JPH06119824A - 金属メッキシールドエナメル線 - Google Patents
金属メッキシールドエナメル線Info
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- JPH06119824A JPH06119824A JP26610892A JP26610892A JPH06119824A JP H06119824 A JPH06119824 A JP H06119824A JP 26610892 A JP26610892 A JP 26610892A JP 26610892 A JP26610892 A JP 26610892A JP H06119824 A JPH06119824 A JP H06119824A
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- metal
- wire
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- enamel wire
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 直径がほとんど増加せず可撓性がある金属メ
ッキシールドエナメル線を提供することにある。 【構成】 導体１の外周にエナメル層２を形成したエナ
メル線４の外周に金属メッキを施してシールド層３を形
成したことを特徴としている。
ッキシールドエナメル線を提供することにある。 【構成】 導体１の外周にエナメル層２を形成したエナ
メル線４の外周に金属メッキを施してシールド層３を形
成したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シールド線、特に紫外
線硬化型のエナメル線を金属メッキによりシールドした
シールド線に関する。
線硬化型のエナメル線を金属メッキによりシールドした
シールド線に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器内のアナログ回路やデジタル回
路の信号線の配線にはビニル線やエナメル線が使用され
ている。
路の信号線の配線にはビニル線やエナメル線が使用され
ている。
【０００３】ところで信号線同士が接近している場合に
は、信号線同士が電磁結合したり、静電結合したりする
ことによりクロストークが発生し、特にデジタル回路で
は機器が誤動作することがある。
は、信号線同士が電磁結合したり、静電結合したりする
ことによりクロストークが発生し、特にデジタル回路で
は機器が誤動作することがある。
【０００４】そこでこのクロストークの発生を防止する
ために信号線をシールド構造にすることが一般的に行わ
れている。
ために信号線をシールド構造にすることが一般的に行わ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、信号線
に使用される紫外線硬化型エナメル線をシールド構造に
するには、金属テープやプラスチック・金属の複合テー
プを巻き付けることが考えられるが、これらのテープの
巻付けによるシールドは、シールド線の可撓性が失われ
て配線が困難となるだけでなく、シールド線の直径が大
きくなり多数使用する場合には配線領域が占める体積が
増加して機器が大型化してしまう。
に使用される紫外線硬化型エナメル線をシールド構造に
するには、金属テープやプラスチック・金属の複合テー
プを巻き付けることが考えられるが、これらのテープの
巻付けによるシールドは、シールド線の可撓性が失われ
て配線が困難となるだけでなく、シールド線の直径が大
きくなり多数使用する場合には配線領域が占める体積が
増加して機器が大型化してしまう。
【０００６】また、一般にこのようなエナメル線には可
撓性が必要なため、被覆材料として用いられる紫外線硬
化樹脂の硬度が低く抑えられており、銅線編組を用いる
とエナメル線の被膜（エナメル層）に傷が付き機械的破
壊が生じることがある。
撓性が必要なため、被覆材料として用いられる紫外線硬
化樹脂の硬度が低く抑えられており、銅線編組を用いる
とエナメル線の被膜（エナメル層）に傷が付き機械的破
壊が生じることがある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、直径がほとんど増加せず可撓性がある金属メッキシ
ールドエナメル線を提供することにある。
し、直径がほとんど増加せず可撓性がある金属メッキシ
ールドエナメル線を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、導体の外周にエナメル層を形成したエナメ
ル線の外周に金属メッキを施してシールド層を形成した
ものである。
に本発明は、導体の外周にエナメル層を形成したエナメ
ル線の外周に金属メッキを施してシールド層を形成した
ものである。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、エナメル線の外周に金属メ
ッキにより形成されたシールド層の層厚が、エナメル線
の直径に比べて非常に薄くて均一のため可撓性が保た
れ、しかも直径の大きさがほとんど増加しない。
ッキにより形成されたシールド層の層厚が、エナメル線
の直径に比べて非常に薄くて均一のため可撓性が保た
れ、しかも直径の大きさがほとんど増加しない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１１】図１は本発明の金属メッキシールドエナメ
ル線の一実施例の断面図である。
ル線の一実施例の断面図である。
【００１２】同図において、１は導体であり、導体１の
外周には紫外線硬化樹脂組成物からなるエナメル層２が
形成され、エナメル層２の外周には金属メッキによるシ
ールド層３が形成されている。導体１とエナメル層２と
でエナメル線４を形成し、エナメル線４とシールド層３
とで金属メッキシールドエナメル線５を形成している。
外周には紫外線硬化樹脂組成物からなるエナメル層２が
形成され、エナメル層２の外周には金属メッキによるシ
ールド層３が形成されている。導体１とエナメル層２と
でエナメル線４を形成し、エナメル線４とシールド層３
とで金属メッキシールドエナメル線５を形成している。
【００１３】導体１には、銅、アルミニウム、鉄、白
金、銀等電気を通す金属材料や、それらの金属材料から
なる合金や、錫、銀、ニッケル等によりメッキが施され
たものが用いられる。
金、銀等電気を通す金属材料や、それらの金属材料から
なる合金や、錫、銀、ニッケル等によりメッキが施され
たものが用いられる。
【００１４】エナメル層２には、紫外線により硬化する
紫外線硬化樹脂組成物が用いられ、基本的には光重合性
オリゴマー、光重合性モノマー、光開始剤等からなって
いる。
紫外線硬化樹脂組成物が用いられ、基本的には光重合性
オリゴマー、光重合性モノマー、光開始剤等からなって
いる。
【００１５】光重合性オリゴマーとしてはエポキシアク
リレート系、エポキシ化油アクリレート系、ウレタンア
クリレート系、ポリエステルウレタンアクリレート系、
ポリエーテルウレタンアクリレート系、不飽和ポリエス
テル系、ポリエステルアクリレート系、ポリエーテルア
クリレート系、ビニル／アクリレート系、ポリエン／チ
オール系、シリコンアクリレート系、ポリブタジエンア
クリレート系、ポリスチルエチルメタクリレート系、ポ
リカーボネイトジアクリレート系等が挙げられる。
リレート系、エポキシ化油アクリレート系、ウレタンア
クリレート系、ポリエステルウレタンアクリレート系、
ポリエーテルウレタンアクリレート系、不飽和ポリエス
テル系、ポリエステルアクリレート系、ポリエーテルア
クリレート系、ビニル／アクリレート系、ポリエン／チ
オール系、シリコンアクリレート系、ポリブタジエンア
クリレート系、ポリスチルエチルメタクリレート系、ポ
リカーボネイトジアクリレート系等が挙げられる。
【００１６】また、光重合性オリゴマーはこれらのフッ
素化物でもよく、不飽和二重結合を有するアクリロイル
基（ＣＨ2 ＝ＣＨＣＯ−）やメタクリロイル基（ＣＨ2
＝Ｃ（ＣＨ3 ）ＣＯ−）、アリル基（ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ
2 −）、ビニル基（ＣＨ2 ＣＨ−）等の官能基を２個以
上有していればよい。さらにこれらの官能基を複数個組
み合わせて用いてもよい。
素化物でもよく、不飽和二重結合を有するアクリロイル
基（ＣＨ2 ＝ＣＨＣＯ−）やメタクリロイル基（ＣＨ2
＝Ｃ（ＣＨ3 ）ＣＯ−）、アリル基（ＣＨ2 ＝ＣＨＣＨ
2 −）、ビニル基（ＣＨ2 ＣＨ−）等の官能基を２個以
上有していればよい。さらにこれらの官能基を複数個組
み合わせて用いてもよい。
【００１７】光重合性モノマーとしてはアクリロイル基
またはメタクリロイル基を１分子当り１個または２個以
上有するものや、ビニル基等を有する公知の反応性希釈
剤等を用いることができる。例えば、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２
−エトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルメ
タクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−フ
ェノキシエチルメタクリレート、ポリエチエングリコー
ルメタクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリ
コールアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルア
クリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、ビニルアセテート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−
ビニルカプロラクタム、スチレン、エチレングリコール
ジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレ
ート、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリ
ス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート等がある。
またはメタクリロイル基を１分子当り１個または２個以
上有するものや、ビニル基等を有する公知の反応性希釈
剤等を用いることができる。例えば、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２
−エトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルメ
タクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−フ
ェノキシエチルメタクリレート、ポリエチエングリコー
ルメタクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリ
コールアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルア
クリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、ビニルアセテート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−
ビニルカプロラクタム、スチレン、エチレングリコール
ジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレ
ート、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリ
ス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート等がある。
【００１８】光開始剤は波長２５０〜４００μｍの紫外
線を吸収して電子的励起状態となり、ラジカルを発生し
て反応を開始させるものである。光開始剤には分子内結
合開裂型と分子間水素引き抜き型の２種類あるがいずれ
でもよく、またこれらを組み合わせてもよい。
線を吸収して電子的励起状態となり、ラジカルを発生し
て反応を開始させるものである。光開始剤には分子内結
合開裂型と分子間水素引き抜き型の２種類あるがいずれ
でもよく、またこれらを組み合わせてもよい。
【００１９】光開始剤としては、例えばジエトキシアセ
トフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン、２−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等
のアセトフェノン系化合物、ベンゾイン、ベンゾインイ
ソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール等のベン
ゾイン系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸
メチル、アクリル化ベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系化合物、チオキサンソン、２−イソプロピルチオキサ
ンソン等のチオキサンソン系化合物、２，４，６−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、ベン
ジル−９，１０−フェナンスレンキノン、ジベンゾスベ
ロン、２−エチルアンスラキノン等を用いることができ
る。また、これらの光開始剤を２種類以上組み合わせて
もよい。
トフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケ
トン、２−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等
のアセトフェノン系化合物、ベンゾイン、ベンゾインイ
ソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール等のベン
ゾイン系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸
メチル、アクリル化ベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系化合物、チオキサンソン、２−イソプロピルチオキサ
ンソン等のチオキサンソン系化合物、２，４，６−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、ベン
ジル−９，１０−フェナンスレンキノン、ジベンゾスベ
ロン、２−エチルアンスラキノン等を用いることができ
る。また、これらの光開始剤を２種類以上組み合わせて
もよい。
【００２０】樹脂組成物への光開始剤の添加量は、約
０．５重量％から１０重量％までの範囲が適当である。
これは、この光開始剤の重量％が１０重量％を超えて
も、効果は増大せず、かえって機械的特性の悪化を招く
ことがあるためである。
０．５重量％から１０重量％までの範囲が適当である。
これは、この光開始剤の重量％が１０重量％を超えて
も、効果は増大せず、かえって機械的特性の悪化を招く
ことがあるためである。
【００２１】シールド層３は無電解メッキ法によって形
成される。この無電解メッキ法は、溶液中の金属イオン
を化学薬品によって還元析出させる化学還元作用による
ものであり、溶液は次のものから構成される。
成される。この無電解メッキ法は、溶液中の金属イオン
を化学薬品によって還元析出させる化学還元作用による
ものであり、溶液は次のものから構成される。
【００２２】（１）金属塩・・・析出させる金属を含む
塩 （２）還元剤・・・金属イオンを金属として析出させる
ために電子を与える化学薬品 上記の（１）及び（２）のみでもｐＨや浴温等の条件が
整えば金属イオンは被メッキ物上に析出するが、メッキ
浴の寿命を長くしたり、還元剤の効率をよくする等の目
的に応じて補助成分を含んでもよい。
塩 （２）還元剤・・・金属イオンを金属として析出させる
ために電子を与える化学薬品 上記の（１）及び（２）のみでもｐＨや浴温等の条件が
整えば金属イオンは被メッキ物上に析出するが、メッキ
浴の寿命を長くしたり、還元剤の効率をよくする等の目
的に応じて補助成分を含んでもよい。
【００２３】補助成分としては（３）ｐＨ調整剤、
（４）ｐＨ緩衝剤、（５）錯化剤、（６）析出促進剤、
（７）メッキ被膜改良剤、（８）浴液安定剤等が一般的
に用いられている。
（４）ｐＨ緩衝剤、（５）錯化剤、（６）析出促進剤、
（７）メッキ被膜改良剤、（８）浴液安定剤等が一般的
に用いられている。
【００２４】メッキ厚さを増すため、無電解メッキをし
た後に電解メッキを行ってもよい。また、メッキ密着性
を高めるために、カーボンスパッタリング等の表面処理
を行ってもよい。
た後に電解メッキを行ってもよい。また、メッキ密着性
を高めるために、カーボンスパッタリング等の表面処理
を行ってもよい。
【００２５】図２は図１に示した金属メッキシールドエ
ナメル線に用いられるエナメル線を製造する紫外線硬化
エナメル線被覆装置の概念図である。
ナメル線に用いられるエナメル線を製造する紫外線硬化
エナメル線被覆装置の概念図である。
【００２６】同図において、ロールに巻き取られた導体
１を矢印方向に送り出す送出機６と、送出機６の送出部
に設けられロール７を介して送出機６から送り出された
導体１に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布槽８と、塗布槽
８の下側に設けられ紫外線硬化樹脂が塗布された導体１
ａに紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させてエナ
メル層２（図１）を形成してエナメル線４とする紫外線
照射部９と、紫外線照射部９の排出側に配置されエナメ
ル線４をロールに巻き取る巻取機１０とで構成されてい
る。
１を矢印方向に送り出す送出機６と、送出機６の送出部
に設けられロール７を介して送出機６から送り出された
導体１に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布槽８と、塗布槽
８の下側に設けられ紫外線硬化樹脂が塗布された導体１
ａに紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂を硬化させてエナ
メル層２（図１）を形成してエナメル線４とする紫外線
照射部９と、紫外線照射部９の排出側に配置されエナメ
ル線４をロールに巻き取る巻取機１０とで構成されてい
る。
【００２７】ここにおいて紫外線照射部９には不活性ガ
スが還流されて不活性雰囲気となっている。なお、不活
性ガスとしては窒素ガス，炭酸ガス，アルゴンガス等が
用いられる。
スが還流されて不活性雰囲気となっている。なお、不活
性ガスとしては窒素ガス，炭酸ガス，アルゴンガス等が
用いられる。
【００２８】この装置によって製造されたエナメル線４
に図示しない無電解装置により無電解メッキを施すこと
により傷を付けることなく金属メッキシールドエナメル
線５（図１）を製造することができる。
に図示しない無電解装置により無電解メッキを施すこと
により傷を付けることなく金属メッキシールドエナメル
線５（図１）を製造することができる。
【００２９】次に実施例の作用を述べる。
【００３０】エナメル線４の外周に金属メッキによりシ
ールド層３を施すことにより、シールド層３の層厚をエ
ナメル線４の直径に比べて非常に薄くて均一にすること
ができ、このため可撓性が保たれたまま金属メッキシー
ルドエナメル線５の直径の大きさがほとんどエナメル線
４の直径に等しくなる。
ールド層３を施すことにより、シールド層３の層厚をエ
ナメル線４の直径に比べて非常に薄くて均一にすること
ができ、このため可撓性が保たれたまま金属メッキシー
ルドエナメル線５の直径の大きさがほとんどエナメル線
４の直径に等しくなる。
【００３１】また、エナメル層２に耐アルカリ性に優れ
る紫外線硬化樹脂を用いることにより、エナメル層２の
外周に無電解メッキを容易に行うことができる。
る紫外線硬化樹脂を用いることにより、エナメル層２の
外周に無電解メッキを容易に行うことができる。
【００３２】（具体例）ポリブタジエンアクリレート
（ＴＥＡＩ−３０００、日本曹達社製）１００重量部、
イソボルニルアクリレート（ＩＢＡ、第一工業製薬社
製）５０重量部及びベンジルジメチルケタール（ＢＤ
Ｋ、第一工業製薬社製）３重量部からなる紫外線硬化樹
脂組成物を図２に示した装置により線速約１００ｍ／分
で直径約０．０８ｍｍの素線（軟銅線）に被覆し被覆厚
約２５μｍのエナメル線を得ることができた。このエナ
メル線をｐＨ約１．０、浴温約６０℃中で約３時間メッ
キ浴してメッキ厚約５μｍのシールド線を得ることがで
きた。
（ＴＥＡＩ−３０００、日本曹達社製）１００重量部、
イソボルニルアクリレート（ＩＢＡ、第一工業製薬社
製）５０重量部及びベンジルジメチルケタール（ＢＤ
Ｋ、第一工業製薬社製）３重量部からなる紫外線硬化樹
脂組成物を図２に示した装置により線速約１００ｍ／分
で直径約０．０８ｍｍの素線（軟銅線）に被覆し被覆厚
約２５μｍのエナメル線を得ることができた。このエナ
メル線をｐＨ約１．０、浴温約６０℃中で約３時間メッ
キ浴してメッキ厚約５μｍのシールド線を得ることがで
きた。
【００３３】（比較例）実施例と同様の工程で得られた
エナメル線を軟銅線により編組を施してシールド線を形
成した。
エナメル線を軟銅線により編組を施してシールド線を形
成した。
【００３４】比較例では工程が複雑となりエナメル層に
傷が生じたり、編組が不均一になる等の問題が生じた
が、具体例では本願が目的とする可撓性がある細いシー
ルド線を容易に得ることができた。
傷が生じたり、編組が不均一になる等の問題が生じた
が、具体例では本願が目的とする可撓性がある細いシー
ルド線を容易に得ることができた。
【００３５】以上本実施例においては、導体の外周にエ
ナメル層を形成したエナメル線の外周に金属メッキを施
してシールド層を形成したので、直径がほとんど増加せ
ず可撓性のある金属メッキシールドエナメル線を得るこ
とができる。
ナメル層を形成したエナメル線の外周に金属メッキを施
してシールド層を形成したので、直径がほとんど増加せ
ず可撓性のある金属メッキシールドエナメル線を得るこ
とができる。
【００３６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３７】(1) 直径がほとんど増加せず可撓性がある
金属メッキシールドエナメル線を得ることができる。
金属メッキシールドエナメル線を得ることができる。
【００３８】(2) 製造工程においてエナメル線に傷を付
けることがない。
けることがない。
【図１】本発明の金属メッキシールドエナメル線の一実
施例の断面図である。
施例の断面図である。
【図２】図１に示した金属メッキシールドエナメル線に
用いられるエナメル線を製造する紫外線硬化エナメル線
被覆装置の概念図である。
用いられるエナメル線を製造する紫外線硬化エナメル線
被覆装置の概念図である。
１ 導 体 ２ エナメル層 ３ シールド層 ４ エナメル線 ５ 金属メッキシールドエナメル線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高畑 紀雄 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 (72)発明者 菊池 英行 茨城県日立市川尻町４丁目10番１号 日立 電線株式会社豊浦工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 導体の外周にエナメル層を形成したエナ
メル線の外周に金属メッキを施してシールド層を形成し
たことを特徴とする金属メッキシールドエナメル線。 - 【請求項２】 前記エナメル層が、紫外線硬化樹脂組成
物からなることを特徴とする請求項１に記載の金属メッ
キシールドエナメル線。 - 【請求項３】 前記シールド層が、無電解メッキ浴によ
り形成されることを特徴とする請求項１に記載の金属メ
ッキシールドエナメル線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26610892A JPH06119824A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 金属メッキシールドエナメル線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26610892A JPH06119824A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 金属メッキシールドエナメル線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119824A true JPH06119824A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17426433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26610892A Pending JPH06119824A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 金属メッキシールドエナメル線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002078015A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Parallel two-core shielding wire and method for producing the same |
| WO2021210363A1 (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ワイヤハーネス |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26610892A patent/JPH06119824A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002078015A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Parallel two-core shielding wire and method for producing the same |
| WO2021210363A1 (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-21 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ワイヤハーネス |
| JP2021170460A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ワイヤハーネス |
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