JPH05327124A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH05327124A JPH05327124A JP15429892A JP15429892A JPH05327124A JP H05327124 A JPH05327124 A JP H05327124A JP 15429892 A JP15429892 A JP 15429892A JP 15429892 A JP15429892 A JP 15429892A JP H05327124 A JPH05327124 A JP H05327124A
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Abstract
きるp型基板を用いた半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 p型半導体基板11上に、下部光閉じ込め層
19a、活性層13、上部光閉じ込め層19bおよびク
ラッド層14が順次積層された積層体から形成されたス
トライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶縁性半
導体埋め込み層16で埋め込まれている半導体レーザ素
子において、前記メサの底部を、上部光閉じ込め層19
bの上面と下部光閉じ込め層19aの下面の間に設け
る。
Description
り、製造歩留りが高い半導体レーザ素子を提供する。
半導体レーザ素子として、p型半導体基板を用いたもの
がある。従来のp型基板を用いた埋め込み型半導体レー
ザ素子は、例えば図2に示すような断面構造をなしてい
る。その製造工程は次の通りである。即ち、 1)MOCVD法にて、p型InP基板1上にp−In
Pクラッド層2、GRIN−SCH(Graded Refractiv
e Index - Separate Confinement Hetero)構造からなる
光閉じ込め層9a、9bで挟まれた多重量子井戸構造か
らなる活性層3、n−InPクラッド層4を順次積層す
る。 2)次いで、SiO2 膜のマスクを形成し、このマスク
を用いてp−InPクラッド層2までエッチングし、幅
1μm程度のメサを形成する。 3)次いで、液相成長(Liquid-Phase Epitaxy: LPE)法
にて、SiO2 マスクを用いて、n−InP層7aとp
−InP層7bからなるpn逆接合を利用した電流阻止
層7をメサ側面に選択成長する。 4)次いで、SiO2 マスクを剥がし、LPE法にてn
−InPクラッド層4およびn−InGaAsPキャッ
プ層5を成長する。 このようにして得られた半導体レーザ素子では、しきい
値電流が低く、低電流駆動が可能であり、また、p型基
板を用いているので、ICなどとの組み合わせの場合、
p側を共通にすることが容易になり、システムとのマッ
チングもよくなる。一方、MOCVD法で埋め込むと、
電流阻止層であるn−InP層7aがメサ側面上にも成
長してしまうため、n−InP層7aとn−InPクラ
ッド層4が接して、n型−n型接触が生じ、リーク電流
が増大する。従って、p型基板では3)および4)の積
層工程でMOCVD法を用いることができない。因み
に、n型基板の場合には、上述のn型−n型接触部分が
p型−p型接触であるので、抵抗が高く、リーク電流は
それほど大きくならない。
p型基板からなる半導体レーザ素子には、次のような問
題があった。即ち、 1)製造工程は、MOCVD法と2回のLPE法の合わ
せて3回の成長工程からなり、しかも異なる成長方法を
用いるため、製造歩留りの低下およびコストアップの原
因となった。 2)電流阻止層にpn逆接合を利用すると、そこに生ず
る電気容量のために、高速動作が阻害される。そこで、
高速動作をおこなう場合、pn逆接合からなる電流阻止
層の一部をフォトリソグラフィ、ケミカルエッチングに
より除去して、電気容量を減少させる工程が必要にな
り、この工程も製造歩留りの低下およびコストアップの
原因となった。 また、上記従来の半導体レーザ素子において、電流阻止
層にMOCVD法で形成した半絶縁性半導体層を用いた
場合には、この半絶縁性半導体層はp型半導体層に接触
し、不純物の拡散により電気抵抗が低下するという問題
があった。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、p型半導体
基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光閉じ込め
層およびクラッド層が順次積層された積層体から形成さ
れたストライプ状のメサを有し、前記メサの両側は半絶
縁性半導体埋め込み層で埋め込まれている半導体レーザ
素子において、前記メサの底部は、上部光閉じ込め層の
上面と下部光閉じ込め層の下面の間にあることを特徴と
するものである。
の上面と下部光閉じ込め層の下面の間に設けると、メサ
の形成によりp型半導体層が露出しないので、メサの側
面に半絶縁性半導体埋め込み層をMOCVD法で形成し
ても、電気抵抗の低下する恐れがない。従って、本発明
によれば、全工程をMOCVD法のみでエピタキシャル
層を積層でき、工程を簡略化できる。
を詳細に説明する。図1は本発明にかかる半導体レーザ
素子の一実施例の断面図である。この素子は次のような
工程で製造される。即ち、 1)MOCVD法にて、p型InP基板11上に厚さ2
μmのp−InPクラッド層12、厚さ1000Åの組
成が変化しているGRIN構造からなる下部光閉じ込め
層19aと上部光閉じ込め層19bで挟まれた8層の量
子井戸を有する多重量子井戸構造からなる活性層13、
厚さ2μmのn−InPクラッド層14、厚さ0.5μ
mのn+ −InGaAsキャップ層15を順次積層す
る。活性層13は、厚さ120ÅのInGaAsP
(1.1μm波長)からなる障壁層と、厚さ80ÅのI
nGaAsP(1.37μm波長)からなる井戸層から
構成されている。 2)次いで、SiO2 膜のマスクを形成し、このマスク
を用いて上部光閉じ込め層19bに達するようにエッチ
ングし、幅1μm程度のメサを形成する。この場合、塩
酸系のエッチング液を用いると、選択エッチングによ
り、上部光閉じ込め層19bに達すると、自動的にエッ
チングが停止する。 3)次いで、SiO2 マスクを用いて、MOCVD法の
選択成長により、メサ側面のみにFeドープInPから
なる埋め込み層16、およびn−InP層17を積層す
る。 4)次いで、SiO2 マスクを剥がす。 本実施例によれば、p基板上に2回のMOCVD法によ
るエピタキシャル成長により製造できるので、高歩留
り、低コスト化を期待することができる。また、電流狭
窄の埋め込み層が半絶縁性のFeドープInPからなる
ため、変調周波数が8GHzという高周波特性に優れた
素子が得られた。なお、上記実施例では埋め込み層にF
eドープInPを用いたが、その他の材質、例えばIn
GaAsPを用いてもよい。また、p型基板の材質はI
nPに限定されず、他の3−5族化合物半導体でもよ
い。
型半導体基板上に、下部光閉じ込め層、活性層、上部光
閉じ込め層およびクラッド層が順次積層された積層体か
ら形成されたストライプ状のメサを有し、前記メサの両
側は半絶縁性半導体埋め込み層で埋め込まれている半導
体レーザ素子において、前記メサの底部は、上部光閉じ
込め層の上面と下部光閉じ込め層の下面の間にあるた
め、全製造工程をMOCVD法のみで結晶成長させるこ
とができ、高歩留り、低コストで製造することができる
という優れた効果がある。
面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 p型半導体基板上に、下部光閉じ込め
層、活性層、上部光閉じ込め層およびクラッド層が順次
積層された積層体から形成されたストライプ状のメサを
有し、前記メサの両側は半絶縁性半導体埋め込み層で埋
め込まれている半導体レーザ素子において、前記メサの
底部は、上部光閉じ込め層の上面と下部光閉じ込め層の
下面の間にあることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15429892A JP3276674B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15429892A JP3276674B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05327124A true JPH05327124A (ja) | 1993-12-10 |
JP3276674B2 JP3276674B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=15581079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15429892A Expired - Fee Related JP3276674B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3276674B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP15429892A patent/JP3276674B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3276674B2 (ja) | 2002-04-22 |
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