JPH06104691A - 電荷結合素子遅延装置 - Google Patents
電荷結合素子遅延装置Info
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- JPH06104691A JPH06104691A JP4253190A JP25319092A JPH06104691A JP H06104691 A JPH06104691 A JP H06104691A JP 4253190 A JP4253190 A JP 4253190A JP 25319092 A JP25319092 A JP 25319092A JP H06104691 A JPH06104691 A JP H06104691A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】
【目的】製造プロセスや使用環境条件の変動に影響され
ずに、常に一定の出力信号振幅が無調整で得られるＣＣ
Ｄ遅延装置。 【構成】ビデオ信号が入力するＣＣＤ遅延装置部２と、
このＣＣＤ遅延装置部２と同一半導体チップ上に形成さ
れ、上記ＣＣＤ遅延装置部２から出力されたビデオ信号
の水平同期信号振幅を検出し、この検出振幅を基準振幅
と比較して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レ
ベルを前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲートに印
加するビデオ出力信号振幅一定化手段５とを具備するこ
とを特徴とする。
ずに、常に一定の出力信号振幅が無調整で得られるＣＣ
Ｄ遅延装置。 【構成】ビデオ信号が入力するＣＣＤ遅延装置部２と、
このＣＣＤ遅延装置部２と同一半導体チップ上に形成さ
れ、上記ＣＣＤ遅延装置部２から出力されたビデオ信号
の水平同期信号振幅を検出し、この検出振幅を基準振幅
と比較して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レ
ベルを前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲートに印
加するビデオ出力信号振幅一定化手段５とを具備するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばテレビジョン受
像機やビデオテープレコーダなどにおけるビデオ信号処
理に使用される遅延装置に係り、特に遅延素子として電
荷結合素子（Charge Coupled Device ；ＣＣＤ）を用い
たＣＣＤ遅延装置に関する。
像機やビデオテープレコーダなどにおけるビデオ信号処
理に使用される遅延装置に係り、特に遅延素子として電
荷結合素子（Charge Coupled Device ；ＣＣＤ）を用い
たＣＣＤ遅延装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビデオ信号を遅延させるための集積回路
化されたＣＣＤ遅延装置は、従来、製造プロセスの変動
により個々の製品毎に特性が異なっている。そこで、Ｃ
ＣＤ遅延装置の出力信号振幅を一定にするために、図５
あるいは図６に示すように、ＣＣＤ遅延装置５０の入力
側あるいは出力側に、個別部品である可変抵抗器ＶＲを
接続し、入力信号あるいは出力信号の振幅を調整する必
要があった。
化されたＣＣＤ遅延装置は、従来、製造プロセスの変動
により個々の製品毎に特性が異なっている。そこで、Ｃ
ＣＤ遅延装置の出力信号振幅を一定にするために、図５
あるいは図６に示すように、ＣＣＤ遅延装置５０の入力
側あるいは出力側に、個別部品である可変抵抗器ＶＲを
接続し、入力信号あるいは出力信号の振幅を調整する必
要があった。
【０００３】しかし、可変抵抗器ＶＲにより信号振幅を
一度調整した後でも、使用環境条件（例えば周囲温度、
電源電圧）の変動によってＣＣＤ遅延装置自体の特性が
変化し、調整誤差が発生する。
一度調整した後でも、使用環境条件（例えば周囲温度、
電源電圧）の変動によってＣＣＤ遅延装置自体の特性が
変化し、調整誤差が発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＣＣＤ遅延装置は、製造プロセスの変動により個々の製
品毎に特性が異なっており、その出力信号振幅を一定に
するために、その入力側あるいは出力側に個別部品であ
る可変抵抗器を接続し、入力信号あるいは出力信号の振
幅を調整する必要があったが、可変抵抗器により信号振
幅を一度調整した後でも、使用環境条件の変動によって
ＣＣＤ遅延装置自体の特性が変化し、調整誤差が発生す
るという問題がある。
ＣＣＤ遅延装置は、製造プロセスの変動により個々の製
品毎に特性が異なっており、その出力信号振幅を一定に
するために、その入力側あるいは出力側に個別部品であ
る可変抵抗器を接続し、入力信号あるいは出力信号の振
幅を調整する必要があったが、可変抵抗器により信号振
幅を一度調整した後でも、使用環境条件の変動によって
ＣＣＤ遅延装置自体の特性が変化し、調整誤差が発生す
るという問題がある。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決すべくなされ
たもので、その目的は、製造プロセスや使用環境条件の
変動に影響されずに、常に一定の出力信号振幅が無調整
で得られるＣＣＤ遅延装置を提供することにある。
たもので、その目的は、製造プロセスや使用環境条件の
変動に影響されずに、常に一定の出力信号振幅が無調整
で得られるＣＣＤ遅延装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電荷結合素子遅
延装置は、ビデオ信号が入力するＣＣＤ遅延装置部と、
このＣＣＤ遅延装置部と同一半導体チップ上に形成さ
れ、上記ＣＣＤ遅延装置部から出力されたビデオ信号の
水平同期信号振幅を検出し、この検出振幅を基準振幅と
比較して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベ
ルを前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲートに印加
するビデオ出力信号振幅一定化手段とを具備することを
特徴とする。
延装置は、ビデオ信号が入力するＣＣＤ遅延装置部と、
このＣＣＤ遅延装置部と同一半導体チップ上に形成さ
れ、上記ＣＣＤ遅延装置部から出力されたビデオ信号の
水平同期信号振幅を検出し、この検出振幅を基準振幅と
比較して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベ
ルを前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲートに印加
するビデオ出力信号振幅一定化手段とを具備することを
特徴とする。
【０００７】
【作用】ビデオ出力信号振幅一定化手段による帰還制御
により、ＣＣＤ遅延装置部の入出力利得が制御されてそ
のビデオ出力信号振幅が一定化される。従って、ＣＣＤ
遅延装置の製造プロセスや使用環境条件の変動に影響さ
れずに、常に一定のビデオ出力信号振幅が無調整で得ら
れるようになる。
により、ＣＣＤ遅延装置部の入出力利得が制御されてそ
のビデオ出力信号振幅が一定化される。従って、ＣＣＤ
遅延装置の製造プロセスや使用環境条件の変動に影響さ
れずに、常に一定のビデオ出力信号振幅が無調整で得ら
れるようになる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００９】図１は、集積回路化されたＣＣＤ遅延装置
を示しており、１は外部からビデオ信号を入力するため
のビデオ信号入力端子、２は上記ビデオ信号入力端子１
からのビデオ信号入力を遅延させるＣＣＤ遅延装置部、
３は上記ＣＣＤ遅延装置部２から出力されたビデオ信号
を増幅する増幅器、４は上記増幅器３の出力信号を外部
に出力するためのビデオ信号出力端子、５は上記増幅器
３の出力信号（ビデオ信号）の水平同期信号振幅を検出
し、この検出振幅を基準振幅と比較して誤差を検出し、
この検出誤差に応じた電圧レベルを前記ＣＣＤ遅延装置
部２の信号入力部の入力電荷制御ゲート電極（後述す
る）に印加するビデオ出力信号振幅一定化手段、６はこ
のビデオ出力信号振幅一定化手段５で必要とするサンプ
リングパルスを外部から入力するためのサンプリングパ
ルス入力端子である。
を示しており、１は外部からビデオ信号を入力するため
のビデオ信号入力端子、２は上記ビデオ信号入力端子１
からのビデオ信号入力を遅延させるＣＣＤ遅延装置部、
３は上記ＣＣＤ遅延装置部２から出力されたビデオ信号
を増幅する増幅器、４は上記増幅器３の出力信号を外部
に出力するためのビデオ信号出力端子、５は上記増幅器
３の出力信号（ビデオ信号）の水平同期信号振幅を検出
し、この検出振幅を基準振幅と比較して誤差を検出し、
この検出誤差に応じた電圧レベルを前記ＣＣＤ遅延装置
部２の信号入力部の入力電荷制御ゲート電極（後述す
る）に印加するビデオ出力信号振幅一定化手段、６はこ
のビデオ出力信号振幅一定化手段５で必要とするサンプ
リングパルスを外部から入力するためのサンプリングパ
ルス入力端子である。
【００１０】上記ＣＣＤ遅延装置部２は、ビデオ信号入
力に応じた電荷量に変換する信号入力部２１と、この信
号入力部２１の電荷を転送する電荷転送部２２と、この
電荷転送部２２により転送された電荷を信号に再変換し
て出力する信号出力部２３とを有する。
力に応じた電荷量に変換する信号入力部２１と、この信
号入力部２１の電荷を転送する電荷転送部２２と、この
電荷転送部２２により転送された電荷を信号に再変換し
て出力する信号出力部２３とを有する。
【００１１】図２は、図１中のＣＣＤ遅延装置部２の一
部の構造を簡略的に示しており、例えば、信号入力部に
フィル・アンド・スピル方式を採用し、信号転送部およ
び信号出力部に埋め込みチャネルＣＣＤ方式を採用して
いる。ここで、２４は半導体基板２０の表面に形成され
た電荷注入用井戸を形成するための高濃度不純物拡散領
域、２５〜２９は半導体基板上にゲート絶縁膜（図示せ
ず）を介して電荷転送方向に向かって順次形成されてい
る基準電極、アナログ信号入力電極、電荷計量電極（入
力電荷制御ゲート電極）、リセット電極、転送電極であ
る。上記高濃度不純物拡散領域２４には直流バイアス
（例えば接地電位）と共に電荷注入用パルス信号が与え
られ、基準電極２５には直流電位Ｖｘ（例えばＶcc電源
電位）が与えられ、アナログ信号入力電極２６にはビデ
オ信号入力が与えられ、電荷計量電極２７には制御電圧
が与えられ、リセット電極２８にはリセット時にリセッ
トパルスが与えられ、転送電極２９には転送クロックパ
ルスが与えられる。
部の構造を簡略的に示しており、例えば、信号入力部に
フィル・アンド・スピル方式を採用し、信号転送部およ
び信号出力部に埋め込みチャネルＣＣＤ方式を採用して
いる。ここで、２４は半導体基板２０の表面に形成され
た電荷注入用井戸を形成するための高濃度不純物拡散領
域、２５〜２９は半導体基板上にゲート絶縁膜（図示せ
ず）を介して電荷転送方向に向かって順次形成されてい
る基準電極、アナログ信号入力電極、電荷計量電極（入
力電荷制御ゲート電極）、リセット電極、転送電極であ
る。上記高濃度不純物拡散領域２４には直流バイアス
（例えば接地電位）と共に電荷注入用パルス信号が与え
られ、基準電極２５には直流電位Ｖｘ（例えばＶcc電源
電位）が与えられ、アナログ信号入力電極２６にはビデ
オ信号入力が与えられ、電荷計量電極２７には制御電圧
が与えられ、リセット電極２８にはリセット時にリセッ
トパルスが与えられ、転送電極２９には転送クロックパ
ルスが与えられる。
【００１２】次に、上記ビデオ出力信号振幅一定化手段
５の一具体例について、図３に示す波形図を参照しなが
ら説明する。上記ビデオ出力信号振幅一定化手段５は、
基準電圧Ｖ１およびＶ２（Ｖ１＜Ｖ２であり、Ｖ２−Ｖ
１は所望の水平同期信号振幅に対応する。）を発生する
基準電圧発生回路３１と、前記増幅器３の出力信号（ビ
デオ信号）が入力し、その水平同期信号の先端レベルを
上記基準電圧Ｖ１にクランプするクランプ回路３２と、
このクランプ回路３２の出力信号（ビデオ信号）のペデ
スタル部分をサンプリングパルス入力のタイミングで通
過させるゲート回路３３と、このゲート回路３３の出力
電圧（ペデスタルレベルＶ３、つまり、基準電圧Ｖ１を
基準とした水平同期信号振幅の検出値）を前記基準電圧
Ｖ２（基準電圧Ｖ１を基準とした基準振幅、つまり、所
望の水平同期信号振幅）と比較して誤差（Ｖ３−Ｖ２）
を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベルを前記ＣＣ
Ｄ遅延装置部２の信号入力部２１の入力電荷制御ゲート
電極２７に印加する誤差増幅器３４とからなる。
５の一具体例について、図３に示す波形図を参照しなが
ら説明する。上記ビデオ出力信号振幅一定化手段５は、
基準電圧Ｖ１およびＶ２（Ｖ１＜Ｖ２であり、Ｖ２−Ｖ
１は所望の水平同期信号振幅に対応する。）を発生する
基準電圧発生回路３１と、前記増幅器３の出力信号（ビ
デオ信号）が入力し、その水平同期信号の先端レベルを
上記基準電圧Ｖ１にクランプするクランプ回路３２と、
このクランプ回路３２の出力信号（ビデオ信号）のペデ
スタル部分をサンプリングパルス入力のタイミングで通
過させるゲート回路３３と、このゲート回路３３の出力
電圧（ペデスタルレベルＶ３、つまり、基準電圧Ｖ１を
基準とした水平同期信号振幅の検出値）を前記基準電圧
Ｖ２（基準電圧Ｖ１を基準とした基準振幅、つまり、所
望の水平同期信号振幅）と比較して誤差（Ｖ３−Ｖ２）
を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベルを前記ＣＣ
Ｄ遅延装置部２の信号入力部２１の入力電荷制御ゲート
電極２７に印加する誤差増幅器３４とからなる。
【００１３】なお、上記基準電圧発生回路３１は、例え
ば図４に示すように、基準電源電圧Ｖ０を抵抗素子Ｒ１
〜Ｒ３により分圧して基準電圧Ｖ１およびＶ２を生成し
ている。
ば図４に示すように、基準電源電圧Ｖ０を抵抗素子Ｒ１
〜Ｒ３により分圧して基準電圧Ｖ１およびＶ２を生成し
ている。
【００１４】次に、上記実施例のＣＣＤ遅延装置の動作
について図３に示した波形図を参照しながら説明する。
まず、前記ＣＣＤ遅延装置部２の動作原理を簡単に説明
すると、アナログ（ビデオ）信号入力電圧に比例した電
荷が半導体基板内の電荷計量電極２７下に発生し、電荷
計量電極２７に印加される制御電圧が低い場合には電荷
計量電極下で計量される電荷量が減少するのでＣＣＤ遅
延装置部２の入出力利得が低下し、電荷計量電極２７に
印加される制御電圧が高い場合には電荷計量電極下で計
量される電荷量が増加するのでＣＣＤ遅延装置部２の入
出力利得が増大する。
について図３に示した波形図を参照しながら説明する。
まず、前記ＣＣＤ遅延装置部２の動作原理を簡単に説明
すると、アナログ（ビデオ）信号入力電圧に比例した電
荷が半導体基板内の電荷計量電極２７下に発生し、電荷
計量電極２７に印加される制御電圧が低い場合には電荷
計量電極下で計量される電荷量が減少するのでＣＣＤ遅
延装置部２の入出力利得が低下し、電荷計量電極２７に
印加される制御電圧が高い場合には電荷計量電極下で計
量される電荷量が増加するのでＣＣＤ遅延装置部２の入
出力利得が増大する。
【００１５】本実施例では、上記電荷計量電極２７に前
記ビデオ出力信号振幅一定化手段５の誤差増幅器３４の
出力電圧（検出誤差）が与えられており、この検出誤差
（Ｖ３−Ｖ２）により電荷計量電極下で計量される電荷
量が制御され、検出誤差（Ｖ３−Ｖ２）が零になるよう
に、つまり、ペデスタルレベルＶ３が基準電圧Ｖ２と等
しくなるように帰還制御され、ＣＣＤ遅延装置のビデオ
出力信号振幅が一定化される。
記ビデオ出力信号振幅一定化手段５の誤差増幅器３４の
出力電圧（検出誤差）が与えられており、この検出誤差
（Ｖ３−Ｖ２）により電荷計量電極下で計量される電荷
量が制御され、検出誤差（Ｖ３−Ｖ２）が零になるよう
に、つまり、ペデスタルレベルＶ３が基準電圧Ｖ２と等
しくなるように帰還制御され、ＣＣＤ遅延装置のビデオ
出力信号振幅が一定化される。
【００１６】従って、ＣＣＤ遅延装置の製造プロセスの
変動に影響されずに、常に一定のビデオ出力信号振幅が
無調整で得られるようになる。また、使用環境条件（例
えば周囲温度、電源電圧）の変動にも自動的に追随し、
常に最適動作が可能になる。
変動に影響されずに、常に一定のビデオ出力信号振幅が
無調整で得られるようになる。また、使用環境条件（例
えば周囲温度、電源電圧）の変動にも自動的に追随し、
常に最適動作が可能になる。
【００１７】なお、上記実施例では、基準電圧発生回路
３１が生成する基準電圧Ｖ１およびＶ２は固定されてい
るが、これに限らず、外部から基準電圧Ｖ１およびＶ２
を印加するようにし、その値を調整することにより、Ｃ
ＣＤ遅延装置のビデオ出力信号振幅を自由に設定するこ
とが可能になる。
３１が生成する基準電圧Ｖ１およびＶ２は固定されてい
るが、これに限らず、外部から基準電圧Ｖ１およびＶ２
を印加するようにし、その値を調整することにより、Ｃ
ＣＤ遅延装置のビデオ出力信号振幅を自由に設定するこ
とが可能になる。
【００１８】
【発明の効果】上述したように本発明のＣＣＤ遅延装置
によれば、ＣＣＤ遅延装置部と同一チップ上に、ＣＣＤ
遅延装置部の入出力利得を制御してそのビデオ出力信号
振幅を一定化するためのビデオ出力信号振幅一定化手段
を設けたので、製造プロセスや使用環境条件の変動に影
響されずに、常に一定の出力信号振幅が無調整で得られ
るようになる。また、出力信号振幅調整のためにＣＣＤ
遅延装置の外部に可変抵抗器を接続する必要がなくな
り、使用に際して必要とする部品点数が少なくなる。
によれば、ＣＣＤ遅延装置部と同一チップ上に、ＣＣＤ
遅延装置部の入出力利得を制御してそのビデオ出力信号
振幅を一定化するためのビデオ出力信号振幅一定化手段
を設けたので、製造プロセスや使用環境条件の変動に影
響されずに、常に一定の出力信号振幅が無調整で得られ
るようになる。また、出力信号振幅調整のためにＣＣＤ
遅延装置の外部に可変抵抗器を接続する必要がなくな
り、使用に際して必要とする部品点数が少なくなる。
【図１】本発明のＣＣＤ遅延装置の一実施例を示すブロ
ック図。
ック図。
【図２】図１中のＣＣＤ遅延装置部の一部の構造を簡略
的に示す図、
的に示す図、
【図３】図１のビデオ出力信号振幅一定化手段の動作例
を説明するために示す波形図。
を説明するために示す波形図。
【図４】図１中の基準電圧発生回路の一具体例を示す回
路図。
路図。
【図５】従来のＣＣＤ遅延装置の使用例を示す回路図。
【図６】従来のＣＣＤ遅延装置の使用例を示す回路図。
１…ビデオ信号入力端子、２…ＣＣＤ遅延装置部、３…
増幅器、４…ビデオ信号出力端子、５…ビデオ出力信号
振幅一定化手段、６…サンプリングパルス入力端子、２
１…信号入力部、２２…電荷転送部、２３…信号出力
部、２４…高濃度不純物拡散領域、２５…基準電極、２
６…アナログ信号入力電極、２７…電荷計量電極（入力
電荷制御ゲート電極）、２８…リセット電極、２９…転
送電極、３１…基準電圧発生回路、３２…クランプ回
路、３３…ゲート回路、３４…誤差増幅器。
増幅器、４…ビデオ信号出力端子、５…ビデオ出力信号
振幅一定化手段、６…サンプリングパルス入力端子、２
１…信号入力部、２２…電荷転送部、２３…信号出力
部、２４…高濃度不純物拡散領域、２５…基準電極、２
６…アナログ信号入力電極、２７…電荷計量電極（入力
電荷制御ゲート電極）、２８…リセット電極、２９…転
送電極、３１…基準電圧発生回路、３２…クランプ回
路、３３…ゲート回路、３４…誤差増幅器。
Claims (2)
- 【請求項１】 ビデオ信号が入力するＣＣＤ遅延装置部
と、 このＣＣＤ遅延装置部と同一半導体チップ上に形成さ
れ、上記ＣＣＤ遅延装置部から出力されたビデオ信号の
水平同期信号振幅を検出し、この検出振幅を基準振幅と
比較して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベ
ルを前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲート電極に
印加するビデオ出力信号振幅一定化手段とを具備するこ
とを特徴とする電荷結合素子遅延装置。 - 【請求項２】 前記ビデオ出力信号振幅一定化手段は、 前記ＣＣＤ遅延装置部から出力されたビデオ信号が入力
し、その水平同期信号の先端レベルを第１の基準電圧Ｖ
１にクランプするクランプ回路と、 このクランプ回路の出力信号のペデスタル部分をサンプ
リングパルス入力のタイミングで通過させるゲート回路
と、 このゲート回路の出力電圧を第２の基準電圧Ｖ２と比較
して誤差を検出し、この検出誤差に応じた電圧レベルを
前記ＣＣＤ遅延装置部の入力電荷制御ゲート電極に印加
する誤差増幅器とを具備することを特徴とする請求項１
記載の電荷結合素子遅延装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253190A JPH06104691A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 電荷結合素子遅延装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253190A JPH06104691A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 電荷結合素子遅延装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104691A true JPH06104691A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17247804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253190A Pending JPH06104691A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 電荷結合素子遅延装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104691A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8536290B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-09-17 | Dow Global Technologies Llc | Procatalyst composition with alkoxyalkyl 2-propenoate internal electron donor and polymer from same |
| US8604146B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-12-10 | Dow Global Technologies Llc | Catalyst composition with alkoxyalkyl ester internal electron donor and polymer from same |
| US9315592B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-04-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Process for producing procatalyst composition with alkoxyalkyl ester internal electron donor and product |
| US9382343B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-07-05 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Procatalyst composition with alkoxypropyl ester internal electron donor and polymer from same |
| US9382342B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-07-05 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Procatalyst composition with alkoxyalkyl 2-propenoate internal electron donor and polymer from same |
| US9434796B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-09-06 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Catalyst composition with alkoxyalkyl ester internal electron donor and polymer from same |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4253190A patent/JPH06104691A/ja active Pending
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