JPH06186763A - Photoreceptive member, method for recycling photosensitive body and surface treatment - Google Patents

Photoreceptive member, method for recycling photosensitive body and surface treatment

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JPH06186763A
JPH06186763A JP34076492A JP34076492A JPH06186763A JP H06186763 A JPH06186763 A JP H06186763A JP 34076492 A JP34076492 A JP 34076492A JP 34076492 A JP34076492 A JP 34076492A JP H06186763 A JPH06186763 A JP H06186763A
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JP
Japan
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photoconductor
layer
amorphous silicon
atoms
gas
Prior art date
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Application number
JP34076492A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigenori Ueda
重教 植田
Koji Yamazaki
晃司 山崎
Toshiyuki Ebara
俊幸 江原
Masaya Kawada
将也 河田
Hitoshi Murayama
仁 村山
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH06186763A publication Critical patent/JPH06186763A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the cleaning characteristics of the electrophotographic sensitive body overall from all phases. CONSTITUTION:The photoreceptive member has <=50% slipperiness obtd. by the residual rate of the alumina powder within a 0.1cm<2> region when the alumina powder 104 is uniformly stuck to the surface of the photoreceptive member 106 and a cleaning blade 103 is brought into pressurized contact therewith under 10g/cm<2> pressure and is slid. The method for recycling the amorphous silicon photosensitive body consists in regenerating the photosensitive body from a base body from which the photosensitive layer is cut away and using the photosensitive body at the rotating speed meeting the number of recycling times. The surface treatment methods for the electrophotographic sensitive body consists in using an etching soln. of <=4mum/min etching rate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、クリーニングブレード
によりクリーニングが行われ、電子写真装置に用いられ
る光(ここでは広義の光で紫外光線、可視光線、赤外光
線、X線、γ線等を示す)等の電磁波に対して感受性の
ある光受容部材に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a cleaning blade for cleaning and uses light used in an electrophotographic apparatus (here, light in a broad sense such as ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, X-rays and γ-rays). (Shown) etc. to a light receiving member sensitive to electromagnetic waves.

【0002】更に本発明は、切削手段によりアルミ等の
基体よりアモルファスシリコン感光層を切削し、この切
削後のアルミ等の基体を用いて再生アモルファスシリコ
ン感光体を得て、これを電子写真像形成に再利用する方
法に関する。
Further, according to the present invention, an amorphous silicon photosensitive layer is cut from a substrate made of aluminum or the like by a cutting means, a regenerated amorphous silicon photosensitive member is obtained by using the substrate made of aluminum or the like after cutting, and an electrophotographic image is formed on this. Regarding how to reuse.

【0003】更に本発明は、電子写真感光体の表面にお
ける異常成長部の微小化および/または除去を行う表面
処理方法に関する。
Furthermore, the present invention relates to a surface treatment method for miniaturizing and / or removing abnormal growth portions on the surface of an electrophotographic photosensitive member.

【0004】[0004]

【従来の技術】まず、以下に、従来の光受容部材のブレ
ード式クリーニングの問題点を説明する。
2. Description of the Related Art First, problems with the conventional blade type cleaning of the light receiving member will be described.

【0005】固体撮像装置あるいは像形成分野における
電子写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電層
を形成する光導電材料としては、高感度でSN比〔光電
流(Ip)/(Id)〕が高く照射する電磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、使
用度において人体に対して無害であること、さらには固
体撮像装置においては残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。特に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。
As a photoconductive material for forming a photoconductive layer in a solid-state image pickup device or an electrophotographic image forming member in a field of image formation or an original reading device, the SN ratio [photocurrent (Ip) / (Id)] is high. Has an absorption spectrum characteristic that matches the spectrum characteristic of an electromagnetic wave to be radiated highly, has a fast photoresponsiveness and has a desired dark resistance value, is harmless to the human body when used, and further in a solid-state imaging device Is required to have such characteristics that afterimages can be easily processed within a predetermined time. Particularly, in the case of an electrophotographic image forming member incorporated in an electrophotographic apparatus used as an office machine in an office, the pollution-free property at the time of use is an important point.

【0006】このような観点に立脚して最近注目されて
いる光導電材料に水素やハロゲン原子等の一価の元素で
ダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン
(以後、a−Siと表記する)があり、例えば独国公開
第2746967号公報、同第2855718号公報に
は電子写真用像形成部材への応用が、また独国公開第2
933411号公報には光電変換読取装置への応用がそ
れぞれ記載されておりその優れた光導電性、対擦性、耐
熱性および大面積化が比較的容易であることから電子写
真用像形成部材への応用が期待されている。またa−S
iは、他の感光体よりも表面硬度が高いことから、クリ
ーニング性の高いブレード式クリーニング方式が適し、
弾性ゴムブレード、金属ブレード等が順方向、カウンタ
ー方向等の当接方法により広く用いられている。しかし
ながら、このようなブレード式クリーニング方式におい
ては長期間連続コピーを行った場合、光受容部材の母線
で奥側、中央、手前部分の滑り性に差が生じてしまい部
分的に黒スジ状のクリーニング不良が発生するという問
題があった。
Amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) in which a dangling bond is modified with a monovalent element such as hydrogen or a halogen atom in a photoconductive material which has recently been attracting attention based on such a viewpoint. For example, German Laid-Open Publication Nos. 27469667 and 2855518 disclose applications to electrophotographic image forming members, and German Laid-Open Publication No. 2
Application to a photoelectric conversion reading device is described in Japanese Patent No. 933411, and its excellent photoconductivity, abrasion resistance, heat resistance, and large area are relatively easy, so that it is applied to an electrophotographic image forming member. Is expected to be applied. Also a-S
Since i has a higher surface hardness than other photoconductors, a blade type cleaning method with high cleaning property is suitable,
Elastic rubber blades, metal blades, etc. are widely used depending on the contact method such as the forward direction and the counter direction. However, in such a blade type cleaning method, when continuous copying is performed for a long period of time, a slippage difference occurs on the back side, the center, and the front side of the bus line of the light receiving member, which causes a partial black stripe cleaning. There was a problem that defects occurred.

【0007】特に、高速複写機分野やレーザービームプ
リンターのようなコンピューター出力装置分野等は、一
般的複写機に比べ長期間大量のコピー枚数が取られる頻
度が多い。このような複写機等にトナーに対する滑り性
の悪い光受容部材を使用した場合、クリーナーブレード
との摩擦抵抗が高いため、長期間の使用でブレード押圧
の部分的な差に対応してブレードの劣化が進行してしま
い、ブレードの劣化した部分の光受容表面の摩擦抵抗が
さらに高くなり滑り性が悪くなるため、上述の様なトナ
ーのすり抜けが生じ黒スジ状のクリーニング不良が発生
し易い。
In particular, in the field of high-speed copying machines and the field of computer output devices such as laser beam printers, a large number of copies are frequently taken for a long period of time as compared with general copying machines. When a photo-receptive member that has poor slipperiness against toner is used in such a copying machine, the frictional resistance with the cleaner blade is high. Occurs, the frictional resistance of the light receiving surface in the deteriorated portion of the blade further increases and the slipperiness deteriorates, so that the toner slips through as described above, and black streak-like cleaning failure easily occurs.

【0008】次に、従来のアモルファスシリコン感光体
の再生利用における問題点を説明する。
Next, the problems in the recycling of the conventional amorphous silicon photoconductor will be described.

【0009】従来から電子写真感光体には、Se、cd
s、Zno等の無機光導電性材料、ポリビニルカルバゾ
ール等の有機光導電性材料が広く使用されていた。近
年、非晶質シリコン系半導体を光導電性材料として使用
した電子写真感光体は、機械的耐久性、耐熱性、耐湿
性、耐コロナイオン性などにおいて優れ、しかも長波長
側の光に感度を有し、感度そのものも良好であり、更に
は毒性も全く無いため電子写真用の感光層として注目さ
れている。
Conventionally, Se, cd have been used for electrophotographic photoreceptors.
Inorganic photoconductive materials such as s and Zno, and organic photoconductive materials such as polyvinylcarbazole have been widely used. In recent years, electrophotographic photoreceptors using amorphous silicon semiconductors as photoconductive materials have excellent mechanical durability, heat resistance, moisture resistance, corona ion resistance, and the like, and are also sensitive to light on the long wavelength side. Since it has excellent sensitivity and good sensitivity, and has no toxicity at all, it is attracting attention as a photosensitive layer for electrophotography.

【0010】非晶質シリコンを感光層とする電子写真感
光体は、所定の特性を得るために、あるいは適用される
電子写真プロセスの種類に応じて種々の構成、あるいは
更にその表面に保護層が積層された構成が広く知られて
いる。この様な構成をした感光体は、最も一般的な電子
写真プロセス、すなわち帯電、画像露光、現像、更に必
要に応じて為される転写と続くプロセスによる画像形成
に用いられており、システム化された高速複写機半導体
を光源とするレーザー複写機に用いられている。また、
有機感光体や、cds、Znoの様な無機顔料分散系感
光体に比べ数倍の寿命を有し、セレン感光体のような結
晶化減少も無く、ほぼ半永久的寿命を有する。この様な
高品位な非晶質シリコン感光体のデメリットは、コスト
の高いことである。コストの高い原因として挙げられる
のがアモルファスシリコン感光体の基体であるアルミニ
ウムの純度が99.99%程度の高純度アルミを用いて
いること、次いでその基体の肉厚が3〜5mm程度の厚
いものであることが挙げられる。
Electrophotographic photoreceptors having amorphous silicon as a photosensitive layer have various constitutions in order to obtain predetermined characteristics or depending on the type of electrophotographic process to be applied, or a protective layer on the surface thereof. Stacked configurations are widely known. The photoconductor having such a structure is used in the most general electrophotographic process, that is, charging, image exposure, development, and transfer performed as needed, and image formation by the subsequent process, and is systematized. High-speed copiers are used in laser copiers that use semiconductors as light sources. Also,
It has a life several times that of organic photoconductors and inorganic pigment dispersion photoconductors such as cds and Zno, and does not undergo crystallization reduction like selenium photoconductors, and has a substantially semi-permanent life. The disadvantage of such a high-quality amorphous silicon photoconductor is that the cost is high. One of the reasons for the high cost is the use of high-purity aluminum having a purity of about 99.99%, which is the base of the amorphous silicon photoconductor, and then the thickness of the base is thick, about 3-5 mm. That is.

【0011】これは、アルミニウム中に含まれるFe2
3 、Al23 といった介在物を核に球状突起と呼ば
れるアモルファスシリコン感光層の異常成長部分ができ
るのを防止する目的、次いで成膜時に300℃近い熱が
かかり、この種の純度のアルミは少なからず変形してし
まうため感光体としての真円度を確保するため、肉厚を
厚くして強度を持たせていることによる。この様にコス
トの高いアモルファスシリコン感光体のコストダウンを
図るには、不良品等を再生利用する必要性がある。しか
し、アモルファスシリコン感光体は、ビッカース硬度
(JIS B7774 による)が1000kg/mm2 以上と硬
く、基体であるアルミニウムとの密着性にも優れている
が故に、剥離することが困難である。したがって、旋盤
などの切削手段によりアモルファスシリコン膜をアルミ
基体より削り新たなアルミ基体を再生し、再利用するこ
とが望ましい。しかしながら、この方法で再生されたア
ルミ基体に成膜されたアモルファスシリコン感光体は、
切削によってアルミ基体の厚さが薄くなってしまう。よ
って、アルミ基体の直径は切削分の2倍短くなり、その
π倍が円周長の変化分となるため、画像の円周方向での
倍率が変化して画像長さに影響するため、その弊害は大
きいものがあった。
This is Fe 2 contained in aluminum.
The purpose is to prevent the abnormal growth portion of the amorphous silicon photosensitive layer called a spherical projection from forming inclusions such as O 3 and Al 2 O 3 as nuclei. Is deformed to a large extent, and in order to ensure the roundness of the photoconductor, the thickness is increased to give strength. In order to reduce the cost of such a high-cost amorphous silicon photoconductor, it is necessary to recycle defective products. However, the amorphous silicon photoconductor has a Vickers hardness (according to JIS B7774) of 1000 kg / mm 2 or more, and is hard to peel off because it has excellent adhesion to aluminum as a substrate. Therefore, it is desirable to scrape the amorphous silicon film from the aluminum base by a cutting means such as a lathe to regenerate a new aluminum base for reuse. However, the amorphous silicon photoreceptor formed on the aluminum substrate reproduced by this method is
The cutting reduces the thickness of the aluminum substrate. Therefore, the diameter of the aluminum base becomes twice as short as the cutting amount, and π times becomes the change amount of the circumferential length, so that the magnification of the image in the circumferential direction changes and affects the image length. There were some serious adverse effects.

【0012】次に、従来の感光体の表面の異常成長部の
微小化および/または除去のための表面処理方法におけ
る問題点を説明する。
Next, problems in the conventional surface treatment method for miniaturizing and / or removing the abnormal growth portion on the surface of the photoreceptor will be described.

【0013】一般に、感光体表面に形成された可転写の
トナー像を転写材に転写して、これを転写材に定着固定
することを繰返す周知の画像形成装置においては、転写
像も感光体表面に残る残留トナーを除去するクリーニン
グ装置の存在が必須となっている。また従来、シリコン
原子を含む電子写真用感光体には、異常成長部(以下、
突起部と称する)が存在することが多く、結果としてク
リーニングブレードを損傷せしめることによるクリーニ
ングむらなどの、クリーニング性の低下が認められる。
Generally, in a known image forming apparatus in which a transferable toner image formed on the surface of a photoconductor is repeatedly transferred to a transfer material and fixed and fixed on the transfer material, the transferred image is also transferred to the surface of the photoconductor. It is essential to have a cleaning device for removing the residual toner remaining in the interior. In addition, conventionally, an abnormal growth portion (hereinafter,
In many cases, there is a protrusion), and as a result, a decrease in cleaning property such as uneven cleaning caused by damaging the cleaning blade is recognized.

【0014】ここで参考までに、クリーニングブレード
(以下ブレードと称する)の耐久試験により、突起部の
大きさとブレードへの影響すなわちクリーニング性への
影響を測定評価し、図16、図17にその結果を示し
た。図16は、突起部の高さ(b)が1μm、3μm、
5μm、8μmまたは10μmの5種類の感光体におい
て、100万枚耐久試験での稼動枚数とクリーニングブ
レードのブレード欠けの深さ(a)と関係を示す。図1
7は、図16のデーターを再プロットしたものであり、
感光体の突起部の高さ(b)とブレード欠けの深さ
(a)と関係を示す。この図16および図17に示す結
果から、100万枚耐久試験で突起部の高さを5μm以
下にすると、突起高さがブレードのゴム弾性範囲内に入
るものと思われ、ブレード欠けが非常に少なくなくブレ
ードへの悪影響が無いといえる。
For reference, a durability test of a cleaning blade (hereinafter referred to as a blade) was carried out to measure and evaluate the size of the protrusion and the effect on the blade, that is, the effect on the cleaning property. The results are shown in FIGS. 16 and 17. showed that. In FIG. 16, the height (b) of the protrusion is 1 μm, 3 μm,
The relationship between the number of operating sheets in the 1 million-sheet durability test and the depth (a) of the blade breakage of the cleaning blade is shown for five types of photoreceptors of 5 μm, 8 μm, or 10 μm. Figure 1
7 is a re-plot of the data in FIG. 16,
The relationship between the height (b) of the protrusion of the photoconductor and the depth (a) of the blade chip is shown. From the results shown in FIGS. 16 and 17, when the height of the protrusions is set to 5 μm or less in the 1 million-sheet durability test, it is considered that the protrusion height falls within the rubber elasticity range of the blade, and the blade chipping is extremely small. It can be said that there is no adverse effect on the blade.

【0015】感光体表面の突起部の微小化および/また
は除去を行う表面処理手段としては、従来より種々のも
のが考案されている。そのうち、シリコン微粉末を用い
た研磨テープで感光体表面を研磨する方法が、その優れ
た表面生成、クリーニング性向上などの点で利用されて
いる。上記研磨の感光体への当接の方法としては、感光
体回転方向と反対の方向から研磨テープを回転当接させ
る図18に示す様なカウンター当接研磨方式が周知であ
り、これは優れた感光体表面平滑化性能を有する。図1
8中、1801は感光体、1802は研磨テープ、18
03は研磨テープ用ローラーである。
Various surface treatment means for miniaturizing and / or removing the protrusions on the surface of the photoconductor have been devised conventionally. Among them, a method of polishing the surface of the photoconductor with a polishing tape using fine silicon powder is used in terms of its excellent surface generation and improvement of cleaning property. As a method of contacting the photoconductor with the above-mentioned polishing, a counter contact polishing method in which a polishing tape is rotated and brought into contact with the photoconductor in a direction opposite to the rotating direction of the photoconductor is well known, which is excellent. Has a surface smoothing function for the photoconductor. Figure 1
Of these, 1801 is a photoreceptor, 1802 is a polishing tape, 18
Reference numeral 03 is a polishing tape roller.

【0016】しかし、かかる従来技術においては、感光
体研磨の際にその感光体および/または研磨テープの線
速度や、加速度および/または感光体に当接する研磨テ
ープへの接触厚がある限界を越えると、感光体表面の突
起部の剥がれが生じ研磨テープと感光体の間に残留し、
研磨の継続により感光体を損傷せしめるという不都合が
生じる。この問題点を解決する手段として、突起部の剥
がれが生じない範囲の感光体と研磨テープの速度、およ
びテープ接触圧を設定しまたは変化させて研磨する手段
が考案されている。この方法は、感光体表面の損傷を減
少させ得る有効な技術であるといえる。しかしその反
面、上記の設定値が小さくなればなるほど感光体研磨に
要する時間がこれとほぼ比例して大きくなるという欠点
がある。
However, in such a prior art, the linear velocity and / or the acceleration of the photoconductor and / or the polishing tape during polishing of the photoconductor and / or the contact thickness of the polishing tape contacting the photoconductor exceeds a certain limit. Then, the protrusions on the surface of the photoconductor peeled off and remained between the polishing tape and the photoconductor,
There is an inconvenience that the photoreceptor is damaged by continuing the polishing. As means for solving this problem, there has been devised means for polishing by setting or changing the speed of the photosensitive member and the polishing tape and the tape contact pressure in a range where the protrusion does not peel off. It can be said that this method is an effective technique that can reduce damage on the surface of the photoconductor. However, on the other hand, there is a disadvantage that the smaller the above-mentioned set value, the longer the time required for polishing the photosensitive member becomes in proportion to this.

【0017】摩擦エネルギーEは、摩擦係数μ、抗力N
により一般に次式で表わされる。
The friction energy E is a friction coefficient μ and a drag force N.
Is generally expressed by the following equation.

【0018】E=μN図18で示したカウンター当接研
磨方式を例にとると、感光体表面にかかる負荷は研磨テ
ープとの間の摩擦力と当接部の線速度に大きく依存して
いる。すなわち研磨テープと感光体当接部の速度が一定
に保たれていても、研磨テープの感光体への接触圧が大
きければ大きいほど(このため感光体表面が研磨され得
るのだが)感光体表面の受ける摩擦エネルギーは大き
い。一方、感光体表面は、微視的には平面ではなく10
〜20μm程度の突起部が多く存在している。そして、
この摩擦エネルギーは突起部に大きくかかり、突起部が
感光体表面から剥がれて凹部となってしまうという不都
合が生じる。
E = μN Taking the counter contact polishing method shown in FIG. 18 as an example, the load applied to the surface of the photoreceptor largely depends on the frictional force with the polishing tape and the linear velocity of the contact portion. . That is, even if the speed of the polishing tape and the contact portion of the photosensitive member is kept constant, the larger the contact pressure of the polishing tape to the photosensitive member is (therefore, the surface of the photosensitive member can be polished). The friction energy that he receives is large. On the other hand, the surface of the photoconductor is microscopically not flat.
There are many protrusions of about 20 μm. And
This frictional energy is largely applied to the protrusions, and the protrusions are peeled off from the surface of the photoconductor to form recesses.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な従来技術における各課題を解決し、主として電子写真
用感光体におけるクリーニング特性を総合的に各方面か
ら改善する技術を提供すべくなされたものであり、その
目的は以下の様に大別される。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems in the prior art as described above, and to provide a technique for improving the cleaning characteristics of an electrophotographic photosensitive member from all directions. The purpose is roughly classified as follows.

【0020】本発明の第1の目的は、連続コピーを続け
てもクリーナーブレードが部分的に劣化し難く、ブレー
ドの接触圧の差、例えば中央部と端部とで接触圧に差が
生じた場合においても光受容部材表面の摩擦抵抗の上昇
は生ずることなく、クリーニング不良等による画像欠陥
を生ずることもなく、高品質な画像が得られる光受容部
材を提供することにある。
A first object of the present invention is that the cleaner blade is less likely to partially deteriorate even when continuous copying is continued, and a difference in contact pressure between the blades, for example, a difference in contact pressure between the central portion and the end portion occurs. Even in such a case, it is an object of the present invention to provide a light-receiving member capable of obtaining a high-quality image without causing an increase in frictional resistance on the surface of the light-receiving member and without causing image defects due to poor cleaning or the like.

【0021】また本発明の第2の目的は、アモルファス
シリコン感光体に旋盤などの工程により切削処理を施し
て基体のみとし、新たなアモルファスシリコン層を形成
して感光体を再生し、その再生感光体を用いても良好な
画像を得られるアモルファスシリコン感光体の再生利用
方法を提供することにある。
A second object of the present invention is to subject the amorphous silicon photoconductor to a cutting process by a process such as a lathe to form only a substrate, to form a new amorphous silicon layer to regenerate the photoconductor, and to reproduce the regenerated photoconductor. An object of the present invention is to provide a method for recycling an amorphous silicon photoconductor that can obtain a good image even when the body is used.

【0022】また本発明の第3の目的は、感光体表面の
突起部の除去を極めて効果的に行え、感光体の研磨に要
する時間を短縮した感光体表面処理方法、およびこの表
面処理されてクリーニング性が向上した感光体を提供す
ることにある。
A third object of the present invention is to provide a method for treating the surface of a photosensitive member which can very effectively remove the protrusions on the surface of the photosensitive member and which shortens the time required for polishing the photosensitive member, and a method for treating the surface of the photosensitive member. The object is to provide a photoreceptor having improved cleaning properties.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上記各目的は、以下の本
発明により達成できる。
The above objects can be achieved by the present invention described below.

【0024】第1の本発明は、導電性基体上に、シリコ
ン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光受容層
を有する光受容部材において、該光受容層の表面にアル
ミナ粉体を均一に付着させてクリーニングブレードを押
圧10g/cm2 で圧接して滑らせたときの0.1cm
2 の領域内のアルミナ粉体の残留率を求める滑り性評価
方法により求めた該残留率が50%以下であることを特
徴とする光受容部材である。
A first aspect of the present invention is a light-receiving member having a light-receiving layer composed of a non-single-crystal material having a silicon atom as a matrix on a conductive substrate, and an alumina powder is provided on the surface of the light-receiving layer. 0.1 cm when the cleaning blade is evenly adhered and the cleaning blade is pressed and slid under a pressure of 10 g / cm 2.
The light receiving member is characterized in that the residual rate obtained by the slipperiness evaluation method for determining the residual rate of the alumina powder in the region 2 is 50% or less.

【0025】第2の本発明は、基体上にアモルファスシ
リコン感光層を有する円柱状アモルファスシリコン感光
体の再生利用方法において、切削手段により該アモルフ
ァスシリコン感光層を基体より除去し、該除去後の基体
上に新たなアモルファスシリコン感光層を形成して再生
アモルファスシリコン感光体とし、再生前の回転速度と
は異なる回転速度であって該感光体の再生回数に応じた
回転速度で該再生アモルファスシリコン感光体を回転さ
せて使用することを特徴とするアモルファスシリコン感
光体の再生利用方法である。
A second aspect of the present invention is a method for recycling a cylindrical amorphous silicon photoconductor having an amorphous silicon photoconductive layer on a substrate, wherein the amorphous silicon photoconductive layer is removed from the substrate by cutting means, and the substrate after the removal is removed. A new amorphous silicon photosensitive layer is formed on the regenerated amorphous silicon photoconductor, and the regenerated amorphous silicon photoconductor is rotated at a rotation speed different from the rotation speed before reproduction and according to the number of times of reproduction of the photoconductor. It is a method of reusing an amorphous silicon photoconductor, which comprises rotating and using.

【0026】第3の本発明は、少なくともシリコン原子
を含む電子写真用感光体の異常成長部の微小化および/
または除去を行う表面処理方法において、感光体表面に
対するエッチング速度が4μm/分以下であるエッチン
グ溶液を用いてエッチングすることにより該異常成長部
の微小化および/または除去を行うことを特徴とする電
子写真用感光体の表面処理方法、およびこの方法で処理
された電子写真用感光体である。
The third aspect of the present invention is to miniaturize and / or miniaturize an abnormal growth portion of an electrophotographic photoreceptor containing at least silicon atoms.
Alternatively, in the surface treatment method for removing, the electron beam is characterized in that the abnormal growth portion is miniaturized and / or removed by etching using an etching solution having an etching rate of 4 μm / min or less with respect to the surface of the photoconductor. A surface treatment method for a photographic photoreceptor and an electrophotographic photoreceptor treated by this method.

【0027】[0027]

【作用】第1の本発明は、光受容部材表面のトナーの滑
り性とクリーニング不良発生の関係におけるメカニズム
に着目して完成されたものである。すなわち、光受容部
材表面におけるトナーの滑り性が悪いということは、ブ
レード式クリーニング方法を用いた場合、光受容部材表
面に圧接したブレード面に部分的な圧力差が生じた場合
やブレードが部分的に劣化した場合に、トナーがブレー
ドからすり抜け易い状態となりクリーニング不良が発生
するものと推定される。したがって、トナーに対する滑
り性を評価して、これが良好なものを光受容部材として
作製、採用すれば良好なクリーニングが可能となる。た
だし、実際のトナーを用いて滑り性の評価を行うと、ト
ナーの物性等の差に因りクリーニング性の個体差が明確
に発現せず評価の再現性も安定しない。一方、アルミナ
粉体を用いた上記特定の滑り性評価法を採用すれば、そ
の様な問題は無く良好かつ安定してクリーニング性の優
れた感光体が得られたことがわかる。
The first aspect of the present invention was completed by focusing on the mechanism relating to the relationship between the slipperiness of the toner on the surface of the light receiving member and the occurrence of cleaning failure. That is, the poor slipperiness of the toner on the surface of the light receiving member means that when a blade-type cleaning method is used, a partial pressure difference occurs in the blade surface that is in pressure contact with the surface of the light receiving member or the blade is partially removed. It is presumed that if the toner deteriorates due to the above condition, the toner easily slips off the blade and a cleaning failure occurs. Therefore, if the slidability with respect to the toner is evaluated and a material having good slidability is manufactured and adopted as the light receiving member, good cleaning becomes possible. However, when the slipperiness is evaluated using an actual toner, the individual difference in the cleaning property is not clearly exhibited due to the difference in the physical properties of the toner and the reproducibility of the evaluation is not stable. On the other hand, when the above-mentioned specific slipperiness evaluation method using alumina powder was adopted, it was found that a photoreceptor having good and stable cleaning property was obtained without such a problem.

【0028】また、第2の本発明は、感光層を旋盤等に
より切削した後は、基体の直径が切削分の2倍短くなる
点を予め考慮し、この直径の変化による画像の円周方向
での倍率、画像長さの変化に対し、再生感光体の使用の
際の回転速度を再生回数に応じて変化させて対処しよう
とする観点から完成されたものである。これによって、
不良品などの感光体の再生利用が非常に簡易に図れるこ
ととなる。
Further, in the second aspect of the present invention, after the photosensitive layer is cut by a lathe or the like, the diameter of the substrate is shortened by a factor of two, which is taken into consideration. The present invention has been completed from the viewpoint of coping with changes in the magnification and the image length by changing the rotation speed of the reproducing photoconductor in accordance with the number of reproductions. by this,
It is very easy to recycle a photoconductor such as a defective product.

【0029】また、第3の本発明は、従来技術の問題は
物理的研磨により発生する摩擦エネルギーにより生じる
点に鑑み、物理的研磨の代わりに特定のエッチング液を
用いることに着目して完成されたものである。先に述べ
た摩擦エネルギーの式におけるμは、接触する物質の組
合せにより決定される値であり、同じ感光体であって
も、対研磨テープと、対液体ではμの値は液体の方が1
桁以上小さい。さらに図18に示した様な従来の技術で
は、研磨テープを感光体に全圧で400〜1600gか
けているのに対し、本発明においては、エッチング液槽
中に感光体を浸漬等しその後洗浄するので、外部から圧
力をかけず感光体表面の抗力Nも小さくなる。結果とし
て、摩擦エネルギーEが減少、感光体に摩擦の影響を殆
ど与えない研磨となる。つまり化学的処理により感光体
表面にストレスを掛けること無く、いわゆる平滑面を得
ることができ、突起部の剥がれが無く、クリーニング性
を向上でき、ブレードの耐久性を向上できる。また、溶
液エッチングによって突起部の微小化および/または除
去を行った後、従来の当接研磨を行ってもよい。この場
合は突起部が微小化、除去されているので、従来と同様
の接触圧をもたせても、従来よりも高速で当接研磨を行
うことができる。
The third aspect of the present invention has been completed in view of the fact that the problem of the prior art is caused by the friction energy generated by physical polishing, and paying attention to the use of a specific etching solution instead of physical polishing. It is a thing. The μ in the above-mentioned friction energy formula is a value determined by the combination of substances that come into contact with each other, and even for the same photoconductor, the value of μ is 1 for the polishing tape and the liquid for the liquid.
Smaller than digit. Further, in the conventional technique as shown in FIG. 18, the polishing tape is applied to the photoconductor at a total pressure of 400 to 1600 g, whereas in the present invention, the photoconductor is immersed in an etching solution tank and then washed. Therefore, the resistance N on the surface of the photoconductor is reduced without applying pressure from the outside. As a result, the friction energy E is reduced, and the polishing is such that the photoreceptor is hardly affected by friction. That is, it is possible to obtain a so-called smooth surface without applying stress to the surface of the photoreceptor by the chemical treatment, to prevent peeling of the protrusions, to improve the cleaning property, and to improve the durability of the blade. Further, conventional contact polishing may be performed after the protrusions are made fine and / or removed by solution etching. In this case, since the protrusions are miniaturized and removed, even if a contact pressure similar to that in the conventional case is applied, contact polishing can be performed at a higher speed than in the conventional case.

【0030】[0030]

【実施例】まず、図面を参照しつつ、第1の本発明であ
る光受容部材の実施例を詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, embodiments of the light receiving member according to the first aspect of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0031】図1は、本発明における滑り性評価法を行
っている状態を例示する模式的断面図である。この図に
示す様に、光受容部材106表面上にアルミナ粉体10
4を均一に付着させ、この後ブレードホルダー102に
セットしたゴムブレード103に1gの重り101によ
り押圧を加え(10g/cm2 )、矢印X方向へ試験機
100のアーム105を適当な速度で移動させる。次
に、クリーニングされた部分に関して0.1cm2 の面
積内でのアルミナ粉体104の残留量を測定し、クリー
ニング前のアルミナ粉体104と比較してアルミナ粉体
の残留率(%)とすればよい。具体的にはアルミナ粉体
104として、丸本工業株式会社製のAl 23 粉を標
準粉体として用いることが好ましい。アルミナ粉体10
4の平均粒径は1〜10μmが望ましく、さらには6〜
8μmが好ましい。またアルミナ粉体の残留量は、金属
顕微鏡により測定することが望ましい。この表面性試験
機100で滑り性の評価を行う場合、評価に用いる粉体
104としてアルミナでなくトナーを使用すると、トナ
ーの物性等の差に因りクリーニング性の個体差が明確に
出ず評価の再現性も安定しない。
FIG. 1 shows a slipperiness evaluation method according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a state where In this figure
As shown, the alumina powder 10 is formed on the surface of the light receiving member 106.
4 is evenly adhered to the blade holder 102 after this.
Set the rubber blade 103 on the 1g weight 101.
Pressure (10g / cm2 ), Testing machine in the direction of arrow X
The arm 105 of 100 is moved at an appropriate speed. Next
0.1 cm for the cleaned part2 Face of
The residual amount of alumina powder 104 in the stack was measured and
Alumina powder compared to alumina powder 104 before polishing
The residual rate (%) may be used. Specifically, alumina powder
As Al, manufactured by Marumoto Industry Co., Ltd. 2 O3 Powder
It is preferably used as a semi-powder. Alumina powder 10
The average particle size of 4 is preferably 1 to 10 μm, and further 6 to
8 μm is preferable. The residual amount of alumina powder is
It is desirable to measure with a microscope. This surface test
Powder to be used for evaluation when slipperiness is evaluated by machine 100
If toner is used instead of alumina as 104, toner
Differences in cleaning properties are clearly defined due to differences in physical properties
The reproducibility of evaluation is not stable.

【0032】さらに具体的には、光受容部材106の両
端部および中央部の各箇所において、周方向に4箇所の
計12箇所にアルミナ粉体104を均一に付着させた後
に、この12箇所の測定点について、押圧1.0gでブ
レード103をアルミナ粉体104の付着した光受容部
材106表面上に接触させて押圧10g/cm2 で圧接
して1cm程度滑らせ、アルミナ粉体104をクリーニ
ングした部分の0.1cm2 の領域を顕微鏡により観察
し、アルミナ粉体104の残留率の値として12箇所の
測定点毎の合計面積1.2cm2 でのアルミナ粉体の残
留率の平均値を求めることが好ましい。
More specifically, after the alumina powder 104 is evenly adhered to a total of 12 locations in the circumferential direction at each of the both ends and the center of the light receiving member 106, the 12 locations Regarding the measurement point, the blade 103 was brought into contact with the surface of the light receiving member 106 to which the alumina powder 104 was adhered with a pressing force of 1.0 g, and was pressed with a pressing force of 10 g / cm 2 and slid for about 1 cm to clean the alumina powder 104. The area of 0.1 cm 2 is observed with a microscope, and the average value of the residual rate of the alumina powder in the total area of 1.2 cm 2 at each of 12 measurement points is obtained as the residual rate value of the alumina powder 104. It is preferable.

【0033】また、本発明の光受容部材は、一般に帯
電、露光、現像、転写、分離、クリーニングの各工程を
繰り返し、ブレードによるスクレープクリーニングを行
う電子写真装置に用いられるものである。
Further, the light receiving member of the present invention is generally used in an electrophotographic apparatus in which scraping cleaning is carried out by repeating a charging, exposing, developing, transferring, separating and cleaning steps.

【0034】図2は、本発明の電子写真用光受容部材の
好適な層構成を説明するための模式的断面図である。図
2に示す電子写真用光受容部材200は、電子写真用光
受容部材用としての導電性基体201の上に、nc−S
iC(H,F)で構成される第2領域202と、nc−
Si:Hで構成される第1領域203と、保護層や電荷
注入阻止層としての表面層204とを順次積層して成る
光受容層203を有する。また光受容層205は、自由
表面206を有する構成のものである。
FIG. 2 is a schematic sectional view for explaining a preferred layer structure of the electrophotographic light-receiving member of the present invention. The electrophotographic light-receiving member 200 shown in FIG. 2 has a structure in which nc-S is formed on a conductive substrate 201 for an electrophotographic light-receiving member.
a second area 202 composed of iC (H, F), nc-
A light receiving layer 203 is formed by sequentially stacking a first region 203 composed of Si: H and a surface layer 204 as a protective layer or a charge injection blocking layer. Further, the light receiving layer 205 has a structure having a free surface 206.

【0035】<導電性基体201>本発明の光受容部材
における導電性基体としては、例えば、Al、Cr、M
o、Au、In、Nb、Te、V、Ti、Pt、Pd、
Fe等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス
等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、
ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック
等の電気絶縁性基体の少なくとも光受容層を形成する側
の表面を導電処理した基体を用いることができる。さら
に、光導電層を形成する側とは反対側の表面も導電処理
することがより好ましい。
<Conductive Substrate 201> Examples of the conductive substrate in the light receiving member of the present invention include Al, Cr, and M.
o, Au, In, Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd,
Metals such as Fe, and alloys of these, such as stainless steel, may be mentioned. Also, polyester, polyethylene,
Use is made of a film or sheet made of a synthetic resin such as polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide, etc., or an electrically insulating substrate such as glass, ceramic, etc., of which at least the surface on the side where the light receiving layer is formed is subjected to a conductive treatment. be able to. Furthermore, it is more preferable that the surface opposite to the side on which the photoconductive layer is formed is also subjected to a conductive treatment.

【0036】導電性基体の形状は平滑表面で、その厚さ
は所望通りの電子写真用光受容部材を形成し得るように
適宜決定するが、電子写真用光受容部材としての可撓性
が要求される場合には、導電性基体としての機能が充分
発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。
しかしながら、基体の製造上および取り扱い上、機械的
強度等の点から通常は10μm以上とされる。
The shape of the conductive substrate is a smooth surface, and its thickness is appropriately determined so that a desired electrophotographic light-receiving member can be formed, but flexibility as an electrophotographic light-receiving member is required. In that case, the thickness can be made as thin as possible within the range where the function as the conductive substrate can be sufficiently exhibited.
However, it is usually 10 μm or more from the viewpoint of mechanical strength and the like in manufacturing and handling the substrate.

【0037】<第2領域202(第2の光導電層)>本
発明の光受容部材における第2領域は、例えば、基体側
より、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、水素原
子、弗素原子を含むnc−SiC(H,F)からなり、
所望の光導電特性、特に電荷保持特性、電荷発生特性、
電荷輸送特性を有する。
<Second Region 202 (Second Photoconductive Layer)> In the second region of the light receiving member of the present invention, for example, silicon atoms and carbon atoms, hydrogen atoms, and fluorine atoms are included as constituent elements from the substrate side. Containing nc-SiC (H, F),
Desired photoconductive properties, especially charge retention properties, charge generation properties,
Has charge transport properties.

【0038】この第2領域に含有される炭素原子は分布
を成し、該分布が層の厚み方向には不均一であって、膜
厚方向の各点において導電性基体側の含有率が高く、第
1領域側の含有率が低く分布している。炭素原子の含有
量としては、前記基体の設けてある側の表面または表面
近傍で0.5原子%未満であれば前述の基体との密着性
向上および電荷の注入阻止の機能が悪化し、さらに静電
容量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また5
0原子%を越えると残留電位が発生してしまう。このた
め、実用的には0.5〜50原子%、好ましくは1〜4
0原子%であり、最適には1〜30原子%とされるのが
好ましい。
The carbon atoms contained in the second region form a distribution, and the distribution is non-uniform in the thickness direction of the layer, and the content on the conductive substrate side is high at each point in the film thickness direction. , The content rate on the first region side is low and distributed. If the content of carbon atoms is less than 0.5 atom% on the surface on the side where the substrate is provided or in the vicinity of the surface, the functions of improving the adhesion with the substrate and preventing the injection of electric charges are deteriorated. The effect of improving the charging ability due to the decrease of the electrostatic capacity disappears. Again 5
If it exceeds 0 atomic%, a residual potential will be generated. Therefore, practically 0.5 to 50 atomic%, preferably 1 to 4
It is 0 atomic%, and most preferably 1 to 30 atomic%.

【0039】また、光導電層中に水素原子が含有される
ことが一般に必要であるが、これはシリコン原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷
保持特性を向上させるために必須不可欠であるからであ
る。特に、炭素原子が含有された場合、その膜質を維持
するためにより多くの水素原子が必要となるため、炭素
含有量にしたがって含有される水素量が調整されること
が望ましい。よって、基体表面の水素原子の含有量は望
ましくは1〜40原子%、より好ましくは5〜35原子
%、最適には10〜30原子%とされるのが好ましい。
Further, it is generally necessary that hydrogen atoms are contained in the photoconductive layer, which compensates for dangling bonds of silicon atoms and improves the layer quality, especially the photoconductive and charge retention characteristics. This is because it is essential for improvement. In particular, when carbon atoms are contained, more hydrogen atoms are required to maintain the film quality, so it is desirable to adjust the amount of hydrogen contained according to the carbon content. Therefore, the content of hydrogen atoms on the surface of the substrate is preferably 1 to 40 atom%, more preferably 5 to 35 atom%, and most preferably 10 to 30 atom%.

【0040】第2領域に含有される弗素原子について
は、第2領域に含有される炭素原子、水素原子の凝集を
抑制し、バンドギャップ中の局在準位密度を低減させる
ため、ゴースト、ガサツキを改善し、層品質の均一性の
向上に効果を発揮する。弗素含有量が1原子ppmより
少ないと、弗素原子によるゴースト、ガサツキの改善効
果が充分発揮されず、また、95原子ppmを越えると
逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるようになって
しまう。したがって、弗素原子の含有量は実用的には1
〜95原子ppm、より好ましくは3〜80原子pp
m、最適には5〜50原子ppmとされるのが好まし
い。特に、第2領域に前述のごとき範囲で炭素原子を含
有せしめたときに、弗素原子の含有量を上記した範囲に
設定することにより、光導電特性、画像特性および耐久
性が著しく向上することが実験により確認された。
With respect to the fluorine atom contained in the second region, ghost and rustiness are suppressed in order to suppress the aggregation of carbon atoms and hydrogen atoms contained in the second region and reduce the localized level density in the band gap. And improve the uniformity of layer quality. If the fluorine content is less than 1 atomic ppm, the effect of improving the ghost and rustiness due to the fluorine atoms will not be sufficiently exerted, and if it exceeds 95 atomic ppm, the film quality will be deteriorated and a ghost phenomenon will occur. . Therefore, the content of fluorine atoms is practically 1
~ 95 atom ppm, more preferably 3-80 atom pp
m, most preferably 5 to 50 atomic ppm. In particular, when carbon atoms are contained in the second region within the above range, the photoconductive characteristics, image characteristics and durability can be remarkably improved by setting the content of fluorine atoms within the above range. Confirmed by experiment.

【0041】さらに加えて、少なくとも第2領域中に含
有される弗素原子を層厚方向に不均一に分布させること
によって、炭素原子の含有量が層厚方向に変化するのに
伴い発生する基体側と第1領域側での内部応力の変化を
緩和すれば、堆積膜中の欠陥が減少し膜質が向上する。
その結果、光受容部材の使用環境の温度変化にしたがっ
て光受容部材の特性が変化する、いわゆる温度特性を向
上させることが可能になり、帯電能、およびコピー画像
間の画像濃度むらを改善することができる。
In addition, the fluorine atoms contained in at least the second region are non-uniformly distributed in the layer thickness direction so that the carbon atom content changes as the layer thickness direction changes. By relaxing the change in internal stress on the first region side, defects in the deposited film are reduced and the film quality is improved.
As a result, it becomes possible to improve the so-called temperature characteristic, in which the characteristics of the light receiving member change according to the temperature change of the environment in which the light receiving member is used, and to improve the charging ability and the image density unevenness between copy images. You can

【0042】さらに、前記第2領域に酸素原子を含有さ
せることも可能であり、この場合、弗素原子との相乗作
用によって、堆積膜のストレスをより効果的に緩和して
膜の構造欠陥を抑制する。このために、a−SiC中の
キャリアの走行性が改善されるため、特にa−SiC系
の光導電層で問題となる電位シフトが減少する。該酸素
原子は、前記第2領域中の酸素含有量が10原子ppm
より少ないと、さらなる膜の密着性の向上および異常成
長の発生の抑制を図ることが充分にはできず電位シフト
も大きくなる。5000原子ppmを越えると電子写真
の高速化に対応するための電気的特性が充分ではなくな
る。したがって、酸素原子の含有量としては、10〜5
00原子ppmとするがの好ましい。
Further, it is also possible to contain oxygen atoms in the second region. In this case, the synergistic action with fluorine atoms more effectively relieves the stress of the deposited film and suppresses structural defects of the film. To do. For this reason, the mobility of carriers in a-SiC is improved, and the potential shift, which is a problem particularly in the a-SiC-based photoconductive layer, is reduced. The oxygen atom has an oxygen content in the second region of 10 atom ppm.
If it is less, it is not possible to sufficiently improve the adhesion of the film and suppress the occurrence of abnormal growth, and the potential shift becomes large. If it exceeds 5000 atomic ppm, the electrical characteristics for coping with the speeding up of electrophotography become insufficient. Therefore, the content of oxygen atoms is 10 to 5
It is preferably set to 00 atom ppm.

【0043】さらに加えて、少なくとも第2領域中に含
有される酸素原子を層厚方向に不均一に分布させること
により、堆積膜のストレスをさらに効果的に緩和でき、
膜の構造欠陥を大幅に抑制することが可能となる。この
ために、特に長期間使用し続けることによる光導電層の
劣化を抑制するため、長期間使用後の感度、残留電位、
および電位シフト等の電子写真特性を大幅に改善するこ
とができる。
In addition, the stress of the deposited film can be more effectively relieved by unevenly distributing the oxygen atoms contained in at least the second region in the layer thickness direction,
It is possible to significantly suppress structural defects in the film. Therefore, in order to suppress deterioration of the photoconductive layer due to continuous use, sensitivity, residual potential, and
And electrophotographic characteristics such as potential shift can be significantly improved.

【0044】第2領域は真空堆積膜形成方法によって、
所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値
条件が設定されて作成される。具体的には、例えばグロ
ー放電法(低周波CVD法、高周波CVD法またはマイ
クロ波CVD法等の交流放電CVD法、あるいは直流放
電CVD法等)、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、光CVD法、熱CVD法等の数々
の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、
製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造するに
当たっての条件の制御が比較的容易であることからして
グロー放電法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法が好適である。そしてこれらの方法を同一装置系内
で併用して形成してもよい。例えば、グロー放電法によ
ってnon−SiC(H,F)の光導電層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子(Si)を供給し得るSi
供給用の原料ガスと、炭素原子(C)を供給し得るC供
給用の原料ガスと、水素原子(H)を供給し得るH供給
用の原料ガスと、弗素原子(F)を供給し得るF供給用
の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、予め所定の位置に設置されてある所定の基体表
面上にnon−SiC(H,F)からなる層を形成すれ
ばよい。
The second region is formed by the vacuum deposition film forming method.
The numerical conditions of the film forming parameters are appropriately set so that desired characteristics can be obtained. Specifically, for example, glow discharge method (low-frequency CVD method, high-frequency CVD method, alternating-current discharge CVD method such as microwave CVD method, or direct-current discharge CVD method), sputtering method, vacuum deposition method, ion plating method, It can be formed by various thin film deposition methods such as a photo CVD method and a thermal CVD method. These thin film deposition methods are based on manufacturing conditions, load level under capital investment,
It is appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing scale and desired characteristics of the electrophotographic light-receiving member to be produced.
The glow discharge method, the sputtering method, and the ion plating method are preferable because it is relatively easy to control the conditions for manufacturing the electrophotographic light-receiving member having desired characteristics. These methods may be used together in the same system. For example, in order to form a photoconductive layer of non-SiC (H, F) by the glow discharge method, it is basically possible to supply silicon atoms (Si) to Si.
A source gas for supply, a source gas for C supply that can supply carbon atoms (C), a source gas for H supply that can supply hydrogen atoms (H), and a fluorine atom (F) can be supplied. A raw material gas for supplying F is introduced in a desired gas state into a reaction vessel whose inside can be decompressed, a glow discharge is caused in the reaction vessel, and a predetermined substrate is installed in a predetermined position in advance. A layer made of non-SiC (H, F) may be formed on the surface.

【0045】使用されるSi供給用ガスとなり得る物質
としては、SiH4 、Si26 、Si38 、Si4
10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素
(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ、
さらに層作成時の取り扱い易さ、Si供給効率のよさ等
の点でSiH4 、Si26 が好ましいものとして挙げ
られる。また、これらのSi供給用の原料ガスを必要に
応じてH2 、He、Ar、Ne等のガスにより希釈して
使用してもよい。
The substances that can be used as the Si supply gas include SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 and Si 4.
Silicon hydrides (silanes) in a gas state such as H 10 or capable of being gasified are mentioned as being effectively used,
Further, SiH 4 and Si 2 H 6 are preferable as they are easy to handle when forming a layer and have good Si supply efficiency. In addition, these raw material gases for supplying Si may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar, or Ne, if necessary.

【0046】炭素原子導入用の原料物質となり得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。炭素原子(C)導入用の原料ガスになり得るも
のとして有効に使用される出発物質は、CとHとを構成
原子とする、例えば炭素数1〜5の飽和炭化水素、炭素
数2〜4のエチレン系炭化水素、炭素数2〜3のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。
As a material that can be used as a raw material for introducing carbon atoms, it is desirable to use a material that is gaseous at room temperature and atmospheric pressure or that can be easily gasified under at least the layer forming conditions. Starting materials that are effectively used as a raw material gas for introducing carbon atoms (C) include C and H as constituent atoms, for example, saturated hydrocarbons having 1 to 5 carbon atoms and 2 to 4 carbon atoms. Ethylene-based hydrocarbons, acetylene-based hydrocarbons having 2 to 3 carbon atoms, and the like.

【0047】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン(CH4 )、エタン(C26 )、プロパン(C3
8 )、n−ブタン(n−C410)、ペンタン(C5
12)、エチレン系炭化水素としては、エチレン(C2
4 )、プロピレン(C36)、ブテン−1(C4
8 )、ブテン−2(C48 )、イソブチレン(C4
8 )、ペンテン(C510)、アセチレン系炭化水素と
しては、アセチレン(C 22 )、メチルアセチレン
(C34 )、ブチン(C46 )等が挙げられる。ま
た、SiとCとを構成原子とする原料ガスとしては、S
i(CH34 、Si(C254 等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。この他に、炭素原子(C)の
導入に加えて、弗素原子の導入も行えるという点から、
CF4 、CF 3 、C26 、C38 、C48 等のフ
ッ化炭素化合物を挙げることができる。
Specifically, as the saturated hydrocarbon,
(CHFour ), Ethane (C2 H6 ), Propane (C3 H
8 ), N-butane (n-CFour HTen), Pentane (CFive H
12), Ethylene-based hydrocarbons include ethylene (C2 H
Four ), Propylene (C3 H6), Butene-1 (CFour H
8 ), Butene-2 (CFour H8 ), Isobutylene (CFour H
8 ), Penten (CFive HTen), With acetylene hydrocarbons
Then, acetylene (C 2 H2 ), Methylacetylene
(C3 HFour ), Butin (CFour H6 ) And the like. Well
Further, as a source gas containing Si and C as constituent atoms, S
i (CH3 )Four , Si (C2 HFive )Four Alky of Alchemy
You can list them. In addition to this, carbon atom (C)
In addition to the introduction, it is possible to introduce a fluorine atom,
CFFour , CF 3 , C2 F6 , C3 F8 , CFour F8 Etc.
Carbon fluoride compounds can be mentioned.

【0048】使用される弗素供給用ガスとして有効なの
は、例えば弗素ガス、弗素化物、弗素を含むハロゲン間
化合物、弗素で置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得る弗素化合物が好ましく挙げられる。ま
た、さらにはシリコン原子と弗素原子とを構成要素とす
るガス状のまたはガス化し得る、弗素原子を含む水素化
珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。好
適に使用し得る弗素化合物としては、具体的には弗素ガ
ス(F2 )、BrF、ClF、ClF3 、BrF3 、B
rF5 、IF3 、IF7 等のハロゲン間化合物を挙げる
ことができる。
As the fluorine-supplying gas to be used, gaseous or gasifiable fluorine compounds such as fluorine gas, fluorides, fluorine-containing interhalogen compounds, and fluorine-substituted silane derivatives are preferably used. . Further, a gaseous or gasifiable silicon hydride compound containing a fluorine atom, which contains silicon atoms and fluorine atoms as constituent elements, can be cited as an effective one. Specific examples of the fluorine compound that can be preferably used include fluorine gas (F 2 ), BrF, ClF, ClF 3 , BrF 3 , and B.
There may be mentioned interhalogen compounds such as rF 5 , IF 3 and IF 7 .

【0049】弗素原子を含む珪素化合物、いわゆる弗素
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
例えばSiF4 、Si26 等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。このような弗素原子を
含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本発明
の電子写真用光受容部材を形成する場合には、Si供給
用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくても、所定
の基体上に弗素原子を含むnc−Si(H,F)からな
る第2の光導電層を形成することができるが、形成され
る第2の光導電層中に導入される水素原子の導入割合の
制御を一層容易になるように図るために、これらのガス
にさらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。また、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えないものである。
As a silicon compound containing a fluorine atom, a so-called silane derivative substituted with a fluorine atom, specifically,
For example, silicon fluorides such as SiF 4 and Si 2 F 6 can be mentioned as preferable ones. When such a silicon compound containing a fluorine atom is adopted to form the electrophotographic light-receiving member of the present invention by glow discharge or the like, it is possible to use a silicon hydride gas as a Si supply gas, A second photoconductive layer made of nc-Si (H, F) containing a fluorine atom can be formed on a predetermined substrate, but hydrogen atoms introduced into the formed second photoconductive layer can be formed. In order to control the introduction ratio more easily, it is preferable that a desired amount of hydrogen gas or a silicon compound gas containing hydrogen atoms is further mixed with these gases to form a layer. Also,
Each gas may be mixed not only with a single kind but also with a plurality of kinds at a predetermined mixing ratio.

【0050】弗素原子供給用ガスとして上記されたフッ
化物あるいは弗素を含む珪素化合物が有効なものとして
使用されるものであるが、その他に、HF、SiH3
F、SiH22 、SiHF3 等の弗素置換水素化珪
素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効
な第2の光導電層形成用の原料物質として挙げることが
できる。これらの物質のうち、水素原子を含む弗素化物
は、第2の光導電層形成の際に層中に弗素原子の導入と
同時に、電気的あるいは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
弗素原子供給用ガスとして使用される。
As the gas for supplying fluorine atoms, the above-mentioned fluorides or silicon compounds containing fluorine are effectively used. In addition to these, HF and SiH 3 are also used.
Substances in the gas state or gasifiable such as F, SiH 2 F 2 , SiHF 3 and the like, which are fluorine-substituted silicon hydrides, can also be mentioned as effective raw material for forming the second photoconductive layer. Among these substances, the fluorinated compound containing a hydrogen atom introduces a fluorine atom into the layer during the formation of the second photoconductive layer, and at the same time, introduces a hydrogen atom which is extremely effective in controlling the electrical or photoelectric properties. Therefore, it is used as a suitable gas for supplying fluorine atoms in the present invention.

【0051】酸素原子(O)導入用のガスとなり得るも
のとして有効に使用される出発物質は、例えば、酸素
(O2 )、オゾン(O3 )、一酸化窒素(NO)、二酸
化窒素(NO2 )、一二酸化窒素(N2 O)、三二酸化
窒素(N23 )、四三酸化窒素(N24 )、五二酸
化窒素(N25 )等を挙げることができる。この他
に、炭素原子(C)の導入に加えて、酸素原子の導入も
行えるという点から、CO、CO2 等の化合物を挙げる
ことができる。
Starting materials that are effectively used as a gas for introducing oxygen atoms (O) include, for example, oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ), nitric oxide (NO), and nitrogen dioxide (NO). 2 ), nitrogen monoxide (N 2 O), nitrogen trioxide (N 2 O 3 ), nitrogen trioxide (N 2 O 4 ), nitrogen pentaoxide (N 2 O 5 ) and the like. In addition to these, compounds such as CO and CO 2 can be mentioned in that oxygen atoms can be introduced in addition to carbon atoms (C).

【0052】水素原子(H)を第2の光導電層中に構造
的に導入するには、上記の他にH2、あるいはSiH
4 、Si26 、Si38 、Si410等の水素化珪
素とSiを供給するためのシリコンまたはシリコン化合
物とを反応容器中に共存させて放電を生起させることで
も行うことができる。第2領域中に含有される水素原子
および/または弗素原子の量を制御するには、例えば基
体温度、水素原子あるいは弗素原子を含有させるために
使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電
力等を制御すればよい。
In order to structurally introduce hydrogen atoms (H) into the second photoconductive layer, in addition to the above, H 2 or SiH
It is also possible to cause discharge by causing silicon hydride such as 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 and Si 4 H 10 and silicon or a silicon compound for supplying Si to coexist in the reaction vessel. it can. In order to control the amount of hydrogen atoms and / or fluorine atoms contained in the second region, for example, the temperature of the substrate, the amount of the raw material used to contain hydrogen atoms or fluorine atoms introduced into the reaction vessel. , Discharge power, etc. may be controlled.

【0053】さらに、第2領域には必要に応じて伝導性
を制御する原子(M)を含有させることが好ましい。伝
導性を制御する原子は、第2の光導電層中に万遍なく均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向には不均一な分布状態で含有している部分があって
もよい。この伝導性を制御する原子としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、p型
伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子(以後
「第III 族原子」と略記する)またはn型伝導特性を与
える周期律表V族に属する原子(以後「第V族原子」と
略記する)を用いることができる。
Furthermore, it is preferable that the second region contains an atom (M) for controlling the conductivity, if necessary. Atoms for controlling conductivity may be contained in the second photoconductive layer in a uniformly distributed state, or may be contained in a non-uniformly distributed state in the layer thickness direction. It may be. Examples of the atom that controls the conductivity include so-called impurities in the field of semiconductors, and an atom belonging to Group III of the periodic table (hereinafter abbreviated as "Group III atom") or n that gives p-type conductivity. An atom belonging to Group V of the Periodic Table (hereinafter abbreviated as “Group V atom”) that imparts type conduction characteristics can be used.

【0054】第III 族原子としては、具体的には、B
(硼素)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、
In(インジウム)、Tl(タリウム)等があり、特に
B、Al、Gaが好適である。第V族原子としては、具
体的にはP(燐)、As(砒素)、Sb(アンチモ
ン)、Bi(ビスマス)等があり、特にP、Asが好適
である。光導電層に含有される伝導性を制御する原子
(M)の含有量としては、好ましくは1×10-3〜5×
104 原子ppm、より好ましくは1×10-2〜1×1
4 原子ppm、最適には1×10-1〜5×103 原子
ppmとされるのが望ましい。特に、光導電層において
炭素原子(C)の含有量が1×103 原子ppm以下の
場合は、光導電層に含有される原子(M)の含有量とし
ては好ましくは1×10-3〜1×103 原子ppmとさ
れるのが望ましく、炭素原子(C)の含有量が1×10
3 原子ppmを越える場合は、原子(M)の含有量とし
ては、好ましくは1×10-1〜5×104 原子ppmと
されるのが望ましい。
Specific examples of the group III atom include B
(Boron), Al (aluminum), Ga (gallium),
There are In (indium), Tl (thallium) and the like, and B, Al and Ga are particularly preferable. Specific examples of the Group V atom include P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), Bi (bismuth), and the like, with P and As being particularly preferable. The content of atoms (M) controlling the conductivity contained in the photoconductive layer is preferably 1 × 10 −3 to 5 ×.
10 4 atomic ppm, more preferably 1 × 10 -2 to 1 × 1
It is desirable that the concentration is 0 4 atomic ppm, optimally 1 × 10 −1 to 5 × 10 3 atomic ppm. Particularly, when the content of carbon atoms (C) in the photoconductive layer is 1 × 10 3 atomic ppm or less, the content of atoms (M) contained in the photoconductive layer is preferably 1 × 10 −3 to. 1 × 10 3 atomic ppm is desirable, and the content of carbon atoms (C) is 1 × 10 3.
When it exceeds 3 atomic ppm, the content of atoms (M) is preferably 1 × 10 −1 to 5 × 10 4 atomic ppm.

【0055】第2領域中に、伝導性を制御する原子、例
えば、第III 族原子あるいは第V族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第V族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、第2領域を形成するための他のガスと共に
導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質あ
るいは第V族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III 族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、B26 、B4
10、B59 、B511、B610、B 612、B6
14等の水素化硼素、BF3 、BCl3 BBr3 等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3 、Ga
Cl3 、Ga(CH33 、InCl3 、TlCl3
も挙げることができる。
In the second region, atoms that control conductivity, eg
For example, structurally introducing a group III atom or a group V atom.
In order to form a layer, a raw material for introducing a group III atom
Quality or raw material for group V atom introduction in gas state
In the reaction vessel together with other gas for forming the second region
Just introduce it. Source material for introducing Group III atoms
Or a raw material for introducing Group V atoms
Is a gas at room temperature and pressure, or at least a layer-forming strip.
It is desirable that those that can be easily gasified under the circumstances be adopted.
Yes. As a raw material for introducing such a Group III atom,
Physically, for introducing boron atoms, B2 H6 , BFour H
Ten, BFive H9 , BFive H11, B6 HTen, B 6 H12, B6 H
14Borohydride, BF, etc.3 , BCl3 BBr3 Etc. halo
Examples thereof include boron genide. In addition, AlCl3 , Ga
Cl3 , Ga (CH3 )3 , InCl3 , TlCl3 etc
Can also be mentioned.

【0056】第V族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、PH3 、P24 等の水素化燐、PH4 I、PF
3 、PF5 、PCl3 、PCl5 、PBr3 、PBr
5 、PI3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、A
sH3 、AsF3 、AsCl3 、AsBr3 、AsF
5 、SbH3 、SbF3 、SbF5 、SbCl3 、Sb
Cl5 、BiH3 、BiCl 3 、BiBr3 等も第V族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
できる。
The present invention as a raw material for introducing a group V atom
Is effectively used in introducing phosphorus atoms
Is PH3 , P2 HFour Phosphorus hydride, PH, etc.Four I, PF
3 , PFFive , PCl3 , PClFive , PBr3 , PBr
Five , PI3 And the like. Besides this, A
sH3 , AsF3 , AsCl3 , AsBr3 , AsF
Five , SbH3 , SbF3 , SbFFive , SbCl3 , Sb
ClFive , BiH3 , BiCl 3 , BiBr3 And so on
The effective starting materials for introducing atoms are
it can.

【0057】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてH2 、He、Ar、Ne等
のガスにより希釈して使用してもよい。さらには光受容
部材の第2領域には、周期律表第Ia族、IIa族、VIb
族、VIII族から選ばれる少なくとも1種の元素を0.1
から10000ppm程度含有してもよい。前記元素は
前記第2の光導電層中に万遍なく均一に分布されてもよ
いし、あるいは該第2の光導電層中に万遍なく含有され
てはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含
有している部分があってもよい。
Further, these raw material substances for introducing atoms for controlling the conductivity may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar or Ne, if necessary. Further, in the second region of the light receiving member, there are Ia group, IIa group and VIb group of the periodic table.
At least one element selected from Group VIII and Group VIII
To about 10,000 ppm may be contained. The element may be evenly and evenly distributed in the second photoconductive layer, or even if it is uniformly contained in the second photoconductive layer, it is not uniform in the layer thickness direction. There may be a portion that contains it in a uniformly distributed state.

【0058】第Ia族原子としては、具体的にはLi
(リチウム)、Na(ナトリウム)、K(カリウム)を
挙げることができ、第IIa族原子としては、Be(ベリ
リウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウ
ム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)等を
挙げることができる。また、第VIb族原子としては、具
体的には、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、W
(タングステン)等を挙げることができる、第VIII族原
子としては、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニ
ッケル)等を挙げることができる。
As the group Ia atom, specifically, Li
(Lithium), Na (sodium), K (potassium) can be mentioned, and as the group IIa atom, Be (beryllium), Mg (magnesium), Ca (calcium), Sr (strontium), Ba (barium) can be mentioned. Etc. can be mentioned. Further, as the VIb group atom, specifically, Cr (chromium), Mo (molybdenum), W
(Tungsten) and the like. Examples of the Group VIII atom include Fe (iron), Co (cobalt), and Ni (nickel).

【0059】第2領域の層厚は所望の電子写真特性が得
られることおよび経済的効果等の点から適宜所望にした
がって決定され、第2の光導電層については、好ましく
は5〜50μm、より好ましくは10〜40μm、最適
には20〜30μmとされるのが望ましい。
The layer thickness of the second region is appropriately determined as desired in view of obtaining desired electrophotographic characteristics and economical effects. For the second photoconductive layer, it is preferably 5 to 50 μm. The thickness is preferably 10 to 40 μm, and most preferably 20 to 30 μm.

【0060】nc−SiC(H,F)からなる第2の光
導電層を形成するには、基体の温度、反応容器内のガス
圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。基体
の温度(Ts)は、層設計にしたがって適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、好ましくは20〜500
℃、より好ましくは50〜480℃、最適には100〜
450℃とするのが望ましい。反応容器内のガス圧も同
様に層設計にしたがって適宜範囲が選択されるが、通所
の場合、好ましくは1×10-5〜10Torr、好まし
くは5×10-5〜3Torr、最適には1×10-4〜1
Torrとするのが好ましい。前記各層を作成するため
の基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した
範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通常
は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性
を有する第2領域を形成すべく相互的かつ有機的関連性
に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決めるのが
望ましい。さらに、第2領域の前記基体側に、少なくと
もアルミニウム原子、シリコン原子、炭素原子および水
素原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域
を有することが望ましい。
In order to form the second photoconductive layer made of nc-SiC (H, F), the temperature of the substrate and the gas pressure in the reaction vessel need to be appropriately set as desired. The temperature (Ts) of the substrate is appropriately selected according to the layer design, but in the usual case, it is preferably 20 to 500.
° C, more preferably 50-480 ° C, optimally 100-
The temperature is preferably 450 ° C. Similarly, the gas pressure in the reaction vessel is appropriately selected according to the layer design, but in the case of a common place, it is preferably 1 × 10 −5 to 10 Torr, preferably 5 × 10 −5 to 3 Torr, most preferably 1 ×. 10 -4 ~ 1
Torr is preferred. Although the above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges of the substrate temperature and the gas pressure for forming each of the layers, these layer forming factors are not usually independently determined separately, and those having desired characteristics may be used. It is desirable to determine the optimum value of each layer formation factor on the basis of mutual and organic relationships to form two regions. Further, it is desirable to have a layer region containing at least aluminum atoms, silicon atoms, carbon atoms and hydrogen atoms in a non-uniform distribution state in the layer thickness direction on the side of the substrate in the second region.

【0061】<第1領域203(第1の光導電層)>本
発明の光受容部材における第1領域は、例えば、構成要
素としてシリコン原子と水素原子を含むnc−Si:H
からなり、所望の光導伝性特に電荷発生特性、電荷輸送
特性を有する。すなわち、シリコン原子、水素原子から
なる非単結晶質であり、水素原子を1〜40原子%含有
している。この第1の光導電層はフォトキャリアを効率
よく生成し、長波長の光の吸収を高め、感度を向上させ
るために設けられる。また、他の効果としては、帯電極
性と逆の電気極性のキャリアの走行性が第2の光導電層
よりもよいため、ゴーストが軽減されるという予期せぬ
効果も得られる。
<First Region 203 (First Photoconductive Layer)> The first region in the light receiving member of the present invention includes, for example, nc-Si: H containing silicon atoms and hydrogen atoms as constituent elements.
And has desired photoconductive properties, in particular, charge generation properties and charge transport properties. That is, it is a non-single crystalline material composed of silicon atoms and hydrogen atoms, and contains 1 to 40 atom% of hydrogen atoms. The first photoconductive layer is provided to efficiently generate photocarriers, enhance absorption of long wavelength light, and improve sensitivity. Further, as another effect, since the traveling property of carriers having an electric polarity opposite to the charging polarity is better than that of the second photoconductive layer, an unexpected effect that ghost is reduced can be obtained.

【0062】第1の光導電層は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーター
の数値条件が設定されて作成される。具体的には、例え
ばグロー放電法(低周波CVD法、高周波CVD法また
はマイクロ波CVD法等の交流放電CVD法、あるいは
直流放電CVD法等)、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光CVD法、熱CVD法
等の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製
造するに当たっての条件の制御が比較的容易であること
からして、グロー放電法、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法が好適である。そしてこれらの方法を同
一装置系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー
放電法によってnc−Si:Hの光導電層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子(Si)を供給し得るSi
供給用の原料ガスと、水素原子(H)を供給し得るH供
給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、予め所定の位置に設置されてある所定の基体
表面上にnc−Si:Hからなる層を形成すればよい。
The first photoconductive layer is formed by the vacuum deposition film forming method, by appropriately setting the numerical conditions of the film forming parameters so that desired characteristics can be obtained. Specifically, for example, glow discharge method (low-frequency CVD method, high-frequency CVD method, alternating-current discharge CVD method such as microwave CVD method, or direct-current discharge CVD method), sputtering method, vacuum deposition method, ion plating method, It can be formed by various thin film deposition methods such as a photo CVD method and a thermal CVD method.
These thin film deposition methods are appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing conditions, load level under capital investment, manufacturing scale, and desired characteristics of the electrophotographic light-receiving member to be prepared. The glow discharge method, the sputtering method, and the ion plating method are preferable because it is relatively easy to control the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member having the characteristics. These methods may be used together in the same system. For example, in order to form a photoconductive layer of nc-Si: H by the glow discharge method, it is basically possible to supply silicon atoms (Si) to Si.
A raw material gas for supply and a raw material gas for H supply capable of supplying hydrogen atoms (H) are introduced in a desired gas state into a reaction vessel whose inside can be decompressed, and glow discharge is performed in the reaction vessel. A layer made of nc-Si: H may be formed on the surface of a predetermined substrate that is caused to occur and is installed at a predetermined position in advance.

【0063】本発明において使用されるSi供給用ガス
となり得る物質としては、SiH4、Si26 、Si3
8 、Si410等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素(シラン類)が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Si供給
効率のよさ等の点でSiH4 、Si26 が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのSi供給用の原料
ガスを必要に応じてH 2 、He、Ar、Ne等のガスに
より希釈して使用してもよい。
Si supply gas used in the present invention
Possible substances include SiHFour, Si2 H6 , Si3
 H8 , SiFour HTenEtc. in a gas state, or can be gasified
Silicon hydride (silanes) shall be used effectively.
Easy handling at the time of layer formation, Si supply
SiH in terms of efficiencyFour , Si2 H6 Is also preferred
Can be listed as. In addition, these raw materials for Si supply
Gas as needed H 2 For gases such as He, Ar, Ne, etc.
You may use it after diluting it more.

【0064】形成される第1領域中に導入される水素原
子の導入割合の制御を一層容易になるように図るため
に、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子を含
む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが
好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合
比で複数種混合しても差し支えないものである。水素原
子を第1領域中に構造的に導入するには、上記の他にH
2 、あるいはSiH4 、Si26 、Si38 、Si
410等の水素化珪素とSiを供給するためのシリコン
またはシリコン化合物とを反応容器中に共存させて放電
を生起させることでも行うことができる。第1領域中に
含有される水素原子の量を制御するには、例えば基体温
度、水素原子を含有させるために使用される原料物質の
反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよ
い。
In order to make it easier to control the introduction ratio of hydrogen atoms introduced into the first region formed, hydrogen gas or a silicon compound gas containing hydrogen atoms is also desired in these gases. It is preferable to form a layer by mixing the amounts. Further, each gas may be mixed not only with one kind but also with plural kinds at a predetermined mixing ratio. To structurally introduce a hydrogen atom into the first region, in addition to the above, H
2 , or SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 , Si
It can also be carried out by causing silicon hydride such as 4 H 10 and the like or silicon or a silicon compound for supplying Si to coexist in the reaction vessel to cause discharge. To control the amount of hydrogen atoms contained in the first region, for example, the substrate temperature, the amount of raw material used to contain hydrogen atoms introduced into the reaction vessel, the discharge power, etc. can be controlled. Good.

【0065】さらに、第1領域には必要に応じて伝導性
を制御する原子(M)を含有させることが好ましい。伝
導性を制御する原子は、第1領域中に万遍なく均一に分
布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向に
は不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。この伝導性を制御する原子としては、半導体分野に
おける、いわゆる不純物を挙げることができ、p型伝導
特性を与える周期律表III 族に属する原子(以後「第II
I 族原子」と略記する)またはn型伝導特性を与える周
期律表V族に属する原子(以後「第V族原子」と略記す
る)を用いることができる。
Further, it is preferable that the first region contains an atom (M) for controlling conductivity, if necessary. The atoms that control the conductivity may be contained in the first region in a uniformly distributed state, or even in a portion having a non-uniformly distributed state in the layer thickness direction. Good. Atoms that control the conductivity include so-called impurities in the field of semiconductors, and atoms that belong to Group III of the periodic table that give p-type conductivity (hereinafter referred to as “II
Or an atom belonging to Group V of the periodic table (hereinafter abbreviated as “Group V atom”) that imparts n-type conduction characteristics.

【0066】第III 族原子としては、具体的には、B
(硼素)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、
In(インジウム)、Tl(タリウム)等があり、特に
B、Al、Gaが好適である。第V族原子としては、具
体的にはP(燐)、As(砒素)、Sb(アンチモ
ン)、Bi(ビスマス)等があり、特にP、Asが好適
である。第1の光導電層に含有される伝導性を制御する
原子(M)の含有量としては、好ましくは1×10-3
5×104 原子ppm、より好ましくは1×10-2〜1
×104 原子ppm、最適には1×10-5〜5×103
原子ppmとされるのが望ましい。
Specific examples of the group III atom include B
(Boron), Al (aluminum), Ga (gallium),
There are In (indium), Tl (thallium) and the like, and B, Al and Ga are particularly preferable. Specific examples of the Group V atom include P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), Bi (bismuth), and the like, with P and As being particularly preferable. The content of atoms (M) controlling the conductivity contained in the first photoconductive layer is preferably from 1 × 10 −3 to
5 × 10 4 atomic ppm, more preferably 1 × 10 -2 to 1
× 10 4 atomic ppm, optimally 1 × 10 -5 to 5 × 10 3
It is desirable to set it to atomic ppm.

【0067】第1領域中に、伝導性を制御する原子、例
えば、第III 族原子あるいは第V族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第V族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層を形成するための他のガスと共に
導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質あ
るいは第V族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状または、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III 族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、B26 、B4
10、B59 、B511、B610、B612、B6
14等の水素化硼素、BF3 、BCl3 、BBr3 等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3 、G
aCl3 、Ga(CH33 、InCl3 、TlCl3
等も挙げることができる。
In order to structurally introduce a conductivity-controlling atom into the first region, for example, a group III atom or a group V atom, a raw material for introducing a group III atom during layer formation is used. The substance or the raw material for introducing the group V atom may be introduced into the reaction vessel in a gas state together with another gas for forming the photoconductive layer. As a raw material for introducing a group III atom or a raw material for introducing a group V atom, a gaseous substance at room temperature and normal pressure or a substance that can be easily gasified under at least a layer forming condition is adopted. Is desirable. As such a raw material for introducing a Group III atom, specifically, for introducing a boron atom, B 2 H 6 , B 4 H
10 , B 5 H 9 , B 5 H 11 , B 6 H 10 , B 6 H 12 , B 6 H
Examples thereof include boron hydride such as 14 and boron halide such as BF 3 , BCl 3 and BBr 3 . In addition to this, AlCl 3 , G
aCl 3 , Ga (CH 3 ) 3 , InCl 3 , TlCl 3
Etc. can also be mentioned.

【0068】第V族原子導入用の原料物質として有効に
使用されるのは、燐原子導入用としては、PH3 、P2
4 等の水素化燐、PH4 I、PF3 、PF5 、PCl
3 、PCl5 、PBr3 、PBr5 、PI3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3 、AsF3 、A
sCl3 、AsBr3 、AsF5 、SbH3 、SbF
3 、SbF5 、SbCl3 、SbCl5 、BiH3 、B
iCl3 、BiBr3 等も第V族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。
Effective as a raw material for introducing a Group V atom
PH is used for introducing phosphorus atoms.3 , P2 
HFour Phosphorus hydride, PH, etc.Four I, PF3 , PFFive , PCl
3 , PClFive , PBr3 , PBrFive , PI3 Etc.
Phosphorous oxide. Besides this, AsH3 , AsF3 , A
sCl3 , AsBr3 , AsFFive , SbH3 , SbF
3 , SbFFive , SbCl3 , SbClFive , BiH3 , B
iCl3 , BiBr3 Etc. are starting materials for introducing Group V atoms
Can be listed as an effective one.

【0069】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてH2 、He、Ar、Ne等
のガスにより希釈して使用してもよい。さらに第1領域
には、周期律表第Ia族、IIa族、VIb族、VIII族から
選ばれる少なくとも1種の元素を0.1から10000
ppm程度含有してもよい。前記元素は前記第1領域中
に万遍なく均一に分布されてもよいし、あるいは該第1
領域中に万遍なく含有されてはいるが、層厚方向に対し
不均一に分布する状態で含有している部分があってもよ
い。第Ia族原子としては、具体的にはLi(リチウ
ム)、Na(ナトリウム)、K(カリウム)を挙げるこ
とができ、第IIa族原子としては、Be(ベリリウ
ム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、S
r(ストロンチウム)、Ba(バリウム)等を挙げるこ
とができる。また、第VIb族原子としては、具体的に
は、Cr(クロム)、Mo(モリブデン)、W(タング
ステン)等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)
等を挙げることができる。
Further, these raw material substances for introducing the atoms for controlling the conductivity may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar or Ne, if necessary. Further, the first region contains 0.1 to 10000 of at least one element selected from Group Ia, Group IIa, Group VIb, and Group VIII of the Periodic Table.
You may contain about ppm. The element may be evenly and evenly distributed in the first region, or
Although it is contained evenly in the region, there may be a portion contained in a state in which it is distributed nonuniformly in the layer thickness direction. Specific examples of the group Ia atom include Li (lithium), Na (sodium) and K (potassium), and specific group IIa atoms include Be (beryllium), Mg (magnesium) and Ca ( Calcium), S
Examples thereof include r (strontium) and Ba (barium). Specific examples of the Group VIb atom include Cr (chromium), Mo (molybdenum), W (tungsten), and the like, and Group VIII atoms include Fe (iron) and Co (cobalt). ), Ni (nickel)
Etc. can be mentioned.

【0070】第1領域の層厚は所望の電子写真特性が得
られることおよび経済的効果等の点から適宜所望にした
がって決定され、第1領域については、好ましくは0.
5〜15μm、より好ましくは1〜10μm、最適には
1〜5μmとされるのが望ましい。
The layer thickness of the first region is appropriately determined as desired in view of obtaining desired electrophotographic characteristics and economic effects, and the first region is preferably 0.
The thickness is preferably 5 to 15 μm, more preferably 1 to 10 μm, and most preferably 1 to 5 μm.

【0071】nc−Si:Hからなる第1領域を形成す
るには、基体の温度、反応容器内のガス圧を所望にした
がって、適宜設定する必要がある。基体の温度(Ts)
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
通常の場合、好ましくは20〜500℃、より好ましく
は50〜480℃、最適には100〜450℃とするの
が望ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通所の場合、好ま
しくは1×10-5〜10Torr、好ましくは5×10
-5〜3Torr、最適には1×10-4〜1Torrとす
るのが好ましい。前記各層を作成するための基体温度、
ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する光導
電層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて、
各層作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。第
1領域と表面層との間に、組成を連続的に変化させた層
領域を設けてもよい。該層領域を設けることにより各層
間での密着性をより向上させることができる。
In order to form the first region made of nc-Si: H, the temperature of the substrate and the gas pressure in the reaction vessel need to be appropriately set as desired. Substrate temperature (Ts)
The optimum range is selected according to the layer design,
In the usual case, the temperature is preferably 20 to 500 ° C, more preferably 50 to 480 ° C, and most preferably 100 to 450 ° C. Similarly, the gas pressure in the reaction vessel is appropriately selected according to the layer design, but in the case of a common place, it is preferably 1 × 10 −5 to 10 Torr, preferably 5 × 10 5.
-5 to 3 Torr, and most preferably 1 x 10 -4 to 1 Torr. Substrate temperature for making each of the layers,
Although the above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges of gas pressure, these layer forming factors are not usually independently determined separately, but they are mutually and organically formed so as to form a photoconductive layer having desired characteristics. Based on physical relevance
It is desirable to determine the optimum value for each layer creation factor. A layer region whose composition is continuously changed may be provided between the first region and the surface layer. By providing the layer region, the adhesion between the layers can be further improved.

【0072】<表面層204>本発明の光受容部材にお
ける表面層は、例えば、シリコン原子と水素原子を構成
要素とする非単結晶材料で構成され、これに少なくとも
炭素原子とハロゲン原子と周期律表の第III 族元素を同
時に含有し、さらに酸素原子および/または窒素原子を
含有する。
<Surface Layer 204> The surface layer in the light-receiving member of the present invention is made of, for example, a non-single crystal material having silicon atoms and hydrogen atoms as constituent elements, and at least carbon atoms, halogen atoms, and a periodic law. It contains Group III elements in the table at the same time, and further contains oxygen atoms and / or nitrogen atoms.

【0073】該表面層に含有されるシリコン原子、水素
原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子、ハロゲン原子、
周期律表第III 族元素は該層中に万遍なく均一に分布さ
れてもよいし、不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。この表面層においてシリコン原子、
水素原子、炭素原子、ハロゲン原子、周期律表の第III
族元素、さらに酸素原子および/または窒素原子が、同
時に含有されることにより、これらの相乗効果によって
電気的耐圧性が向上し、長期の使用にわたっても「ポ
チ」、「リークポチ」の発生を抑制する効果が得られ
る。また、耐久時において再生紙を使用する場合におい
ても、シリコン原子と水素原子を構成要素とする前記表
面層に、炭素原子とハロゲン原子と周期律表の第III 族
元素、さらに酸素原子および/または窒素原子を同時に
含有させることによって、表面硬度が向上し、耐環境特
性が向上するために、再生紙のロジン等のサイズ剤が光
受容部材の表面に付着することを防止し、長期の使用に
おけるトナーの融着や画像流れを無くすことに効果を発
揮する。
Silicon atom, hydrogen atom, carbon atom, oxygen atom, nitrogen atom, halogen atom contained in the surface layer,
The Group III element of the periodic table may be evenly distributed in the layer or may have a portion containing it in a non-uniformly distributed state. Silicon atoms in this surface layer,
Hydrogen atom, carbon atom, halogen atom, III of the periodic table
By simultaneously containing a group element, and further an oxygen atom and / or a nitrogen atom, the electrical pressure resistance is improved due to their synergistic effect, and the occurrence of “potty” and “leak point” is suppressed even during long-term use. The effect is obtained. Even when recycled paper is used during durability, carbon atoms, halogen atoms, Group III elements of the periodic table, oxygen atoms and / or By containing nitrogen atoms at the same time, the surface hardness is improved and the environment resistance property is improved, so that the sizing agent such as rosin of recycled paper is prevented from adhering to the surface of the light receiving member, and thus long-term use It is effective in eliminating toner fusion and image deletion.

【0074】該表面層の含有元素で酸素原子と窒素原子
はそのどちらを含有させた場合も同じ効果が得られ、ま
た両者を同時に含有させてもその効果は変わらない。特
に該層において、その最表面もしくは最表面近傍におけ
る炭素原子の含有量が、シリコン原子と炭素原子の和に
対して70原子%以上あればより表面強度が向上し、さ
らに帯電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるの
を効果的に阻止できるため、帯電能および耐久性の向上
を図ることができる。一方、炭素含有量が90原子%を
越えると感度が低下してしまう。よって最表面もしくは
最表面近傍における炭素原子の含有量は、シリコン原子
と炭素原子の和に対して好適には70〜90原子%、さ
らに好適には70〜86原子%、最適には70〜83原
子%とするのが好ましい。
The same effect can be obtained when either oxygen atom or nitrogen atom is contained as the element contained in the surface layer, and the effect is not changed when both are contained at the same time. Particularly, in the layer, when the content of carbon atoms on the outermost surface or in the vicinity of the outermost surface is 70 atomic% or more with respect to the sum of silicon atoms and carbon atoms, the surface strength is further improved, and when subjected to a charging treatment. It is possible to effectively prevent the charge from being injected from the surface to improve the charging ability and durability. On the other hand, if the carbon content exceeds 90 atomic%, the sensitivity will decrease. Therefore, the content of carbon atoms on the outermost surface or in the vicinity of the outermost surface is preferably 70 to 90 atom%, more preferably 70 to 86 atom%, and most preferably 70 to 83 with respect to the sum of silicon atoms and carbon atoms. It is preferably in atomic%.

【0075】酸素原子の含有量は好適には1×10-4
30原子%、最適には3×10-4〜20原子%とされる
のが望ましい。窒素原子の含有量は好適には1×10-4
〜30原子%、最適には3×10-4〜20原子%とされ
得るのが望ましい。また酸素原子と窒素原子を同時に含
有する場合には、これらの含有量の和が好適には1×1
-4〜30原子%、最適には3×10-4〜20原子%と
されるのが望ましい。
The content of oxygen atoms is preferably from 1 × 10 −4 to
It is desirable that the content is 30 atomic%, and most preferably 3 × 10 −4 to 20 atomic%. The content of nitrogen atoms is preferably 1 × 10 -4
It is desirable that it can be ˜30 atom%, and most preferably 3 × 10 −4 -20 atom%. When oxygen atoms and nitrogen atoms are contained at the same time, the sum of these contents is preferably 1 × 1.
It is desirable that the content be 0 −4 to 30 atom%, and most preferably 3 × 10 −4 to 20 atom%.

【0076】また、表面層に含有される水素原子および
ハロゲン原子は、nc−SiC(H,X)内に存在する
未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏し、光導電層と
表面層の界面にトラップされるキャリアーを減少させる
ため、画像流れを改善する。さらにハロゲン原子は表面
層の撥水性を向上させるので、水蒸気の吸着による高湿
流れも減少させる。表面層中のハロゲン原子の含有量は
好適には20原子%以下であり、さらに水素原子とハロ
ゲン原子の含有量の和は好適には15〜80原子%、よ
り好適には20〜75原子%、最適には25〜70原子
%とするのが望ましい。
Further, the hydrogen atoms and halogen atoms contained in the surface layer compensate for dangling bonds existing in nc-SiC (H, X) and are effective in improving the film quality. The image trapping is improved by reducing the carriers trapped at the interface. Further, since the halogen atom improves the water repellency of the surface layer, the high humidity flow due to the adsorption of water vapor is also reduced. The content of halogen atoms in the surface layer is preferably 20 atom% or less, and the sum of the content of hydrogen atoms and halogen atoms is preferably 15 to 80 atom%, more preferably 20 to 75 atom%. Optimally, it is desirable that the content is 25 to 70 atomic%.

【0077】周期律表第III 族元素としては、具体的に
は、B(硼素)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウ
ム)、In(インジウム)、Tl(タリウム)等があ
り、特にB、Al、Gaが好適である。周期律表第III
族元素の含有量は好適には1×10-5〜1×105 原子
ppm、より好適には5×10-5〜5×104 原子pp
m、最適には1×10-4〜3×104 原子ppmとされ
るのが望ましい。
Specific examples of the Group III element of the periodic table include B (boron), Al (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Tl (thallium), etc., and particularly B and Al. , Ga are preferred. Periodic Table III
The content of the group element is preferably 1 × 10 −5 to 1 × 10 5 atom ppm, more preferably 5 × 10 −5 to 5 × 10 4 atom pp.
m, most preferably 1 × 10 −4 to 3 × 10 4 atomic ppm.

【0078】さらに表面層に、周期律表第Ia族、IIa
族、VIb族、VIII族から選ばれる少なくとも1種の元素
を0.1から10000ppm程度含有してもよい。前
記元素は前記光導電層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは該光導電層中に万遍なく含有されては
いるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有し
ている部分があってもよい。第Ia族原子としては、具
体的にはLi(リチウム)、Na(ナトリウム)、K
(カリウム)を挙げることができ、第IIa族原子として
は、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca
(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリ
ウム)等を挙げることができる。また、第VIb族原子と
しては、具体的には、Cr(クロム)、Mo(モリブデ
ン)、W(タングステン)等を挙げることができ、第VI
II族原子としては、Fe(鉄)、Co(コバルト)、N
i(ニッケル)等を挙げることができる。
Further, in the surface layer, periodic table group Ia, IIa
At least one element selected from Group VIb, Group VIII may be contained in an amount of about 0.1 to 10000 ppm. The element may be evenly distributed in the photoconductive layer, or even if the element is uniformly distributed in the photoconductive layer, it is unevenly distributed in the layer thickness direction. There may be a part containing. Specific examples of the group Ia atom include Li (lithium), Na (sodium), and K.
(Potassium), and as group IIa atoms, Be (beryllium), Mg (magnesium), Ca
(Calcium), Sr (strontium), Ba (barium), etc. can be mentioned. Specific examples of the VIb group atoms include Cr (chromium), Mo (molybdenum), W (tungsten), and the like.
Group II atoms include Fe (iron), Co (cobalt), N
i (nickel) etc. can be mentioned.

【0079】使用されるSi供給用ガスとなり得る物質
としては、SiH4 、Si26 、Si38 、Si4
10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素
(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ、
さらに層作成時の取り扱い易さ、Si供給効率のよさ等
の点でSiH4 、Si26 が好ましいものとして挙げ
られる。また、これらのSi供給用の原料ガスを必要に
応じてH2 、He、Ar、Ne等のガスにより希釈して
使用してもよい。
The substances which can be used as the Si supply gas include SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 and Si 4.
Silicon hydrides (silanes) in a gas state such as H 10 or capable of being gasified are mentioned as being effectively used,
Further, SiH 4 and Si 2 H 6 are preferable as they are easy to handle when forming a layer and have good Si supply efficiency. In addition, these raw material gases for supplying Si may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar, or Ne, if necessary.

【0080】炭素原子導入用の原料物質となり得るもの
としては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。炭素原子(C)導入用の原料ガスになり得るも
のとして有効に使用される出発物質は、CとHとを構成
原子とする、例えば炭素数1〜5の飽和炭化水素、炭素
数2〜4のエチレン系炭化水素、炭素数2〜3のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和炭化
水素としては、メタン(CH4 )、エタン(C 2
6 )、プロパン(C38 )、n−ブタン(n−C4
10)、ペンタン(C 512)、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン(C24 )、プロピレン(C3
6 )、ブテン−1(C48 )、ブテン−2(C4
8 )、イソブチレン(C48 )、ペンテン(C5
10)、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
(C22 )、メチルアセチレン(C34 )、ブチン
(C46 )等が挙げられる。
What can be a raw material for introducing carbon atoms
As a gas at room temperature and pressure, or at least a layered form
It is hoped that a material that can be easily gasified under synthetic conditions will be adopted.
Good It can be a source gas for introducing carbon atoms (C)
The starting materials effectively used as are composed of C and H.
An atom, for example, a saturated hydrocarbon having 1 to 5 carbon atoms, carbon
Number 2 to 4 ethylene hydrocarbons, carbon number 2 to 3 acetyl
Examples thereof include ren-based hydrocarbons. Specifically, saturated carbonization
As hydrogen, methane (CHFour ), Ethane (C 2 H
6 ), Propane (C3 H8 ), N-butane (n-CFour H
Ten), Pentane (C Five H12), With ethylene hydrocarbons
For ethylene (C2 HFour ), Propylene (C3 H
6 ), Butene-1 (CFour H8 ), Butene-2 (CFour H
8 ), Isobutylene (CFour H8 ), Penten (CFive 
HTen), As acetylene hydrocarbons, acetylene
(C2 H2 ), Methylacetylene (C3 HFour ), Butin
(CFour H6 ) And the like.

【0081】また、SiとCとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Si(CH34 、Si(C254
のケイ化アルキルを挙げることができる。この他に、炭
素原子(C)の導入に加えて、弗素原子(F)の導入も
行えるという点から、CF4、CF3 、C26 、C3
8 、C48 等のフッ化炭素化合物を挙げることがで
きる。
Further, as the source gas containing Si and C as constituent atoms, alkyl silicide such as Si (CH 3 ) 4 and Si (C 2 H 5 ) 4 can be mentioned. In addition to this, in addition to the introduction of carbon atoms (C), the introduction of fluorine atoms (F) is also possible, so CF 4 , CF 3 , C 2 F 6 , C 3
Fluorocarbon compounds such as F 8 and C 4 F 8 can be mentioned.

【0082】酸素原子(O)および/または窒素原子
(N)の導入用のガスとなり得るものとして有効に使用
される出発物質は、例えば、酸素(O2 )、オゾン(O
3 )、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2 )、一
二酸化窒素(N2 O)、三二酸化窒素(N23 )、四
三酸化窒素(N24 )、五二酸化窒素(N25 )等
を挙げることができる。この他に、炭素原子(C)の導
入に加えて、酸素原子の導入も行えるという点から、C
O、CO2 等の化合物を挙げることができる。
Starting materials that are effectively used as a gas that can be a gas for introducing oxygen atoms (O) and / or nitrogen atoms (N) are, for example, oxygen (O 2 ), ozone (O 2 ).
3 ), nitric oxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), nitrogen monoxide (N 2 O), nitrogen trioxide (N 2 O 3 ), nitrogen trioxide (N 2 O 4 ), pentoxide (N 2 O 5), and the like. In addition to this, in addition to the introduction of carbon atoms (C), it is also possible to introduce oxygen atoms, so that C
Compounds such as O and CO 2 can be mentioned.

【0083】ハロゲン原子供給用ガスとして有効なの
は、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含
むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なもの
として挙げることができる。好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス(F2 )、Br
F、ClF、ClF3 BrF3 、BrF5 、IF3 、I
7 等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロ
ゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置
換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばS
iF4 、Si 26 等のフッ化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。このようなハロゲン原子を含む
珪素化合物を採用してグロー放電等によって本発明の電
子写真用光受容部材を形成する場合には、Si供給用ガ
スとしての水素化珪素ガスを使用しなくても、ハロゲン
原子を含む表面層を形成することができるが、形成され
る表面層中に導入される水素原子の導入割合の制御を一
層容易になるように図るために、これらのガスにさらに
水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望
量混合して層形成することが好ましい。また、各ガスは
単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し
支えないものである。
Effective as a gas for supplying halogen atoms
Include, for example, halogen gas, halide, halogen.
Interhalogen compounds, silane derivatives substituted with halogen
Gaseous or gasifiable halogen compounds such as the body are preferred.
It can be mentioned well. In addition, silicon atoms and halo
Can be gaseous or gasified with gen atoms as components
Also effective are silicon hydride compounds containing halogen atoms.
Can be mentioned as. Halogen that can be preferably used
As the compound, specifically, fluorine gas (F2 ), Br
F, ClF, ClF3 BrF3 , BrFFive , IF3 , I
F7 Interhalogen compounds such as Halo
A silicon compound containing a gen atom, a so-called halogen atom
Specific examples of the converted silane derivative include S
iFFour , Si 2 F6 Silicon fluoride such as
Can be listed. Containing such halogen atoms
A silicon compound is used to charge the present invention by glow discharge or the like.
When forming a light receiving member for sub-photographs, a Si supply gas is used.
Halogen without using silicon hydride gas as a gas
A surface layer containing atoms can be formed but is formed
Control of the ratio of hydrogen atoms introduced into the surface layer.
In order to make the layers easier
Hydrogen gas or silicon compound gas containing hydrogen atoms is also desired
It is preferable to form a layer by mixing the amounts. In addition, each gas
It is possible to mix not only single species but also multiple species at a prescribed mixing ratio.
It does not support.

【0084】ハロゲン原子供給用ガスとして上記された
弗化物あるいはハロゲンを含む珪素化合物が有効なもの
として使用されるものであるが、その他に、HF、Si
3F、SiH22 、SiHF3 等のハロゲン置換水
素化珪素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質
も有効な光導電層形成用の原料物質として挙げることが
できる。これらの物質のうち、水素原子を含むハロゲン
化物は、光導電層形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に、電気的あるいは光電的特性の制御に極めて有
効な水素原子も導入されるので、本発明においては好適
なハロゲン原子供給用ガスとして使用される。
The above-mentioned fluorides or halogen-containing silicon compounds are effectively used as the halogen atom supply gas, but in addition to these, HF and Si are also used.
Halogen-substituted silicon hydrides such as H 3 F, SiH 2 F 2 , and SiHF 3, and the like in a gas state or a gasifiable substance can also be cited as effective raw material for forming the photoconductive layer. Among these substances, a halide containing a hydrogen atom is introduced at the same time as the introduction of the halogen atom into the layer during the formation of the photoconductive layer, as well as the introduction of the hydrogen atom, which is extremely effective for controlling the electrical or photoelectric properties. In the present invention, it is used as a suitable gas for supplying halogen atoms.

【0085】水素原子を表面層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2 、あるいはSiH4 、Si26
Si38 、Si410等の水素化珪素とSiを供給す
るためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中
に共存させて放電を生起させることでも行うことができ
る。
In order to structurally introduce hydrogen atoms into the surface layer, in addition to the above, H 2 , SiH 4 , Si 2 H 6 ,
It is also possible to cause discharge by causing silicon hydride such as Si 3 H 8 and Si 4 H 10 and silicon or a silicon compound for supplying Si to coexist in the reaction vessel.

【0086】表面層中に含有される水素原子および/ま
たはハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体温
度、水素原子あるいはハロゲン原子を含有させるために
使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電
力等を制御すればよい。
In order to control the amount of hydrogen atoms and / or halogen atoms contained in the surface layer, for example, the temperature of the substrate, introduction of the raw material used for containing hydrogen atoms or halogen atoms into the reaction vessel. The amount of discharge, the discharge power, etc. may be controlled.

【0087】表面層の層厚は所望の電子写真特性が得ら
れること、および経済的効果等の点から好ましくは0.
01〜30μm、より好ましくは0.05〜20μm、
最適には0.1〜10μmとされるのが望ましい。
The thickness of the surface layer is preferably 0. 0 from the viewpoint of obtaining desired electrophotographic characteristics and economical effects.
01 to 30 μm, more preferably 0.05 to 20 μm,
Optimally, the thickness is preferably 0.1 to 10 μm.

【0088】表面層を形成するには、前述の第2領域お
よび第1領域を形成する方法と同様の真空堆積法が採用
される。表面層を形成する場合には、基体の温度、ガス
圧が前記表面層の特性を左右する重要な要因である。基
体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは20
〜500℃、より好ましくは50〜480℃、最適には
100〜450℃とするのが望ましい。反応容器内のガ
ス圧も適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは1×1
-5〜100Torr、より好ましくは5×10-5〜3
0Torr、最適には1×10-4〜10Torrとする
のが望ましい。表面層を形成するための基体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する表面層を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作成
ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
To form the surface layer, a vacuum deposition method similar to the method of forming the second region and the first region described above is adopted. When forming the surface layer, the temperature and gas pressure of the substrate are important factors that influence the characteristics of the surface layer. The substrate temperature is appropriately selected in the optimum range, but is preferably 20.
˜500 ° C., more preferably 50 to 480 ° C., optimally 100 to 450 ° C. The gas pressure in the reaction vessel is also selected within an optimum range, but is preferably 1 x 1
0 −5 to 100 Torr, more preferably 5 × 10 −5 to 3
0 Torr, optimally 1 × 10 −4 to 10 Torr is desirable. The above-mentioned ranges are mentioned as desirable numerical ranges of the substrate temperature and the gas pressure for forming the surface layer, but these layer formation factors are not usually independently determined separately, and the surface having desired characteristics is not usually defined. It is desirable to determine the optimum value of each layer formation factor based on mutual and organic relationships to form layers.

【0089】以下、マイクロ波プラズマCVD法によっ
て堆積膜を形成するための装置および形成法について詳
述する。
The apparatus and method for forming the deposited film by the microwave plasma CVD method will be described in detail below.

【0090】図4は、マイクロ波プラズマCVD(以下
「μW−PCVD」と表記する)法によって電子写真用
光受容部材用の堆積膜を形成するための堆積膜形成装置
の一例を示す模式的側断面図である。図5は、図4に示
した堆積膜形成装置の上方からみた断面図である。図6
は、この装置全体の模式的説明図である。
FIG. 4 is a schematic side view showing an example of a deposited film forming apparatus for forming a deposited film for a light receiving member for electrophotography by a microwave plasma CVD (hereinafter referred to as “μW-PCVD”) method. FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4 viewed from above. Figure 6
FIG. 3 is a schematic explanatory view of the entire device.

【0091】この装置は、真空気密構造を成した減圧に
し得る反応容器401、原料ガスの供給装置600、お
よび反応容器内を減圧にするための排気装置(不図示)
から構成されている。反応容器401内にはマイクロ波
電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ真空気密を保
持し得るような材料(例えば石英ガラス、アルミナセラ
ミックス等)で形成されたマイクロ波導入窓402、ス
タブチューナー(図示せず)およびアイソレーター(図
示せず)を介してマイクロ波電源(図示せず)に接続さ
れているマイクロ波の導波管403、堆積膜を形成すべ
き円柱状基体415、基体加熱用ヒーター416、原料
ガス導入管417、プラズマ電位を制御するための外部
電気バイアスを与える電極418が設置されており、反
応容器401内は排気管421を通じて不図示の拡散ポ
ンプに接続されている。原料ガス供給装置600は、S
iH4 、H2 、CH4 、NO、NH3 、SDiF4 等の
原料ガスのボンベ621〜626とバルブ631〜63
6、641〜646、651〜656およびマスフロー
コントローラー611〜616から構成され、各原料ガ
スのボンベはバルブ670を介して反応容器内のガス導
入管417に接続されている。また、円柱状基体415
によって取り囲まれた空間422が放電空間を形成して
いる。
This apparatus comprises a reaction vessel 401 having a vacuum airtight structure and capable of being depressurized, a source gas supply apparatus 600, and an exhaust apparatus (not shown) for depressurizing the inside of the reaction vessel.
It consists of A microwave introduction window 402 and a stub tuner made of a material (eg, quartz glass, alumina ceramics, etc.) capable of efficiently transmitting microwave power to the reaction vessel 401 and maintaining vacuum tightness in the reaction vessel 401. A microwave waveguide 403 connected to a microwave power source (not shown) via an (not shown) and an isolator (not shown), a cylindrical substrate 415 on which a deposited film is to be formed, and a substrate heating A heater 416, a source gas introduction pipe 417, and an electrode 418 for applying an external electric bias for controlling the plasma potential are installed, and the inside of the reaction vessel 401 is connected to a diffusion pump (not shown) through an exhaust pipe 421. The source gas supply device 600 is S
iH 4, H 2, CH 4 , NO, NH 3, a cylinder of raw material gas SDIF 4 such 621-626 and the valve 631 to 63
6, 641 to 646, 651 to 656, and mass flow controllers 611 to 616, and each source gas cylinder is connected to a gas introduction pipe 417 in the reaction container via a valve 670. In addition, the cylindrical substrate 415
A space 422 surrounded by forms a discharge space.

【0092】μW−PCVD法によるこの装置での堆積
膜の形成は、以下のように行うことができる。
Formation of a deposited film by this apparatus by the μW-PCVD method can be performed as follows.

【0093】まず、反応容器401内に円柱状基体41
5を設置し、駆動装置420によって基体415を回転
し、不図示の排気装置(例えば、真空ポンプ)により反
応容器401内を排気管421を介して排気し、反応容
器401内の圧力を1×10 -6Torr以下に調整す
る。続いて基体加熱用ヒーター416により円柱状基体
415の温度を20℃〜500℃の所定の温度に加熱保
持する。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器401に流
入させるには、ガスボンベのバルブ631〜636、反
応容器のリークバルブ(不図示)が閉じられていること
を確認し、また、流入バルブ641〜646、流出バル
ブ651〜656、補助バルブ670が開かれているこ
とを確認して、まずメインバルブ(不図示)を開いて反
応容器401およびガス配管内に排気する。
First, the cylindrical substrate 41 is placed in the reaction vessel 401.
5 is installed, and the base 415 is rotated by the drive device 420.
However, the exhaust device (for example, vacuum pump) not shown
The reaction vessel 401 is evacuated through the exhaust pipe 421, and the reaction volume
The pressure inside the vessel 401 is 1 × 10 -6Adjust below Torr
It Subsequently, the cylindrical substrate is heated by the heater 416 for heating the substrate.
Keep the temperature of 415 at a predetermined temperature of 20 ° C to 500 ° C.
To have. Flow the source gas for forming the deposited film into the reaction vessel 401.
To insert the gas cylinder valves 631 to 636,
The leak valve (not shown) of the reaction container is closed.
Check the inflow valves 641 to 646 and the outflow valve.
Check that the valves 651 to 656 and the auxiliary valve 670 are open.
, And first open the main valve (not shown)
Exhaust into the reaction vessel 401 and the gas pipe.

【0094】次に、真空計(不図示)の読みが約5×1
-6Torrになった時点で補助バルブ670、流出バ
ルブ651〜656を閉じる。その後、ガスボンベ62
1〜626より各ガスをバルブ631〜636を開いて
導入し、圧力調整器661〜666により各ガス圧を2
kg/cm2 に調整する。次に、流入バルブ641〜6
46を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー611〜616内に導入する。
Next, the reading of the vacuum gauge (not shown) is about 5 × 1.
When the pressure reaches 0 -6 Torr, the auxiliary valve 670 and the outflow valves 651 to 656 are closed. Then, the gas cylinder 62
Each gas is introduced from 1 to 626 by opening the valves 631 to 636, and each gas pressure is adjusted to 2 by the pressure regulators 661 to 666.
Adjust to kg / cm 2 . Next, the inflow valves 641-6
46 is gradually opened, and each gas is introduced into the mass flow controllers 611 to 616.

【0095】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円柱状基体415上に光導電層、表面層の各層の形
成を以下の様にして行う。
After the preparation for film formation is completed as described above, the photoconductive layer and the surface layer are formed on the cylindrical substrate 415 as follows.

【0096】円柱状基体415が所定の温度になったと
ころで流出バルブ651〜656のうちの必要なものお
よび補助バルブ670を徐々に開き、ガスボンベ621
〜626から所定のガスをガス導入管417を介して反
応容器401内の放電空間422に導入する。次に、マ
スフローコントローラー611〜616によって各原料
ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放電
空間422内の圧力が1Torr以下の所定の圧力にな
るように真空計(不図示)を見ながらメインバルブ(不
図示)の開口を調整する。圧力が安定した後、マイクロ
波電源(不図示)により周波数500MHz以上の、好
ましくは2.45GHzのマイクロ波を発生させ、マイ
クロ波電源(不図示)を所望の電力に設定し、導波管4
03、マイクロ波導入窓402を介して放電空間422
にμWエネルギーを導入して、μWグロー放電を生起さ
せる。それと同時併行的に、電源419から電極418
に例えば直流等の電気バイアスを印加する。かくして基
体415により取り囲まれた放電空間422において、
導入された原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより
励起されて解離し、円柱状基体415上に所定の堆積膜
が形成される。このとき、層形成の均一化を図るため基
体回転用モーター420によって、所望の回転速度で回
転させる。
When the cylindrical substrate 415 reaches a predetermined temperature, necessary ones of the outflow valves 651 to 656 and the auxiliary valve 670 are gradually opened, and the gas cylinder 621 is opened.
From ˜626, a predetermined gas is introduced into the discharge space 422 in the reaction vessel 401 through the gas introduction pipe 417. Next, the mass flow controllers 611 to 616 are adjusted so that each raw material gas has a predetermined flow rate. At that time, the opening of the main valve (not shown) is adjusted while observing the vacuum gauge (not shown) so that the pressure in the discharge space 422 becomes a predetermined pressure of 1 Torr or less. After the pressure stabilizes, a microwave power source (not shown) generates a microwave having a frequency of 500 MHz or higher, preferably 2.45 GHz, and the microwave power source (not shown) is set to a desired power, and the waveguide 4
03, the discharge space 422 through the microwave introduction window 402
ΜW energy is introduced to generate a μW glow discharge. Simultaneously with this, the power source 419 to the electrode 418
An electric bias such as direct current is applied to. Thus, in the discharge space 422 surrounded by the base body 415,
The introduced source gas is excited by the energy of microwaves and dissociates, so that a predetermined deposited film is formed on the cylindrical substrate 415. At this time, in order to make the layer formation uniform, the substrate rotating motor 420 is rotated at a desired rotation speed.

【0097】所望の膜厚の形成が行われた後、μW電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数
回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が
形成される。
After the desired film thickness is formed, the supply of μW electric power is stopped, the outflow valve is closed to stop the gas from flowing into the reaction vessel, and the formation of the deposited film is completed. By repeating the same operation a plurality of times, a desired light-receiving layer having a multilayer structure is formed.

【0098】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることはいうまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器401内、流
出バルブ651〜656から反応容器401に至る配管
内に残留することを避けるために、流出バルブ651〜
656を閉じ、補助バルブ670を開き、さらにメイン
バルブ(不図示)を全開にして系内を一旦高真空に排気
する操作を必要に応じて行う。また、上述のガス種およ
びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が
加えられることはいうまでもない。
Needless to say, all the outflow valves other than the necessary gas are closed when forming each layer, and each gas is reacted from the outflow valves 651 to 656 in the reaction vessel 401. In order to avoid remaining in the pipe leading to the container 401, the outflow valves 651 to 651
656 is closed, the auxiliary valve 670 is opened, the main valve (not shown) is fully opened, and the inside of the system is once evacuated to a high vacuum, if necessary. Needless to say, the above-mentioned gas species and valve operation may be changed according to the conditions for forming each layer.

【0099】基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体
であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き
付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の
電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱
放射ランプ発熱体、液体、気体等の温媒として熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。また、それ以外にも、反応容器以外に加熱専
用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で基
体を搬送する等の方法が用いられる。
The heating method of the substrate may be any heating element having a vacuum specification, and more specifically, electric resistance heating elements such as a wound heater of a sheath heater, a plate heater, a ceramic heater, a halogen lamp, an infrared lamp. Examples of the heat-radiating lamp heating element such as the above, and a heating element by a heat exchanging means as the heating medium such as liquid and gas. As the surface material of the heating means, metals such as stainless steel, nickel, aluminum and copper, ceramics, heat resistant polymer resin and the like can be used. In addition to the above, a method in which a container dedicated to heating is provided in addition to the reaction container, and after heating, the substrate is transported into the reaction container in a vacuum is used.

【0100】μW−PCVD法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは1×10-3Torr以上1
×10-1Torr以下、より好ましくは3×10-3To
rr以上5×10-2Torr以下、最も好ましくは5×
10-3Torr以上3×10 -2Torr以下に設定する
のが望ましい。放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力
よりも低ければよいが、放電空間内の圧力が1×10-1
Torr以下では、また、特に顕著には5×10-2To
rr以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の
3倍以上のとき、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。
In the μW-PCVD method, in the discharge space
The pressure is preferably 1 × 10-3Torr or more 1
× 10-1Torr or less, more preferably 3 × 10-3To
rr or more 5 × 10-2Torr or less, most preferably 5 ×
10-3Torr or more 3 × 10 -2Set below Torr
Is desirable. The pressure outside the discharge space is the pressure inside the discharge space.
The pressure in the discharge space is 1 × 10-1
Below Torr, and most notably, 5 × 10 5.-2To
Below rr, the pressure inside the discharge space is less than the pressure outside the discharge space.
When it is three times or more, the effect of improving the deposited film characteristics is particularly large.

【0101】マイクロ波の反応炉までの導入方法として
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
1つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。このとき、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質とし
てはアルミナ(Al23 )、窒化アルミニウム(Al
N)、窒化ボロン(BN)、窒化珪素(SiN)、炭化
珪素(SiC)、酸化珪素(SiO2 )、酸化ベリリウ
ム(BeO)、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。
As a method of introducing the microwave into the reaction furnace, a method using a waveguide can be mentioned.
One method is to introduce through one or more dielectric windows. At this time, as materials for the microwave introduction window into the furnace, alumina (Al 2 O 3 ) and aluminum nitride (Al
N), boron nitride (BN), silicon nitride (SiN), silicon carbide (SiC), silicon oxide (SiO 2 ), beryllium oxide (BeO), Teflon, polystyrene, and other materials with low microwave loss are usually used. .

【0102】電極と基体間に発生させる電界は直流電界
が好ましく、また、電界の向きは電極から基体に向ける
のがより好ましい。電界を発生させるために電極に印加
する直流電圧の平均の大きさは、15V以上300V以
下、好ましくは30V以上200V以下が適する。直流
電圧波形としては特に制限はなく、種々の波形のものが
本発明では有効である。つまり、時間によって電圧の向
きが変化しなければいずれの場合でもよく、例えば、時
間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろん、パル
ス状の電圧、および整流機により整流された時間によっ
て大きさが変化する脈動電圧でも有効である。
The electric field generated between the electrode and the substrate is preferably a DC electric field, and the direction of the electric field is more preferably directed from the electrode to the substrate. The average magnitude of the DC voltage applied to the electrodes for generating the electric field is 15 V or more and 300 V or less, preferably 30 V or more and 200 V or less. The DC voltage waveform is not particularly limited, and various waveforms are effective in the present invention. In other words, it does not matter in which case the direction of the voltage does not change with time. Is effective even when the pulsating voltage changes.

【0103】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では50Hzまたは60Hz、高周波
では13.5MHzが適する。交流の波形としてはサイ
ン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、実
用的には、サイン波が適する。ただし、このとき電圧は
いずれの場合も実効値をいう。電極の大きさおよび形状
は、放電を乱さないならばいずれのものでもよいが、実
用上は直径0.1cm以上5cm以下の円柱状の形状が
好ましい。このとき、電極の長さも、基体に電界が均一
にかかる長さであれば任意に設定できる。電極の材質と
しては、表面が導電性となるものならばいずれのもので
もよく、例えば、ステンレス、Al、Cr、Mo、A
u、In、Nb、Te、V、Ti、Pt、Pd、Fe等
の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラ
ス、セラミック、プラスチック等が通常使用される。
It is also effective to apply an AC voltage. There is no problem with the alternating current frequency,
Practically, 50 Hz or 60 Hz is suitable for low frequencies and 13.5 MHz is suitable for high frequencies. The AC waveform may be a sine wave, a rectangular wave, or any other waveform, but a sine wave is practically suitable. However, at this time, the voltage refers to the effective value in any case. The electrode may have any size and shape as long as it does not disturb the discharge, but in practical use, a cylindrical shape having a diameter of 0.1 cm or more and 5 cm or less is preferable. At this time, the length of the electrodes can be arbitrarily set as long as the electric field is uniformly applied to the base. The material of the electrode may be any as long as it has a conductive surface, for example, stainless steel, Al, Cr, Mo, A
Metals such as u, In, Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd, and Fe, alloys of these or glass whose surface is treated to be conductive, ceramics, plastics and the like are usually used.

【0104】次に、図面を参照しつつ、第2の発明であ
るアモルファスシリコン感光体の再生利用方法の実施例
を詳細に説明する。
Next, with reference to the drawings, a detailed description will be given of an embodiment of a method for recycling and using the amorphous silicon photoconductor of the second invention.

【0105】図10は、円柱状アモルファスシリコン感
光体を再生するための切削工程を例示する模式図であ
る。この図10において、円柱状アモルファスシリコン
感光体1001は矢印a方向に回転し、切削バイト10
02を矢印方向bの方向へ移動させることによって表面
のアモルファスシリコン感光層が切削される。図11は
切削されるアモルファスシリコン感光体の断面図であ
り、1101はアモルファスシリコン感光層、1102
はアルミ基体、1102−A、1102−Bは切削段階
を示し、各々芯削り部、仕上げ削り部を示す。
FIG. 10 is a schematic view illustrating a cutting process for reproducing a cylindrical amorphous silicon photoconductor. In FIG. 10, the cylindrical amorphous silicon photoconductor 1001 rotates in the direction of arrow a, and the cutting tool 10
The amorphous silicon photosensitive layer on the surface is cut by moving 02 in the direction of arrow b. FIG. 11 is a cross-sectional view of an amorphous silicon photosensitive member to be cut, and 1101 is an amorphous silicon photosensitive layer 1102.
Indicates an aluminum substrate, and 1102-A and 1102-B indicate cutting steps, respectively indicating a core cut portion and a finish cut portion.

【0106】この図10に示した様な切削バイト100
2による切削方法においては、図11に示した芯削り部
1102−Aまで1回目の荒削りを行い、次に仕上げ削
り部1102−B部まで仕上げ加工を行う。この時、仕
上げ加工は、鏡面、グレイティング、アール仕上げの何
れでもよい。但し、アモルファスシリコン感光層110
1とアルミ基体1102との密着面近傍は、酸化により
密着性を損なうので、荒削り部1102−Aよりさらに
10〜1000μm、好適には50〜500μmの切削
するとよい。
A cutting tool 100 as shown in FIG.
In the cutting method according to 2, the first rough cutting is performed up to the core cutting portion 1102-A shown in FIG. 11, and then the finish cutting is performed up to the finish cutting portion 1102-B. At this time, the finishing process may be any of mirror finish, grating and round finish. However, the amorphous silicon photosensitive layer 110
In the vicinity of the contact surface between 1 and the aluminum base 1102, the adhesion is impaired by oxidation.

【0107】この様な切削によってアモルファスシリコ
ン感光層1101が除去されたアルミ基体の上に、後に
詳述する図13に示したRFプラズマCVD装置によっ
て新たなアモルファスシリコン感光層を成膜し、再生ア
モルファスシリコン感光体を得る。そして、この再生ア
モルファスシリコン感光体の内面に1回目の再生工程を
行ったことをラベル等によって表示する。この表示の指
示を電子写真装置に入力し、切削回数に応じた電子写真
装置のプロセススピードに変更して装置を駆動すれば、
図11の仕上げ削り部1102−Bまで直径が小さくな
っても円周方向の画像長さの縮尺は何等変化することは
なく良好な画像が得られることとなる。
On the aluminum substrate from which the amorphous silicon photosensitive layer 1101 has been removed by such cutting, a new amorphous silicon photosensitive layer is formed by the RF plasma CVD apparatus shown in FIG. Obtain a silicon photoreceptor. Then, a label or the like is displayed on the inner surface of the regenerated amorphous silicon photosensitive member to indicate that the first regenerating step has been performed. If you input this display instruction to the electrophotographic device, change the process speed of the electrophotographic device according to the number of cutting and drive the device,
Even if the diameter is reduced to the finishing cut portion 1102-B in FIG. 11, the scale of the image length in the circumferential direction does not change at all and a good image can be obtained.

【0108】本発明のアモルファスシリコン感光体の再
生利用方法において、再生される感光体は、一般に、帯
電、露光、現像等を繰り返し行う電子写真装置において
用いられるものである。図12は、本発明において再生
した感光体を使用する際の複写機の画像形成プロセスを
示す概略図である。この図12において、矢印方向に回
転するアモルファスシリコン感光体1201の周辺に
は、主帯電器1202、画像露光1203、現像器12
04、転写紙供送系1205、転写・分離帯電器120
6、クリーニング装置1207、搬送系1208、除電
光1209などが配設されている。
In the method for recycling the amorphous silicon photoconductor of the present invention, the photoconductor to be regenerated is generally used in an electrophotographic apparatus in which charging, exposure, development and the like are repeated. FIG. 12 is a schematic view showing an image forming process of a copying machine when the photoconductor regenerated in the present invention is used. In FIG. 12, a main charger 1202, an image exposure 1203, a developing device 12 are provided around an amorphous silicon photoconductor 1201 which rotates in the direction of the arrow.
04, transfer paper feeding system 1205, transfer / separation charger 120
6, a cleaning device 1207, a transport system 1208, a static eliminator 1209, and the like are provided.

【0109】ヒーター1223によって加温されたアモ
ルファスシリコン感光体1201は、主帯電器1202
によって一様に帯電され、これにハロゲンランプ、蛍光
灯等の光源1210により発した光をプラテンガラス1
211上の原稿1212に照射し、その反射光をミラー
系1213〜1216、レンズ系1217、フィルター
1218を介してアモルファスシリコン感光体1201
の表面上に導き投影されて静電潜像が形成され、この潜
像に現像器1204からトナーが供給されてトナー像と
なる。一方、転写紙通路1219、レジストローラー1
222よりなる転写紙供給系1205を通って、アモル
ファスシリコン感光体1201方向に供給される転写材
Pは、転写帯電器1206とアモルファスシリコン感光
体1201の間隙において、背面からトナーとは反対極
性の電界を与えられ、これによって、アモルファスシリ
コン感光体1201表面上のトナー像は、転写材Pに転
移する。分離された転写材Pは、転写紙搬送系1208
を通って定着装置1230に至って、トナー像は定着さ
れて装置外に排出される。なお、転写部位において転写
に寄与せず、アモルファスシリコン感光体1201表面
上に残る残留トナーは、クリーニング装置1207に至
り、クリーニングブレード1221によってクリーニン
グされる。
The amorphous silicon photoconductor 1201 heated by the heater 1223 is connected to the main charger 1202.
Are uniformly charged by the platen glass 1 with light emitted from a light source 1210 such as a halogen lamp or a fluorescent lamp.
The original 1212 on 211 is irradiated, and the reflected light is passed through the mirror systems 1213 to 1216, the lens system 1217, and the filter 1218, and the amorphous silicon photoconductor 1201.
The electrostatic latent image is formed by being guided and projected onto the surface of the toner, and toner is supplied to the latent image from the developing device 1204 to form a toner image. On the other hand, the transfer paper path 1219, the registration roller 1
The transfer material P supplied in the direction of the amorphous silicon photoconductor 1201 through the transfer paper supply system 1205 composed of 222 is an electric field having a polarity opposite to that of the toner from the back surface in the gap between the transfer charger 1206 and the amorphous silicon photoconductor 1201. By this, the toner image on the surface of the amorphous silicon photoconductor 1201 is transferred to the transfer material P. The separated transfer material P is transferred to the transfer paper transport system 1208.
After passing through the fixing device 1230, the toner image is fixed and discharged to the outside of the device. Note that the residual toner remaining on the surface of the amorphous silicon photoconductor 1201 without contributing to the transfer at the transfer portion reaches the cleaning device 1207 and is cleaned by the cleaning blade 1221.

【0110】上記クリーニングによって更新されたアモ
ルファスシリコン感光体1201表面は、さらに除電光
源1209から除電露光を与えられて再び同様のサイク
ルに供せられる。
The surface of the amorphous silicon photoconductor 1201 updated by the above cleaning is further subjected to static elimination exposure from the static elimination light source 1209, and is again subjected to the same cycle.

【0111】図13に、本発明に用いる光受容部材の形
成を行う際の代表的な堆積膜形成装置である高周波(以
下、「RF」と略記する)プラズマCVD装置の一例を
示す。
FIG. 13 shows an example of a high frequency (hereinafter abbreviated as “RF”) plasma CVD apparatus which is a typical deposited film forming apparatus for forming the light receiving member used in the present invention.

【0112】図中の1371〜1377のガスボンベに
は、本発明の光受容部材を形成するための原料ガス、例
えば各々SiH4 、H2 、CH4 、PH3 、B26
NO、Ar等が密封されており、あらかじめ、ガスボン
ベ1371〜1377を取り付ける際に、各々のガス
を、バルブ1351〜1357から流入バルブ1331
〜1337のガス配管内に導入してある。図中、130
5は基体、1306は基体ホルダーであり、1314は
基体1305を加熱するための加熱ヒーターである。
In the gas cylinders 1371 to 1377 in the figure, source gases for forming the light receiving member of the present invention, such as SiH 4 , H 2 , CH 4 , PH 3 , B 2 H 6 , respectively, are used.
NO, Ar, etc. are hermetically sealed, and when the gas cylinders 1371 to 1377 are attached in advance, each gas is supplied from the valves 1351 to 1357 through the inflow valve 1331.
˜1337 is introduced into the gas pipe. In the figure, 130
Reference numeral 5 is a base, 1306 is a base holder, and 1314 is a heater for heating the base 1305.

【0113】まず、例えば表面に旋盤を用いて鏡面加工
を施した基体1305を基体ホルダー1306に挿入
し、成膜炉1301の上蓋1307を開けて、成膜炉1
301内の加熱ヒーター1314に基体ホルダー130
6を挿入する。
First, for example, the substrate 1305 whose surface is mirror-finished using a lathe is inserted into the substrate holder 1306, the upper lid 1307 of the film forming furnace 1301 is opened, and the film forming furnace 1 is opened.
The substrate holder 130 is attached to the heater 1314 in the 301.
Insert 6.

【0114】次にガスボンベ1371〜1377のバル
ブ1351〜1357、流入バルブ1331〜133
7、成膜炉1301のリークバルブ1315が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ1341〜13
47、補助バルブ1318が開かれていることを確認し
て、まずメインバルブ1316を開いて不図示の真空ポ
ンプにより成膜炉1301および配管内を排気する。そ
の後、ガスボンベ1371〜1377より各々のガス
を、バルブ1351〜1357を開けて導入し、圧力調
整器1361〜1367により各ガス圧力を所望の圧力
に調整する。次に、流入バルブ1331〜1337を徐
々に開けて、以上の各ガスをマスフローコントローラー
1321〜1327内に導入する。
Next, the valves 1351 to 1357 of the gas cylinders 1371 to 1377 and the inflow valves 1331 to 133.
7. Confirm that the leak valve 1315 of the film forming furnace 1301 is closed, and check the inflow valves 1341 to 13
After confirming that 47 and the auxiliary valve 1318 are opened, first, the main valve 1316 is opened and the film forming furnace 1301 and the inside of the pipe are exhausted by a vacuum pump (not shown). After that, each gas is introduced from the gas cylinders 1371 to 1377 by opening the valves 1351 to 1357, and each gas pressure is adjusted to a desired pressure by the pressure adjusters 1361 to 1367. Next, the inflow valves 1331 to 1337 are gradually opened to introduce the above gases into the mass flow controllers 1321 to 1327.

【0115】次に、流出バルブ1347および補助バル
ブ1318を徐々に開いてArガスをガス導入管130
8のガス放出孔1309を通じて成膜炉1301内に流
入させる。この時、Arガス流量が所望の流量となるよ
うにマスフローコントローラー1327で調整する。成
膜炉1301内の圧力は、所望の圧力となるように真空
計1317を見ながら不図示の真空排気装置の排気速度
を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作
動させて、基体1305を加熱ヒーター1314により
加熱し、基体1305が所望の温度に加熱されたところ
で、流出バルブ1377および補助バルブ1318を閉
じて、成膜炉1301内へのガス流入を止める。
Next, the outflow valve 1347 and the auxiliary valve 1318 are gradually opened to introduce Ar gas into the gas introduction pipe 130.
No. 8 gas release hole 1309 to make it flow into the film forming furnace 1301. At this time, the mass flow controller 1327 adjusts the Ar gas flow rate to a desired flow rate. The pressure in the film forming furnace 1301 is adjusted to the desired pressure by adjusting the exhaust speed of a vacuum exhaust device (not shown) while observing the vacuum gauge 1317. After that, a temperature controller (not shown) is operated to heat the substrate 1305 by the heater 1314. When the substrate 1305 is heated to a desired temperature, the outflow valve 1377 and the auxiliary valve 1318 are closed and the inside of the film forming furnace 1301 is closed. To stop gas inflow to.

【0116】次に、各々の層を形成するのに必要な原料
ガスの流出バルブ1341〜1347と補助バルブ13
18を徐々に開いて、原料ガスを導入管1308のガス
放出孔1309を通じて成膜炉1301内に流入させ
る。この時、各原料ガスの流量が所望の流量となる様に
各々のマスフローコントローラー1321〜1327で
調整する。成膜炉1301内の圧力は、所望の圧力とな
るように真空計1317を見ながら、不図示の真空排気
装置の排気速度を調整する。その後、不図示のRF電源
の電力を所望の電力に設定し高周波マッチングボックス
1312を通じて成膜炉1301内にRF電力を導入
し、RFグロー放電を生起させ、基体1305上または
すでに成膜した層上に所望の層の形成を開始し、所望の
層厚を形成したところでRFグロー放電を止め、また、
流出バルブ1341〜1347および補助バルブ131
8を閉じて、成膜炉1301内へのガス流入を止め、層
の形成を終える。
Next, the raw material gas outflow valves 1341 to 1347 and the auxiliary valve 13 necessary for forming each layer are formed.
18 is gradually opened to allow the source gas to flow into the film forming furnace 1301 through the gas discharge hole 1309 of the introduction pipe 1308. At this time, the mass flow controllers 1321 to 1327 are adjusted so that the flow rates of the respective source gases become desired flow rates. The pressure in the film forming furnace 1301 is adjusted by observing the vacuum gauge 1317 so that the pressure in the film forming furnace 1301 becomes a desired pressure. After that, the power of an RF power source (not shown) is set to a desired power, and the RF power is introduced into the film forming furnace 1301 through the high frequency matching box 1312 to cause the RF glow discharge to occur on the substrate 1305 or on the layer already formed. To start the formation of the desired layer, stop the RF glow discharge when the desired layer thickness is formed,
Outflow valves 1341-1347 and auxiliary valve 131
8 is closed to stop the gas flow into the film forming furnace 1301 to complete the formation of layers.

【0117】それぞれの層を形成する際に必要なガス以
外の流出バルブは完全に閉じられていることはいうまで
もなく、また、それぞれのガスが成膜炉1301内、流
出バルブ1341〜1347から成膜炉1301に至る
配管内に残留することを避けるために、流出バルブ13
41〜1347を閉じ、補助バルブ1318を開き、さ
らにメインバルブを全開にして系内を一旦高真空に排気
する操作を必要に応じて行う。また、必要に応じて、層
形成を行っている間に層形成の均一化を図るため、基体
1305および基体ホルダー1306を、不図示の、駆
動装置によって所望される速度で回転させる。
Needless to say, the outflow valves other than the gas required for forming the respective layers are completely closed, and the respective gases flow from the outflow valves 1341 to 1347 in the film forming furnace 1301. In order to avoid remaining in the pipe leading to the film forming furnace 1301, the outflow valve 13
41 to 1347 are closed, the auxiliary valve 1318 is opened, the main valve is fully opened, and the inside of the system is temporarily evacuated to a high vacuum, if necessary. If necessary, the substrate 1305 and the substrate holder 1306 are rotated at a desired speed by a driving device (not shown) in order to make the layer formation uniform while performing the layer formation.

【0118】次に、図面を参照しつつ、第3の本発明で
ある感光体の異常成長部の微小化および/または除去を
行う表面処理方法の実施例を説明する。
Next, with reference to the drawings, an embodiment of a surface treatment method according to the third aspect of the present invention for miniaturizing and / or removing abnormally grown portions of a photoreceptor will be described.

【0119】図14は、電子写真用感光体の化学的表面
処理(エッチング処理)を行なう装置の模式的構成図で
ある。この図14においては、エッチング溶液槽140
3に満たされたエッチング溶液1404中に、支持台か
らの支持アーム1402に担持された感光体1401を
浸漬する直前の状態が示される。
FIG. 14 is a schematic block diagram of an apparatus for performing chemical surface treatment (etching treatment) on an electrophotographic photoreceptor. In FIG. 14, the etching solution tank 140 is shown.
The state immediately before the photoconductor 1401 carried by the supporting arm 1402 from the supporting base is immersed in the etching solution 1404 filled with 3 is shown.

【0120】図20は、エッチング液のSiC層に対す
るエッチング速度と突起部以外の平均粗さRz(μm)
との関係を示すグラフである。具体的には図20に示す
データは、図14に示した様に感光体1401を、様々
なエッチング速度を示す各種エッチング溶液1404中
に、感光体1401上に存在した15〜20μmの突起
部が平均5μm以下までエッチングされるのに適した時
間だけ浸漬した時の表面の突起部以外の平均粗さRz
(μm)を測定したものである。図21は、エッチング
液のSiC層に対するエッチング速度とエッチング処理
後の突起部の高さとの関係を示すグラフである。ここで
のエッチングは、図20の場合と同様の条件において行
った。
FIG. 20 shows the etching rate of the etching liquid with respect to the SiC layer and the average roughness Rz (μm) other than the protrusions.
It is a graph which shows the relationship with. Specifically, the data shown in FIG. 20 shows that as shown in FIG. 14, the photosensitive member 1401 was exposed to various etching solutions 1404 showing various etching rates, and the protrusions of 15 to 20 μm existing on the photosensitive member 1401 were detected. Average roughness Rz other than protrusions on the surface when immersed for a time suitable for etching to an average of 5 μm or less
(Μm) is measured. FIG. 21 is a graph showing the relationship between the etching rate of the etching liquid with respect to the SiC layer and the height of the protrusions after the etching treatment. The etching here was performed under the same conditions as in FIG.

【0121】図20および図21に示す結果から、4μ
m/分より大きいエッチング速度を持つエッチング溶液
を使用すると、反応が過激で気泡が発生する等して感光
体の表面の平滑性が著しく失われてしまい、また残留突
起の高さのばらつきが非常に大きくなってしまう。この
様に表面の平滑性が失われた状態や、突起部の高さのば
らつきが大きい状態では、画像を形成した場合にもトナ
ーの融着などの不都合が生じる。一方、SiC層に対す
るエッチング速度が4μm/分以下の場合は、表面の平
滑化が良好になされる。よって、本発明においてエッチ
ング液は、上記範囲のエッチング速度のものでなければ
ならない。
From the results shown in FIGS. 20 and 21, 4 μ
If an etching solution having an etching rate higher than m / min is used, the reaction will be so radical that bubbles will be generated and the smoothness of the surface of the photoconductor will be significantly lost. It will become big. In such a state where the smoothness of the surface is lost or the height of the protrusions varies widely, problems such as toner fusion occur even when an image is formed. On the other hand, when the etching rate for the SiC layer is 4 μm / min or less, the surface is smoothed well. Therefore, in the present invention, the etching solution must have an etching rate within the above range.

【0122】図22は、図14に示した支持アーム14
02の回転速度(cm/秒)と、感光体1401上の高
さ15〜20μmの突起部が5μm以下になるまでエッ
チングした時の突起部以外の平均粗さRz(μm)との
関係を表わす。この図22に示される様に、支持アーム
の回転速度が約30cm/秒を越えると平均粗さRz
(μm)が高くなる。この理由は以下の点による。ここ
ではエッチングが複数の反応にともなうタイプの反応系
で、感光体表面にエッチング液(その中の溶解剤)が達
する割合で律速される、いわゆる拡散律速であるから、
アームの回転速度が速くなるとエッチング速度が増加す
る。そして、回転速度が30cm/秒を越えると、感光
体の表面の突起部にエッチング液が到達して突起部を除
去する作用よりも、エッチング液が感光体の表面全体を
荒すという悪影響の方が大きく顕れるからである。した
がって、感光体1401の表面を均一にエッチングする
のに適当な速度は30cm/秒以下程度であることが分
かる。ただし、これは図14に示した例における好適範
囲であり、本発明はこれに限定されない。
FIG. 22 shows the support arm 14 shown in FIG.
No. 02 rotation speed (cm / sec) and the average roughness Rz (μm) other than the protrusions when the protrusions having a height of 15 to 20 μm on the photoconductor 1401 are etched to 5 μm or less. . As shown in FIG. 22, when the rotation speed of the support arm exceeds about 30 cm / sec, the average roughness Rz
(Μm) becomes high. The reason for this is as follows. In this case, the etching is a reaction system involving a plurality of reactions, and the rate is controlled by the rate at which the etching solution (solvent therein) reaches the surface of the photoconductor, which is the so-called diffusion rate control.
The etching speed increases as the rotation speed of the arm increases. When the rotation speed exceeds 30 cm / sec, the etching liquid roughens the entire surface of the photoconductor rather than the etching liquid reaching the projections on the surface of the photoconductor and removing the projections. This is because it will be greatly revealed. Therefore, it can be seen that an appropriate speed for uniformly etching the surface of the photoconductor 1401 is about 30 cm / sec or less. However, this is the preferred range in the example shown in FIG. 14, and the present invention is not limited to this.

【0123】また、この表面処理において使用するエッ
チング溶液は、SiC層等に対する公知の各種エッチン
グ液を希釈等することにより所望のエッチング速度の溶
液を得ることができる。また本発明の表面処理方法は、
シリコン原子を含む電子写真用感光体の作製工程の成膜
の際に生じる表面の異常成長部の微小化および/または
除去するために行うためのエッチング工程であり、工程
の際の各種条件は有効に微小化および/または除去が達
成できるよう適宜決定すればよい。
As the etching solution used in this surface treatment, various known etching solutions for the SiC layer and the like can be diluted to obtain a solution having a desired etching rate. Further, the surface treatment method of the present invention,
This is an etching process that is performed to miniaturize and / or remove abnormal growth areas on the surface that occur during film formation in the process of manufacturing electrophotographic photoreceptors containing silicon atoms, and various conditions during the process are effective. It may be appropriately determined so that miniaturization and / or removal can be achieved.

【0124】以下、具体的なデータに基づく実施例によ
り本発明を更に詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples based on specific data.

【0125】<実施例A−1>図4に示した製造装置を
用い、鏡面加工(0.3〜0.4S)を施した直径10
8mmのアルミシリンダー上に、さきに詳述した手順に
したがってμWグロー放電法により下記表1に示す作製
条件で、図2に示した様な層構成を有する電子写真用光
受容部材を作製した。
<Example A-1> Using the manufacturing apparatus shown in FIG.
An electrophotographic light-receiving member having a layer structure as shown in FIG. 2 was produced on an 8 mm aluminum cylinder by the μW glow discharge method according to the procedure described in detail above under the production conditions shown in Table 1 below.

【0126】[0126]

【表1】 この作製プロセスにおいて、第2領域中の炭素含有量の
変化パターンを図7のように変化させるために、第2領
域の形成時に導入するCH4 の流量を変化させた。第2
領域の基体側表面での炭素含有量は30原子%となるよ
うにした。なお、炭素含有量の測定は、ラザフォード後
方散乱法による元素分析で行った。
[Table 1] In this manufacturing process, the flow rate of CH 4 introduced during the formation of the second region was changed in order to change the change pattern of the carbon content in the second region as shown in FIG. 7. Second
The carbon content on the surface of the region on the substrate side was set to 30 atom%. The carbon content was measured by elemental analysis by Rutherford backscattering method.

【0127】次に、この様にして得た光受容部材に関
し、図1に示した滑り性測定方法を以下のようにして行
った。電子写真用光受容部材106表面上に平均粒径8
μmのアルミナ(Al23 )粉体104(丸本工業
(株)社製)を均一に付着させた後に、ブレードホルダ
ー102にセットしたゴムブレード103に1gの重り
101により押圧を加え(10g/cm2 )、矢印X方
向へ表面性測定機100(新東科学株式会社製:HEI
DON−14)のアーム105を50mm/分の速度で
移動させた。次に、電子写真用光受容部材106表面上
の前述ブレード103によりクリーニングされた部分に
関して0.1cm2 の面積内でのアルミナ粉体104の
残留量を金属顕微鏡(ユニオン光学社製、商品名バーサ
メット−2)により測定し、クリーニング前のアルミナ
粉体104量と比較し、このアルミナ粉体の残留率を求
めた。
Next, the light-receiving member thus obtained was subjected to the slipperiness measuring method shown in FIG. 1 as follows. Average particle size of 8 on the surface of the electrophotographic light-receiving member 106
After uniformly depositing alumina (Al 2 O 3 ) powder 104 (manufactured by Marumoto Industry Co., Ltd.) having a size of μm, a rubber blade 103 set in a blade holder 102 was pressed with a weight 101 of 1 g (10 g). / Cm 2 ), in the direction of the arrow X, the surface property measuring device 100 (manufactured by Shinto Scientific Co., Ltd .: HEI)
The arm 105 of DON-14) was moved at a speed of 50 mm / min. Next, the residual amount of the alumina powder 104 within an area of 0.1 cm 2 with respect to the portion cleaned by the blade 103 on the surface of the electrophotographic light receiving member 106 was measured by a metallographic microscope (manufactured by Union Optical Co., trade name Versamet). -2) was measured and compared with the amount of 104 alumina powder before cleaning to determine the residual rate of this alumina powder.

【0128】このアルミナ粉体残留率の測定を、1本の
電子写真用光受容部材につき12箇所行った。そして、
これと同様の測定を合計6本の電子写真用光受容部材に
対して行った。その結果を図8(グラフ−1)に示す。
ここで、6本の電子写真用光受容部材を粉体残留率の大
きさにより、A、B、Cの三種のグループに2本づつ分
けた。
The residual rate of the alumina powder was measured at 12 points for each electrophotographic light-receiving member. And
The same measurement was performed on a total of 6 electrophotographic light-receiving members. The result is shown in FIG. 8 (graph-1).
Here, the six electrophotographic light-receiving members were divided into two groups of three types A, B, and C according to the magnitude of the powder residual rate.

【0129】電子写真用光受容部材A、B、Cのうち、
まず、粉体残留率がほぼ50%以下の範囲にあるA、B
の電子写真用光受容部材4本につき、図3に示す一般的
な電子写真装置300を用い、A4サイズ2万枚の間欠
耐久試験を行い、1000枚毎にA3サイズによりクリ
ーニング不良をチェックした。その結果、A4サイズ2
万枚間欠耐久後においてもクリーニング不良等の画像欠
陥のない高品質な画像が得られた。
Of the electrophotographic light-receiving members A, B, and C,
First, A, B in which the powder residual rate is in the range of approximately 50% or less
The general electrophotographic apparatus 300 shown in FIG. 3 was used for each of the four electrophotographic light-receiving members of No. 3, and an intermittent durability test was performed on 20,000 sheets of A4 size, and a cleaning failure was checked by 1000 sheets of A3 size. As a result, A4 size 2
High-quality images free of image defects such as cleaning failure were obtained even after intermittent running of 10,000 sheets.

【0130】一方、粉体残留率が50%以上の範囲にあ
るCの電子写真用光受容部材2本につき、同様の評価方
法により2万枚の間欠耐久を行ったところ、1万枚耐久
後の画像にクリーニング不良が発生し高品質な画像が得
られなかった。このクリーニング不良が発生した光受容
部材の表面について、再度アルミナ粉体の残留率を測定
した結果、耐久前のアルミナ粉体の残留率より平均値で
8%上昇していた。
On the other hand, two C electrophotographic light-receiving members having a powder residual rate of 50% or more were subjected to intermittent durability test for 20,000 sheets by the same evaluation method. Cleaning failure occurred in the image of 1. and a high quality image could not be obtained. The residual rate of the alumina powder was measured again on the surface of the light receiving member in which the cleaning failure occurred, and as a result, the average rate of the residual rate of the alumina powder was increased by 8%.

【0131】以下に、ここで使用した図3に示す電子写
真装置をを用いたプロセス概説する。この装置におい
て、矢印A方向に回転する電子写真用光受容部材301
は主帯電器302によって一様に帯電され、これにハロ
ゲンランプ、蛍光灯等の光源303によって静電潜像が
形成され、この潜像に現像器304からトナーが供給さ
れてトナー像となる。一方、転写紙供給系(図示せず)
を通って電子写真用光受容部材301方向に供給される
転写紙材Pは転写帯電器305と電子写真用光受容部材
301の間隙において、背面からトナーとは反対極性の
電界を与えられ、これによって電子写真用光受容部材3
01表面のトナー像は転写材Pに転移し、分離帯電器3
06により、転写材Pは、電子写真用光受容部材301
より分離される。分離された転写材Pは、定着装置(図
示せず)に至ってトナー像は定着されて装置外に出され
る。なお、転写部位において転写に寄与せず電子写真用
光受容部材301表面に残る残留トナーはクリーナー3
07に至り、クリーニングローラー308とクリーニン
グブレード309によってクリーニングされる。上記ク
リーニングにより更新された電子写真用光受容部材30
1表面は、さらに除電光源310から除電露光を与えら
れて再び同様のサイクルに供せられる。
The process using the electrophotographic apparatus shown in FIG. 3 used here will be outlined below. In this apparatus, a light receiving member 301 for electrophotography that rotates in the direction of arrow A
Is uniformly charged by the main charger 302, and an electrostatic latent image is formed on the latent image by a light source 303 such as a halogen lamp or a fluorescent lamp. Toner is supplied from the developing device 304 to the latent image to form a toner image. On the other hand, a transfer paper supply system (not shown)
The transfer paper material P, which is supplied in the direction of the electrophotographic light receiving member 301 through it, is given an electric field having a polarity opposite to that of the toner from the back surface in the gap between the transfer charger 305 and the electrophotographic light receiving member 301. By electrophotographic light receiving member 3
The toner image on the surface 01 is transferred to the transfer material P, and the separation charger 3
06, the transfer material P becomes the electrophotographic light receiving member 301.
More separated. The separated transfer material P reaches a fixing device (not shown), the toner image is fixed, and the transfer material P is discharged outside the device. In addition, the residual toner remaining on the surface of the electrophotographic light-receiving member 301 without contributing to the transfer at the transfer portion is the cleaner 3
At 07, cleaning is performed by the cleaning roller 308 and the cleaning blade 309. Electrophotographic photoreceptive member 30 updated by the above cleaning
One surface is further subjected to static elimination exposure from the static elimination light source 310 and is again subjected to the same cycle.

【0132】<実施例A−2>図4に示した製造装置を
用い、鏡面加工を施した直径108mmのアルミシリン
ダー上に、さきに詳述した手順にしたがって下記表2に
示す作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。
<Example A-2> Using the manufacturing apparatus shown in FIG. 4, an electron was produced on a mirror-finished aluminum cylinder having a diameter of 108 mm under the manufacturing conditions shown in Table 2 below in accordance with the procedure detailed above. A light receiving member for photography was prepared.

【0133】[0133]

【表2】 この作製プロセスにおいて、表面層の最表面近傍に含有
される炭素量を、表面層形成時に導入するパワー、CH
4 流量を変えることによって、シリコン原子と炭素原子
の和に対して70〜90原子%の範囲で変化させた。た
だし、このとき表面層に光導電層側の表面の炭素含有量
は10%となるようにした。
[Table 2] In this manufacturing process, the amount of carbon contained in the vicinity of the outermost surface of the surface layer is set to the power introduced during the formation of the surface layer, CH
4 By changing the flow rate, the flow rate was changed within the range of 70 to 90 atomic% with respect to the sum of silicon atoms and carbon atoms. However, at this time, the carbon content of the surface of the surface layer on the photoconductive layer side was 10%.

【0134】この様にして得た光受容部材に対し、実施
例A−1と同様のアルミナ粉体残留率の測定を12箇所
それぞれ6本につき行い、その結果を図9(グラフ−
2)に示す。先と同様に6本の電子写真用光受容部材
を、粉体残留率の大きさによりD、E、Fの三種のグル
ープに2本づつ分けた。
With respect to the light-receiving member thus obtained, the residual alumina powder rate was measured in the same manner as in Example A-1 for each of 12 locations, and the results are shown in FIG.
2). Similarly to the above, the six electrophotographic light-receiving members were divided into two groups of three types D, E, and F, depending on the size of the powder residual rate.

【0135】電子写真用光受容部材D、E、Fのうち、
まず、粉体残留率がほぼ50%以下の範囲にあるD、E
の電子写真用光受容部材4本につき、実施例1−Aと同
様の間欠耐久試験を行ったところ、A4サイズ2万枚間
欠耐久後においてもクリーニング不良等の画像欠陥のな
い高品質な画像が得られた。
Of the electrophotographic light-receiving members D, E, and F,
First, D, E in which the powder residual rate is in the range of approximately 50% or less
When the intermittent durability test similar to that in Example 1-A was performed on the four electrophotographic light-receiving members of No. 4, a high-quality image without image defects such as cleaning failure was obtained even after intermittent durability of 20,000 sheets of A4 size. Was obtained.

【0136】一方、粉体残留率が50%以上の範囲にあ
るFの電子写真用光受容部材2本につき、同様の評価方
法により2万枚の間欠耐久を行った結果1万枚耐久後の
画像にクリーニング不良が発生し、高品質な画像が得ら
れなかった。このクリーニング不良が発生した光受容部
材の表面について、再度アルミナ粉体の残留率を測定し
た結果、耐久前のアルミナ粉体の残留率より平均値で1
0%上昇していた。
On the other hand, two electrophotographic light-receiving members of F having a powder residual rate in the range of 50% or more were subjected to intermittent durability test for 20,000 sheets by the same evaluation method. Cleaning failure occurred in the image, and a high quality image could not be obtained. The residual rate of the alumina powder was measured again on the surface of the light receiving member where the cleaning failure occurred, and the average value was 1 from the residual rate of the alumina powder before the durability test.
It was up 0%.

【0137】下記表3に、光受容部材A〜Fの間欠耐久
試験におけるクリーニング不良をベタ白画像により判断
評価した結果をまとめて示す。
Table 3 below shows a summary of the results of the evaluation of the cleaning failure in the intermittent durability test of the light receiving members A to F by the solid white image.

【0138】[0138]

【表3】 〇:クリーニング不良無し。[Table 3] ◯: No defective cleaning.

【0139】△:一部にうっすらクリーニング不良発
生。
Δ: A slight cleaning defect occurred.

【0140】×:画像上1/3以上にクリーニング不良
発生。
X: Cleaning failure occurred on 1/3 or more of the image.

【0141】<実施例B−1> (再生回数に応じた回転速度の決定)図13に示したR
FプラズマCVD装置を用いて、肉厚2.0mm、3.
0mm、4.0mm、5.0mmの円筒状アルミ基体上
にアモルファスシリコン感光層を成膜し、アモルファス
シリコン感光体を作製した。この様にして得たアモルフ
ァスシリコン感光体4本に関して、成膜中の加熱等によ
る変形の測定を行った。測定方法は、円筒状アモルファ
スシリコン感光体の両端突き当て回転時の最大面ブレを
母線方向および円周方向に関して測定することにより行
った。その結果を下記表4に示す。
<Example B-1> (Determination of Rotational Speed According to Number of Reproductions) R shown in FIG.
Using an F plasma CVD apparatus, a wall thickness of 2.0 mm, 3.
An amorphous silicon photosensitive layer was formed on a cylindrical aluminum substrate of 0 mm, 4.0 mm and 5.0 mm to produce an amorphous silicon photosensitive body. With respect to the four amorphous silicon photoconductors thus obtained, the deformation due to heating during film formation was measured. The measurement method was performed by measuring the maximum surface wobbling of the cylindrical amorphous silicon photoconductor at the time of abutting and rotating both ends in the generatrix direction and the circumferential direction. The results are shown in Table 4 below.

【0142】[0142]

【表4】 この表4に示す結果より、アルミシリンダーの肉厚は
5.0mmが好適であることがわかった。
[Table 4] From the results shown in Table 4, it was found that the thickness of the aluminum cylinder is preferably 5.0 mm.

【0143】したがって、この肉厚5.0mmのアルミ
シリンダーをドラムAとし、このドラムAと同じドラム
を、図10に示した切削工程により、図11に示した芯
削り部1102−Aまで荒削りを行い、次に仕上げ削り
部1102−Bまで鏡面加工を行い、アルミ基体110
2の再生を完了した。具体的に、このときのアルミ基体
の切削された量は200μmであった。
Therefore, this aluminum cylinder having a wall thickness of 5.0 mm is used as the drum A, and the same drum as this drum A is roughly cut to the core cutting portion 1102-A shown in FIG. 11 by the cutting process shown in FIG. Then, mirror finishing is performed up to the finish cut portion 1102-B, and the aluminum base 110
Completed the regeneration of 2. Specifically, the cut amount of the aluminum substrate at this time was 200 μm.

【0144】次に、この切削されたアルミ基体に対し、
図13に示したRFプラズマCVD装置を用いて、アモ
ルファスシリコン層の堆積成膜を行い、再生アモルファ
スシリコン感光体を得た。この再生されたアモルファス
シリコン感光体をドラムBとして、この感光体の内面に
再生1回目のラベル表示をした。
Next, with respect to this cut aluminum substrate,
An amorphous silicon layer was deposited and formed using the RF plasma CVD apparatus shown in FIG. 13 to obtain a regenerated amorphous silicon photoconductor. The reproduced amorphous silicon photoconductor was used as the drum B, and the label for the first reproduction was displayed on the inner surface of the photoconductor.

【0145】次に、上記と同様の方法によって、ドラム
Bと同じドラムに対して再度再生工程を行い、ドラムC
として再生2回目のラベル表示をした。
Then, in the same manner as above, the same drum as the drum B is subjected to the reproducing step again, and the drum C
The label for the second time was displayed as.

【0146】RFプラズマCVD装置によって堆積成膜
されたアモルファスシリコン層の厚さは、ドラムA、ド
ラムB、ドラムCとも30μmであった。これらドラム
A、ドラムB、ドラムCを、図12に示すアモルファス
シリコン感光体の回転速度の変更が可能な電子写真装置
に投入し、20cmのスケールをコピーして、その縮尺
の再現性を測定した、その結果を下記表5に示す。
The thickness of the amorphous silicon layer deposited by the RF plasma CVD apparatus was 30 μm for each of the drum A, the drum B, and the drum C. These drum A, drum B, and drum C were put into an electrophotographic apparatus capable of changing the rotation speed of the amorphous silicon photoconductor shown in FIG. 12, a 20 cm scale was copied, and the reproducibility of the reduced scale was measured. The results are shown in Table 5 below.

【0147】[0147]

【表5】 なお上記表5でいうプロセスピードとは、円筒状アモル
ファスシリコン感光体表面上のある点が1秒間何回転す
るかを示す値である。この表5の結果から、再生回数に
応じたプロセススピードを決定した。すなわち、再生回
数が0のドラムに対してはプロセススピード0.961
r/sec(SW−0と記す)、再生回数が1のドラム
に対してはプロセススピード0.964r/sec(S
W−1と記す)、再生回数が2のドラムに対してはプロ
セススピード0.968r/sec(SW−2と記す)
とし、電子写真装置本体にこのSW−0〜SW−2を設
定した。
[Table 5] The process speed in Table 5 above is a value indicating how many times a certain point on the surface of the cylindrical amorphous silicon photoconductor rotates for 1 second. From the results of Table 5, the process speed according to the number of reproductions was determined. That is, a process speed of 0.961 for a drum whose number of playbacks is 0.
r / sec (referred to as SW-0), process speed 0.964 r / sec (S
W-1), a process speed of 0.968 r / sec (denoted as SW-2) for a drum having a reproduction count of 2.
Then, SW-0 to SW-2 are set in the main body of the electrophotographic apparatus.

【0148】(感光体の再生および再生感光体を用いた
像形成)前記のドラムAと同じサイズのアルミシリンダ
ーを、図10に示す切削工程に従い、図11に示す芯削
り部1102−Aまで1回目の荒削り(80μm切削)
を行った。次に、仕上げ削り部1102−Bまでの15
0μmを表面荒さ0.15s以下の表面粗度になるよう
に切削を行った。このようにして再生された円筒状アル
ミニウム基体に、アモルファスシリコン層を30μmの
膜厚堆積し、再生再生アモルファスシリコン感光体(以
下、再生ドラム−Iと記す)を得た。そして、この再生
ドラム−Iの内面に1回目の再生工程を終了したことを
示すラベルを表示した。
(Reproduction of Photoreceptor and Image Formation Using Reproduced Photoreceptor) An aluminum cylinder having the same size as the drum A was used in accordance with the cutting process shown in FIG. 10 until the core cutting portion 1102-A shown in FIG. Second rough cutting (80 μm cutting)
I went. Next, 15 up to the finish cutting section 1102-B
Cutting was performed so that 0 μm had a surface roughness of 0.15 s or less. An amorphous silicon layer having a thickness of 30 μm was deposited on the thus-reproduced cylindrical aluminum substrate to obtain a reproduction / reproduction amorphous silicon photoconductor (hereinafter referred to as reproduction drum-I). Then, a label indicating that the first reproduction process was completed was displayed on the inner surface of the reproduction drum-I.

【0149】再生回数に応じてプロセススピード(SW
−0、SW−1、SW−2)の変更可能としたキャノン
製複写機NP−6650の改造機を使用し、ラベルの指
示によりSW−1のプロセススピードに変更させて、通
常の複写プロセスにより転写紙上に20cmの定規の画
像を作製する工程を、等倍、縮小、拡大の各サイズにつ
いて行った。その結果、等倍に関しては、原稿サイズを
忠実に再現されており、縮小、拡大に関してもそれぞれ
の倍率が忠実に再現された良好な画像が得られた。
The process speed (SW
-0, SW-1, SW-2) Canon copier NP-6650 which is a modified machine is used, and the process speed of SW-1 is changed by the instruction of the label. The step of producing a 20 cm ruler image on the transfer paper was performed for each of the same size, reduced size, and enlarged size. As a result, it was possible to obtain a good image in which the original size was faithfully reproduced with respect to the same size and the respective magnifications were faithfully reproduced with respect to reduction and enlargement.

【0150】<比較例B−1>実施例B−1で作製した
再生ドラム−Iを、何ら改造されていないキャノン製複
写機NP−6650にセットし、その後実施例B−1と
同様の複写プロセスにより転写紙上に20cmの定規の
画像を作製する工程を行い画像出しを行った。その結
果、原稿サイズより転写紙上の20cm定規の画像は
0.314mm短くなってしまい、良好な画像が得られ
なかった。
<Comparative Example B-1> The reproduction drum-I prepared in Example B-1 was set in a Canon copying machine NP-6650 which was not modified at all, and thereafter the same copying as in Example B-1 was performed. By the process, a step of forming an image of a 20 cm ruler on the transfer paper was performed and the image was printed. As a result, a 20 cm ruler image on the transfer paper was 0.314 mm shorter than the original size, and a good image could not be obtained.

【0151】<実施例B−2>実施例B−1で得た再生
ドラム−Iに対して、再度の再生工程を実施例B−1の
再生工程と同様にして行い。2度の再生を行ったアモル
ファスシリコン感光体(以下、再生ドラム−IIと記す)
を得た。この再生ドラム−IIに2回目の再生工程を終了
したことを示すラベルを表示した。
<Embodiment B-2> The reproduction step of the reproduction drum-I obtained in Example B-1 was repeated in the same manner as the reproduction step of Example B-1. Amorphous silicon photoconductor that has been reproduced twice (hereinafter referred to as reproduction drum-II)
Got A label indicating that the second regeneration step was completed was displayed on this regeneration drum-II.

【0152】次に、この再生ドラム−IIに対して実施例
B−1と同様にラベル表示によりSW−2の設定を入力
し、実施例B−1と同様に複写プロセスにより、等倍、
縮小、拡大の各サイズについて複写を行った。その結
果、等倍に関しては原稿サイズを忠実に再現されてお
り、縮小、拡大に関してもそれぞれの倍率が忠実に再現
され、良好な画像が得られた。
Then, the setting of SW-2 is inputted to the reproduction drum-II by the label display as in the embodiment B-1, and the same magnification is set by the copying process as in the embodiment B-1.
Copies were made for each size of reduction and enlargement. As a result, the original size was faithfully reproduced for equal magnification, and the respective magnifications were faithfully reproduced for reduction and enlargement, and a good image was obtained.

【0153】<比較例B−2>実施例B−2で使用した
再生ドラム−IIを使用して、何ら改造されていないキャ
ノン製複写機NP−6650にセットし、その後実施例
B−2と同様の複写プロセスにより転写紙上に20cm
の定規の画像を作製する工程を行い画像出しを行った。
その結果、原稿サイズより転写紙上の20cm定規の画
像は0.628mm短くなってしまい、良好な画像が得
られなかった。
<Comparative Example B-2> Using the reproduction drum-II used in Example B-2, the reproduction drum II was set in a Canon copier NP-6650 which was not modified at all, and thereafter, as in Example B-2. 20 cm on the transfer paper by the same copying process
The process of producing the image of the ruler was performed and the image was displayed.
As a result, the 20 cm ruler image on the transfer paper was 0.628 mm shorter than the original size, and a good image could not be obtained.

【0154】<実施例C−1>図15に示す様な、導電
性基体1501上に、電荷注入阻止層1502、電荷輸
送層1503、電荷発生層1504、および表面保護層
1505としてSiC層を有する直径108mmの複写
機用正帯電感光体を作製した。この各層の形成条件およ
び層厚を下記表6に示す。
Example C-1 As shown in FIG. 15, a charge injection blocking layer 1502, a charge transport layer 1503, a charge generating layer 1504, and a SiC layer as a surface protective layer 1505 are provided on a conductive substrate 1501. A positively charged photoconductor for a copying machine having a diameter of 108 mm was produced. The formation conditions and layer thickness of each layer are shown in Table 6 below.

【0155】[0155]

【表6】 先に述べた様に、感光体の突起部の高さは5μm以下と
し、かつ正常な表面部分を残すような表面処理が必要で
ある。そこで、図14に示した様なエッチング処理を行
った。ここでエッチング溶液1404としてはNaOH
(1M):H22 =1.5:1を用い、このエッチン
グ液を30℃に保温してエッチング溶液恒温槽1403
に満たし使用した。このエッチング液のエッチング速度
は3.5μm/分である。この様なエッチング溶液14
04中に、先に作製した感光体を浸漬することによっ
て、感光体の表面の突起部の微小化、除去を行った。こ
の後、感光体をエッチング液槽から取り出し、アセトン
等の有機溶剤、および水で洗浄を行った。
[Table 6] As described above, the height of the protrusions of the photoconductor is 5 μm or less, and the surface treatment is required to leave the normal surface portion. Therefore, the etching process shown in FIG. 14 was performed. Here, as the etching solution 1404, NaOH is used.
(1M): H 2 O 2 = 1.5: 1 is used, and the etching solution is kept at 30 ° C. to keep the etching solution constant temperature bath 1403.
Met and used. The etching rate of this etching solution is 3.5 μm / min. Such an etching solution 14
By dipping the previously prepared photoconductor in 04, the protrusions on the surface of the photoconductor were miniaturized and removed. Then, the photoconductor was taken out from the etching liquid tank and washed with an organic solvent such as acetone and water.

【0156】上述の様なエッチング処理を、種々の高さ
の突起部に関し行い、処理前の突起部の高さと処理後の
突起部の高さとの相関関係を調べた。その結果を図19
に示す。この結果から明らかな様に、突起部の高さが大
きいとエッチング処理による影響も大きくなり、表面の
平滑化がなされる。これは本実施例にあるようなエッチ
ングが複数の反応を伴うタイプの反応系で、感光体表面
にエッチング液の中の溶解剤が達する割合で律速され
る、いわゆる拡散律速であるためである。また、図19
に示す結果から明らかな様に、高さ17μmの突起部迄
がこの処理により5μm以下に抑制された。
The above etching treatment was performed on the protrusions of various heights, and the correlation between the height of the protrusion before treatment and the height of the protrusion after treatment was examined. The result is shown in FIG.
Shown in. As is clear from this result, when the height of the protrusion is large, the effect of the etching treatment is large, and the surface is smoothed. This is because the etching as in the present embodiment is a reaction system of a type involving a plurality of reactions and is so-called diffusion-controlled, which is controlled by the rate at which the dissolving agent in the etching solution reaches the surface of the photoconductor. In addition, FIG.
As is clear from the results shown in (1), this treatment suppressed the protrusions up to 17 μm in height to 5 μm or less.

【0157】本実施例で用いた感光体は、その表面に表
面保護層1505があり、エッチング液による攻撃力と
保護層の保護力では、突起部において拡散律速であるエ
ッチング液の攻撃力が勝り保護層が破壊される。一方、
突起部以外は保護層の保護力のため、多少エッチングさ
れても破壊されない。一旦破壊の始まった突起部は、そ
の後もエッチングされ続け、平滑面が得られるであろう
と考えられる。突起部が5μm以下ではエッチングされ
にくいのも、この理由からと考えられる。
The photoconductor used in this example has a surface protective layer 1505 on its surface, and the attack power of the etching solution and the protection power of the protective layer are superior to the attack power of the etching solution which is diffusion-controlled at the protrusions. The protective layer is destroyed. on the other hand,
The portions other than the protrusions are protected by the protective layer so that they are not destroyed even if they are slightly etched. It is considered that the protrusion, which has started to be broken, will continue to be etched thereafter and a smooth surface will be obtained. It is considered that this is the reason why the protrusions are less likely to be etched when the protrusions are 5 μm or less.

【0158】このエッチング処理により突起部の微小
化、除去を行った感光体を、電子写真装置(キャノン製
NP−6650)に投入し、耐久試験を行ない、その結
果を図16および図17に、先に説明した従来例のデー
タと共に示す。
The photoconductor in which the protrusions were miniaturized and removed by this etching treatment was put into an electrophotographic apparatus (NP-6650 manufactured by Canon), and a durability test was conducted. The results are shown in FIGS. 16 and 17. This is shown together with the data of the conventional example described above.

【0159】図16および図17に示す結果から明らか
な様に、従来例のデータと比較して本実施例の処理後の
感光体は、突起部が微小化され、クリーニング性が向上
したものであった。すなわち、本実施例の処理後の感光
体表面に残存する突起部の高さは2〜4μm程度であ
り、従来の研磨方法による場合と比較して溝状の痕跡が
皆無であった。また、表面の平滑性に優れている。その
ためブレードが長寿命になり、またクリーニング過程で
トナーの除去がより良くなされた。また処理時間に要す
る時間は、従来に比較して充分に短時間化できた。従来
の当接研磨においては10〜20μmの突起部を研磨す
るに要する時間は、先に述べたように突起部の剥離を防
止するため感光体1本当たり3分40秒を要する。すな
わち、6本では22分かかる。一方、本実施例における
溶液エッチングに要する時間は、上記の条件で6本同時
処理を行い10分間であり、1本当たりに要する時間は
1分40秒であるから、生産効率の面での要求を充分満
たすことができる。
As is clear from the results shown in FIG. 16 and FIG. 17, compared with the data of the conventional example, the photosensitive member after the treatment of this example has the protrusions made finer and the cleaning property is improved. there were. That is, the height of the protrusions remaining on the surface of the photoconductor after the treatment of this example was about 2 to 4 μm, and there was no groove-like trace as compared with the case of the conventional polishing method. Also, the surface is excellent in smoothness. Therefore, the blade has a long service life, and the toner is removed better during the cleaning process. Further, the processing time can be shortened sufficiently as compared with the conventional one. In the conventional contact polishing, the time required to polish the protrusions of 10 to 20 μm is 3 minutes and 40 seconds for each photoconductor in order to prevent the protrusions from being peeled off as described above. That is, it takes 22 minutes for 6 pieces. On the other hand, the time required for the solution etching in this example is 10 minutes when 6 pieces are simultaneously processed under the above conditions, and the time required for one piece is 1 minute 40 seconds. Can be fully satisfied.

【0160】<実施例C−2>実施例C−1と同様の装
置を用いて、実施例C−1同様の直径108mmの正帯
電感光体に対し、エッチング溶液1404としてNaO
H:H22 =1:1(溶液のエッチング速度は2μm
/分)を使用した以外は、実施例C−1と同様のエッチ
ング処理を行った。この溶液エッチングに要した時間は
15分間であった。本実施例においても、エッチング終
了時点での突起部の高さは5μm以下に抑えられた。ま
た、感光体表面状態やブレードの耐久試験等に関して、
実施例C−1同様に良い結果が得られた。
<Example C-2> Using a device similar to that of Example C-1, a positively charged photoreceptor having a diameter of 108 mm similar to that of Example C-1 was used as an etching solution 1404 with NaO.
H: H 2 O 2 = 1: 1 (solution etching rate is 2 μm
/ Min) was used, and the same etching treatment as in Example C-1 was performed. The time required for this solution etching was 15 minutes. Also in this example, the height of the protrusion at the end of etching was suppressed to 5 μm or less. Also, regarding the surface condition of the photoreceptor and the durability test of the blade,
Good results were obtained as in Example C-1.

【0161】<実施例C−3>実施例C−1と同様の装
置を用いて、実施例C−1同様の直径108mmの正帯
電感光体に対し、エッチング溶液1404としてBr
2 :CH3 OH=2:100(溶液のエッチング速度は
2μm/分)のものを室温で使用し、実施例C−1と同
様のエッチング処理を行った。この溶液エッチングに要
した時間は15分間であった。本実施例においても、エ
ッチング終了時点での突起部の高さは5μm以下に抑え
られた。また、感光体表面状態やブレードの耐久試験等
に関して、実施例C−1同様に良い結果が得られた。
<Example C-3> Using a device similar to that of Example C-1, a positively charged photoreceptor having a diameter of 108 mm similar to that of Example C-1 was used as an etching solution 1404 with Br.
2 : CH 3 OH = 2: 100 (solution etching rate: 2 μm / min) was used at room temperature, and the same etching treatment as in Example C-1 was performed. The time required for this solution etching was 15 minutes. Also in this example, the height of the protrusion at the end of etching was suppressed to 5 μm or less. Further, with respect to the surface condition of the photoreceptor, the durability test of the blade, and the like, good results were obtained as in Example C-1.

【0162】<実施例C−4>実施例C−2と同様の装
置、感光体、エッチング液を用い、図14の支持アーム
1402を15cm/秒で回転させて、感光体1401
上の高さ15〜20μmの突起部を高さ5μmになるま
でエッチングした。感光体表面の状態、ブレードの耐久
試験の結果は、実施例C−2同様に良い結果が得られ
た。また、エッチングに要した時間は10分であり、支
持アームの回転速度により処理時間の短縮がなされた。
<Embodiment C-4> Using the same apparatus, photoreceptor and etching liquid as in Embodiment C-2, the support arm 1402 of FIG. 14 is rotated at 15 cm / sec to form the photoreceptor 1401.
The upper protrusion having a height of 15 to 20 μm was etched to a height of 5 μm. As for the condition of the surface of the photoconductor and the result of the durability test of the blade, good results were obtained as in Example C-2. Further, the time required for etching was 10 minutes, and the processing time was shortened by the rotation speed of the supporting arm.

【0163】<実施例C−5>実施例C−4と同様の装
置、感光体、エッチング液を用い、支持アームを30c
m/秒で回転させた以外は同様のエッチングを行ったと
ころ、実施例C−4同様に良い結果が得られた。また、
エッチングに要した時間は7分であった。
<Embodiment C-5> The same apparatus, photoreceptor and etching liquid as in Embodiment C-4 were used, and the support arm was 30c.
When the same etching was performed except that the rotation was performed at m / sec, the same good result as in Example C-4 was obtained. Also,
The time required for etching was 7 minutes.

【0164】<比較例C−1>実施例C−1同様の感光
体を、先に図18に示した従来の当接研磨装置を用い
て、高さ15〜20μmの突起部を高さ5μmまで1分
40秒で研磨を行った(なお、この様な研磨は通常3分
40秒程度を要する)。研磨後の感光体は、表面が非常
に粗く、剥がれた突起によると考えられる傷等が生じて
いた。したがって、画像を形成するトナーの融着等の不
都合が生じた。
<Comparative Example C-1> A similar photoreceptor to that of Example C-1 was prepared by using the conventional contact polishing apparatus shown in FIG. 18 to form protrusions having a height of 15 to 20 μm and a height of 5 μm. The polishing was carried out in 1 minute and 40 seconds (note that such polishing usually requires about 3 minutes and 40 seconds). The surface of the photoconductor after polishing was very rough, and scratches and the like considered to be caused by peeled projections were generated. Therefore, inconveniences such as fusion of toner forming an image occur.

【0165】<比較例C−2>実施例C−1同様の装置
および感光体を用い、支持アームは固定して、エッチン
グ液として、H2 SO4 :H22 :H2 O=2:8:
1(エッチング速度は8μm/分)のものを使用した。
感光体上の高さ15〜20μmの突起部を5μmにする
のに要した時間は3分以内であるが、処理後の表面が非
常に荒れており、該感光体に特有な光沢を失っていた。
また画像形成においては、トナーの融着が生じた。
<Comparative Example C-2> Using the same apparatus and photosensitive member as in Example C-1, the supporting arm was fixed, and H 2 SO 4 : H 2 O 2 : H 2 O = 2 was used as an etching solution. : 8:
1 (etching rate was 8 μm / min) was used.
The time required to make the protrusions having a height of 15 to 20 μm on the photoconductor 5 μm was within 3 minutes, but the surface after the treatment was very rough and the gloss peculiar to the photoconductor was lost. It was
Further, in image formation, toner fusion occurred.

【0166】<参考例C−1>実施例C−1同様の装
置、感光体、エッチング液を用い、支持アームを50c
m/秒の速度で回転させた。感光体上の高さ15〜20
μmの突起部を5μmにするのに要した時間は7分であ
った。しかし感光体表面が粗くなっており、トナーの融
着が生じた。
<Reference Example C-1> The same apparatus, photosensitive member and etching solution as in Example C-1 were used, and the support arm was 50c.
It was rotated at a speed of m / sec. Height above photoconductor 15-20
The time required to make the projections of μm 5 μm was 7 minutes. However, the surface of the photoconductor was rough, and toner fusion occurred.

【0167】<参考例C−2>参考例C−1同様の装
置、感光体、エッチング液を用い、支持アームを50c
m/秒の速度で回転させた。感光体上の、高さ15〜2
0μmの突起部を5μm以下にするのに要した時間は3
分以内であった。処理後の感光体は、該感光体に特有の
光沢を失い、表面粗さが非常に悪い水準にあった。また
画像形成において、トナーの融着等が生じていた。
<Reference Example C-2> Using the same apparatus, photoreceptor and etching liquid as in Reference Example C-1, a supporting arm of 50c is used.
It was rotated at a speed of m / sec. Height of 15 to 2 on photoconductor
The time required to reduce the 0 μm protrusion to 5 μm or less is 3
It was within minutes. The treated photoconductor lost the gloss peculiar to the photoconductor and had a very poor surface roughness. Further, in image formation, toner fusion or the like occurs.

【0168】[0168]

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、主として
電子写真用感光体におけるクリーニング特性を総合的に
各方面から改善することができる。
According to the present invention described above, mainly the cleaning characteristics of the electrophotographic photoreceptor can be comprehensively improved from various aspects.

【0169】第1の本発明である光受容部材によれば、
特定の滑り性評価方法により求めたアルミナ粉体の残留
率が50%以下なので、連続コピーを続けてもクリーナ
ーブレードが部分的に劣化し難く、ブレードの接触圧の
差、例えば中央部と端部とで接触圧に差が生じた場合に
おいても光受容部材表面の摩擦抵抗の上昇は生ずること
なく、クリーニング不良等による画像欠陥を生ずること
もなく、高品質な画像を得ることができる。また滑り性
が良好であるので、連続コピーによるトナーの融着が発
生しにくく、ブレードも劣化しにくいという予期せぬ効
果も得られることがわかった。
According to the light receiving member of the first invention,
Since the residual rate of alumina powder obtained by a specific slipperiness evaluation method is 50% or less, the cleaner blade is less likely to partially deteriorate even if continuous copying is continued, and the difference in blade contact pressure, for example, the central portion and the end portion Even if a contact pressure difference occurs between and, the frictional resistance of the surface of the light receiving member does not increase, and an image defect due to poor cleaning or the like does not occur, so that a high quality image can be obtained. Further, it has been found that since the slipperiness is good, it is possible to obtain an unexpected effect that the toner is less likely to be fused by continuous copying and the blade is less likely to deteriorate.

【0170】第2の本発明であるアモルファスシリコン
感光体の再生利用方法によれば、感光体を旋盤などによ
り切削処理を施して基体のみとし、再生回数に応じ予め
決定しておいた速度で再生感光体を回転させて使用する
ので、切削により基体の肉厚が変化しても円周方向の画
像長さの縮尺は何等変化することなく、原稿のサイズを
忠実に再現し、良好な画像を得ることが可能となる。ま
た、繰返しの再生利用が可能となったので、従来、特性
不良や打ち傷などで廃却となっていたアモルファスシリ
コン感光体の再生利用を行い、高純度の高価なアルミ基
体等が繰返し使用でき大幅なコストダウンが可能とな
る。
According to the second aspect of the present invention, which is a method of reusing an amorphous silicon photoconductor, the photoconductor is cut by a lathe or the like so that only the substrate is formed, and the photoconductor is regenerated at a speed determined in advance according to the number of times of reproduction. Since the photoconductor is used by rotating it, even if the thickness of the substrate changes due to cutting, the scale of the image length in the circumferential direction does not change at all, the original size is faithfully reproduced and a good image is obtained. It becomes possible to obtain. In addition, since it has become possible to reuse it repeatedly, it is possible to reuse the amorphous silicon photoconductor that was previously discarded due to defective characteristics and scratches, and to reuse high-purity expensive aluminum substrates etc. It is possible to reduce the cost.

【0171】第3の本発明である表面処理方法によれ
ば、物理的研磨の代わりに特定の溶液エッチングを行う
化学的処理なので、感光体表面の突起部の微小化および
/または除去が極めて効果的に行え、突起部の剥離も無
く良好に表面の平滑化が行える。また、一度に複数の感
光体の処理が可能なので、感光体の研磨に要する時間に
関し一本当りの処理時間が短縮できる。また、この処理
方法によって感光体のクリーニング性が向上する。
According to the surface treatment method of the third aspect of the present invention, the chemical treatment is carried out by performing a specific solution etching instead of physical polishing, so that the miniaturization and / or removal of the protrusions on the surface of the photoreceptor is extremely effective. The surface can be satisfactorily smoothed without peeling off the protrusions. Further, since it is possible to process a plurality of photoconductors at a time, it is possible to shorten the processing time per one with respect to the time required for polishing the photoconductors. Further, the cleaning property of the photoconductor is improved by this processing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における滑り性評価法を行っている状態
を例示する模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which a slipperiness evaluation method according to the present invention is being performed.

【図2】本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構成
を説明するための模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a preferable layer structure of the electrophotographic light-receiving member of the present invention.

【図3】ブレード式クリーニング方式を用いた電子写真
装置を説明するための模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining an electrophotographic apparatus using a blade type cleaning method.

【図4】本発明の電子写真用光受容部材を形成するため
の装置の一例で、マイクロ波(μW)を用いたグロー放
電法による製造装置の模式的側断面図である。
FIG. 4 is a schematic side sectional view of a manufacturing apparatus by a glow discharge method using a microwave (μW), which is an example of an apparatus for forming a light receiving member for electrophotography of the present invention.

【図5】図4に示した堆積膜形成装置の上方からみた断
面図である。
5 is a cross-sectional view of the deposited film forming apparatus shown in FIG. 4 viewed from above.

【図6】図4に示した製造装置全体の模式的説明図であ
る。
FIG. 6 is a schematic explanatory view of the entire manufacturing apparatus shown in FIG.

【図7】本発明の第2の光導電領域での炭素含有量の変
化パターンである。
FIG. 7 is a variation pattern of carbon content in the second photoconductive region of the present invention.

【図8】実施例A−1におけるアルミナ粉体残留率の測
定結果を示す特性図(グラフ−1)である。
FIG. 8 is a characteristic diagram (graph-1) showing the measurement results of the alumina powder residual rate in Example A-1.

【図9】実施例A−2におけるアルミナ粉体残留率の測
定結果を示す特性図(グラフ−2)である。
FIG. 9 is a characteristic diagram (graph-2) showing the measurement results of the alumina powder residual rate in Example A-2.

【図10】円筒状アモルファスシリコン感光体を再生す
るための切削工程を例示する模式図である。
FIG. 10 is a schematic view illustrating a cutting process for reproducing a cylindrical amorphous silicon photoconductor.

【図11】図10の切削状況を示した図である。FIG. 11 is a diagram showing a cutting situation of FIG. 10;

【図12】再生アモルファスシリコン感光体を用いて使
用できる複写機の概略図である。
FIG. 12 is a schematic diagram of a copying machine that can be used with a recycled amorphous silicon photoconductor.

【図13】アモルファスシリコン感光体を製造する装置
の模式的な断面図である。
FIG. 13 is a schematic sectional view of an apparatus for manufacturing an amorphous silicon photoconductor.

【図14】電子写真用感光体の化学的表面処理(エッチ
ング処理)を行なう装置の模式的構成図である。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram of an apparatus for performing a chemical surface treatment (etching treatment) on an electrophotographic photoreceptor.

【図15】本発明に係るシリコン原子を含む電子写真用
感光体の層構成を示す模式的断面図である。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of an electrophotographic photoreceptor containing silicon atoms according to the present invention.

【図16】突起部の高さ(b)が1μm、3μm、5μ
m、8μmまたは10μmの5種類の感光体において、
100万枚耐久試験での稼動枚数とクリーニングブレー
ドのブレード欠けの深さ(a)と関係を示すグラフであ
る。
FIG. 16: Height of protrusion (b) is 1 μm, 3 μm, 5 μ
m, 8 μm or 10 μm of 5 types of photoconductors,
It is a graph which shows the number of operation | movements in a 1 million sheet durability test, and the depth (a) of the blade chip of a cleaning blade.

【図17】図16のデーターを再プロットしたものであ
り、感光体の突起部の高さ(b)とブレード欠けの深さ
(a)と関係を示すグラフである。
FIG. 17 is a graph obtained by re-plotting the data of FIG. 16 and showing the relationship between the height (b) of the protrusion of the photoconductor and the depth (a) of the blade chip.

【図18】従来の当接研磨装置の概略図である。FIG. 18 is a schematic view of a conventional contact polishing apparatus.

【図19】エッチングによる表面処理前後の突起の高さ
の関係を示したグラフである。
FIG. 19 is a graph showing a relationship between heights of protrusions before and after surface treatment by etching.

【図20】エッチンググ速度と、エッチング後の表面の
突起部以外の表面粗さとの関係を示したグラフである。
FIG. 20 is a graph showing the relationship between the etching rate and the surface roughness other than the protrusions on the surface after etching.

【図21】図20と同様の条件でのエッチンググ速度と
突起部の高さとの関係を表わしたグラフである。
FIG. 21 is a graph showing the relationship between the etching speed and the height of protrusions under the same conditions as in FIG.

【図22】支持アームの回転速度と突起部以外の部分の
表面粗さとの関係を示すグラフである。
FIG. 22 is a graph showing the relationship between the rotation speed of the support arm and the surface roughness of the portion other than the protrusion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

106,201,301 光受容部材 100 表面性試験機 101 重り 102 ブレードホルダー 103,301 ブレード 104 アルミナ粉体 105 アーム 201 導電性基体 202 第2領域 203 第1領域 204 表面層 205 光受容層 206 自由表面 300 電子写真装置 302 主帯電器 303 画像露光 304 現像器 305 転写帯電器 306 分離帯電器 307 クリーナー 308 クリーニングローラー 310 除電露光 400 堆積装置 401 反応容器 402 マイクロ波導入窓 403 導波管 404 基体ホルダー 405 導電性円柱状基体 406 基体加熱用ヒーター 407 原料ガス導入管 408 バイアス電極 409 バイアス電源 410 基体回転用モーター 411 排気管 420 放電空間 600 原料ガス供給装置 611〜616 マスフローコントローラー 621〜626 原料ガスボンベ 631〜636 原料ガスボンベバルブ 641〜646 ガス流入バルブ 651〜656 ガス流出バルブ 661〜666 圧力調整器 1001 アモルファスシリコン感光体 1002 切削バイト 1101 アモルファスシリコン感光層 1102−A 芯削り部 1102−B 仕上げ削り部 1102 アルミ基体 1401 感光体 1402 感光体保持用アーム 1403 エッチング溶液槽 1404 エッチング溶液 1501 導電性基体 1502 電荷注入阻止層 1503 電荷輸送層 1504 電荷発生層 1505 表面保護層 1801 感光体 1802 研磨テープ 1803 研磨テープ用ローラー 106, 201, 301 Photoreceptive member 100 Surface tester 101 Weight 102 Blade holder 103, 301 Blade 104 Alumina powder 105 Arm 201 Conductive substrate 202 Second region 203 First region 204 Surface layer 205 Photoreceptive layer 206 Free surface 300 Electrophotographic Device 302 Main Charger 303 Image Exposure 304 Developer 305 Transfer Charger 306 Separation Charger 307 Cleaner 308 Cleaning Roller 310 Discharge Exposure 400 Deposition Device 401 Reaction Vessel 402 Microwave Introducing Window 403 Waveguide 404 Substrate Holder 405 Conductive Cylindrical base 406 Base heating heater 407 Raw material gas introduction pipe 408 Bias electrode 409 Bias power supply 410 Base rotation motor 411 Exhaust pipe 420 Discharge space 600 Raw material gas supply device 11-616 Mass flow controller 621-626 Raw material gas cylinder 631-636 Raw material gas cylinder valve 641-646 Gas inflow valve 651-656 Gas outflow valve 661-666 Pressure regulator 1001 Amorphous silicon photoconductor 1002 Cutting tool 1101 Amorphous silicon photosensitive layer 1102-A Core cutting part 1102-B Finish cutting part 1102 Aluminum substrate 1401 Photoreceptor 1402 Photoreceptor holding arm 1403 Etching solution tank 1404 Etching solution 1501 Conductive substrate 1502 Charge injection blocking layer 1503 Charge transport layer 1504 Charge generation layer 1505 Surface protective layer 1801 Photoconductor 1802 Abrasive tape 1803 Abrasive tape roller

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河田 将也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 村山 仁 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Masaya Kawata 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hitoshi Murayama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Kya Non non corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導電性基体上に、シリコン原子を母体と
する非単結晶材料で構成された光受容層を有する光受容
部材において、該光受容層の表面にアルミナ粉体を均一
に付着させてクリーニングブレードを押圧10g/cm
2 で圧接して滑らせたときの0.1cm2 の領域内のア
ルミナ粉体の残留率を求める滑り性評価方法により求め
た該残留率が50%以下であることを特徴とする光受容
部材。
1. A photoreceptive member having a photoreceptive layer composed of a non-single-crystal material having a silicon atom as a matrix on a conductive substrate, wherein alumina powder is uniformly adhered to the surface of the photoreceptive layer. Pressing the cleaning blade with 10g / cm
2. The light receiving member, characterized in that the residual rate obtained by a slidability evaluation method for obtaining the residual rate of the alumina powder in a region of 0.1 cm 2 when pressed and slid at 2 is 50% or less. .
【請求項2】 基体上にアモルファスシリコン感光層を
有してなる円柱状アモルファスシリコン感光体の再生利
用方法において、切削手段により該アモルファスシリコ
ン感光層を基体より除去し、該除去後の基体上に新たな
アモルファスシリコン感光層を形成して再生アモルファ
スシリコン感光体とし、再生前の回転速度とは異なる回
転速度であって該感光体の再生回数に応じた回転速度で
該再生アモルファスシリコン感光体を回転させて使用す
ることを特徴とするアモルファスシリコン感光体の再生
利用方法。
2. A method for recycling a cylindrical amorphous silicon photoconductor having an amorphous silicon photoconductive layer on a substrate, wherein the amorphous silicon photoconductive layer is removed from the substrate by a cutting means, and the substrate after the removal is removed. A new amorphous silicon photosensitive layer is formed to be a regenerated amorphous silicon photoconductor, and the regenerated amorphous silicon photoconductor is rotated at a rotation speed different from the rotation speed before reproduction and according to the number of times of reproduction of the photoconductor. A method for recycling an amorphous silicon photoconductor, which is characterized by being used.
【請求項3】 少なくともシリコン原子を含む電子写真
用感光体の異常成長部の微小化および/または除去を行
う表面処理方法において、感光体表面に対するエッチン
グ速度が4μm/分以下であるエッチング溶液を用いて
エッチングすることにより該異常成長部の微小化および
/または除去を行うことを特徴とする電子写真用感光体
の表面処理方法。
3. A surface treatment method for miniaturizing and / or removing abnormally grown portions of an electrophotographic photoreceptor containing at least silicon atoms, using an etching solution having an etching rate of 4 μm / min or less for the photoreceptor surface. A method for surface treatment of a photoreceptor for electrophotography, characterized in that the abnormal growth portion is miniaturized and / or removed by etching.
【請求項4】 少なくともシリコン原子を含む電子写真
用感光体において、感光体表面に対するエッチング速度
が4μm/分以下であるエッチング溶液を用いてエッチ
ングすることにより感光体表面の異常成長部の微小化お
よび/または除去が行われたことを特徴とする電子写真
用感光体。
4. An electrophotographic photoconductor containing at least silicon atoms is etched by using an etching solution having an etching rate of 4 μm / min or less with respect to the photoconductor surface, thereby miniaturizing abnormal growth portions on the photoconductor surface and And / or an electrophotographic photosensitive member characterized by being removed.
JP34076492A 1992-12-21 1992-12-21 Photoreceptive member, method for recycling photosensitive body and surface treatment Pending JPH06186763A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH112910A (en) * 1997-06-11 1999-01-06 Minolta Co Ltd Photoreceptor and image forming device
US6560414B2 (en) 2000-11-21 2003-05-06 Ricoh Company, Ltd. Reusable photoreceptor and image forming apparatus using the reusable photoreceptor and method of reusing photoreceptor
US6763208B2 (en) 2001-03-22 2004-07-13 Ricoh Company, Ltd. Photoreceptor regenerating apparatus and image forming apparatus using regenerated photoreceptor and method of regenerating photoreceptor

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US6763208B2 (en) 2001-03-22 2004-07-13 Ricoh Company, Ltd. Photoreceptor regenerating apparatus and image forming apparatus using regenerated photoreceptor and method of regenerating photoreceptor

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