JPH0588126A - Magneto-optical material, its production, and optical element using same - Google Patents

Magneto-optical material, its production, and optical element using same

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JPH0588126A
JPH0588126A JP3117666A JP11766691A JPH0588126A JP H0588126 A JPH0588126 A JP H0588126A JP 3117666 A JP3117666 A JP 3117666A JP 11766691 A JP11766691 A JP 11766691A JP H0588126 A JPH0588126 A JP H0588126A
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Hideaki Kaneda
Junji Saito
Takahiko Tamaki
準二 斉藤
孝彦 玉城
英明 金田
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Nippon Hoso Kyokai <Nhk>
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Abstract

PURPOSE:To obtain a magneto-optical element showing the minimum variation of wavelength for Faraday rotation coefft. for a practical wavelength range of 1.55mum region for optical communication by using such a material containing specified terbium-iron garnet as the main composition. CONSTITUTION:The main compsn. of the magneto-optical material is terbium- iron garnet expressed by formula I. Informula I, R is yttrium, neodium, gadolinium, holmium, or ytterbium, M is aluminum chromium, gallium, or indium, x, y and z satisfy 0.22<=x<=0.55, O<=y<=0.3, and O<z<0.5, respectively. A single crystal having the main compsn. expressed by formula I is produced by flux method and the single crystal film is produced by liquid phase epitaxial method. The obtd. substd. TbIG is used to produce an optical element having good characteristics in a wide wavelength region without deterioration of characteristics even against variation of wavelength of a light source. The optical element is, for example, optical isolator, optical circulator, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、波長特性が極めて良好な磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光アイソレータ、光サーキュレータ、磁界センサ、光スイッチ等の光素子に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention is very good magneto-optical material is wavelength characteristics, their production and an optical isolator using the same, an optical circulator, a magnetic field sensor, an optical element such as an optical switch.

【0002】 [0002]

【従来の技術】光通信においては1.3μm帯および1.55μm帯の長波長用の光アイソレータ等の光素子には、フラックス法やフローティングゾーン法によって製造されたファラデー効果の大きいビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネット(Gd 3-x Bi X Fe 512 ;以下、GdBiIGと記載する。)やイットリウム鉄ガーネット( 以下、YIGと記載する。)単結晶を用いたファラデー回転子が使用されている。 The optical device such as an optical isolator for a long wavelength of 1.3μm band and 1.55μm band BACKGROUND ART In optical communication, high bismuth-substituted gadolinium iron Faraday effect produced by a flux method or a floating zone method garnet (Gd 3-x Bi X Fe 5 O 12;. hereinafter referred to as GdBiIG) or yttrium iron garnet (. hereinafter referred to as YIG) the Faraday rotator using a single crystal is used.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、GdB THE INVENTION Problems to be Solved] However, GdB
iIGやYIGはファラデー回転係数の波長変化が大きいために、光源の波長が変わると光アイソレータ等の光素子の特性が劣化したり、あるいは使用できないという欠点があった。 iIG or YIG is for wavelength variation of the Faraday rotation coefficient is large, there is a disadvantage that the characteristics of the optical device such as an optical isolator when the wavelength changes of the light source deteriorates, or not available. したがって、光源の波長が変化しても特性の劣化の少ない光素子の開発が望まれている。 Therefore, development of a small optical device deterioration of the characteristics when the wavelength is changed in the light source is desired.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、光通信に使用する波長においてファラデー回転係数の波長変化が少ない磁気光学材料を開発することおよび広い波長帯域で特性の良好な光アイソレータ等の光素子を開発することを目的として、種々の希土類鉄ガーネットを育成してその磁気光学効果の測定を行った結果、ビスマス、およびイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、ホロルミム、イッテルビウムおよびアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムで置換したテルビウム鉄ガーネット(Tb 3 Fe 512 ;以下、TbIGと記載する。) The present inventors have Means for Solving the Problems] are such good optical isolator characteristics by and wide wavelength band to develop magneto-optical material wavelength change of Faraday rotation coefficient is small at the wavelength used for optical communications in order to develop an optical device, a result of the measurement of the magneto-optical effect was conducted by cultivating various rare earth iron garnet, bismuth, and yttrium, neodymium, gadolinium, Hororumimu, ytterbium and aluminum, chromium, gallium or indium in substituted terbium-iron garnet (Tb 3 Fe 5 O 12; hereinafter referred to as TbIG.)
およびそれを用いた光素子によって上記の目的が達成できることを見出し、本発明に到達した。 And it found that the above object can be achieved by an optical device using the same, have reached the present invention.

【0005】即ち、本発明の要旨は、主成分組成が、 Tb 3-xZ Bi x Fe 5-yy12 (式中、Rはイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、 [0005] That is, the gist of the present invention, the main component composition, in Tb 3-x R Z Bi x Fe 5-y M y O 12 ( wherein, R is yttrium, neodymium, gadolinium,
ホルミウムまたはイッテルビウムであり、Mはアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムであり、xは0.22≦x≦0.55であり、yは0≦y≦0.3であり、zは0<z≦0.5である。 A holmium, or ytterbium, M is aluminum, chromium, gallium or indium, x is 0.22 ≦ x ≦ 0.55, y is 0 ≦ y ≦ 0.3, z is 0 <z ≦ 0.5. )であることを特徴とする磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子に存する。 Magneto-optical material, characterized in that) is consists in an optical element using their production and it.

【0006】以下、本発明を詳細に説明する。 [0006] In the following, the present invention will be described in detail. 本発明においては、ファラデー回転係数の波長変化率をFWCと略記した。 In the present invention, the rate of change of the wavelength of the Faraday rotation coefficient abbreviated to FWC. また、1.55μmの波長におけるFWC In addition, FWC at a wavelength of 1.55μm
は、半導体レーザーの通常の使用条件下における波長変化が0.02μm以下であることを考慮して下記式で定義した。 The wavelength change in the normal conditions of use of the semiconductor laser is defined by the following equation in consideration of not more than 0.02 [mu] m. 式中、θ F 1.55及びθ F 1.57は、それぞれ1. Wherein, theta F 1.55 and theta F 1.57, respectively 1.
55μm及び1.57μmにおけるファラデー回転係数である。 A Faraday rotation coefficient of 55μm and 1.57 .mu.m.

【0007】 FWC=|(θ F 1.55 −θ F 1.57 )/θ F 1.55 ×100| 本発明の磁気光学材料は、主成分組成が Tb 3-xZ Bi x Fe 5-yy12 (式中、Rはイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、 [0007] FWC = | (θ F 1.55 -θ F 1.57) / θ F 1.55 × 100 | magneto-optical material of the present invention, the main component composition Tb 3-x R Z Bi x Fe 5-y M y O 12 (wherein, R yttrium, neodymium, gadolinium,
ホルミウムまたはイッテルビウムであり、Mはアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムである。 A holmium, or ytterbium, M is aluminum, chromium, gallium or indium. )で表されるビスマス、およびアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムで置換したTbIGである。 ) Bismuth represented by, and aluminum, chromium, a TbIG substituted with gallium or indium.

【0008】ビスマス置換量は、1分子当り0.22以上0.55以下の範囲である。 [0008] Bismuth substitution amount is 0.22 to 0.55 range per molecule. イットリウム、ネオジム、ガドリニウム、ホルミウムまたはイッテルビウムの置換量は、1分子当り0.5以下の範囲である。 Yttrium, neodymium, gadolinium, substitution of holmium or ytterbium is 0.5 or less in the range per molecule. アルミニウム、クロムまたはインジウムの置換量は、1分子当り0以上0.3以下の範囲である。 Aluminum, substitution of chromium or indium is 0 to 0.3 range per molecule. 本発明の置換TbI Replacement TbI of the present invention
Gは、単結晶をフラックス法、液相エピタキシャル法、 G is a single crystal flux method, a liquid phase epitaxial method,
ブリッジマン法、チョクラルスキー法等によって育成することができる。 Bridgman method, can be grown by the Czochralski method or the like. また、焼結法により多結晶体として製造することもできる。 It can also be prepared as a polycrystalline body by sintering. 特に、単結晶をフラックス法および液相エピタキシャル法によって育成するのが好ましい。 It is particularly preferable that the single crystal is grown by the flux method and a liquid phase epitaxial method.

【0009】フラックス法の場合は、酸化鉛(Pb [0009] In the case of flux method, lead oxide (Pb
O)、酸化ホウ素(B 25 )、フッ化鉛(Pb O), boron oxide (B 2 O 5), lead fluoride (Pb
2 )、酸化ビスマス(Bi 23 )、フッ化カリウム(KF)等の融剤(フラックス)に結晶原料を溶解し、 F 2), bismuth oxide (Bi 2 O 3), was dissolved crystal raw material in the flux (flux) such as potassium fluoride (KF),
高温で飽和溶液を作り、この溶液を徐冷することによって単結晶を析出、育成させる。 High temperature to make a saturated solution, precipitation of the single crystal by slowly cooling the solution, thereby fostering. 液相エピタキシャル法の場合は、Gd 3 Ga 512 、(GdCa) 3 (GaMgZ For liquid phase epitaxial method, Gd 3 Ga 5 O 12, (GdCa) 3 (GaMgZ
r) 512 、Sm 3 Ga 512等の非磁性ガーネット基板に、フラックス法の場合と同様に調製した飽和溶液を接触させることによって基板上に単結晶膜をエピタキシャル成長させる。 r) to 5 O 12, Sm 3 Ga 5 nonmagnetic garnet substrate of O 12 or the like, a single crystal film is epitaxially grown on the substrate by contacting the saturated solution prepared as in the case of the flux method. この場合、基板と単結晶膜の格子定数の差が大きいと単結晶膜にクラックが発生するため、成長させる単結晶膜の格子定数に合致した基板を選択する必要がある。 In this case, since the substrate and the cracks in the single crystal film having a large difference in lattice constant of the single crystal film is generated, it is necessary to select the substrate that matches the lattice constant of the single crystal film is grown.

【0010】このようにして得られた置換TbIGを用いると、光源の波長が変化しても特性の劣化が少なく、 [0010] Thus using the resulting substituted TbIG, even if the wavelength of the light source is changed little deterioration in characteristics,
広い波長帯域で特性が良好な光素子を製造することができる。 Characteristics in a wide wavelength band can be produced good optical element. このような光素子としては、光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ及び磁界センサを挙げることができる。 As such an optical element, mention may be made of an optical isolator, an optical circulator, an optical switch and a magnetic field sensor.

【0011】 [0011]

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of Examples, but the invention is not intended to be limited by long as examples without exceeding its gist. 実施例1 Tb 2.470.24 Bi 0.29 Fe 512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 A single crystal having the composition of Example 1 Tb 2.47 Y 0.24 Bi 0.29 Fe 5 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−267 The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal -267
deg/cm、FWCは0.6%であった。 deg / cm, FWC was 0.6%. 実施例2 Tb 2.680.10 Bi 0.22 Fe 512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 A single crystal having the composition of Example 2 Tb 2.68 Y 0.10 Bi 0.22 Fe 5 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−163 The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal -163
deg/cm、FWCは1.0%であった。 deg / cm, FWC was 1.0%.

【0012】実施例3 Tb 2.18 Nd 0.42 Bi 0.40 Fe 512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 [0012] The single crystal having the composition of Example 3 Tb 2.18 Nd 0.42 Bi 0.40 Fe 5 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−46 The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal -46
6deg/cm、FWCは0.4%であった。 6 deg / cm, FWC was 0.4%. 実施例4 Tb 2.44 Nd 0.24 Bi 0.32 Fe 512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 A single crystal having the composition of Example 4 Tb 2.44 Nd 0.24 Bi 0.32 Fe 5 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−34 The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal -34
3deg/cm、FWCは0.3%であった。 3deg / cm, FWC was 0.3%. 実施例5 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Example 5 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.39 Gd 0.24 Bi 0.37 Fe 512の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of Tb 2.39 Gd 0.24 Bi 0.37 Fe 5 O 12 from KeiToruzai were grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−375deg/cm、FWCは1. Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal film -375deg / cm, FWC 1.
5%であった。 It was 5%.

【0013】実施例6 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 [0013] Example 6 Sm 3 Ga 5 O 12 single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.35 Ho 0.23 Bi 0.42 Fe 512の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of Tb 2.35 Ho 0.23 Bi 0.42 Fe 5 O 12 from KeiToruzai were grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−440deg/cm、FWCは1. Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal film -440deg / cm, FWC 1.
6%であった。 It was 6%. 実施例7 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Example 7 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.37 Yb 0.23 Bi 0.40 Fe 512の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of Tb 2.37 Yb 0.23 Bi 0.40 Fe 5 O 12 from KeiToruzai were grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−409deg/cm、FWCは1. Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal film -409deg / cm, FWC 1.
3%であった。 It was 3%. 実施例8 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Example 8 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.25 Yb 0.23 Bi 0.52 Fe 512の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of Tb 2.25 Yb 0.23 Bi 0.52 Fe 5 O 12 from KeiToruzai were grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−580deg/cm、FWCは1. Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal film -580deg / cm, FWC 1.
7%であった。 It was 7%.

【0014】実施例9 Tb 2.37 Nd 0.23 Bi 0.40 Fe 4.95 Al 0.0512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 [0014] The single crystal having the composition of Example 9 Tb 2.37 Nd 0.23 Bi 0.40 Fe 4.95 Al 0.05 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−458deg/cm、FWCは0.9%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -458deg / cm, FWC was 0.9%. 実施例10 Tb 2.40 Nd 0.24 Bi 0.36 Fe 4.85 Al 0.1512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 A single crystal having the composition of Example 10 Tb 2.40 Nd 0.24 Bi 0.36 Fe 4.85 Al 0.15 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−392deg/cm、FWCは0.8%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -392deg / cm, FWC was 0.8%. 実施例11 Tb 2.46 Nd 0.24 Bi 0.30 Fe 4.95 Ga 0.0512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 A single crystal having the composition of Example 11 Tb 2.46 Nd 0.24 Bi 0.30 Fe 4.95 Ga 0.05 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−301deg/cm、FWCは0.2%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -301deg / cm, FWC was 0.2%.

【0015】実施例12 Tb 2.43 Nd 0.24 Bi 0.33 Fe 4.75 Ga 0.2512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 [0015] The single crystal having the composition of Example 12 Tb 2.43 Nd 0.24 Bi 0.33 Fe 4.75 Ga 0.25 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−320deg/cm、FWCは0.4%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -320deg / cm, FWC was 0.4%. 実施例13 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Example 13 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.43 Tb 2.43 Y from KeiToruzai 0.24 Bi 0.33 Fe 4.95 Cr 0.05 0.24 Bi 0.33 Fe 4.95 Cr 0.05 O
12の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of 12 were grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−322deg/cm、FW The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal film -322deg / cm, FW
Cは1.8%であった。 C was 1.8%. 実施例14 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Example 14 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.75 Gd 0.25 Bi 0.28 Fe 4.95 In 0.05 Tb from KeiToruzai 2.75 Gd 0.25 Bi 0.28 Fe 4.95 In 0.05
12の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of O 12 was grown by liquid phase epitaxial method. 得られた単結晶膜の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−249deg/cm、F The resulting Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the single crystal film -249deg / cm, F
WCは0.6%であった。 WC was 0.6%.

【0016】比較例1 Y 3 Fe 512の組成を有する単結晶を(YIG)フラックス法により育成した。 [0016] was grown by a single crystal having a composition of Comparative Example 1 Y 3 Fe 5 O 12 ( YIG) flux method. 得られた単結晶の波長1.5 Wavelength of the resultant single crystal 1.5
5μmにおけるファラデー回転係数は176deg/c Faraday rotation coefficient of 5μm is 176deg / c
m、FWCは1.9%であった。 m, FWC was 1.9%. 比較例2 Sm 3 Ga 512単結晶基板上に、PbO−Bi 23 Comparative Example 2 Sm 3 Ga 5 O 12 on a single crystal substrate, PbO-Bi 2 O 3
系融剤からTb 2.82 Bi 0.18 Fe 512の組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成した。 The single crystal film having a composition of Tb 2.82 Bi 0.18 Fe 5 O 12 was grown by the liquid phase epitaxial process from KeiToruzai. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−104deg/cm、FWCは5.9%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -104deg / cm, FWC was 5.9%.

【0017】比較例3 Tb 2.370.23 Bi 0.40 Fe 4.65 Al 0.3512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 [0017] The single crystal having a composition of Comparative Example 3 Tb 2.37 Y 0.23 Bi 0.40 Fe 4.65 Al 0.35 O 12 was grown by the flux method. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−352deg/cm、FWCは2.1%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -352deg / cm, FWC was 2.1%. 比較例4 Tb 2.05 Gd 0.20 Bi 0.75 Fe 4.95 In 0.0512の組成を有する単結晶をフラックス法により育成した。 The single crystal was grown by the flux method with the composition of Comparative Example 4 Tb 2.05 Gd 0.20 Bi 0.75 Fe 4.95 In 0.05 O 12. 得られた単結晶の波長1.55μmにおけるファラデー回転係数は−901deg/cm、FWCは2.1%であった。 Faraday rotation coefficient at a wavelength of 1.55μm of the obtained single crystal -901deg / cm, FWC was 2.1%.

【0018】 [0018]

【発明の効果】本発明によれば、波長1.55μm帯という光通信に使用する実用的な波長においてファラデー回転係数の波長変化が非常に小さい磁気光学素子が得られるため、半導体レーザー等の光源の発振波長が変化しても性能の劣化が小さい光アイソレータ、光スイッチ、 According to the present invention, since the practical wavelength change of the Faraday rotation coefficient at the wavelength is very small magneto-optical element used for optical communication with wavelengths 1.55μm band can be obtained, such as a semiconductor laser light source optical isolators, optical switches oscillation wavelength is small degradation in performance even if a change in,
光サーキュレータ、磁界センサー等の光素子を製造することができ、工業上非常に有用である。 Optical circulator, it is possible to manufacture an optical element such as a magnetic field sensor, it is industrially very useful.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉城 孝彦 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Takahiko Tamaki Setagaya-ku, Tokyo Kinuta chome No. 10, No. 11, Japan broadcasting Association broadcasting technology within the Institute

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 主成分組成が、 Tb 3-xZ Bi x Fe 5-yy12 (式中、Rはイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、 1. A main component composition, in Tb 3-x R Z Bi x Fe 5-y M y O 12 ( wherein, R is yttrium, neodymium, gadolinium,
    ホルミウムまたはイッテルビウムであり、Mはアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムであり、xは0.22≦x≦0.55であり、yは0≦y≦0.3であり、zは0<z≦0.5である。 A holmium, or ytterbium, M is aluminum, chromium, gallium or indium, x is 0.22 ≦ x ≦ 0.55, y is 0 ≦ y ≦ 0.3, z is 0 <z ≦ 0.5. )であることを特徴とする磁気光学材料。 ) Magneto-optical material, which is a.
  2. 【請求項2】 主成分組成が、 Tb 3-xZ Bi x Fe 5-yy12 (式中、Rはイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、 Wherein the main component composition, in Tb 3-x R Z Bi x Fe 5-y M y O 12 ( wherein, R is yttrium, neodymium, gadolinium,
    ホルミウムまたはイッテルビウムであり、Mはアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムであり、xは0.22≦x≦0.55であり、yは0≦y≦0.3であり、zは0<z≦0.5である。 A holmium, or ytterbium, M is aluminum, chromium, gallium or indium, x is 0.22 ≦ x ≦ 0.55, y is 0 ≦ y ≦ 0.3, z is 0 <z ≦ 0.5. )である単結晶をフラックス法で製造することを特徴とする磁気光学材料の製造法。 Preparation of magneto-optical material, characterized in that the) a is single crystal manufactured in the flux method.
  3. 【請求項3】 主成分組成が、 Tb 3-xZ Bi x Fe 5-yy12 (式中、Rはイットリウム、ネオジム、ガドリニウム、 3. A main component composition, in Tb 3-x R Z Bi x Fe 5-y M y O 12 ( wherein, R is yttrium, neodymium, gadolinium,
    ホルミウムまたはイッテルビウムであり、Mはアルミニウム、クロム、ガリウムまたはインジウムであり、xは0.22≦x≦0.55であり、yは0≦y≦0.3であり、zは0<z≦0.5である。 A holmium, or ytterbium, M is aluminum, chromium, gallium or indium, x is 0.22 ≦ x ≦ 0.55, y is 0 ≦ y ≦ 0.3, z is 0 <z ≦ 0.5. )である単結晶膜を液相エピタキシャル法で製造することを特徴とする磁気光学材料の製造法。 Preparation of magneto-optical material, characterized in that the) a is a single crystal film manufactured in the liquid phase epitaxial method.
  4. 【請求項4】 特許請求の範囲第1項記載の磁気光学材料を用いることを特徴とする光素子。 4. An optical element characterized by using a magneto-optic material ranging first claim of claims.
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