JPH05504356A - 液晶シアノアルカン類及びシアノアルケン類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 液晶シアノアルカン類及びシアノアルケン類本発明は、液晶特性を示すシアノア ルカン類及びシアノアルカン類、並びに、それらを組み込んだ液晶材料及びデバ イスに関する。

液晶材料及びデバイスはよく知られており、一般には有用なネマチック（Ｎ）及 びスメクチック（Ｓ）、特に電気光学的特性を示すスメクチックＣ及びＩ（Ｓｃ 、Ｓり液晶相が利用されている。Ｓ０相は、材料中に光学活性化合物が存在する ときに強誘電性キラルスメクチックＣ（３０本）相を形成するという最も有用な 特性を示す。

液晶材料は概して化合物の混合物であり、この種の混合物及び／またはその成分 化合物の望ましい要件は、調製し易いこと、有用な型の液晶相が好ましくは室温 を含む広い温度範囲で維持されること、などである、特定用途毎に別の望ましい 要件、例えば有用な複屈折、誘電的異方性、温度上昇に伴うＳ、−ＳＡのような 有用な相転移シーケンスが更に要求され、Ｓｃ材料の場合には、高度な自発分極 （Ｐｓ）を呈する混合物を形成できる能力が要求される。

液晶相を示す材料は多数知られており、例えば、欧州特許出顆公開第０．１１７ ．６３１号に開示された式：〔式中、Ｒ及びＲ′はアルキル〕の化合物がある。

別の有用な構造型は例えば、ＰＣＴ／英国特許出願８７１００４４１に開示され た式 〔式中、Ｒ及びＲ′はアルキル〕の化合物である。

液晶化合物中のわずかな構造的変異がその液晶特性に対して予想外の劇的な効果 を有し得ることはもはや常識となっている。従って、本発明の目的は、新規な構 造型を開発し、液晶相を示す構造型、特に有用な型を同定することである。

本発明によれば、一般式Ｉニ ス１ 〔Ｒ及びＲ１は個別に、Ｃ５〜ＣＩ、のアルキル、アルコキシ、ペルフルオロア ルキルまたはペルフルオロアルコキシを示し。

環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは個別に、１つまたは２つのハロゲン置換基で置換されるか もしくは末Ｉ換のフェニル、またはトランス−シクロヘキシルまたは（２，２， ２）ビシクロオクチルを示し、ａ、ｂ、ｃまたはｄの各々は、（ａ　＋　ｂ＋ｃ ＋ｄ）が２または３であるという条件で個別にＯまたは１を示し： リンクＡ及びＣは個別に単結合、ＣＨ２ＣＨ２、ＣＯＯ５００Ｃ，ＣＨ２Ｏまた はｏｃＨｚを示し：ｎ−ｍ及びｐは、（ｎ十ｍ＋ｐ）が０でないという条件で個 別に０または１〜４の整数を示し： Ｗ及びｚは個別に−ｃＨ＝Ｃ（ＣＮ）−及び−Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ−から選択され ； Ｘ及びＹは個別に一〇ＨＣＮ−及び−Ｃ（ＣＮ　）、−から選択され； ｗ、）ｃ、ｙ及び２は、Ｘ及び／またはｙが１のときにＷ及び２が０であり、更 にｗ、ｘ、ｙ及びＺの少なくとも１つが１であるという条件でＯまたは１を示す 〕で示される新規なシアノアルカン類及びアルケン類が提供される。

Ｒ及びＲ１は非対称に置換された鎖を含む直鎖または分枝鎖でよい、環Ａ、Ｂ、 ＣまたはＤが置換基を含むときは、これらの置換基は有効な置換位置のいずれに 存在してもよい、−ＣＨＣＮ一単位が存在するとき、この単位は非対称に置換さ れていてもよくまたはラセミ体でもよい。

液晶材料の調製容易性及び有用性の観点から特に好ましいと考えられる構造につ いて以下に検討する。

好ましくは、Ｒ及びＲ’は個別に、ｎ−アルキルもしくはｎ−アルコキシ、また は非対称１換アルキルもしくはアルコキシを示す、好ましくは、環Ａ及びＢはシ クロヘキシルを示す、好ましくは、環Ｃ及びＤがハロゲン置換フェニルのとき、 ハロゲンはフッ素である。好ましくは、リンクＡ及びＣは単結合である。好まし くは、Ｃ及びｄがＯのとき、Ｒ’はアルキルである。好ましくは、環Ａだけが（ ２，２，２）ビシクロオクチルである。

式■に示す環ＢとＣとの間のシアノアルカンまたはシアノアルケンブリッジに関 する変形の好ましいいくつかの組み合わせを以下に示す： （Ａ）ｎ、ｗ、ｙ、ｚ、Ｐ＝ｏ；ｘ、ｍ＝１；Ｘ＝ＣＨＣＮ（Ｂ）ｗ、ｍ、ｙ、 ｚ＋ｐ＝ｏ：ｎ−ｘ＝１；Ｘ＝ＣＨＣＮ（Ｃ）ｗ、ｍ、ｙ、ｚ、ｐ＝ｏ；ｎ、ｘ ＝１　；Ｘ＝Ｃ（ＣＮ）２＜Ｄ）ｎ、ｘ、ｍ、ｙ　＋ｚ、Ｐ＝ｏ；ｗ＝１；Ｗ＝ −ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）（Ｅ）ｗ＋ｙ＋ｚ、ｐ−０；ｘ＋ｍ＝１；ｎ＝２　；　Ｘ＝ ＣＨＣＮまたはＣ（ＣＮ　）ｚ （Ｆ　）ｎ　、ｗ−ｚ　、ｐ　＝○；ｘ、ｙ＝１：ｍ＝４；Ｘ、Ｙ＝Ｃ）（ＣＮ これらの組み合わせを具体化する構造の特定例を以下の表１に示す０表１中の大 文字は上記の組み合わせを示す。

衣」− これらの式のうちで、ＩＡＩ、ＩＡ４、ＩＡ５、ＩＢ２、ＩＢ３及びＩＢ４の化 合物が特に好ましい。

式Ｉの化合物、例えば表１に挙げた化合物は、公知の化合物を出発材料として多 くの調製経路でまたは当業者に自明のその変形によって調製し得る。化合物ＩＡ 及びＩＢに達する全体経路Ａ及びＢを添付の流れ図で概略的に示す。

ステップＡ１及びＢ１では、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）をカップ リング試薬として使用し、ステ・ンブＡ２及びＢ２では臭素化生成物をフェニル ホウ酸と力・ノブリングさせる。フェニルホウ酸の製造方法は周知であり、例え ば出発フェニルをトリーイソプロピルボレートと反応させる。適宜置換した出発 フェニル、例えば２−または３−フルオロ、または２．３−ジフルオロアルキル またはアルコキシフェニルを使用することによって、対応する４−フェニルホウ 酸を調製し得る。

この種のフェニルホウ酸の製造方法を経路Ｇで示す。

経路Ｇのステップでは以下の処理を行なう。

Ｇ１：１−ブロモアルカン、Ｋ　２　ＣＯ３、アセトンの還流：Ｇ２：ｎ−ブチ ルリチウムとの反応、次いで一７８°Ｃでトリーイソプロピルボレートとの反応 ；Ｇ３：フリーデル・クラフッ付加： Ｇ４１例えば水和ヒドラジンを用いた還元；Ｇ５：Ｍ、Ｆ、Ｈａｗｔｈｏｒｎｅ 、Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ。

（１９５７＞、Ｌｌ、１００１参照； Ｇ６：ｎ−ブチルリチウム。

Ｇ７：Ｒ−ＣＨ○。

Ｇ８：（ｉ　）Ｐ２Ｏ３、（ｉｉ　）Ｐ　ｄ　／　Ｃ、Ｈｚ。

フェニルホウ酸を調製するために経路Ｇを使用した実施例は、英国特許出願公開 第８，８０６，２２０号及びＰＣＴ／欧州特許出願８８１００７２４に記載され ている。これらの文献の記載内容は本明細書に含まれるものとする。

従って、経路Ａ及びＢは汎用性があること、及び、特定構造について図示してい るが別の構造型を製造するためにどのように応用できるかということは当業者に 明らかであろう。

構造型Ｃ，Ｄ及びＥの化合物、例えばＩＣ１ＩＤ及びＩＦの化合物は、対応する ケトンを四塩化チタンと反応させた後、該ケトンとトリメチルシリルシアニド（ Ｔ　Ｍ　Ｓ　−ＣＮ）とを反応させることによって頂製し得る。多くの適当なケ トンが知られているが、ケトンへの合成経路もよく知られており、例えばアシル クロリドを用いるフリーデルクラフッ付加、またはニトリルとグリニヤール試薬 との反応などがあるので、市販のケトンを入手できないときはケトンを合成する とよい。

式Ｉの化合物を公知の液晶化合物と混合して有用な液晶材料を形成し得る。従っ て本発明はまた、少なくとも１種の式Ｉの化合物を含む化合物の混合物から成る 液晶材料を提供する０本発明のこの特徴によれば、構造型Ａ及びＢ、例えばＩＡ 及びＩＢの化合物がスメクチックＣ液晶材料の成分として好ましい、その理由は 、ＳＣ相を示すため、負の誘電異方性（Δε）を有するため及び複屈折くΔｎ） が小さいためである。

例えば構造型Ａ及びＢの式■の化合物、特に式ＩＡ及びＩＢの化合物は、公知の 化合物と共にＳＣ混合物に使用でき、これらの公知の化合物と共にまたは個別に Ｓ。相を形成する。このタイプの特に好ましい化合物は式ＩＩＡ及び■Ｂ。

〔式中、Ｒ，及びＲ２は個別にＣ２〜Ｃ１□のアルキルまたはアルコキシを示す 〕で示される化合物である。

Ｂ０混合物中に存在する〈１種以上の）式Ｉの化合物が非対称置換基を含む場合 、例えばＲ＝　Ｒ’または−ＣＨ（ＣＮ）−が非対称置換されている場合、ＳＣ 相は強誘電性Ｓｃ＊相でもよい０選択的にまたは付加的に、混合物は、ＳＣ相を Ｓ−相となるように誘発し得る公知の非対称置換化合物を含有してもよい、この 種の多くの化合物が公知であるが、好ましい化合物は、ＰＣＴ／英国特許出１１ ８７１００４４１に記載の化合物、特に式■： 〔式中、（Ｆ）は、指示された環が側部フッ素置換基を含み得ることを示し、Ｒ ３はＣ３〜、２のｎ−アルキルまたはｎ−アルコキシを示し、Ｒ２はＣ１〜１． のアルキルまたはｎ−アルキルまたは分枝鎖または光学活性アルキルを示す〕の 化合物である。

本発明のこの特徴によれば、限定的ではないが典型的には、Ｓ−混合物は、９５ 重量％以下の式ｎＡまたはＩＩＢの化合物と１５重量％以下の式■の化合物と２ ５重量％以下の式Ｉの化合物とを、全体が１００重量％となるように含む。

このような本発明の液晶材料は、公知のタイプの液晶電気光学的ディスプレイデ バイスで使用され得る。

式Ｉの化合物の調製経路を概略的に示す図１、図２及び図３を参照しながら本発 明の実施例を以下に説明する。どの場合にも、ＰＣＴ／欧州特許出願８８１００ ７２４の実施例に記載された方法でホウ酸を調製した。どの場合にも、液晶転移 温度を℃で示し、例えばに７０　ＳＡは、７０℃で固体結晶がＳＡ液晶に転移す ることを意味する。

（１）化合物・ の調製 ＢＬ　１−４−ブロモフェニル−１−シアノ−２−トーンスー４−へプ　ルシク ロヘ　シル）エタンナトリウム乾燥テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）及び分子ふ るいで乾燥したヘキサメチルホスホラミド（ＨＭＰＡ）（５ｍｌ）中のトランス −４−ヘプチル−シクロヘキシルメチル−トルエン−４−スルホネ−１−（２， ８ｇ、７．７ｍｍｏｌ）と４−ブロモフェニルアセトニトリル（１，３７ｇ、７ ．０ｍｍｏｌ）との攪拌冷却（−７０℃）混合物に、リチウムジイソプロピルア ミド（Ｌ　Ｄ　Ａ）（Ｔ　ＨＦ中１．５）（５，１３ｍ１．７．７ｍｍｏｌ）を 乾燥窒素下で滴下した０反応混合物を一７０℃で１時間攪拌し、次いで室温に温 めて一夜維持し、ＧＣによってモニタした０反応混合物を水（５０ｍｌ）に注ぎ 、生成物をエーテル（２Ｘ２０ｍｌ）に抽出した。

合わせた抽出物を水洗し乾燥（Ｍ　ｇ　Ｓ○、）シた。減圧下に溶媒を除去し、 粗生成物をカラムクロマトグラフィー〔シリカゲル、クロロホルム−軽油（沸点 ４０〜６０℃）（１・２）で溶出〕で精製した。収量１．４３　ｇ、収率５２％ 、融−４−イル−１−トランス−４−ヘブ　ルシクロヘ　シル）エタン ステップＢ１の生成物（２，６４ｍｍｏｌ）と、４−デシロキシフェニルホウ酸 （０，９９ｇ、３．４３ｍｍｏｌ）と、テトラキス（トリフェニルホスフィン） パラジウム（○〉＜０．４ｇ−０，３４ｍｍｏ　ｌ＞と、２Ｍの炭酸ナトリウム 溶液（３ｍｌ）と、ベンゼン（１０ｍｌ）と、メタノール（１ｍｌ）との攪拌混 合物を乾燥窒素下に還流下で４時間加熱し、反応をＧＣによってモニタした０反 応混合物を冷却し、２Ｍの炭酸ナトリウム溶液（１００ｍｌ）を添加し、次いで 水性アンモニア（２ｍｌ＞及びエーテル（１００ｍｌ）を添加した。

有機層を分離し、水性層をエーテル（５０ｍｌ）で洗浄した。

合わせたエーテル抽出物を水洗し、乾燥（Ｍ　ｇ　Ｓ○、）シた。

減圧下に溶媒を除去し、粗生成物をカラムクロマトグラフィー〔シリカゲル；ジ クロロメタン：軽油（沸点６０〜８０’Ｃ（３：１）で溶出〕で精製した。収率 ６２％でエタノールから再結晶させた。

（２）化合物： の調製 この化合物は、ステップＢ１の生成物と４−デシロキシ−２−フルオロフェニル ホウ酸とを使用して（１）と同様の方法で調製した。ジクロロメタン：軽油（沸 点４０〜６０”Ｃ）（１：　５）を使用しシリカゲルで選択した。収率６４％で エタノールから再結晶させた。

（１）化合物： の調製 、へＩＪ−ブロモフェニル−２−シアノ−２−トーンスー４−へブ　ルーシ　ロ ヘ　シル）エタン標記化合物をトランス−４−へブチルシクロへキシルアセトニ トリルと４−ブロモベンジルプロミドとから上記実施例１のステップＢ１と同様 にして調製した。収率５９％、融点６０〜６２°Ｃ０ Ａ２　１−シアノ−２−（４′−テコキシビフェニル−４−イル−２−トーンス ー４−ヘブ　ルシクロへ　シルツム乙 標記物質をステップＡ１の生成物と４−デシキシフェニルホウ酸とを使用しステ ップＢ２と同様にして調製した。

〔シリカゲル：クロロホルム−軽油（沸点４０〜６０”Ｃ（１：５）で溶出〕： 収収率６駕 （２）化合物： の調製 標記化合物を、１−（４−ブロモフェニル）−２−シアノ−２−（トランス−４ −へブチルシクロヘキシル）エタンと４−テコキシ−２−フルオロフェニルホウ 酸とを使用してＡｌ−Ａ２と同様にして調製した．〔シリカゲル；ジクロロメタ ン−軽油（沸点４０〜６０”Ｃ）（１　：　５）で溶出〕；収収率３丸 （３）化合物。

ＣＮ の調製 標記化合物を、１−（４−ブロモフェニル）−２−シアノ−２−（トランス−４ −ヘプチルシクロヘキシル）エタンと４−テコキシ−３−フルオロフェニルホウ 酸とを使用してＡｌ−Ａ２と同様にして調製した．〔シリカゲル；ジクロロメタ ン−軽油（沸点４０〜６０℃）（１　：　５）で溶出〕；収収率２九 及１１１ 化合物。

の調製 ケ）・ン１−（４’−デシロキシビフェニル−４−イル）−２−（トランス−４ −ヘプチルシクロヘキシル）エタノンを、Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙ ｓｔ（１９８８）に記載の対応するオクチルオキシ化合物で使用された方法と同 様の方法で調製した０代替経路としては欧州特許出願公開第０、１１７，６３１ 号の実施例１に記載の経路がある．収率は１８％であった。

このケトンを得るための別の経路では、１−（４−ブロモフェニル）−２−（ト ランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）エタン−１−オン（１　、０　ｇ、２． ６４ｍｍｏｌ）と、４−デシロキシフェニルホウｌ！！２（０　、９　９　ｇ、 ３．４３ｍｍｏ＋）とを反応させ、次いで、前記Ｂ２と同様の手順で処理する。

カラムクロマトグラフィ一段階でシリカゲルを使用し、溶出剤としてはジクロロ メタン：軽油（沸点４０〜６０℃）（１＝１）を使用した．収量０．８５ｇ、収 率６１％でエタノールから再結晶化した．ケトンは液晶転移に１０６　５Ｑ１３ ５　Ｓｃ　１４２　ＳＡ　１６８１を示した。

分子ふるいで乾燥したジクロロメタン（５ｍｌ）中の上記ケトン（０．４６７ｍ ｍｏｌ）の溶液に、乾燥窒素下に０℃で四塩化チタン（０．５４　５ｍｍｏ　Ｉ 、滴下）を添加した。

３０分後、トリメチル−シリルシアニド（ＴＭＳ−ＣＮ）（０．９３４ｍｍｏｌ ）を０℃で添加し、混合物を室温で７２時間攪拌した。

反応混合物を水に注ぎ、粗生成物をジクロロメタン（２Ｘ２５ｍｌ）に抽出した ０合わせた抽出物を水洗し乾燥（Ｍ　ｇ　Ｓｃ，）シた．減圧下に溶媒を除去し 、粗生成物をカラムクロマトグラフィー〔シリカゲル；ジクロロメータンー軽油 （沸点４０〜６０℃）（１　：　５）で溶出〕で精製した．生成物をエタノール から再結晶させた．収率５０％同様の経路を使用して以下のケトン類を調製した 二Ｋ　１０６　Ｓｏｌ　３５　Ｓｃｌ　４７　ＳＡＩ　６０　１（溶出剤ニジク ロロメタン：軽油（４０〜６０”Ｃ）１：２、収率２６％でエタノールから再結 晶化）。

Ｋ１１７　Ｓｏ　１３２Ｓｃ　１４１ＳＡ　１６３Ｉ（溶出剤；クロロホルム： 軽油（４０〜６０”Ｃ）１　：　２、収率１０％でエタノールから再結晶化〉。

Ｋ　（５６Ｓｓ）　５８　ＳＡＩ　２８　Ｉ（溶出剤ニジクロロメタン・軽油（ ４０〜６０”Ｃ）４：１、収率９３％で軽油（４０〜６０℃）から再結晶化）。

Ｋ１２２　ＳＲ１３０ＳＡ　１５２Ｉ （１−ペンチルビシクロ（２，２，２）オクタン４−酢酸から、アシルクロリド （ｓＯｃｌ、経由）を経由し、Ｍ　ｏ　ｌ　。

Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ（１９８８）に記載の経路で調製した。溶出剤 ；クロロホルム：軽油（４０〜６０’Ｃ）１・２、収率１９％で軽油から再結晶 化）。

化合物： Ｋ　（５６Ｓｓ）　６８Ｓ＾１３８　Ｉを以下に示す別の経路で調製した。

ナトリウム乾燥エーテル（２５ｍｌ）中の４−ブロモ−４′デコキシー２−フル オロビフェニル（公知）（６，１ｇ、１５ｍｍｏ＋）と金属マグネシウム（０， ４ｇ、１６．６ｍｇ原子）とから成るグリニヤール試薬を無水条件下に５０”Ｃ で調製し、反応をＧＣによってモニタした。ナトリウム乾燥エーテル（１０ｍｌ ）中のトランス−４−へブチルシクロヘキシル−アセトニトリル（１，１ｇ、５ ｍｍｏｌ）の溶液を添加し、反応混合物を還流下に一夜加熱した０反応混合物を 冷却し、氷（１００ｇ）及び３６％塩酸（１０ｍｌ）に注いだ、有機層を分屋し 、水性層をエーテル（２５ｍｌ）で洗浄した０合わせたエーテル抽出物を水性炭 酸ナトリウム（１０％）（５０ｍｌ）及び水で洗浄し、次いで乾燥（ＭｇＳＱ、 ）した、減圧下に溶媒を除去し、粗生成物をカラムクロマトグラフィー〔シリカ ゲル；クロロホルム：軽油（沸点４０〜６０℃）（１：２）で溶出〕で精製した 。収量１．７５ｇ、収率６４％でエタノールから再結晶化した。

４１色ｒ 化合物： の調製 ０℃、無水窒素下に、分子ふるいで乾燥したジクロロメタン＜５ｍｌ＞中の２− （トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−１−（４−オクトキシフェニル） エタノン（０，２ｇ、０．４６７ｍｍｏｌ）の溶液に四塩化チタン（５５μｌ、 ０．５４５ｍｍｏ　ｌ）を滴下した。３０分後に、Ｏ”ＣでＴＭＳ−ＣＮ（０， １４２ｍ　１．０．９３４ｍｍｏ　ｌ）を添加し、次いで混合物を室温で７２時 間攪拌した０反応混合物を水に注ぎ、粗生成物をジクロロメタン（２Ｘ２５ｍｌ ）に抽出した。

合わせた抽出物と水洗し乾燥（Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ，、）した、減圧下に溶媒を除去 し、粗生成物をカラムクロマトグラフィー〔シリカゲル；ジクロロメタン−軽油 （沸点４０〜６０℃）（１：２）で溶出〕で精製した。収量０．１５ｇ、収率６ ８％でエタノールから再結晶化した。

上記実施例及び関連方法で調製したシアノ化合物の液晶転移（０℃）を次表にま とめる。

に４１Ｓ４６１ 八 Ｋ　１２７　Ｉ Ｋ　１５５Ｂ８８　Ｉ Ｋ　７１．５　Ｓ　１６１５２１６２　Ｎ　１７３　ＩＫ　１０６．５　１ Ｋ　５３５Ｂ７０　Ｘ Ｋ　１０４　（Ｓ８９３）　Ｘ １１匠ｉ：経路Ｃの代表的実施例 ＣＩ　チオニルクロリド（７５ｍｌ）及びＤ　Ｍ　Ｆ　（３滴）中のトランス− ４−へブチルシクロへキシル−カルボン酸（３）（Ｌｏｇｌｏ、０４４ｍｏ　ｌ ）の溶液を還流下に攪拌しながら３時間加熱した。冷却後に、余剰のチオニルク ロリドを減圧下に除去した。残渣を乾燥エーテル（５０ｍｌ）で処理し、減圧下 に再度濃縮した。

乾燥エーテル（５０ｍｌ）を乾燥窒素下にリチウムアルミニウム水素化物（３， ３５ｇ１０．０８８ｍｏ　！＞に慎重に添加した。この攪拌懸濁液に、粗酸塩化 物溶液を乾燥エーテル（２０〜３０ｍ１＞中で室温で１時間を要して添加した。

攪拌懸濁液を還流下に２時間加熱し、次いで冷却した。余剰のＬ　Ｌ　Ａ　Ｉ　 Ｈ＋を破墳するために水（１，５ｍ１）を添加した。混合物に希ＨＣ］　（１０ ％）を添加して反応を停止させた。溶液をエーテル（３ｘｌＯＯｍｌ＞で抽出し 、合わせた有機抽出物を水洗（３ｘ５０ｍｌ）Ｌ、乾燥（ＭｇＳＯ４）Ｌ、減圧 下に溶媒を除去した。Ｐｉ渣を１２５℃／　０　、１　ｍ　ｍ　Ｈｇで蒸留する ことによって精製し、無色油状の生成物を得な。

収率７５％。

Ｃ２アルコールを含まないクロロホルム（４７ｍｌ）中のアルコール（４）（Ｌ ｏｇｌｏ、０４７ｍｏ　ｌ＞の攪拌溶液に０℃でピリジン（７，６ｍ　１１０． ０９４ｍｏ　りを添加した。

この混合物にトシルクロリド（１３，４４ｇ１０．０７１ｍｏ　１）を少量ずつ 添加した。混合物を０℃で２時間攪拌し、次いで室温で更に２時間攪拌した。エ ーテル（１２０ｍｌ）及び水（２８ｍｌ）を添加した。有機層を分離し、希ＨＣ Ｉ、水、５％Ｎ　ａ　ＨＣＯ！及び水で順次洗浄した。乾燥＜Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４ ）ｔ＆に、減圧下に溶媒を除去し、粗残渣をフラッシュ−シリカクロマトグラフ ィーく石油、エーテル４０／６０中の２％ジエチルエーテル）で精製した。生成 物は白色固体であった。収率６７％；融点３３〜３５℃。

Ｃ３２５０ｍ１フラスコ内で微粉状のコハク酸無水物（Ｌｏｇｌｏ、１ｍｏ　Ｉ ）を粉末状Ａ　Ｉ　Ｃｌ　３（２７ｇ　／　０　、２ｍ０１）と完全に混合した 。ブロモベンゼン（３７，５ｍ１１０．３６ｍｏ＋）を添加し、混合物を攪拌し 、１００〜１１０℃で１時間加熱した。ＨＣＩの蒸気が発生し、固体は溶解して 暗赤色の溶液を生じた０反応混合物を冷却し、濃ＨＣＩ（３０ｍｌ＞を含む氷水 に注いだ、混合物と酢酸エチル（３Ｘ１５０ｍｌ）で抽出した０合わせた有機抽 出物を２ＭのＮａＯＨ水溶液（３Ｘ１５０ｍｌ）で洗浄した０合わせた水性抽出 物を濃ＨＣＩで酸性化した。沈殿した固体生成物を炉別し、ポンプで乾燥した。

エタノールから再結晶させると結晶質の酸が得られた。収率６４％、融点１４１ ｆＡＨＣ］　（２２，３ｍｌ）及び水（５７ｍｌ）の混合物を室温で５〜１０分 間攪拌した。溶液を傾瀉し、アマルガム化した亜鉛に、水（３０ｍｌ）と濃ＨＣ Ｉ（８０ｍｌ＞と氷酢酸（２ｍｌ）とトルエン（４０ｍｌ）とβ−（ｐ−プロモ ーベンゾイル）プロパンＭ（２０ｇ１０．０７８ｍｏｌ）とを添加した。

混合物を攪拌し、還流下に９時間加熱した。冷却後に、有機層を分離し、水洗し て乾燥（ＭｇＳＯ，）Ｌ、た、濾過後に、減圧下に溶媒を除去し、残渣を蒸留し た。生成物を１４６”Ｃ／　０　、５　ｍ　ｍ　Ｈｇで収集した。収率５５％。

Ｃ５ＤＭＦ（数滴）を含むチオニルクロリド＜１００ｍ１）中の酸（７）（Ｌｏ ｇｌｏ、０４ｍｏ　＋）の溶液を室温で一夜攪拌した０次いで減圧下にチオニル クロリドを除去して粗絞塩化物を与えた。酸塩化物をジグリム（２０ｍｌ）に溶 解し、この溶液を攪拌水性アンモニア（３５％、２００ｍ１）にゆっくりと添加 した。得られた混合物を更に３０分間攪拌した。固体を一過し、冷水で洗浄した 。乾燥（真空オーブン、５０℃）後に、サンプルを石油、エーテル４０／６０及 び酢酸エチルから再結晶させた。材料バルクをそれ以上精製しないで次のステッ プに移した。収率８３％。

Ｃ６乾燥ＤＭＦ（１７０ｍ　ｌ）中のアミド＜８＞（７，０ｇ１０．０２９ｍｏ ＋）の攪拌溶液に、乾燥ＤＭＦ（１７０ｍｌ）中のチオニルクロリド（２＋１０ ．２９ｍｏ　ｌ）の溶液を室温で滴下した０次いで、水（５００ｍｌ）に注いで 、生成物をエーテル（３Ｘ１００ｍｌ）で抽出した０合わせた有機抽出物を水、 水性ＮａＨＣ○、溶液、水で洗浄し、乾燥（Ｍｇｓｏ、）した、減圧下に溶媒を 除去した後の黒色残渣を減圧下に蒸留した。生成物を１５０〜ｂ で収集した。収率８３％。

Ｃ７乾燥窒素下、０℃で、乾燥ＴＨＦ（２５ｍ　ｌ）中のジイソプロピルアミン （４，７ｍ１１０．０３５ｍｏｌ）の攪拌溶液に−ｎ−ＢｕＬｉ（１３，６ｍｌ の２．５Ｍ溶液１０．０３４ｍｏ　ｌ）を添加した。０℃で３０分間攪拌後に、 温度を一７８℃に下げ、ニトリル（９）（６ｇ１０．０２７ｍｏ　ｌ）を滴下し た。混合物を一７８℃で更に１時間攪拌した９次に、乾燥ＴＨＦ（８ｍｌ）中の トシレート（５）（１０，１ｇｌｏ、０２７ｍｏｌ）の溶液を滴下し、混合物を 一７８°Ｃで１時間攪拌し、次いで室温まで温度を上昇させた。−夜攪拌後に、 水性ＮＨ４Ｃｌ溶液によって反応を停止させ、エーテル（３Ｘ５０ｍｌ）で抽出 した０合わせた有機抽出物を、水、飽和ブラインで洗浄し、乾燥（ＭｇＳＯ＜） した、減圧下に溶媒を除去し、残渣をフラッシュ−シリ力りロマトグラフィー（ 溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の５％ジエチルエーテル）で処理した。生 成物は結晶質固体であった。

収率２４％。

Ｃ８室温で乾燥窒素下に、ベンゼン（３０ｍｌ）及び２ＭのＮ　ａ　２　ＣＯ水 溶液（３０ｍｌ）中のニトリル（１０）（１ｇ／２．３９ｍｍｏｌ）とテトラキ ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０，１５ｇ１０．１３ｍｍｏ ｌ）との攪拌混合物に、４−ペンチルフェニルホウ酸＜０．７　ｇ／３．１５ｍ １）の溶液を添加した。攪拌混合物を還流下に加熱し、反応をＴＬＣによってモ ニタした０反応が終了すると混合物を冷却し、多少のエーテルと多少の水とによ って希釈した。混合物をエーテル（３Ｘ５０ｍｌ）で抽出した０合わせた有機抽 出物をブラインで洗浄し乾燥（ＭｇＳＯ，）シた。

減圧下に溶媒を除去し、残渣をフラッシュ−シリ力りロマトグラフィー（溶出剤 二石油、エーテル４０／６０中の４０％ジクロロメタン）で精製した。固体生成 物がヘキサンから再結晶化した。収率８３％、４−ペンチルフェニルホウ酸を用 いて調製した生成物は、１−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−２− シアノ−４−（４−ペンチルビフェニル−４′−イル）ブタン（表３の化合物１ ａ＞であった。

種々のホウ酸を使用し同様の手順で以下の化合物を調製した。

１−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−２−シアノ−４−（４−ヘキ ソキシビフェニル−４′−イル）ブタンく表３の化合物１ｂ）；フラッシュ−シ リカクロマトグラフィー（溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の４０％ジクロ ロメタン）で精製し、次いでヘキサン／酢酸エチルから再結晶化、収率９７％。

１−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）−２−シアノ−４−（４−オク トキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表３の化合物ＩＣ）；フラッシュ−シ リカクロマトグラフィー（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中の３０％ジクロ ロメタン）で精製し、次いで石油、エーテル４０／６０から再結晶化、収率２６ ％。

１−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）−２−シアノ−４−（４−テコ キシビフェニル−４′−イル）ブタン（表３の化合物１ｄ）：フラッシューシリ カクロマトグラフイー（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中の３０％ジクロロ メタン）で精製し、次いで石油、エーテル４０／６０から再結晶化、収率３３％ 。

１−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−２−シアノ−４−（２−フル オロ−４−オクトキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表３の化合物１ｅ）： フラッシューシリカクロマトグラフィ−（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中 の３０％ジクロロメタン）で精製し、次いで石油、エーテル４０／６０から再結 晶化、収率２０％。

１−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）−２−シアノ−４−（２，３− ジフルオロ−４−オクトキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表３の化合物１ ｆ）：フラッシューシリカクロマトグラフィー〈溶出剤二石油、エーテル４０／ ６０中の３０％ジクロロメタン）で精製し、次いでエタノールから再結晶化、収 率３３％。

調製された誘導体及びそれぞれの転移温度の一覧を表３に示す。

表３＝化合物１ａ〜での転移温度 化合物　Ｙ　ＡＥ　転移温度／℃ １　ａ　Ｃ５Ｈｚ　ＨＨＫ　８６．５５Ａ９３．Ｏ１１ｂ　−ＯＣ，Ｈ，、ＨＨ Ｋ１１６．０（ＳＡ１０５．５）１１ｃ　−〇Ｃ，Ｈ，？　ＨＨＫ１１５．８Ｓ Ａ１１６．９１１ｄ　−○Ｃ，，Ｈ，，ＨＨＫ１０９．５ＳＡ１１３．６１１ｅ 　ＯＣｍＨｌ、Ｆ　ＨＫ　６３．０３Ａ７６、ＯＩＩｆ　−ＯＣ＊Ｈ＋ｔ　Ｆ　 Ｆ　Ｋ　４Ｂ、７ＳＡ６１．５１１克九虹：経路りの代表的実施例 Ｍ Ｄｉ　この方法はステップＣ１で使用した方法に従う、生成物を蒸留（沸点１４ ０〜１５０℃１０．２５ｍｍＨｇ＞によって精製した。収率７０％。

Ｄ２　この方法はステップＣ２で使用した方法に従う、生成物をフラッシュ−シ リカクロマトグラフィー（溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の２％ジエチル エーテル）で精製した。収率９２％。

ユ　ビベルジン（０，４ｍ１）登含むピリジン（２５ｍｌ＞中のｐ−ブロモベン ズアルデヒド（１０ｇ１０．０５ｍｏ　ｌ）とマロン酸（１１，４４ｇ１０．１ １ｍｏ　ｌ）の攪拌溶液を１００〜１１０℃で３時間加熱した。冷却後の溶液を 、濃ＨＣＩ＜２５ｍ１）を含む水＜２００ｍ１）に攪拌しながら注いだ、沈殿し た生成物をｒ過し、水洗し、乾燥した。生成物をエタノールから再結晶させた。

融点２５４〜２５６℃。

収率９８％。

工１　この方法はステップＣ５で使用した方法に従う、生成物を酢酸エチル／エ タノールから晶出させることによって精製した。融点２０６〜２０９℃、収率９ ７％。

二　ｐｔ○２触媒（０，２ｇ）を含むエタノール／ＴＨＦ（２００ｍｌ）中のア ミド（１６）（７，６ｇ１０．０３４ｍｏ　＋）の溶液を、水素下にガス吸収が 止むまで攪拌した。触媒をヂ別し、減圧下に溶媒を除去した。生成物を酢酸エチ ルから再結晶化によって精製した。融点１３８〜１３８℃、収率９５％。

Ｄ６　この方法はステップＣ６で使用した方法に従う、生成物を蒸留（沸点１３ ５℃１０．ｌｍｍＨｇ＞によって精製した。収率８３％。

Ｄ７　この方法はステップＣ７で使用した方法に従う、生成物をフラッシュ−シ リ力りロマトグラフィ−（溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の５％ジエチル エーテル）で精製した。収率５４％。

ＬＬ　この方法はステップＣ８で使用した方法に従う、生成物をフラッシュ−シ リ力りロマトグラフィ−（溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の３０％ジクロ ロメタン）で精製し、次いでヘキサンから再結晶させた。収率９１％、４−ペン チルフェニルホウ酸を使用して調製した化合物は、１−（４−１ランス−ヘプチ ルシクロヘキシル）−３−シアノ−４−（４−ペンチルビフェニル−４′−イル ）ブタン（表４の化合物２ａ）であった。

稽々のホウ酸を使用し同様にして以下の系を調製した。

１−（４−トランス−へ１チルシクロヘキシル）−３−シアノ−４−（４−ヘキ ソキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表４の化合物２ｂ）；フラッシュ−シ リカクロマトグラフィー（溶出剤二石油、エーテル４０／６０中の４０％ジクロ ロメタン）で精製し、次いで酢酸エチル／石油、エーテル４０／６０から再結晶 化、収率８７％。

１−（４−１ランス−４−ヘアチルシクロヘキシル）−３−シアノ−４−（４− オクトキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表４の化合￥’１Ｊ２ｃ）；フラ ッシュ−シリカクロマトグラフィー（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中の３ ０％ジクロロメタン）で精製し、次いでエタノール／酢酸エチルから再結晶化、 収率９８％。

１−（４−）ランス−４−へブチルシクロヘキシル）−３−シアノ−４−く４− テコキシビフェニル−４′−イル）−ブタン（表４の化合物２ｄ）；フラッシュ −シリ力りロマトグラフィ−（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中の３５％ジ クロロメタン）で精製し、次いでエタノール／酢酸エチルから再結晶化、収率７ ３％。

１−（４−トランス−へブチルシクロヘキシル）−３−シフ／−４−（２−フル オロ−４−オクトキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表４の化合物２ｅ）； フラッシュ−シリカクロマトグラフィー（溶出剤：石油、エーテル４０／６０中 の３５％ジクロロメタン）で精製し、次いでエタノール／酢酸エチルから再結晶 化、収率６６％。

１−（４−）ランス−ヘプチルシクロヘキシル）−３−シアノ−４−（２，３− ジフルオロ−４−オクトキシビフェニル−４′−イル）ブタン（表４の化合物２ ｆ）；フラッシュ−シリカクロマトグラフィー（溶出剤二石油、エーテル４０／ ６０中の３５％ジクロロメタン）で精製し、次いでエタノール／酢酸エチルまた はアセトンから再結晶化、収率５８％。

調製された誘導体及び夫々の転移温度の一覧を表４に示す。

表４：化合物２ａ〜での転移温度 化合物　Ｘ　ＡＥ　転移温度／℃ ２ａ　−ＣｓＨ＋、　ＨＨＫ　９８．Ｏ５Ａ９１．７　Ｉ２ｂ　−０（、ａＨｌ ）　ＨＨＫ１１３．５（ＳＡ１１９．５）Ｉ２ｃ　−ＯＣｓＨｌｔ　ＨＨＫ　１ １０．Ｏ３Ａ１１６．４　Ｉ２ｄ　−ＱＣ，。Ｈ，、ＨＨＫ１０６．３ＳＡ１１ ３．８１２ｅ　０ＣＩＨ１７Ｆ　ＨＫ　７２．９ＳＣ８１ＳＡ８６　Ｉ２ｆ　− ＯＣ，Ｈ，？　Ｆ　Ｆ　Ｋ　９２．２ＳＡ９４．５１１１色Ｌ　経路Ｇの代表的 実施例 化合物 の調製 Ｇｌ　アセトン（１５０ｍｌ）中の１−ブロモヘキサン（６０ｇ）の溶液を、ア セトン（６００ｍｌ）中の４−ブロモフェノール（７１ｇ）とＫｔＣ○ｓ＜１２ ０ｇ）との攪拌混合物に室温で滴下した。攪拌混合物を還流下に４３時間（即ち 、ｇｌｃが完全反応を示すまで）加熱した。生成物をエーテルで２回抽出し、合 わせたエーテル抽出物を水、５％ＮａＯＨ水で洗浄し、乾燥（Ｍ　ｇ　Ｓ○、） シた。溶媒を二ｖａｃｕｏで除去し、残渣を蒸留（沸点＝１００〜１１０℃、０ ．１ｍｍＨｇ）すると無色液体（７９，４ｇ、８６％）が得られた。

Ｇ２　乾燥ＴＨＦ（２５０ｍ　ｌ　）中のＧｌ（７２ｇ）とＭｇ（７，７５ｇ） とから調製したグリニヤール試薬の溶液を、乾燥Ｎ２下に、乾燥ＴＨＦ（４０ｍ ｌ）中のトリーイソプロピルボレート＜１０９．１ｇ）の攪拌冷却（−７８℃） 溶液に滴下した。攪拌混合物を室温に温めて一夜維持し、１０％ＨＣＩ（３２０ ｍｌ）と共に室温で１時間攪拌した。生成物をエーテルに２回抽出し、合わせた エーテル抽出物を水洗し、乾燥（ＭｇＳＯ，）した、溶媒をｉｎ　ｖａｃｕｏで 除去して、無色固体（６１，２ｇ、９９％）を得た。Ｉｉ点＝８０〜８５℃。

式Ｉの化合物を使用して得られる本発明の液晶材料及びデバイスの実施態様を図 ６に基づいて説明する。

図６において、液晶セルは、例えば酸化スズまたは酸化インジウムの透明導電層 ３を表面に有するガラススライド２と、透明導電層５を表面に有するガラススラ イド４との間にサンドイッチされたキラルスメクチック相を示す液晶材料層１を 含む０層３．５を担持するスライド２．４は夫々、ポリイミドポリマーの薄膜６ ．７によって被覆されている。セルを組立てるまえに、薄膜６．７を柔らかい布 で所与の方向に摩擦する。摩擦方向が平行になるようにセルを組立てる０例えば ポリメチルメタクリレートから成るスペーサ８がスライド２．４を所望の間隔、 例えば５μだけ離間させている。

液晶材料１をスライド２．４とスペーサ８との間のスペースに充填し、スペーサ ８を公知の方法で真空中でシールすることによって、スライド２．４間に液晶材 料１を導入する。液晶分子がスライド２．４の摩擦方向と容易に整列するように 、スライド２．４間に導入されるときの液晶材料がスメクチックＡ、ネマチック またはく材料を加熱して得られる）等方性液相であるのが好ましい。

偏光軸が薄膜６．７の摩擦方向に平行になるように偏光子９を配置し、偏光軸が 該摩擦方向に垂直になるように検光子（交差偏光子）１０を配置する。

く図示しない慣用電源から）約＋ＩＯＶと一１０Ｖとの間で変化する矩形波電圧 を層３及び５と接触させることによってセルに印加するとき、セルは電圧の符号 変化に応じて上記のごとく暗状態と閉状体との間で高速スイッチングされる。

図６に示すセル構造に基づく（図示しない）変形デバイスでは、層３及び５を、 例えば、慣用のディスプレイで用いられる文字、数字、語句または図形のような １つ以上のディスプレイ記号を与えるように、ホトエツチングまたはマスク越し の蒸着などの公知の方法によって選択的に形成し得る。これによって形成される 電極部分は、多重動作を含む多様な方法でアドレスされ得る。

液晶材料１は、前記実施例に記載した混合物のいずれでもよい。

〔Ｎ Ｔｓ　＝　Ｆｔレニン　−４−ス＋１／４　＄−１−Ｎ ！」１ 〔Ｒ及びＲ１は個別に、０１〜Ｃ１２のアルキル、アルコキシ、ペルフルオロア ルキルまたはペルフルオロアルコキシを示し； 環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは個別に、１つまたは２つのハロゲン置換基で置換されるか もしくは未置換のフェニル、トランス−シクロヘキシルまたは（２，２，２）ビ シクロオクチルを示し、ａ、ｂ、ｃまたはｄの各々は、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が２ または３であるという条件で個別にＯまたは１を示し； リンクＡ及びＣは個別に単結合、ＣＨ，ＣＨ２、ＣＯＯ１００Ｃ，ＣＨ，Ｏまた はＯＣＨｚを示し：ｎ、ｍ及びｐは、（ｎ＋ｍ＋ｐ）が０でないという条件で個 別にＯまたは１〜４の整数を示し、；Ｗ及び２は個別４：ｌニーＣＨ＝Ｃ（ＣＮ ）−及び−Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ−から選択され： Ｘ及びＹは個別に−ＣＨＣＮ−及び−Ｃ（ＣＮ）２−から選択され； Ｗ、ｘ、ｙ及びＺは、Ｘ及び／またはｙが１のときにＷ及び２が０であり、更に ｗ、ｘ、ｙ及びＺの少なくとも１つが１であるという条件でＯまたは１を示す〕 で示される液晶特性を示すシアノアルカン及びシアノアルケンが提供される。

国際調査報告

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. １．一般式Ｉ：　 式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ及びＲ１は個別に、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル、アルコキシ、ペルフル オロアルキルまたはペルフルオロアルコキシを示し； 環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは個別に、１つまたは２つのハロゲン置換基で置換されるか もしくは未置換のフェニル、またはトランス−シクロヘキシルまたは（２、２、 ２）ビシクロオクチルを示し、ａ、ｂ、ｃまたはｄの各々は、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ ）が２または３であるという条件で個別に０または１を示し； リンクＡ及びＣは個別に、単結合、ＣＨ２ＣＨ２、ＣＯＯ、ＯＯＣ、ＣＨ２Ｏま たはＯＣＨ２を示し；ｎ、ｍ及びｐは、（ｎ＋ｍ＋ｐ）が０でないという条件で 個別に０または１〜４の整数を示し； Ｗ及びＺは個別に、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−及び−Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ−から選択さ れ； Ｘ及びＹは個別に、−ＣＨＣＮ−及び−Ｃ（ＣＮ）２−から選択され； ｗ、ｘ、ｙ及びｚは、ｘ及び／またはｙが１のときにｗ及びｚが０であり、更に ｗ、ｘ、ｙ及びｚの少なくとも１つが１であるという条件で０または１を示す〕 で示される液晶特性を示すシアノアルカン及びシアノアルケン。
2. ２．Ｒ及びＲ１がｎ−アルキルもしくはｎ−アルコキシ、または非対称置換アル キルもしくはアルコキシであることを特徴とする請求項１に記載のシアノアルカ ン及びシアノアルケン。
3. ３．環Ａ及びＢがシクロヘキシルであることを特徴とする請求項１に記載のシア ノアルカン及びシアノアルケン。
4. ４．環Ｃ及びＤがハロゲン置換フェニルのとき、ハロゲンがフッ素であることを 特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
5. ５．リンクＡ及びＣが単結合であることを特徴とする請求項１に記載のシアノア ルカン及びシアノアルケン。
6. ６．ｃ及びｄが０であり、Ｒ１がアルキルであることを特徴とする請求項１に記 載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
7. ７．環Ａだけが（２、２、２）ビシクロオクチルであることを特徴とする請求項 １に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
8. ８．ｎ、ｗ、ｙ、ｚ、ｐ＝０；ｘ、ｍ＝１；ＸはＣＨＣＮであることを特徴とす る請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
9. ９．ｗ、ｍ、ｙ、ｚ、ｐ＝０；ｎ、ｘ＝１；ＸはＣＨＣＮであることを特徴とす る請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
10. １０．ｗ、ｍ、ｙ、ｚ、ｐ＝０；ｎ、ｘ＝１；Ｘは−Ｃ（ＣＮ）２−であること を特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
11. １１．ｎ、ｘ、ｍ、ｙ、ｚ、ｐ＝０；ｗ＝１；Ｗは−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−である ことを特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
12. １２．ｗ、ｙ、ｚ、ｐ＝０；ｘ、ｍ＝１；ｎ＝２；ＸはＣＨＣＮまたは−Ｃ（Ｃ Ｎ）２−であることを特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノア ルケン。
13. １３．ｎ、ｗ、ｚ、ｐ＝０；ｘ、ｙ＝１；ｍ＝４；及びＸ、ＹはＣＨＣＮである ことを特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及びシアノアルケン。
14. １４．式ＩＡ１、ＩＡ４、ＩＡ５、ＩＢ２、ＩＢ３またはＩＢ４： ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＡ１▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ Ａ４▲数式、化学式、表等があります▼ＩＡ５▲数式、化学式、表等があります ▼ＩＢ２▲数式、化学式、表等があります▼ＩＢ３▲数式、化学式、表等があり ます▼ＩＢ４で示されることを特徴とする請求項１に記載のシアノアルカン及び シアノアルケン。
15. １５．化合物の少なくとも１種が請求項１に記載の誘導体であることを特徴とす る化合物の混合物から成る液晶材料。
16. １６．混合物が更に、少なくとも１種の式ＩＩＡ：▲数式、化学式、表等があり ます▼ＩＩＡ〔Ｒ１及びＲ２は個別にＣ２〜Ｃ１２のアルキルまたはアルコキシ である〕の化合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶材料。
17. １７．混合物が更に、少なくとも１種の式ＩＩＢ１、式ＩＩＢ２または式ＩＩＢ ３： ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩＢ１▲数式、化学式、表等があります▼ ＩＩＢ２▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩＢ３〔式中、Ｒ１及びＲ２は個 別にＣ２〜Ｃ１２アルキルまたはアルコキシを示す〕の化合物を含むことを特徴 とする請求項１５に記載の液晶材料。
18. １８．混合物が代替的または付加的に、少なくとも１種の式ＩＩＩ： ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩＩ〔式中、Ｒ１はＣ１〜１２のｎ−アル キルまたはｎ−アルコキシを示し、Ｒ２はＣ１〜１５のアルキルまたはｎ−アル キルまたは分枝鎖または光学活性アルキルを示す〕の化合物を含むことを特徴と する請求項１６または１７に記載の液晶材料。
19. １９．混合物が９５重量％以下の式ＩＩＡまたはＩＩＢの化合物と、１５重量％ 以下の式ＩＩＩの化合物と、２５重量％以下の式Ｉの化合物とを、全体が１００ 重量％となる量で含むことを特徴とする請求項１５から１８のいずれか一項に記 載の液晶材料。
20. ２０．請求項１５に記載の材料を組み込んでいることを特徴とする液晶電気光学 的ディスプレイデバイス。