JPH0614633B2 - レ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド駆動回路Info
- Publication number
- JPH0614633B2 JPH0614633B2 JP60172424A JP17242485A JPH0614633B2 JP H0614633 B2 JPH0614633 B2 JP H0614633B2 JP 60172424 A JP60172424 A JP 60172424A JP 17242485 A JP17242485 A JP 17242485A JP H0614633 B2 JPH0614633 B2 JP H0614633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- fet
- drive circuit
- laser diode
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，伝送パルス形式として零復帰（Return to Ze
ro，以下ＲＺと略称する）信号を用いるＰＣＭ光通信装
置の光送信器におけるレーザダイオード（以下，ＬＤと
略称する）駆動回路に関する。
ro，以下ＲＺと略称する）信号を用いるＰＣＭ光通信装
置の光送信器におけるレーザダイオード（以下，ＬＤと
略称する）駆動回路に関する。
この種の回路の一例を第４図に示す。第４図において，
ＬＤ１をＲＺ信号で点灯と消灯を行なわせるためには，
端子Ｔａに非零復帰（Non Return to Zero，以下ＮＲＺ
と略称する）信号ａが，端子Ｔｂには端子Ｔａに入力さ
れた信号と逆極性のＮＲＺ信号ｂがそれぞれ入力され，
さらに端子Ｔｃにはクロック信号ｃが入力される回路構
成が代表的である。Ｔｄは負電圧電源端子である。
ＬＤ１をＲＺ信号で点灯と消灯を行なわせるためには，
端子Ｔａに非零復帰（Non Return to Zero，以下ＮＲＺ
と略称する）信号ａが，端子Ｔｂには端子Ｔａに入力さ
れた信号と逆極性のＮＲＺ信号ｂがそれぞれ入力され，
さらに端子Ｔｃにはクロック信号ｃが入力される回路構
成が代表的である。Ｔｄは負電圧電源端子である。
第５図は信号ａ，ｂ，ｃの波形を示し，信号ｆはＬＤ駆
動ＲＺパルス波形を示す。
動ＲＺパルス波形を示す。
トランジスタ２のコレクタ電流は端子Ｔａの電位が端子
Ｔｂの電位よりも高くなりかつトランジスタ７のベース
電位が高い時のみ流れる。つまり，トランジスタ２のベ
ース電位とトランジスタ７のベース電位の論理積が正論
理で真のときのみコレクタ電流が流れ，信号ｆに示すよ
うなＲＺパルス電流波形を得ることができる。
Ｔｂの電位よりも高くなりかつトランジスタ７のベース
電位が高い時のみ流れる。つまり，トランジスタ２のベ
ース電位とトランジスタ７のベース電位の論理積が正論
理で真のときのみコレクタ電流が流れ，信号ｆに示すよ
うなＲＺパルス電流波形を得ることができる。
第４図に示すような従来のＲＺパルス光出力型ＬＤ駆動
回路において，立上り，立下りの時間の短い良好なパル
スでかつ大振幅のＲＺパルス電流をえるためには，電流
制御用トランジスタ７を高速でかつ効率良く制御するこ
とが必要である。このためには大振幅でかつ十分に波形
整形したクロック信号ｃをトランジスタ７のベースに入
力し，しかも高速で動作するトランジスタを使用しなけ
ればならないという欠点がある。
回路において，立上り，立下りの時間の短い良好なパル
スでかつ大振幅のＲＺパルス電流をえるためには，電流
制御用トランジスタ７を高速でかつ効率良く制御するこ
とが必要である。このためには大振幅でかつ十分に波形
整形したクロック信号ｃをトランジスタ７のベースに入
力し，しかも高速で動作するトランジスタを使用しなけ
ればならないという欠点がある。
本発明はこのような欠点を解消したＬＤ駆動回路を提供
しようとするものである。
しようとするものである。
本発明によるＬＤ駆動回路は，クロック信号を同相と逆
相に分配する差動トランジスタ対を有し，ＬＤ駆動電流
を制御するトランジスタのベースに前記差動トランジス
タ対の同相出力を，コレクタに逆相出力をそれぞれコン
デンサと抵抗のうち少なくともコンデンサを介して接続
することにより構成される。なお，前記電流制御用トラ
ンジスタはＦＥＴに置き換えて構成されても良い。
相に分配する差動トランジスタ対を有し，ＬＤ駆動電流
を制御するトランジスタのベースに前記差動トランジス
タ対の同相出力を，コレクタに逆相出力をそれぞれコン
デンサと抵抗のうち少なくともコンデンサを介して接続
することにより構成される。なお，前記電流制御用トラ
ンジスタはＦＥＴに置き換えて構成されても良い。
次に，本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。トラン
ジスタ２と３は差動トランジスタ対で，トランジスタ２
の端子ＴａにはＮＲＺ信号ａが，トランジスタ３の端子
Ｔｂには端子Ｔａとは逆極性のＮＲＺ信号ｂが入力さ
れ，さらに端子Ｔｃにはクロック信号ｃが入力されてい
る。クロック信号ｃを同相と逆相に分配する回路として
トランジスタ１１，１２の差動トランジスタ対を使用し
ている。同相と逆相に分配されたクロック信号c1,c2は
それぞれ電流制御用トランジスタ７のベースとコレクタ
にコンデンサ１０と抵抗器８，コンデンサ９を介して入
力されている。第２図に各部波形を示す。c1はトランジ
スタ７のベース信号波形，c2はトランジスタ２のエミッ
タに入力される信号波形，ｆはＬＤ駆動ＲＺパルス電流
波形である。トランジスタ２のベース電位とトランジス
タ７のベース電位の論理積によりコレクタ電流が流れＲ
Ｚ信号ｆを作りだしている。
ジスタ２と３は差動トランジスタ対で，トランジスタ２
の端子ＴａにはＮＲＺ信号ａが，トランジスタ３の端子
Ｔｂには端子Ｔａとは逆極性のＮＲＺ信号ｂが入力さ
れ，さらに端子Ｔｃにはクロック信号ｃが入力されてい
る。クロック信号ｃを同相と逆相に分配する回路として
トランジスタ１１，１２の差動トランジスタ対を使用し
ている。同相と逆相に分配されたクロック信号c1,c2は
それぞれ電流制御用トランジスタ７のベースとコレクタ
にコンデンサ１０と抵抗器８，コンデンサ９を介して入
力されている。第２図に各部波形を示す。c1はトランジ
スタ７のベース信号波形，c2はトランジスタ２のエミッ
タに入力される信号波形，ｆはＬＤ駆動ＲＺパルス電流
波形である。トランジスタ２のベース電位とトランジス
タ７のベース電位の論理積によりコレクタ電流が流れＲ
Ｚ信号ｆを作りだしている。
ここで，トランジスタ２のベース電位が高電位入力（以
下，「Ｈ」と略す）でトランジスタ２はオン，かつトラ
ンジスタ７のベース電位が低電位入力（以下，「Ｌ」と
略す）でトランジスタ７がＯＦＦになる時，クロック信
号の逆相成分c2がトランジスタ２，トランジスタ３のエ
ミッタに接続されているため，トランジスタ２のエミッ
タ電位を上げトランジスタ２に流れていた大電流のパル
ス電流をおさえる効果がトランジスタ７のスイッチング
動作に付加される。さらに，トランジスタ２のベース電
位が「Ｈ」でトランジスタ２はオン，かつトランジスタ
７のベース電位も「Ｈ」でトランジスタ７もオンしよう
とする時，同様にクロック信号の逆相成分c2はトランジ
スタ２のエミッタ電位を下げようとし，かつトランジス
タ７がオン動作を開始するため大電流のパルス電流を流
そうとする効果がある。つまり，大電流の高速ＲＺパル
ス電流をトランジスタ７のベース電位とトランジスタ２
のエミッタ電位で制御しているため，第５図のクロック
信号波形と比較して明らかなように，クロック信号を増
幅しないで２倍の振幅のクロック信号がトランジスタ７
のベース電位に入力されたのとほぼ同等の効果がある。
なお，トランジスタ７のベースに接続されている抵抗器
８は省略しても良いし，トランジスタ７のコレクタとコ
ンデンサ９との間に抵抗器を接続しても良い。
下，「Ｈ」と略す）でトランジスタ２はオン，かつトラ
ンジスタ７のベース電位が低電位入力（以下，「Ｌ」と
略す）でトランジスタ７がＯＦＦになる時，クロック信
号の逆相成分c2がトランジスタ２，トランジスタ３のエ
ミッタに接続されているため，トランジスタ２のエミッ
タ電位を上げトランジスタ２に流れていた大電流のパル
ス電流をおさえる効果がトランジスタ７のスイッチング
動作に付加される。さらに，トランジスタ２のベース電
位が「Ｈ」でトランジスタ２はオン，かつトランジスタ
７のベース電位も「Ｈ」でトランジスタ７もオンしよう
とする時，同様にクロック信号の逆相成分c2はトランジ
スタ２のエミッタ電位を下げようとし，かつトランジス
タ７がオン動作を開始するため大電流のパルス電流を流
そうとする効果がある。つまり，大電流の高速ＲＺパル
ス電流をトランジスタ７のベース電位とトランジスタ２
のエミッタ電位で制御しているため，第５図のクロック
信号波形と比較して明らかなように，クロック信号を増
幅しないで２倍の振幅のクロック信号がトランジスタ７
のベース電位に入力されたのとほぼ同等の効果がある。
なお，トランジスタ７のベースに接続されている抵抗器
８は省略しても良いし，トランジスタ７のコレクタとコ
ンデンサ９との間に抵抗器を接続しても良い。
第３図は本発明の第２の実施例を示し，第１図の電流制
御用トランジスタ７をＦＥＴ１５で置き換えたものであ
る。すなわち，トランジスタ７のコレクタをＦＥＴ１５
のドレインに，エミッタをＦＥＴ１５のソースに，ベー
スをＦＥＴ１５のゲートにそれぞれ置き換えて構成して
いる。
御用トランジスタ７をＦＥＴ１５で置き換えたものであ
る。すなわち，トランジスタ７のコレクタをＦＥＴ１５
のドレインに，エミッタをＦＥＴ１５のソースに，ベー
スをＦＥＴ１５のゲートにそれぞれ置き換えて構成して
いる。
このように，第１図のトランジスタ７をＦＥＴ１５に置
き換えたことにより入力インピーダンスが高く電圧のみ
でドレイン電流を制御できる。また，電流担体が多数キ
ャリアであるので少数キャリアの蓄積時間がないため高
速で動作する。更に，ドレイン電流の温度特性は負の温
度係数をもつため熱暴走のおそれがないなどの利点があ
る。特に，GaAs ＭＥＳ型ＦＥＴの場合，Ｓｉ ＦＥＴ
に比べてもチャンネル内の電子移動度が極めて速いた
め，上記特徴に加えて超高速のパネル電流を得ることが
できる。
き換えたことにより入力インピーダンスが高く電圧のみ
でドレイン電流を制御できる。また，電流担体が多数キ
ャリアであるので少数キャリアの蓄積時間がないため高
速で動作する。更に，ドレイン電流の温度特性は負の温
度係数をもつため熱暴走のおそれがないなどの利点があ
る。特に，GaAs ＭＥＳ型ＦＥＴの場合，Ｓｉ ＦＥＴ
に比べてもチャンネル内の電子移動度が極めて速いた
め，上記特徴に加えて超高速のパネル電流を得ることが
できる。
以上説明したように，本発明はクロック信号の同相と逆
相成分をそれぞれＬＤ駆動回路の電流制御素子のベース
（ゲート）とコレクタ（ドレイン）にコンデンサと抵抗
あるいはコンデンサを介して接続することにより，ほぼ
２倍の振幅のクロック成分が電流制御素子のベース（ゲ
ート）に入力されたことと同等になり，電流制御素子の
スイッチング動作を助長するため立上り，立下りの短い
大電流のＲＺパルス電流を供給可能なＬＤ駆動回路を提
供することができる。
相成分をそれぞれＬＤ駆動回路の電流制御素子のベース
（ゲート）とコレクタ（ドレイン）にコンデンサと抵抗
あるいはコンデンサを介して接続することにより，ほぼ
２倍の振幅のクロック成分が電流制御素子のベース（ゲ
ート）に入力されたことと同等になり，電流制御素子の
スイッチング動作を助長するため立上り，立下りの短い
大電流のＲＺパルス電流を供給可能なＬＤ駆動回路を提
供することができる。
第１図は本発明によるＬＤ駆動回路の一実施例を示し，
第２図は第１図の回路の動作を説明するための波形図，
第３図はＦＥＴを使用した本発明の第２の実施例を示す
回路図，第４図は従来のＬＤ駆動回路図，第５図は従来
のＬＤ駆動回路の動作を説明するための波形図である。 図において， １：レーザダイオード，Ｔａ：ＮＲＺ信号入力端子，Ｔ
ｂ：逆極性のＮＲＺ信号入力端子，Ｔｃ：クロック信号
入力端子，Ｔｄ：負電圧電源端子。
第２図は第１図の回路の動作を説明するための波形図，
第３図はＦＥＴを使用した本発明の第２の実施例を示す
回路図，第４図は従来のＬＤ駆動回路図，第５図は従来
のＬＤ駆動回路の動作を説明するための波形図である。 図において， １：レーザダイオード，Ｔａ：ＮＲＺ信号入力端子，Ｔ
ｂ：逆極性のＮＲＺ信号入力端子，Ｔｃ：クロック信号
入力端子，Ｔｄ：負電圧電源端子。
Claims (2)
- 【請求項１】ディジタル光信号発生用零復帰光出力型レ
ーザダイオード駆動回路の零復帰信号発生部において，
クロック信号を同相と逆相に分配する回路を有し，パル
ス電流制御用のトランジスタのベースに前記クロック信
号の同相出力を，コレクタに逆相出力をそれぞれ，コン
デンサと抵抗のうち少なくともコンデンサを介して接続
したことを特徴とするレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載のレーザダイオ
ード駆動回路において，前記パルス電流制御用トランジ
スタのコレクタを電界効果型トランジスタ（以下，ＦＥ
Ｔと略称する）のドレインに，エミッタを該ＦＥＴのソ
ースに，ベースを該ＦＥＴのゲートにそれぞれ置き換え
て構成したことを特徴とするレーザダイオード駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172424A JPH0614633B2 (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172424A JPH0614633B2 (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234428A JPS6234428A (ja) | 1987-02-14 |
| JPH0614633B2 true JPH0614633B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15941712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172424A Expired - Lifetime JPH0614633B2 (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614633B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8556176B2 (en) * | 2011-09-26 | 2013-10-15 | Metrologic Instruments, Inc. | Method of and apparatus for managing and redeeming bar-coded coupons displayed from the light emitting display surfaces of information display devices |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP60172424A patent/JPH0614633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234428A (ja) | 1987-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5140175A (en) | Light-emitting diode drive circuit with fast rise time and fall time | |
| CA1229655A (en) | Led driver circuit | |
| JP2735042B2 (ja) | 電圧制御型レーザダイオード駆動回路 | |
| US4539686A (en) | Laser driving means | |
| US4795916A (en) | Low power differential ECL line driver | |
| JPH0296936A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| US10642076B2 (en) | Drive circuit | |
| KR940012720A (ko) | 반도체 레이저 구동회로 | |
| US5398008A (en) | Circuit arrangement for amplitude-modulating the drive signal of a laser | |
| US6765942B2 (en) | Optoelectronic circuit and control circuit | |
| US4827223A (en) | Buffer amplifier | |
| JPH0614633B2 (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JP2962263B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US4928024A (en) | Referenceless ECL logic circuit | |
| JPH01166582A (ja) | レーザ駆動回路 | |
| TW200529524A (en) | Laser diode driving circuit | |
| JPH05110142A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| US20030006842A1 (en) | Split cascode driver | |
| JP2610307B2 (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JP3644003B2 (ja) | 光デバイスの駆動回路 | |
| JPS62257778A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JPH0370390B2 (ja) | ||
| JPS63285990A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| JP3788029B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH0149026B2 (ja) |