JPH06198804A - 銅ポリイミド基板の製造方法 - Google Patents
銅ポリイミド基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH06198804A JPH06198804A JP1682993A JP1682993A JPH06198804A JP H06198804 A JPH06198804 A JP H06198804A JP 1682993 A JP1682993 A JP 1682993A JP 1682993 A JP1682993 A JP 1682993A JP H06198804 A JPH06198804 A JP H06198804A
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- Japan
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- polyimide
- insulator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高信頼性の回路の形成を可能とするセミ
アディティブ法に適した極めて薄い銅被膜を有した銅ポ
リイミド基板の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体表面に銅被膜を形成し、得た銅被
膜上にポリイミド前駆体を塗布し、加熱してイミド化し
た後、絶縁体を剥離する。 【効果】 セミアディティブ法に適した極めて薄
く、なおかつ充分な密着強度を持った銅めっき被膜を形
成した銅ポリイミド基板を得ることができる。
アディティブ法に適した極めて薄い銅被膜を有した銅ポ
リイミド基板の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体表面に銅被膜を形成し、得た銅被
膜上にポリイミド前駆体を塗布し、加熱してイミド化し
た後、絶縁体を剥離する。 【効果】 セミアディティブ法に適した極めて薄
く、なおかつ充分な密着強度を持った銅めっき被膜を形
成した銅ポリイミド基板を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミド樹脂と極め
て薄い銅被膜からなる銅ポリイミド基板の製造方法に関
する。
て薄い銅被膜からなる銅ポリイミド基板の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は耐熱性に優れ、電気
的、機械的特性も他のプラスチック材料と比較して同等
以上であるため、プリント配線板（ＰＷＢ）、フレキシ
ブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等の電子部品の絶縁体として広く用い
られている。従来上記電子部品は、ポリイミド樹脂と銅
箔を接着剤を用いて貼り合わせた、いわゆる銅ポリイミ
ド基板を用いて得られた。
的、機械的特性も他のプラスチック材料と比較して同等
以上であるため、プリント配線板（ＰＷＢ）、フレキシ
ブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング
（ＴＡＢ）テープ等の電子部品の絶縁体として広く用い
られている。従来上記電子部品は、ポリイミド樹脂と銅
箔を接着剤を用いて貼り合わせた、いわゆる銅ポリイミ
ド基板を用いて得られた。
【０００３】近年の電子部品の小型化、高密度化の要求
はきわめて厳しく、これに伴い上記電子部品も例えば、
35μｍ以下のリード幅とリード間隔とが求められるよう
に高密度配線が要求されるようになった。しかしながら
従来の銅ポリイミド基板を用いて上記電子部品を製造す
ると、製造工程で銅層とポリイミド樹脂層の間に存在す
る接着剤層に不純物が吸着し易く、該不純物によりリー
ド間の電気絶縁性が低下するばかりでなく、得られた電
子部品を用いてＩＣをボンディングする際に接着剤が軟
化あるいは硬化して位置ずれを生じるといった問題を発
生する。
はきわめて厳しく、これに伴い上記電子部品も例えば、
35μｍ以下のリード幅とリード間隔とが求められるよう
に高密度配線が要求されるようになった。しかしながら
従来の銅ポリイミド基板を用いて上記電子部品を製造す
ると、製造工程で銅層とポリイミド樹脂層の間に存在す
る接着剤層に不純物が吸着し易く、該不純物によりリー
ド間の電気絶縁性が低下するばかりでなく、得られた電
子部品を用いてＩＣをボンディングする際に接着剤が軟
化あるいは硬化して位置ずれを生じるといった問題を発
生する。
【０００４】このような問題を解決するために、例えば
ポリイミド樹脂上にスパッタリング、蒸着、あるいは無
電解めっき等により直接銅被膜を形成する方法、また銅
箔上にポリイミド前駆体を塗布した後、熱的あるいは化
学的にイミド化する方法により接着剤層を有さない銅ポ
リイミド基板を用いた電子部品の製造が検討されてい
る。これらの方法の中で銅箔上にポリイミド前駆体を塗
布した後、熱的あるいは化学的にイミド化し銅ポリイミ
ド基板を製造する方法は、他の方法に比べ、得られる基
板の銅箔とポリイミド樹脂との密着強度が高く、また経
済性に優れているため一部用途向けとして実施化されて
いる。
ポリイミド樹脂上にスパッタリング、蒸着、あるいは無
電解めっき等により直接銅被膜を形成する方法、また銅
箔上にポリイミド前駆体を塗布した後、熱的あるいは化
学的にイミド化する方法により接着剤層を有さない銅ポ
リイミド基板を用いた電子部品の製造が検討されてい
る。これらの方法の中で銅箔上にポリイミド前駆体を塗
布した後、熱的あるいは化学的にイミド化し銅ポリイミ
ド基板を製造する方法は、他の方法に比べ、得られる基
板の銅箔とポリイミド樹脂との密着強度が高く、また経
済性に優れているため一部用途向けとして実施化されて
いる。
【０００５】しかしながら、該方法では銅箔として電解
銅箔あるいは圧延銅箔を用いるため、銅箔の厚みは 35
μm および 18 μmが一般的である。よって、このよう
な基板を用いてＴＡＢやＦＰＣを製造する場合には、そ
のリードは通常サブトラクティブ法によって形成せざる
を得ない。ところがサブトラクティブ法では、銅被膜を
エッチングしてリードを形成するため、いわゆるサイド
エッチングが発生しリードの断面は矩形とはならず得ら
れた回路は電気的信頼性に欠けるものとならざるをえな
い。
銅箔あるいは圧延銅箔を用いるため、銅箔の厚みは 35
μm および 18 μmが一般的である。よって、このよう
な基板を用いてＴＡＢやＦＰＣを製造する場合には、そ
のリードは通常サブトラクティブ法によって形成せざる
を得ない。ところがサブトラクティブ法では、銅被膜を
エッチングしてリードを形成するため、いわゆるサイド
エッチングが発生しリードの断面は矩形とはならず得ら
れた回路は電気的信頼性に欠けるものとならざるをえな
い。
【０００６】電気的に信頼性の高い回路の形成を行うた
めにはセミアディティブ法が最適であるものの、セミア
ディティブ法に使用しうる絶縁体の表面に1 μm 程度の
極めて薄い銅被膜が形成された基板は最も銅被膜とポリ
イミド樹脂との密着強度の高い基板が得られる前記銅箔
上にポリイミド前駆体を塗布した後、熱的あるいは化学
的にイミド化し銅ポリイミド基板を製造する方法では得
られていない。
めにはセミアディティブ法が最適であるものの、セミア
ディティブ法に使用しうる絶縁体の表面に1 μm 程度の
極めて薄い銅被膜が形成された基板は最も銅被膜とポリ
イミド樹脂との密着強度の高い基板が得られる前記銅箔
上にポリイミド前駆体を塗布した後、熱的あるいは化学
的にイミド化し銅ポリイミド基板を製造する方法では得
られていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高信
頼性の回路の形成を可能とするセミアディティブ法に適
した極めて薄い銅被膜を有した銅ポリイミド基板の製造
方法の提供にある。
頼性の回路の形成を可能とするセミアディティブ法に適
した極めて薄い銅被膜を有した銅ポリイミド基板の製造
方法の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、セミアディ
ティブ法に適した１μｍ程度の厚みの極めて薄い銅被膜
を適切な支持体上に剥離性良く形成した基板を用い、該
基板の銅被膜上にポリイミド層を形成した後支持体を剥
離することによって、容易にセミアディティブ法に適し
た銅ポリイミド基板が得られることを見いだし本発明に
至った。
ティブ法に適した１μｍ程度の厚みの極めて薄い銅被膜
を適切な支持体上に剥離性良く形成した基板を用い、該
基板の銅被膜上にポリイミド層を形成した後支持体を剥
離することによって、容易にセミアディティブ法に適し
た銅ポリイミド基板が得られることを見いだし本発明に
至った。
【０００９】即ち、上記課題を解決するための本発明の
方法は、絶縁体表面に銅被膜を形成した基板の銅被膜上
にポリイミド前駆体を塗布、イミド化した後、絶縁体を
剥離するものであり、また絶縁体としてポリイミド樹脂
を用いれば一層好都合である。
方法は、絶縁体表面に銅被膜を形成した基板の銅被膜上
にポリイミド前駆体を塗布、イミド化した後、絶縁体を
剥離するものであり、また絶縁体としてポリイミド樹脂
を用いれば一層好都合である。
【００１０】
【作 用】薄い電解銅箔を得ようとした場合、銅箔自体
の機械的強度が極めて弱く作業性に劣るため、従来では
アルミ箔を銅箔の支持体として用いる。このため最終的
にはアルミ箔を溶解除去しなければならず経済性に劣
る。本発明は支持体として絶縁体を用いるため、支持体
を剥離した後繰り返し支持体として使用できるため、ア
ルミ箔を支持体として用いる方法に比べ経済性に優れ
る。また絶縁体と銅箔との密着性はほとんど必要としな
いため、絶縁体表面に銅被膜を形成する際に特殊な方法
を用いる必要はない。
の機械的強度が極めて弱く作業性に劣るため、従来では
アルミ箔を銅箔の支持体として用いる。このため最終的
にはアルミ箔を溶解除去しなければならず経済性に劣
る。本発明は支持体として絶縁体を用いるため、支持体
を剥離した後繰り返し支持体として使用できるため、ア
ルミ箔を支持体として用いる方法に比べ経済性に優れ
る。また絶縁体と銅箔との密着性はほとんど必要としな
いため、絶縁体表面に銅被膜を形成する際に特殊な方法
を用いる必要はない。
【００１１】本発明で用いる表面に極めて薄い銅被膜を
有した絶縁体基板の製造方法は特に限定されず、例えば
絶縁体表面に無電解めっき、蒸着等の方法により極めて
薄い銅被膜を形成することによって得ることができる。
この場合前述のように絶縁体と銅被膜の密着性は、最終
的に絶縁体を剥離するためほとんど必要とせず、銅被膜
上にポリイミド前駆体を塗布後イミド化する処理までに
剥離しなければ充分である。
有した絶縁体基板の製造方法は特に限定されず、例えば
絶縁体表面に無電解めっき、蒸着等の方法により極めて
薄い銅被膜を形成することによって得ることができる。
この場合前述のように絶縁体と銅被膜の密着性は、最終
的に絶縁体を剥離するためほとんど必要とせず、銅被膜
上にポリイミド前駆体を塗布後イミド化する処理までに
剥離しなければ充分である。
【００１２】本発明で用いる絶縁体は、銅被膜上にポリ
イミド前駆体を塗布しイミド化する工程に充分耐えられ
る化学的性質と物理的性質と機械的性質とを有するもの
であれば特に限定されないが、ポリイミド前駆体をイミ
ド化する際には通常 400℃程度の熱処理を行うこと等を
考慮すればポリイミド樹脂を用いることが推賞される。
イミド前駆体を塗布しイミド化する工程に充分耐えられ
る化学的性質と物理的性質と機械的性質とを有するもの
であれば特に限定されないが、ポリイミド前駆体をイミ
ド化する際には通常 400℃程度の熱処理を行うこと等を
考慮すればポリイミド樹脂を用いることが推賞される。
【００１３】本発明で行う絶縁体の剥離方法は特に限定
されず、例えば銅被膜にポリイミド前駆体を塗布、イミ
ド化後絶縁体に極めて弱い力を加えて剥離する。なお本
発明の方法は従来の厚みを有した銅ポリイミド基板の製
造方法にも適用できることは言うまでもない。
されず、例えば銅被膜にポリイミド前駆体を塗布、イミ
ド化後絶縁体に極めて弱い力を加えて剥離する。なお本
発明の方法は従来の厚みを有した銅ポリイミド基板の製
造方法にも適用できることは言うまでもない。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 （実施例）幅508mm、長さ20ｍの東レ・デュポン社製ポ
リイミドフィルム「Kapton 200H」の片面をシールし、3
0重量％のヒドラジン一水和物水溶液中に25℃で30秒間
浸漬し水洗した後、奥野製薬製「OPC-80 キャタリスト M」を
用い25℃で５分間触媒付与を行った後水洗し、続いて奥
野製薬製「OPC-555 アクセレーター」を用い25℃で７分間促進
化処理を行った後水洗し、シールを除去した後以下に示
した条件でポリイミド樹脂表面に無電解銅めっきを施
し、ポリイミド樹脂上に厚さ１μｍの銅被膜を均一に形
成した。
リイミドフィルム「Kapton 200H」の片面をシールし、3
0重量％のヒドラジン一水和物水溶液中に25℃で30秒間
浸漬し水洗した後、奥野製薬製「OPC-80 キャタリスト M」を
用い25℃で５分間触媒付与を行った後水洗し、続いて奥
野製薬製「OPC-555 アクセレーター」を用い25℃で７分間促進
化処理を行った後水洗し、シールを除去した後以下に示
した条件でポリイミド樹脂表面に無電解銅めっきを施
し、ポリイミド樹脂上に厚さ１μｍの銅被膜を均一に形
成した。
【００１５】（めっき液の組成） CuSO4・5H2O : 10 g/l EDTA・2Na : 30 g/l PEG#1000 : 0.5 g/l 37%HCHO : 5 ml/l 2,2'-ヒ゛ヒ゜リシ゛ル : 10 mg/l
【００１６】 （めっき条件） 温 度 : 65 ℃ 時 間 : 30 分 攪はん : 空気で攪はん ｐＨ : 12.5 （NaOH で調節）
【００１７】その後、588ｇのビフェニルテトラカルボ
ン酸無水物と216ｇのパラフェニレンジアミンを25℃のN
-メチル-2-ピロリドン中で２時間攪はんし重合させポリ
イミド前駆体を得、この前駆体を前記銅被膜上に塗布
し、窒素雰囲気中で80℃、100℃、150℃、200℃、250
℃、300℃、350℃、400℃、および450℃の各温度で各10
分間づつ加熱処理し、厚さ50μｍのポリイミド樹脂膜を
形成した。その後得られた基板に極めて弱い応力を加え
ることにより、銅被膜から「Kapton 200 H」を剥離し
た。
ン酸無水物と216ｇのパラフェニレンジアミンを25℃のN
-メチル-2-ピロリドン中で２時間攪はんし重合させポリ
イミド前駆体を得、この前駆体を前記銅被膜上に塗布
し、窒素雰囲気中で80℃、100℃、150℃、200℃、250
℃、300℃、350℃、400℃、および450℃の各温度で各10
分間づつ加熱処理し、厚さ50μｍのポリイミド樹脂膜を
形成した。その後得られた基板に極めて弱い応力を加え
ることにより、銅被膜から「Kapton 200 H」を剥離し
た。
【００１８】以上の処理により表面に厚さ１μｍの銅被
膜を有した銅ポリイミド基板を得ることができた。ま
た、上記処理に用いた「Kapton 200 H」を絶縁体として
上記処理を繰り返すことによって同様の銅ポリイミド基
板を繰り返し得ることができた。
膜を有した銅ポリイミド基板を得ることができた。ま
た、上記処理に用いた「Kapton 200 H」を絶縁体として
上記処理を繰り返すことによって同様の銅ポリイミド基
板を繰り返し得ることができた。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によれ
ば、セミアディティブ法に適した極めて薄く、なおかつ
充分な密着強度を持った銅めっき被膜を形成した銅ポリ
イミド基板を得ることができる。また本発明の方法によ
り得られた銅ポリイミド基板を用いることにより機械
的、電気的信頼性に優れた高密度なＴＡＢやＦＰＣを経
済性良く得ることができるようになり、その効果は極め
て大きい。
ば、セミアディティブ法に適した極めて薄く、なおかつ
充分な密着強度を持った銅めっき被膜を形成した銅ポリ
イミド基板を得ることができる。また本発明の方法によ
り得られた銅ポリイミド基板を用いることにより機械
的、電気的信頼性に優れた高密度なＴＡＢやＦＰＣを経
済性良く得ることができるようになり、その効果は極め
て大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｒ 6921−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁体表面に銅被膜を形成し、得た銅
被膜上にポリイミド前駆体を塗布し、加熱してイミド化
した後、絶縁体を剥離することを特徴とする銅ポリイミ
ド基板の作成方法。 - 【請求項２】 絶縁体がポリイミド樹脂であることを
特徴とする請求項１記載の銅ポリイミド基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1682993A JPH06198804A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1682993A JPH06198804A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06198804A true JPH06198804A (ja) | 1994-07-19 |
Family
ID=11927086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1682993A Pending JPH06198804A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06198804A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237048A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 高屈曲特性を有する銅張積層板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP1682993A patent/JPH06198804A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237048A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 高屈曲特性を有する銅張積層板及びその製造方法 |
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