JPH05291620A - Ｌｅｄ素子 - Google Patents
Ｌｅｄ素子Info
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- JPH05291620A JPH05291620A JP8875892A JP8875892A JPH05291620A JP H05291620 A JPH05291620 A JP H05291620A JP 8875892 A JP8875892 A JP 8875892A JP 8875892 A JP8875892 A JP 8875892A JP H05291620 A JPH05291620 A JP H05291620A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- layer
- electrode
- led element
- led device
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
- G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
- G09F13/22—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄型の面発光光源を提供する。
【構成】一定面積のシリコン基板２の上面にバッファ層
３を介して発光層４，５を成長させ、その上面に格子状
の上面電極６を設けるとともに、シリコン基板２の下面
に下面電極７を設けた。
３を介して発光層４，５を成長させ、その上面に格子状
の上面電極６を設けるとともに、シリコン基板２の下面
に下面電極７を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、照光式押しボタンス
イッチや表示灯に用いられるＬＥＤ素子に関し、特に一
定面積内において略均一の光量の光を発光するＬＥＤ素
子に関する。
イッチや表示灯に用いられるＬＥＤ素子に関し、特に一
定面積内において略均一の光量の光を発光するＬＥＤ素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、照光式押しボタンスイッチや表
示灯は、前面に透明の記名板を備えており、この記名板
を通して内部に備えられた光源の光が外部に配光され
る。従って、内部の光源の点灯時に、記名板の文字の視
認性を高めるためには、スイッチや表示灯の前面の全て
の範囲について均一な光量の光が内部から照射されるよ
うにすべきである。そこで、従来の照光式押しボタンス
イッチや表示灯では、図７に示すように、ハウジング７
１の内部に配置された基板７２上に複数のＬＥＤ素子７
３を実装し、この複数のＬＥＤ素子７３の光をリフレク
タ７４を用いて記名板７６が位置する前面方向に配光す
るようにしていた。
示灯は、前面に透明の記名板を備えており、この記名板
を通して内部に備えられた光源の光が外部に配光され
る。従って、内部の光源の点灯時に、記名板の文字の視
認性を高めるためには、スイッチや表示灯の前面の全て
の範囲について均一な光量の光が内部から照射されるよ
うにすべきである。そこで、従来の照光式押しボタンス
イッチや表示灯では、図７に示すように、ハウジング７
１の内部に配置された基板７２上に複数のＬＥＤ素子７
３を実装し、この複数のＬＥＤ素子７３の光をリフレク
タ７４を用いて記名板７６が位置する前面方向に配光す
るようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の照光式押しボタンスイッチや表示灯では、複数のＬ
ＥＤ素子の光を前面に配光するようにしていたために点
光源となり、前面の全ての範囲について均一な光量の光
を照射することができず、これを改善するためには図７
に示すように、記名板７６の背面に拡散板７５を設ける
必要があり、リフレクタ７４および拡散板７５のスペー
スを確保するためにスイッチや表示灯の軸方向の長さが
長くなり、これらが取り付けられるパネルの背面に露出
する胴部が長くなり、パネルに対する集積配置が困難に
なる問題があった。このように、照光式押しボタンスイ
ッチや表示灯などにおいてリフレクタや拡散板などを不
要にし、軸方向の短胴化を実現できる面発光の薄型光源
の実現が望まれていた。
来の照光式押しボタンスイッチや表示灯では、複数のＬ
ＥＤ素子の光を前面に配光するようにしていたために点
光源となり、前面の全ての範囲について均一な光量の光
を照射することができず、これを改善するためには図７
に示すように、記名板７６の背面に拡散板７５を設ける
必要があり、リフレクタ７４および拡散板７５のスペー
スを確保するためにスイッチや表示灯の軸方向の長さが
長くなり、これらが取り付けられるパネルの背面に露出
する胴部が長くなり、パネルに対する集積配置が困難に
なる問題があった。このように、照光式押しボタンスイ
ッチや表示灯などにおいてリフレクタや拡散板などを不
要にし、軸方向の短胴化を実現できる面発光の薄型光源
の実現が望まれていた。
【０００４】この発明の目的は、シリコン基板上に複数
の微小発光部を構成することにより、照光式押しボタン
スイッチや表示灯などの光源として用いることができる
薄膜の面発光光源を実現できるＬＥＤ素子を提供するこ
とにある。
の微小発光部を構成することにより、照光式押しボタン
スイッチや表示灯などの光源として用いることができる
薄膜の面発光光源を実現できるＬＥＤ素子を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明のＬＥＤ素子
は、一定面積のシリコン基板の上面に薄膜バッファ層を
介して発光層を形成し、この発光層上面に複数の微小発
光部のそれぞれを囲む格子状の上面電極と、前記シリコ
ン基板の下面に前記上面電極に対応する下面電極と、を
設けたことを特徴とする。
は、一定面積のシリコン基板の上面に薄膜バッファ層を
介して発光層を形成し、この発光層上面に複数の微小発
光部のそれぞれを囲む格子状の上面電極と、前記シリコ
ン基板の下面に前記上面電極に対応する下面電極と、を
設けたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】この発明においては、一定面積のシリコン基板
の上面に複数の微小発光部が形成される。したがって、
上面電極および下面電極の間に電圧を印加することによ
り、一定面積の面発光光源が得られる。
の上面に複数の微小発光部が形成される。したがって、
上面電極および下面電極の間に電圧を印加することによ
り、一定面積の面発光光源が得られる。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明の実施例であるＬＥＤ素子
の拡大外観図である。ＬＥＤ素子１はシリコン基板２の
上面にＧａＡｓのバッファ層３、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層４
およびｎ−ＧａＡｌＡｓ層５を積層形成し、さらに格子
状の上面電極６を形成したものである。また、シリコン
基板２の下面には下面電極７が形成されている。このよ
うに形成されたＬＥＤ素子１において、その上面電極６
によって包囲された部分に複数の微小発光部８が構成さ
れる。なお、上面電極６の一部には導電線を介して電源
に接続されるボンディングパッド９が形成されている。
上記微小発光部８は一辺が０．２〜１．０ｍｍ程度の寸
法となるようにし、ＬＥＤ素子の上面の大きさは５ｍｍ
以上であり、その厚みは３００〜８００μｍ程度にされ
ている。
の拡大外観図である。ＬＥＤ素子１はシリコン基板２の
上面にＧａＡｓのバッファ層３、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層４
およびｎ−ＧａＡｌＡｓ層５を積層形成し、さらに格子
状の上面電極６を形成したものである。また、シリコン
基板２の下面には下面電極７が形成されている。このよ
うに形成されたＬＥＤ素子１において、その上面電極６
によって包囲された部分に複数の微小発光部８が構成さ
れる。なお、上面電極６の一部には導電線を介して電源
に接続されるボンディングパッド９が形成されている。
上記微小発光部８は一辺が０．２〜１．０ｍｍ程度の寸
法となるようにし、ＬＥＤ素子の上面の大きさは５ｍｍ
以上であり、その厚みは３００〜８００μｍ程度にされ
ている。
【０００８】図２は、上記ＬＥＤ素子の制作工程を示す
図である。同図（Ａ）に示す一定面積のシリコン基板２
の上面に、公知の二段階成長法および熱処理（ＭＢＥま
たはＭＯＶＰＥ）によりＧａＡｓのバッファ層３を形成
する（同図（Ｂ））。このように、ＬＥＤ素子１の基板
としてシリコン基板を用いるのは、ＬＥＤ素子の大面積
化を実現するために必要とされる強度、価格および放熱
性に優れた性質を有するからである。このシリコン基板
の上面にＧａＡｓやＧａＰなどの化合物半導体を成長さ
せる場合、図３に示すように、両者の格子定数および線
膨張係数の違いから、シリコン基板上におけるエピタキ
シャル層の成長中に、格子不整合による歪みを生じる。
この歪みは成長膜厚に応じて弾性的に蓄積され、臨界膜
厚以上になるとヘテロ界面でのミスフィット転位が発生
する。また、線膨張係数の不整合は結晶成長後の冷却過
程で転位を発生させ得る。このような格子不整合および
線膨張係数の不整合による転位がシリコン基板上の発光
層において発生することを緩和するために、シリコン基
板２の上面に先ずＧａＡｓのバッファ層３を形成し、こ
のバッファ層３によってその上面に形成されるエピタキ
シャル層との格子不整合および線膨張係数の不整合を防
止する。
図である。同図（Ａ）に示す一定面積のシリコン基板２
の上面に、公知の二段階成長法および熱処理（ＭＢＥま
たはＭＯＶＰＥ）によりＧａＡｓのバッファ層３を形成
する（同図（Ｂ））。このように、ＬＥＤ素子１の基板
としてシリコン基板を用いるのは、ＬＥＤ素子の大面積
化を実現するために必要とされる強度、価格および放熱
性に優れた性質を有するからである。このシリコン基板
の上面にＧａＡｓやＧａＰなどの化合物半導体を成長さ
せる場合、図３に示すように、両者の格子定数および線
膨張係数の違いから、シリコン基板上におけるエピタキ
シャル層の成長中に、格子不整合による歪みを生じる。
この歪みは成長膜厚に応じて弾性的に蓄積され、臨界膜
厚以上になるとヘテロ界面でのミスフィット転位が発生
する。また、線膨張係数の不整合は結晶成長後の冷却過
程で転位を発生させ得る。このような格子不整合および
線膨張係数の不整合による転位がシリコン基板上の発光
層において発生することを緩和するために、シリコン基
板２の上面に先ずＧａＡｓのバッファ層３を形成し、こ
のバッファ層３によってその上面に形成されるエピタキ
シャル層との格子不整合および線膨張係数の不整合を防
止する。
【０００９】具体的には格子不整合ヘテロエピタキシー
技術として標準的な２段階成長法と熱処理とを併用する
ものであり、高温度Ｔ3 で基板クリーニングを行ったの
ち、低温度Ｔ1 （ＭＯＶＰＥでは４００〜４５０℃、Ｍ
ＥＢでは２００〜４００℃）で薄いバッファ層を成長さ
せ、第２ステップで厚い層を中温度Ｔ2 （ＭＯＶＰＥで
は７００〜７５０℃、ＭＥＢでは５５０〜６５０℃）で
成長中にさらに高温度Ｔ3 で複数回熱処理を実行する。
この第２ステップの初期に格子不整合による歪みはヘテ
ロ界面でのミスフィット転位の形成により緩和される。
また、熱処理は転位の運動を促進させ、反応により転位
が消滅する確率を高める。
技術として標準的な２段階成長法と熱処理とを併用する
ものであり、高温度Ｔ3 で基板クリーニングを行ったの
ち、低温度Ｔ1 （ＭＯＶＰＥでは４００〜４５０℃、Ｍ
ＥＢでは２００〜４００℃）で薄いバッファ層を成長さ
せ、第２ステップで厚い層を中温度Ｔ2 （ＭＯＶＰＥで
は７００〜７５０℃、ＭＥＢでは５５０〜６５０℃）で
成長中にさらに高温度Ｔ3 で複数回熱処理を実行する。
この第２ステップの初期に格子不整合による歪みはヘテ
ロ界面でのミスフィット転位の形成により緩和される。
また、熱処理は転位の運動を促進させ、反応により転位
が消滅する確率を高める。
【００１０】このようにして、図２（Ｂ）に示すように
シリコン基板の上面にＧａＡｓのバッファ層３（成長層
を含む。）が形成される。こののち、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
層をＭＢＥ、ＭＯＶＰＥまたはＬＰＥの何れかの方法に
よって成長させ（同図（Ｃ））、さらにその上面にｎ−
ＧａＡｌＡｓ層５を同様の方法により成長させる（同図
（Ｄ））。さらにこの後、シリコン基板２の下面および
ｎ−ＧａＡｌＡｓ層５の上面にそれぞれ下面電極７およ
び上面電極５を公知のフォトリソグラフィ技術により作
成する。（同図（Ｅ））。
シリコン基板の上面にＧａＡｓのバッファ層３（成長層
を含む。）が形成される。こののち、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
層をＭＢＥ、ＭＯＶＰＥまたはＬＰＥの何れかの方法に
よって成長させ（同図（Ｃ））、さらにその上面にｎ−
ＧａＡｌＡｓ層５を同様の方法により成長させる（同図
（Ｄ））。さらにこの後、シリコン基板２の下面および
ｎ−ＧａＡｌＡｓ層５の上面にそれぞれ下面電極７およ
び上面電極５を公知のフォトリソグラフィ技術により作
成する。（同図（Ｅ））。
【００１１】図５は、上記ＬＥＤ素子の駆動状態を示す
側面拡大断面図である。下面電極７はシリコン基板２の
下面において上面電極６に対応する位置に形成されてお
り、この下面電極７から上面電極６に対して図５に示す
ように電流が流れ、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層５とｐ−ＧａＡ
ｌＡｓ層４との境界面において発光し、その光が電極６
に包囲された微小発光部８から上面に照射される。
側面拡大断面図である。下面電極７はシリコン基板２の
下面において上面電極６に対応する位置に形成されてお
り、この下面電極７から上面電極６に対して図５に示す
ように電流が流れ、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層５とｐ−ＧａＡ
ｌＡｓ層４との境界面において発光し、その光が電極６
に包囲された微小発光部８から上面に照射される。
【００１２】なお、本実施例では図５に示すように、下
面電極７は上面電極６対向しない位置に形成されている
が、素子内に効率的に電流を分布させることができるも
のであれば、下面電極７の構成はこれに限るものではな
い。
面電極７は上面電極６対向しない位置に形成されている
が、素子内に効率的に電流を分布させることができるも
のであれば、下面電極７の構成はこれに限るものではな
い。
【００１３】図６は、この発明の実施例であるＬＥＤ素
子の表示灯および押しボタンスイッチへの適用例を示す
図である。ＬＥＤ素子１はホルダ１５内において、その
上面電極を導電線１３により電極１２に接続されるとと
もに、下面電極は電極１４に接続され、さらにＬＥＤ素
子１の上面を拡散剤入りエポキシ樹脂１１により被覆し
て面発光のＬＥＤデバイスとして構成される。このＬＥ
Ｄデバイスを表示灯に用いる場合には、図６（Ａ）に示
すように、電極１２および１４のそれぞれに可動ピン２
５を板バネ２６の弾性力により当接させ、この板バネ２
６に接触するネジ端子２７をスイッチ筐体２２の背面に
設ける。
子の表示灯および押しボタンスイッチへの適用例を示す
図である。ＬＥＤ素子１はホルダ１５内において、その
上面電極を導電線１３により電極１２に接続されるとと
もに、下面電極は電極１４に接続され、さらにＬＥＤ素
子１の上面を拡散剤入りエポキシ樹脂１１により被覆し
て面発光のＬＥＤデバイスとして構成される。このＬＥ
Ｄデバイスを表示灯に用いる場合には、図６（Ａ）に示
すように、電極１２および１４のそれぞれに可動ピン２
５を板バネ２６の弾性力により当接させ、この板バネ２
６に接触するネジ端子２７をスイッチ筐体２２の背面に
設ける。
【００１４】また、上記ＬＥＤデバイスを押しボタンス
イッチに適用した例を図６（Ｂ）に示す。同図に示すよ
うに、押しボタンスイッチ３１のハウジング３２の前面
側から上述のＬＥＤデバイスを記名板３５および透明カ
バー３６とともに嵌入する。
イッチに適用した例を図６（Ｂ）に示す。同図に示すよ
うに、押しボタンスイッチ３１のハウジング３２の前面
側から上述のＬＥＤデバイスを記名板３５および透明カ
バー３６とともに嵌入する。
【００１５】ＬＥＤデバイスのホルダ１５の下方にはス
イッチ３３のスイッチボタンに係合する係合部１６が形
成されており、さらに電極１２，１４のそれぞれにはバ
ネ電極１７，１８が溶接されている。このバネ電極１
７，１８は押しボタンスイッチ３１のハウジング３２の
背面に露出するＬＥＤ端子３４に接触している。この構
成によってレンズ３６の押圧によりＬＥＤユニットは電
極１７，１８とともにハウジング３２の背面方向に移動
し、スイッチボタンを動作させて押しボタンスイッチ３
３を切り換える。この間においてバネ電極１７，１８は
ＬＥＤ端子３４に常時接触している。
イッチ３３のスイッチボタンに係合する係合部１６が形
成されており、さらに電極１２，１４のそれぞれにはバ
ネ電極１７，１８が溶接されている。このバネ電極１
７，１８は押しボタンスイッチ３１のハウジング３２の
背面に露出するＬＥＤ端子３４に接触している。この構
成によってレンズ３６の押圧によりＬＥＤユニットは電
極１７，１８とともにハウジング３２の背面方向に移動
し、スイッチボタンを動作させて押しボタンスイッチ３
３を切り換える。この間においてバネ電極１７，１８は
ＬＥＤ端子３４に常時接触している。
【００１６】上記表示灯および押しボタンスイッチの何
れにおいても、ハウジング前面の投光部に略匹敵する大
きさのＬＥＤ素子１を備えており、その前面を被覆する
拡散剤入りのエポキシ樹脂と相まって面発光の光を投光
することができる。しかも、従来のリフレクタを使用す
る必要がなく、図６に明らかなように表示灯およびスイ
ッチの短胴化を実現することができる。
れにおいても、ハウジング前面の投光部に略匹敵する大
きさのＬＥＤ素子１を備えており、その前面を被覆する
拡散剤入りのエポキシ樹脂と相まって面発光の光を投光
することができる。しかも、従来のリフレクタを使用す
る必要がなく、図６に明らかなように表示灯およびスイ
ッチの短胴化を実現することができる。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、一定面積のシリコン
基板の上面に微小発光部を複数構成することにより、表
示灯やスイッチの投光部において用いられる薄型の面発
光光源を提供することができる利点がある。
基板の上面に微小発光部を複数構成することにより、表
示灯やスイッチの投光部において用いられる薄型の面発
光光源を提供することができる利点がある。
【図１】この発明の実施例であるＬＥＤ素子の拡大概略
図である。
図である。
【図２】同ＬＥＤ素子の制作工程を示す図である。
【図３】同ＬＥＤ素子の制作工程におけるバッファ層の
形成方法を示す図である。
形成方法を示す図である。
【図４】同ＬＥＤ素子の素材の格子定数および線膨張係
数を示す図である。
数を示す図である。
【図５】同ＬＥＤ素子の側面の拡大断面図である。
【図６】同ＬＥＤ素子を適用した表示灯および押しボタ
ンスイッチの側面断面図である。
ンスイッチの側面断面図である。
【図７】従来のＬＥＤ素子を用いた表示灯の構成を示す
側面断面図である。
側面断面図である。
１−ＬＥＤ素子 ２−シリコン基板 ３−バッファ層 ４−ｐ−ＧａＡｌＡｓ層（発光層） ５−ｎ−ＧａＡｌＡｓ層（発光層） ６−上面電極 ７−下面電極 ８−微小発光部
Claims (1)
- 【請求項１】一定面積のシリコン基板の上面に薄膜バッ
ファ層を介して発光層を形成し、この発光層上面に複数
の微小発光部のそれぞれを囲む格子状の上面電極と、前
記シリコン基板の下面に前記上面電極に対応する下面電
極と、を設けたことを特徴とするＬＥＤ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8875892A JPH05291620A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｌｅｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8875892A JPH05291620A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｌｅｄ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291620A true JPH05291620A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13951786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8875892A Pending JPH05291620A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｌｅｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2333852A3 (en) * | 2009-12-09 | 2014-02-19 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device manufacturing method, light emitting package, and lighting system |
| JP2014522120A (ja) * | 2011-08-04 | 2014-08-28 | 株式会社東芝 | 発光素子 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP8875892A patent/JPH05291620A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2333852A3 (en) * | 2009-12-09 | 2014-02-19 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device manufacturing method, light emitting package, and lighting system |
| US9281448B2 (en) | 2009-12-09 | 2016-03-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US9899581B2 (en) | 2009-12-09 | 2018-02-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US9911908B2 (en) | 2009-12-09 | 2018-03-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US11335838B2 (en) | 2009-12-09 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2014522120A (ja) * | 2011-08-04 | 2014-08-28 | 株式会社東芝 | 発光素子 |
| US9070833B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
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