JPH05325261A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

Info

Publication number
JPH05325261A
JPH05325261A JP12892092A JP12892092A JPH05325261A JP H05325261 A JPH05325261 A JP H05325261A JP 12892092 A JP12892092 A JP 12892092A JP 12892092 A JP12892092 A JP 12892092A JP H05325261 A JPH05325261 A JP H05325261A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
layer
recording
thermal expansion
material
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12892092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kusato Hirota
Gentaro Obayashi
Hisaya Seo
元太郎 大林
草人 廣田
尚也 瀬尾
Original Assignee
Toray Ind Inc
東レ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PURPOSE: To lessen the fluctuation in the film thickness of the recording layer of an optical disk, optical card or optical tape which has functions to erase and rewrite recording information and can record information signals at a high speed and high density by laminating a thermal expansion relieving layer consisting of a metal material having the coefft. of thermal expansion lower than the coefft. of thermal expansion of the constituting material of a reflection layer on the reflection layer.
CONSTITUTION: The thermal expansion relieving layer consisting of the metal, such as Ti alloy, having the coefft. of thermal expansion lower than the coefft. of thermal expansion of the material constituting the reflection layer is provided between a dielectric layer and the reflection layer at the time of constituting the optical recording medium of the laminate of, for example, a transparent substrate/first dielectric layer/recording layer/second dielectric layer/thermal expansion relieving layer/reflection layer, thereby the stress generated near the boundary with the protective layer by the thermal expansion of the reflection layer is decreased and the fluctuation in the film thickness of the recording layer and the defect generation and deterioration of the protective layer, the reflection layer, etc., are suppressed. The transfer of the recording layer material is lessened and the power margin is increased in spite of the recording conditions of a high recording power and erasing power if the recording medium is formed in such a manner.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention, by irradiation of light, the recording of information, erase, to an optical information recording medium can be reproduced it is.

【0002】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するものである。 [0002] In particular, the present invention is, erasing recorded information, it has a rewriting function, fast and an information signal, a high-density recordable optical disc, optical card, to a rewritable phase-change optical recording medium such as an optical tape it is intended.

【0003】 [0003]

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技術は、以下のごときものである。 Art Conventional rewritable phase-change optical recording medium is such that following.

【0004】これらの光記録媒体は、テルルを主成分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部分的に溶融する。 [0004] These optical recording medium has a recording layer mainly composed of tellurium, during recording, the laser light pulse focused on the recording layer in the crystalline state is irradiated briefly, partly fuse recording layer to. 溶融した部分は熱拡散により急冷され固化し、アモルファス状態の記録マークが形成される。 The melted portion is rapidly cooled by thermal diffusion and solidified, the recording marks in the amorphous state is formed. この記録マークの光線反射率は、未記録部の結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可能である。 Light reflectance of the recording mark is lower than the crystalline state of the unrecorded portion can be reproduced as optically recorded signal.

【0005】また、消去時には、記録マーク部分にレーザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。 Further, at the time of erasing, by irradiating a laser beam to the recording mark part, the melting point of the recording layer below, by heating to the crystallization temperature or higher, the recording marks in the amorphous state is crystallized, the original unrecorded back to the state.

【0006】この光記録媒体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防いでいる。 [0006] In this optical recording medium is usually a dielectric layer having heat resistance and light-transmitting on both sides of the recording layer is provided, variations in the recording layer during recording, prevents the opening occurs. さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体層に、熱伝導率が高く、光反射性を有するAlなどの金属反射層を積層して設け、光学的な干渉効果により再生時の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する技術が知られている。 Furthermore, the light beam incident direction opposite to the dielectric layer, high thermal conductivity, provided the metallic reflective layer such as Al having light reflectivity is laminated, the signal contrast during reproduction by optical interference effect while improving, the cooling effect, to facilitate the formation of a recording mark in an amorphous state, and erasing characteristics, it is known techniques for improving the repetition characteristics. 特に、記録層と反射層の間の誘電体層を20nm程度に薄く構成した「急冷構造」では、記録の書換の繰返しによる劣化が比較的少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い点で優れていると共に、一度のレーザ光照射で書換ができるシングル・ビームオーバーライト方式による記録も可能である(T.Ohota et al,Japanese Jounal of Applied P In particular, the "rapid cooling structure" dielectric layer thinly constructed about 20nm between the recording layer and the reflective layer, the deterioration is relatively small due to repeated rewriting of records, also excellent in wider power margin for the erasing power and with that, the recording is also possible by single beam overwrite method that can rewrite with a single laser beam irradiation (T.Ohota et al, Japanese Jounal of Applied P
hysics, Vol 28(1989) Suppl. 28-3 pp123 - 128)。 hysics, Vol 28 (1989) Suppl 28-3 pp123 -. 128).

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】前述のような急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題の一つは、 [SUMMARY OF THE INVENTION One of the challenges in the rewritable phase-change optical recording medium of rapid cooling structure as described above,
記録書換の多数回の繰返し、とりわけシングルビーム・ A number of times of repetition of the record rewriting, especially single beam
オーバライトによる書換の繰返しにより、記録層の物質が徐々にトラック方向に移動し、記録層の膜厚にむらが発生し、記録マークの形状が不均一になる、あるいは記録が困難な部分が発生するなどの不都合を生じることである。 Repeated rewriting by overwriting, material of the recording layer is gradually moved in the track direction, unevenness is generated in the thickness of the recording layer, the shape of the recording mark becomes uneven, or recording is difficult part occurs to is to cause problems such as.

【0008】また、第2の課題は、記録書換の多数回の繰り返しにより、記録層、誘電体層、反射層などの膜の欠陥が増加することであり、また、この部分が、長期の保存により、さらに欠陥が増加する、あるいはC/Nなどの記録特性が劣化する問題である。 [0008] The second problem is the large number of repetitions of recording rewritable recording layer is that the dielectric layer, defects of the membrane such as a reflective layer increases, also this part, saving long by further defect increases, or the recording characteristics such as C / N is a problem of deterioration.

【0009】第1の課題については、その一因が、記録時の加熱により、記録層、保護層、反射層などが熱膨張し、その応力により溶融状態にある記録層の物質が押し出されることにあると推定できる。 [0009] For the first problem, that partly because, by heating at the time of recording, the recording layer, a protective layer, that such reflective layer is thermally expanded, the material of the recording layer in a molten state is extruded by the stress It can be estimated to be in. そのため保護層、反射層の熱膨張により発生する応力を低減する方法が望まれていた。 Therefore the protective layer, a method of reducing the stress generated by thermal expansion of the reflection layer has been desired.

【0010】また、第2の課題については、その原因として、記録層と反射層の間の20nm程度の薄い誘電体層が、記録時に加熱され熱膨張するため、この誘電体層と反射層のAlなどの金属材料との熱膨張差により界面に応力が発生し、その結果、記録の繰り返しにより、誘電体層および反射層が強度的に疲労すること、およびクラック、ヒロックなどの欠陥が発生することなどが推定できる。 [0010] As for the second problem, as the cause, 20 nm approximately thin dielectric layer between the recording layer and the reflective layer is heated at the time of recording to thermal expansion, the dielectric layer and the reflective layer stress at the interface caused by the difference in thermal expansion between the metal material such as al, as a result, the repetition of recording, the dielectric layer and a reflective layer is strength to fatigue, and crack, defects such as hillocks are generated such as can be estimated that.

【0011】この様な劣化を防止する手段としては、熱膨張率の小さいW−Au合金を反射層とするもの(ア) [0011] As means for preventing such deterioration, a small W-Au alloy thermal expansion coefficient that a reflective layer (A)
(特開平3-178050号公報)や、Moなどの金属の5nm (JP-A-3-178050) and, 5 nm of metal such as Mo
程度の厚さの接着層を誘電体層と反射層の間に設けること(イ)(特開平3-207035号公報)が提案されているが、前者(ア)の場合には、記録を繰り返した部分の保存安定性は向上するものの、多数回の記録の繰り返しにより、C/Nなどの記録特性が劣化する欠点があった。 While providing a degree of thickness adhesive layer between the dielectric layer and the reflective layer (b) (JP-A-3-207035) has been proposed, in the former case (a) repeats the recording although portions of the storage stability is improved, by repeating the number of times of recording has a drawback that recording characteristics such as C / N is deteriorated.

【0012】また後者(イ)では、AuやAl反射層と接着性の悪いSi0 2や窒化シリコンなどの誘電体材料を用いる場合には、反射膜の接着性向上効果によって、 [0012] In the latter (b), in the case of using a dielectric material such as Au or Al reflective layer and the adhesive poor Si0 2 or silicon nitride, the adhesion improving effect of the reflective film,
記録の繰返しによる欠陥発生などの劣化が低減できることが報告されている。 Repeat deterioration such defects caused by the recording has been reported to be able to reduce. しかし、現在主流となっている急冷構成では、AlにTi、Cr、Zr、Hf、Mnなどの添加元素を加えて結晶粒径を純Alよりも小さくし、 However, the rapid cooling structure in which the current mainstream, Ti to Al, Cr, Zr, Hf, adding additive element such as Mn grain size smaller than that of pure Al,
かつ結晶状態の熱安定性を改善したAl合金反射層を用いれば、ZnS−SiO 2混合系誘電体と比較的良好な接着性が得られるため、Moなどの接着性向上層を挿入しても、更なる改善効果は殆ど得られなかった。 And the use of the Al alloy reflective layer having improved thermal stability of the crystalline state, the relatively good adhesion and ZnS-SiO 2 mixture based dielectric is obtained, inserting improved adhesion layer such as Mo , further improvement effect was obtained hardly. また、 Also,
急冷構成では、記録層と反射層間の誘電体層が、前述の例(イ)の70nmに比べて、約20nmと薄いため、 The rapid cooling structure, the dielectric layer between the recording layer reflection layers, compared to 70nm example above (i), for about 20nm and a thin,
記録時の誘電体層と反射層の界面の温度が高くなり熱膨張量の差がより大きいこと、および誘電体層が薄いため機械的強度が相対的に低く、前述の記録層の膜厚変動が起き易いことも、反射層の接着性を向上しても記録の繰返し耐久性が向上しない原因であると考えられる。 Difference in temperature is high becomes thermal expansion amount of the surface of the recording time of the dielectric layer and the reflective layer is larger, and since the dielectric layer is thin mechanical strength is relatively low, thickness variation of the aforementioned recording layer it tends to occur also considered repetitive durability of recording also improve the adhesion of the reflective layer is a cause for not improved.

【0013】本発明の目的は、記録時の加熱により誘電体層と反射層間に発生する応力を緩和し、誘電体層、反射層の欠陥発生や強度低下、記録層の物質移動などの劣化を低減すると共に、応力に対する反射層の安定性を向上することにより、多数回の記録の繰り返しを行っても劣化の少ない書換型相変化光記録媒体を提供することである。 An object of the present invention is to alleviate the stress generated in the reflective interlayer dielectric layer by heating at the time of recording, the dielectric layer, defects and strength reduction of the reflection layer, the deterioration such as mass transfer recording layer while reducing, by improving the stability of the reflective layer to stress, to provide a less rewritable phase-change optical recording medium having deteriorate even after repeated numerous times recorded.

【0014】本発明の別の目的は、耐酸化性、耐湿熱性に優れ長期の保存においても欠陥の生じない長寿命の光記録媒体を提供することである。 Another object of the present invention is to provide an optical recording medium of the long life not occur defects in excellent long-term storage oxidation resistance, wet heat resistance.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、 The present invention SUMMARY OF THE INVENTION may, by irradiating light to the recording layer formed on a substrate, information recording, erasing, reproduction is possible, the recording and erasing of information,
非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、かつ透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/反射層の積層体を構成部材として含み、かつ該積層体の第2誘電体層の厚さが2nm以上50nm以下である光記録媒体において、前記第2誘電体層と反射層の間に、反射層の構成材料よりも熱膨張率が小さい金属材料からなる熱膨張緩和層を設けたことを特徴とする光記録媒体に関するものである。 Performed by a phase change between the amorphous phase and the crystalline phase, and containing as a constituent member of the laminate of the transparent substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer / reflective layer, and the laminate in the optical recording medium the thickness of the second dielectric layer is 2nm or 50nm or less, the between the second dielectric layer and the reflective layer, heat a metal material thermal expansion coefficient is smaller than the constituent material of the reflective layer providing the expansion buffer layer to an optical recording medium characterized.

【0016】本発明の光記録媒体の代表的層構成は、透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/熱膨張緩和層/反射層の積層体を部材として含むもの、あるいは、透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/ [0016] Representative layer structure of the optical recording medium of the present invention are those comprising a laminate of transparent substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer / thermal expansion buffer layer / reflective layer as members, Alternatively, the transparent substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer /
熱膨張緩和層/反射層/強化層の積層体を部材として含むものである(ここで光の入射方向は基板側である)。 It is intended to include a stack of thermal expansion buffer layer / reflective layer / reinforcing layer as members (where the incident direction of light is the substrate side).
但しこれに限定するものではなく、反射層もしくは強化層上に、本発明の効果を損なわない範囲で紫外線硬化樹脂などの樹脂層や、ZnS,SiO 2などの湿度、熱安定性に優れた金属化合物の保護層、他の基板と張り合わせるための接着剤層など、他の層を設けてもよい。 However the present invention is not limited to this, the reflective layer or reinforcing layer, and a resin layer such as an ultraviolet curable resin within a range not to impair the effects of the present invention, ZnS, humidity such as SiO 2, the thermal stability superior metal protective layer of the compound, such as an adhesive layer for laminating the other substrate may be provided other layers.

【0017】本発明の熱膨張緩和層は、反射層の構成材料よりも熱膨張率が小さい金属材料からなる。 The thermal expansion buffer layer of the present invention, the thermal expansion coefficient consisting of a small metal material than the material of the reflective layer.

【0018】従来の構成では、誘電体層が酸化物、硫化物、窒化物やこれらの混合物であるため、熱膨張率はA [0018] In the conventional configuration, the dielectric layer is an oxide, because sulfide, a nitride or a mixture thereof, the thermal expansion coefficient A
lやAuなどの反射層に用いる金属に対して、数分の1 The metal used for the reflective layer, such as l and Au, a fraction 1
から10分の1程度と小さい。 1 is as small as about 10 minutes from the. そのため記録時に加熱された誘電体層と反射層の界面付近では、大きな熱膨張量差により応力が発生し誘電体層が変形する。 Therefore, in the vicinity of the interface of the dielectric layer and the reflective layer is heated at the time of recording, a large stress due to the thermal expansion amount difference occurs dielectric layer is deformed. 記録の度に繰返しこの変形が発生することにより、記録層材料がトラック方向に押し出され、膜厚の不均一化が発生していると推定できる。 By repeating this deformation occurs every time the recording, the recording layer material is extruded in the track direction, it can be estimated that nonuniformity of the film thickness has occurred. さらに、この変形の繰り返しによる誘電体層、反射層の機械的疲労から、各層の強度低下に起因する欠陥が発生していると推定できる。 Furthermore, it can be estimated dielectric layer by repetition of the deformation, from the mechanical fatigue of the reflective layer, and defects due to strength reduction of the layers occurs.

【0019】本発明は、この反射層を構成する材料より熱膨張率の小さいTi合金などの金属の熱膨張緩和層を誘電体層と反射層の間に設けることにより、反射層の熱膨張により保護層との界面付近に発生する応力を低減し、記録層の膜厚変動や保護層、反射層などの欠陥発生や劣化を抑制する効果がある。 The present invention, by providing a thermal expansion buffer layer of a metal, such as small Ti alloy having thermal expansion coefficient than the material constituting the reflective layer between the dielectric layer and the reflective layer, the thermal expansion of the reflection layer reducing the stress generated in the vicinity of the interface between the protective layer, the thickness variation and the protective layer of the recording layer, an effect of suppressing defects or deterioration such as a reflective layer.

【0020】特に、記録パワー、消去パワー(ボトム・ [0020] In particular, the recording power, erasing power (bottom
パワー)が高い記録条件での、前述の記録層材料の移動現象が低減され、記録条件のパワー・マージンが拡大できる効果が大きい。 Power) at a high recording conditions, is reduced transport phenomena of the aforementioned recording layer material, the effect is large can be enlarged power margin of the recording conditions.

【0021】本発明では、熱膨張緩和層を金属で構成しているため、SiO 2 ,Si窒化物などのガラス、セラミックス材料を用いる場合に比べ、靭性が高く、反射層の膨張による応力で破壊しにくいという効果がある。 In the present invention, since the thermal expansion relieving layer composed of a metal, glass such as SiO 2, Si nitride, compared with the case of using a ceramic material, high toughness, fracture at stress due to expansion of the reflective layer there is an effect that it is difficult.

【0022】ただし、本発明の主旨を損なわない範囲で、熱膨張緩和層の金属に少量の金属酸化物、窒化物などを加えることは、本発明の範囲内であることは言うまでもない。 [0022] However, in a range that does not impair the gist of the present invention, a small amount of metal oxide to the metal of the thermal expansion buffer layer, the addition of such as a nitride is of course within the scope of the present invention.

【0023】熱膨張緩和層の材質としては、Ti,Z [0023] As the material of the thermal expansion relieving layer, Ti, Z
r,Hf,Ta,Nb,Rh、Wなどの高融点金属、及びこれらの少なくとも2種から構成される合金、もしくは、これらを主成分とし添加元素としてAl,V,S r, Hf, Ta, Nb, Rh, a refractory metal such as W, and an alloy composed of at least two of them or,, Al as an additive element to them as a main component, V, S
n,Cr,Au,Ag、Cuなどの他の金属を1原子% n, Cr, Au, Ag, other metals, such as Cu 1 atomic%
以上、20原子%未満含有する合金およびAlTi金属間化合物が、熱膨張率が適当であることから好ましい。 More preferred because alloys and AlTi intermetallic compound contains less than 20 atomic%, the thermal expansion coefficient is suitable.

【0024】特に、反射層がAlもしくはAl合金の場合には、耐腐食性が良好な組み合わせであることからT [0024] In particular, when the reflective layer is an Al or Al alloy, T since corrosion resistance is good combination
i,Zr,Hfもしくは、これらの少なくとも2種の合金、さらにこれら前述の金属の少なくとも1種を主成分として80原子%以上含有し、添加元素としてAl, i, Zr, Hf or those of at least two alloy further contains 80 atomic% or more as a main component at least one of these aforementioned metals, Al as an additive element,
V,Sn,Cr,Au,Ag、Cuなどの他の金属を1 V, Sn, Cr, Au, Ag, other metals, such as Cu 1
原子%以上、20原子%未満含有する合金が合金が好ましい。 Atomic% or more, preferably an alloy containing less than 20 atomic percent alloy.

【0025】とりわけTiを80原子%以上含有しA [0025] Especially containing Ti 80 atomic% or more A
l、Sn,Hf,V,Nb,Mo,Cr,Fe,Siなどに代表される強度向上を目的とした添加元素を加えた合金であることが、耐腐食性が良好で、かつ記録繰り返しによる劣化を低減する効果が著しいことから好ましい、特にTiに3〜6重量%のAl,Vなどの少なくとも一種類の金属を加えた合金が耐熱性が高いことから好ましい。 l, Sn, Hf, V, Nb, Mo, Cr, Fe, it Si is an alloy obtained by adding an additive element for the purpose of improving the strength typified by the corrosion resistance is good, and by repeatedly recorded preferable because the effect of reducing the deterioration is significant, especially 3-6% by weight of Al to Ti, an alloy obtained by adding at least one metal, such as V is preferable because of high heat resistance.

【0026】熱膨張緩和層の厚さとしては、材質にもよるが、おおよそ10nm〜30nmが好ましく、10〜 [0026] The thickness of the thermal expansion buffer layer depends on the material, approximately 10nm~30nm preferably, 10
20nmが特に好ましい。 20nm is particularly preferred. 薄すぎる場合には、記録の繰返しによる劣化を低減する前述の効果が低く、厚すぎる場合には、比較的熱伝導率の低い熱膨張緩和層の影響で、記録層から反射層への熱拡散量が低くなり、記録、 If too thin, the above-described effect of reducing the degradation due to repeated recording is low, if too thick, relatively to the influence of low thermal conductivity thermal expansion buffer layer, thermal diffusion from the recording layer to the reflective layer the amount is lowered, recording,
消去特性、記録の繰り返し耐久性が低下する。 Erasing characteristics, the repetition durability of the recording decreases.

【0027】本発明の反射層の材質は、光反射性を有するAl,Au,Ag,Cuなどの金属、およびこれらの合金、および金属と金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物などの金属化合物の混合物である。 The material of the reflective layer of the present invention, Al having light reflectivity, Au, Ag, metals such as Cu, and alloys thereof, and metal and metal oxide, metal nitride, metal compounds such as metal carbides it is a mixture of. 特に、Al,A In particular, Al, A
u,Ag,Cuなどの高反射率の金属、もしくは、これらを主成分として80原子%以上含有する合金が光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。 u, Ag, highly reflective metal such as Cu, or these high alloys light reflectivity containing 80 atomic% or more as a main component, and preferable because it can increase the thermal conductivity. 前述の合金の例として、AlにSi,Mg,Cu, Examples of the aforementioned alloy, Si in Al, Mg, Cu,
Pd,Ti,Hf,Zr,Ta,Cr,Nb,Mnなどの少なくとも1種の元素を合計で5原子%以下、0.5 Pd, Ti, Hf, Zr, Ta, Cr, Nb, in total of at least one element such as Mn 5 atomic% or less, 0.5
原子%以上加えたもの、あるいは、AuにCr,Ag, Those added at% or more, or, Cr to Au, Ag,
Cu,Pd,Pt,Niなどの少なくとも1種の元素を合計で20原子%以下、1原子%以上加えたものなどがある。 Cu, Pd, Pt, in total of at least one element, such as Ni 20 atomic% or less, and the like plus 1 atomic% or more. 特に、材料の価格が安いことから、Alを主成分とする合金が好ましい。 In particular, since the price of the material is low, an alloy mainly containing Al are preferred.

【0028】とりわけ、Al合金としては、耐腐食性が良好なことから、AlにTi,Cr,Zr,Hfから選ばれる少なくとも1種以上の金属を合計で5原子%以下0.5原子%以上添加し、Pdを0.05原子%以上0.5原子%以下た合金あるいは、Alに合計で5%以下のSiとMnを加えた合金が好ましい。 [0028] Especially, as the Al alloy, because corrosion resistance is good, Al to Ti, Cr, Zr, a total of at least one metal selected from Hf 5 atomic% or less 0.5 atomic% or more added, Pd was 0.5 atomic% 0.05 atomic% or more of alloy or alloys plus 5% of Si and Mn in total Al is preferable.

【0029】反射層の厚さとしては、おおむね30nm [0029] The thickness of the reflective layer is generally 30nm
以上300nm以下である。 Or more and 300nm or less. 再生信号強度が大きく、かつ記録感度を高くできることから50nm以上200n Reproduction signal intensity is larger and 50nm or more because it can increase the recording sensitivity 200n
m以下が好ましい。 m or less is preferable.

【0030】また、本発明の光記録媒体の反射層の記録、再生光入射方向の反対側の面に、反射層を構成する材料よりもヤング率の高い金属材料からなる強化層を設けてもよい。 Further, the recording of the reflective layer of the optical recording medium of the present invention, on the opposite side of the reproducing light incident direction, be provided with a reinforcing layer made of a metal material having high Young's modulus than the material constituting the reflective layer good. 強化層を設けることは、反射層を力学的に強化する事によって、反射層や誘電体層などの熱膨張に起因する応力によって反射層にヒロックやマイクロ・クラックなどの欠陥が発生することを防止する効果があることから好ましい。 Prevent the provision of the reinforcing layer, by enhancing the reflective layer mechanically, that defects such as hillocks and micro-cracks in the reflective layer by the stress due to thermal expansion, such as the reflective layer and the dielectric layer occurs preferable from the fact that the effect of there. 強化層は金属で構成されているため、金属である反射層との接着性において、SiO2 , Since reinforcing layer that consists of metal, in adhesion between the reflective layer is a metal, SiO2,
ZnSなどの誘電体材料などに比べ優れている。 It is superior, such as the dielectric material, such as ZnS.

【0031】強化層の材質としては、Ti,Zr,H [0031] As the material of the reinforcing layer, Ti, Zr, H
f,Ta,Nb,Rh、Wなどの金属、及びこれらを主成分とする合金が、ヤング率が大きく好ましい。 f, Ta, Nb, Rh, metals such as W, and an alloy mainly containing these, the Young's modulus is largely preferred.

【0032】特に、反射層がAlもしくはAl合金の場合には、耐腐食性が良好な組み合わせであることからT [0032] In particular, when the reflective layer is an Al or Al alloy, T since corrosion resistance is good combination
i,Zr,Hf,Ta及びこれらの少なくとも2種の合金が好ましい。 i, Zr, Hf, Ta and these at least two alloys are preferred. さらにこれら前述の金属の少なくとも1 Furthermore, at least one of these aforementioned metal
種を50原子%以上含有する合金が好ましい。 Preferred alloy containing seeds 50 atomic% or more. とりわけTi−Zr合金、Ti−Al合金、Ti−Al−V合金、Ti−Al−Sn合金、Ti−Hf合金であることが、好ましい。 Especially Ti-Zr alloys, Ti-Al alloys, Ti-Al-V alloy, Ti-Al-Sn alloy, it is Ti-Hf alloy, preferred.

【0033】特にTi及びZrの少なくとも1種を80 [0033] Especially at least one of Ti and Zr 80
原子%以上含有しAl、Sn,Zr,Hf,V,Nb, Containing more atomic% Al, Sn, Zr, Hf, V, Nb,
Mo,Cr,Fe,Siなどに代表される強度向上を目的とした添加元素を合計で1原子%以上20原子%以下加えた合金であることが、耐腐食性が良好で、かつ記録繰り返しによる劣化を低減する効果が著しいことから好ましい。 Mo, Cr, Fe, it Si is an alloy obtained by adding 1 atom% to 20 atom% of additive elements for the purpose in the total strength improvement typified is, corrosion resistance is excellent, and by repeatedly recorded preferable because the effect of reducing the deterioration is remarkable.

【0034】強化層の厚さとしては、材質にもよるが、 [0034] The thickness of the reinforcing layer, although depending on the material,
20nm〜100nmが好ましく、特に20nm〜50 20nm~100nm are preferred, especially 20nm~50
nmが好ましい。 nm is preferable. 薄すぎる場合には、反射層を力学的に強化する効果が低く、厚すぎる場合には、反射層を含めた熱容量が大きくなり過ぎるため、記録、消去特性が低下する。 If too thin, the reflective layer mechanically less effective to enhance, if too thick, heat capacity, including a reflective layer for too large, the recording, erasing characteristics are degraded.

【0035】本発明の第1誘電体層の材質は、記録光波長において実質的に透明であり、かつその屈折率が、透明基板の屈折率より大きく、記録層の屈折率より小さいZnS,SiO 2 、酸化アルミニウム、窒化シリコン、 The material of the first dielectric layer of the present invention are substantially transparent in the recording light wavelength, and a refractive index greater than the refractive index of the transparent substrate, the refractive index lower than ZnS recording layer, SiO 2, aluminum oxide, silicon nitride,
ZrC、ZnSeなどの金属硫化物、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属セレン化物などの金属化合物、およびその混合物である。 ZrC, metal sulfides such as ZnSe, metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal compounds such as metal selenides, and mixtures thereof. 第1保護層の厚さは、必要な反射率など光学的な条件により決められるが、およそ100nm〜500nmである。 The thickness of the first protective layer is determined by optical conditions such as the required reflectance is approximately 100 nm to 500 nm.

【0036】特にZnSの薄膜、Si,Ge,Al,T [0036] In particular, thin film of ZnS, Si, Ge, Al, T
i,Zr,Taなどの金属の酸化物の薄膜、Si,Al i, Zr, oxide thin film of a metal such as Ta, Si, Al
などの窒化物の薄膜、Ti,Zr,Hf,Siなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。 A thin film of nitrides such as, Ti, Zr, Hf, film of a mixture of film and these compounds carbide such as Si is preferable because of high heat resistance. また、これらに炭素、MgF In addition, these carbon, MgF
2などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。 Also a mixture of fluoride, such as 2, preferable because residual stress of the film is small.

【0037】また、ZnSとSiO 2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、C/N、消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。 Further, a mixed film of ZnS and SiO 2, the recording, even by the repetition of erasing, recording sensitivity, C / N, preferred that the hardly occurs deterioration such erasure rate.

【0038】本発明の第2誘電体層の材質は、第1誘電体層の材料としてあげたものと同様のものでよい。 The material of the second dielectric layer of the present invention may be similar to those raised in the material of the first dielectric layer. 第2 The second
誘電体層の材質は第1誘電体層の材質と同一の材料でも良いし、異種の材料であってもよい。 It material of the dielectric layer may be the same material as the material of the first dielectric layer may be of different materials. 第2誘電体層の厚さは、通常2nm以上50nm以下である。 The thickness of the second dielectric layer is typically 2nm or 50nm or less. 良好な消去率の得られる消去パワー(あるいはボトム・パワー)の範囲が広いことからおよそ10〜40nmが好ましく、 Approximately 10~40nm preferably because the range is wide erasing power obtained (or bottom power) of good erasure ratio,
特に好ましくは10〜30nmである。 Particularly preferably 10~30nm.

【0039】本発明の記録層としては、特に限定するものではないが、Pd−Ge−Sb−Te合金、Ni−G [0039] As the recording layer of the present invention is not particularly limited, Pd-Ge-Sb-Te alloy, Ni-G
e−Sb−Te合金、Ge−Sb−Te合金、Co−G e-Sb-Te alloy, Ge-Sb-Te alloy, Co-G
e−Sb−Te合金、In−Sb−Te合金、Ag−I e-Sb-Te alloy, In-Sb-Te alloy, Ag-I
n−Sb−Te合金、In−Se合金などがある。 n-Sb-Te alloy, and the like In-Se alloys.

【0040】多数回の記録の書換が可能であることから、Pd−Ge−Sb−Te合金、Ge−Sb−Te合金、Co−Ge−Sb−Te合金が好ましい。 [0040] since it is capable of rewriting the number of times of recording, Pd-Ge-Sb-Te alloy, Ge-Sb-Te alloy, Co-Ge-Sb-Te alloy are preferable.

【0041】特にPd−Ge−Sb−Te合金、Ge− [0041] In particular Pd-Ge-Sb-Te alloy, Ge-
Sb−Te合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能であり、C/N、消去率などの記録特性に優れることからことから好ましく、とりわけPd−Ge−Sb−Te合金が、前述の特性に優れることから好ましい。 Sb-Te alloy has a short erasing time, and number of times of the recording are possible repetition of erase, preferably from it because it is excellent in recording characteristics such as C / N, erasing rate, especially Pd-Ge-Sb- Te alloy are preferable because of its excellent characteristics described above.

【0042】本発明の記録層の厚さとしては、特に限定するものではないが10〜100nmである。 [0042] The thickness of the recording layer of the present invention is not particularly limited is 10 to 100 nm. 特に記録、消去感度が高く、多数回の記録消去が可能であることから10nm以上30nm以下とすることが好ましい。 In particular recording, high erasing sensitivity, it is preferable that the 10nm or 30nm or less because it is possible to record erasing many times.

【0043】特に、記録感度が高く、高速でシングルビーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体の主要部を構成することが好ましい。 [0043] In particular, high recording sensitivity, high speed is capable of single beam overwriting, and since the large erase characteristics erasure rate is good, that constitutes the main part of the following as the optical recording medium It is preferred.

【0044】すなわち、誘電体層がZnSとSiO 2の混合膜であり、SiO 2の混合比が15〜35モル%、 [0044] That is, the dielectric layer is a mixed film of ZnS and SiO 2, the mixing ratio of SiO 2 15 to 35 mol%,
記録光波長での屈折率が2.0〜2.3であり、かつ第1誘電体層の厚さを150nm〜400nm、第2誘電体層の厚さを10nm〜30nmで構成し、かつ記録層の厚さを10nm〜30nm、熱膨張緩和層を厚さ10 Refractive index at the wavelength of recording light is 2.0 to 2.3, and 150nm~400nm the thickness of the first dielectric layer, the thickness of the second dielectric layer composed of 10 nm to 30 nm, and the recording 10nm~30nm the thickness of the layer, the thickness of the thermal expansion buffer layer of 10
〜20nm、かつTi及びZrの少なくとも1種を80 To 20 nm, and at least one of Ti and Zr 80
原子%以上含有しAl、Sn,Zr,Hf,Vなどに代表される強度向上を目的とした添加元素を1原子%以上20原子%未満加えた合金で構成し、反射層を厚さ50 Al containing more atomic%, Sn, Zr, Hf, the additive element for the purpose of improving the strength typified constituted by 1 atomic% to 20 atomic% less than the added alloy V, and reflective layer thickness of 50
nm〜200nmのAl合金で構成し、かつ記録層の組成が次式で表される範囲にあることが好ましい。 Composed of Al alloy Nm~200nm, and composition of the recording layer is preferably in the range expressed by the following equation.

【0045】 (Pdx Sby Te1-xy )1-z (Te0.5 Ge0.5 )z 0≦x≦0.05 0.35≦y≦0.65 0.2≦z≦ 0.5 但しx,y,z,0.5は各元素の原子数比をあらわす。 [0045] (Pdx Sby Te1-xy) 1-z (Te0.5 Ge0.5) z 0 ≦ x ≦ 0.05 0.35 ≦ y ≦ 0.65 0.2 ≦ z ≦ 0.5 where x, y, z, 0.5 represents the atomic ratio of each element.

【0046】また、さらに反射層上に10〜100nm [0046] In addition, 10~100nm on the further reflection layer
のTi、あるいはTi合金の強化層を設けてもよい。 Of Ti or may be provided reinforcing layer of Ti alloy.

【0047】本発明では、ほこり、基板の傷などの影響をさける目的で、集束した光ビームを用いて、基板側から記録を行なうため、基板として透明材料を用いる。 [0047] In the present invention, dust, in order to avoid the influence of the scratches of the substrate, using a focused light beam, for recording from the substrate side, using a transparent material as the substrate. この様な材料としては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。 Examples of such materials include glass, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyolefin resins, epoxy resins, and polyimide resins.

【0048】特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。 [0048] In particular, for low birefringence, low hygroscopicity, polycarbonate resin since molding is easy, amorphous polyolefin resin are preferable. また耐熱性が要求される場合には、エポキシ樹脂が好ましい。 Further, when heat resistance is required, an epoxy resin is preferred.

【0049】基板の厚さは特に限定するものではないが、0.01mm〜5mmが実用的である。 The thickness of the substrate is not particularly limited, 0.01 mm to 5 mm is practical. 0.01m 0.01m
m未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm以上では、 Is less than m, Hikaribi focused from the substrate side - even when recording without, easily affected by dust, the 5mm or more,
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度をあげることが困難になる。 It is difficult to increase the numerical aperture of the objective lens, because the irradiated light beam spot size increases, it becomes difficult to increase the recording density. 基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッドなものであっても良い。 The substrate may be one flexible, it may be ones rigid. フレキシブルな基板は、テープ状、シート状、カ−ド状で使用する。 Flexible substrate, tape, sheet, mosquito - used in de form. リジッドな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用する。 Rigid substrates, for card- or disk-shaped. また、これらの基板は、記録層などを形成した後、2枚の基板を用いて、密着張合せ構造、 Further, these substrates, after forming and recording layer, using the two substrates, the adhesion Zhang combined structure,
エアーサンドイッチ構造としてもよい。 It may be used as an air sandwich structure.

【0050】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源としては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できること、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから好ましい。 [0050] As a light source used for recording of the optical recording medium of the present invention, the laser beam, a light source of high intensity such as strobe light, particularly semiconductor laser light source can be miniaturized, low power consumption and modulation It preferred because it is easy.

【0051】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パルスなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して行う。 The recording is performed by forming a recording mark in an amorphous by irradiation with a laser light pulse in the recording layer in the crystalline state. また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録マークを形成してもよい。 Further, the recording layer of the amorphous state to the opposite may be formed recording marks in a crystalline state. 消去はレーザー光照射によって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うことができる。 Erased by laser light irradiation, or to crystallize the recording marks of the amorphous, or a recording mark in a crystalline state can be carried out amorphous.

【0052】記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。 [0052] The recording speed can be faster and the time recorded from the deformation of the recording layer is unlikely to occur to form a recording mark of amorphous, erasing method for performing a crystallization is preferred.

【0053】また、記録マーク形成時は光強度を高く、 [0053] In addition, at the time of recording mark formation has a high light intensity,
消去時はやや弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなることから好ましい。 Erasing somewhat weak, 1 beam overwriting for rewriting by irradiation of one of the light beam is preferable because the time required for rewriting can be shortened.

【0054】次に、本発明の光記録媒体の製造方法について述べる。 [0054] Next, the process for producing the optical recording medium of the present invention. 熱膨張緩和層、反射層、記録層、誘電体層などを基板上に形成する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などがあげられる。 Thermal expansion buffer layer, the reflective layer, a recording layer, and a dielectric layer as a method for forming on a substrate a thin film forming method in a known vacuum, for example, a vacuum deposition method, ion plating method, a sputtering method is mentioned It is. 特に組成、 In particular composition,
膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。 Since the control of film thickness is easy, sputtering method is preferable.

【0055】形成する記録層などの厚さの制御は、公知の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容易に行える。 [0055] The control of the thickness of such a recording layer formed, like a crystal oscillator film thickness meter is a known technique, the deposition conditions by monitoring easily.

【0056】記録層などの形成は、基板を固定したまま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。 [0056] Formation of such a recording layer, while fixing the substrate, or mobile, may be either a rotating state. 膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より好ましい。 Because of excellent in-plane uniformity of film thickness, it is preferable to rotate the substrate, be further combined revolution, more preferred.

【0057】また、本発明の効果を著しく損なわない範囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止などのため、紫外線硬化樹脂などの保護層などを必要に応じて設けてもよい。 [0057] Further, in not significantly impaired range the effects of the present invention, after forming the like reflective layer, flaws, such as for prevention of deformation, may be provided depending on, for example, it required a protective layer such as an ultraviolet curable resin . また、反射層などを形成した後、 Further, after forming and reflective layer,
あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の基板を対向して、接着材で張り合わせてもよい。 Or after further forming the resin protective layer described above, so as to face the two substrates may be laminated with an adhesive.

【0058】 [0058]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。 EXAMPLES The following description will explain the present invention in the Examples. (分析,測定方法)反射層、記録層の組成は、ICP発光分析(セイコー電子工業(株)製)により確認した。 (Analysis, measurement methods) reflective layer, the composition of the recording layer was confirmed by ICP emission analysis (manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co.).
またキャリア対ノイズ比および消去率(記録後と消去後の再生キャリア信号強度の差)は、スペクトラムアナライザにより測定した。 The carrier-to-noise ratio and erase ratio (difference between reproduction carrier signal intensity after erase after recording) was measured by a spectrum analyzer.

【0059】記録層など各層の膜厚は、走査型、及び透過型電子顕微鏡で膜厚方向の断面を観察し、較正した水晶振動子膜厚計によりモニターした。 [0059] The film thickness of each layer such as a recording layer, scanning, and transmission electron microscopic observation of the thickness direction of the cross section was monitored by a quartz oscillator film thickness meter was calibrated.

【0060】実施例1 厚さ1.2mm、直径13cmのスパイラルグルーブとセクタのフォーマット付きポリカーボネート製基板を毎分30回転で回転させながら、高周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層及び熱膨張緩和層、強化層を形成した。 [0060] Example 1 thickness 1.2 mm, while rotating at 30 revolutions per minute Formatting polycarbonate substrate of spiral grooves and a sector diameter 13cm, the high-frequency sputtering method, a recording layer, a dielectric layer, reflective layer and thermal expansion buffer layer to form a reinforcing layer.

【0061】まず、真空容器内を1×10 -5 Paまで排気した後、2×10 -1 PaのArガス雰囲気中でSiO [0061] First, a vacuum chamber was exhausted to 1 × 10 -5 Pa, SiO in an Ar gas atmosphere of 2 × 10 -1 Pa
2を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上に屈折率、約2.2の厚さ360nmの第1誘電体層を形成した。 2 was sputtered ZnS added 20 mol%, the refractive index onto the substrate to form a first dielectric layer of about 2.2 thick 360 nm. 続いて、Pd、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲットをスパッタして、組成Pd1 Ge17Sb26 Then, by sputtering Pd, Ge, Sb, an alloy target consisting of Te, the composition Pd1 Ge17Sb26
Te56(原子%)の膜厚25nmの記録層を形成した。 Te56 to form a recording layer having a thickness of 25nm (atomic%).
さらに第1誘電体層と同じ材質の第2誘電体層を20n Further 20n a second dielectric layer of the same material as the first dielectric layer
m形成し、この上に、膜厚15nmのTi95Al5 合金からなる熱膨張緩和層を設け、さらにPd0.001 Hf0. And m is formed, thereon, provided the thermal expansion relieving layer comprising a Ti95Al5 alloy having a thickness of 15 nm, further Pd0.001 Hf0.
01Al0.99合金の膜厚130nmの反射層、膜厚40n 01Al0.99 alloy reflective layer having a thickness of 130nm in thickness 40n
mのTi95Al5 合金からなる強化層を形成した。 To form a reinforcing layer made of Ti95Al5 alloy m. さらにこのディスクを真空容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚10μmの樹脂層を形成し、さらに同一構成のディスクとホットメルト接着剤で張り合わせて、本発明の光記録媒体を得た。 After further removal of the disk from the vacuum chamber, and spin-coated with acrylic ultraviolet curing resin to the reflective layer and cured by ultraviolet irradiation to form a resin layer having a thickness of 10 [mu] m, further disk and the hot melt of the same configuration by affixing an adhesive to obtain an optical recording medium of the present invention.

【0062】この光記録媒体を毎秒1200rpmで回転させ、基板側から、半径方向に長円に集光した波長8 [0062] rotates the optical recording medium per second 1200 rpm, from the substrate side, the wavelength was focused in an oval in the radial direction 8
20nmの半導体レーザー光を照射して、記録層を結晶化し初期化した。 By irradiating a semiconductor laser beam of 20 nm, and the recording layer was initialized to crystallize.

【0063】その後、線速度8.5m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.5、半導体レーザーの波長830 [0063] Then, under the condition of linear velocity 8.5 m / sec, a numerical aperture of 0.5 objective lens, the wavelength of the semiconductor laser 830
nmの光学ヘッドを使用して、パルス幅50nsec、 Use the nm of the optical head, pulse width 50nsec,
ピークパワー20mW、ボトムパワー9mWの条件に変調した半導体レーザー光で、2−7コード(1.5Tの周波数5.3MHz)の連続した1.5Tパターンの連続部と4Tパターンの連続部の交互の繰り返しから成るデータパターンを同一トラックに100回、さらに10 Peak power 20 mW, the semiconductor laser beam modulated to a condition of the bottom power 9 mW, 2-7 code successive continuous portion and 4T pattern of 1.5T pattern of successive portions alternate of (frequency of 1.5T 5.3MHz) 100 times a data pattern consisting of repeated the same track, further 10
万回オーバーライト・モードで記録した。 It was recorded in ten thousand times over-write mode. その後再生し、再生波形を観察したところ、初期100回記録後に比べ、殆ど劣化がなく良好な再生波形が得られた。 Then reproduction, observation of the reproduced waveform, as compared to after the initial 100 times recording, there is almost no deterioration good reproduction waveform was obtained. さらに1.5T〜4Tの信号の混在したランダムパターンで1回オーバーライトした後再生し、ビット・エラー率(BER)を測定したところ2.5×10 -5と良好な値であった。 Further reproduced after overwritten once in a mixed random pattern of 1.5T~4T signal was good value as 2.5 × 10 -5 was measured bit error rate (BER).

【0064】さらに、隣接した別のトラックに、先と同様の記録条件で、2−7コードのランダム・パターンで20万回のオーバーライト記録を行った後、BERを測定したところ1トラック中にエラーの発生はなかった。 [0064] Further, in another track adjacent, in the same recording conditions as above, after 200,000 times of overwrite recording in a random pattern of 2-7 code in one track was measured BER occurrence of error was not.
また、記録材料の移動による記録セクタ、の先端、終端部の再生波形つぶれは殆ど見られず、中間のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。 The recording sector, the tip by movement of the recording material, crushing the reproduced waveform of the end portion is hardly observed, disturbance of the intermediate data of reproduced waveforms was little.

【0065】比較例1 熱膨張緩和層と強化層を設けず、かつ反射層を140n [0065] without providing the reinforcing layer as in Comparative Example 1 the thermal expansion relieving layer, and 140n reflective layer
mの厚さとした他は実施例1と同様の本発明の範囲外の従来の層構成の光記録媒体を作製した。 Except that the thickness of the m was produced an optical recording medium of the conventional layer structure outside the scope of the invention similar to examples 1. この光記録媒体の記録感度を測定したところ、実施例1とほぼ同じであった。 Measurement of the recording sensitivity of the optical recording medium, were almost the same as those in Example 1. この光記録媒体を実施例1と同様に100回、さらに10万回繰り返しオーバーライト記録を行い再生波形を観察したところ、10万回後は、100回目に比べ、記録層の膜厚変動が大きく、1.5Tの連続信号の一部の振幅が著しく低下していた。 The optical recording medium similar to 100 times as in Example 1, was observed for an additional 100,000 repetitive playbacks waveform perform overwrite recording after 100,000 times, compared to the 100th, large variations in thickness of the recording layer some of the amplitude of the continuous signal of 1.5T was significantly decreased. さらにランダムパターンで1回オーバーライトした後再生し、ビット・エラー率(BER)を測定したところ、3×10 -1とエラー訂正を行っても、データの再現が全く困難なレベルまで悪化していた。 Further reproduced after overwritten once in a random pattern was measured bit error rate (BER), even if the 3 × 10 -1 and error correction, reproduction of data is not deteriorated to quite difficult levels It was.

【0066】実施例2 熱膨張緩和層を厚さ10nm、強化層を厚さ40nmのTiで構成した他は実施例1と同様の光記録媒体を作製した。 [0066] Example 2 thermal expansion relieving layer thickness 10 nm, other was made of Ti having a thickness of 40nm reinforcing layer was prepared in the same manner as the optical recording medium as in Example 1. 実施例1と同様に4Tと1.5Tからなる記録パターンで10万回オーバーライトした後、再生波形を観察したところ、顕著な劣化は見られなかった。 After 100,000 times of overwriting in the recording pattern composed of a similarly 4T and 1.5T as in Example 1, and observed the reproduced waveform, remarkable degradation was not observed. さらにランダム・パターンでオーバーライトし、BERを測定したところ1×10 -4であり、エラー訂正によりデータの再現が可能なレベルであった。 Further overwriting in a random pattern, a 1 × 10 -4 was measured BER, it was at a level that can reproduce data by the error correction.

【0067】比較例2 熱膨張緩和層を厚さ5nmと本発明の範囲外とし、強化層を厚さ40nmのTiで構成した他は、実施例1と同様の光記録媒体を作製した。 [0067] the outside of Comparative Example 2 the thermal expansion relieving layer thickness 5nm and present invention, except that constituted by Ti having a thickness of 40nm reinforcing layer, was produced in the same manner as the optical recording medium as in Example 1. 実施例1と同様に4Tと1.5Tからなる記録パターンで10万回オーバーライトした後、再生波形を観察したところ、比較例1と同様の顕著な劣化が見られた。 After 100,000 times of overwriting in the recording pattern composed of a similarly 4T and 1.5T as in Example 1, and observed the reproduced waveform was observed similar significant degradation and Comparative Example 1. さらにランダム・パターンでオーバーライトしBERを測定したところ3×10 -2であり、エラー訂正によりデータの再現が困難なレベルであった。 Still more 3 × 10 -2 was measured overwriting and BER in a random pattern, reproduction of data is difficult levels by the error correction.

【0068】同様に、熱膨張緩和層を厚さ50nmと本発明の範囲外とし、強化層を厚さ40nmのTiで構成した他は、実施例1と同様の光記録媒体を作製し、同様に再生波形の観察と、BER測定を行ったところ、再生波形は、前記と同様に比較例1と同様の顕著な劣化が見られた。 [0068] Similarly, the range of the thermal expansion relieving layer thickness 50nm and the invention, other configured in Ti having a thickness of 40nm reinforcement layer was produced in the same manner as the optical recording medium as in Example 1, the same was carried out and observed of the reproduced waveform, the BER measurement, the reproduced waveform, the a similar significant degradation and Comparative example 1 in the same manner was observed. またBERは、2×10 -1以上と、同様にエラー訂正を行ってもデータの再現が困難なレベルであった。 The BER is a 2 × 10 -1 or more, were similarly be performed error correction becomes difficult level reproduction of the data.

【0069】実施例3 実施例1と同様のディスクに実施例1と同様の記録条件で1.5Tの連続信号を100回同一トラック上にオーバーライト・モードで記録し、その後再生信号のC/N [0069] recording a continuous signal of 1.5T on the same track 100 times overwrite mode under the same recording conditions as in Example 1 to the same disk as in Example 3 Example 1, the subsequent reproduction signal C / N
を測定したところ53dBであった。 Was 53dB was measured. さらに同条件で2 2 in the same conditions.
0万回オーバーライトしたのち、再度C/Nを測定したところ52dBとほとんど劣化はみられず良好な値であった。 00,000 times After overwriting, it was a good value not seen most deterioration and 52dB was measured again C / N. また同様に1.5T信号を4T信号でオーバーライトした時の消去率は、100回目、さらに20万回後とも25dBと良好な値であり劣化もなかった。 Similarly erasure rate when the 1.5T signal was overwritten with 4T signal, 100th, was it not be degraded further 25dB and good values ​​both after 200,000 times.

【0070】実施例4 実施例1の反射層の厚さを140nmとし、強化層を設けない層構成とした他は、実施例1と同様の光記録媒体を作製した。 [0070] and 140nm thickness of a reflective layer of Example 4 Example 1, except that the layer structure without the reinforcing layer, was produced in the same manner as the optical recording medium as in Example 1. 実施例1と同様の記録条件で、2−7コードのランダム・パタ−ンを20万回オーバーライトした後、BERを測定したところ、1トラック中にエラーの発生はなかった。 In the same recording conditions as in Example 1, a random pattern of 2-7 code - after 200,000 times of overwriting the emission, was measured BER, was no occurrence of an error in one track. また、記録材料の移動による記録セクタ、の先端、終端部の再生波形のつぶれは殆ど見られず、中間のデータ部の再生波形の乱れも殆どなかった。 The recording sector according to the movement of the recording material, the tip, collapse of a reproduction waveform of the end portion is hardly observed, disturbance of the intermediate data of reproduced waveforms was little.

【0071】 [0071]

【発明の効果】本発明は、光記録媒体で構成したので、 According to the present invention, since it is configured with an optical recording medium,
以下の効果が得られた。 The following effect was obtained. (1) 多数回の記録の書換を繰り返しても、記録層の膜厚の変動などの劣化が起き難い。 (1) even after repeated rewriting of multiple recording, is less likely to occur degradation such as variation in film thickness of the recording layer. (2) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (2) moist heat, high oxidation resistance, a long lifetime. (3) スパッタ法により容易に作製できる。 (3) it can be easily produced by sputtering.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、 By 1. A irradiating light to the recording layer formed on a substrate, information recording, erasing, and can play,
    情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、かつ透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/反射層の積層体を構成部材として含み、かつ該積層体の第2誘電体層の厚さが2nm以上50nm Recording and erasing of information, as a constituent member of the laminate is performed by a phase change between the amorphous phase and the crystalline phase, and a transparent substrate / first dielectric layer / recording layer / second dielectric layer / reflective layer wherein, and the thickness of the second dielectric layer of the laminate is 2nm or more 50nm
    以下である光記録媒体において、前記第2誘電体層と反射層の間に、反射層の構成材料よりも熱膨張率が小さい金属材料からなる熱膨張緩和層を設けたことを特徴とする光記録媒体。 In the optical recording medium is less than or equal to the between the second dielectric layer and the reflective layer, light, characterized in that a thermal expansion buffer layer coefficient of thermal expansion is made of a metal having a low material than the material of the reflective layer recoding media.
JP12892092A 1992-05-21 1992-05-21 Optical recording medium Pending JPH05325261A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12892092A JPH05325261A (en) 1992-05-21 1992-05-21 Optical recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12892092A JPH05325261A (en) 1992-05-21 1992-05-21 Optical recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05325261A true true JPH05325261A (en) 1993-12-10

Family

ID=14996649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12892092A Pending JPH05325261A (en) 1992-05-21 1992-05-21 Optical recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05325261A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000043945A1 (en) * 1999-01-23 2000-07-27 Fred Johannsen Disc-shaped information carrier with a high storage density
US6268034B1 (en) 1998-08-05 2001-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus
US6343062B1 (en) 1997-09-26 2002-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals
US6388984B2 (en) 1997-08-28 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and its recording and reproducing method
US6503690B1 (en) 1997-08-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information
US6806030B2 (en) * 2000-03-30 2004-10-19 Hitachi, Ltd. Information recording medium and method for manufacturing information recording medium
US6821707B2 (en) 1996-03-11 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US7018698B2 (en) 2002-09-06 2006-03-28 Mitsubishi Chemical Corporation Optical information recording medium
US7037413B1 (en) 1996-03-11 2006-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821707B2 (en) 1996-03-11 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US7037413B1 (en) 1996-03-11 2006-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
US6503690B1 (en) 1997-08-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information
US6388984B2 (en) 1997-08-28 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and its recording and reproducing method
US6343062B1 (en) 1997-09-26 2002-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals
US6268034B1 (en) 1998-08-05 2001-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus
WO2000043945A1 (en) * 1999-01-23 2000-07-27 Fred Johannsen Disc-shaped information carrier with a high storage density
US6806030B2 (en) * 2000-03-30 2004-10-19 Hitachi, Ltd. Information recording medium and method for manufacturing information recording medium
US7018698B2 (en) 2002-09-06 2006-03-28 Mitsubishi Chemical Corporation Optical information recording medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6294310B1 (en) Optical information recording medium and optical recording method
US5753413A (en) Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed
US20030003395A1 (en) Phase-change optical recording medium
US6479121B1 (en) Optical recording medium and method of fabricating same
US5848043A (en) Modulation of laser power in accordance with a linear velocity by pulse division schemes
US6071588A (en) Optical recording medium
US6221557B1 (en) Optical information recording medium
US5523140A (en) Optical recording method and medium
US20010017833A1 (en) Method of recording and reproducing information and apparatus for recording and reproducing information using the method
JP2005153496A (en) Two-layer phase-change information recording medium and its recording method
JP2001184725A (en) Optical information recording medium
EP1040937A1 (en) Write once optical information recording medium
US5876822A (en) Reversible optical information medium
US5935672A (en) Reversible optical information medium
EP0945860A2 (en) Optical information recording medium and method for recording and reproducing information thereon
US6703098B2 (en) Information recording medium and method for manufacturing information recording medium
US20070127344A1 (en) Optical recording method
JPH07105574A (en) The optical information recording medium
JP2000313170A (en) Optical information recording medium, method for regenerating it and method for recording
US20040042381A1 (en) Information recording medium and information recording device
US6406771B1 (en) Optical recording medium and optical recording apparatus
US5362538A (en) Optical recording medium
JPH08127176A (en) Information recording thin film, manufacture thereof information recording medium and using method therefor
JP2001067720A (en) Optical recording medium
US20060018241A1 (en) Optical recording medium