JPH0595124A - Photoelectric conversion element - Google Patents
Photoelectric conversion elementInfo
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- JPH0595124A JPH0595124A JP3255347A JP25534791A JPH0595124A JP H0595124 A JPH0595124 A JP H0595124A JP 3255347 A JP3255347 A JP 3255347A JP 25534791 A JP25534791 A JP 25534791A JP H0595124 A JPH0595124 A JP H0595124A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、光電変換素子に関
し、特に、その光電変換素子の性能の向上を図った光電
変換素子の構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion element, and more particularly to a structure of the photoelectric conversion element for improving the performance of the photoelectric conversion element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、太陽から発せられた光エネルギー
を電気エネルギーに変換して取出す光電変換素子として
太陽電池が一般に知られている。以下、この太陽電池の
構造について、図を参照して説明する。この太陽電池の
構造は、図６を参照して、ｐ型シリコン基板１上に、ｎ
型の半導体層２が形成されており、このｎ型の半導体層
２の上には、シリコン酸化膜３が形成されている。ま
た、シリコン酸化膜３を貫通し、ｎ型の半導体層２に接
続された受光面電極６が形成されている。2. Description of the Related Art Heretofore, a solar cell has been generally known as a photoelectric conversion element for converting light energy emitted from the sun into electric energy and taking it out. Hereinafter, the structure of this solar cell will be described with reference to the drawings. The structure of this solar cell is as shown in FIG.
The n-type semiconductor layer 2 is formed, and the silicon oxide film 3 is formed on the n-type semiconductor layer 2. Further, a light-receiving surface electrode 6 penetrating the silicon oxide film 3 and connected to the n-type semiconductor layer 2 is formed.
【０００３】ｐ型シリコン基板１の裏面側には、高濃度
のｐ+ 型不純物領域４が形成されており、さらにこのｐ
+ 型不純物領域４の下には、裏面電極５が形成されてい
る。A high-concentration p + -type impurity region 4 is formed on the back surface side of the p-type silicon substrate 1.
A back surface electrode 5 is formed below the + type impurity region 4.
【０００４】次に、上記構造よりなる太陽電池の製造工
程は、まず、ｐ型シリコン基板１をＲＣＡ洗浄などによ
り洗浄する。その後、水酸化ナトリウム、イソプロピル
アルコールなどを用いて選択性エッチングを行なうこと
により、図７を参照して、その表面が網目状の凹凸を有
するテクスチャ構造の表面形状を形成する。また、図８
に示すようなグルーブ形成することも可能である。Next, in the manufacturing process of the solar cell having the above structure, first, the p-type silicon substrate 1 is cleaned by RCA cleaning or the like. Then, selective etching is performed using sodium hydroxide, isopropyl alcohol, or the like to form a surface structure having a textured structure, the surface of which has mesh-like irregularities, as shown in FIG. Also, FIG.
It is also possible to form a groove as shown in FIG.
【０００５】次に、熱拡散法を用いてｐ型シリコン基板
１の受光面側に不純物をドーピングすることにより、ｎ
型の半導体層２を形成する。その後、ｎ型の半導体層２
上に熱拡散法を用いてシリコン酸化膜３を形成する。一
方、ｐ型シリコン基板１の裏面側においては、Ａ１ペー
ストを印刷・焼成することにより、高濃度のｐ+ 型不純
物領域４及び裏面電極５を形成する。さらに、このｐ+
型不純物領域４の裏面側にＡｌペーストを焼成すること
により裏面電極６を形成する。Then, the light receiving surface side of the p-type silicon substrate 1 is doped with an impurity by using a thermal diffusion method to obtain n.
The semiconductor layer 2 of the mold is formed. Then, the n-type semiconductor layer 2
A silicon oxide film 3 is formed on the upper surface by a thermal diffusion method. On the other hand, on the back surface side of the p-type silicon substrate 1, the high-concentration p + -type impurity region 4 and the back surface electrode 5 are formed by printing and baking A1 paste. Furthermore, this p +
A back electrode 6 is formed by baking an Al paste on the back surface side of the type impurity region 4.
【０００６】上記構造よりなる太陽電池に光子が入射す
れば、半導体結晶内に自由電子と正孔とが発生する。こ
の自由電子と正光は、半導体層中のｐｎ接合等の電位障
壁により、自由電子はｎ型不純物領域２へ移動し、正孔
はｐ型シリコン基板１へと移動する。これにより、ｎ型
不純物領域２はマイナスに帯電し、ｐ型シリコン基板１
との間に電位差が生じる。これが、光の入射によって生
じる起電力である。When a photon is incident on the solar cell having the above structure, free electrons and holes are generated in the semiconductor crystal. The free electrons and the positive light move to the n-type impurity region 2 and the holes to the p-type silicon substrate 1 due to the potential barrier such as a pn junction in the semiconductor layer. As a result, the n-type impurity region 2 is negatively charged, and the p-type silicon substrate 1 is
There is a potential difference between and. This is the electromotive force generated by the incidence of light.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成よりなる光電変換素子は以下に述べる問題点があっ
た。However, the photoelectric conversion device having the above structure has the following problems.
【０００８】光電変換素子は、その表面における光の反
射損失を抑制するために、上記のようにテクスチャ構造
またはグルーブ構造が設けられている。このテクスチャ
構造またはグルーブ構造を用いた場合、ｐ型半導体基板
とｎ型半導体層の接合部いわゆるｐｎ接合面積が該構造
を用いない光電変換素子の受光面積に比べ、１．５〜
２．０倍程度に広くなる。これにより、受光面積とｐｎ
接合面積が等しい光電変換素子とを比較した場合、飽和
電流が増加する。これは、飽和電流（Ｉ0 ）は、図９に
示すように、飽和電流密度（Ｊ0 ）を接合面積だけ積分
した量で表わされ、式で示せば、 Ｉ0 ＝ Ｊ0 ｄｓ ・・・（１） となり、したがって、単位面積当りのｐｎ接合特性が等
しい場合つまり飽和電流密度（Ｊ0 ）が等しい場合は、
飽和電流（Ｉ0 ）は、ｐｎ接合面積に伴って増加するか
らである。The photoelectric conversion element is provided with the texture structure or the groove structure as described above in order to suppress the reflection loss of light on the surface thereof. When this texture structure or groove structure is used, the so-called pn junction area of the junction between the p-type semiconductor substrate and the n-type semiconductor layer is 1.5 to 10 times smaller than the light-receiving area of the photoelectric conversion element not using the structure.
It becomes about 2.0 times wider. As a result, the light receiving area and pn
When compared with a photoelectric conversion element having the same junction area, the saturation current increases. This is because the saturation current (I 0 ) is represented by an amount obtained by integrating the saturation current density (J 0 ) by the junction area, as shown in FIG. 9, and can be expressed by the formula: I 0 = J 0 ds. (1) Therefore, when the pn junction characteristics per unit area are equal, that is, when the saturation current densities (J 0 ) are equal,
This is because the saturation current (I 0 ) increases with the pn junction area.
【０００９】このように、飽和電流（Ｉ0 ）が増加する
と、以下に示す式（２）の関係により、As described above, when the saturation current (I 0 ) increases, the relationship of the following equation (2) gives
【００１０】[0010]
【数１】 [Equation 1]
【００１１】 ｑ：電子の電荷 ｈ：ダイオード係数 Ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：温度（Ｋ） 開放電圧（ＶOC）が低下する問題点を有している。また
一方、上記のようにｐｎ接合部が凹凸形状に形成される
ため、図１０に示すように、受光面電極６とｐ型シリコ
ン基板１の凸部が短絡しやすく、この接合短絡による漏
れ電流のために、光電変換素子の等価回路で考察した場
合、図１１に示すように、光電変換素子の表裏面間の並
列抵抗が低下してしまう。ここで、光電変換素子の特性
を示す極線因子特性（Ｆ．Ｆ）は、以下に示す式（３）
で表わされ、Q: electron charge h: diode coefficient K: Boltzmann's constant T: temperature (K) There is a problem that the open circuit voltage (V OC ) decreases. On the other hand, since the pn junction is formed in a concavo-convex shape as described above, the light-receiving surface electrode 6 and the convex of the p-type silicon substrate 1 are easily short-circuited as shown in FIG. Therefore, when the equivalent circuit of the photoelectric conversion element is considered, the parallel resistance between the front and back surfaces of the photoelectric conversion element decreases as shown in FIG. Here, the polar factor characteristic (FF) indicating the characteristic of the photoelectric conversion element is expressed by the following equation (3).
Is represented by
【００１２】[0012]
【数２】 [Equation 2]
【００１３】ＲSHの低下により、式（３）において
ＩOP，ＶOPが低下し、ＶOCも低下することにより、結果
的に曲線因子特性（Ｆ．Ｆ）も低下してしまうという問
題点を有している。A decrease in R SH results in a decrease in I OP and V OP in formula (3), and a decrease in V OC , resulting in a decrease in fill factor characteristic (FF). have.
【００１４】この発明は、上記問題点を解消するために
なされたもので、光電変換素子の光の反射損失を低下さ
せることなく飽和電流の増大を抑制することを可能とす
る光電変換素子の提供を目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and provides a photoelectric conversion element capable of suppressing an increase in saturation current without reducing the reflection loss of light of the photoelectric conversion element. With the goal.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】この発明によれば、第１
導電型の半導体基板と、この半導体基板の受光面側に形
成された第２導電型の半導体層と、この第２導電型の半
導体層の受光面側に形成され、光起電力効果により得ら
れる起電力を取出すための受光面電極とを有する光電変
換素子において、上記半導体層の上記半導体基板との接
合部は平面に設けられ、かつ、上記半導体層の受光面側
は、所定の凹凸形状が設けられている。According to the present invention, the first
A conductive type semiconductor substrate, a second conductive type semiconductor layer formed on the light receiving surface side of the semiconductor substrate, and a light receiving surface side of the second conductive type semiconductor layer, which are obtained by a photovoltaic effect. In a photoelectric conversion element having a light-receiving surface electrode for extracting an electromotive force, the junction of the semiconductor layer with the semiconductor substrate is provided on a flat surface, and the light-receiving surface side of the semiconductor layer has a predetermined uneven shape. It is provided.
【００１６】[0016]
【作用】この発明に基づいた光電変換素子によれば、第
１導電型の平坦な半導体基板の表面に第２導電型の半導
体層を形成し、この第２導電型の半導体層の表面に所定
の凹凸形状を設けることにより、光の反射損失を低下さ
せることのない多重反射構造を実現可能とし、同時に、
受光面電極と第１導電型の半導体基板との短絡を防止す
ることが可能となり漏れ電流の発生を抑制することを可
能としている。According to the photoelectric conversion element of the present invention, the second-conductivity-type semiconductor layer is formed on the surface of the first-conductivity-type flat semiconductor substrate, and the second-conductivity-type semiconductor layer has a predetermined surface. By providing the uneven shape of, it is possible to realize a multiple reflection structure that does not reduce the reflection loss of light, and at the same time,
It is possible to prevent a short circuit between the light-receiving surface electrode and the semiconductor substrate of the first conductivity type, and it is possible to suppress the generation of leakage current.
【００１７】[0017]
【実施例】この発明に基づいた光電変換素子の実施例に
ついて、図を用いて説明する。EXAMPLES Examples of photoelectric conversion elements according to the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１８】この光電変換素子の構造は、図１を参照し
て、第１導電型のたとえばｐ型の半導体基板１の受光面
側に、第２導電型のたとえばｎ型の半導体層２がエピタ
キシャル成長により形成されている。この半導体層２の
受光面側は、所定の凹凸形状に形成されており、この半
導体層２の受光面側には、シリコン酸化膜からなる反射
防止膜３が形成されている。また、この反射防止膜３を
貫通し、ｎ型半導体層２に接続されている受光面電極６
が形成されている。In the structure of this photoelectric conversion element, referring to FIG. 1, a second conductivity type, for example, n type semiconductor layer 2 is epitaxially grown on the light receiving surface side of a first conductivity type, for example, p type semiconductor substrate 1. It is formed by. The light receiving surface side of the semiconductor layer 2 is formed in a predetermined uneven shape, and the antireflection film 3 made of a silicon oxide film is formed on the light receiving surface side of the semiconductor layer 2. Further, the light-receiving surface electrode 6 penetrating the antireflection film 3 and connected to the n-type semiconductor layer 2
Are formed.
【００１９】一方、ｐ型半導体基板１の裏面側には、高
濃度ｐ+ 型不純物領域４が形成され、このｐ+ 型不純物
領域４の裏面側には、裏面側電極５が形成されている。On the other hand, a high concentration p + type impurity region 4 is formed on the back side of the p type semiconductor substrate 1, and a back side electrode 5 is formed on the back side of the p + type impurity region 4. ..
【００２０】上記構成よりなる光電変換素子の製造工程
は、図２ないし図４を参照して説明する。A manufacturing process of the photoelectric conversion device having the above structure will be described with reference to FIGS.
【００２１】まず、図２において、ｐ型半導体基板１の
受光面側にエピタキシャル成長によりｎ型半導体層２を
形成する。その後、このｎ型半導体層２の表面を、図３
に示すように、水酸化ナトリウム、イソプロピルアルコ
ールなどを用いて選択性エッチングを行なうことによ
り、テクスチャ構造の表面形状を形成する。First, in FIG. 2, the n-type semiconductor layer 2 is formed on the light-receiving surface side of the p-type semiconductor substrate 1 by epitaxial growth. After that, the surface of the n-type semiconductor layer 2 is removed from the surface shown in FIG.
As shown in, the surface shape of the textured structure is formed by performing selective etching using sodium hydroxide, isopropyl alcohol, or the like.
【００２２】次に、テクスチャ構造に形成されたｎ型半
導体層２の表面に、熱拡散法を用いてシリコン酸化膜か
らなる反射防止膜３を形成する。その後、Ａｇペースト
を反射防止膜３を通過させ、ｎ型不純物領域２と接続さ
せ受光面電極６を形成する。Next, an antireflection film 3 made of a silicon oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 formed in the texture structure by a thermal diffusion method. Then, the Ag paste is passed through the antireflection film 3 to be connected to the n-type impurity region 2 to form the light-receiving surface electrode 6.
【００２３】一方、ｐ型半導体基板１の裏面側において
は、熱拡散法を用いて、ｐ型不純物をドーピングするこ
とにより高濃度のｐ+ 型不純物領域４を形成する。さら
に、このｐ+ 型不純物領域４の裏面側にＡｌペーストを
焼成することにより裏面電極６を形成する。以上により
この実施例における光電変換素子が完成する。On the other hand, on the back surface side of the p-type semiconductor substrate 1, a high concentration p + -type impurity region 4 is formed by doping a p-type impurity by a thermal diffusion method. Further, the back surface electrode 6 is formed by baking an Al paste on the back surface side of the p + type impurity region 4. As described above, the photoelectric conversion element in this example is completed.
【００２４】上記において、受光面側にエピタキシャル
成長によりｎ型半導体層２を形成したが、これに限らず
熱拡散法を用いてｎ型半導体層２を形成することとして
もよい。次に、従来構造の光電変換素子，半導体層
２をエピタキシャル成長により形成した場合の上記実施
例、および、半導体層２を熱拡散法により形成した場
合の上記実施例のそれぞれの光電変換素子の特性を、図
５を参照して説明する。Although the n-type semiconductor layer 2 is formed on the light-receiving surface side by epitaxial growth in the above description, the invention is not limited to this, and the n-type semiconductor layer 2 may be formed by a thermal diffusion method. Next, the characteristics of the photoelectric conversion element having the conventional structure, the photoelectric conversion element of the above-described example when the semiconductor layer 2 is formed by epitaxial growth, and the photoelectric conversion element of the above-described example when the semiconductor layer 2 is formed by the thermal diffusion method will be described. , Will be described with reference to FIG.
【００２５】図において、縦軸は暗電流（Ａ／ｃ
ｍ2 ）、横軸はフォワード・バイアス（Ｖ）の値を示し
ている。図において、グラフＡは従来技術における光
電変換素子、グラフＢは、エピタキシャル成長により
半導体層を形成した光電変換素子、グラフＣは、熱拡
散法により半導体層を形成した場合の光電変換素子を示
している。図からもわかるように、本実施例の構造を用
いることで、飽和電流を大幅に低下させることが示され
ている。In the figure, the vertical axis represents the dark current (A / c
m 2 ) and the horizontal axis represents the value of forward bias (V). In the figure, graph A shows a photoelectric conversion element in the prior art, graph B shows a photoelectric conversion element having a semiconductor layer formed by epitaxial growth, and graph C shows a photoelectric conversion element having a semiconductor layer formed by a thermal diffusion method. .. As can be seen from the figure, it is shown that the saturation current is significantly reduced by using the structure of this embodiment.
【００２６】また、下記表１は、従来技術における光電
変換素子（Ａ）、エピタキシャル成長により半導体層を
形成した場合の光電変換素子（Ｂ）、熱拡散法により半
導体層を形成した場合の光電変換素子（Ｃ）において、
各素子にＡＭ１．５グローバル光を入射した場合の短絡
電流（ＪSC）、開放電圧（ＶOC）、曲線因子（ＦＦ）お
よび変換効率（η）の値を示している。Table 1 below shows the photoelectric conversion element (A) in the prior art, the photoelectric conversion element (B) when the semiconductor layer is formed by epitaxial growth, and the photoelectric conversion element when the semiconductor layer is formed by the thermal diffusion method. In (C),
The values of the short-circuit current (J SC ), open circuit voltage (V OC ), fill factor (FF) and conversion efficiency (η) when AM1.5 global light is incident on each element are shown.
【００２７】[0027]
【表１】 [Table 1]
【００２８】表１からもわかるように、この実施例にお
ける構造を用いることにより、高い開放電圧、曲線因子
および変換効率が得られていることが示されている。As can be seen from Table 1, it is shown that high open circuit voltage, fill factor and conversion efficiency are obtained by using the structure in this embodiment.
【００２９】以上のようにｐｎ接合部を平坦とし、ｎ型
半導体の受光面側をテキスチャ構造とすることでｐｎ接
合部の接合面積を増加させずに従来どおりの多重反射構
造を実現し、ｐｎ接合面積の増加による飽和電流の増加
を未然に防止する。さらに、半導体基板１に受光面電極
の接触がしににくなるために、半導体基板１と受光面電
極６の短絡による漏れ電流の発生を未然に防止すること
を可能としている。As described above, the pn junction is made flat and the light receiving surface side of the n-type semiconductor has a texture structure, thereby realizing a conventional multiple reflection structure without increasing the junction area of the pn junction. The saturation current is prevented from increasing due to the increase in the junction area. Further, since the light-receiving surface electrode is less likely to come into contact with the semiconductor substrate 1, it is possible to prevent the occurrence of leakage current due to a short circuit between the semiconductor substrate 1 and the light-receiving surface electrode 6.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
第１導電型の半導体基板と第２導電型の半導体層の接合
部を平坦とし、第２導電型の半導体層の受光面側に凹凸
形状の多重反射構造を設けることにより、従来と同様の
反射損失に抑えかつ接合部の飽和電流の発生を抑制する
ことを可能としている。As described above, according to the present invention,
By flattening the junction between the first-conductivity-type semiconductor substrate and the second-conductivity-type semiconductor layer and providing the uneven multi-reflection structure on the light-receiving surface side of the second-conductivity-type semiconductor layer, the same reflection as in the conventional It is possible to suppress the loss and suppress the generation of the saturation current at the junction.
【００３１】また、受光面電極と半導体基板との接触に
よる短絡電流をも抑制し、光電変換素子の特性の向上を
可能とし、ひいては、光電変換素子の高効率化、低コス
ト化に寄与し、さらに、結晶Ｓｉ基板を用いた高感度光
センサへの応用も可能としている。Further, the short-circuit current due to the contact between the light-receiving surface electrode and the semiconductor substrate can be suppressed and the characteristics of the photoelectric conversion element can be improved, which in turn contributes to higher efficiency and lower cost of the photoelectric conversion element. Further, it can be applied to a high-sensitivity optical sensor using a crystalline Si substrate.
【図１】この発明に基づいた実施例における光電変換素
子の構造を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a photoelectric conversion element in an embodiment based on the present invention.
【図２】この発明に基づいた実施例における光電変換素
子の第１の製造工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a first manufacturing process of the photoelectric conversion element in the example based on the present invention.
【図３】この発明に基づいた実施例における光電変換素
子の第２の製造工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a second manufacturing process of the photoelectric conversion element in the example based on the present invention.
【図４】この発明に基づいた実施例における光電変換素
子の第３の製造工程を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a third manufacturing process of the photoelectric conversion element in the example based on the present invention.
【図５】従来技術における光電変換素子（Ａ）、エピタ
キシャル成長を用いて半導体層を形成した場合の本発明
に基づいた実施例における光電変換素子（Ｂ）、およ
び、熱拡散法を用いて半導体層を形成した場合の本発明
に基づいた実施例における光電変換素子（Ｃ）の特性を
示す図である。FIG. 5 is a photoelectric conversion element (A) in the prior art, a photoelectric conversion element (B) in an example based on the present invention in which a semiconductor layer is formed by epitaxial growth, and a semiconductor layer using a thermal diffusion method. It is a figure which shows the characteristic of the photoelectric conversion element (C) in the Example based on this invention at the time of forming.
【図６】従来技術における光電変換素子の構造を示す図
である。FIG. 6 is a diagram showing a structure of a photoelectric conversion element in a conventional technique.
【図７】テクスチャ構造を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a texture structure.
【図８】グルーブ構造を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a groove structure.
【図９】従来技術における光電変換素子の半導体基板と
受光面電極の短絡を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a short circuit between a semiconductor substrate and a light-receiving surface electrode of a photoelectric conversion element in a conventional technique.
【図１０】ｐｎ接合の電流−電圧特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing current-voltage characteristics of a pn junction.
【図１１】太陽電池の等価回路を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an equivalent circuit of a solar cell.
１ 半導体基板 ２ 半導体層 ３ 反射防止膜 ４ ＢＳＦ層 ５ 裏面電極 ６ 受光面電極 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 1 semiconductor substrate 2 semiconductor layer 3 antireflection film 4 BSF layer 5 back surface electrode 6 light receiving surface electrode In the respective drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding portions.
Claims (1)
導体層と、 この第２導電型の半導体層の受光面側に形成され、光起
電力効果により得られる起電力を取出すための受光面電
極と、 を有する光電変換素子において、 前記半導体層の前記半導体基板との接合部は、平面に設
けられ、かつ、前記半導体層の受光面側は、所定の凹凸
形状が設けられた光電変換素子。1. A semiconductor substrate of a first conductivity type, a semiconductor layer of a second conductivity type formed on the light receiving surface side of the semiconductor substrate, and a light receiving surface side of the semiconductor layer of the second conductivity type, In a photoelectric conversion element having a light-receiving surface electrode for extracting an electromotive force obtained by a photovoltaic effect, a joint portion of the semiconductor layer with the semiconductor substrate is provided on a plane, and the light-receiving surface of the semiconductor layer is received. The surface side is a photoelectric conversion element provided with a predetermined uneven shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255347A JPH0595124A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Photoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255347A JPH0595124A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Photoelectric conversion element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595124A true JPH0595124A (en) | 1993-04-16 |
Family
ID=17277530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255347A Withdrawn JPH0595124A (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Photoelectric conversion element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595124A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010533969A (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | アイメック | Emitter structure fabrication method and resulting emitter structure |
| KR101067807B1 (en) * | 2010-08-27 | 2011-09-27 | 코오롱글로텍주식회사 | Solar cell and manufacturing method for solar sell's electrode |
| WO2011161813A1 (en) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | 三菱電機株式会社 | Solar cell and method for manufacturing same |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255347A patent/JPH0595124A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010533969A (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | アイメック | Emitter structure fabrication method and resulting emitter structure |
| WO2011161813A1 (en) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | 三菱電機株式会社 | Solar cell and method for manufacturing same |
| JP4980494B2 (en) * | 2010-06-25 | 2012-07-18 | 三菱電機株式会社 | Solar cell and manufacturing method thereof |
| US8981210B2 (en) | 2010-06-25 | 2015-03-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar battery cell and method of manufacturing the solar battery cell |
| KR101067807B1 (en) * | 2010-08-27 | 2011-09-27 | 코오롱글로텍주식회사 | Solar cell and manufacturing method for solar sell's electrode |
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