JPH06152363A - Gate driving circuit - Google Patents
Gate driving circuitInfo
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- JPH06152363A JPH06152363A JP4304012A JP30401292A JPH06152363A JP H06152363 A JPH06152363 A JP H06152363A JP 4304012 A JP4304012 A JP 4304012A JP 30401292 A JP30401292 A JP 30401292A JP H06152363 A JPH06152363 A JP H06152363A
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- power supply
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はサーボドライブ、ＰＷＭ
インバータ等のパワードライブ回路に用いられるパワー
ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等のスイッチング素子を駆動す
るゲートドライブ回路に関する。The present invention relates to a servo drive, PWM
The present invention relates to a gate drive circuit that drives a switching element such as a power MOSFET or IGBT used in a power drive circuit such as an inverter.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５はゲートドライブ回路の従来例を示
す図である。図５のゲートドライブ回路は、不図示のサ
ーボドライブ、ＰＷＭインバータ等の制御回路の信号源
から出力される信号をフォトカプラ３１で絶縁し、出力
部にトランジスタ３２〜３５、抵抗３６〜４１、ツェナ
ーダイオード４２、コンデンサ４３からなる低出力イン
ピーダンスのバッファ回路を用いてパワーＭＯＳＦＥＴ
４４の高速動作を実現している。この回路は、伝達時間
の小さな高速のフォトカプラ３１を用いると、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ４４の高速性を生かせるが、この回路用に制
御回路とは独立の絶縁電源を必要とする。すなわち、絶
縁電源用のトランスが必要となる。一方、上記フォトカ
プラに代えて、信号の伝送にパルストランスを用いて制
御回路との絶縁とパワーＭＯＳＦＥＴのゲート駆動に必
要な電力の供給を同時に行うものがある。これは、ゲー
ト駆動に必要な電力を制御回路側から供給するので、図
５のゲートドライブ回路に比して独立の電源が不要にな
るという利点がある（特開昭６１−２４２４１６号公
報、特開昭６２−２１３２２号公報参照）。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a diagram showing a conventional example of a gate drive circuit. In the gate drive circuit of FIG. 5, a signal output from a signal source of a control circuit such as a servo drive or a PWM inverter (not shown) is insulated by a photocoupler 31, and transistors 32 to 35, resistors 36 to 41, and a zener are provided at an output portion. Power MOSFET using a low output impedance buffer circuit composed of a diode 42 and a capacitor 43
44 high speed operation is realized. This circuit uses power M
Although the high speed of the OSFET 44 can be used, an insulating power supply independent of the control circuit is required for this circuit. That is, a transformer for an insulated power source is required. On the other hand, in place of the photocoupler, there is one that simultaneously uses a pulse transformer for signal transmission to insulate the control circuit and supply electric power necessary for driving the gate of the power MOSFET. This has the advantage that an independent power supply is not needed as compared with the gate drive circuit of FIG. 5 because the power required for driving the gate is supplied from the control circuit side (Japanese Patent Laid-Open No. 61-242416). (See Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-21322).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のゲート
ドライブ回路のうち、前者では絶縁電源用のトランスが
必要となり、小型化が困難である。一方、後者ではこの
パルストランス自体が小型化の障害になる。本発明の目
的は、コイルやトランス等の小型化の障害になるものを
用いずに絶縁したドライブ電源の供給を可能とするゲー
トドライブ回路を提供することにある。Among the conventional gate drive circuits described above, the former requires a transformer for an insulated power supply, and it is difficult to reduce the size. On the other hand, in the latter, the pulse transformer itself becomes an obstacle to miniaturization. An object of the present invention is to provide a gate drive circuit capable of supplying an insulated drive power without using a coil, a transformer, or the like that hinders miniaturization.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のゲートドライブ
回路は、直流電源の正極に接続された第１の光ＭＯＳＦ
ＥＴと、直流電源の負極に接続された第２の光ＭＯＳＦ
ＥＴと、一端が第１の光ＭＯＳＦＥＴを介して前記直流
電源の正極に接続され、他端が第２の光ＭＯＳＦＥＴを
介して前記直流電源の負極に接続された第１のコンデン
サと、第１のコンデンサの一端に接続された第３の光Ｍ
ＯＳＦＥＴと、第１のコンデンサの他端に接続された第
４の光ＭＯＳＦＥＴと、一端が第１の光ＭＯＳＦＥＴを
介して第１のコンデンサの一端に接続され、他端が第２
の光ＭＯＳＦＥＴを介して第１のコンデンサの他端に接
続された第２のコンデンサと、発光側の端子がオンオフ
信号源に接続され、受光側の正側端子が第２のコンデン
サの一端に接続され、受光側の負側端子が第２のコンデ
ンサの他端に接続され、出力端子がスイッチング素子の
ゲートに接続されたフォトカプラと、第１，第２の光Ｍ
ＯＳＦＥＴがオンしている間は第３，第４の光ＭＯＳＦ
ＥＴがオフし、第３，第４の光ＭＯＳＦＥＴがオンして
いる間は第１，第２の光ＭＯＳＦＥＴがオフするよう
に、各光ＭＯＳＦＥＴにオンオフを繰り返し行わせるド
ライバとを有する。The gate drive circuit of the present invention comprises a first optical MOSF connected to the positive electrode of a DC power supply.
ET and the second optical MOSF connected to the negative electrode of the DC power supply
ET, a first capacitor whose one end is connected to the positive electrode of the DC power supply through a first optical MOSFET, and the other end is connected to the negative electrode of the DC power supply through a second optical MOSFET; Third light M connected to one end of the condenser of
The OSFET, the fourth optical MOSFET connected to the other end of the first capacitor, one end connected to one end of the first capacitor via the first optical MOSFET, and the other end connected to the second
Second capacitor connected to the other end of the first capacitor through the optical MOSFET of, and the light emitting side terminal is connected to the ON / OFF signal source, and the light receiving side positive side terminal is connected to one end of the second capacitor The negative terminal on the light receiving side is connected to the other end of the second capacitor, and the output terminal is connected to the gate of the switching element, and the first and second light M.
While the OSFET is on, the third and fourth optical MOSF
A driver that causes each optical MOSFET to repeatedly turn on and off so that the first and second optical MOSFETs are turned off while ET is turned off and the third and fourth optical MOSFETs are turned on.
【０００５】[0005]
【作用】直流電源は第１，第２の光ＭＯＳＦＥＴがオン
していることで第１のコンデンサを充電する。この後第
１，第２の光ＭＯＳＦＥＴがオフし、第３，第４の光Ｍ
ＯＳＦＥＴがオンする。これで第２のコンデンサは第１
のコンデンサにより充電される。この動作を繰り返すこ
とで、フォトカプラには電源が供給され、かつ直流電源
とフォトカプラとの間は絶縁される。The DC power supply charges the first capacitor when the first and second optical MOSFETs are turned on. After this, the first and second light MOSFETs are turned off, and the third and fourth light M
The OSFET turns on. Now the second capacitor is the first
Is charged by the capacitor. By repeating this operation, power is supplied to the photocoupler, and the DC power supply and the photocoupler are insulated from each other.
【０００６】[0006]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明のゲートドラ
イブ回路の一実施例を示す回路図、図２（ａ）は本実施
例で用いる光ＭＯＳＦＥＴを示す図、図２（ｂ）はこの
光ＭＯＳＦＥＴを省略して示す図、図３は図１中のフォ
トカプラ８を示す図、図４（ａ）は本実施例中の光ＭＯ
ＳＦＥＴ１，２，３，４のドライバを示す図、図４
（ｂ）はその波形図である。図１に示す光ＭＯＳＦＥＴ
１は、図２（ａ）に示すように、通常のフォトカプラと
同じように端子Ａ−Ｋ間に電流が流れ、内部のＬＥＤが
発光すると、端子Ｉ−Ｏ間は導通し、スイッチがオンし
たことと同様となる。したがって、端子Ｉ−Ｏ間は図２
（ｂ）のように表わすことができる。図１（ａ），
（ｂ）に示す残りの光ＭＯＳＦＥＴ２，３，４はすべて
光ＭＯＳＦＥＴ１と同様のものが使用されている。光Ｍ
ＯＳＦＥＴは近年アナウンスされた光デバイスで、フォ
トカプラよりも高い耐電圧を有しており、一部の品では
６００Ｖもある。これを用いて作製したものが図１
（ａ），（ｂ）に示すゲートドライブ回路である。光Ｍ
ＯＳＦＥＴ１はドライブ電源供給用の直流電源５の正極
に接続されている。光ＭＯＳＦＥＴ２は直流電源５の負
極に接続されている。コンデンサ６は正側端が光ＭＯＳ
ＦＥＴ１を介して直流電源５の正極に接続され、負側端
が光ＭＯＳＦＥＴ２を介して直流電源５の負極に接続さ
れている。光ＭＯＳＦＥＴ３はコンデンサ６の正側端に
接続されている。光ＭＯＳＦＥＴ４はコンデンサ６の負
側端に接続されている。コンデンサ７は、正側端が光Ｍ
ＯＳＦＥＴ３を介してコンデンサ６の正側端に接続さ
れ、負側端が光ＭＯＳＦＥＴ４を介してコンデンサ６の
負側端に接続されている。フォトカプラ８としては、図
３に示すように、ＬＥＤと受光用のゲートからなる高速
型のものが好ましい。ただし、ＬＥＤとフォトトランジ
スタからなる通常のフォトカプラを使用したものも本発
明に含まれる。フォトカプラ８のＬＥＤ側の端子は、不
図示のサーボドライブ、ＰＷＭインバータ等の制御回路
のオンオフ信号源（ＰＷＭ信号源）に接続されている。
フォトカプラ８の受光用のゲートの正側端子８1 はコン
デンサ７の正側端に接続され、受光用のゲートの負側端
子８2 はコンデンサ７の負側端に接続されている。フォ
トカプラ８のゲートの出力端子８3 はサーボドライブ、
ＰＷＭインバータ等のスイッチング素子であるパワーＭ
ＯＳＦＥＴ９（ＩＧＢＴでもよい）のゲートに接続され
ている。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1A and 1B are circuit diagrams showing an embodiment of the gate drive circuit of the present invention, FIG. 2A is a diagram showing an optical MOSFET used in this embodiment, and FIG. The figure which abbreviate | omits MOSFET, FIG. 3 is a figure which shows the photocoupler 8 in FIG. 1, FIG. 4 (a) is the optical MO in this Example.
The figure which shows the driver of SFET1,2,3,4, FIG.
(B) is the waveform diagram. Optical MOSFET shown in FIG.
As shown in FIG. 2 (a), when a current flows between the terminals A and K and the internal LED emits light, the No. 1 is electrically connected between the terminals IO and the switch is turned on. It is the same as what you did. Therefore, between terminals I and O is shown in FIG.
It can be represented as (b). Figure 1 (a),
The remaining optical MOSFETs 2, 3 and 4 shown in (b) are the same as the optical MOSFET 1. Light M
The OSFET is an optical device that has been announced in recent years and has a higher withstand voltage than a photocoupler, and some products have 600V. Fig. 1 shows what was produced using this.
It is a gate drive circuit shown in (a) and (b). Light M
The OSFET 1 is connected to the positive electrode of the DC power supply 5 for supplying drive power. The optical MOSFET 2 is connected to the negative electrode of the DC power supply 5. The positive end of the capacitor 6 is an optical MOS
It is connected to the positive electrode of the DC power supply 5 via the FET 1, and the negative end is connected to the negative electrode of the DC power supply 5 via the optical MOSFET 2. The optical MOSFET 3 is connected to the positive side end of the capacitor 6. The optical MOSFET 4 is connected to the negative end of the capacitor 6. The condenser 7 has a light M at its positive end.
It is connected to the positive side end of the capacitor 6 via the OSFET 3, and the negative side end is connected to the negative side end of the capacitor 6 via the optical MOSFET 4. As the photocoupler 8, as shown in FIG. 3, a high-speed type having an LED and a gate for receiving light is preferable. However, the present invention also includes the one using an ordinary photocoupler including an LED and a phototransistor. The LED-side terminal of the photocoupler 8 is connected to an ON / OFF signal source (PWM signal source) of a control circuit such as a servo drive or a PWM inverter (not shown).
The positive side terminal 8 1 of the light receiving gate of the photocoupler 8 is connected to the positive side end of the capacitor 7, and the negative side terminal 8 2 of the light receiving gate is connected to the negative side end of the capacitor 7. The output terminal 8 3 of the gate of the photo coupler 8 is a servo drive,
Power M that is a switching element such as a PWM inverter
It is connected to the gate of OSFET9 (it may be IGBT).
【０００７】次に、光ＭＯＳＦＥＴ１，２，３，４のド
ライバについて説明する。図４（ａ）を参照すると、発
振器１１は数ｋＨｚの矩形波の信号を出力する。インバ
ータ１２はこの信号の反転信号を出力する。インバータ
１３，１４およびインバータ１６，１７はディレイ回路
を構成するものである。ナンドゲート１５はインバータ
１２およびインバータ１４の各出力のナンドをとる。ナ
ンドゲート１８は発振器１１およびインバータ１７の各
出力のナンドをとる。光ＭＯＳＦＥＴ１，２の各ＬＥＤ
は直列接続されており、そのカソード側はインバータ１
５に接続され、アノード側は抵抗１９を介して直流電源
５（図１）の正極に接続されている。同様に、光ＭＯＳ
ＦＥＴ３，４の各ＬＥＤは直列接続されており、そのカ
ソード側はインバータ１８に接続され、アノード側は抵
抗２０を介して直流電源５（図１）の正極に接続されて
いる。このような構成により、ナンドゲート１５，１６
の出力信号は、図４（ｂ）に示すように、同時にＬとな
ることがない。これにより、光ＭＯＳＦＥＴ１，２と光
ＭＯＳＦＥＴ３，４とが同時にオンすることが防止され
る。すなわち、光ＭＯＳＦＥＴ１，２がオンしている間
は光ＭＯＳＦＥＴ３，４が確実にオフし、光ＭＯＳＦＥ
Ｔ３，４がオンしている間は光ＭＯＳＦＥＴ１，２が確
実にオフする。すなわち、図１（ａ）において、直流電
源５は光ＭＯＳＦＥＴ１，２がオンしていることでコン
デンサ６を充電する。この後、図１（ｂ）に示すよう
に、光ＭＯＳＦＥＴ１，２がオフし、光ＭＯＳＦＥＴ
３，４がオンする。これでコンデンサ７はコンデンサ６
により充電される。この動作を繰り返すことで、フォト
カプラ８には電源が供給され、かつ直流電源５とフォト
カプラ８との間は絶縁される。Next, the drivers of the optical MOSFETs 1, 2, 3, 4 will be described. Referring to FIG. 4A, the oscillator 11 outputs a rectangular wave signal of several kHz. The inverter 12 outputs an inverted signal of this signal. The inverters 13 and 14 and the inverters 16 and 17 form a delay circuit. The NAND gate 15 takes the NAND of each output of the inverter 12 and the inverter 14. The NAND gate 18 takes the NAND of each output of the oscillator 11 and the inverter 17. LEDs of optical MOSFETs 1 and 2
Are connected in series, and the cathode side is the inverter 1
5, and the anode side is connected to the positive electrode of the DC power supply 5 (FIG. 1) via the resistor 19. Similarly, optical MOS
The LEDs of the FETs 3 and 4 are connected in series, the cathode side thereof is connected to the inverter 18, and the anode side thereof is connected to the positive electrode of the DC power supply 5 (FIG. 1) via the resistor 20. With such a configuration, the NAND gates 15 and 16
The output signals of 1 and 2 do not become L at the same time, as shown in FIG. This prevents the optical MOSFETs 1 and 2 and the optical MOSFETs 3 and 4 from turning on at the same time. That is, while the optical MOSFETs 1 and 2 are on, the optical MOSFETs 3 and 4 are surely turned off, and the optical MOSFE
The optical MOSFETs 1 and 2 are certainly turned off while T3 and 4 are turned on. That is, in FIG. 1A, the DC power supply 5 charges the capacitor 6 when the optical MOSFETs 1 and 2 are turned on. Thereafter, as shown in FIG. 1B, the optical MOSFETs 1 and 2 are turned off, and the optical MOSFETs are turned off.
3 and 4 turn on. Capacitor 7 is now Capacitor 6
Is charged by. By repeating this operation, power is supplied to the photocoupler 8 and the DC power supply 5 and the photocoupler 8 are insulated.
【０００８】[0008]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光ＭＯＳ
ＦＥＴおよびコンデンサのみでフォトカプラへの絶縁さ
れた電源の供給が可能であり、部品点数が少なく、トラ
ンスが不要となる。したがって、占有面積の小さいゲー
トドライブ回路が作成可能となる。As described above, the present invention provides an optical MOS.
It is possible to supply an insulated power supply to the photocoupler only with the FET and the capacitor, the number of parts is small, and the transformer is not necessary. Therefore, a gate drive circuit that occupies a small area can be created.
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明のゲートドライブ回路
の一実施例を示す回路図である。1A and 1B are circuit diagrams showing an embodiment of a gate drive circuit of the present invention.
【図２】（ａ）は図１の実施例で用いる光ＭＯＳＦＥＴ
を示す図、（ｂ）はこの光ＭＯＳＦＥＴを省略して示す
図である。2A is an optical MOSFET used in the embodiment of FIG.
FIG. 3B is a diagram in which the optical MOSFET is omitted.
【図３】図１中のフォトカプラ８を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a photocoupler 8 in FIG.
【図４】（ａ）は図１中の光ＭＯＳＦＥＴ１，２，３，
４のドライバを示す図、（ｂ）はその波形図である。4 (a) is an optical MOSFET 1, 2, 3, 3 in FIG.
4 is a diagram showing the driver of FIG. 4, and FIG.
【図５】ゲートドライブ回路の従来例を示す回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example of a gate drive circuit.
１，２，３，４ 光ＭＯＳＦＥＴ ５ 直流電源 ６，７ コンデンサ ８ フォトカプラ ９ パワーＭＯＳＦＥＴ 1,2,3,4 Optical MOSFET 5 DC power supply 6,7 Capacitor 8 Photocoupler 9 Power MOSFET
Claims (1)
ＯＳＦＥＴと、 直流電源の負極に接続された第２の光ＭＯＳＦＥＴと、 一端が第１の光ＭＯＳＦＥＴを介して前記直流電源の正
極に接続され、他端が第２の光ＭＯＳＦＥＴを介して前
記直流電源の負極に接続された第１のコンデンサと、 第１のコンデンサの一端に接続された第３の光ＭＯＳＦ
ＥＴと、 第１のコンデンサの他端に接続された第４の光ＭＯＳＦ
ＥＴと、 一端が第１の光ＭＯＳＦＥＴを介して第１のコンデンサ
の一端に接続され、他端が第２の光ＭＯＳＦＥＴを介し
て第１のコンデンサの他端に接続された第２のコンデン
サと、 発光側の端子がオンオフ信号源に接続され、受光側の正
側端子が第２のコンデンサの一端に接続され、受光側の
負側端子が第２のコンデンサの他端に接続され、出力端
子がスイッチング素子のゲートに接続されたフォトカプ
ラと、 第１，第２の光ＭＯＳＦＥＴがオンしている間は第３，
第４の光ＭＯＳＦＥＴがオフし、第３，第４の光ＭＯＳ
ＦＥＴがオンしている間は第１，第２の光ＭＯＳＦＥＴ
がオフするように、各光ＭＯＳＦＥＴにオンオフを繰り
返し行わせるドライバとを有するゲートドライブ回路。1. A first light M connected to a positive electrode of a DC power supply.
OSFET, a second optical MOSFET connected to the negative electrode of the DC power supply, one end connected to the positive electrode of the DC power supply via the first optical MOSFET, and the other end connected to the DC power supply via the second optical MOSFET. A first capacitor connected to the negative electrode of the power source and a third optical MOSF connected to one end of the first capacitor
ET and a fourth optical MOSF connected to the other end of the first capacitor
ET, and a second capacitor having one end connected to one end of the first capacitor via the first optical MOSFET and the other end connected to the other end of the first capacitor via the second optical MOSFET. , The light emitting side terminal is connected to the ON / OFF signal source, the light receiving side positive side terminal is connected to one end of the second capacitor, the light receiving side negative side terminal is connected to the other end of the second capacitor, and the output terminal Is connected to the gate of the switching element, and while the first and second optical MOSFETs are turned on,
The fourth optical MOSFET is turned off, and the third and fourth optical MOS
While the FET is on, the first and second optical MOSFETs
And a driver for causing each optical MOSFET to be repeatedly turned on and off so that the light is turned off.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304012A JPH06152363A (en) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | Gate driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304012A JPH06152363A (en) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | Gate driving circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152363A true JPH06152363A (en) | 1994-05-31 |
Family
ID=17928006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4304012A Pending JPH06152363A (en) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | Gate driving circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152363A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660329B2 (en) | 2001-09-05 | 2003-12-09 | Kennametal Inc. | Method for making diamond coated cutting tool |
| WO2006021842A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Gpe International Limited | Battery chargers |
| JP2011146776A (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Denso Corp | Electronic circuit system |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4304012A patent/JPH06152363A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660329B2 (en) | 2001-09-05 | 2003-12-09 | Kennametal Inc. | Method for making diamond coated cutting tool |
| WO2006021842A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Gpe International Limited | Battery chargers |
| JP2011146776A (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Denso Corp | Electronic circuit system |
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