193A JP H06204187 A JPH06204187 A JP H06204187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
gas
molybdenum alloy
thin film
reactive gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5000721A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayoshi Doi
Shuichi Saito
Yasuyuki Taniguchi
孝好 土肥
泰之 谷口
秀一 齋藤
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, 株式会社東芝 filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5000721A priority Critical patent/JPH06204187A/en
Publication of JPH06204187A publication Critical patent/JPH06204187A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PURPOSE: To improve the etching rate of a molybdenum copper film by using the mixed gas among fluoric gas, oxygen, and chloric gas for reactive gas for etching, and heating the molybdenum alloy film to a specified temperature and keeping it there.
CONSTITUTION: A molybdenum alloy film 9 is provided in the specified thickness, and further a silicon substrate 8, where resist 11 for forming a pattern is applied, is placed on a susceptor 7. Here, a heater 12 is buried in the susceptor 7. Hereby, the mixed gas among fluoric gas, oxygen, and chloric gas is supplied as reactive gas for etching from a supply source 3 while maintaining the silicon substrate 8 and the molybdenum alloy film 9 at a specified temperature, and also microwaves are supplied to a waveguide pipe 4a. Thereupon, the reactive gas for etching flows into the etching chamber 1, and etches the section where the resist 11 of the molybdenum alloy film 9 is removed. Hereby, the etching rate can be improved.
COPYRIGHT: (C)1994,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明はたとえば半導体電子デバイスの製造工程においてモリブデン合金薄膜をエッチングするためのエッチング方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to an etching method for etching a molybdenum alloy thin film in the manufacturing process of semiconductor electronic devices, for example.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体電子デバイスの製造工程においては、微細加工が重要な役割を担っており、その微細加工としてエッチング技術が用いられている。 In the manufacturing process of semiconductor electronic devices, fine processing plays an important role, an etching technique is used as the fine processing. つまり、フォトリソグラフィ−により転写された微細なフォトレジストパタ−ンをシリコン基板にCVDなどの成膜技術によって形成された金属薄膜に転写する方法として上記エッチング技術が用いられている。 That is, photolithography - the etching technique is used as a method for transferring a metallic thin film formed by a film forming technique such as CVD and on to a silicon substrate - fine photo transferred by the resist pattern.

【0003】エッチング技術にはドライエッチングとウエットエッチングとがあり、最近ではエッチング条件の選択によって異方性エッチングを実現することができるドライエッチングが注目されている。 [0003] The etching technique has dry etching and wet etching, recently dry etching capable of realizing the anisotropic etching by selective etching conditions are noted. ドライエッチングの一般的な装置の構造としては、エッチングチャンバを有し、このエッチングチャンバ内にエッチング用反応性ガスを導入するとともに、このエッチング用反応性ガスを放電などの手段によって励起してプラズマ状態にし、 The structure of a typical apparatus for dry etching, comprising an etch chamber, is introduced an etching reactive gas in the etching chamber, a plasma state is excited by means such as discharge the etching reactive gas West,
ハロゲンラジカルやイオンなどの活性種を作り、その活性種と上記エッチングチャンバ内に配置された被エッチング物質との反応あるいはスパッタ作用によってエッチングを行うようになっている。 Creating an active species such as a halogen radicals and ions, thereby performing etching by reactive or sputtering action between the active species and the material to be etched, which is disposed in the etch chamber.

【0004】一方、半導体電子デバイスの分野においては、素子の配線材料となる、上記金属薄膜としてモリブデン合金薄膜が用いられることがある。 On the other hand, in the field of semiconductor electronic devices, the wiring material of the device, may be a molybdenum alloy thin film is used as the metal thin film. 従来、被エッチング物質である、上記モリブデン合金薄膜のエッチングは、エッチング用反応性ガスとして弗素系のガスに酸素を混合した、混合ガスを用い、上記被エッチング物質をエッチングチャンバ内で室温に保持してエッチングするということが行われていた。 Conventionally, a material to be etched, etching of the molybdenum alloy thin film was mixed with oxygen to fluorine-based gas as an etching reactive gas, a mixed gas, and kept at room temperature the material to be etched in an etch chamber that is etched Te has been carried out.

【0005】しかしながら、モリブデン合金薄膜をこのようなエッチング方法でエッチングすると、そのエッチングレ−トは1000A/min 未満しか得られない。 However, when etching the molybdenum alloy thin film in this etching method, the etching rate - DOO obtained only less than 1000A / min. そのため、タクトタイムが長くなり、生産性の低下を招くということがあったり、エッチング装置の連続運転時間に制限があるから、所定の深さのエッチングを行うには2回のエッチング工程が必要になるということもある。 Therefore, the tact time becomes longer, or have that the productivity is reduced, because there is a limit to the continuous operation time of the etching apparatus, the etching is performed at a predetermined depth as required two etching steps there is also a fact that becomes.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来はモリブデン合金薄膜のエッチングレ−トが1000A/min 程度と低かったので、生産性の低下を招くなどのことがあった。 BRIEF Problem to be Solved] Thus, conventionally, etching rate of the molybdenum alloy thin film - because DOO as low as about 1000A / min, was sometimes such the productivity is reduced.

【0007】この発明は上記事情に基づきなされたもので、その目的とするところは、モリブデン合金薄膜のエッチングレ−トを大幅に向上させることができるようにしたエッチング方法を提供することにある。 [0007] The present invention has been made based on the above circumstances, it is an object of etching rate of the molybdenum alloy thin film - is to provide an etching method which make it possible to significantly improve the bets.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するためにこの発明は、モリブデン合金薄膜が設置されたエッチングチャンバ内にプラズマ状態に励起されたエッチング用反応性ガスを導入し、上記モリブデン合金薄膜をエッチングする方法において、上記エッチング用反応性ガスは弗素系ガス、酸素および塩素系ガスの混合ガスとするとともに、上記モリブデン合金薄膜を所定温度に加熱保持することを特徴とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention for solving the above problems is to introduce the excited etching reactive gas to a plasma state in the etch chamber molybdenum alloy thin film is installed, the molybdenum alloy thin film a a method of etching, the etching reactive gas fluorine-based gas, together with a mixed gas of oxygen and chlorine gas, characterized by heating and maintaining the molybdenum alloy thin film at a predetermined temperature.

【0009】 [0009]

【作用】このようなエッチング方法によれば、従来に比べてエッチングレ−トを大幅に向上させることができる。 SUMMARY OF] According to this etching method, etching rate as compared with the conventional - can be greatly improved and.

【0010】 [0010]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図1と図2を参照して説明する。 EXAMPLES Hereinafter, a description will be given of an embodiment of the present invention with reference to FIGS. 図1はこの発明に用いられるエッチング装置を示し、1はエッチングチャンバである。 Figure 1 shows an etching apparatus used in the present invention, 1 is an etching chamber. このエッチングチャンバ1の上部には石英などの材料によって形成された輸送管2の一端が接続されている。 Materials One end of the formed transport pipe 2 by such as quartz is connected to the upper part of the etching chamber 1. この輸送管2の他端はエッチング用反応性ガスの供給源3に接続されている。 The other end of the transport pipe 2 is connected to a source 3 of the etching reactive gas. エッチング用反応性ガスとしては、四弗化炭素(CF 4 )、六弗化イオウ(SF 6 )、四弗化ジクロル炭酸(CCl 24 )、弗化水素(HF)あるいは弗素(F 2 )などの弗素系ガスに、酸素(O 2 )および塩素系ガスを混合した混合ガスが用いられる。 As an etching reactive gas, carbon tetrafluoride (CF 4), sulfur hexafluoride (SF 6), tetrafluoroboric dichloro carbonate (CCl 2 F 4), hydrogen fluoride (HF) or fluorine (F 2) a fluoride gas such as, oxygen (O 2), and mixed gas of chlorine-based gas is used. 塩素系ガスとしては、塩化水素(HCl)、塩素(Cl 2 )、四塩化炭素(CCl 4 )などが用いられる。 The chlorine-based gas, hydrogen chloride (HCl), chlorine (Cl 2), four such carbon tetrachloride (CCl 4) is used.

【0011】上記輸送管2の中途部にはマイクロ波の導波管4aの一端部が気密に貫通して設けられている。 [0011] One end of the waveguide 4a of the middle portion of the transport pipe 2 microwaves is provided through airtight. この導波管4aの他端はマイクロ波の発生源4に接続されている。 The other end of the waveguide 4a is connected to a source 4 of the microwave. したがって、上記輸送管2を流れるエッチング用反応性ガスは上記導波管4aが貫通する部分で、この導波管4aからのマイクロ波によって励起されてプラズマ状態にされ、ハロゲンラジカルやイオンなどの活性種が作られる。 Accordingly, the transport tube 2 for etching reactive gas flowing in the portion of said waveguide 4a passes, this being excited by the microwave from the waveguide 4a is a plasma state, activity such as a halogen radicals and ions seed is made.

【0012】プラズマ状態にされたエッチング用反応性ガスは上記エッチングチャンバ1に流入する。 [0012] etching reactive gas is a plasma state flows into the etching chamber 1. このエッチングチャンバ1内の上部には石英あるいはアルミナ製の整流板5が配設されている。 Current plate 5 made of quartz or alumina is disposed on top of the etch chamber 1. この整流板5には多数の通孔6が穿設されている。 Numerous holes 6 are drilled in the current plate 5. エッチング用反応性ガスはこれらの通孔6を通過することで、エッチングチャンバ1 Etching reactive gas by passing through these through holes 6, the etching chamber 1
の横断面における流速分布がほぼ均一にされる。 The flow velocity distribution in the cross section is substantially uniform.

【0013】上記整流板5の下面側には載置台7が設けられ、この載置台7の上面には被エッチング物質としてのシリコン基板8が載置される。 [0013] On the lower surface side of the current plate 5 mounting base 7 is provided, the silicon substrate 8 to be etched substance is placed on the upper surface of the mounting table 7. このシリコン基板8には、載置台7に載置される前に、図2に示すようにモリブデン合金薄膜9が所定の厚さで設けられ、この薄膜9 The silicon substrate 8, prior to being placed on the stage 7, a molybdenum alloy thin film 9 is provided at a predetermined thickness as shown in FIG. 2, the thin film 9
にはパタ−ンを形成するためのレジスト11が塗布されている。 The pattern - the resist 11 for forming the emission is applied.

【0014】上記載置台7にはヒ−タ12が埋設されている。 [0014] The mounting table 7 heat - motor 12 is embedded. このヒ−タ12は制御部13によって通電制御される。 The heat - motor 12 is energized and controlled by the control unit 13. それによって、載置台7に載置された上記シリコン基板8およびモリブデン合金薄膜9の温度を制御できるようになっている。 Thereby is capable of controlling the placed on the placing table 7 the temperature of the silicon substrate 8 and molybdenum alloy thin film 9.

【0015】このような構成のエッチング装置においては、供給源3から輸送管2へエッチング用反応性ガスを供給するとともに、マイクロ波の発生源4を作動させて導波管4aへマイクロ波を供給する。 [0015] In the etching apparatus having such a structure, supplying microwaves from the source 3 to the transport pipe 2 to supply an etching reactive gas, by operating the source 4 of the microwave to the waveguide 4a to. また、制御部13 The control unit 13
に通電してシリコン基板8およびモリブデン合金薄膜9 By energizing the silicon substrate 8 and molybdenum alloy thin film 9
を所定の温度に保持する。 The held at a predetermined temperature.

【0016】上記輸送管2を流れるエッチング用反応性ガスは上記導波管4aを透過したマイクロ波によって励起されてプラズマ状態となり、ハロゲンラジカルやイオンなどの活性種を作り、活性種を含むエッチング用反応性ガスがエッチングチャンバ1内へ流入する。 The etching reactive gas flowing through the transport tube 2 is excited by the microwave transmitted through the waveguide 4a becomes a plasma state, creating active species, such as halogen radicals or ions, for etching comprising an active species reactive gas flows into the etch chamber 1.

【0017】エッチングチャンバ1内へ流入したエッチング用反応性ガスは、載置台7上に載置されたシリコン基板8に成膜されたモリブデン合金薄膜9のレジスト1 The resist 1 of etching inflow etching reactive gas into the chamber 1, the mounting molybdenum alloy thin film 9 which is formed in the silicon substrate 8 placed on a stage 7
1が除去された部分をエッチングし、エッチングチャンバ1の下部に接続された排気ポンプ14によって排気される。 The portion 1 is removed by etching, it is exhausted by the exhaust pump 14 connected to the lower portion of the etching chamber 1.

【0018】図3はエッチング用反応性ガスとしてCF [0018] Figure 3 is CF as an etching reactive gas
4ガス、O 2ガスおよびCl 2ガスの混合ガスを用いた場合に、CF 4ガスに対するCl 2ガスの混合比を変化させたときのエッチングレ−トを測定したものである。 4 gas, when using a mixed gas of O 2 gas and Cl 2 gas, CF 4 when changing the mixing ratio of Cl 2 gas to the gas etching rate - is measured and.
このときのエッチング条件としては、マイクロ波発生源4のパワ−は600W、エッチングチャンバ1内の圧力は30Pa、モリブデン合金薄膜9の温度は室温、エッチング時間は20secで、同図中黒丸は酸素流量を1 The etching conditions at this time, the microwave generating source 4 of power - is 600W, the pressure in the etching chamber 1 is 30 Pa, room temperature molybdenum alloy thin film 9, the etching time is 20sec, during drawing black circles oxygen flow 1
20SCCMとした場合で、黒三角は90CCMの場合である。 In case of a 20 SCCM, solid triangle is for the 90CCM. なお、(CF 4 +O 2 )の流量は200SCC The flow rate of (CF 4 + O 2) is 200SCC
Mで一定とした。 It was constant at M.

【0019】その結果、Cl 2ガスの混合比が0のときにのエッチングレ−トはほぼ1000A/min (オングストロ−ム/分)であったが、その量が増えるにつれてエッチングレ−トも大きくなり、その傾向はCl 2ガスの混合比が約40%まで続き、そのときのエッチングレ−トは約1600A/min であった。 [0019] As a result, etching rate of when the mixing ratio of Cl 2 gas is 0 - was the - (n / a minute Å), etching rate as the amount increases - DOO almost 1000A / min even DOO large becomes, the trend continues to the mixing ratio of about 40% Cl 2 gas, etching rate at that time - DOO was about 1600A / min. Cl 2ガスの混合比が40 The mixing ratio of Cl 2 gas is 40
%以上になると、エッチングレ−トは減少傾向となり、 And greater than or equal to%, etching rate - theft becomes a downward trend,
約65%で従来とほぼ同じ1000A/min となった。 It was almost the same 1000A / min and conventionally about 65%.

【0020】したがって、Cl 2ガスの混合比だけを考えた場合、その割合を1〜65%の範囲とすることで、 [0020] Therefore, when considering only the mixture ratio of Cl 2 gas, by a range the ratio of 1 to 65%,
従来と同等あるいはそれ以上のエッチングレ−トを得ることができる。 Conventional equal to or higher etching rate - can be obtained bets.

【0021】図4はモリブデン合金薄膜9の温度とエッチングレ−トとの関係を示す。 [0021] Figure 4 is a temperature and etching rate of the molybdenum alloy thin film 9 - shows the relationship between the bets. 同図中白丸はエッチング用反応性ガスとしてCF 4 /O 2 =80/120の割合で交合した従来の混合ガスを用いた場合であり、黒丸はCF 4 /O 2 /Cl 2 =50/120/30の割合で混合したこの発明の混合ガスを用いた場合である。 In FIG white circle shows the case of using the CF 4 / O 2 = 80/ 120 conventional mixing gas mating at a rate of as an etching reactive gas, the black circles CF 4 / O 2 / Cl 2 = 50/120 / 30 were mixed in a ratio of a case of using the mixed gas of the present invention. 従来のエッチング用反応性ガスの場合、モリブデン合金薄膜9 For conventional etching reactive gas, a molybdenum alloy thin film 9
の温度を高くするにつれてエッチングレ−トも向上する。 The etching rate as a higher temperature - DOO also improved. なお、マイクロ波発生源4のパワ−は600W、エッチングチャンバ1内の圧力は30Paとした。 Incidentally, the microwave source 4 of power - is 600W, the pressure in the etching chamber 1 was set to 30 Pa.

【0022】しかしながら、この発明の混合ガスを用いた場合には、従来に比べて温度上昇にともなうエッチングレ−トの上昇率が著しく大きいことが確認された。 [0022] However, in the case of using a mixed gas of the present invention, conventional etching due to the temperature rise compared to Les - it DOO rate of increase is significantly greater was confirmed. つまり、CF 4とO 2との混合ガスに、さらにCl 2を混合することによって、モリブデン合金薄膜9を加熱したときのエッチングレ−トを高くすることができる。 That is, a mixed gas of CF 4 and O 2, by further mixing Cl 2, etching rate when heated molybdenum alloy thin film 9 - can be increased bets.

【0023】エッチングレ−トの向上が著しく顕著となる上記モリブデン合金薄膜9の温度は、室温以上であり、とくに40℃以上に加熱保持したときには従来に比べて大幅に向上し、約60℃で従来の約10倍の10000 The etching rate - Temperature DOO the molybdenum alloy thin film 9 improvement is significantly prominent is above room temperature, particularly when heated kept at 40 ° C. or higher is greatly improved as compared with the conventional, at about 60 ° C. of conventional about 10 times that of 10000
A/min となった。 It became the A / min.

【0024】以上のことから、CF 4ガスに対するCl [0024] From the foregoing, Cl for CF 4 gas
2ガスの割合を1〜65%にし、モリブデン合金薄膜9 The proportion of 2 gas to 1 to 65%, molybdenum alloy thin film 9
の温度を所定温度以上、たとえば40℃以上に加熱保持してエッチングすれば、従来に比べてエッチングレ−トを大幅に向上させることができることが確認された。 The temperature higher than a predetermined temperature, is etched by heating maintained for example 40 ° C. or higher, as compared with the conventional etching rate - it was confirmed that the door can be significantly improved.

【0025】なお、この発明は上記一実施例に限定されず、その要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。 [0025] The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications may be within a range not changing the gist thereof.
たとえば、エッチング用反応性ガスとしては、フッソ系ガス、酸素ガスおよび塩素系ガスの混合ガスに、希釈ガスとしてヘリウム、ネオン、水素を混合しても、高速エッチングを行うことが可能である。 For example, as an etching reactive gas, fluorine gas, a mixed gas of oxygen gas and chlorine-based gas, be mixed helium, neon, hydrogen as the diluent gas, it is possible to perform high-speed etching.

【0026】 [0026]

【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、モリブデン合金薄膜が設置されたエッチングチャンバ内にプラズマ状態に励起されたエッチング用反応性ガスを導入し、 The invention, as described above, according to the present invention introduces the excited etching reactive gas to a plasma state in the etch chamber molybdenum alloy thin film is placed,
上記モリブデン合金薄膜をエッチングする方法において、上記エッチング用反応性ガスは弗素系ガス、酸素および塩素系ガスの混合ガスとするとともに、上記モリブデン合金薄膜を所定温度に加熱保持することを特徴とする。 A method of etching the molybdenum alloy thin film, the etching reactive gas fluorine-based gas, together with a mixed gas of oxygen and chlorine gas, characterized by heating and maintaining the molybdenum alloy thin film at a predetermined temperature. したがって、この発明によれば、従来に比べてエッチング速度を大幅に向上させることができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to greatly improve the etching rate as compared with the prior art.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の一実施例を示すエッチング装置の構成図。 Figure 1 is a configuration diagram of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じくシリコン基板の一部分の拡大図。 FIG. 2 is also an enlarged view of a portion of the silicon substrate.

【図3】同じくCl 2ガスの混合比とエッチングレ−トとの関係のグラフ。 [3] Also the mixing ratio of Cl 2 gas and the etching rate - graph of bets.

【図4】同じく温度とエッチングレ−トとの関係のグラフ。 [4] Also temperature and etching rate - graph of bets.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…エッチングチャンバ、3…エッチング用反応性ガスの供給源、4…マイクロ波の発生源、9…モリブデン合金薄膜。 1 ... etch chamber, 3 ... a source of etching reactive gas, 4 ... microwave generating source, 9 ... molybdenum alloy thin film.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 モリブデン合金薄膜が設置されたエッチングチャンバ内にプラズマ状態に励起されたエッチング用反応性ガスを導入し、上記モリブデン合金薄膜をエッチングする方法において、上記エッチング用反応性ガスは弗素系ガス、酸素および塩素系ガスの混合ガスとするとともに、上記モリブデン合金薄膜を所定温度に加熱保持することを特徴とするエッチング方法。 [Claim 1] introduced the molybdenum alloy thin film excited etching reactive gas in a plasma state to the installed etching chamber, a method of etching the molybdenum alloy thin film, the etching reactive gas fluorine gas, together with a mixed gas of oxygen and chlorine-based gas, an etching method characterized by heating holding the molybdenum alloy thin film at a predetermined temperature.
JP5000721A 1993-01-06 1993-01-06 Etching method Pending JPH06204187A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5000721A JPH06204187A (en) 1993-01-06 1993-01-06 Etching method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5000721A JPH06204187A (en) 1993-01-06 1993-01-06 Etching method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06204187A true JPH06204187A (en) 1994-07-22

Family

ID=11481618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5000721A Pending JPH06204187A (en) 1993-01-06 1993-01-06 Etching method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06204187A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7224028B2 (en) 2000-05-12 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device that includes a gate insulating layer with three different thicknesses
JP2008116949A (en) * 2006-10-30 2008-05-22 Applied Materials Inc Mask etch process

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7224028B2 (en) 2000-05-12 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device that includes a gate insulating layer with three different thicknesses
US7589382B2 (en) 2000-05-12 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2008116949A (en) * 2006-10-30 2008-05-22 Applied Materials Inc Mask etch process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Graves Plasma processing
US4784720A (en) Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor
CN1271688C (en) Plasma etching of silicon carbide
US8119530B2 (en) Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method
EP0127188B1 (en) Dry etching apparatus and method using reactive gas
KR100361399B1 (en) Electronic components to be produced by means of anisotropic plasma etching method and a method of substrate
US6178919B1 (en) Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
KR100921356B1 (en) Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck
US4581100A (en) Mixed excitation plasma etching system
KR970000418B1 (en) Dry etching method
DE69734619T2 (en) Method with an inductively coupled plasma reactor
KR101425629B1 (en) Smooth siconi etch for silicon-containing films
US7138767B2 (en) Surface wave plasma processing system and method of using
US9114438B2 (en) Copper residue chamber clean
US5302236A (en) Method of etching object to be processed including oxide or nitride portion
US5350480A (en) Surface cleaning and conditioning using hot neutral gas beam array
US6165377A (en) Plasma etching method and apparatus
EP0488393A2 (en) Method for treating substrates
JP2013503482A (en) Silicon selective dry etching of carbon-containing films
US6379575B1 (en) Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US4613400A (en) In-situ photoresist capping process for plasma etching
KR970000417B1 (en) Dryetching method and apparatus therefor
US6673199B1 (en) Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity
US5356515A (en) Dry etching method
EP0516043A2 (en) Dry etching method