JPH0590849A - 差動増幅回路 - Google Patents
差動増幅回路Info
- Publication number
- JPH0590849A JPH0590849A JP3276440A JP27644091A JPH0590849A JP H0590849 A JPH0590849 A JP H0590849A JP 3276440 A JP3276440 A JP 3276440A JP 27644091 A JP27644091 A JP 27644091A JP H0590849 A JPH0590849 A JP H0590849A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- differential amplifier
- amplifier circuit
- fet1
- signal
- fet2
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のFETで構成される差動増幅回路にお
ける2つの信号出力端子からの出力電圧の振幅差を小さ
くする。 【構成】 夫々のソースが共通に接続されたFET1及
びFET2と、これらのソースがドレインに接続された
FET3とを有し、FET1及びFET2の少なくとも
一方のゲートに信号を入力させ、FET1及びFET2
の各ドレインから信号を出力させる差動増幅回路におい
て、FET1及びFET2の一方のドレインとFET3
のゲートをコンデンサC2で接続し、このFET3と負
電源電位との間に抵抗R7を接続する。
ける2つの信号出力端子からの出力電圧の振幅差を小さ
くする。 【構成】 夫々のソースが共通に接続されたFET1及
びFET2と、これらのソースがドレインに接続された
FET3とを有し、FET1及びFET2の少なくとも
一方のゲートに信号を入力させ、FET1及びFET2
の各ドレインから信号を出力させる差動増幅回路におい
て、FET1及びFET2の一方のドレインとFET3
のゲートをコンデンサC2で接続し、このFET3と負
電源電位との間に抵抗R7を接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は不平衡−平衡変換回路に
使用される差動増幅回路に関する。
使用される差動増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、無線送受信装置においても小型化
が推し進められており、各部にマイクロ波モノリシック
IC(以下、MMICと略す)が使用されている。例え
ば、周波数変換器(ミクサ)も、従来のダイオードミク
サに対して、シリコンバイポーラトランジスタより高速
動作の可能なGaAsFETのプロセスを使用してデュ
アルゲートタイプのミクサや、ギルバートマルチプライ
ヤのミクサをMMIC化したものが開発されている。こ
のようなMMIC化したミクサでは、搬送波入力として
高周波信号を用いる場合には不平衡入力の方が取り扱い
に便利だが、搬送波抑圧比を大きくとるためには平衡入
力とすることが必要となり、ミクサの搬送波入力の前段
に、不平衡−平衡変換回路として、MMIC化に適して
いる差動増幅回路が使用される。
が推し進められており、各部にマイクロ波モノリシック
IC(以下、MMICと略す)が使用されている。例え
ば、周波数変換器(ミクサ)も、従来のダイオードミク
サに対して、シリコンバイポーラトランジスタより高速
動作の可能なGaAsFETのプロセスを使用してデュ
アルゲートタイプのミクサや、ギルバートマルチプライ
ヤのミクサをMMIC化したものが開発されている。こ
のようなMMIC化したミクサでは、搬送波入力として
高周波信号を用いる場合には不平衡入力の方が取り扱い
に便利だが、搬送波抑圧比を大きくとるためには平衡入
力とすることが必要となり、ミクサの搬送波入力の前段
に、不平衡−平衡変換回路として、MMIC化に適して
いる差動増幅回路が使用される。
【0003】従来、この種の差動増幅回路は、図2に示
すように、FET1及びFET2の各ソースとFET3
のドレインを共通に接続し、FET1及びFET2の各
ドレインと正電源端子VDDとの間にはそれぞれ負荷抵抗
R1,R2を接続し、FET3のゲートとソースは負電
源端子VSSに接続している。FET1とFET2のゲー
トは等しい所定の電位になるように抵抗R3,R4,R
5,R6によりバイアス電圧が加えられている。
すように、FET1及びFET2の各ソースとFET3
のドレインを共通に接続し、FET1及びFET2の各
ドレインと正電源端子VDDとの間にはそれぞれ負荷抵抗
R1,R2を接続し、FET3のゲートとソースは負電
源端子VSSに接続している。FET1とFET2のゲー
トは等しい所定の電位になるように抵抗R3,R4,R
5,R6によりバイアス電圧が加えられている。
【0004】FET1のゲートは不平衡な入力端子IN
とされて信号が入力され、他方のFET2のゲートはコ
ンデンサC1により高周波的に接地される。その結果、
出力端子であるFET1,FET2の両方のドレインに
互いに逆位相の平衡な信号が生じ、出力端子OUT1,
OUT2に出力される。
とされて信号が入力され、他方のFET2のゲートはコ
ンデンサC1により高周波的に接地される。その結果、
出力端子であるFET1,FET2の両方のドレインに
互いに逆位相の平衡な信号が生じ、出力端子OUT1,
OUT2に出力される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の差動増
幅回路においては、入力される搬送波が高周波であるた
め、出力端子OUT1,OUT2に表れる出力電圧に振
幅差が生じるという問題がある。即ち、入力端子INか
ら入力された電圧信号はFET1のゲートに入力され、
FET1のドレイン−ソース間の電流に変換される。F
ET1のドレイン側ではその電流信号が負荷抵抗R1に
より電圧に変換され、出力端子OUT1に電圧信号とし
て出力される。一方、FET1のソース側では、定電流
源として使用されているFET3のドレイン側を見たイ
ンピーダンスが比較的高いので電流信号は殆どFET2
のソースを通してFET2のドレインに伝わり、負荷抵
抗R2で電圧に変換され、出力端子OUT2に電圧信号
として出力される。
幅回路においては、入力される搬送波が高周波であるた
め、出力端子OUT1,OUT2に表れる出力電圧に振
幅差が生じるという問題がある。即ち、入力端子INか
ら入力された電圧信号はFET1のゲートに入力され、
FET1のドレイン−ソース間の電流に変換される。F
ET1のドレイン側ではその電流信号が負荷抵抗R1に
より電圧に変換され、出力端子OUT1に電圧信号とし
て出力される。一方、FET1のソース側では、定電流
源として使用されているFET3のドレイン側を見たイ
ンピーダンスが比較的高いので電流信号は殆どFET2
のソースを通してFET2のドレインに伝わり、負荷抵
抗R2で電圧に変換され、出力端子OUT2に電圧信号
として出力される。
【0006】FET1のドレイン電流に対して、FET
2のドレイン電流は向きが反転するので、出力端子OU
T1,OUT2に表れる電圧信号も位相が 180°ずれて
おり、平衡出力が得られる。ここで、搬送波入力が低周
波ならば、前述のようにFET3のドレイン側を見たイ
ンピーダンスは比較的高いため、FET1のソースから
伝搬される信号は殆どFET2のソースに伝わるが、搬
送波が高周波になると、FET3のドレインに付いてい
る寄生容量により、ドレイン側を見たインピーダンスが
下がり、FET1のソースから伝搬される信号の一部が
FET3のドレイン側に吸収される。
2のドレイン電流は向きが反転するので、出力端子OU
T1,OUT2に表れる電圧信号も位相が 180°ずれて
おり、平衡出力が得られる。ここで、搬送波入力が低周
波ならば、前述のようにFET3のドレイン側を見たイ
ンピーダンスは比較的高いため、FET1のソースから
伝搬される信号は殆どFET2のソースに伝わるが、搬
送波が高周波になると、FET3のドレインに付いてい
る寄生容量により、ドレイン側を見たインピーダンスが
下がり、FET1のソースから伝搬される信号の一部が
FET3のドレイン側に吸収される。
【0007】したがって、FET1のソースからFET
2のソースを通してFET2のドレインに伝わる電流信
号はその分小さくなり、出力電圧振幅に振幅差が生じ
る。一般に周波数変換器に入力される搬送波は比較的高
い入力レベルが必要であるため、不平衡−平衡変換用の
差動増幅回路としても、高い出力レベルが必要になる。
したがって、出力端子における振幅差は顕著になる。こ
のような平衡出力の振幅差は、周波数変換器側で同相信
号として検出された悪影響を与える。本発明の目的は、
出力電圧の振幅差を小さくした差動増幅回路を提供する
ことにある。
2のソースを通してFET2のドレインに伝わる電流信
号はその分小さくなり、出力電圧振幅に振幅差が生じ
る。一般に周波数変換器に入力される搬送波は比較的高
い入力レベルが必要であるため、不平衡−平衡変換用の
差動増幅回路としても、高い出力レベルが必要になる。
したがって、出力端子における振幅差は顕著になる。こ
のような平衡出力の振幅差は、周波数変換器側で同相信
号として検出された悪影響を与える。本発明の目的は、
出力電圧の振幅差を小さくした差動増幅回路を提供する
ことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の差動増幅回路
は、夫々のソースが共通に接続された第1及び第2のF
ETと、これらソースがドレインに接続された第3のF
ETとを有し、第1及び第2のFETのゲートに信号を
入力させ、第1及び第2のFETのドレインから信号を
出力させる差動増幅回路において、第1及び第2のFE
Tの一方のドレインと第3のFETのゲートをコンデン
サで接続し、この第3のFETと負電源電位との間に抵
抗を接続した構成とする。又、この差動増幅回路を不平
衡−平衡変換用の差動増幅回路として構成するときに
は、第1のFETのゲートに信号を入力させ、第1のF
ETのドレインと第3のFETのゲートをコンデンサで
接続する。
は、夫々のソースが共通に接続された第1及び第2のF
ETと、これらソースがドレインに接続された第3のF
ETとを有し、第1及び第2のFETのゲートに信号を
入力させ、第1及び第2のFETのドレインから信号を
出力させる差動増幅回路において、第1及び第2のFE
Tの一方のドレインと第3のFETのゲートをコンデン
サで接続し、この第3のFETと負電源電位との間に抵
抗を接続した構成とする。又、この差動増幅回路を不平
衡−平衡変換用の差動増幅回路として構成するときに
は、第1のFETのゲートに信号を入力させ、第1のF
ETのドレインと第3のFETのゲートをコンデンサで
接続する。
【0009】
【作用】本発明によれば、第1及び第2のFETの一方
の出力電圧信号の一部をコンデンサを通して第3のFE
Tのゲートに印加することで、第3のFETの電流制御
作用によって出力電圧の変化が抑制され、第1及び第2
のFETの出力電圧の振幅差を小さくする。
の出力電圧信号の一部をコンデンサを通して第3のFE
Tのゲートに印加することで、第3のFETの電流制御
作用によって出力電圧の変化が抑制され、第1及び第2
のFETの出力電圧の振幅差を小さくする。
【0010】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の差動増幅回路の一実施例を示す回路
図であり、図2と同一部分には同一符号を付してある。
ここではFET1〜FET3と、抵抗R1〜R6を用い
た回路構成は図2と同じである。そして、この回路にコ
ンデンサC2と抵抗R7を追加しており、コンデンサC
2はFET1のドレインとFET3のゲート間に接続
し、抵抗R7はFET3のゲートと負電源端子VSS間に
挿入している。
る。図1は本発明の差動増幅回路の一実施例を示す回路
図であり、図2と同一部分には同一符号を付してある。
ここではFET1〜FET3と、抵抗R1〜R6を用い
た回路構成は図2と同じである。そして、この回路にコ
ンデンサC2と抵抗R7を追加しており、コンデンサC
2はFET1のドレインとFET3のゲート間に接続
し、抵抗R7はFET3のゲートと負電源端子VSS間に
挿入している。
【0011】この構成の差動増幅回路の動作を説明す
る。FET1のソース側からFET2のソース側に電流
信号が伝搬するときにFET3のドレインに付いている
寄生容量により信号の一部が失われるのは従来例と同じ
である。ここで、FET3のドレイン電流をFET1の
電流信号の増→減、又はFET2の電流信号の減→増に
合わせて減→増と変化させることにより、FET1及び
FET2のドレインに伝わる電流信号の大きさを等しく
することができる。
る。FET1のソース側からFET2のソース側に電流
信号が伝搬するときにFET3のドレインに付いている
寄生容量により信号の一部が失われるのは従来例と同じ
である。ここで、FET3のドレイン電流をFET1の
電流信号の増→減、又はFET2の電流信号の減→増に
合わせて減→増と変化させることにより、FET1及び
FET2のドレインに伝わる電流信号の大きさを等しく
することができる。
【0012】即ち、FET1のドレイン電圧、つまり出
力端子OUT1に注目すると、入力信号によりFET1
のドレイン電流が増えるときにOUT1の電圧は上が
り、FET1のドレイン電流が減るときにOUT1の電
圧は下がる。このOUT1の電圧信号の一部を定電流源
を構成しているFET3のゲートに印加すると、例えば
OUT1の電圧が下がるとき、つまりFET1のドレイ
ン電流が増えるときにFET3のゲート電圧が下がりF
ET1のドレイン電流を減らそうとする。又、OUT1
の電圧が上がるとき、つまりFET2の電流が増えると
きにFET3のゲート電圧が上がり、FET2のドレイ
ン電流に対しては電流を増やそうとする。このような効
果により、FET3のゲートに印加する電圧信号を適当
な大きさに選べば、出力端子OUT1,OUT2の出力
電圧の振幅差を従来例に比べ小さくできる。
力端子OUT1に注目すると、入力信号によりFET1
のドレイン電流が増えるときにOUT1の電圧は上が
り、FET1のドレイン電流が減るときにOUT1の電
圧は下がる。このOUT1の電圧信号の一部を定電流源
を構成しているFET3のゲートに印加すると、例えば
OUT1の電圧が下がるとき、つまりFET1のドレイ
ン電流が増えるときにFET3のゲート電圧が下がりF
ET1のドレイン電流を減らそうとする。又、OUT1
の電圧が上がるとき、つまりFET2の電流が増えると
きにFET3のゲート電圧が上がり、FET2のドレイ
ン電流に対しては電流を増やそうとする。このような効
果により、FET3のゲートに印加する電圧信号を適当
な大きさに選べば、出力端子OUT1,OUT2の出力
電圧の振幅差を従来例に比べ小さくできる。
【0013】したがって、図1の回路では、コンデンサ
C2と抵抗R7を接続していることにより、コンデンサ
C2は出力端子OUT1の出力電圧信号の一部をFET
3のゲートに印加する。又、抵抗R7は、FET3のゲ
ートが負電源端子に接続されているためにコンデンサC
2からの信号を印加できないので、抵抗R7に加わる電
圧信号をFET3のゲートに印加している。
C2と抵抗R7を接続していることにより、コンデンサ
C2は出力端子OUT1の出力電圧信号の一部をFET
3のゲートに印加する。又、抵抗R7は、FET3のゲ
ートが負電源端子に接続されているためにコンデンサC
2からの信号を印加できないので、抵抗R7に加わる電
圧信号をFET3のゲートに印加している。
【0014】図3に本発明の効果を示す。同図におい
て、破線は従来の差動増幅回路におけるOUT1,OU
T2の各出力電圧波形であり、実線は本発明の差動増幅
回路におけるOUT1,OUT2の各出力電圧波形であ
る。これから判るように、従来ではOUT1とOUT2
の出力電圧間に比較的に大きな振幅差が生じているが、
本発明では両者間に振幅差が殆ど存在していないことが
判る。
て、破線は従来の差動増幅回路におけるOUT1,OU
T2の各出力電圧波形であり、実線は本発明の差動増幅
回路におけるOUT1,OUT2の各出力電圧波形であ
る。これから判るように、従来ではOUT1とOUT2
の出力電圧間に比較的に大きな振幅差が生じているが、
本発明では両者間に振幅差が殆ど存在していないことが
判る。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、不平衡信
号が入力される不平衡−平衡変換用差動増幅回路におい
て、出力端子の出力電圧の一部を、定電流源を構成して
いるFETのゲートに印加することにより、従来生じて
いた出力電圧の振幅差を小さくできるという効果を有す
る。
号が入力される不平衡−平衡変換用差動増幅回路におい
て、出力端子の出力電圧の一部を、定電流源を構成して
いるFETのゲートに印加することにより、従来生じて
いた出力電圧の振幅差を小さくできるという効果を有す
る。
【図1】本発明の差動増幅回路の一実施例の回路図であ
る。
る。
【図2】従来の差動増幅回路の一例の回路図である。
【図3】従来及び本発明の差動増幅回路における出力電
圧の波形図である。
圧の波形図である。
FET1 第1のFET FET2 第2のFET FET3 第3のFET C1,C2 コンデンサ R1〜R7 抵抗 IN 信号入力端子 OUT1,OUT2 信号出力端子
Claims (2)
- 【請求項1】 夫々のソースが共通に接続された第1及
び第2のFETと、これらのソースがドレインに接続さ
れた第3のFETとを有し、前記第1及び第2のFET
のゲートに信号を入力させ、第1及び第2のFETのド
レインから信号を出力させる差動増幅回路において、前
記第1及び第2のFETの一方のドレインと第3のFE
Tのゲートをコンデンサで接続し、この第3のFETと
負電源電位との間に抵抗を接続したことを特徴とする差
動増幅回路。 - 【請求項2】 第1のFETのゲートに信号を入力さ
せ、第1のFETのドレインと第3のFETのゲートを
コンデンサで接続してなる請求項1の差動増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3276440A JPH0590849A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 差動増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3276440A JPH0590849A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 差動増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0590849A true JPH0590849A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17569456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3276440A Pending JPH0590849A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 差動増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0590849A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7227406B2 (en) | 2004-03-01 | 2007-06-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Differential amplifier for balanced/unbalanced converter |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58145206A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-30 | Hitachi Ltd | 差動増幅器 |
JPH0338904A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Nec Corp | 一出力差動増幅器 |
JPH0358026U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-06-05 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3276440A patent/JPH0590849A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58145206A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-30 | Hitachi Ltd | 差動増幅器 |
JPH0338904A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Nec Corp | 一出力差動増幅器 |
JPH0358026U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-06-05 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7227406B2 (en) | 2004-03-01 | 2007-06-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Differential amplifier for balanced/unbalanced converter |
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