JPH0567077B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

Ａ 産業上の利用分野 Ｂ 従来技術 Ｃ 発明が解決しようとする問題点 Ｄ 問題点を解決するための手段 Ｅ 実施例 E1 例１ E2 例２ E3 例３ Ｆ 発明の効果 Ａ 産業上の利用分野 この発明は、銅をベースとする導電体を有する
多層セラミツク構造体を製造するために使用する
ことのできる技術に関する。 Ｂ 従来技術 従来より、多層ガラス・セラミツク構造体は、
電気回路基板及び装置の製造に使用されている。
これには多くの異なるタイプの構造体を使用する
ことができ、そのうちのいくつかを以下で説明す
る。例えば、多層セラミツク回路基板は、絶縁体
として働くセラミツク層の間に挟まれたパターン
化されだ導電体として働く金属層を有する。その
基板は、半導体チツプ、コネクタ・リード、キヤ
パシタ、抵抗器、覆いなどを取付けるための端末
パツドをもつように設計することができる。そし
て、埋設された導電レベル間に相互持続は、いわ
ゆる“バイア”によつて達成することができる。
バイアとは、積層に先立つて個々のガラス・セラ
ミツク層に形成された孔に金属ペーストを充填し
たものであり、焼結により、銅をベースとする導
電体からなる焼結された稠密な金属相互接続線と
なる。 一般的に、慣用的なセラミツク基板は、セラミ
ツク粒子と、熱可塑性ポリマ・バインダと溶剤と
を混合することによつて用意されたセラミツク・
グリーン（未焼結）シートから形成される。この
混合物はシートまたはスリツプ状に遅延されまた
は鋳造され、その後密着した自己支持的な可撓性
グリーン・シートを与えるために溶剤が揮発させ
られる。グリーン・シートは最終的には、ポリマ
結合用樹脂を駆逐し且つセラミツク粒子の稠密な
セラミツク基板に焼結凝集させるのに十分な温度
で焼かれる。 電気的基板を形成するために使用される導電体
は、モリブデン、タングステンのような融点の高
い金属であるかまたは金などの貴金属でよい。し
かし、銅及びその合金などのような電気抵抗が小
さく安価な導電体を使用することが望ましい。 多層セラミツク構造体に銅をベースとする導電
体を使用するには、バインダ樹脂及び溶剤の除去
と、セラミツク粒子を稠密なセラミツク基板に焼
結させる間に銅を酸化しないような処理技術を使
用することが必須である。多層ガラス・セラミツ
ク基板を製造するために提案されている方法の多
くは、構造体中の銅をベースとする導電体の酸化
を防止するため、窒素などの不活性ガス中でグリ
ーン・シートを焼くことを必要とする。しかし、
このことはしばしば、バインダ樹脂が完全に分解
しなかつたり、構造体内に炭質の残留物が形成さ
れたりすることの原因となり、以て構造体の機械
的強度及び（絶縁体をも含む）誘電的な特性を損
うことになる。 米国特許第4234367号は、銅をベースとした導
電体の、多重レベルで相互接続され厚膜回路パタ
ーンを有する焼結されたガラス・セラミツク基板
を形成するための方法を開示する。これらの基板
は、銅の融点より低い温度で、水素と水の制御さ
れた雰囲気中でガラス・セラミツクを焼くことに
より得られる。この制御された雰囲気は、銅に対
してわずかに還元性であるが、炭素に対しては常
に高度に酸化的であるため、樹脂バインダを除去
することができる一方で、酸化されていない銅を
有する基板が製造されるという訳である。 米国特許第4079156号は、非貴金属の酸化を防
止する方法を開示する。これにおいては、金属が
少くとも１つの酸化可能な材料と合金勝され、酸
化的な雰囲気中で厚膜回路部品を焼く間にその酸
化可能な材料が優先的に酸化される。 米国特許第4474731号は、セラミツクの焼結の
間に炭素残留物を除去する処理方法を開示する。
これにおいては、炭質残留物を蓄積することなく
低酸素雰囲気中でバインダ樹脂を除去することを
可能ならしめるために、熱分解触媒が利用され
る。銅の場合、この熱分解雰囲気は、銅の酸化を
最小限に抑えるために特定範囲の比率にある水素
と水蒸気を含むものであるとして開示されてい
る。 米国特許第4504339号は、銅をベースとする導
電体をもつ多層ガラス・セラミツク構造体を製造
するための方法を開示する。これにおいては、多
層構造体が、水蒸気を含み、その水蒸気の分圧が
0.005ないし0.3気圧である不活性雰囲気中で焼か
れる。 米国特許第4517155号は、多重電極セラミツ
ク・キヤパシタ上の銅末端端子を製造するための
方法を開示する。これにおいては、キヤパシタ
が、制御された分圧の酸素を含む窒素雰囲気中で
焼かれる。構造体に含まれている有機バインダの
焼却の間の推奨される雰囲気は、20ないし
200ppmの酸素を含む窒素からなる。内部焼却工
程の間には約50〜150ppmの酸素が好適である。
酸素分圧がそれより高いと、銅の成分の酸化につ
ながり、焼かれた端子の抵抗率が増大しはんだ付
けが困難になると言われている。 このように、上述の特許は、ガラス・セラミツ
クまたはセラミツクのバインダまたはビヒクルの
焼却の間に銅の酸化を防止するために、化学的に
中性または還元的な雰囲気を使用するか、雰囲気
の酸素の量を約200ppmまたはそれ以上の制御す
るか、銅を、酸素を捕捉する剤と合金化すること
に基づいている。しかし、酸化的な分解によりよ
り低い温度でバインダ樹脂を迅速に除去すること
を可能ならしめるために、200ppmレベル以上の
酸素の量を含む雰囲気を使用することができるよ
うな、銅をベースとする導電体をもつ多層セラミ
ツク構造体を提供することが望ましい。また、水
蒸気を含まない雰囲気中でそのような構造体を製
造する方法を与えることが望ましい。なぜなら、
水蒸気が存在すると、処理条件を注意深く制御し
ないと合体されたガラス・セラミツクと銅の積層
体が膨れたり多孔性になつたりするからである。
さらに、典型的には、銅をベースとする導電体の
焼結の開始は約250℃ないし400℃の温度範囲で行
なわれるのに対し、セラミツクの焼結は約800℃
で行なわれる。この焼結温度は差異は多層構造の
処理の間に寸法制御の問題をもたらす。よつて、
銅をベースとするメタラージを焼結する温度を高
めて、以てセラミツクが焼結される温度とその温
度がほぼ一致するようにする方法を与えることが
要望される。 Ｃ 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、銅をベースとする導電体を
酸化させることなく、200ppm以上の酸素を含む
雰囲気中で多層セラミツク構造体を焼結させる方
法を提供することにある。 この発明の他の目的は、多層セラミツク構造体
中の銅をベースとする導電体の焼結が開始される
温度を高めることにある。 Ｄ 問題点を解決するための手段 本発明によれば、銅をベースとする導電体をも
つ多層セラミツク構造体の製造において、銅をベ
ースとする導電体を酸化させることなく200ppm
以上の分子酸素を含む分子酸素含有の雰囲気を用
いて、構造体のセラミツク部分の形成に使用され
たポリマ・バインダ樹脂を除去または焼結する方
法が与えられる。本発明はまた、銅をベースとす
るメタラージの焼結が始まる温度を高め、以てこ
の温度が、構造体のセラミツク部分が焼結し始め
る温度により近づけることができるようにする方
法も与える。 本願発明者らは、ガラス・セラミツク構造体の
セラミツク部分のパイマ・バインダ樹脂を、銅を
ベースとする導電体を恒久的に酸化させることな
く５体積％のもの酸素を含む酸化的雰囲気中で焼
却できることを発見した。このバインダの焼却
は、約600℃までの温度で実行される。そして、
ポリマ・バインダ樹脂の焼却の後、その間に生じ
たわずかな銅の酸化は、約300℃ないし約600℃の
温度範囲で、フオーミング・ガスのような還元的
雰囲気中の処理によつて還元することができる。 さらに、メタラージ前駆物質（メタラージ前駆
（metallurgy precersor）とは、典型的には、銅
をベースとする粒子、ポリマ・バインダ、溶剤及
び界面活性剤を含むペーストである）を形成する
ために使用される銅をベースとする粒子に、適当
なポリマ材料の共形的コーテイングを付着するこ
とにより、銅をベースとするメタラージの焼結温
度の向上と、５体積％よりもはるかに多い分子酸
素の量を含む酸化雰囲気中でのセラミツク・グリ
ーン・シートのバンインダの焼却が可能ならしめ
られる。50％の酸素を含む雰囲気の使用が実際に
試行され、少くとも100％までの酸素の量も有用
であると思われる。バインダの焼結がきわめて高
い酸化的雰囲気で行なわれる場合には、パリマ材
料の共形的コーテイングは、少くとも銅をベース
とする粒子の表面を酸化的雰囲気から離隔しつつ
セラミツク・グリーン・シートのバインダを焼却
する温度で熱的に安定、すなわち熱分解しないか
または、その共形的コーデイングは、銅をベース
とする粒子を酸化から保護し得る共形的組成物に
分解しなくてはならない。 金属を含む有機金属ポリマは、酸化的雰囲気中
で分解されて、銅をベースとするメタラージ前駆
物質の粒子を酸化から保護し得る金属酸化物、金
属カーバイドまたは金属酸化カーバイドを生成す
るものであつて、本発明の方法における好適な共
形的コーテイングのうち一つである。これらの有
機金属ポリマは、周期律表におけるＡ属の有
機、Ａ属の金属、Ｂ属の金属及びＢ属の金
属を含む。Ａ属の金属の例としてはアルミニウ
ムがある。Ａ属の金属の例としてはスズ、ゲル
マニウム及びシリコンである。属の金属の例と
してはチタン及びジルコニウムがある。Ｂ属の
金属の例としてはタングステン及びモリブデンが
ある。有機金属ポリマの好適な金属部分はチタ
ン、シリコン及びスズであり、最も好ましいのは
シリコンである。 少くともバインダが焼却される温度で熱的に安
定であるかまたは許容し得る共形コーテイングを
与えるように分解するポリマには、例えばポリイ
ミド、マレイミド、ポリキノキサリン、、ポリフ
エニル、アセチレン末端ポリイミド、アセチレン
末端ポリイミド、イミドとシロキサン成分を含む
共重合体、及びシリコーンがある。 熱的に安定な共形コーテイングを与えるために
付着することのできる好適なポリマ材料には、ア
セチレン末端ポリイソイミドとしてのポリイミド
前駆物質などのポリマがある。許容し得る共形コ
ーテイングを与えるように分解する好適なポリマ
材料には、イミドとシロキサン成分を含む共重合
体、及びシリコーン樹脂がある。 セラミツク・バンインダの焼却の間にメタラー
ジ前駆物質の銅をベースとする粒子を保護するた
めにポリイミド共形コーテイングを使用する場合
には、多層構造体は、十分な共形コーテイングが
銅をベースとする粒子を保護するのを可能としつ
つセラミツク・バインダ樹脂の分解を行わせるに
適当な温度において酸化雰囲気中で焼かれる。そ
して、バインダの焼却の後銅をベースとする粒子
上に残留する共形コーテイングは構造体のセラミ
ツク部分の焼結の間に除去される。この焼結は不
活性雰囲気中で実行される。銅をベースとするメ
タラージ中にはきわめてわずかな量の炭素が形成
されるが、これらは銅をベースとするメタラージ
の凝集度または電気的特性に重大な影響を与える
ものではない。 メタラージ前記物質の銅をベースとする粒子を
保護するためにシリコンを含有するポリマ共形コ
ーテイングを使用する場合、多層構造体は酸化的
雰囲気において、セラミツク・バインダ樹脂の分
解を与え且つ、銅をベースとするメタラージ前駆
物質の粒子の表面に金属酸化物、金属カーバイド
または金属酸化カーバイドが残留するように共形
コーテイングのポリマ部分を分解させるに十分な
温度で焼かれる。 銅をベースとする粒子上に残留する共形コーテ
イングは、それがポリマ自体であれ、金属酸化物
であれ、金属カーバイドであれあるいは金属酸化
カーバイドであれ、銅の酸化を防止するのみなら
ず、そのような共形コーテイングが銅をベースと
するメタラージの焼結を可能ならしめるべく適宜
分解あるいは劣化する温度までは銅をベースとす
るメタラージ前駆物質の焼結を防止する働きをも
つ。 セラミツク・バインダの焼却の後は、多層構造
体は、不活性雰囲気中で、残留する共形コーテイ
ングを除去するとともに、銅をベースとするメタ
ラージ及び多層構造体のセラミツク部分を焼結す
るのに適当な温度まで加熱される。尚、その加熱
の初期には、わずかに酸化した銅を金属銅に還元
することも可能ならしめるために還元的雰囲気を
使用することが望ましい。 熱的に安定なポリマ材料を設けることの目的が
単に銅をベースとするメタラージ前駆物質の焼結
が開始される温度を高めることのみにある場合、
その熱的に安定なポリマ材料を共形的にすべての
銅表面にコーテイングする必要はない。実際、も
し処理の雰囲気が酸化的でない場合には、銅の表
面を部分的にのみコーテイングするかまたは熱的
に安定なポリマ材料を銅をベースとするメタラー
ジ前駆物質に接触させるのが適当である。 Ｅ 実施例 E1 例１ 次のものを有する分散剤が作成された。 (a) 接着促進剤で処理された平均粒子サイズ約
3μｍの銅粒子。この場合、接着促進剤はγア
ミノプロピル−トリエトキシシランであつた
が、任意のシランまたはチタネートをベースと
する接着促進剤でもよい。尚、この接着促進剤
による処理は、望ましいものではあるが、必須
ではないことに留意されたい。 (b) アチチレン末端ポリイソイミド（ナシヨナ
ル・スターチ社（National Starch Corp.）の
ThermidIP−600）の溶液。 IP−600の溶液は、テトラヒドロフラン
（THF）中に５重量％で溶かされたものである
が、ジグリム、シクロヘキサノン、アセトン・ト
ルエン混合物、または非プロトン性溶剤及びエー
テル性溶剤などの他の溶剤をTHFの代わりに使
用することもできる。この分散剤に加えられた溶
液の量は、ポリイソイミドの濃度が銅の５重量％
であるように設計されたが、銅に対して１ないし
５重量％の範囲のポリイソイミド濃度でも、本発
明の範囲内で良好な特性を示すコーテイングされ
た銅粒子が得られた。 ポリイミドがTHFの溶液から銅粒子の表面上
に沈澱するように、ポリイソイミドの非溶剤であ
る、ヘキサンが分散剤に加えられた。その後、コ
ーテイングされた銅粒子が分散剤から濾過され
た。コーテイングされた粒子上に残留するTHF
溶剤は減圧下で蒸発させることにより除去され
た。尚、必要ではないけれども、コーテイングさ
れた粒子を、そのポリマ・コーテイング材料の非
溶剤で洗浄しその後残留する溶剤を蒸発により除
去することが望ましい。こうして得られたコーテ
イングされた銅粒子は約2.5％のポリイソイミド
を有し、これは、平均的には約0.1μｍのコーテイ
ング厚に対応する。 銅粒子にコーテイングを付着するこの方法は、
本発明中で述べた任意のポリマ材料に適用するこ
とができる。 スプレー乾燥もまた、コーテイングされ封止さ
れた銅粒子を作成する方法として使用された。ど
ちらの方法でもよいが、溶液から銅粒子の表面に
ポリマを沈澱させる方が均一なコーテイングが達
成されるので好ましい。 “乾燥された”コーテイングされた銅粒子は窒
素中で約350℃で約２時間加熱され、これにより
ポリイソイミドのイミド化及び架橋が達成され
た。コーテイングされた銅粒子は、酸化的雰囲気
中の安定性につき熱重量分析（TGA）を用いて
評価された。さらに、コーテイングされた粒子は
さまざまな温度で焼かれ、その結果得られた構造
は、架橋ポリイミド・コーテイングによる銅の焼
結の遅延を測定するために検査された。 コーテイングされた銅粒子のTGAデータは、
銅粒子上のポリマ・コーテイングの厚さに応じて
約500℃から約700℃の範囲の温度における粒子の
酸化に対する安定性を実証した。すなわち、未処
理の銅は約200℃で酸化を始めるか、コーテイン
グされた銅粒子は約500〜700℃まで何ら認めうる
酸化の微候（重量の増加）で示さなかつた。酸化
の安定性を測定した後、銅粒子は窒素雰囲気（任
意で不活性雰囲気でもよい）中で焼結され、その
焼結温度は約780℃ないし790℃であると認められ
た。 セラミツク・バインダ寿胃の焼結の間に銅を酸
化から保護するために使用できるとともに、銅を
ベースとするメタラージの焼結が始まる温度を上
昇させるという点で利点を与える他のポリマ材料
としては、前述の、シリコン含有樹脂などの金属
含有樹脂がある。これらの金属含有樹脂は酸化的
雰囲気中で分解して銅の表面に金属酸化物を形成
し、以て銅自体を酸化から保護する。シリコン含
有樹脂は、分解して銅の表面にシリコン酸化物、
シリコン・カーバイド・シリコン酸化カーバイド
を形成する。これらの分解生成物は、銅を酸化か
ら防止し、銅メタラージの尚早の焼結を防止す
る。 シリコン含有有機金属のうちで特に、イミドと
シロキサン部分を含み、シロキサン部分が内部可
塑剤として働く共重合体が好ましい。そのような
共重合体は、ランダムまたはブロツクのどちらの
共重合体でもよい。 イミドとシロキサン部分を含む共重合体はバイ
ンダの焼却の間に銅の表面を酸化から保護するの
に特に有効であることが分かつている。そのよう
な樹脂の市販されている例として、Ｍ＆Ｔ
Chemicals IncのＭ＆T2065及びＭ＆T4605と、
Leupont ChemicalsのRC−2566がある。 E2 例２ Ｍ＆T2065シロキサンで変性されたポリイミド
をジグリム中に５重量％溶かした溶液が用意され
た。この溶液は、例２で説明した分散剤を形成す
るために、予め接着促進剤で処理された約3μｍ
の平均粒子サイズの分布の銅粉末と混合された。
コーテイングされた銅粒子は例２で説明したのと
同一の技術を用いて分散剤から得られた。例のコ
ーテイングの付着方法も約3μｍから約5μｍの範
囲の平均粒子サイズ分布をもつ満足のゆくコーテ
イングされた銅粒子を与えるけれども、コーテイ
ングされた最も均一な粒子は、溶液から銅粒子の
表面上にポリマを沈澱させることにより達成され
た。 次に示す３つの態様の銅粉末があり、その各々
がシロキサン変性ポリイミド溶液により分散剤を
作成するために使用された。 (1) 未処理の銅粉末 (2) 約15分間、希釈されたHNO₃の緩和酸エツチ
ングを用いて清浄化された銅粉末 (3) γアミノプロピルトリエチオキシシランまた
は４−アミノフタルロニトリルなどの接着促進
剤で処理された銅粉末 この３つのうちどの態様も、コーテイングされ
た銅粒子を用いて製造された銅メタラージの評価
において満足のゆく結果を与えるコーテイングサ
された銅粒子を与え得る。しかし、共形コーテイ
ングを保証するためには、酸でエツチングされた
銅粒子と、銅をベースとするメタラージ前駆物質
の粒子と共形コーテイング・パリマ材料の間の結
合剤として働く接着促進剤を使用することが最も
好ましい。共形コーテイング・ポリマ材料がポリ
マイミドである場合、好適な接着促進剤には、ア
ルミニウム・キレート及びアミン末端シランがあ
る。 銅粒子上のシロキサン変性ポリイミド共形コー
テイングは次のような処理サイクルに従つて硬化
された。すなわち、100℃で30分、その後200℃で
30分、その後300℃で約２時間であつた。この硬
化の間に残留低分子量有機化合物が揮発されて除
去され、これによりコーテイングの可溶性が減少
し熱的安定性が高められた。銅粒子上のコーテイ
ングの硬化の後、コーテイングされた銅粒子はペ
レツト状に圧縮され、そのペレツトは、酸化的雰
囲気中にさらされ次に、約10％の水素と約90％の
窒素からなるフオーミング・ガス中で焼結され
た。 以下の表１は、コーテイングされていない銅粒
子のペレツトと、シロキサン変性ポリイミドでコ
ーテイングされた銅粒子のペレツトについての動
的な熱重量分析データを示すものである。このと
きの雰囲気は空気であり、加熱速度は10℃／分で
あつた。

【表】 表１において、24％の重量増加は、ペレツト状
銅の完全な酸化をあらわしている。酸化的雰囲気
にさらされたとき約６％の重量増加を示すコーテ
イングされた銅のペレツトは次にフオーミング
ン・ガス中で約965℃で焼結され、理論的な密度
の約98％及び約94％の間の範囲の銅メタラージが
得られた。この密度は、銅をベースとする導電体
を含む多層ガラス・セラミツク構造体を実際に製
造する場合に使用される典型的なメタラージ前駆
物質のペースト中にコーテイングされた銅粒子が
組み込まれるときに得られる密度とよく相関して
いる。 銅粒子上の共形コーテイングの目的の少くとも
１つが、セラミツク・グリーン・シート・バイン
ダ樹脂の焼却の間に銅の酸化を防止することにあ
る場合、そのコーテイングの厚さが、熱処理条件
に耐えてコーテイングが残り銅を雰囲気にさらす
ことのないように適切な値であることが重要であ
る。次に示すデータはきわめて予備的なものであ
り本発明をその値に限定する意図はないけれど
も、本願発明者らの実験によれば、約0.02μｍか
ら約0.1μｍの範囲のコーテイングの厚さが好適で
あつた。このことは、コーテイングされた銅粒子
の約0.5％から4.0％の重量比のコーテイングに対
応する。より厚いコーテイングも可能であるけれ
ども、コーテイングが厚いと、銅メタラージの焼
結に先立つてあるいは焼結の間に除去すべきポリ
マ残留物が増加し、あまりにもコーテイングが厚
いと銅メタラージの焼結が不可能になるかもしれ
ない。 熱的に安定なポリマ材料の存在が、銅メタラー
ジが焼結を開始する温度を高めるためのみである
場合、コーテイングはあまり厚い必要はなく、実
際、もし処理雰囲気が酸化的でないなら、粒子が
完全にコーテイングされる、すなわちコーテイン
グが共形的である必要すらない。 セラミツク・バインダ樹脂の焼却の間に銅のメ
タラージを保護するために使用することのできる
他のシリコン含有ポリマ材料としては、市販され
ているシリコーンがある。このシリコーン・ポリ
マは、イミド及びシロキサン部分を有する共重合
体のコーテイングの場合につき前述したのと同一
の技術により銅粒子の表面に塗布することができ
る。さらに、シリコーン・ポリマを銅の表面上に
吸収させるために、シリコーン樹脂を銅メタラー
ジ前駆物質の組成中にドライ・ブレンドする技術
もまた特に有用なコーテイング技術である。 E3 例３ 複数の異なるシリコーン樹脂の各々が、約１％
ないし約２％の樹脂と、約98％ないし約100％の
銅を含む銅メタラージ組成中にドライ・ブレンド
された。ドライ・ブレンドは、直接的吸収によつ
て銅粒子上にコーテイングを与えた。このドラ
イ・ブレンドはペレツト化され、そのペレツトは
400℃で１時間、窒素：酸素が50：50の雰囲気に
さらされた。その後、ペレツトは、フオーミン
グ・ガス中で約960℃の温度で焼結された。以下
の表２は、酸化的雰囲気にさらした間のペレツト
の重量の増加と、焼結後に得られるメタラージの
理論的密度の％を示すものである。

【表】 これらの条件下で、９％の重量増加コーテイン
グされていない銅粒子には典型的な値である。
SRとGEのシリコン・ポリマは
GeneralElectricCo.から入手可能である。シリコ
ン・ポリマのコーテイングは、銅の酸化を防止す
るのみならず、銅の焼結の開始を遅らせる働きも
行なう。これにより、セラミツクが焼結する温度
により近い温度までの銅の焼結が防止され、コー
テイングに使用される特定のシリコーン・ポリマ
によれば、銅とセラミツクとの共時的焼結も可能
となる。上述のシリコーン・ポリマなどの高いシ
リコン量のポリマ・コーテイングを使用すると、
シリコンの存在によりメタラージの密度が低くな
る。 Ｆ 発明の効果 以上説明したように、この発明によれば、多層
セラミツク構造体の構造において、銅をベースと
する導電体に、ポリマ材料のコーテイングを形成
するようにしたので、高い酸素濃度中でバインダ
樹脂の焼却を行なつても銅がほとんど酸化される
ことがない。また、ポリマ材料のコーテイング
は、銅をベースとする導電体の焼結温度を高め、
その温度をセラミツクの焼結温度に近づけるの
で、セラミツクと導電体の焼結温度の差に起因す
る熱膨張による歪みなどを解消する効果を与え
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 銅をベースとする金属導体の内部パターンを
   もつ多層セラミツク・パツケージ構造体を形成す
   る方法において、 (a) 少なくともセラミツクまたはガラス・セラミ
   ツク材料と有機バインダ材料からなる複数のグ
   リーン・シートを用意する工程と、 (b) 上記銅をベースとする金属の粒子を、該金属
   の粒子の周囲で共形層を形成する分解生成物を
   形成するように分解し得る有機金属ポリマ材料
   でコーテイングする工程と、 (c) 少なくとも上記コーテイングされた金属の粒
   子とバインダを有する導電ペーストを用意する
   工程と、 (d) 上記導電ペーストのパターンを、上記複数の
   グリーン・シートに適用する工程と、 (e) 上記導電ペーストのパターンを適用された複
   数のグリーン・シートを積層する工程と、 (f) 上記積層されたグリーン・シートを、酸化雰
   囲気中で、上記グリーン・シートからの上記有
   機バインダ材料の除去をもたらすには十分であ
   るが、上記共形層を除去するには十分でない第
   １の温度まで加熱する工程と、 (g) 上記酸化雰囲気を、不活性雰囲気に置き換え
   る工程と、 (h) 上記積層されたグリーン・シートを、上記不
   活性雰囲気で、上記セラミツクまたはガラス・
   セラミツク材料の焼結と上記銅をベースとする
   金属の粒子の焼結を引き起こすには十分である
   が、上記銅をベースとする金属の粒子を溶融さ
   せるには十分でない第２の温度まで加熱する工
   程を有する、 多層セラミツク構造体の製造方法。 ２ 銅をベースとする金属導体の内部パターンを
   もつ多層セラミツク・パツケージ構造体を形成す
   る方法において、 (a) 少なくともセラミツクまたはガラス・セラミ
   ツク材料と有機バインダ材料からなる複数のグ
   リーン・シートを用意する工程と、 (b) 金属を含まないポリマ材料の溶液を用意し、
   該ポリマ材料の溶液中に上記銅をベースとする
   金属の粒子を分散させて上記銅をベースとする
   金属の粒子に表面に該ポリマ材料を沈殿させる
   ことにより、上記銅をベースとする金属の粒子
   の表面を、該ポリマ材料でコーテイングする工
   程と、 (c) 少なくとも上記コーテイングされた金属の粒
   子とバインダを有する導電ペーストを用意する
   工程と、 (d) 上記導電ペーストのパターンを、上記複数の
   グリーン・シートに適用する工程と、 (e) 上記導電ペーストのパターンを適用された複
   数のグリーン・シートを積層する工程と、 (f) 上記積層されたグリーン・シートを、酸化雰
   囲気中で、上記グリーン・シートからの上記有
   機バインダ材料の除去をもたらすには十分であ
   るが、上記コーテイング層を除去するには十分
   でない第１の温度まで加熱する工程と、 (g) 上記酸化雰囲気を、不活性雰囲気に置き換え
   る工程と、 (h) 上記積層されたグリーン・シートを、上記不
   活性雰囲気で、上記セラミツクまたはガラス・
   セラミツク材料の焼結と上記銅をベースとする
   金属の粒子の焼結を引き起こすには十分である
   が、上記銅をベースとする金属の粒子を溶融さ
   せるには十分でない第２の温度まで加熱する工
   程を有する、 多層セラミツク構造体の製造方法。 ３ 上記金属の粒子は、上記段階(b)の前に、接着
   促進剤で処理されることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載の多層セラミツク構造体の製造方
   法。