JPH06160194A - Pyroelectric infrared ray sensor - Google Patents

Pyroelectric infrared ray sensor

Info

Publication number
JPH06160194A
JPH06160194A JP13157992A JP13157992A JPH06160194A JP H06160194 A JPH06160194 A JP H06160194A JP 13157992 A JP13157992 A JP 13157992A JP 13157992 A JP13157992 A JP 13157992A JP H06160194 A JPH06160194 A JP H06160194A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
formed
pyroelectric
layer
substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13157992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Nishiura
順一 西浦
Original Assignee
Nippon Ceramic Co Ltd
日本セラミック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PURPOSE: To improve the conversion efficiency and responsiveness of a pyroelectric infrared ray sensor by forming a support layer having a void at the lower section on a substrate, then providing an infrared ray detection section constituted of a thin layer and an electrode at one or more places on it.
CONSTITUTION: A glass layer 2 is formed on a substrate 3 made of Si, for example, then a hole for forming a junction portion of the substrate 3 and a support layer 8 is bored on the layer 2. Poly-Sil is formed by the CVD method, and the hole is buried and flattened. Poly-Sil is formed as the support layer 8 by the same method. A lower electrode 4 is formed by the spattering method, it is machined into an aimed shape, then a thin film 5 made of a pyroelectric material is laminated. An upper electrode 4 is formed by the spattering method and machined, then the upper section is covered with an insulating film 6 to prevent the corrosion of the thin film 5. The lower section is corroded and removed with an HF etching liquid to form a void 7, and the support layer 8 is formed.
COPYRIGHT: (C)1994,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、焦電型赤外線センサに関するものである。 The present invention relates to relates to a pyroelectric infrared sensor.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来の焦電型赤外線センサの検知部(以下、素子と呼ぶことにする)を図4の示す。 BACKGROUND ART detection section of the conventional pyroelectric infrared sensor (hereinafter, will be referred to as an element) indicated by Figure 4. 薄板状に形成した焦電基板(9)、受光面電極(11)及び裏面電極(12)から構成される。 Pyroelectric substrate formed of a thin plate (9), and a light-receiving surface electrode (11) and the back surface electrode (12). 焦電型赤外線センサは、センサに入射した赤外線エネルギによって、焦電体の温度変化を生じ、このことにより焦電体内部の自発分極の方向が変化し、焦電体表面に電荷を生じるという現象を利用したものである。 Phenomenon pyroelectric infrared sensor, the infrared energy incident on the sensor results in a temperature change of the pyroelectric, the direction of the spontaneous polarization of the pyroelectric body portion is changed by this, it produces a charge on the pyroelectric body surface it is obtained by using the. このように受光面(10)に赤外線が入射することにより、焦電体基板(9)の温度が変化し、これによって発生した電荷は、受光面電極(11) By infrared incident on the way the light-receiving surface (10), the temperature of the pyroelectric substrate (9) is changed, charges generated by this, the light-receiving surface electrode (11)
と裏面電極(12)とから取り出されることにより、赤外線エネルギが電気信号に変換できるものである。 And by being taken out from the back surface electrode (12), in which infrared energy can be converted into an electric signal. 従って、赤外線エネルギを電気信号に変換する際の変換効率及び応答性は、焦電体基板(9)の熱容量に起因するため、他の方式の赤外線センサと比較して遅いことが知られている。 Therefore, the conversion efficiency and responsiveness when converting infrared energy into an electrical signal, for due to the heat capacity of the pyroelectric substrate (9), it is known that slow compared with the infrared sensor of another type .

【0003】この焦電型赤外線センサの変換効率及び応答性については、焦電体基板(9)の厚さを薄くすることにより改善することができる。 [0003] The conversion efficiency and the response of the pyroelectric type infrared sensor can be improved by reducing the thickness of the pyroelectric substrate (9). しかし、一般的に使用されている焦電体基板(9)の形状寸法は5mm×3m However, the geometry of the pyroelectric substrate that is commonly used (9) is 5 mm × 3m
m×100μm程度である。 m × is about 100 [mu] m. 従来の方法では、素子を構成する焦電体として焦電体基板(9)を用いているために、焦電体基板の厚さをこれ以上薄くすることは、機械的な強度、あるいは加工上問題があり、実現し難いといった問題点があった。 In the conventional method, due to the use of pyroelectric substrate (9) as a pyroelectric material constituting the element, reducing the thickness of the pyroelectric substrate further includes mechanical strength, or machined on problem there, there is a problem that hardly realized.

【0004】また、焦電型赤外線センサの例として図3 [0004] Figure 3 as an example of a pyroelectric infrared sensor
−a)、図3−b)にみうけられるように、同一の焦電体基板(9)の上に複数の電極対を形成した構成のセンサも市販品として存在する。 -a), as can be seen in FIG. 3-b), it is also present as a commercial product sensor structure in which a plurality of electrode pairs on the same pyroelectric substrate (9). 近年は、センサの多様化する応用に対応するため、複数の素子を持つ焦電型赤外線センサ(以下、マルチエレメントセンサと呼ぶことにする)の開発が盛んに行われている。 In recent years, in order to respond to the application of diverse sensors, pyroelectric infrared sensor having a plurality of elements (hereinafter, it will be referred to as a multi-element sensor) development has been actively conducted. しかし従来の構成では、多数の素子を同一の焦電体基板(9)上に形成するには限界がある。 However, in the conventional configuration, in order to form a large number of devices on the same pyroelectric substrate (9) is limited. 例えば、現在市販されている2素子構成センサ図3−a)あるいは4素子構成センサ図3− For example, 2 elements constituting the sensor Figure 3-a currently commercially available) or 4 elements constituting the sensor Figure 3
b)においても、ある一つの素子が赤外線を吸収し、温度が上昇した場合、その素子の熱が焦電体基板(9)内部の熱伝導によって隣接した素子へ伝わり、熱的な干渉、ひいては電気信号の干渉(以下、クロストークと呼ぶことにする)を生じるという問題点を抱えている。 Also in b), is one of the elements absorb infrared radiation, when the temperature rises, transferred the heat of the element to the element adjacent the pyroelectric substrate (9) inside the heat conduction, thermal interference, thus interference of electrical signals suffer from a problem that occurs (hereinafter, will be referred to as crosstalk). この問題点を解決するには、素子と素子との間隔を大きくとる必要があり、焦電体基板(9)の面積を拡大せざるおえなかった。 To resolve this problem, it is necessary to increase the distance between the element and the element did not intractable but to expand the area of ​​the pyroelectric substrate (9). しかし、このことは新たに、焦電型赤外線センサの実装面積の拡大、および焦電体基板(9)が衝撃に弱くなるという問題点を生じた。 However, this new, enlarged mounting area of ​​the pyroelectric infrared sensor, and the pyroelectric substrate (9) is produced a problem that weakens the impact. 従って、従来の構成ではクロストークの影響が無視できるような小型のマルチエレメントセンサを構成することは困難であった。 Therefore, it is difficult to construct a compact multi-element sensor, such as negligible the influence of crosstalk in the conventional configuration.

【0005】上記のような問題点を解決するため昭62 [0005] Akira order to solve the problems as described above 62
−12454にあるような薄膜型の焦電型赤外線センサが提案されてきたが、通常の半導体技術では相性の悪いアルカリ系の特殊なエッチング液の使用が要求され、またこのような特殊なエッチング液には通常に使用するフォトリソグラフィ用のレジストが使用できず、さらに場合によっては基板の両面よりフォトリソグラフィを行う必要性がでてくるため、生産工程が実現し難いといった問題点があった。 Although the thin film pyroelectric infrared sensor as in -12,454 have been proposed, in a normal semiconductor technology it is required the use of special etchant incompatible alkaline, and such specialized etchant generally beyond the resist used for photolithography to be used for the, further optionally to come out the need to perform a photolithography from both sides of the substrate, the production process has a problem such hard realized.

【発明が解決しようとする課題】上記のように焦電型赤外線センサの変換効率、応答性を改善し、さらにクロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセンサを実現すること、ならびに従来の半導体技術とのマッチングを改善し、生産性を向上させることが本発明の解決しようとする課題である。 THE INVENTION to be solved INVENTION conversion efficiency of pyroelectric infrared sensor as described above, to improve the responsiveness, to further realize the multi-element sensor small influence negligible crosstalk, and the conventional semiconductor improve matching between technologies, to improve productivity is an issue to be solved by the present invention.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を解決するためになされたものである。 Means for Solving the Problems The present invention has been made to solve the above problems. その手段とするところは、絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料からなる基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成し、 It is an unit, the insulating material to form a semiconductor material or substrate or removable portion in the substrate made of the composite material,
その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を除去することで形成することで下部に空隙を持つ支持層を形成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄層、 The supporting layer is formed thereon, after the formation of the supporting layer having an air gap at the bottom by forming by removing the removable portion further electrode thereon, a thin layer made of a pyroelectric material,
電極を形成することにより焦電型赤外線センサを構成することである。 It is to construct the pyroelectric infrared sensor by forming the electrodes.

【0007】 [0007]

【作用】上記のように構成されている本発明において、 [Action] In the present invention configured as described above,
素子部分は従来の焦電体基板を使用する場合に比べ極端に薄層であり、また平面形状の構成は、半導体の微細加工技術を利用でき、従来のものと比べて非常に小さな形状の素子を形成することができる。 Element portion is extremely thin layer than when using conventional pyroelectric substrate and construction of planar shape can utilize semiconductor microfabrication techniques, elements of very small shape as compared with the conventional it can be formed. このため素子部の熱容量を極端に小さくすることができ、同じ量の赤外線エネルギーが受光面電極に入射した場合、素子部の温度変化が大きくでき変換効率、応答性が改善できる。 Therefore it is possible to extremely reduce the heat capacity of the element, if the infrared energy of the same amount is incident on the light receiving surface electrodes, the conversion efficiency can be increased temperature change of the active element, it can be improved responsiveness.

【0008】また素子部分が非常に薄くなるため、隣接した素子間の距離が同じであれば熱が伝搬する経路が物理的にも熱的にも狭くなる。 [0008] Since the element portion is very thin, the path of heat if the distance between adjacent elements the same is propagated is narrowed to thermally both physically. したがって薄くすることで隣接する素子の間隔を短くでき、高集積化を実現できる。 Thus it is possible to shorten the distance between the adjacent elements by thin, can realize high integration. さらに素子間の支持層下部を除去することなく残した場合、この部分はヒートシンクとして作用させることができる。 Further if left without removing the support layer bottom between the elements, it is possible to this part to act as a heat sink. 従って素子間隔を拡大することなく、各素子の熱的分離が容易であり、クロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセンサを実現することができる。 Therefore, without enlarging the element spacing, it is easy thermal isolation of each element, it is possible to realize a multi-element sensor small negligible crosstalk effects.

【0009】さらに半導体の微細加工技術で一般的に用いられるエッチング液が使用できるため生産工程を特に変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソグラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下させることがなく、半導体特有のバッチ処理による大量生産に十分対応でき、生産性の向上が可能となる。 [0009] For further etchant commonly used is no particular need to modify the production process because it can be used in semiconductor microfabrication technology, it needs no further performing photolithography from both sides of the substrate, lowering the productivity without thereby sufficiently be high-volume production by a semiconductor-specific batch processing enables improvement in productivity.

【0010】 [0010]

【実施例1】以下本発明による焦電型赤外線センサの実施例を図面を用いて詳細に説明する。 Will be described in detail with reference to Example 1] drawings an embodiment of a pyroelectric infrared sensor according to the following invention. 図1は、本発明の一実施例を示す焦電型赤外線センサの断面図である。 Figure 1 is a cross-sectional view of the pyroelectric infrared sensor showing an embodiment of the present invention. 例えばSiからなる基板上(3)に、回転塗布法によりガラス質の層(2)を形成する。 For example on a substrate made of Si (3), forming a layer of glassy (2) by a spin coating method. その後このガラス質層(2)に半導体微細加工技術により基板と支持層(8) Then the glassy layer substrate and the support layer by a semiconductor microfabrication technology (2) (8)
との結合部分を形成するため穴を空ける。 Drilling holes for forming the union of. つぎにCVD Then CVD
法でpoly−Si(1)あるいはアモルファスシリコン(以下a−Siとする)を形成し、穴を埋め、平坦化する。 Law with poly-Si (1) or amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) is formed, filling the hole and planarized. 余分な部分は除去すれば良い。 Excess portion may be removed. 同様の方法で支持層となるpoly−Si(1)あるいはa−Siを形成する。 Similar the supporting layer by way poly-Si (1) or to form a a-Si. その後スパッタ法により下部の電極(4)を形成、半導体微細加工技術により目的の形状に加工後、P Then forming a lower electrode (4) by sputtering, after processing in the desired shape by a semiconductor microfabrication technology, P
bTiO 3系の焦電材料からなる薄膜(5)を積層させる。 to stack the thin film (5) made of a pyroelectric material BTiO 3 system. この部分についても半導体微細加工技術により目的の形状に加工する。 It is processed into a desired shape by a semiconductor microfabrication technology for this part. 次に上部の電極(4)をスパッタ法により形成、加工する。 Then the upper portion of the electrode (4) formed by sputtering and processed. その後、支持層(8)作製時のエッチング液に焦電薄膜(5)が腐食されないよう、上部をSiN等の絶縁膜(6)で覆い、必要な部分例えば電極取り出し部分については穴をあけておく。 Thereafter, as the pyroelectric thin film to the etchant of the support layer (8) during the production (5) is not corroded, top covered with an insulating film such as SiN (6), the required portion for example the electrode take-out portion is a hole deep. 最後に半導体微細加工技術により支持層(8)の一部にエッチング用の穴を形成し、下部をHF系エッチング液等により腐食除去させ空隙(7)を作り支持層(8)を形成する。 Finally a hole for etching is formed on a part of the support layer (8) by a semiconductor microfabrication technique to form a support layer creates a gap (7) is etched away to lower the HF-based etching solution or the like (8).

【0011】ここでガラス質層(2)は半導体微細加工技術において簡単に除去できるものであれば良く、PS [0011] as long wherein the vitreous layer (2) intended to be easily removed in the semiconductor microfabrication technology, PS
G,BSG,SiO 2などが使用できる。 G, BSG, such as SiO 2 can be used. また金属材料であっても除去可能なエッチング液を使用すれば良い。 Also it may be used a removable etchant be a metallic material.
支持層(8)は前記例の他、腐食されないSiN、ダイヤモンド薄膜、AlN、BN等でも良く、下部の層を除去する場合に腐食されず、絶縁物であれば有機材料、あるいは複合材料でも良い。 Supporting layer (8) Other of the examples, SiN which is not corroded, diamond thin film, AlN, may be a BN or the like, not attacked in removing the lower layer, an organic material, if insulating material or may be a composite material, . 焦電薄膜(5)はPbTiO Pyroelectric thin film (5) PbTiO
3を用いたがその他に(PbTiO 3 −PbZrO 3 3 was used, but in other (PbTiO 3 -PbZrO 3)
系、NbTaO 3系、LiTaO 3系、TGS系等の焦電材料であれば良く、また結晶状態は単結晶、多結晶、のどちらでも良く、さらにポリマとの複合体でも良い。 System, NbTaO 3 system, LiTaO 3 system may be a pyroelectric material TGS system, etc., and crystalline state monocrystalline, polycrystalline, either good, and may further complex with the polymer. 各層の形成は回転塗布法、スパッタ法、CVD法で行ったが、蒸着等の気相薄膜形成法等でも良い。 Formation of each layer the spin coating method, a sputtering method, was performed with the CVD method, or a vapor phase thin film formation method such as deposition.

【0012】実施例では一つの素子のみであるがマルチエレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。 [0012] While only one device in the embodiment in a multi-element may be formed a number of elements. この場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配線方法によって、さまざまな応用に対処することができる。 Is used in this case the element alone be wired multiple element during electrode formation may be wired externally, by the method of the wiring element, it is possible to cope with various applications.

【0013】 [0013]

【実施例2】図2は本発明の他の実施例を示す焦電型赤外線センサの断面図である。 Embodiment 2] FIG 2 is a cross-sectional view of the pyroelectric infrared sensor showing another embodiment of the present invention. 例えばSi基板(3)をエッチング法により部分的に除去し島状部分を形成する。 For example the Si substrate (3) to form a partially removed island shaped portion by an etching method.
その後Si基板(3)全面に回転塗布法によりガラス質層(2)を形成・平坦化する。 Are formed and planarized vitreous layer (2) Subsequent Si substrate (3) over the entire surface spin coating method. 次にフォトリソグラフィ技術よりSiの島部分と支持層との結合部分を形成するため、ガラス質層(2)に穴を空け島状部分表面を露出させる。 Next, in order to form the union of the island portion of the Si than photolithography supporting layer to expose the island-like partial surface holes in vitreous layer (2). つぎにCVD法でpoly−Si(1)あるいはa−Siを形成し穴を埋める。 Then a CVD method to form a poly-Si (1) or a-Si fill hole. 余分な部分は除去すれば良い。 Excess portion may be removed. 同様の方法で支持層(8)となるpoly−S poly-S comprising a support layer (8) in a similar manner
i(1)あるいはa−Siを形成する。 i (1) or to form a a-Si. その後スパッタ法により下部の電極(4)を形成、半導体微細加工技術により目的の形状に加工後、PbTiO 3系の焦電材料からなる薄膜(5)を積層させる。 Then forming a lower electrode (4) by sputtering, after processing in the desired shape by a semiconductor microfabrication technology, to stack the thin film (5) made of a pyroelectric material PbTiO 3 system. この部分についても半導体微細加工技術により目的の形状に加工する。 It is processed into a desired shape by a semiconductor microfabrication technology for this part. 次に上部の電極(4)をスパッタ法により形成、加工する。 Then the upper portion of the electrode (4) formed by sputtering and processed. その後、支持層(8)作製時のエッチング液に焦電薄膜(5)が腐食されないよう、上部をSiN等の絶縁膜(6)で覆い、必要な部分例えば電極取り出し部分については穴をあけておく。 Thereafter, as the pyroelectric thin film to the etchant of the support layer (8) during the production (5) is not corroded, top covered with an insulating film such as SiN (6), the required portion for example the electrode take-out portion is a hole deep. 最後に半導体微細加工技術により支持層(8)の一部にエッチング用の穴を形成し, Finally a hole for etching is formed on a part of the support layer (8) by a semiconductor microfabrication technology,
下部をHF系エッチング液等により腐食除去させ空隙を作り支持層(8)を形成する。 Support layer creates a void is etched away by an HF-based etchant such a lower form (8).

【0014】ここでSiの島状部分の形成はエッチング法を使用したが、これはウエットエッチング、ドライエッチングでも良く、等方性エッチング、異方性エッチングでも良く、機械的加工であっても良い。 [0014] formation of the island-shaped portions here Si has been using an etching method, which may be a wet etching, dry etching, isotropic etching may be anisotropic etching may be mechanical processing . ガラス質層(2)は回転塗布により形成したが、他にはリフトオフ等の技術で埋め込みとしても良い。 Vitreous layer (2) it was formed by spin coating, but may be embedded in the art of lift-off in the other. またガラス質層(2)は半導体微細加工技術において簡単に除去できるものであれば良く、PSG,BSG,SiO 2などが使用できる。 The vitreous layer (2) is as long as it can be easily removed in the semiconductor microfabrication technology, PSG, BSG, SiO 2 or the like can be used. また金属材料であっても除去可能なエッチング液を使用すれば良い。 Also it may be used a removable etchant be a metallic material. 支持層(8)は前記例の他、腐食されないSiN、ダイヤモンド薄膜、AlN、BN等でも良く、下部の層を除去する場合に腐食されず、絶縁物であれば有機材料、あるいは複合材料でも良い。 Supporting layer (8) Other of the examples, SiN which is not corroded, diamond thin film, AlN, may be a BN or the like, not attacked in removing the lower layer, an organic material, if insulating material or may be a composite material, . 焦電薄膜(5)はPbTiO 3を用いたがその他に(PbT Pyroelectric thin film (5) Other was used PbTiO 3 (PBT
iO 3 −PbZrO 3 )系、NbTaO 3系、LiTaO 3 iO 3 -PbZrO 3) system, NbTaO 3 system, LiTaO 3
系、TGS系等の焦電材料であれば良く、また結晶状態は単結晶、多結晶、のどちらでも良く、さらにポリマとの複合体でも良い。 System may be a pyroelectric material TGS system, etc., and crystalline state monocrystalline, polycrystalline, either good, and may further complex with the polymer. 各層の形成は回転塗布法、スパッタ法、CVD法で行ったが、蒸着等の気相薄膜形成法等でも良い。 Formation of each layer the spin coating method, a sputtering method, was performed with the CVD method, or a vapor phase thin film formation method such as deposition.

【0015】実施例では一つの素子のみであるがマルチエレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。 [0015] While only one device in the embodiment in a multi-element may be formed a number of elements. この場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配線方法によって、さまざまな応用に対処することができる。 Is used in this case the element alone be wired multiple element during electrode formation may be wired externally, by the method of the wiring element, it is possible to cope with various applications.

【0016】 [0016]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、焦電型赤外線センサの変換効率、応答性を改善すること、クロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセンサを実現できること、さらに半導体の微細加工技術で一般的に用いられる工程が使用できるため生産工程を特に変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソグラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下させることがまったくなく、半導体特有のバッチ処理による大量生産に十分対応できるため生産性の向上を可能する点で工業的価値がある。 The present invention described above, according to the present invention, the conversion efficiency of the pyroelectric infrared sensor, to improve the responsiveness, can be realized multi-element sensor small negligible crosstalk effects, further semiconductor fine processing technology in general no particular need to modify the production process because the process is available for use, yet because it is not necessary at all to perform photolithography from both sides of the substrate, at all without reducing the productivity, the semiconductor specific there are industrial value in that it enables increased productivity for fully accommodate mass production by a batch process. また多様化する焦電型赤外線センサの応用に対応でき、工業的価値は大きい。 Also can support applications pyroelectric infrared sensor diversified industrial value is great.

【0017】 [0017]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例を示す表面上にすべて積層した場合の焦電型赤外線センサの断面図である。 1 is a cross-sectional view of the pyroelectric infrared sensor in the case of all laminated on a surface showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を示す部分的に基板をエッチングし島状部分を形成し、除去可能部分を埋め込みとした場合の焦電型赤外線センサの断面図である。 [2] partially the substrate showing an embodiment of the present invention to form a etching the island shaped portion, a cross-sectional view of the pyroelectric infrared sensor in the case where the embedded removable portion.

【図3】従来の方法による複数の素子を持つ焦電型赤外線センサの構造を示した図である。 3 is a diagram showing the structure of the pyroelectric infrared sensor having a plurality of elements by conventional methods.

【図4】従来の方法による焦電型赤外線センサの構造を示した図である。 4 is a diagram showing the structure of the pyroelectric infrared sensor according to a conventional method.

【符合の説明】 Description of the sign]

1 poly−Si 2 ガラス質層 3 Si基板 4 電極 5 焦電薄膜 6 絶縁膜 7 空隙 8 支持層 9 焦電体基板 10 受光面 11 受光面電極 12 裏面電極 1 poly-Si 2 vitreous layer 3 Si substrate 4 electrode 5 pyroelectric thin film 6 insulating film 7 voids 8 supporting layer 9 pyroelectric substrate 10 light receiving surface 11 receiving surface electrode 12 back-surface electrode

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料からなる基板に、下部に空隙を持つ支持層を形成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄層、電極という赤外線検知部を1ヶ所以上有することを特徴とする焦電型赤外線センサ。 1. A dielectric material, a substrate made of a semiconductor material or a composite material, after forming the supporting layer having an air gap in a lower portion, further electrode thereon, a thin layer made of a pyroelectric material, the infrared sensing portion of the electrode 1 pyroelectric infrared sensor, characterized in that it comprises more locations.
  2. 【請求項2】 前記空隙を持つ支持層を形成するのに、 Wherein for forming a supporting layer having said gap,
    基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成し、その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を除去して形成することを特徴とする特許請求の範囲請求項第1 Forming a removable portion on or within the substrate board, the support layer is formed thereon, the claims, and forming by removing the removable portion Claim first
    項記載の焦電型赤外線センサ。 Pyroelectric infrared sensor of claim wherein.
JP13157992A 1992-04-25 1992-04-25 Pyroelectric infrared ray sensor Pending JPH06160194A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13157992A JPH06160194A (en) 1992-04-25 1992-04-25 Pyroelectric infrared ray sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13157992A JPH06160194A (en) 1992-04-25 1992-04-25 Pyroelectric infrared ray sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06160194A true true JPH06160194A (en) 1994-06-07

Family

ID=15061356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13157992A Pending JPH06160194A (en) 1992-04-25 1992-04-25 Pyroelectric infrared ray sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06160194A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6750452B1 (en) 2001-12-04 2004-06-15 Ihi Aerospace Co., Ltd. Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device
US8436306B2 (en) 2011-02-24 2013-05-07 Ngk Insulators, Ltd. Pyroelectric element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6750452B1 (en) 2001-12-04 2004-06-15 Ihi Aerospace Co., Ltd. Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device
US8436306B2 (en) 2011-02-24 2013-05-07 Ngk Insulators, Ltd. Pyroelectric element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5245206A (en) Capacitors with roughened single crystal plates
US20030032293A1 (en) High sensitive micro-cantilever sensor and fabricating method thereof
US6461888B1 (en) Lateral polysilicon beam process
US5726066A (en) Method for manufacturing an infrared sensor array
US5616523A (en) Method of manufacturing sensor
US6034374A (en) Thermal infrared sensors, imaging devices, and manufacturing methods for such sensors
US5756901A (en) Sensor and method for manufacturing a sensor
US6571445B2 (en) Method for making acoustic transducer
US5369280A (en) Semiconductor film bolometer thermal infrared detector
US4665610A (en) Method of making a semiconductor transducer having multiple level diaphragm structure
US5492596A (en) Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning fork gyroscope
US6055858A (en) Acceleration sensor
US5946549A (en) Method for manufacturing sensor using semiconductor
US20040053435A1 (en) Electronic device and method for fabricating the electronic device
US20050098840A1 (en) Micromechanical structural element having a diaphragm and method for producing such a structural element
US6829814B1 (en) Process of making an all-silicon microphone
US5949119A (en) Device equipped with floating rigid microstructure elements
JP2000164890A (en) Semiconductor kinematic value sensor and manufacturing method therefor
JPH11337403A (en) Infrared detecting element and its manufacture
CN101249935A (en) Thermal isolation micro-bridge structure and processing method thereof
US20030118076A1 (en) Sensor for a contact-free temperature measurement
JP2000039371A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacture
JP2002223499A (en) Condenser microphone and its manufacturing method and sound input device
US20060016471A1 (en) Thermally resistant spacers for a submicron gap thermo-photo-voltaic device and method
JPH07142570A (en) Composite semiconductor substrate and manufacture thereof