JPH0559876B2 - - Google Patents
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- JPH0559876B2 JPH0559876B2 JP62181722A JP18172287A JPH0559876B2 JP H0559876 B2 JPH0559876 B2 JP H0559876B2 JP 62181722 A JP62181722 A JP 62181722A JP 18172287 A JP18172287 A JP 18172287A JP H0559876 B2 JPH0559876 B2 JP H0559876B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、チヨクラルスキー法による単結晶製
造装置に用いられ、結晶育成前の融液面上下方向
位置を調整する融液面初期位置調整装置に関す
る。
造装置に用いられ、結晶育成前の融液面上下方向
位置を調整する融液面初期位置調整装置に関す
る。
［従来の技術及びその問題点］
シリコン単結晶棒は、ウエハー切断前に、径が
仕上がりしろになるまで外周面が研磨される。そ
の削りしろは、当然小さいほうが好ましいが、各
種の理由により、小さくするには限度がある。特
に、近年においては、チヨクラルスキー法により
製造されるシリコン単結晶棒は径が大きい（例え
ば、直径158mm）ので、削りしろに対する研削体
積の割合が大きくなり、製造コスト上問題とな
る。例えば、削りしろが１mmであつても、結晶棒
長600mm、直径158mmの場合には、研削体積は298
cm3にもなる。製造コスト低減の要請が特に強い近
年においては、削りしろを短くする意義は特に大
きい。
仕上がりしろになるまで外周面が研磨される。そ
の削りしろは、当然小さいほうが好ましいが、各
種の理由により、小さくするには限度がある。特
に、近年においては、チヨクラルスキー法により
製造されるシリコン単結晶棒は径が大きい（例え
ば、直径158mm）ので、削りしろに対する研削体
積の割合が大きくなり、製造コスト上問題とな
る。例えば、削りしろが１mmであつても、結晶棒
長600mm、直径158mmの場合には、研削体積は298
cm3にもなる。製造コスト低減の要請が特に強い近
年においては、削りしろを短くする意義は特に大
きい。
この削りしろは、結晶径制御の速応性及び安定
性を向上させることにより短くすることができる
が、単結晶製造装置に用いられる結晶径測定装置
の測定精度を向上させることによつても短くする
ことができる。
性を向上させることにより短くすることができる
が、単結晶製造装置に用いられる結晶径測定装置
の測定精度を向上させることによつても短くする
ことができる。
従来では、石英坩堝内の融液の深さの初期値
は、加熱熔融される前のポリシリコンの重量を測
定し、融液の比重を用いて算出していた。
は、加熱熔融される前のポリシリコンの重量を測
定し、融液の比重を用いて算出していた。
しかし、石英坩堝は、外径の精度はよいが、製
作上、内径のばらつきが大きい。また、使用によ
り、シリコンが石英坩堝の内壁に付着する。さら
に、使用により、坩堝の内壁が溶けて内径が大き
くなる。これらのことから、融液深さが算出値に
は±３mm程度の誤差が生ずることがあつた。この
ため、結晶径の測定誤差を0.3mm程度も大きくす
る原因になつていた。
作上、内径のばらつきが大きい。また、使用によ
り、シリコンが石英坩堝の内壁に付着する。さら
に、使用により、坩堝の内壁が溶けて内径が大き
くなる。これらのことから、融液深さが算出値に
は±３mm程度の誤差が生ずることがあつた。この
ため、結晶径の測定誤差を0.3mm程度も大きくす
る原因になつていた。
本発明の目的は、上記事実に鑑み、結晶径測定
装置の測定精度を向上させることが可能な融液面
初期位置調整装置を提供することにある。
装置の測定精度を向上させることが可能な融液面
初期位置調整装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る融液面初期位置調整装置では、
坩堝内融液の融液面の上下方向位置を測定する
融液面初期位置測定装置と、 結晶育成前に、該融液面と結晶径測定用イメー
ジセンサとの間の距離が所定値になるよう該坩堝
を上下動させる手段と、 を有することを特徴としている。
融液面初期位置測定装置と、 結晶育成前に、該融液面と結晶径測定用イメー
ジセンサとの間の距離が所定値になるよう該坩堝
を上下動させる手段と、 を有することを特徴としている。
［実施例］
図面に基づいて本発明の実施例を説明する。第
１図には、融液面初期位置調整装置の構成が示さ
れている。
１図には、融液面初期位置調整装置の構成が示さ
れている。
坩堝移動軸１０の上端に支持されたグラフアイ
ト坩堝１２には、ポリシリコンが所定重量入れら
れた石英坩堝１４が嵌入されており、このポリシ
リコンは、グラフアイト坩堝１２を囲繞する図示
しないヒータにより加熱熔融されて、融液１６に
なる。この坩堝移動軸１０は、モータ１８の回転
により上下動され、融液１６の上面（融液面１６
Ａ）位置が所定位置になるよう調整される。坩堝
移動軸１０の上下方向の位置は、下限位置検出器
２０及び坩堝移動軸１０の移動量に比例した数の
パルスを出力するパルスジエネレータ２２により
検出される。
ト坩堝１２には、ポリシリコンが所定重量入れら
れた石英坩堝１４が嵌入されており、このポリシ
リコンは、グラフアイト坩堝１２を囲繞する図示
しないヒータにより加熱熔融されて、融液１６に
なる。この坩堝移動軸１０は、モータ１８の回転
により上下動され、融液１６の上面（融液面１６
Ａ）位置が所定位置になるよう調整される。坩堝
移動軸１０の上下方向の位置は、下限位置検出器
２０及び坩堝移動軸１０の移動量に比例した数の
パルスを出力するパルスジエネレータ２２により
検出される。
シリコン単結晶は、種ホルダ２４に保持された
種結晶２６の先端が融液１６に浸けられた後、引
き上げられて製造される。このシリコン単結晶と
融液１６との界面における結晶直径Ｄは、工業用
テレビカメラ２８の出力信号を処理することによ
り測定される。
種結晶２６の先端が融液１６に浸けられた後、引
き上げられて製造される。このシリコン単結晶と
融液１６との界面における結晶直径Ｄは、工業用
テレビカメラ２８の出力信号を処理することによ
り測定される。
しかし、工業用テレビカメラ２８と融液面１６
Ａとの間の距離Ｌが変化すると、正確な結晶直径
Ｄを測定することができない。
Ａとの間の距離Ｌが変化すると、正確な結晶直径
Ｄを測定することができない。
そこで、本実施例では、融液１６の上方に配設
された基準位置検出器３０と融液面１６Ａとの間
の距離Ｈを正確に判定した後、前記距離Ｌが設定
値L0になるよう坩堝移動軸１０を上下動させる
ことにより、正確な結晶直径Ｄを測定するように
なつている。以下にこれを詳述する。
された基準位置検出器３０と融液面１６Ａとの間
の距離Ｈを正確に判定した後、前記距離Ｌが設定
値L0になるよう坩堝移動軸１０を上下動させる
ことにより、正確な結晶直径Ｄを測定するように
なつている。以下にこれを詳述する。
種ホルダ２４の上端はワイヤロープ３２の一端
に固着され、ワイヤロープ３２の他端はドラム３
４に固着され、ドラム３４の周面に刻設された螺
旋溝にワイヤロープ３２が巻回されている。ドラ
ム３４は、モータ３６により回転駆動されるとと
もに、モータ３６によりねじ棒（図示せず）が回
転されて軸方向へ駆動され、ドラム３４から巻き
出されたワイヤロープ３２が水平方向へ曲げられ
ず垂下し、ガイド３８を通つてさらに垂下するよ
うになつている。したがつて、ドラム３４の回転
量を測定することにより、ワイヤロープ３２の上
下方向移動量を正確に測定することができる。
に固着され、ワイヤロープ３２の他端はドラム３
４に固着され、ドラム３４の周面に刻設された螺
旋溝にワイヤロープ３２が巻回されている。ドラ
ム３４は、モータ３６により回転駆動されるとと
もに、モータ３６によりねじ棒（図示せず）が回
転されて軸方向へ駆動され、ドラム３４から巻き
出されたワイヤロープ３２が水平方向へ曲げられ
ず垂下し、ガイド３８を通つてさらに垂下するよ
うになつている。したがつて、ドラム３４の回転
量を測定することにより、ワイヤロープ３２の上
下方向移動量を正確に測定することができる。
ドラム３４の回転軸には、ドラム３４の回転量
に比例した数のパルス及び正逆転信号を出力する
パルスジエネレータ４０の回転軸が連結されてい
る。このパルス及び正逆転信号はカウンタ４１の
パルス入力端子及びアツプ／ダウン制御端子に供
給され、種結晶２６の降下、上昇にともないパル
ス数がカウントアツプ、カウントダウンされる。
そのカウント値は、種結晶２６が降下して基準位
置検出器３０により種結晶２６の下端が検出され
ると、リセツトされる。
に比例した数のパルス及び正逆転信号を出力する
パルスジエネレータ４０の回転軸が連結されてい
る。このパルス及び正逆転信号はカウンタ４１の
パルス入力端子及びアツプ／ダウン制御端子に供
給され、種結晶２６の降下、上昇にともないパル
ス数がカウントアツプ、カウントダウンされる。
そのカウント値は、種結晶２６が降下して基準位
置検出器３０により種結晶２６の下端が検出され
ると、リセツトされる。
第２図には、基準位置検出器３０の構成例が示
されており、この例では、投光器６０からの放射
光線が種結晶２６の先端により遮られて受光器６
２に到達しなかつたとき、種結晶２６が基準位置
にあることが検知される。この投光器６０、受光
器６２は、例えばチヤンバー上方のシヤツター上
に設けられ、種結晶２６の下端検出後にモータ３
６の回転が一旦停止され、シヤツターが開かれた
後にモータ３６が再度回転されて種結晶２６が下
降する。
されており、この例では、投光器６０からの放射
光線が種結晶２６の先端により遮られて受光器６
２に到達しなかつたとき、種結晶２６が基準位置
にあることが検知される。この投光器６０、受光
器６２は、例えばチヤンバー上方のシヤツター上
に設けられ、種結晶２６の下端検出後にモータ３
６の回転が一旦停止され、シヤツターが開かれた
後にモータ３６が再度回転されて種結晶２６が下
降する。
種結晶２６とドラム３４を支持するベース４２
との間及び融液１６と坩堝移動軸１０の軸受４４
との間は、それぞれ電気的に接続されている。こ
のベース４２には直流電源４６の一方の出力端子
が接続され、軸受４４には抵抗器４８を介して直
流電源４６の他方の出力端子が接続されており、
ワイヤロープ３２を巻き出して種結晶２６を融液
１６に接触させると、電流が流れて抵抗器４８の
端子間に電圧Ｖが生じる。この電圧Ｖは、比較器
５０により、直流電源４６から供給される基準電
圧V0と比較され、V0＜Ｖであると比較器５０の
出力電圧がハイレベルになる。
との間及び融液１６と坩堝移動軸１０の軸受４４
との間は、それぞれ電気的に接続されている。こ
のベース４２には直流電源４６の一方の出力端子
が接続され、軸受４４には抵抗器４８を介して直
流電源４６の他方の出力端子が接続されており、
ワイヤロープ３２を巻き出して種結晶２６を融液
１６に接触させると、電流が流れて抵抗器４８の
端子間に電圧Ｖが生じる。この電圧Ｖは、比較器
５０により、直流電源４６から供給される基準電
圧V0と比較され、V0＜Ｖであると比較器５０の
出力電圧がハイレベルになる。
この基準電圧V0は、様々な条件の下で種結晶
接触時の電圧Ｖを多数回実測し、Ｖ＜V0が常に
成立するように設定される。
接触時の電圧Ｖを多数回実測し、Ｖ＜V0が常に
成立するように設定される。
出力電圧12Vの直流電源４６を用いて抵抗器４
８の端子間電圧Ｖの変化を測定したところ、第４
図に示すような結果が得られた。図中、点Ａは融
液１６への種結晶２６の浸漬時であり、点Ｂは融
液１６からの結晶棒テイル部切り離し時である。
８の端子間電圧Ｖの変化を測定したところ、第４
図に示すような結果が得られた。図中、点Ａは融
液１６への種結晶２６の浸漬時であり、点Ｂは融
液１６からの結晶棒テイル部切り離し時である。
ここで、従来では、石英坩堝は絶縁体と理解さ
れていたが、試験の結果、本発明者は、1000℃以
上の高温になると導電性を示すことを知見した。
また、石英坩堝が絶縁体であると理解されていた
ことに加え、石英坩堝の外表面は粗面であり、寸
法にばらつきがあるので、これが嵌合されるグラ
フアイト坩堝との間の電気的接触が不充分である
と考えられていた。このため、僅か12Vの直流電
圧の印加で50ｍＡもの電流が流れるとは到底想像
できなかつた。
れていたが、試験の結果、本発明者は、1000℃以
上の高温になると導電性を示すことを知見した。
また、石英坩堝が絶縁体であると理解されていた
ことに加え、石英坩堝の外表面は粗面であり、寸
法にばらつきがあるので、これが嵌合されるグラ
フアイト坩堝との間の電気的接触が不充分である
と考えられていた。このため、僅か12Vの直流電
圧の印加で50ｍＡもの電流が流れるとは到底想像
できなかつた。
比較器５０の出力信号はコントローラ５６へ供
給されており、コントローラ５６は、種結晶２６
が融液１６に接触してＶ＞V0が検出されると、
モータ３６を逆転させてワイヤロープ３２を少し
巻き上げ、種結晶２６を融液１６から離間させ
る。また、Ｖ＞V0が検出された時点でカウンタ
４１のカウント値を読み取り、コントローラ５６
に記憶されている設定値と比較し、モータ１８を
回転させてパルスジエネレータ２２の出力パルス
をカウントし、工業用テレビカメラ２８と融液面
１６Ａとの間の距離Ｌが設定値L0になるよう坩
堝移動軸１０を上下動させる。
給されており、コントローラ５６は、種結晶２６
が融液１６に接触してＶ＞V0が検出されると、
モータ３６を逆転させてワイヤロープ３２を少し
巻き上げ、種結晶２６を融液１６から離間させ
る。また、Ｖ＞V0が検出された時点でカウンタ
４１のカウント値を読み取り、コントローラ５６
に記憶されている設定値と比較し、モータ１８を
回転させてパルスジエネレータ２２の出力パルス
をカウントし、工業用テレビカメラ２８と融液面
１６Ａとの間の距離Ｌが設定値L0になるよう坩
堝移動軸１０を上下動させる。
ここで、基準位置検出器３０の配設位置は結晶
棒引上機の構造などにより制限を受けるが、でき
るだけ融液面１６Ａに近いほうが好ましい。例え
ば、ドラム３４と融液面１６Ａとの間の距離は３
ｍ程度であり、また、距離Ｈ，Ｌは共に１ｍ程度
である。したがつて、ガイド３８の付近に基準位
置検出器を配設した場合の約1/3の誤差で距離Ｈ
を測定することができる。
棒引上機の構造などにより制限を受けるが、でき
るだけ融液面１６Ａに近いほうが好ましい。例え
ば、ドラム３４と融液面１６Ａとの間の距離は３
ｍ程度であり、また、距離Ｈ，Ｌは共に１ｍ程度
である。したがつて、ガイド３８の付近に基準位
置検出器を配設した場合の約1/3の誤差で距離Ｈ
を測定することができる。
次に、種結晶２６を再度降下させ、融液１６に
浸けた後、引き上げてシリコン単結晶を育成す
る。この引き上げ時には、融液面１６Ａが所定位
置になるよう坩堝移動軸が上下動される。結晶育
成時における融液面１６Ａの位置は、結晶断面積
と融液面１６Ａに対する結晶引上速度との積の時
間積分により求まる融液１６の減少量、ワイヤロ
ープ３２の引上量及び坩堝移動軸１０の上昇量を
用いて算出され、これから距離Ｌが算出される。
浸けた後、引き上げてシリコン単結晶を育成す
る。この引き上げ時には、融液面１６Ａが所定位
置になるよう坩堝移動軸が上下動される。結晶育
成時における融液面１６Ａの位置は、結晶断面積
と融液面１６Ａに対する結晶引上速度との積の時
間積分により求まる融液１６の減少量、ワイヤロ
ープ３２の引上量及び坩堝移動軸１０の上昇量を
用いて算出され、これから距離Ｌが算出される。
工業用テレビカメラ２８に映つた像の結晶直径
ｄと実際の結晶直径Ｄとの関係は、例えば次の近
似式で表される。
ｄと実際の結晶直径Ｄとの関係は、例えば次の近
似式で表される。
Ｄ＝（α＋βX＋γX2）ｄ
ここに、α、β、γは定数であり、Ｘ＝Ｌ−
L0である。また、Ｘ／Ｌ≪１である。
L0である。また、Ｘ／Ｌ≪１である。
このようにして、工業用テレビカメラ２８の出
力信号を処理することにより、結晶直径Ｄの測定
誤差を従来よりも0.3mm程度小さくすることがで
きた。この測定誤差が生じる原因は外にも多々あ
り、各原因に対して対策を講じることにより、測
定誤差を１mm程度小さくすることは可能である。
力信号を処理することにより、結晶直径Ｄの測定
誤差を従来よりも0.3mm程度小さくすることがで
きた。この測定誤差が生じる原因は外にも多々あ
り、各原因に対して対策を講じることにより、測
定誤差を１mm程度小さくすることは可能である。
次に、第３図に基づいて本発明の第２実施例を
説明する。
説明する。
この第２実施例での基準位置検出器３０Ａは、
種結晶２６の降下路を介して配設された投受光器
６４と直角プリズム６６とからなる。
種結晶２６の降下路を介して配設された投受光器
６４と直角プリズム６６とからなる。
投受光器６４の投光部からの放射光線は、直角
プリズム６６で２回全反射されて方向が180°曲げ
られ、投受光器６４の受光部に到達するようにな
つており、種結晶２６の下端がこの光路に入る
と、種結晶２６が基準位置にあることが検知され
る。
プリズム６６で２回全反射されて方向が180°曲げ
られ、投受光器６４の受光部に到達するようにな
つており、種結晶２６の下端がこの光路に入る
と、種結晶２６が基準位置にあることが検知され
る。
他の点については第１実施例と同一である。
なお、上記実施例ではワイヤロープ３２を用い
た場合を説明したが、ワイヤロープ３２の代わり
にシヤフトを用いてもよい。
た場合を説明したが、ワイヤロープ３２の代わり
にシヤフトを用いてもよい。
また、直流電源４６の代わりに、交流電源を用
いてもよい。
いてもよい。
さらに、結晶径測定用イメージセンサは、工業
用テレビカメラ２８に用いられる撮像管の代わり
にCCD等の固体撮像素子を用いたものであつて
もよい。
用テレビカメラ２８に用いられる撮像管の代わり
にCCD等の固体撮像素子を用いたものであつて
もよい。
また、上記実施例では、本発明をシリコン単結
晶製造装置に適用した場合を説明したが、本発明
はこれに限定されず、チヨクラルスキー法を用い
た各種単結晶製造装置に適用可能であることは勿
論である。
晶製造装置に適用した場合を説明したが、本発明
はこれに限定されず、チヨクラルスキー法を用い
た各種単結晶製造装置に適用可能であることは勿
論である。
［発明の効果］
本発明に係る融液面初期位置調整装置では、坩
堝内融液の融液面の上下方向位置を正確に測定
し、結晶育成前に、該融液面と結晶径測定用イメ
ージセンサとの間の距離が所定値になるよう該坩
堝を上下動させるようになつており、結晶径測定
装置の測定精度を向上させることができるので、
ウエーハ切断前に結晶棒の外周面を研磨する削り
しろを短くして結晶棒の製造コストを低減できる
という優れた効果がある。
堝内融液の融液面の上下方向位置を正確に測定
し、結晶育成前に、該融液面と結晶径測定用イメ
ージセンサとの間の距離が所定値になるよう該坩
堝を上下動させるようになつており、結晶径測定
装置の測定精度を向上させることができるので、
ウエーハ切断前に結晶棒の外周面を研磨する削り
しろを短くして結晶棒の製造コストを低減できる
という優れた効果がある。
第１図乃至第４図は本発明の実施例に係り、第
１図は第１実施例の融液面初期位置調整装置の全
体概略構成図、第２図は基準位置検出器の構成
図、第３図は第２実施例の基準位置検出器の構成
図、第４図は結晶製造時における経過時間に対す
る抵抗器４８の端子間電圧Ｖを示す線図である。 １０：坩堝移動軸、１２：グラフアイト坩堝、
１４：石英坩堝、１６：融液、１６Ａ：融液面、
１８，３６：モータ、２０：下限位置検出器、２
２，４０：パルスジエネレータ、２６：種結晶、
２８：工業用テレビカメラ、３０：基準位置検出
器、３２：ワイヤロープ、３４：ドラム、５０：
比較器、６０：投光器、６２：受光器、６４：投
受光器、６６：直角プリズム。
１図は第１実施例の融液面初期位置調整装置の全
体概略構成図、第２図は基準位置検出器の構成
図、第３図は第２実施例の基準位置検出器の構成
図、第４図は結晶製造時における経過時間に対す
る抵抗器４８の端子間電圧Ｖを示す線図である。 １０：坩堝移動軸、１２：グラフアイト坩堝、
１４：石英坩堝、１６：融液、１６Ａ：融液面、
１８，３６：モータ、２０：下限位置検出器、２
２，４０：パルスジエネレータ、２６：種結晶、
２８：工業用テレビカメラ、３０：基準位置検出
器、３２：ワイヤロープ、３４：ドラム、５０：
比較器、６０：投光器、６２：受光器、６４：投
受光器、６６：直角プリズム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 坩堝内融液の融液面の上下方向位置を測定す
る融液面初期位置測定装置と、 結晶育成前に、該融液面と結晶径測定用イメー
ジセンサとの間の距離が所定値になるよう該坩堝
を上下動させる手段と、 を有することを特徴とする融液面初期位置調整装
置。 ２ 前記融液面初期位置測定装置は、 種結晶と前記融液とが導通されたことを検知す
る手段と、 該融液上方に配設され、該種結晶の下端が基準
位置にあることを検出する手段と、 該種結晶の降下距離に比例した数のパルスを出
力する手段と、 該種結晶が該基準位置から該導通位置まで降下
する間の該パルス数をカウントして、該融液面の
上下方向位置を出力する手段と、 を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の融液面初期位置調整装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181722A JPS6424089A (en) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Device for adjusting initial position of melt surface |
| US07/222,438 US4915775A (en) | 1987-07-21 | 1988-07-21 | Apparatus for adjusting initial position of melt surface |
| DE8888710019T DE3875015T2 (de) | 1987-07-21 | 1988-07-21 | Einrichtung zur einstellung der ausgangsposition einer schmelzenoberflaeche. |
| EP88710019A EP0301998B1 (en) | 1987-07-21 | 1988-07-21 | Apparatus for adjusting initial position of melt surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181722A JPS6424089A (en) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Device for adjusting initial position of melt surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424089A JPS6424089A (en) | 1989-01-26 |
| JPH0559876B2 true JPH0559876B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=16105731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181722A Granted JPS6424089A (en) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Device for adjusting initial position of melt surface |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4915775A (ja) |
| EP (1) | EP0301998B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6424089A (ja) |
| DE (1) | DE3875015T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10472733B2 (en) | 2012-04-04 | 2019-11-12 | Sumco Corporation | Silicon single crystal manufacturing method |
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1987
- 1987-07-21 JP JP62181722A patent/JPS6424089A/ja active Granted
-
1988
- 1988-07-21 US US07/222,438 patent/US4915775A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-21 EP EP88710019A patent/EP0301998B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-21 DE DE8888710019T patent/DE3875015T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| US4915775A (en) | 1990-04-10 |
| DE3875015D1 (de) | 1992-11-05 |
| EP0301998B1 (en) | 1992-09-30 |
| JPS6424089A (en) | 1989-01-26 |
| DE3875015T2 (de) | 1993-03-04 |
| EP0301998A1 (en) | 1989-02-01 |
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