JPH0618453A - 蛍光x線分析方法 - Google Patents

蛍光x線分析方法

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Publication number
JPH0618453A
JPH0618453A JP20042892A JP20042892A JPH0618453A JP H0618453 A JPH0618453 A JP H0618453A JP 20042892 A JP20042892 A JP 20042892A JP 20042892 A JP20042892 A JP 20042892A JP H0618453 A JPH0618453 A JP H0618453A
Authority
JP
Japan
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sample
ray
fluorescent
degrees
depth
Prior art date
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Pending
Application number
JP20042892A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Okashita
英男 岡下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 蛍光X線分析法で表面から深さ方向に成分組
成に偏りがあるような試料に対し、深さ方向に平均化さ
れた分析データを得る。 【構成】 試料への1次X線照射角と試料からの蛍光X
線取出し角を変えられるようにした。 【作用】 蛍光X線分析法で、分析情報が得られる深さ
は1次X線と蛍光X線の試料面に対する傾きによって異
なる。偏析のあるような試料に対しては、深部まで分析
情報が得られる角度を選択することで、平均化された分
析値が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は蛍光X線分析方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の蛍光X線分析装置はX線源,試
料,X線検出器の三者の位置関係が固定したものであ
り、試料面に対する1次X線の照射角、試料からの蛍光
X線の取出し角は装置によって異なっていても、一つの
装置では固定されていた。
【0003】蛍光X線分析法では1次X線は試料面より
内部まで進入し、試料表面から或る深さまでの試料成分
原子を励起し、試料面から或る深さまでの蛍光X線が試
料を透過して検出される。従って蛍光X線分析法では試
料面から或る深さまでの元素組成を平均化した分析情報
が得られる。こゝでどの位の深さまでの分析情報が得ら
れるかは、試料の組成と共に、1次X線の試料面照射
角、蛍光X線の試料面に対する取出し角、即ち蛍光X線
検出方向によっても変化する。
【0004】蛍光X線分析法で扱われる試料は成分組成
が完全に均一なものもあるが、偏析する傾向を持った成
分を含む合金のように、表面近くの元素組成が中の方と
異なっている試料もあり、このような試料に対して、極
浅い深さまでの分析情報しか得られない蛍光X線分析装
置で分析すると、試料の平均的な組成に対して偏った分
析結果が得られることになる。1次X線の照射角や蛍光
X線の取出し角を変えればより深い所までの平均的分析
情報が得られて偏析の効果をなくすことができる場合で
も、従来は1次X線の照射角、蛍光X線の取出し角が固
定されていたため、偏った分析結果で満足するしかなか
った。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】蛍光X線分析による分
析情報が得られる試料面からの深さを大小選択可能にし
ようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】蛍光分析装置で試料面に
対する1次X線の照射角と蛍光X線の取出し角を変えれ
るようにした。
【0007】
【作用】図2に示すように、試料面に対しφの角度で1
次X線を照射し、取出し角Ψの方向で蛍光X線を検出す
る場合の蛍光X線強度1は I=K・w[1−exp(−aρD)]/a…(1) で表される。こゝで K 比例定数 w 測定元素の重量分率 ρ 試料密度 D 試料厚さ a 下式で表される総括質量吸収係数 a=(μ/ρ)1 /sinφ+(μ/ρ)2 /sinΨ…(2) こゝで (μ/ρ)1 1次X線に対する試料の質量吸収係数 (μ/ρ)2 蛍光X線に対する試料の質量吸収係数 上記(1) 式でexpの項は試料厚さが大きくなるに従い
0に近づく。そして0に近づく速さは一つの試料であれ
ばaが大きい程速い。試料厚さDが小さい間はIはDと
共に大きくなるが、Dが或る程度の大きさになると、I
の値は飽和して略一定となる。そのときのDの値は厚さ
が充分大きい試料で蛍光X線により分析情報が得られる
限界の深さを意味している。そして同一試料ではこの限
界深さはaが大きい程小さくなり、aは照射角φ,取出
し角Ψが関係しているので、これらを変えることによ
り、限界の深さDを変えることができるのである。
【0008】
【実施例】図1にこの実施例で用いられる試料ホルダを
示す。この実施例は1次X線源とX線検出器が固定され
ていて、1次X線照射角および蛍光X線取出し角が変え
られない従来型の蛍光X線分析装置を用いる実施例で、
試料ホルダを変えることで、1次X線照射角と蛍光X線
取出し角の切換えを可能にしたものである。図で1は試
料ホルダの本体で、2は本体1に着脱自在に螺着される
蓋であり、この蓋2の上面は試料面の1次X線照射範囲
を規制するマスク3になっている。試料Sはホルダ本体
1内でばね4により表面が上記マスク3の下面に押し当
てられる。蓋2は2種類あって、一つは図1に示すよう
にマスク3が試料ホルダ本体1の底面と平行な通常型の
ものであり、他の一つは図2に示すようにマスク3の面
がホルダ本体1の底面に対し傾いているものである。蛍
光X線分析装置ではX線源の位置、試料をセットする試
料ホルダ取付座の位置は固定されているので、上記した
2種の蓋を使い分けることで、試料面の1次X線に対す
る傾きおよび蛍光X線の取出し角を変えることができ
る。この実施例の場合、図1の蓋を用いるときは試料面
の1次X線の照射角φ=90度、蛍光X線取出し角Ψ=
30度であり、図2の蓋を用いると照射角φ=30度、
取出し角Ψ=90度となる。
【0009】図3は本発明の上記実施例で用いている蛍
光X線分析装置の全体を示す。Xは1次X線源、Bは試
料ホルダ取付け座で、SLは蛍光X線取出し用ソーラス
リットで、1次X線ビームとこのソーラスリットの方向
とのなす角は60度に固定されている。Cは蛍光X線分
光結晶、DはX線検出器である。分光結晶Cは装置に対
する固定点0を中心に回転可能で、検出器Dは0点を中
心に分光結晶Cの回転角の2倍だけ回転せしめられるよ
うになっている。
【0010】上述実施例でX線源にRhターゲットのX
線管を用い、1次X線としてRhのLα線を用いて、A
1合金中のSiの分析を行う場合について説明する。蛍
光X線として検出するのはSiのKαとする。分析情報
が得られる限界深さとして、前記(1) 式の右辺[]内の
値が0.99(指数関数部分が0.01)となるDを用
い、これを臨界深さDcと呼ぶ。今の場合φ=90度,
Ψ=30度の場合をA、φ=30度,Ψ=90度の場合
をBとして、夫々の場合の臨界深さDcを計算すると、
前記(2) 式内の(μ/ρ)1 ,(μ/ρ)2 は A1 Si (μ/ρ)1 1120 1410 (μ/ρ)2 3440 360 であり、 Aの場合のDc=0.21μm Bの場合のDc=0.30μm となり、図1の試料ホルダの蓋を用いたときの臨界深さ
0.21μm、図2の蓋を用いたときの臨界深さは0.
3μmとなって、試料を60度傾けることにより、より
深い部分からの分析情報が得られることが分る。これら
両方の場合のSiの含量は試料面からの深さ0.21お
よび0.3μmまでのSi含量の平均であり、Siが試
料の極表面で特に高濃度であるような場合、後者の分析
データがより正確なSiの平均濃度を示すことになり、
また両方のデータから、Siの偏析程度についての情報
が得られる。
【0011】上述実施例では1次X線と検出する蛍光X
線のなす角を一定にして1次X線照射角と蛍光X線取出
し角を変えているが、照射角と取出し角の変え方はこの
ような形に限定されない。照射角と取出し角は互いに独
立に変えてよく、特別の場合として、照射角を一定にし
て取出し角だけ変えるようにしてもよい。また上例では
試料ホルダ蓋の交換で照射角と取出し角の組合せについ
て二種の切換えを可能としているが、試料ホルダの取付
け座を傾動可能としても、試料ホルダ内で試料を傾動可
能にするようにしてもよい。
【0012】
【発明の効果】従来方法によると、試料の表面から深さ
方向に組成比が変化していても分からないのであるが、
本発明によれば、一つの試料について分析情報が得られ
る限界深さを変えて分析が行われるので、表面からの深
さ方向に成分組成が変化しているような試料に対しても
正しい分析結果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例で用いられる二種の試料ホル
ダの一つの縦断側面図
【図2】同じく二種の試料ホルダの他の一つの縦断側面
【図3】本発明で用いられる蛍光X線分析装置の平面図
【符号の説明】
1 試料ホルダ本体 2 試料ホルダの蓋 3 マスク 4 ばね S 試料

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】試料面に対する1次X線の照射角および蛍
    光X線の取出し角を変えて蛍光X線を測定することを特
    徴とする蛍光X線分析方法。
JP20042892A 1992-07-03 1992-07-03 蛍光x線分析方法 Pending JPH0618453A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20042892A JPH0618453A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 蛍光x線分析方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20042892A JPH0618453A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 蛍光x線分析方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0618453A true JPH0618453A (ja) 1994-01-25

Family

ID=16424139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20042892A Pending JPH0618453A (ja) 1992-07-03 1992-07-03 蛍光x線分析方法

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JP (1) JPH0618453A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004673A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 蛍光x線液分析計

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004673A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 蛍光x線液分析計

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