JPH0553114A - 強誘電性液晶表示装置 - Google Patents
強誘電性液晶表示装置Info
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- JPH0553114A JPH0553114A JP3213536A JP21353691A JPH0553114A JP H0553114 A JPH0553114 A JP H0553114A JP 3213536 A JP3213536 A JP 3213536A JP 21353691 A JP21353691 A JP 21353691A JP H0553114 A JPH0553114 A JP H0553114A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電性液晶表示装置の１／３バイアス駆動
時における表示のコントラストを改善する。 【構成】 強誘電性液晶表示装置における配向膜とし
て、高プレチルト角のものを用いると共に、強誘電性液
晶組成物として、式（Ｉ）： 【化１】 の化合物を含有したものを用いる。
時における表示のコントラストを改善する。 【構成】 強誘電性液晶表示装置における配向膜とし
て、高プレチルト角のものを用いると共に、強誘電性液
晶組成物として、式（Ｉ）： 【化１】 の化合物を含有したものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関する
ものであり、さらに詳しくは、コントラストの高いマリ
ックス型の大容量表示の強誘電性液晶表示装置に関する
ものである。現在、液晶表示素子は、時計、電卓はもと
より、ワープロ、パソコンなどのＯＡ機器、ポケットテ
レビなど幅広い分野において用いられているが、一般に
広く用いられているのはネマチック相を利用したもので
ある。
ものであり、さらに詳しくは、コントラストの高いマリ
ックス型の大容量表示の強誘電性液晶表示装置に関する
ものである。現在、液晶表示素子は、時計、電卓はもと
より、ワープロ、パソコンなどのＯＡ機器、ポケットテ
レビなど幅広い分野において用いられているが、一般に
広く用いられているのはネマチック相を利用したもので
ある。
【０００２】しかしながらツイステッドネマティック型
液晶表示装置では、走査線数の増加に伴い急速に駆動マ
ージンが狭くなり、十分なコントラストが得られなくな
るという欠点が存在するために大容量表示素子、ことに
２０００×２０００ラインなどの高解像度の表示素子を
作る事が困難である。その一方、より高解像度の表示装
置に対する要求は、ますます高まっている。特にＷＹＳ
ＩＷＩＧ（Ｗｈａｔ ｙｏｕ ｓｅｅ ｉｓ ｗｈａｔ
ｙｏｕ ｇｅｔ）−即ち、プリントアウトされるもの
同一のものを表示装置に表示させること−の求められる
ＤＴＰ（Ｄｅｓｋ Ｔｏｐ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ）の
分野やＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔ
ｅｒｆａｃｅ）に基づくＷＩＮＤＯＷＳ環境−複数の独
立した作業各々の画面とその操作に必要な様々な情報を
一つの表示素子の画面の中に表示する環境−の要求され
るＥＷＳ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ＷｏｒｋＳｔａｔ
ｉｏｎ），ＢＷＳ（Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｗｏｒｋ Ｓｔ
ａｔｉｏｎ）などの分野では表示素子に対して大表示容
量化や高速な応答性が求められている。そこで、有望視
されているのがクラーク（Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ）とラガ
バル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている強誘
電性液晶表示素子（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
３６，８９９（１９８０）；特開昭５６−１０７２１６
号公報；米国特許第４３６７９２４号）である。この液
晶表示素子は、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効
果型の前記ネマチック液晶表示装置とは異なり、強誘電
性液晶の自発分極の極性と電界の極性とが整合するよう
に分子がスイッチングする方式である。
液晶表示装置では、走査線数の増加に伴い急速に駆動マ
ージンが狭くなり、十分なコントラストが得られなくな
るという欠点が存在するために大容量表示素子、ことに
２０００×２０００ラインなどの高解像度の表示素子を
作る事が困難である。その一方、より高解像度の表示装
置に対する要求は、ますます高まっている。特にＷＹＳ
ＩＷＩＧ（Ｗｈａｔ ｙｏｕ ｓｅｅ ｉｓ ｗｈａｔ
ｙｏｕ ｇｅｔ）−即ち、プリントアウトされるもの
同一のものを表示装置に表示させること−の求められる
ＤＴＰ（Ｄｅｓｋ Ｔｏｐ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ）の
分野やＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔ
ｅｒｆａｃｅ）に基づくＷＩＮＤＯＷＳ環境−複数の独
立した作業各々の画面とその操作に必要な様々な情報を
一つの表示素子の画面の中に表示する環境−の要求され
るＥＷＳ（Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ＷｏｒｋＳｔａｔ
ｉｏｎ），ＢＷＳ（Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｗｏｒｋ Ｓｔ
ａｔｉｏｎ）などの分野では表示素子に対して大表示容
量化や高速な応答性が求められている。そこで、有望視
されているのがクラーク（Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ）とラガ
バル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている強誘
電性液晶表示素子（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
３６，８９９（１９８０）；特開昭５６−１０７２１６
号公報；米国特許第４３６７９２４号）である。この液
晶表示素子は、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効
果型の前記ネマチック液晶表示装置とは異なり、強誘電
性液晶の自発分極の極性と電界の極性とが整合するよう
に分子がスイッチングする方式である。
【０００３】この表示方法はカイラルスメクチックＣ
相、カイラルスメクチックＩ相，カイラルスメクチック
Ｆ相などの強誘電性液晶相を利用するものである。この
強誘電性液晶素子においては、強誘電性液晶をセルギャ
ップの薄いセルに注入すると、界面の影響を受けて強誘
電性液晶のカイラルスメクチック相の螺旋構造がほど
け、液晶分子がスメクチック層法線にたいして傾き角θ
だけ傾いて安定する領域と、逆方向に−θだけ傾いて安
定する領域とが混在する双安定性を示す。この状態にあ
る強誘電性液晶素子に電圧を印加すると、液晶分子は、
液晶分子自体の自発分極の向きを電界方向に揃えること
ができる。それ故に、印加する電圧の極性を切り替える
ことによって液晶分子の配向をある一定の状態からもう
一方の状態へと切り替えるスイッチングが可能となる。
このスイッチングに伴い、液晶分子の配向方向と共に偏
光軸が変化する。セル内の強誘電性液晶では、複屈折光
が変化するので２つの偏光子間に上記強誘電性液晶素子
を挟むことによって、透過光を制御することができる。
さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子の配向は、界
面の配向規制力によって電圧印加停止前の状態に維持さ
れるので、メモリ効果も得ることができる。また、スイ
ッチング駆動に必要な時間は、液晶の自発分極と電界強
度が直接作用するためにツイステッドネマティック型液
晶表示装置の１／１０００以下という高速応答性が可能
であり、高解像度の表示素子の実現化の点で大いに有望
視されている。
相、カイラルスメクチックＩ相，カイラルスメクチック
Ｆ相などの強誘電性液晶相を利用するものである。この
強誘電性液晶素子においては、強誘電性液晶をセルギャ
ップの薄いセルに注入すると、界面の影響を受けて強誘
電性液晶のカイラルスメクチック相の螺旋構造がほど
け、液晶分子がスメクチック層法線にたいして傾き角θ
だけ傾いて安定する領域と、逆方向に−θだけ傾いて安
定する領域とが混在する双安定性を示す。この状態にあ
る強誘電性液晶素子に電圧を印加すると、液晶分子は、
液晶分子自体の自発分極の向きを電界方向に揃えること
ができる。それ故に、印加する電圧の極性を切り替える
ことによって液晶分子の配向をある一定の状態からもう
一方の状態へと切り替えるスイッチングが可能となる。
このスイッチングに伴い、液晶分子の配向方向と共に偏
光軸が変化する。セル内の強誘電性液晶では、複屈折光
が変化するので２つの偏光子間に上記強誘電性液晶素子
を挟むことによって、透過光を制御することができる。
さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子の配向は、界
面の配向規制力によって電圧印加停止前の状態に維持さ
れるので、メモリ効果も得ることができる。また、スイ
ッチング駆動に必要な時間は、液晶の自発分極と電界強
度が直接作用するためにツイステッドネマティック型液
晶表示装置の１／１０００以下という高速応答性が可能
であり、高解像度の表示素子の実現化の点で大いに有望
視されている。
【０００４】しかしながら、かかる強誘電性液晶表示装
置において、実際に高速応答性を実現するためには種々
の問題がある。例えば、１０００×１０００ライン以上
の走査線でフリッカのない高コントラスト表示を行なう
ためには、例えば８．４μｓｅｃという極めて高速の応
答性が要求される。このため、低粘性のノンカイラル液
晶組成物に大きな自発分極を有するカイラル化合物を添
加したり、ピリミジン系液晶のごとき低粘度のノンカイ
ラル液晶を用いる提案（例えば、第１６回液晶討論会、
１Ｋ１０１，１Ｋ１０２，１Ｋ１１１，１Ｋ１１２，１
Ｋ１１４，１Ｋ１１５，１Ｋ１１６，１Ｋ１１７，１Ｋ
１１９，３Ｋ１０６，液晶討論学会予稿集（１９９
０）；大西，他，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲｅｐｏｒｔ，３３，３５（１９８７）．）がなされ
ている。
置において、実際に高速応答性を実現するためには種々
の問題がある。例えば、１０００×１０００ライン以上
の走査線でフリッカのない高コントラスト表示を行なう
ためには、例えば８．４μｓｅｃという極めて高速の応
答性が要求される。このため、低粘性のノンカイラル液
晶組成物に大きな自発分極を有するカイラル化合物を添
加したり、ピリミジン系液晶のごとき低粘度のノンカイ
ラル液晶を用いる提案（例えば、第１６回液晶討論会、
１Ｋ１０１，１Ｋ１０２，１Ｋ１１１，１Ｋ１１２，１
Ｋ１１４，１Ｋ１１５，１Ｋ１１６，１Ｋ１１７，１Ｋ
１１９，３Ｋ１０６，液晶討論学会予稿集（１９９
０）；大西，他，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲｅｐｏｒｔ，３３，３５（１９８７）．）がなされ
ている。
【０００５】さらに上記した液晶材料の開発のみなら
ず、高速応答性を実現するための新しい液晶駆動方式の
開発もなされている。中でも、有効な手法として、部分
書き換えと呼ばれる手法（神辺，電子情報通信学会専門
講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表
示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２６）が知
られている。この手法は画面を書き換える必要のあると
ころだけアクセスする手法である。これにより、グラフ
ィックスを表示する上で高速性を要求されるマウスの移
動などに追随できる表示素子が可能となる。
ず、高速応答性を実現するための新しい液晶駆動方式の
開発もなされている。中でも、有効な手法として、部分
書き換えと呼ばれる手法（神辺，電子情報通信学会専門
講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表
示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２６）が知
られている。この手法は画面を書き換える必要のあると
ころだけアクセスする手法である。これにより、グラフ
ィックスを表示する上で高速性を要求されるマウスの移
動などに追随できる表示素子が可能となる。
【０００６】そして、この部分書き換え法を用いてフリ
ッカのない表示を得ようとする場合の具体的な駆動法と
して、いわゆる１／３バイアス駆動法が提案されている
（特開昭６４−５９３８９号公報）。この駆動法の波形
パターンを図１に例示した。しかしながら、かかる１／
３バイアス駆動法による部分書き換え法を適用した場合
には、高速応答がある程度実現できるが、書き換えを行
なわない画素にも書き換え電圧の１／３のバイアス電圧
が印加されるため、液晶分子の揺らぎが生じてコントラ
ストが低いという問題があった（神辺，電子情報通信学
会専門講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−
液晶表示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２
６）。
ッカのない表示を得ようとする場合の具体的な駆動法と
して、いわゆる１／３バイアス駆動法が提案されている
（特開昭６４−５９３８９号公報）。この駆動法の波形
パターンを図１に例示した。しかしながら、かかる１／
３バイアス駆動法による部分書き換え法を適用した場合
には、高速応答がある程度実現できるが、書き換えを行
なわない画素にも書き換え電圧の１／３のバイアス電圧
が印加されるため、液晶分子の揺らぎが生じてコントラ
ストが低いという問題があった（神辺，電子情報通信学
会専門講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−
液晶表示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２
６）。
【０００７】そして、このような表示の低コントラスト
化は、主として、用いられる強誘電性液晶の層構造に密
接に関連していると考えられている。すなわち、このよ
うな強誘電性液晶素子においては、強誘電性液晶層にお
ける層構造は、一般的には、理想的なブックシェルフ構
造ではなく『く』の字におれまがったシェブロン構造を
していることが知られている。そして、この層の折れ曲
がる方向は図４に示すように、二通りの方向（１７，１
８）に発生し、これに伴って二つの異なった配向状態が
生じる。そのとき層と層の折れ曲がりの方向が異なった
場所には、ジグザグ欠陥と呼ばれる配向欠陥が生じてく
る。図４に示すように、ジグザグ欠陥には層の折れ曲が
る方向で<<>>と>><<の２種類の欠陥が発生し、その形状
から前者１５がライトニング欠陥、後者１６をヘアピン
欠陥と名付けられており、この形状を観察することで層
の折れ曲がり方向が規定できる。［Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，２８，ｐ．５０（１９８８）］。
化は、主として、用いられる強誘電性液晶の層構造に密
接に関連していると考えられている。すなわち、このよ
うな強誘電性液晶素子においては、強誘電性液晶層にお
ける層構造は、一般的には、理想的なブックシェルフ構
造ではなく『く』の字におれまがったシェブロン構造を
していることが知られている。そして、この層の折れ曲
がる方向は図４に示すように、二通りの方向（１７，１
８）に発生し、これに伴って二つの異なった配向状態が
生じる。そのとき層と層の折れ曲がりの方向が異なった
場所には、ジグザグ欠陥と呼ばれる配向欠陥が生じてく
る。図４に示すように、ジグザグ欠陥には層の折れ曲が
る方向で<<>>と>><<の２種類の欠陥が発生し、その形状
から前者１５がライトニング欠陥、後者１６をヘアピン
欠陥と名付けられており、この形状を観察することで層
の折れ曲がり方向が規定できる。［Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，２８，ｐ．５０（１９８８）］。
【０００８】このような２つの配向はラビング方向との
関係からＣ１配向（シェブロン１）、Ｃ２配向（シェブ
ロン２）と呼ばれている（神辺，電子情報通信学会専門
講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表
示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２６，及び
特開平１−１５８４１５）。図５はこれら２つの配向を
説明するための図である。図５に記されている円錐状の
図形は、スイッチングの際に、液晶分子が動きうる軌道
で、層法線２５に対して液晶のティルト角２６だけ傾い
た軌道である。この関係に関しては、ラビング軸と層の
折れ曲がり方向が逆である２３の場合がＣ１配向（シェ
ブロン１）、同じである２４の場合がＣ２配向（シェブ
ロン２）である。
関係からＣ１配向（シェブロン１）、Ｃ２配向（シェブ
ロン２）と呼ばれている（神辺，電子情報通信学会専門
講習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表
示と関連材料−，１９９０年１月，ｐ１８〜２６，及び
特開平１−１５８４１５）。図５はこれら２つの配向を
説明するための図である。図５に記されている円錐状の
図形は、スイッチングの際に、液晶分子が動きうる軌道
で、層法線２５に対して液晶のティルト角２６だけ傾い
た軌道である。この関係に関しては、ラビング軸と層の
折れ曲がり方向が逆である２３の場合がＣ１配向（シェ
ブロン１）、同じである２４の場合がＣ２配向（シェブ
ロン２）である。
【０００９】そして、Ｃ１配向及びＣ２配向のいずれに
おいても、シェブロンの一層における液晶分子の傾斜角
がねじれて明確な消光位を示さない配向と、傾斜角が均
一で明確な消光位を示す配向とに分類でき、前者がＣ１
Ｔ配向及びＣ２Ｔ配向（Ｔはツイストの意）、後者がＣ
１Ｕ配向及びＣ２Ｕ配向（Ｕはユニフォームの意）と呼
ばれている（福田，竹添，「強誘電性液晶の構造と物
性」，コロナ社，１９９０年，ｐ−３２７）。
おいても、シェブロンの一層における液晶分子の傾斜角
がねじれて明確な消光位を示さない配向と、傾斜角が均
一で明確な消光位を示す配向とに分類でき、前者がＣ１
Ｔ配向及びＣ２Ｔ配向（Ｔはツイストの意）、後者がＣ
１Ｕ配向及びＣ２Ｕ配向（Ｕはユニフォームの意）と呼
ばれている（福田，竹添，「強誘電性液晶の構造と物
性」，コロナ社，１９９０年，ｐ−３２７）。
【００１０】そして上記した消光位を示すＣ１Ｕ及びＣ
２Ｕ配向が得られにくいこと、ジグザグ欠陥とライトニ
ング欠陥並びにＣ１Ｕ及びＣ１ＴやＣ２Ｕ及びＣ２Ｔ配
向が混在していることが、表示の低コントラスト化の原
因になっていると考えられる。この点に関し、液晶基板
に形成される配向膜として、ＳｉＯ2斜蒸着膜を適用す
ることにより、コントラストの改善を図る提案がなされ
ている（上村，他，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ，３３（１），５１（１９８
７）．）。これは斜蒸着膜によって比較的高いプレチル
トを基板界面に付与することで、液晶層の折れ曲がりを
防ぎ、斜めに傾斜した層構造を達成するというものであ
る。また、折れ曲がり構造をもつセルに高い電圧の交番
電界を印加することにより、層構造をブックシェルフ構
造の変える方法も提案されている（佐藤ら，第１２回液
晶討論会（名古屋），１Ｆ１６（１９８６）．）。
２Ｕ配向が得られにくいこと、ジグザグ欠陥とライトニ
ング欠陥並びにＣ１Ｕ及びＣ１ＴやＣ２Ｕ及びＣ２Ｔ配
向が混在していることが、表示の低コントラスト化の原
因になっていると考えられる。この点に関し、液晶基板
に形成される配向膜として、ＳｉＯ2斜蒸着膜を適用す
ることにより、コントラストの改善を図る提案がなされ
ている（上村，他，Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｒｅｐｏｒｔ，３３（１），５１（１９８
７）．）。これは斜蒸着膜によって比較的高いプレチル
トを基板界面に付与することで、液晶層の折れ曲がりを
防ぎ、斜めに傾斜した層構造を達成するというものであ
る。また、折れ曲がり構造をもつセルに高い電圧の交番
電界を印加することにより、層構造をブックシェルフ構
造の変える方法も提案されている（佐藤ら，第１２回液
晶討論会（名古屋），１Ｆ１６（１９８６）．）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ｉＯ2 斜蒸着膜による方法においては、蒸着角度を均一
に制御することが困難であって表示面積に制限を生じる
と共に、真空プロセスを有するために製造装置をコスト
アップを招くなど、生産面で大きな問題がある。また後
述の電界を印加する方法は、均一に層構造を変化させる
のが難しく、長期の時間の経過とともに序々に元のシェ
ブロン構造に変化するものも多く、未だ実用化には至っ
ていない。
ｉＯ2 斜蒸着膜による方法においては、蒸着角度を均一
に制御することが困難であって表示面積に制限を生じる
と共に、真空プロセスを有するために製造装置をコスト
アップを招くなど、生産面で大きな問題がある。また後
述の電界を印加する方法は、均一に層構造を変化させる
のが難しく、長期の時間の経過とともに序々に元のシェ
ブロン構造に変化するものも多く、未だ実用化には至っ
ていない。
【００１２】さらに、このような従来の手法では、広い
温度範囲で高コントラスト比の表示を行なうことが未だ
実現されていない。本発明は、かかる状況下なされたも
のであり、ことに、１／３バイアス駆動法において高コ
ントラスト比の表示を安定にかつ広い温度範囲で実現で
きる強誘電性液晶表示装置を提供しようとするものであ
る。
温度範囲で高コントラスト比の表示を行なうことが未だ
実現されていない。本発明は、かかる状況下なされたも
のであり、ことに、１／３バイアス駆動法において高コ
ントラスト比の表示を安定にかつ広い温度範囲で実現で
きる強誘電性液晶表示装置を提供しようとするものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、配向処理された配向膜を有する一対の基板を、該配
向膜の配向処理方向が略平行となるように対向配置さ
せ、この基板間にカイラルスメクチックＣ相を呈する強
誘電性液晶層を介在せしめてなり、上記配向膜が、配向
処理によるプレチルト角が８〜３０°の有機配向膜で構
成され、かつ上記強誘電性液晶層が下式（Ｉ）：
ば、配向処理された配向膜を有する一対の基板を、該配
向膜の配向処理方向が略平行となるように対向配置さ
せ、この基板間にカイラルスメクチックＣ相を呈する強
誘電性液晶層を介在せしめてなり、上記配向膜が、配向
処理によるプレチルト角が８〜３０°の有機配向膜で構
成され、かつ上記強誘電性液晶層が下式（Ｉ）：
【００１４】
【化４】 （式中、ｎは１から１５の整数、ｍは１から１５の整
数）で表わされる化合物を含有する強誘電性液晶組成物
からなるシェブロン構造の液晶層である強誘電性液晶表
示装置が提供される。本発明は、上記特定の配向膜と特
定の液晶組成物とを組合せて強誘電性液晶表示装置を構
成した際に、均一なＣ１Ｕ配向のシェブロン構造の液晶
層が広い温度範囲に亘って得られ、その結果、欠陥や配
向の不均一性を生じることなく高コントラスト比の安定
な表示が可能となるという事実の発見に基づくものであ
る。
数）で表わされる化合物を含有する強誘電性液晶組成物
からなるシェブロン構造の液晶層である強誘電性液晶表
示装置が提供される。本発明は、上記特定の配向膜と特
定の液晶組成物とを組合せて強誘電性液晶表示装置を構
成した際に、均一なＣ１Ｕ配向のシェブロン構造の液晶
層が広い温度範囲に亘って得られ、その結果、欠陥や配
向の不均一性を生じることなく高コントラスト比の安定
な表示が可能となるという事実の発見に基づくものであ
る。
【００１５】化合物（Ｉ）の定義中、左側鎖のアルキル
基には、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブ
チル、ｉ−ブチル、ペンチル、１−又は２−メチルブチ
ル、ヘキシル、１−又は３−メチルペンチル、ヘプチ
ル、１−又は４−メチルヘキシル、オクチル、１−メチ
ルヘプチル、ノニル、１−又は６−メチルオクチル、デ
シル、１−メチルノニル、ウンデシル、１−メチルデシ
ル、ドデシル、１−メチルウンデシルなどの直鎖又は分
岐のアルキル基が含まれる。また、右側鎖のアルコキシ
基には、上記アルキル基にエーテル基が結合したものが
含まれる。かかる化合物（Ｉ）は、複数種用いられても
よい。
基には、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブ
チル、ｉ−ブチル、ペンチル、１−又は２−メチルブチ
ル、ヘキシル、１−又は３−メチルペンチル、ヘプチ
ル、１−又は４−メチルヘキシル、オクチル、１−メチ
ルヘプチル、ノニル、１−又は６−メチルオクチル、デ
シル、１−メチルノニル、ウンデシル、１−メチルデシ
ル、ドデシル、１−メチルウンデシルなどの直鎖又は分
岐のアルキル基が含まれる。また、右側鎖のアルコキシ
基には、上記アルキル基にエーテル基が結合したものが
含まれる。かかる化合物（Ｉ）は、複数種用いられても
よい。
【００１６】本発明の強誘電性液晶組成物は、上記化合
物（Ｉ）を、公知の強誘電性液晶や組成物と混合して調
製することができる。とくに相系列がＩＮＡＣとなるよ
うに、調製するのが適している。通常、一般式（Ｉ）で
表される化合物群の含有量は全体で５０％以上、上記化
合物群に含まれる単品１成分あたりでは全体の５０％以
下とするのが好ましい。化合物（Ｉ）で表される化合物
全体の含有量が５０ｗｔ％未満であると１／３バイアス
駆動でコントラストの改善効果が不充分であり、単品１
成分のあたりの含有量が５０％を超えるとＩＮＡＣ相系
列を示さず、そのための配向不良が生じるので適当でな
い。
物（Ｉ）を、公知の強誘電性液晶や組成物と混合して調
製することができる。とくに相系列がＩＮＡＣとなるよ
うに、調製するのが適している。通常、一般式（Ｉ）で
表される化合物群の含有量は全体で５０％以上、上記化
合物群に含まれる単品１成分あたりでは全体の５０％以
下とするのが好ましい。化合物（Ｉ）で表される化合物
全体の含有量が５０ｗｔ％未満であると１／３バイアス
駆動でコントラストの改善効果が不充分であり、単品１
成分のあたりの含有量が５０％を超えるとＩＮＡＣ相系
列を示さず、そのための配向不良が生じるので適当でな
い。
【００１７】これらのうち、上記化合物（Ｉ）と下式
（II）：
（II）：
【００１８】
【化５】 （式中、ｐは１から１５の整数、ｑは１から１５の整
数）及び／又は下式(III) ：
数）及び／又は下式(III) ：
【００１９】
【化６】 （式中、ｒは１から１５の整数、ｓは１から１５の整
数）の液晶性化合物とを混合した強誘電性液晶組成物を
用いるのが好ましい。この際の配合比は、化合物（Ｉ）
を５〜４０ｗｔ％とし、化合物（II）及び／又は（II）
を５〜３０ｗｔ％とするのが好ましい。
数）の液晶性化合物とを混合した強誘電性液晶組成物を
用いるのが好ましい。この際の配合比は、化合物（Ｉ）
を５〜４０ｗｔ％とし、化合物（II）及び／又は（II）
を５〜３０ｗｔ％とするのが好ましい。
【００２０】上記式（II）及び（III）における側鎖の
アルキル基及びアルコシキ基は、式（Ｉ）に挙げたと同
様なものが使用できる。また、これらのアルキル基とア
ルコキシ基で、好ましい炭素数は、５〜１０である。か
かる本発明の強誘電性液晶組成物には、本発明の意図す
る効果が阻害されない限り、種々の添加剤が配合されて
いてもよい。例えば、配向性向上の点で、末端にフルオ
ロアルキル基を有する他の液晶性化合物や液晶相溶性化
合物が配合（通常、０．０１〜１ｗｔ％）されていても
よく、その例は、例えば特開平３−４７８９１号公報等
に示される。
アルキル基及びアルコシキ基は、式（Ｉ）に挙げたと同
様なものが使用できる。また、これらのアルキル基とア
ルコキシ基で、好ましい炭素数は、５〜１０である。か
かる本発明の強誘電性液晶組成物には、本発明の意図す
る効果が阻害されない限り、種々の添加剤が配合されて
いてもよい。例えば、配向性向上の点で、末端にフルオ
ロアルキル基を有する他の液晶性化合物や液晶相溶性化
合物が配合（通常、０．０１〜１ｗｔ％）されていても
よく、その例は、例えば特開平３−４７８９１号公報等
に示される。
【００２１】さらに、かかる本発明の強誘電性液晶組成
物には、電子受容体が添加されていてもよく、かかる添
加は、Ｃ１Ｕ配向の温度安定性ことに低温安定性を向上
させる点で一つの好ましい態様である。かかる電子受容
体としては、シアノ基を有し、シアノ基の３重結合と共
役し得る炭素−炭素二重結合を有する共役系シアノ化合
物や共役系ハロゲン化合物がある。共役系シアノ化合物
としては、ジクロロジシアノパラベンゾキノン（ＤＤ
Ｑ），テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ），テトラ
シアノエチレン（ＴＣＥ）が挙げられる。また、共役系
ハロゲン化合物としては、ジクロロジフルオロキノン、
ジクロロアントラキノン挙げられる。これらの電子受容
体の配合量は、５０−５０００ｐｐｍとするのが適して
いる。一方、本発明においては、配向膜として、配向処
理によるプレチルト角が８〜３０°の高プレチルト角の
有機配向膜が用いられる。ここでプレチルト角がこれら
の範囲外では、意図する均一なＣ１Ｕ配向が得られず適
さない。かかる配向膜としては、例えば、ＰＳＩ−Ｘ−
Ａ−２００１（チッソ石油化学社製）やＰＳＩ−８７１
ｐｐｄ（チッソ石油化学社製）の名称で入手できるもの
が使用可能である。
物には、電子受容体が添加されていてもよく、かかる添
加は、Ｃ１Ｕ配向の温度安定性ことに低温安定性を向上
させる点で一つの好ましい態様である。かかる電子受容
体としては、シアノ基を有し、シアノ基の３重結合と共
役し得る炭素−炭素二重結合を有する共役系シアノ化合
物や共役系ハロゲン化合物がある。共役系シアノ化合物
としては、ジクロロジシアノパラベンゾキノン（ＤＤ
Ｑ），テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ），テトラ
シアノエチレン（ＴＣＥ）が挙げられる。また、共役系
ハロゲン化合物としては、ジクロロジフルオロキノン、
ジクロロアントラキノン挙げられる。これらの電子受容
体の配合量は、５０−５０００ｐｐｍとするのが適して
いる。一方、本発明においては、配向膜として、配向処
理によるプレチルト角が８〜３０°の高プレチルト角の
有機配向膜が用いられる。ここでプレチルト角がこれら
の範囲外では、意図する均一なＣ１Ｕ配向が得られず適
さない。かかる配向膜としては、例えば、ＰＳＩ−Ｘ−
Ａ−２００１（チッソ石油化学社製）やＰＳＩ−８７１
ｐｐｄ（チッソ石油化学社製）の名称で入手できるもの
が使用可能である。
【００２２】かかる本発明の強誘電性液晶表示装置の具
体例を図２及び図３に示す。ガラス基板１ａ上に透明電
極２ａ，絶縁膜３ａ，配向膜４ａの順に各層が形成され
たものが、基板９である。ここで、透明電極２ａは複数
本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ状に
配列して形成され、配向膜４ａにはラビングによる一軸
配向処理がほどこされた構造になっている。
体例を図２及び図３に示す。ガラス基板１ａ上に透明電
極２ａ，絶縁膜３ａ，配向膜４ａの順に各層が形成され
たものが、基板９である。ここで、透明電極２ａは複数
本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ状に
配列して形成され、配向膜４ａにはラビングによる一軸
配向処理がほどこされた構造になっている。
【００２３】一方、もう片側のガラス基板１ｂ上にも同
様の条件で透明電極２ｂ，絶縁膜３ｂ，配向膜４ｂの順
に各層が形成されたものが、基板１０である。透明電極
２ｂ，配向膜４ｂは基板９と同様、透明電極２ｂは複数
本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ状に
配列して形成され、配向膜４ｂにはラビングによる一軸
配向処理がほどこされた構造になっている。
様の条件で透明電極２ｂ，絶縁膜３ｂ，配向膜４ｂの順
に各層が形成されたものが、基板１０である。透明電極
２ｂ，配向膜４ｂは基板９と同様、透明電極２ｂは複数
本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ状に
配列して形成され、配向膜４ｂにはラビングによる一軸
配向処理がほどこされた構造になっている。
【００２４】ついで、この基板９と基板１０は、互いに
配向膜４ａ，４ｂが対向しあい、かつ、互いの透明電極
２ａ，２ｂが直交し、かつ、基板９と１０でラビング方
向がほぼ一致するようにし、１．５〜３μｍ程度、好ま
しくは１．２〜１．８μｍの間隔を隔ててシール部材６
で貼り合わせる。これらの基板９，１０間には強誘電性
液晶組成物７を介在させて液晶セル１１が作成される。
配向膜４ａ，４ｂが対向しあい、かつ、互いの透明電極
２ａ，２ｂが直交し、かつ、基板９と１０でラビング方
向がほぼ一致するようにし、１．５〜３μｍ程度、好ま
しくは１．２〜１．８μｍの間隔を隔ててシール部材６
で貼り合わせる。これらの基板９，１０間には強誘電性
液晶組成物７を介在させて液晶セル１１が作成される。
【００２５】更に、このセルの上下に偏光軸をほぼ直交
させた偏光板１２ａ，１２ｂを配置させ、偏光板の一方
の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方の光軸にほぼ一致
させて液晶表示装置とする。
させた偏光板１２ａ，１２ｂを配置させ、偏光板の一方
の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方の光軸にほぼ一致
させて液晶表示装置とする。
【００２６】
実施例１ 化７に構造式で示している化合物ＬＣ１〜ＬＣ１０を表
１に示す割合で混合し、すべての化合物を、一度、各成
分が等方性液体状態になるまで加熱し、十分に攪拌した
後、室温まで放冷することにより強誘電性液晶組成物Ｂ
ＬＣ１〜４を作製した。
１に示す割合で混合し、すべての化合物を、一度、各成
分が等方性液体状態になるまで加熱し、十分に攪拌した
後、室温まで放冷することにより強誘電性液晶組成物Ｂ
ＬＣ１〜４を作製した。
【００２７】
【化７】
【００２８】
【表１】 上記液晶組成物ＢＬＣ１〜４に、各々光学活性化合物Ｃ
Ｈ１を２％添加した液晶組成物をそれぞれＦＬＣ１，Ｆ
ＬＣ２，ＦＬＣ３，ＦＬＣ４とする。これらの液晶組成
物はいずれもカイラルスメクチックＣ相を有した。これ
らの強誘電性液晶組成物の転移温度を表２に示す。
Ｈ１を２％添加した液晶組成物をそれぞれＦＬＣ１，Ｆ
ＬＣ２，ＦＬＣ３，ＦＬＣ４とする。これらの液晶組成
物はいずれもカイラルスメクチックＣ相を有した。これ
らの強誘電性液晶組成物の転移温度を表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】実施例２ 本発明に適用した配向膜について磁場容量法を用いてプ
レチルト角を求めた。その測定結果を表３に示す。な
お、測定用のセルは以下のようにして作製した。 １．ガラス基板上におよそ１０００Åの厚さのＩＴＯ膜
を蒸着もしくはスパッタにより形成した。 ２．１の基板上に膜厚およそ５００Åの絶縁膜を形成し
た。この絶縁膜は、ＳｉＯ2 の場合、蒸着により形成
し、東京応化製のＯＣＤ（ＯＣＤ Ｐ−５９３１０）の
場合、スピンコートにより形成した。 ３．２の基板に表４に示す配向膜をスピンコート等の方
法を用いて膜厚およそ４００Åで形成した。 ４．３の処理の後、レーヨン系の布を用いたラビング法
により一軸配向処理を行った。 ５．４でラビング処理を施した基板を上下基板とし、上
下の基板でラビング処理を施した面が向かい合い、かつ
ラビング方向が反平行となり、かつ上下基板間のギャッ
プが２０μｍになるようにフィルム状のスペーサーを挟
み、貼り合わせた。 ６．５で作製されセルにメルク社製のネマチック液晶材
料Ｅ−８を注入し液晶セルを作製した。
レチルト角を求めた。その測定結果を表３に示す。な
お、測定用のセルは以下のようにして作製した。 １．ガラス基板上におよそ１０００Åの厚さのＩＴＯ膜
を蒸着もしくはスパッタにより形成した。 ２．１の基板上に膜厚およそ５００Åの絶縁膜を形成し
た。この絶縁膜は、ＳｉＯ2 の場合、蒸着により形成
し、東京応化製のＯＣＤ（ＯＣＤ Ｐ−５９３１０）の
場合、スピンコートにより形成した。 ３．２の基板に表４に示す配向膜をスピンコート等の方
法を用いて膜厚およそ４００Åで形成した。 ４．３の処理の後、レーヨン系の布を用いたラビング法
により一軸配向処理を行った。 ５．４でラビング処理を施した基板を上下基板とし、上
下の基板でラビング処理を施した面が向かい合い、かつ
ラビング方向が反平行となり、かつ上下基板間のギャッ
プが２０μｍになるようにフィルム状のスペーサーを挟
み、貼り合わせた。 ６．５で作製されセルにメルク社製のネマチック液晶材
料Ｅ−８を注入し液晶セルを作製した。
【００３１】
【表３】 なお、表５中、ＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１及びＲＮ７１
５はいずれもチッソ石油化学社製及び日産化学社製のポ
リイミド系配向膜である。
５はいずれもチッソ石油化学社製及び日産化学社製のポ
リイミド系配向膜である。
【００３２】実施例３ 図２及び図３は、本発明の液晶表示装置の構成を示した
ものである。液晶パネルは以下の手順により作成した。 １．ガラス基板１ａ，１ｂのそれぞれの上に３００〜５
０００Å、好ましくは１０００〜３０００Å（この実施
例では１０００Å）の厚さの複数本の透明電極（２ａ、
２ｂ）が互いに平行になるようストライプ状に電極のパ
ターンを配列して形成する。 ２．１の基板上に、絶縁膜３ａ，３ｂを３００〜５００
０Å、好ましくは５００〜２０００Å（この実施例では
７００Å）の膜厚で形成する。電極保護膜には、ＳｉＯ
2 もしくは、東京応化製のＯＣＤ（ＯＣＤ Ｐ−５９３
１０）を使用した。電極保護膜は、ＳｉＯ2 の場合、ス
パッタにより形成し、ＯＣＤの場合は、スピンナーによ
り基板に塗布後、焼成する事より形成した。 ３．２の基板上に配向膜を２００〜１０００Åの膜厚で
形成する（この実施例では４００Å）。配向膜材料とし
ては日産化学製のＲＮ−７１５やチッソ石油化学社製の
ＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１（ポリイミド）をスピンコー
ターにて塗布し、焼成する事により形成した。 ４．３で作成された基板にレーヨン系の布を用いてラビ
ング法による一軸配向処理を施す。このときのラビング
の方向は、基板９，１０を電極パターンが直交するよう
に貼り合わせたときにラビング方向が同じになるように
行なう。 ５．１〜４の工程を経た上下の基板の間に直径１．８μ
ｍのシリカビーズを分散させエポキシ樹脂製のシール部
材で貼り合わせる。 ６．１〜５の工程を経て作成したパネルに前述の本発明
による強誘電性液晶組成物を真空注入法により注入し
た。注入後はアクリル系ＵＶ硬化型の樹脂により注入口
を封止した。
ものである。液晶パネルは以下の手順により作成した。 １．ガラス基板１ａ，１ｂのそれぞれの上に３００〜５
０００Å、好ましくは１０００〜３０００Å（この実施
例では１０００Å）の厚さの複数本の透明電極（２ａ、
２ｂ）が互いに平行になるようストライプ状に電極のパ
ターンを配列して形成する。 ２．１の基板上に、絶縁膜３ａ，３ｂを３００〜５００
０Å、好ましくは５００〜２０００Å（この実施例では
７００Å）の膜厚で形成する。電極保護膜には、ＳｉＯ
2 もしくは、東京応化製のＯＣＤ（ＯＣＤ Ｐ−５９３
１０）を使用した。電極保護膜は、ＳｉＯ2 の場合、ス
パッタにより形成し、ＯＣＤの場合は、スピンナーによ
り基板に塗布後、焼成する事より形成した。 ３．２の基板上に配向膜を２００〜１０００Åの膜厚で
形成する（この実施例では４００Å）。配向膜材料とし
ては日産化学製のＲＮ−７１５やチッソ石油化学社製の
ＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１（ポリイミド）をスピンコー
ターにて塗布し、焼成する事により形成した。 ４．３で作成された基板にレーヨン系の布を用いてラビ
ング法による一軸配向処理を施す。このときのラビング
の方向は、基板９，１０を電極パターンが直交するよう
に貼り合わせたときにラビング方向が同じになるように
行なう。 ５．１〜４の工程を経た上下の基板の間に直径１．８μ
ｍのシリカビーズを分散させエポキシ樹脂製のシール部
材で貼り合わせる。 ６．１〜５の工程を経て作成したパネルに前述の本発明
による強誘電性液晶組成物を真空注入法により注入し
た。注入後はアクリル系ＵＶ硬化型の樹脂により注入口
を封止した。
【００３３】実施例４ 配向膜として日産化学製のＲＮ−７１５やチッソ石油化
学社製のＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１を用いた実施例３の
セル構成のセルに本発明の液晶組成物を注入し、室温近
傍でＣ１Ｕ／Ｃ１Ｔ／Ｃ２のいずれの配向状態をとるか
について観察し、配向がＣ１Ｕでスイッチングする温度
の幅を調べた。結果を表４に示す。なお、液晶の駆動
は、１／３バイアス駆動で行ない、その印加電圧波形は
図６に示した。
学社製のＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１を用いた実施例３の
セル構成のセルに本発明の液晶組成物を注入し、室温近
傍でＣ１Ｕ／Ｃ１Ｔ／Ｃ２のいずれの配向状態をとるか
について観察し、配向がＣ１Ｕでスイッチングする温度
の幅を調べた。結果を表４に示す。なお、液晶の駆動
は、１／３バイアス駆動で行ない、その印加電圧波形は
図６に示した。
【００３４】
【表４】 比較例１ 実施例４で配向膜として日産化学製のＲＮ−７１５やチ
ッソ石油化学社製のＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１を用いる
代わりにチッソ石油化学社製のＰＳＩ−Ｘ０１２（ポリ
イミド）及びＰＶＡを用いて室温近傍でＣ１Ｕ／Ｃ１Ｔ
／Ｃ２のいずれの配向状態をとるかについて観察し、配
向がＣ１Ｕでスイッチングする温度の幅を調べた。結果
を表５に示す。
ッソ石油化学社製のＰＳＩ−Ｘ−Ａ−２００１を用いる
代わりにチッソ石油化学社製のＰＳＩ−Ｘ０１２（ポリ
イミド）及びＰＶＡを用いて室温近傍でＣ１Ｕ／Ｃ１Ｔ
／Ｃ２のいずれの配向状態をとるかについて観察し、配
向がＣ１Ｕでスイッチングする温度の幅を調べた。結果
を表５に示す。
【００３５】
【表５】
【００３６】実施例５ 本発明の液晶組成物ＦＬＣ３に、フルオロアルキル化合
物として下式：
物として下式：
【００３７】
【化８】 を０．１％添加し、実施例３のセル構成のセルに注入し
て特性を評価したところＣ１Ｕ配向面積が増加し、Ｃ１
Ｕ配向を示す温度範囲が５４〜４５℃迄拡大した。
て特性を評価したところＣ１Ｕ配向面積が増加し、Ｃ１
Ｕ配向を示す温度範囲が５４〜４５℃迄拡大した。
【００３８】実施例６ 本発明の液晶組成物に、電子受容体として共役系シアノ
化合物ジクロロジシアノパラベンゾキノン（ＤＤＱ）を
添加し、実施例３のセル構成のセルに注入して特性を評
価したところＣ１Ｕ配向面積が増加した。
化合物ジクロロジシアノパラベンゾキノン（ＤＤＱ）を
添加し、実施例３のセル構成のセルに注入して特性を評
価したところＣ１Ｕ配向面積が増加した。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、 ＡＣ転移温度から室温近傍の幅広い温度域に於てＣ１
Ｕ配向が得られる。 １／３バイアス駆動時にＣ１Ｕスイッチングできる温
度範囲が広い。 という特徴を持つ強誘電性液晶表示素子が得られる。
Ｕ配向が得られる。 １／３バイアス駆動時にＣ１Ｕスイッチングできる温
度範囲が広い。 という特徴を持つ強誘電性液晶表示素子が得られる。
【００４０】従って、本発明により、高コントラスト比
の表示を安定にかつ広い温度範囲で実現できる強誘電性
液晶表示装置が得られる。そして、もちろん、１／３バ
イアス駆動法以外の駆動法適用することができる。
の表示を安定にかつ広い温度範囲で実現できる強誘電性
液晶表示装置が得られる。そして、もちろん、１／３バ
イアス駆動法以外の駆動法適用することができる。
【図１】１／３バイアス駆動法を説明するための図で、
（１）から（１１）は、マトリックス電極に印加される
波形とそのときの各電極の交差する部位で液晶に印加さ
れる波形を表している。
（１）から（１１）は、マトリックス電極に印加される
波形とそのときの各電極の交差する部位で液晶に印加さ
れる波形を表している。
【図２】本発明の強誘電性液晶表示装置のマトリックス
電極の配置図である。
電極の配置図である。
【図３】本発明の強誘電性液晶表示装置の構成説明図で
ある。
ある。
【図４】スメクチックＣ相のシェブロン構造及びジグザ
グ欠陥について説明するための図である。
グ欠陥について説明するための図である。
【図５】カイラルスメクチックＣ相における分子の配向
状態について説明するための図である。
状態について説明するための図である。
【図６】実施例で用いた印加電圧波形を示す図である。
１ａ ガラス基板 １ｂ ガラス基板 ２ａ 透明電極 ２ｂ 透明電極 ３ａ 絶縁膜 ３ｂ 絶縁膜 ４ａ 配向膜 ４ｂ 配向膜 ６ シール部材 ７ 強誘電性液晶組成物 ９ 基板 １０ 基板 １１ 液晶セル １２ａ 偏光板 １２ｂ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1337 ５２０ 7610−2Ｋ (72)発明者 向殿 充浩 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 配向処理された配向膜を有する一対の基
板を、該配向膜の配向処理方向が略平行となるように対
向配置させ、この基板間にカイラルスメクチックＣ相を
呈する強誘電性液晶層を介在せしめてなり、 上記配向膜が、配向処理によるプレチルト角が８〜３０
°の有機配向膜で構成され、かつ上記強誘電性液晶層が
下式（Ｉ）： 【化１】 （式中、ｎは１から１５の整数、ｍは１から１５の整
数）で表わされる化合物を含有する強誘電性液晶組成物
からなるシェブロン構造の液晶層である強誘電性液晶表
示装置。 - 【請求項２】 強誘電性液晶組成物が、さらに下式（I
I）： 【化２】 （式中、ｐは１から１５の整数、ｑは１から１５の整
数）で表わされる化合物を含有してなる請求項１の液晶
表示装置。 - 【請求項３】 強誘電性液晶組成物が、さらに下式(II
I) ： 【化３】 （式中、ｒは１から１５の整数、ｓは１から１５の整
数）で表わされる化合物を含有してなる請求項１又は２
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213536A JPH0553114A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 強誘電性液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213536A JPH0553114A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 強誘電性液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553114A true JPH0553114A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16640818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3213536A Pending JPH0553114A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 強誘電性液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167093A (ja) * | 1986-01-15 | 1987-07-23 | エム・ア−・エヌ−ロ−ラント・ドルツクマシ−ネン・アクチエンゲゼルシヤフト | インラインワニス塗布または輪転印刷機での低粘性ｕｖワニスの塗布用ゴムブランケツトの製造方法 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61291679A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPH01230548A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-09-14 | Sharp Corp | フルオロアルキル系化合物及び液晶組成物 |
| JPH0224388A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Canon Inc | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
| JPH02126230A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Nissan Chem Ind Ltd | 強誘電性液晶素子 |
| JPH02137819A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JPH02232292A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 強誘電性液晶組成物 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3213536A patent/JPH0553114A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61291679A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
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| JPH02137819A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JPH02232292A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | 強誘電性液晶組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167093A (ja) * | 1986-01-15 | 1987-07-23 | エム・ア−・エヌ−ロ−ラント・ドルツクマシ−ネン・アクチエンゲゼルシヤフト | インラインワニス塗布または輪転印刷機での低粘性ｕｖワニスの塗布用ゴムブランケツトの製造方法 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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