JPH0615683A - Transfer molding apparatus and object to be molded thereof - Google Patents

Transfer molding apparatus and object to be molded thereof

Info

Publication number
JPH0615683A
JPH0615683A JP17356192A JP17356192A JPH0615683A JP H0615683 A JPH0615683 A JP H0615683A JP 17356192 A JP17356192 A JP 17356192A JP 17356192 A JP17356192 A JP 17356192A JP H0615683 A JPH0615683 A JP H0615683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
pot
molten resin
runner
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17356192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Honda
智 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP17356192A priority Critical patent/JPH0615683A/en
Publication of JPH0615683A publication Critical patent/JPH0615683A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To surely and efficiently perform the sealing of a thin electronic part by providing an air vent discharging air in a runner, a cavity and a pot and uniformizing the flow speed of the resin flowing in to the cavity. CONSTITUTION:A cavity 3 is formed by an upper mold 1 and a lower mold 2. The resin melted in the pot 5 of the lower mold 2 is sent under pressure by a plunger 9 to be sent into the cavity 3 through a runner 6 and a gate. An air vent 12 is provided to one end of the runner 6 and a air vent 18 discharging the air in the pot 5 is provided to the runner 6 so as to be adjacent to the pot 5 and the entrapping of air in the resin allowed to fill the cavity 3 is prevented. When the surface of the part excepting the area opposed to the object to be sealed of the cavity 3 is roughened at the time of resin sealing, the flow speed of the resin becomes uniform and filling defect can be prevented. Further, when a constricted part is provided on the way of the gate and a molded product is cut at the constricted part simultaneously with demolding, the generation of a crack in the vicinity of the gate can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

[発明の目的] [Object of the Invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばICカード、半
導体装置の封止などに好適するトランスファ成形装置お
よびその被成形体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer molding apparatus suitable for, for example, encapsulating an IC card or a semiconductor device, and a body to be molded thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、電子部品は、プラスチック中に
閉じ込められ、このプラスチックを介して、気密性を保
持して外気、環境から保護されるとともに、その機械的
安定性を高めて、一層安定した電気的性能を発揮させる
ことができる。ところで、この電子部品の封止は、当
初、液状のエポキシレジンを用いたポッティング法また
はキャスティング法が主流であったが、IC,LSIの
時代になると、入出力ピンの数が増え、パッケージ外形
の精密さを要求されるようになったこと、またその量が
増えたため、大量生産に向く生産方式が要求されるよう
になったこと、また信頼性もより高いものに対する要求
が強くなったことなどから、粉末のエポキシレジンを用
いたトランスファ成形法が導入されるようになった。そ
の後、今日に至るまで、このトランスファ成形法が主流
になっている。このトランスファ成形法による封止は、
キャン封止やセラミック封止に比べ気密性には劣るもの
の、安く大量に生産できること、また素子のパッシベー
ション技術の向上、封止材料の飛躍的な向上などによ
り、信頼性が大幅に改善されたこともあり、今日の電子
部品封止の主流となっている。
2. Description of the Related Art Generally, an electronic component is enclosed in a plastic, and through this plastic, airtightness is maintained to be protected from the outside air and the environment, and its mechanical stability is enhanced to make it more stable. It can exhibit electrical performance. By the way, initially, the potting method or the casting method using a liquid epoxy resin was the mainstream for the sealing of this electronic component, but in the age of IC and LSI, the number of input / output pins increased and the package outline Preciseness is now required, and because the quantity has increased, a production method suitable for mass production has come to be required, and there is a strong demand for higher reliability. Therefore, a transfer molding method using powdered epoxy resin has been introduced. Since then, this transfer molding method has been mainstream until today. Sealing by this transfer molding method
Although air tightness is inferior to can encapsulation and ceramic encapsulation, it can be mass-produced cheaply, and reliability has been greatly improved due to improvements in element passivation technology and dramatic improvements in encapsulation materials. Therefore, it is the mainstream of today's electronic component encapsulation.

【0003】しかるに、近時、高密度実装化のニーズか
ら、例えばSOP(Small OutlinePackage )などの面
実装型パッケージと呼ばれる薄型、小型のパッケージの
比率が高まってきている。そこで、これに対応して、ト
ランスファ成形用の金型、リードフレームの形状、封止
樹脂などが改良されてきている。しかしながら、面実装
型パッケージは、厚さが数mm以下であるので、樹脂が
キャビティに充填されない未充填不良、クラックやボイ
ドの発生、リードの変形等の成形欠陥の発生率が高くな
り、製品歩留の低下の原因となっている。
However, recently, due to the need for high-density packaging, the ratio of thin and small packages called surface-mount packages such as SOP (Small Outline Package) is increasing. Therefore, in response to this, the mold for transfer molding, the shape of the lead frame, the sealing resin, and the like have been improved. However, since the surface mount type package has a thickness of several mm or less, the incidence of unfilling failure in which the resin is not filled in the cavity, the occurrence of cracks and voids, the deformation of leads, and the like increases, and It is the cause of the decrease in the stay.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、高密度
実装化の要請による薄型、小型の半導体装置のトランス
ファ成形法による封止においては、種々の成形欠陥が多
発する傾向がある。
As described above, various molding defects tend to occur frequently in the sealing of thin and small semiconductor devices by the transfer molding method due to the demand for high-density packaging.

【0005】この発明は、上記事情を顧慮してなされた
もので、上述した従来のトランスファ成形方法がもって
いる技術的課題を解決し、面実装型半導体装置などをは
じめとする薄型の電子部品の封止を確実かつ能率的に行
うことができるトランスファ成形装置およびその被成形
体を提供することを目的とする。 [発明の構成]
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, solves the technical problem of the above-mentioned conventional transfer molding method, and can be applied to thin electronic components such as surface mount semiconductor devices. An object of the present invention is to provide a transfer molding device and a molded object for the transfer molding which can perform sealing reliably and efficiently. [Constitution of Invention]

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のトランスファ成
形装置は、ポット中の空気を排出するためのエアベント
を特設したものである。本発明のトランスファ成形装置
は、キャビティの内壁面がダイパッドに対向する部位を
除いて粗面に形成したものである。本発明のトランスフ
ァ成形装置は、ゲートの中途にくびれ部を設けたもので
ある。本発明のトランスファ成形装置は、減圧成形する
場合において、少なくともキャビティに連設されたエア
ベントを開閉自在としたものである。
The transfer molding apparatus of the present invention is specially provided with an air vent for discharging the air in the pot. The transfer molding apparatus of the present invention is one in which the inner wall surface of the cavity is formed to be a rough surface excluding a portion facing the die pad. The transfer molding apparatus of the present invention is provided with a constricted portion in the middle of the gate. In the transfer molding apparatus of the present invention, at the time of vacuum molding, at least the air vent connected to the cavity can be opened and closed.

【0007】本発明の被成形体は、リードフレームと、
このリードフレーム上に搭載された半導体素子と、この
半導体素子を封止する樹脂部とからなり、かつ、上記リ
ードフレームは、外枠と、この外枠に囲まれた中央部に
配設され上記半導体素子が搭載されるダイパッドと、こ
のダイパッドと外枠とを橋絡する吊りピンと、外枠の内
側からダイパッドに向かって複数本櫛歯状に突設された
リードと、これらリードと半導体素子を電気的に接続す
る細線とを有し、リードの細線接続部位以外の部分並び
に吊りピンの横断面は屈曲又は湾曲形状に形成したもの
である。
The object to be molded of the present invention comprises a lead frame and
A semiconductor element mounted on the lead frame and a resin portion for sealing the semiconductor element. The lead frame is provided in an outer frame and a central portion surrounded by the outer frame. A die pad on which a semiconductor element is mounted, suspension pins bridging the die pad and the outer frame, leads protruding from the inner side of the outer frame in a comb-like shape toward the die pad, and these leads and the semiconductor element. A thin wire for electrical connection is provided, and a portion other than the thin wire connecting portion of the lead and a cross section of the hanging pin are formed in a bent or curved shape.

【0008】本発明の被成形体は、リードフレームの半
導体素子搭載部位に半導体素子を格納する凹部を形成
し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の厚さとほぼ
同じに設定し、凹部に格納された半導体素子とリードフ
レームとが面一となるようにしたものである。
In the molded body of the present invention, a recess for accommodating a semiconductor element is formed in the semiconductor element mounting portion of the lead frame, and the depth of this recess is set to be substantially the same as the thickness of the semiconductor element. The semiconductor element and the lead frame housed in the same are flush with each other.

【0009】[0009]

【作用】本発明のトランスファ成形装置は、キャビティ
中に充填される溶融樹脂に空気が巻き込まれることがな
くなるので、成形欠陥としてのボイドの発生を防止する
こができる。
In the transfer molding apparatus of the present invention, air is prevented from being entrained in the molten resin filled in the cavity, so that the generation of voids as molding defects can be prevented.

【0010】本発明のトランスファ成形装置は、溶融樹
脂がゲートからキャビティに流入する際の、溶融樹脂の
流動速度は均一化することにより、溶融樹脂の未充填不
良の発生を抑止することができる。
In the transfer molding apparatus of the present invention, when the molten resin flows into the cavity from the gate, the flow rate of the molten resin is made uniform, so that the occurrence of unfilled defective molten resin can be suppressed.

【0011】本発明のトランスファ成形装置は、ゲート
の中途にくびれ部を設けたので、被成形体の樹脂部とイ
ンサート部との剥離やゲート部近傍におけるクラックの
発生を防止でき、成形品質や歩留の向上に寄与すること
ができる。
Since the transfer molding apparatus of the present invention is provided with a constricted portion in the middle of the gate, it is possible to prevent peeling between the resin portion and the insert portion of the body to be molded and the occurrence of cracks in the vicinity of the gate portion. It can contribute to the improvement of the stay.

【0012】本発明のトランスファ成形装置は、樹脂成
形前の減圧雰囲気形成のための排気速度を著しく高くす
ることが可能となり、成形能率の向上に寄与することが
可能となる。
The transfer molding apparatus of the present invention can remarkably increase the exhaust speed for forming the reduced pressure atmosphere before resin molding, and can contribute to the improvement of molding efficiency.

【0013】本発明の被成形体は、リード及び吊りピン
の剛性が強化されことにより、トランスファ成形時に、
溶融樹脂の流入圧力により変形することがなくなり、金
属細線の断線、短絡、リードフレームの樹脂部からの露
出等の信頼性を損なう不良の発生を防止することができ
る。
In the molded body of the present invention, the rigidity of the leads and the suspension pins is enhanced, so that the transfer molding is performed at the time of transfer molding.
It is prevented from being deformed by the inflow pressure of the molten resin, and it is possible to prevent the occurrence of defects such as disconnection, short circuit of the thin metal wire, and exposure from the resin portion of the lead frame, which impair the reliability.

【0014】本発明の被成形体は、ゲートから流入した
溶融樹脂は流動の妨げとなるものがなくなり、溶融樹脂
の流動速度が均一化する結果、未充填不良の発生を抑止
することができる。
In the object to be molded of the present invention, the molten resin flowing from the gate does not hinder the flow, and the flow rate of the molten resin becomes uniform, so that the occurrence of unfilled defects can be suppressed.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0016】図1及び図2は、この実施例のトランスフ
ァ成形装置Mを示している。このトランスファ成形装置
は、上型1と下型2からなる金型部M0と、この金型部
M0により形成される複数のキャビティ3…(上型1と
下型2の内底面1a,2a間の距離は例えば900μ
m)<図3及び図4参照>と、下型2に設けられ円柱状
に成形された例えばエポキシ樹脂などからなるレジンタ
ブレット4を格納し溶融するポット5と、このポット5
にてレジンタブレット4が溶融して生成した溶融樹脂R
をキャビティ3…に案内するランナ6と、このランナ6
から各キャビティ3…に対応して分岐し溶融した溶融樹
脂Rをキャビティ3…に案内するゲート7…と、上型1
及び下型2に内設されポット5中のレジンタブレット4
を誘導加熱により溶融させるヒータ(図示せず。)と、
ポット5に摺動自在に嵌入するプランジャ9と、このプ
ランジャ9をその軸方向に駆動するプランジャ駆動機構
10と、上型1を下型2に対して接離させる型開き機構
11と、ランナ6中の空気を抜くためのエアベント機構
12と、下型2に設けられ被成形体L(図3及び図4参
照)を突き出す離型機構14とからなっている。しかし
て、ランナ6は、下型2の中央を横切るように直線状に
設けられている。そして、このランナ6の一端は、エア
ベント機構12の一部をなしているエアベント15を介
して外部に開口している。また、ランナ6の他端は、下
型2の一側部にてポット5に連結している。そして、ゲ
ート7…は、ランナ6の両側部にて一対ずつほぼ等間隔
で分岐している。さらに、ゲート7…には、キャビティ
3…が連設されている。しかして、ゲート7…は、キャ
ビティ3…の厚さ方向の中央部に位置するように、上型
1と下型2のパーティングライン位置に設けられてい
る。そして、これらキャビティ3…の内壁面は、図3及
び図4に示すように、後述するダイパッド24…に対向
する部位を除いて粗面3a…に形成されている。しかし
て、離型機構14は、ポット5の周囲に等配して設けら
れた4本のエジェクタピン16…と、これらエジェクタ
ピン16…をそれらの軸方向に進退駆動する図示せぬエ
ジェクタピン駆動手段とからなっている。さらに、エア
ベント機構12は、前述したエアベント15と、ポット
5の周囲に刻設されたリング状の溝17と、この溝17
とポット5を連通させるリング状のエアベント18とか
らなっている。
1 and 2 show a transfer molding apparatus M of this embodiment. This transfer molding apparatus includes a mold part M0 composed of an upper mold 1 and a lower mold 2, a plurality of cavities 3 formed by the mold part M0 ... (Between the inner bottom surfaces 1a and 2a of the upper mold 1 and the lower mold 2). The distance is 900μ
m) <Refer to FIG. 3 and FIG. 4>, and a pot 5 for storing and melting a resin tablet 4 provided in the lower mold 2 and formed in a columnar shape and made of, for example, an epoxy resin, and the pot 5.
Molten resin R produced by melting the resin tablet 4 at
And the runner 6 for guiding the air to the cavity 3 ...
From which the molten resin R branched and melted corresponding to each cavity 3 is guided to the cavities 3 and the upper mold 1.
And the resin tablet 4 installed in the lower mold 2 in the pot 5
A heater (not shown) for melting the resin by induction heating,
A plunger 9 slidably fitted in the pot 5, a plunger drive mechanism 10 for driving the plunger 9 in its axial direction, a mold opening mechanism 11 for bringing the upper mold 1 into and out of contact with the lower mold 2, and a runner 6 It comprises an air vent mechanism 12 for bleeding out the air inside, and a mold release mechanism 14 provided on the lower mold 2 and projecting a molding target L (see FIGS. 3 and 4). The runner 6 is linearly provided so as to cross the center of the lower mold 2. Then, one end of the runner 6 is opened to the outside via an air vent 15 which forms a part of the air vent mechanism 12. The other end of the runner 6 is connected to the pot 5 at one side of the lower mold 2. The gates 7 branch off at equal intervals on both sides of the runner 6, one at a time. Further, the cavities 3 are connected to the gates 7 ... Thus, the gates 7 are provided at the parting line positions of the upper mold 1 and the lower mold 2 so as to be positioned at the central portion in the thickness direction of the cavities 3. As shown in FIGS. 3 and 4, the inner wall surfaces of the cavities 3 ... Are formed on the rough surfaces 3a ... Except for a portion facing a die pad 24. The release mechanism 14 is provided with four ejector pins 16 arranged equidistantly around the pot 5, and ejector pin drive (not shown) for driving the ejector pins 16 ... It consists of means. Further, the air vent mechanism 12 includes the above-described air vent 15, a ring-shaped groove 17 engraved around the pot 5, and the groove 17
And a ring-shaped air vent 18 for communicating the pot 5 with each other.

【0017】一方、図3及び図4は、この実施例のトラ
ンスファ成形装置Mにより成形される被成形体Lを示し
ている。この被成形体Lは、厚さ例えば100μmの薄
板状のリードフレーム19と、このリードフレーム19
上に搭載された厚さ例えば200μmの半導体素子20
…と、この半導体素子20…を封止する厚さ例えば90
0μmの樹脂部21…とからなっている。しかして、上
記リードフレーム19は、図5に示すように、全体とし
て帯状をなすものであって、半導体素子20…ごとのユ
ニット22…が長手方向に繰り返し形成してなるもので
ある。そして、このユニット22は、矩形状をなす外枠
23と、この外枠23に囲まれた中央部に配設された矩
形状のダイパッド24と、このダイパッド24と外枠2
3とを橋絡する一対の吊りピン25,25と、外枠23
の内側からダイパッド24に向かって複数本櫛歯状に突
設されたリード26…とからなっている。すなわち、樹
脂部21は、リードフレーム19並びに半導体素子20
がインサート成形されてなるものである。しかして、吊
りピン25,25の長手方向は、リードフレーム19の
長手方向と一致するようにダイパッド24の両側に設け
られている。そして、吊りピン25,25は中途部にて
下方に折曲され、ダイパッド24は、外枠23よりもΔ
Lだけ低くなっていて、このダイパッド24に搭載され
た半導体素子20の厚さ方向中心部と外枠23が同じ高
さとなるように設定されている。また、リード26…の
長手方向は、リードフレーム19の長手方向と直交する
ように設けられている。そして、半導体素子20の端子
と各リード26…の先端との間には金属細線G…がワイ
ヤボンディングにより接続されている。ところで、上記
吊りピン25,25並びにリード26…は、金属細線G
…が接合される部分を除いて、図6又は図7に示すよう
に、その横断面がV字状又はU字状(波状又は鋸歯状で
もよい。)に形成され(図5の二点鎖線領域)、剛性が
高くなっている。しかして、このトランスファ成形装置
Mにより被成形体Lを成形する場合、まず、型開き機構
11により、上型1を下型2に対して離間させる。つい
で、下型2のキャビティ3…上にリードフレーム19を
所定の位置に位置決めする。つぎ、型開き機構11によ
り上型1を下型2に対して密接させ、型締めする。そし
て、ポット5にレジンタブレット4を装填し、ヒータに
よりこのレジンタブレット4を溶融させる。このレジン
タブレット4は、エポキシ樹脂(例えばビススフェノー
ルA型エポキシ樹脂)、硬化剤(例えばアミン類)、硬
化促進剤(例えば含窒素化合物類)、可撓化剤(例えば
シリコーンオイル、ゴム)、充填剤(例えば溶融シリ
カ)、カップリング剤(例えばエポキシシラン)、難燃
助剤(例えば三酸化アンチモン)、着色剤(例えばカー
ボンブラック)、離型剤(例えばワックス類)等の混合
物である。なお、このときの金型温度は、160〜19
0°Cが最適である。ついで、プランジャ9を矢印A1
方向に前進させ、ポット5中の溶融樹脂Rを例えば30
〜100kgf/mm2 で加圧する。すると、溶融樹脂
Rは、ポット5から、ランナ6及びゲート7…を経由し
てキャビティ3…に充填される。この溶融樹脂Rの流動
に伴って、ランナ6の中の空気は、ランナ6の末端に設
けられたエアベント15から排出される。さらに、ポッ
ト5内において、このポット5と溶融樹脂Rとの間に滞
留している空気は、エアベント18を介して、溝17側
に排出され、さらにエジェクタピン16…が嵌挿されて
いる孔を介して外部に排出される。その結果、溶融樹脂
R中にポット5内の空気が巻き込まれ、この溶融樹脂R
とともに空気がキャビティ3…中に流入しボイドが発生
することを防止することができる。
On the other hand, FIGS. 3 and 4 show a molded body L molded by the transfer molding apparatus M of this embodiment. The molded body L includes a thin plate-shaped lead frame 19 having a thickness of 100 μm, and the lead frame 19
A semiconductor element 20 having a thickness of, for example, 200 μm mounted on
, And the thickness for sealing the semiconductor element 20 ... For example, 90
0 μm resin portion 21 ... As shown in FIG. 5, the lead frame 19 is in the form of a strip as a whole, and is formed by repeatedly forming the units 22 ... For each of the semiconductor elements 20. The unit 22 includes a rectangular outer frame 23, a rectangular die pad 24 disposed in a central portion surrounded by the outer frame 23, the die pad 24 and the outer frame 2.
A pair of suspension pins 25, 25 bridging with 3 and the outer frame 23
A plurality of leads 26 ... Protruding in a comb shape from the inside to the die pad 24. That is, the resin portion 21 is used for the lead frame 19 and the semiconductor element 20.
Is insert-molded. Therefore, the hanging pins 25, 25 are provided on both sides of the die pad 24 so as to match the longitudinal direction of the lead frame 19. Then, the hanging pins 25, 25 are bent downward in the middle, and the die pad 24 is separated from the outer frame 23 by Δ.
The height is lower by L so that the central portion of the semiconductor element 20 mounted on the die pad 24 in the thickness direction and the outer frame 23 have the same height. Further, the longitudinal directions of the leads 26 are provided so as to be orthogonal to the longitudinal direction of the lead frame 19. The metal thin wires G ... Are connected by wire bonding between the terminals of the semiconductor element 20 and the tips of the leads 26. By the way, the hanging pins 25, 25 and the leads 26 ...
As shown in FIG. 6 or FIG. 7, except the portion where the ... Is joined, the cross section is formed in a V-shape or a U-shape (may be wavy or saw-tooth shape) (two-dot chain line in FIG. 5). Area), the rigidity is high. Then, when molding the molding target L by the transfer molding apparatus M, first, the upper mold 1 is separated from the lower mold 2 by the mold opening mechanism 11. Then, the lead frame 19 is positioned at a predetermined position on the cavities 3 of the lower mold 2. Next, the upper mold 1 is brought into close contact with the lower mold 2 by the mold opening mechanism 11, and the mold is clamped. Then, the resin tablet 4 is loaded in the pot 5, and the resin tablet 4 is melted by the heater. This resin tablet 4 includes an epoxy resin (for example, bisphenol A type epoxy resin), a curing agent (for example, amines), a curing accelerator (for example, nitrogen-containing compounds), a flexible agent (for example, silicone oil, rubber), It is a mixture of a filler (for example, fused silica), a coupling agent (for example, epoxy silane), a flame retardant aid (for example, antimony trioxide), a colorant (for example, carbon black), a release agent (for example, waxes) and the like. The mold temperature at this time is 160 to 19
0 ° C is optimal. Then, move the plunger 9 to the arrow A1.
The molten resin R in the pot 5 to, for example, 30
~ 100 kgf / mm 2 Pressurize with. Then, the molten resin R is filled from the pot 5 into the cavities 3 via the runner 6 and the gates 7. With the flow of the molten resin R, the air in the runner 6 is discharged from the air vent 15 provided at the end of the runner 6. Further, in the pot 5, the air staying between the pot 5 and the molten resin R is discharged to the groove 17 side through the air vent 18, and the ejector pin 16 is inserted into the hole. It is discharged to the outside via. As a result, the air in the pot 5 is entrained in the molten resin R, and the molten resin R
At the same time, it is possible to prevent air from flowing into the cavities 3 to generate voids.

【0018】一方、キャビティ3…の内壁面がダイパッ
ド24…に対向する部位を除いて粗面3a…となってい
ることにより、溶融樹脂Rがゲート7…からキャビティ
3…に流入する際の、溶融樹脂Rの流動速度は均一化す
る。すなわち、もしキャビティ3…の内壁面が粗面3a
…でなかったとすると、ダイパッド24…の表裏部分は
他の部分よりも狭隘であるので、溶融樹脂Rの流動速度
は、ダイパッド24…の表裏部分にて減速してしまう。
この結果、キャビティ3…内で溶融樹脂Rが不均一に充
填する結果、未充填不良を惹起することになる。しか
し、この実施例においては、粗面3a…が形成されてい
ることにより、溶融樹脂Rの流動速度は均一化するの
で、未充填不良の発生を抑止することができる。
On the other hand, since the inner wall surfaces of the cavities 3 have a rough surface 3a except for the portions facing the die pads 24, when the molten resin R flows into the cavities 3 from the gates 7 ... The flow rate of the molten resin R is made uniform. That is, if the inner wall surface of the cavity 3 is a rough surface 3a.
.., the front and back portions of the die pad 24 are narrower than the other portions, so that the flow rate of the molten resin R is reduced at the front and back portions of the die pad 24.
As a result, the molten resin R is unevenly filled in the cavities 3 ... As a result, unfilling failure is caused. However, in this embodiment, since the roughened surfaces 3a are formed, the flow rate of the molten resin R becomes uniform, so that the occurrence of unfilled defects can be suppressed.

【0019】さらに、溶融樹脂Rがキャビティ3…に流
入する際に、吊りピン25,25並びにリード26…に
は過大な圧力が加わるが、この実施例においては、これ
ら吊りピン25,25並びにリード26…は、横断面が
V字状又はU字状に形成され、剛性が高められているの
で、溶融樹脂Rの流入に伴う変形に耐えることができ
る。その結果、金属細線の断線、短絡、リードフレーム
19の樹脂部21からの露出等の信頼性を損なう不良の
発生を防止することができる。
Further, when the molten resin R flows into the cavities 3, ..., Excessive pressure is applied to the suspension pins 25, 25 and the leads 26. In this embodiment, these suspension pins 25, 25 and the leads are provided. Since 26 ... have a V-shaped or U-shaped cross section and have increased rigidity, they can withstand deformation caused by the inflow of the molten resin R. As a result, it is possible to prevent the occurrence of defects such as disconnection and short circuit of the thin metal wire and exposure of the lead frame 19 from the resin portion 21 which impair reliability.

【0020】なお、上記実施例においては、エアベント
18を通過した空気は、溝17を経由して、エジェクタ
ピン16…が嵌挿されている孔を介して外部に排出され
るようになっているが、図8に示すように、金型の外部
に開口する空気排出溝27を介して、エアベント18を
通過した空気を排出するようにしてもよい。
In the above embodiment, the air which has passed through the air vent 18 is discharged to the outside through the groove 17 and the hole into which the ejector pins 16 are fitted. However, as shown in FIG. 8, the air that has passed through the air vent 18 may be discharged through the air discharge groove 27 that opens to the outside of the mold.

【0021】また、図9及び図10に示すように、本発
明の他の実施例における被成形体L1を示すもので、こ
の被成形体L1は、厚さ例えば400μmの薄板状のリ
ードフレーム30と、このリードフレーム30上に搭載
された厚さ例えば200μmの半導体素子31と、この
半導体素子31を封止する樹脂部32とからなってい
る。そして、リードフレーム30の半導体素子31搭載
部位には、この半導体素子31を格納する凹部33が形
成されている。これら凹部33の深さは、半導体素子3
1の厚さと同じ200μmに設定され、この凹部33に
格納された半導体素子31とリードフレーム30とが面
一となっている。
Further, as shown in FIGS. 9 and 10, there is shown a molded body L1 according to another embodiment of the present invention. The molded body L1 is a thin lead frame 30 having a thickness of 400 μm, for example. And a semiconductor element 31 having a thickness of, for example, 200 μm mounted on the lead frame 30, and a resin portion 32 for sealing the semiconductor element 31. Then, in the portion of the lead frame 30 where the semiconductor element 31 is mounted, a recess 33 for storing the semiconductor element 31 is formed. The depth of these recesses 33 is equal to the semiconductor element 3
The thickness is set to 200 μm, which is the same as the thickness of No. 1, and the semiconductor element 31 and the lead frame 30 housed in the recess 33 are flush with each other.

【0022】このような構成の被成形体L1を前記トラ
ンスファ成形装置Mを用いて成形する場合、上型1の内
底面1aと半導体素子31上面との距離D1と、リード
フレーム30の上面と上型1の内底面1aとの距離D2
と、下型2の内底面2aと半導体素子31を搭載してい
るダイパッド31a下面との距離D3と、下型2の内底
面2aとリードフレーム30の下面との距離D4は等し
くなる。よって、ゲート7から流入した溶融樹脂Rは流
動の妨げとなるものがないので、流動速度が均一化する
結果、未充填不良の発生を抑止することができる。
When the molded object L1 having such a structure is molded by using the transfer molding apparatus M, the distance D1 between the inner bottom surface 1a of the upper mold 1 and the upper surface of the semiconductor element 31 and the upper surface of the lead frame 30 Distance D2 from the inner bottom surface 1a of the mold 1
Then, the distance D3 between the inner bottom surface 2a of the lower die 2 and the lower surface of the die pad 31a on which the semiconductor element 31 is mounted is equal to the distance D4 between the inner bottom surface 2a of the lower die 2 and the lower surface of the lead frame 30. Therefore, the molten resin R flowing in from the gate 7 does not hinder the flow, and as a result of the uniform flow rate, it is possible to prevent the occurrence of unfilled defects.

【0023】なお、この場合、リードフレーム30の厚
さをすべて等しくすることなく、例えば、図11及び図
12に示す被成形体L2のように、キャビティ3内にお
いてのみ、リードフレーム30の厚さを例えば400μ
mとし、上型1と下型2とにより介挿されるリードフレ
ーム30の厚さを例えば100μmとしても同様の作用
効果を奏することができる。さらに、図13に示す被成
形体L3のように、リードフレーム30のリード26…
のワイヤG…接続部位のみ厚さを例えば100μmと薄
くしてもよい。
In this case, the thickness of the lead frame 30 is not limited to the same, but only in the cavity 3 as in the case of the molded body L2 shown in FIGS. 11 and 12, for example. For example 400μ
Even when the thickness is m and the thickness of the lead frame 30 inserted by the upper mold 1 and the lower mold 2 is 100 μm, for example, the same effect can be obtained. Further, like the molded body L3 shown in FIG. 13, the leads 26 of the lead frame 30 ...
The wire G ... Connection portion may be thinned to a thickness of 100 μm, for example.

【0024】また、図14及び図15は、本発明の他の
実施例のトランスファ成形装置M1を示すものであっ
て、このトランスファ成形装置M1は、上型41と下型
42からなる金型部42と、この金型部42により形成
される複数のキャビティ43…(上型41と下型42の
内底面41a,42a間の距離は例えば900μm)
と、上型41に設けられ円柱状に成形された例えばエポ
キシ樹脂などからなるレジンタブレット(図示せず。)
を格納し溶融するポット(図示せず。)と、このポット
(図示せず。)にて溶融したレジンタブレット(図示せ
ず。)をキャビティ43…に案内するランナ46と、こ
のランナ46から各キャビティ43…に対応して分岐し
溶融樹脂Rをキャビティ43…に案内するゲート47…
と、上型41及び下型42に内設されポット中のレジン
タブレットを誘導加熱により溶融させるヒータ(図示せ
ず。)と、ポットに摺動自在に嵌入するプランジャ(図
示せず。)と、ランナ46中の空気を抜くためのエアベ
ント機構50と、上型41と下型42により形成される
ランナ46及びキャビティ43…及びゲート47…を気
密に密封する密封機構51と、この密封機構51により
形成される密封空間51aを減圧する減圧機構52とか
らなっている。しかして、エアベント機構50は、ラン
ナ46のポットとは反対側の端部に設けられた第1のエ
アベント53と、キャビティ43…のランナ6とは反対
側の端部に設けられた第2のエアベント54…と、上端
部にこれら第2のエアベント54…が形成され上型41
に対して摺動自在に下型42に嵌挿されたサイドピン5
5…(図16参照)と、これらのサイドピン55…を軸
方向に進退駆動するエアシリンダ(図示せず。)とから
なっている。ここで、サイドピン55…の幅は、キャビ
ティ43…の幅とほぼ等しく設定されている。一方、密
封機構51は、上型41にその側壁を包囲するように一
体的に取付けられた上型枠56と、下型42にその側壁
を包囲するように一体的に取付けられた下型枠57とか
らなり、上型41と下型42が密着すると同時にこれら
上型枠56と下型枠57が気密に密着するように設けら
れている。さらに、減圧機構52は、真空ポンプ58
と、この真空ポンプ58と密封機構51との間に接続さ
れ密封空間51a内の空気を真空ポンプ58に案内する
ための減圧ダクト59とを有している。
FIGS. 14 and 15 show a transfer molding apparatus M1 according to another embodiment of the present invention. The transfer molding apparatus M1 has a mold part composed of an upper mold 41 and a lower mold 42. 42 and a plurality of cavities 43 formed by the mold part 42 (the distance between the inner bottom surfaces 41a, 42a of the upper mold 41 and the lower mold 42 is 900 μm, for example)
And a resin tablet (not shown) made of, for example, an epoxy resin, which is provided in the upper mold 41 and is formed into a cylindrical shape.
And a runner 46 for guiding the resin tablet (not shown) melted in the pot (not shown) to the cavities 43 ... Gate 47 that branches corresponding to the cavities 43 and guides the molten resin R to the cavities 43.
A heater (not shown) provided in the upper mold 41 and the lower mold 42 to melt the resin tablets in the pot by induction heating, and a plunger (not shown) slidably fitted in the pot. An air vent mechanism 50 for removing the air in the runner 46, a sealing mechanism 51 for hermetically sealing the runner 46 and the cavities 43 and the gate 47 formed by the upper mold 41 and the lower mold 42, and the sealing mechanism 51. It is composed of a decompression mechanism 52 for decompressing the formed sealed space 51a. Thus, the air vent mechanism 50 includes a first air vent 53 provided at the end of the runner 46 opposite to the pot and a second air vent 53 provided at the end opposite to the runner 6 of the cavities 43. The air vents 54 ... And these second air vents 54 ...
Side pin 5 slidably inserted into lower mold 42
5 (see FIG. 16) and air cylinders (not shown) for driving these side pins 55 forward and backward in the axial direction. Here, the width of the side pins 55 ... Is set to be substantially equal to the width of the cavities 43. On the other hand, the sealing mechanism 51 includes an upper mold frame 56 integrally mounted on the upper mold 41 so as to surround its side wall, and a lower mold frame integrally mounted on the lower mold 42 so as to surround its side wall. 57, and the upper mold 41 and the lower mold 42 are provided in close contact with each other, and at the same time, the upper mold 56 and the lower mold 57 are provided in close contact with each other in an airtight manner. Further, the decompression mechanism 52 includes a vacuum pump 58.
And a decompression duct 59 connected between the vacuum pump 58 and the sealing mechanism 51 for guiding the air in the sealed space 51a to the vacuum pump 58.

【0025】しかして、このトランスファ成形装置M1
においては、まず上型41と下型42を型締めする。し
かして、図示せぬエアシリンダによりサイドピン55…
を矢印B1方向に下降させる。すると、サイドピン55
…と上型41との間には、図16に示すような通気孔6
0…が形成される。この通気孔60…は、第2のエアベ
ント54…よりもはるかに大きい。ついで、真空ポンプ
58を起動して密封空間51a内の空気を減圧ダクト5
9を介して除去する。これに伴って、ランナ6及びゲー
ト47…及びキャビティ43…の中の空気は、第1のエ
アベント53並びに通気孔60…を介して排気される。
この排気完了後に、サイドピン55…を矢印B2方向に
上昇させ原位置に復帰させる。このような排気作業にお
いては、通気孔60…が、第2のエアベント54…より
もはるかに大きいので、第2のエアベント54…を介し
て排気する場合に比べて、排気速度が著しく高くなるの
で、この後にトランスファ成形装置Mと同様にして行わ
れる成形作業に迅速に移行することができる利点を有し
ている。
Therefore, this transfer molding apparatus M1
First, the upper die 41 and the lower die 42 are clamped. Then, the side pin 55 ...
Is lowered in the direction of arrow B1. Then, the side pin 55
Between the upper mold 41 and the ... Vent hole 6 as shown in FIG.
0 ... is formed. The ventilation holes 60 ... Are much larger than the second air vents 54. Then, the vacuum pump 58 is activated to remove the air in the sealed space 51a from the decompression duct 5
Remove via 9. Along with this, the air in the runner 6, the gate 47, ... And the cavities 43 ... Is exhausted via the first air vent 53 and the vent holes 60.
After the exhaust is completed, the side pins 55 ... Are raised in the direction of arrow B2 to return to the original position. In such exhaust work, the ventilation holes 60 are much larger than the second air vents 54, so that the exhaust speed is significantly higher than that in the case of exhausting through the second air vents 54. After that, there is an advantage that it is possible to quickly shift to a molding operation performed similarly to the transfer molding apparatus M.

【0026】なお、上記実施例においては、複数のサイ
ドピン55…を各キャビティ43…ごとに設けている
が、第17図に示すように、一本のサイドブロック61
を上型41に対して進退自在に下型42に取付けても同
様の作用効果を奏することができる。
In the above embodiment, a plurality of side pins 55 ... Is provided for each cavity 43 .. However, as shown in FIG. 17, one side block 61 is provided.
Even if it is attached to the lower mold 42 so as to move back and forth with respect to the upper mold 41, the same operational effect can be achieved.

【0027】また、上記実施例においては、複数のサイ
ドピン55…の幅はキャビティ43…の幅とほぼ等しく
設定されているが、特にこれに制約されることはなく、
サイドピン55…の幅をキャビティ43…の幅よりも小
さくしてもよい。
Further, in the above embodiment, the width of the plurality of side pins 55 is set to be substantially equal to the width of the cavities 43, but there is no particular limitation to this.
The width of the side pins 55 may be smaller than the width of the cavities 43.

【0028】さらにまた、上記実施例においては、サイ
ドピン55…の上端部に第2のエアベント54…を設け
ているが、この第2のエアベント54…を省略し、サイ
ドピン55…の位置調整によりエアベントを形成するよ
うにしてもよい。また、第1のエアベント53を第2の
エアベント54…と同様に開閉自在としてもよい。
Further, in the above embodiment, the second air vents 54 ... Are provided at the upper end portions of the side pins 55 ... However, the second air vents 54 ... Are omitted and the position adjustment of the side pins 55 ... You may make it form an air vent by. Further, the first air vent 53 may be opened and closed similarly to the second air vent 54 ....

【0029】つぎに、図18及び図19は本発明の他の
実施例のトランスファ成形装置M2の要部を示すもので
あって、このトランスファ成形装置M2は、上型71と
下型72からなる金型部M2Oと、この金型部M2Oに
より形成される複数のキャビティ73と、上型71に設
けられ円柱状に成形された例えばエポキシ樹脂などから
なるレジンタブレット(図示せず。)を格納し溶融する
ポット(図示せず。)と、このポットにてレジンタブレ
ット(図示せず。)が溶融した溶融樹脂Rをキャビティ
73に案内するランナ76と、このランナ76からキャ
ビティ73に対応して分岐し溶融樹脂Rをキャビティ7
3に案内するゲート77と、上型71及び下型72に内
設されポット中のレジンタブレットを誘導加熱により溶
融させるヒータ(図示せず。)と、ポットに摺動自在に
嵌入するプランジャ(図示せず。)と、ランナ76中の
空気を抜くためのエアベント機構(図示せず。)と、こ
のプランジャをその軸方向に駆動するプランジャ駆動機
構(図示せず。)と、下型72を上型71に対して接離
させる型開き機構(図示せず。)と、下型72に設けら
れ被成形体L4を突き出す離型機構78とからなってい
る。この離型機構78は、上型71に摺動自在に嵌挿さ
れたエジェクタピン79と、このエジェクタピン79を
その軸方向に駆動するエジェクタピン駆動機構80と、
成形終了後にこのエジェクタピン駆動機構80の作動と
同期してゲート77を切断するゲートカット機構77a
とからなっている。そして、エジェクタピン79は、ラ
ンナ76の一部に当接し、被成形体L4を上型71から
離型させるようになっている。さらに、ゲート77…
は、中途にくびれ部81が形成されている。すなわち、
ゲート77…の厚さは、ランナ76側からくびれ部81
に近付くにつれて減少し、このくびれ部81からキャビ
ティ73側にいくにつれて厚さが増加するように設けら
れている。また、ゲート77…の幅は、ランナ76側か
らくびれ部81に近付くにつれて減少し、このくびれ部
81からキャビティ73側にいくにつれて幅が増加する
ように設けられている。そして、ゲートカット機構は、
このくびれ部81を切断するように設定されている。
Next, FIGS. 18 and 19 show a main part of a transfer molding apparatus M2 according to another embodiment of the present invention. The transfer molding apparatus M2 comprises an upper mold 71 and a lower mold 72. A mold part M2O, a plurality of cavities 73 formed by the mold part M2O, and a resin tablet (not shown) made of, for example, an epoxy resin and formed in a cylindrical shape provided in the upper mold 71 are stored. A melting pot (not shown), a runner 76 that guides the molten resin R melted by a resin tablet (not shown) in the pot into the cavity 73, and a branch from the runner 76 corresponding to the cavity 73. Then melt resin R into cavity 7
3, a gate 77 for guiding to 3, a heater (not shown) provided in the upper mold 71 and the lower mold 72 for melting a resin tablet in a pot by induction heating, and a plunger slidably fitted in the pot (Fig. (Not shown), an air vent mechanism (not shown) for bleeding air from the runner 76, a plunger drive mechanism (not shown) that drives this plunger in its axial direction, and a lower die 72 as an upper part. It includes a mold opening mechanism (not shown) for bringing the mold 71 into and out of contact with the mold 71, and a mold releasing mechanism 78 provided in the lower mold 72 for ejecting the molding target L4. The mold release mechanism 78 includes an ejector pin 79 slidably fitted in the upper mold 71, an ejector pin drive mechanism 80 for driving the ejector pin 79 in the axial direction thereof.
A gate cutting mechanism 77a for cutting the gate 77 in synchronization with the operation of the ejector pin drive mechanism 80 after the molding is completed.
It consists of Then, the ejector pin 79 abuts on a part of the runner 76 and separates the molding target L4 from the upper mold 71. Furthermore, gate 77 ...
Has a waist 81 formed in the middle thereof. That is,
The thickness of the gate 77 ... is the constricted portion 81 from the runner 76 side.
It is provided such that it decreases as it approaches to, and the thickness increases from the constricted portion 81 toward the cavity 73 side. Further, the width of the gates 77 is reduced so as to approach the constricted portion 81 from the runner 76 side, and the width increases as it goes from the constricted portion 81 to the cavity 73 side. And the gate cut mechanism
The constriction 81 is set to be cut.

【0030】しかして、このトランスファ成形装置M2
により成形される被成形体L4は、例えばICカードで
あって、基板82と、この基板82上に搭載された半導
体素子(図示せず。)と、この半導体素子(図示せ
ず。)を気密に封止する樹脂部84とからなっている。
つまり、この被成形体L4はトランスファ成形装置M2
によりインサート成形されてなるものである。
Thus, this transfer molding device M2
The molded object L4 molded by is an IC card, for example, and includes a substrate 82, a semiconductor element (not shown) mounted on the substrate 82, and the semiconductor element (not shown) in an airtight manner. And a resin portion 84 for sealing.
That is, this molded body L4 is transferred to the transfer molding device M2.
Is insert-molded by.

【0031】このような被成形体L4をトランスファ成
形装置M2によりインサート成形する場合、まず、半導
体素子を搭載した基板82を、上型71と下型72との
間に介挿する。つぎに、ポットから溶融樹脂Rを、ラン
ナ76及びゲート77を経由してキャビティ73に流入
させ、キャビティ73に溶融樹脂Rを充填させ、半導体
素子を樹脂部84により封止する。そして、この樹脂部
84が固化した後、型開き機構により下型72を上型7
1から離間させる。ついで、離型機構78のエジェクタ
ピン79をランナ76に当接させ、下型72から被成形
体L4を離型させると同時に、ゲートカット機構により
前記くびれ部81を切断する。この場合、切断に伴う応
力は、くびれ部81に集中するので、基板82からの樹
脂部84の剥離91(図20参照)や樹脂部84のゲー
ト77近傍のクラック92(図21参照)の発生を防止
することができる。その結果、成形品質や歩留の向上に
大幅に寄与することができる。
When insert molding of such a molded body L4 by the transfer molding apparatus M2, first, the substrate 82 on which the semiconductor element is mounted is inserted between the upper die 71 and the lower die 72. Next, the molten resin R is caused to flow from the pot into the cavity 73 via the runner 76 and the gate 77, the cavity 73 is filled with the molten resin R, and the semiconductor element is sealed by the resin portion 84. After the resin portion 84 is solidified, the lower mold 72 is moved to the upper mold 7 by the mold opening mechanism.
Separated from 1. Then, the ejector pin 79 of the releasing mechanism 78 is brought into contact with the runner 76 to release the molded body L4 from the lower die 72, and at the same time, the constricted portion 81 is cut by the gate cutting mechanism. In this case, the stress associated with the cutting is concentrated on the constricted portion 81, and therefore the resin portion 84 is separated from the substrate 82 91 (see FIG. 20) and the crack 92 (see FIG. 21) near the gate 77 of the resin portion 84 is generated. Can be prevented. As a result, it can greatly contribute to the improvement of molding quality and yield.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明のトランスファ成形装置は、ポッ
ト中の空気を排出するためのエアベントを特設したの
で、キャビティ中に充填される溶融樹脂に空気が巻き込
まれることがなくなる。したがって、成形欠陥としての
ボイドの発生を防止するこができる。
Since the transfer molding apparatus of the present invention is specially provided with the air vent for discharging the air in the pot, the molten resin filled in the cavity is prevented from being entrapped in air. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of voids as molding defects.

【0033】また、本発明のトランスファ成形装置は、
キャビティの内壁面がダイパッドに対向する部位を除い
て粗面に形成されていることにより、溶融樹脂がゲート
からキャビティに流入する際の、溶融樹脂の流動速度は
均一化する。よって、溶融樹脂の未充填不良の発生を抑
止することができる。
Further, the transfer molding apparatus of the present invention is
Since the inner wall surface of the cavity is formed to be a rough surface except for the portion facing the die pad, the flow rate of the molten resin becomes uniform when the molten resin flows into the cavity from the gate. Therefore, it is possible to prevent the defective filling of the molten resin from occurring.

【0034】また、本発明のトランスファ成形装置は、
ゲートの中途にくびれ部を設けたので、被成形体の樹脂
部とインサート部との剥離やゲート部近傍におけるクラ
ックの発生を防止でき、成形品質や歩留の向上に寄与す
ることができる。
Further, the transfer molding apparatus of the present invention is
Since the constricted portion is provided in the middle of the gate, it is possible to prevent peeling between the resin portion and the insert portion of the body to be molded and cracks in the vicinity of the gate portion, which contributes to improvement in molding quality and yield.

【0035】さらに、本発明のトランスファ成形装置
は、減圧成形する場合において、少なくともキャビティ
に連設されたエアベントを開閉自在としたので、樹脂成
形前の減圧雰囲気形成のための排気速度を著しく高くす
ることが可能となり、成形能率の向上に寄与することが
可能となる。
Further, in the transfer molding apparatus of the present invention, at the time of vacuum molding, at least the air vents connected to the cavity can be opened and closed, so that the exhaust speed for forming the reduced pressure atmosphere before resin molding is significantly increased. It becomes possible to contribute to the improvement of molding efficiency.

【0036】一方、本発明の被成形体は、リードフレー
ムと、このリードフレーム上に搭載された半導体素子
と、この半導体素子を封止する樹脂部とからなり、か
つ、上記リードフレームは、外枠と、この外枠に囲まれ
た中央部に配設され上記半導体素子が搭載されるダイパ
ッドと、このダイパッドと外枠とを橋絡する吊りピン
と、外枠の内側からダイパッドに向かって複数本櫛歯状
に突設されたリードと、これらリードと半導体素子を電
気的に接続する細線とを有し、リードの細線接続部位以
外の部分並びに吊りピンの横断面は屈曲形状に形成され
ているので、直線状に比べて剛性が高くなっている。そ
の結果、これらリード及び吊りピンが、トランスファ成
形時に、溶融樹脂の流入圧力により変形することがなく
なり、金属細線の断線、短絡、リードフレームの樹脂部
からの露出等の信頼性を損なう不良の発生を防止するこ
とができる。
On the other hand, the molded body of the present invention comprises a lead frame, a semiconductor element mounted on the lead frame, and a resin portion for sealing the semiconductor element, and the lead frame is external. A frame, a die pad disposed in a central portion surrounded by the outer frame and on which the semiconductor element is mounted, suspension pins bridging the die pad and the outer frame, and a plurality of die pins from the inside of the outer frame toward the die pad. It has leads protruding in a comb shape and fine wires that electrically connect these leads to the semiconductor element, and the portions other than the fine wire connecting portions of the leads and the cross section of the hanging pin are formed in a bent shape. Therefore, the rigidity is higher than the linear shape. As a result, these leads and suspension pins will not be deformed by the inflow pressure of the molten resin during transfer molding, and the occurrence of defects that impair reliability, such as disconnection of metal thin wires, short circuits, and exposure from the resin portion of the lead frame. Can be prevented.

【0037】さらにまた、本発明の被成形体は、リード
フレームの半導体素子搭載部位に半導体素子を格納する
凹部を形成し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の
厚さとほぼ同じに設定し、凹部に格納された半導体素子
とリードフレームとが面一となるようにしているので、
ゲートから流入した溶融樹脂は流動の妨げとなるものが
なくなり、溶融樹脂の流動速度が均一化する結果、未充
填不良の発生を抑止することができる。
Furthermore, in the molded body of the present invention, a recess for storing the semiconductor element is formed in the semiconductor element mounting portion of the lead frame, and the depth of the recess is set to be substantially the same as the thickness of the semiconductor element. Since the semiconductor element stored in the recess and the lead frame are flush with each other,
The molten resin flowing from the gate does not hinder the flow, and the flow rate of the molten resin is made uniform. As a result, the occurrence of unfilled defects can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の要
部断面正面図である。
FIG. 1 is a sectional front view of a main part of a transfer molding apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の要
部平面図ある。
FIG. 2 is a plan view of a main part of the transfer molding apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例の被成形体の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a molding target according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例の被成形体の図3のIV−I
V線に沿う矢視断面図である。
FIG. 4 is an IV-I of FIG. 3 of a molding target according to an embodiment of the present invention.
It is an arrow sectional view which follows the V line.

【図5】本発明の一実施例の被成形体の要部平面図であ
る。
FIG. 5 is a plan view of a main part of a molding target according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例の被成形体の要部断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part of a body to be molded according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例の被成形体の変形例を示す要
部断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of essential parts showing a modified example of the molding target according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例のトランスファ成形装置の変
形例を示す要部断面正面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional front view of essential parts showing a modified example of the transfer molding apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施例における被成形体の断面図
である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a molded body according to another embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施例における被成形体の図9
のX−X線に沿う矢視断面図である。
FIG. 10 is a view of a molded body according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【図11】本発明の他の実施例における被成形体の変形
例を示す要部断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of an essential part showing a modified example of the molding target in another embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の実施例の被成形体の図11のX
II−XII線に沿う矢視断面図である。
FIG. 12 is an X of FIG. 11 of a molded body according to another embodiment of the present invention.
It is an arrow sectional view which follows the II-XII line.

【図13】本発明の他の実施例における被成形体の変形
例を示す要部断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of an essential part showing a modified example of the molding target in another embodiment of the present invention.

【図14】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部断面正面図である。
FIG. 14 is a sectional front view of a main part of a transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図15】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部平面図ある。
FIG. 15 is a plan view of an essential part of a transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の作動説明図である。
FIG. 16 is an operation explanatory view of the transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の変形例を示す要部平面図ある。
FIG. 17 is a main part plan view showing a modified example of the transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部平面図ある。
FIG. 18 is a plan view of an essential part of a transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例のトランスファ成形装置
の要部断面正面図である。
FIG. 19 is a sectional front view of a main part of a transfer molding apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図20】従来のトランスファ成形装置の成形欠陥を示
す要部断面正面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional front view of essential parts showing a molding defect of a conventional transfer molding apparatus.

【図21】従来のトランスファ成形装置の成形欠陥を示
す要部断面正面図である。
FIG. 21 is a sectional front view of an essential part showing a molding defect of a conventional transfer molding apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:上型,2:下型,3:キャビティ,5:ポット,
6:ランナ,7:ゲート,18:エアベント,19:リ
ードフレーム,20:半導体素子,21:樹脂部,2
4:ダイパッド,25:吊りピン,26:リード,3
0:リードフレーム,31:半導体素子,33:凹部,
41:上型,42:下型,43:キャビティ,46:ラ
ンナ,47:ゲート,51:密封機構,52:減圧機
構,53:第1のエアベント,54:第2のエアベン
ト,55:サイドピン,60:通気孔,71:上型,7
2:下型,73:キャビティ,76:ランナ,77:ゲ
ート,79:エジェクタピン,81:くびれ部,L1,
L2,L3,L4:被成形体。
1: upper mold, 2: lower mold, 3: cavity, 5: pot,
6: runner, 7: gate, 18: air vent, 19: lead frame, 20: semiconductor element, 21: resin part, 2
4: die pad, 25: hanging pin, 26: lead, 3
0: lead frame, 31: semiconductor element, 33: recess,
41: upper mold, 42: lower mold, 43: cavity, 46: runner, 47: gate, 51: sealing mechanism, 52: pressure reducing mechanism, 53: first air vent, 54: second air vent, 55: side pin , 60: vent hole, 71: upper mold, 7
2: Lower mold, 73: Cavity, 76: Runner, 77: Gate, 79: Ejector pin, 81: Constricted part, L1,
L2, L3, L4: molded objects.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B29L 31:34 4F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location B29L 31:34 4F

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャと、上記
ランナ及び上記キャビティ内の空気の排出通路となる第
1のエアベントと、上記ポットに隣接して設けられこの
ポット内の空気の排出通路となる第2のエアベントとを
具備することを特徴とするトランスファ成形装置。
1. A mold part comprising an upper mold and a lower mold, a cavity formed along the contact and separation surfaces of the upper mold and the lower mold of the mold part, and a pot for storing a molten resin. A runner that guides the molten resin from the pot, a gate that is interposed between the runner and the cavity and that guides the molten resin to the cavity, and a slidably fit into the pot to feed the molten resin to the cavity side. A first air vent serving as a discharge passage for air in the runner and the cavity, and a second air vent provided adjacent to the pot and serving as a discharge passage for air in the pot. A transfer molding device characterized by:
【請求項2】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャとを具備
し、上記キャビティ内にインサートされる基板上に固着
された被封止体を樹脂封止するトランスファ成形装置に
おいて、上記キャビティの上記被封止体に対向する部位
を除く部分が粗面に形成されていることを特徴とするト
ランスファ成形装置。
2. A mold part comprising an upper mold and a lower mold, a cavity formed along the contact and separation surfaces of the upper mold and the lower mold of the mold part, and a pot for storing a molten resin. A runner that guides the molten resin from the pot, a gate that is interposed between the runner and the cavity and that guides the molten resin to the cavity, and a slidably fit into the pot to feed the molten resin to the cavity side. In a transfer molding apparatus, which comprises a plunger for pressure-feeding to the cavity, and resin-encapsulates an object to be sealed, which is fixed on a substrate to be inserted into the cavity, except a portion of the cavity facing the object to be sealed. A transfer molding apparatus, characterized in that a portion is formed on a rough surface.
【請求項3】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャとを具備
し、上記ゲートの中途にくびれ部を設けたことを特徴と
するトランスファ成形装置。
3. A mold part comprising an upper mold and a lower mold, a cavity formed along the contact and separation surfaces of the upper mold and the lower mold of the mold part, and a pot for storing a molten resin. A runner that guides the molten resin from the pot, a gate that is interposed between the runner and the cavity and that guides the molten resin to the cavity, and a slidably fit into the pot to feed the molten resin to the cavity side. A transfer molding apparatus, comprising: a plunger for pressure-feeding the inner surface of the gate; and a constricted portion provided in the middle of the gate.
【請求項4】上型と下型からなる金型部と、この金型部
の上記上型と上記下型の接離面に沿って形成されるキャ
ビティと、溶融樹脂を格納するポットと、このポットか
らの溶融樹脂を案内するランナと、このランナと上記キ
ャビティとの間に介設され溶融樹脂を上記キャビティに
案内するゲートと、上記ポットに摺動自在に嵌入し溶融
樹脂を上記キャビティ側に圧送するプランジャと、上記
ランナ及び上記キャビティ内の空気の排出通路となるエ
アベントと、上記エアベントが開口するとともに少なく
とも上記上型と上記下型の密接部位を気密に封止する密
封手段と、この密封手段により包囲された空間を減圧す
る減圧手段とを具備し、上記エアベントを開口量調整自
在に設けたことを特徴とするトランスファ成形装置。
4. A mold part composed of an upper mold and a lower mold, a cavity formed along the contact and separation surfaces of the upper mold and the lower mold of the mold part, and a pot for storing a molten resin. A runner that guides the molten resin from the pot, a gate that is interposed between the runner and the cavity and that guides the molten resin to the cavity, and a slidably fit into the pot to feed the molten resin to the cavity side. A plunger that is pressure-fed to the air, an air vent that serves as an exhaust passage for air in the runner and the cavity, a sealing means that hermetically seals at least the close parts of the upper mold and the lower mold while the air vent is open, and A transfer molding apparatus, comprising: a decompression unit for decompressing a space surrounded by a sealing unit, the air vent being provided so that an opening amount thereof can be adjusted.
【請求項5】薄板状のリードフレームと、このリードフ
レーム上に搭載された半導体素子と、この半導体素子を
封止する樹脂部とを具備し、かつ、上記リードフレーム
は、外枠と、この外枠に囲まれた部位に配設され上記半
導体素子が固着されたダイパッドと、上記外枠と上記ダ
イパッドを橋絡する複数の吊りピンと、外枠の内側から
ダイパッドに向かって複数本櫛歯状に突設され先端部と
上記半導体素子とが金属細線を介して電気的に接続され
たリードとを有し、上記リードの上記金属細線接続部位
以外の部分並びに上記吊りピンの横断面は屈曲又は湾曲
形状に形成され剛性が強化されていることを特徴とする
被成形体。
5. A thin plate-shaped lead frame, a semiconductor element mounted on the lead frame, and a resin portion for sealing the semiconductor element, and the lead frame includes an outer frame and A die pad, which is disposed in a portion surrounded by an outer frame and to which the semiconductor element is fixed, a plurality of suspension pins bridging the outer frame and the die pad, and a plurality of comb-teeth-shaped teeth from the inner side of the outer frame toward the die pad Has a lead projecting from the end and the semiconductor element and a lead electrically connected to each other through a thin metal wire, and a portion of the lead other than the thin metal wire connecting portion and a cross section of the hanging pin are bent or An object to be molded, which is formed in a curved shape and has enhanced rigidity.
【請求項6】外枠と、この外枠に囲まれた部位に配設さ
れたダイパッドと、上記外枠と上記ダイパッドを橋絡す
る複数の吊りピンと、外枠の内側からダイパッドに向か
って複数本櫛歯状に突設されたリードと、ダイパッド上
にダイボンディングにより接着された半導体素子と、上
記リードの先端部と上記半導体素子を電気的に接続する
金属細線と、上記ダイパッド上に形成され且つ上記半導
体素子を封止する樹脂部とを具備し、上記ダイパッドの
上記半導体素子搭載部位にこの半導体素子を格納する凹
部を形成し、かつ、この凹部の深さを、半導体素子の厚
さとほぼ同じに設定し、上記凹部に格納された上記半導
体素子と上記ダイパッドとを面一にしたことを特徴とす
る被成形体。
6. An outer frame, a die pad arranged in a region surrounded by the outer frame, a plurality of suspension pins bridging the outer frame and the die pad, and a plurality of hanging pins extending from the inside of the outer frame toward the die pad. The leads protruding in the form of comb teeth, the semiconductor element bonded on the die pad by die bonding, the fine metal wires electrically connecting the tip of the lead and the semiconductor element, and the metal wire formed on the die pad. And a resin portion for sealing the semiconductor element, forming a recess for storing the semiconductor element in the semiconductor element mounting portion of the die pad, and the depth of the recess is approximately equal to the thickness of the semiconductor element. A molded object, which is set to be the same, wherein the semiconductor element stored in the recess and the die pad are flush with each other.
JP17356192A 1992-07-01 1992-07-01 Transfer molding apparatus and object to be molded thereof Pending JPH0615683A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17356192A JPH0615683A (en) 1992-07-01 1992-07-01 Transfer molding apparatus and object to be molded thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17356192A JPH0615683A (en) 1992-07-01 1992-07-01 Transfer molding apparatus and object to be molded thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0615683A true JPH0615683A (en) 1994-01-25

Family

ID=15962839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17356192A Pending JPH0615683A (en) 1992-07-01 1992-07-01 Transfer molding apparatus and object to be molded thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0615683A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578261A (en) * 1993-05-17 1996-11-26 Lucent Technologies Inc. Method of encapsulating large substrate devices using reservoir cavities for balanced mold filling
US6942478B2 (en) * 2001-10-12 2005-09-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Packaging mold with electrostatic discharge protection
JP2010110949A (en) * 2008-11-05 2010-05-20 Bridgestone Corp Mold for oa blade
JP2011111391A (en) * 2009-11-24 2011-06-09 Yokoi Seisakusho:Kk Method for manufacturing metallic soap block or metallic soap bar and apparatus therefor
JP2012135940A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Richell Corp Method of manufacturing molding by transfer molding method, and molding manufactured by the same
JP2017524554A (en) * 2014-06-11 2017-08-31 サビック・イノヴェイティヴ・プラスティックス・ビイ ブイ Method for producing a material composite of metal and plastic to form a plastic-metal hybrid component

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578261A (en) * 1993-05-17 1996-11-26 Lucent Technologies Inc. Method of encapsulating large substrate devices using reservoir cavities for balanced mold filling
US6942478B2 (en) * 2001-10-12 2005-09-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Packaging mold with electrostatic discharge protection
JP2010110949A (en) * 2008-11-05 2010-05-20 Bridgestone Corp Mold for oa blade
JP2011111391A (en) * 2009-11-24 2011-06-09 Yokoi Seisakusho:Kk Method for manufacturing metallic soap block or metallic soap bar and apparatus therefor
JP2012135940A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Richell Corp Method of manufacturing molding by transfer molding method, and molding manufactured by the same
JP2017524554A (en) * 2014-06-11 2017-08-31 サビック・イノヴェイティヴ・プラスティックス・ビイ ブイ Method for producing a material composite of metal and plastic to form a plastic-metal hybrid component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4374080A (en) Method and apparatus for encapsulation casting
US6498055B2 (en) Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system
JP4519398B2 (en) Resin sealing method and semiconductor device manufacturing method
JP3642685B2 (en) Transfer molding equipment
US5214846A (en) Packaging of semiconductor chips
EP0454440B1 (en) Method of encapsulating a semiconductor device
EP0589569A1 (en) Lead frame with slots and a method for molding integrated circuit packages
JPH0615683A (en) Transfer molding apparatus and object to be molded thereof
JP4376247B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3124248B2 (en) Semiconductor chip package molding equipment
JP5377807B2 (en) Mold, sealing device and sealing method
US4449690A (en) Apparatus for encapsulation casting
JP2555931B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
EP0430204B1 (en) Plastic mould type semiconductor device
JP3233990B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4731058B2 (en) Resin sealing device and resin sealing method
JPH10217275A (en) Resin sealing method for semiconductor apparatus
JPH05235073A (en) Method of sealing semiconductor device with resin
JPS63299368A (en) Manufacture of semiconductor element housing package
US20040169276A1 (en) Method of packaging a semiconductor chip
JP3583086B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3575592B2 (en) Mold for resin molding of lead frame assembly and resin molding method
JPH0691118B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH0342845A (en) Resin-seal forming die device for semiconductor device
JP2003045905A (en) Method and apparatus for resin sealing