JPH05283915A - Waveguide-microstrip line converter - Google Patents

Waveguide-microstrip line converter

Info

Publication number
JPH05283915A
JPH05283915A JP7479492A JP7479492A JPH05283915A JP H05283915 A JPH05283915 A JP H05283915A JP 7479492 A JP7479492 A JP 7479492A JP 7479492 A JP7479492 A JP 7479492A JP H05283915 A JPH05283915 A JP H05283915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ridge
microstrip line
width
dielectric
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7479492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiichirou Abe
Takao Okada
Kiyohiro Shibata
文一朗 安部
孝夫 岡田
清裕 柴田
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, 株式会社東芝 filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7479492A priority Critical patent/JPH05283915A/en
Publication of JPH05283915A publication Critical patent/JPH05283915A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PURPOSE: To prevent the deterioration of VSWR characteristic and the band characteristic by notching the dielectric located between the ridge and the microstrip line and leaving the air of low dielectric rate.
CONSTITUTION: One part of the lower portion of a dielectric 3 is notched, for example, diagonally at the section connecting a micro strip line 4 and a ridge 21 to form a notched section 8 of the dielectric 3. The notched section is taken as an air layer 7. Width W of the line 4 is gradually expanded at the notched section 8 toward the ridge 21 so as to have the same width with the width 's' of the ridge 21 at the connection section. The line width W' of the line 4 of the notched section 8 is selected to have the characteristic impedance 50Ω while taking into account the width t' of the dielectric 3 in the portion. Thus, the width of the ridge 21 and the width of the line 4 can be prevented from being connected discontinuously.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、導波管とマイクロストリップ線路との相互間の伝送モード変換を行う導波管ーマイクロストリップ線路変換器に関する。 The present invention relates to a waveguide and the microstrip line and the waveguide over a microstrip line converter to perform transmission mode conversion between each other.

【0002】 [0002]

【従来の技術】マイクロ波機器に使用されるマイクロ波部のユニットは、小形化や高周波化という目的から、マイクロストリップ線路を誘電体基板上に形成したマイクロ波集積回路を使用することが多い。 BACKGROUND ART microwave unit used in the microwave equipment unit, the purpose of miniaturization or high frequency, often use microwave integrated circuit forming a microstrip line on a dielectric substrate. このようなマイクロ波集積回路を伝送した信号は、最終的には、指向性がよく、損失の少ない導波管アンテナによって自由空間中に放射され無線通信としての機能が成立する。 Such microwave integrated circuit transmits a signal obtained is finally directed well, are radiation function as a wireless communication is established in the free space by the small waveguide antenna loss.

【0003】このような無線通信においては、そこを伝送する信号は、マイクロストリップ線路から導波管へと、途中で伝送路が変わる。 [0003] In such a radio communication, signals to be transmitted therethrough, and the microstrip line to the waveguide, the transmission path is changed in the middle.

【0004】この場合、マイクロストリップ線路と導波管とは、伝送モードが異なるのでマイクロストリップ線路と導波管との接続部で、マイクロストリップ線路モードから導波管モードへと、モードの変換が必要となる。 [0004] In this case, the microstrip line and the waveguide, at the junction of the microstrip line and waveguide because transmission mode is different from the microstrip line mode to waveguide mode conversion mode is required.

【0005】このようなモード変換の一つの例として、 [0005] As one example of such a mode conversion,
同軸モードを介して行うことがある。 It may be carried out via a coaxial mode.

【0006】しかし同軸モードを介して行うと、その分損失が増大し、また電圧定在波比(以下VSWRという。)も悪化する。 However performed via the coaxial mode, and correspondingly loss increases, and the voltage standing wave ratio (hereinafter VSWR referred.) Also deteriorates. このVSWRの悪化は、特にミリ波帯以上の高い周波数になると著しくなる。 Deterioration of the VSWR is significantly when particularly the millimeter wave band higher than the frequency.

【0007】したがってマイクロストリップ線路モードから導波管モードへの変換は、同軸モードを介さずに直接変換することが望ましい。 Accordingly conversion from the microstrip line mode to waveguide mode, it is desirable to convert directly without a coaxial mode.

【0008】なお導波管からマイクロストリップ線路に直接モード変換する方法としては、(1)フインライン形、(2)電界(E面)プローブ形、(3)リッジ導波管形、などが提案されている。 [0008] Note that as a method for direct mode converted into the microstrip line from the waveguide, (1) off-line type, (2) electric field (E plane) Probe type, (3) ridge waveguide tubular, and suggestions It is.

【0009】これらの方法を、システム構成の上から見るとそれぞれ一長一短がある。 [0009] These methods, each have advantages and disadvantages when viewed from the top of the system configuration.

【0010】しかし直線的なレイアウトができること、 [0010] However, it can be a linear layout,
特性の調整作業の容易さなどを考えると、リッジ導波管形が有利である。 Given the easiness of adjustment of properties, ridge waveguide shape is advantageous.

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】図3は、従来のリッジ導波管形の導波管−マイクロストリップ線路変換器の一例を示す図で、(a)は斜視図、(b)は導波管の中心軸における断面図である。 3 The object of the invention is to solve the above-waveguide of a conventional ridge waveguide form - a diagram showing an example of a microstrip line converter, (a) shows the perspective view, (b) is guided it is a sectional view taken along the central axis of the tube. 11はリッジ導波管で、その中央に階段状にリッジ21、22、23が伸びている。 11 is a ridge waveguide, a ridge 21, 22, 23 is extended stepwise in the center. リッジ導波管11の特性インピーダンスは、リッジの長さdと幅sが関係する。 The characteristic impedance of the ridged waveguide 11 has a length d and width s of the ridge is concerned. なおリッジ導波管11をマイクロストリップ線路に接続する場合、両線路間でインピーダンス整合を取る必要があり、通常、導波管11のインピーダンスをマイクロストリップ線路4の一般的な特性インピーダンス、50オームに合わせている。 In the case of connecting the ridge waveguide 11 to the microstrip line, it is necessary to perform impedance matching between both lines, typically, the impedance of the waveguide 11 common characteristic impedance of the microstrip line 4, to 50 ohms We are together.

【0012】文献によれば、導波管のリッジ部分、例えばリッジ21部分の特性インピーダンスを50オームにする場合、その特性インピーダンスは長さdと幅sから計算で求められる。 According to the literature, the ridge portions of the waveguide, for example, when the characteristic impedance of the ridge 21 parts to 50 ohms, the characteristic impedance is calculated from the length d and width s.

【0013】例えばリッジ21の長さdが決まると、標準導波管の高さHが既に決まっており、またリッジ21 [0013] For example, when the length d of the ridge 21 is determined, the height H of the standard waveguide has already been determined, also the ridges 21
とマイクロストリップ線路の線路導体4とを接続するという構造上の面から、マイクロストリップ線路4側の誘電体3の厚さtが決まる。 And from the viewpoint of the structure of connecting the line conductor 4 of the microstrip line, the thickness t is determined of the microstrip line 4 side of the dielectric 3. 誘電体3の厚さtが決まると、誘電体3の比誘電率ε は既知であるから、特性インピーダンスが50オームとなる線路幅Wは、非常に精度の良い近似式で求められる。 If the thickness t of the dielectric 3 is determined, because the relative dielectric constant epsilon r of the dielectric 3 is known, line width W of the characteristic impedance of 50 ohms is obtained with very good precision approximation.

【0014】なおリッジ21の端面とマイクロストリップ線路4の端は金属箔5で接続される。 [0014] Note that the end surface and the end of the microstrip line 4 of the ridges 21 is connected by a metal foil 5.

【0015】上記の方法でマイクロストリップ線路4の幅Wを求めると、この幅Wはリッジの幅sと一致せず、 [0015] determining the width W of the microstrip line 4 in the manner described above, the width W does not coincide with the width s of the ridge,
一般にs>Wとなる。 It will generally be s> W.

【0016】これはリッジ21と導波管11の底面12 [0016] This is the bottom of the ridge 21 and the waveguide 11 12
との間の空気を誘電体とし、線路幅がdのマイクロストリップ線路4の特性インピーダンスがほぼ50オームとなるためで、その部分の媒体が、空気であるか誘電体であるかの差によるものである。 Air as a dielectric between, because the line width is the characteristic impedance of the microstrip line 4 and d is approximately 50 ohms, media that portion, due to differences in whether dielectric is air it is.

【0017】したがってリッジ21(幅s)とマイクロストリップ線路(幅W)の接続部において幅の不連続部が生じる。 [0017] Thus discontinuity of width occurs at the connecting portion of the ridge 21 (width s) and the microstrip line (width W). これはマイクロ波回路的にサセプタンスが付加されたことを意味する。 This means that the microwave circuit to susceptance is added.

【0018】サセプタンスが付加されると、導波管−マイクロストリップ線路変換器としてのVSWR特性が劣化し、また動作周波数帯域が狭くなる。 [0018] susceptance is added, the waveguide - VSWR characteristic is deteriorated as a microstrip line transducer, also the operating frequency band is narrowed.

【0019】このような設計上の問題に対して、図4に示されるようにいくつかの対策が考えられている。 [0019] For such design issues, it has been considered some measures as shown in Figure 4. なお図4においては図3と同一部分には同一番号を付して詳細な説明は省略する。 Incidentally detailed description are denoted by the same numerals to the same parts in FIG. 3 in FIG. 4 will be omitted.

【0020】一つの対策が図4(a)に示された構成である。 [0020] a structure in which one of the measures is shown in Figure 4 (a).

【0021】リッジ21の角21a、21bを一部削除して、削除後のリッジの幅s´がマイクロストリップ線路4の幅Wと等しくなるようにして、付加サセプタンスを軽減する例である。 The corner 21a of the ridge 21, by removing some 21b, as the width s'ridge after deletion becomes equal to the width W of the microstrip line 4 is an example of reducing the additional susceptance. しかし角を削除したことによってリッジ21端部の特性インピーダンスの上昇は免れず、 However increase in the characteristic impedance of the ridge 21 ends by deleting the corners is not spared,
特性インピーダンスの一部上昇による影響のため、モードの変換特性はそれ程改善されない。 For effects of some increase in the characteristic impedance conversion characteristic mode is not much improved.

【0022】もう一つの対策が図4(b)に示された構成である。 [0022] a structure in which another countermeasure shown in Figure 4 (b).

【0023】付加サセプタンスを逆付加サセプタンス成分6で打ち消そうとしたものである。 [0023] is obtained by trying to counteract the additional susceptance in reverse additional susceptance component 6. この構成では、逆付加サセプタンス成分6が周波数特性を持つため帯域性が失われるという欠点がある。 In this configuration, there is a disadvantage that the reverse addition susceptance component 6 band resistance because with the frequency characteristics are lost.

【0024】本発明は、上記した欠点を解決し、リッジの幅とマイクロストリップ線路の幅の設計上の問題から起因するVSWR特性や帯域特性の悪化を防止し得る導波管−マイクロストリップ線路変換器を提供することを目的とする。 The present invention is to solve the drawbacks mentioned above, the waveguide may prevent deterioration of VSWR characteristics and bandwidth characteristics caused by the width of the design problems of the width and the microstrip line of the ridge - the microstrip line converter and to provide a vessel.

【0025】 [0025]

【課題を解決するための手段】本発明は、リッジ導波管のリッジ先端部と誘電体基板上に形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続する導波管ーマイクロストリップ線路変換器において、前記リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロストリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異なる誘電体の層または空気層を設けている。 The present invention SUMMARY OF], in the waveguide over a microstrip line converter to connect the microstrip line conductor formed on the ridge waveguide of the ridge tip and a dielectric substrate, wherein below the microstrip line conductor close to the ridge tip is provided with a layer or air layer dielectric and the dielectric constant of different dielectric at the bottom of the microstrip line conductor of the portion remote from the ridge tip.

【0026】 [0026]

【作用】リッジ導波管のリッジ先端部と誘電体基板上に形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続する場合に、リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロストリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異なる誘電体の層または空気層を設けているので、リッジの幅とマイクロストリップ線路の幅との不連続な接続を防止できる。 [Action] When connecting the microstrip line conductor formed on the ridge tip and dielectric substrate of the ridge waveguide, below the microstrip line conductor close to the ridge tip, away from the ridge tip since the portion is provided with the dielectric layer or an air layer having different dielectric and the dielectric constant at the bottom of the microstrip line conductor of the, possible to prevent discontinuous connection with widths of the microstrip line of the ridge.

【0027】 [0027]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1を参照して説明する。 BRIEF DESCRIPTION with an embodiment of the present invention with reference to FIG.

【0028】図1(a)は本発明の導波管−マイクロストリップ線路変換器の一実施例を示す平面図、図1 [0028] FIG. 1 (a) waveguide of the present invention - a plan view showing one embodiment of a microstrip line converter, Figure 1
(b)はその断面図である。 (B) is a sectional view thereof. なお図1では図3および図4と同一部分には同一番号を付し詳細な説明は省略する。 Incidentally detailed description given the same numerals in FIG. 1, 3 and 4 the same parts will be omitted.

【0029】導波管のリッジ部21、22、23は従来例と同じ構造であるが、マイクロストリップ線路との境界の構造が異なっている。 [0029] Although the ridge portion 21, 22, 23 of the waveguide has the same structure as the conventional example, have different structures of the boundary between the microstrip line.

【0030】図1(a)、(b)に示すようにマイクロストリップ線路4とリッジ21との接続部分で誘電体3 [0030] FIG. 1 (a), the dielectric 3 in the connection portion between the microstrip line 4 and the ridge 21 as shown in (b)
の下側の一部を、例えば斜めに切り欠き、図1(b)に示すように、誘電体3の切り欠き部8を形成し、切り欠いた部分を空気層7にしている。 Notch portions of the lower side, for example the diagonal, as shown in FIG. 1 (b), to form the notch portion 8 of the dielectric 3, and a portion broken away air layer 7.

【0031】またマイクロストリップ線路4の幅Wは、 [0031] The width W of the microstrip line 4,
リッジ21に向かって切り欠き部8の部分で徐々に広くし、リッジ21との接続部でリッジ21の幅sと同じになるようにしている。 Gradually wider at the portion of the notched portion 8 towards the ridge 21, is set to be the same as the width s of the ridge 21 at the junction of the ridge 21.

【0032】なお切り欠き部8の部分のマイクロストリップ線路4の線路幅W´は、その部分における誘電体3 [0032] Note that the line width of the microstrip line portion of the notch portion 8 4 W', the dielectric 3 in the portion
の厚さt´を考慮し、特性インピーダンスが50オームになるように選ばれる。 Consideration of the thickness t'the characteristic impedance is chosen to be 50 ohms. この関係は、切り欠き部8の全域について同じになっている。 This relationship, which is the same for the entire area of ​​the cutout portion 8.

【0033】即ち、特性インピーダンスが50オームという条件から、切り欠き部8における誘電体3の厚さt [0033] That is, from the condition that the characteristic impedance is 50 ohms, the dielectric 3 in the notches 8 thickness t
´が決まれば、その部分のマイクロストリップ線路の幅W´が決まる。 Once the 'determines the width W'of the microstrip line of the part.

【0034】上記の構成によれば、リッジ21部から境界部10を経て、マイクロストリップ線路4の端まで、 According to the above configuration, the ridge 21 parts via the boundary portion 10, to the end of the microstrip line 4,
線路幅が急激に変わる不連続な部分がなく、また特性インピーダンスも連続的に50オームを保つことができる。 No discontinuous portion line width changes rapidly, also the characteristic impedance can also be continuously maintain 50 ohms.

【0035】なお切り欠き部8の斜めに切り欠かれた部分の誘電体の表面7は導体膜などは施されていない。 [0035] Incidentally surface 7 of the dielectric notched portion at an oblique cutout portion 8 is not like conductive film is subjected.

【0036】したがって切り欠き8部における等価比誘電率ε ´は、空気の比誘電率をε とすると、 ε ´=ε ・ε /(ε +ε ) となる。 [0036] Thus the equivalent relative dielectric constant at notch 8 parts epsilon r ', when the relative dielectric constant of air and ε a, ε r' becomes = ε r · ε a / ( ε r + ε a). この等価比誘電率ε ´によって、切り欠き部8のマイクロストリップ線路幅の幅W´が計算される。 This equivalent relative dielectric constant epsilon r ', width W'of the microstrip line width of the notch portion 8 is calculated.

【0037】上記した導波管−マイクロストリップ線路変換器によれば、リッジ21とマイクロストリップ線路4との境界部の誘電体を一部切り欠くことによって、リッジの幅とマイクロストリップ線路の幅とを滑らかに連続的に変化でき、しかも特性インピーダンスを変えることなく、導波管からマイクロストリップ線路に変換できる。 The waveguide described above - according to the microstrip line converter, by cutting a part of the dielectric of the boundary between the ridge 21 and the microstrip line 4, the width of the width and the microstrip line of the ridge smoothly continuously be changed, yet without changing the characteristic impedance can be converted from the waveguide to the microstrip line.

【0038】図2(a),(b)は本発明の他の実施例を示すもので、図1と同一部分には同一番号を付し詳細な説明は省略する。 FIG. 2 (a), (b) it is intended to show another embodiment of the present invention, detailed description thereof is omitted given the same numbers to the same portions as FIG.

【0039】図2(a)はリッジ91の形状を曲線にした例で、図2(b)はリッジ92の形状をテーパにした例である。 [0039] FIGS. 2 (a) in the example in the shape of a ridge 91 in the curve, FIG. 2 (b) is an example in which the shape of the ridge 92 to taper. この場合も同様な効果がある。 Also in this case, there is a similar effect.

【0040】また切り欠き部8の形状も直線に限らず曲線でもよい。 [0040] may also be a curve is not limited to the shape straight line of the cutout portion 8.

【0041】本実施例では、リッジとマイクロストリップ線路導体との接続部分の誘電体を切り欠い部分に、低誘電率の空気を残している。 [0041] In this embodiment, the dielectric notching portions of the connection portion between the ridge and the microstrip line conductor, leaving the low dielectric constant air. しかし切り欠いた部分に、 But in the cut-away portion,
リッジ先端部から離れた部分の誘電体より低い誘電率の他の誘電体を充填しても同等の効果を得ることができる。 Be filled other dielectrics lower dielectric constant than the dielectric of a portion distant from the ridge tip can be obtained the same effect.

【0042】 [0042]

【発明の効果】本発明によれば、リッジの幅とマイクロストリップ線路の幅とが不連続に接続することを防止でき、VSWRや広帯域化を改善した導波管−マイクロストリップ線路変換器が実現できる。 According to the present invention, it is possible to prevent the width of the width and the microstrip line of the ridge are connected discontinuously, waveguide and improved VSWR and broadband - microstrip line converter to realize it can.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例を示す平面図である。 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。 2 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.

【図3】従来の例を説明する図である。 3 is a diagram illustrating a conventional example.

【図4】他の従来の例を説明する図である。 4 is a diagram illustrating another conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

3…誘電体 4…マイクロストリップ線路 5…金属箔 7…空気層または低誘電率の誘電体 8…切り欠き部 10…境界部 11…リッジ導波管 12…導波管11の底面 21、22、23…リッジ 3 ... dielectric 4 ... microstrip line 5 ... bottom 21, 22 of the metal foil 7 ... air layer or a low-k dielectric 8 ... notches 10 ... boundary portion 11 ... ridge waveguide 12 ... waveguide 11 , 23 ... ridge

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 リッジ導波管のリッジ先端部と誘電体基板上に形成されるマイクロストリップ線路導体とを接続する導波管ーマイクロストリップ線路変換器において、 1. A waveguide over the microstrip line converter to connect the microstrip line conductor formed on the ridge ridge distal end portion of the waveguide and the dielectric substrate,
    前記リッジ先端部に近いマイクロストリップ線路導体の下方に、前記リッジ先端部から離れた部分のマイクロストリップ線路導体の下方にある誘電体と誘電率の異なる誘電体の層または空気層を設けた導波管ーマイクロストリップ線路変換器。 Below the microstrip line conductor closer to the ridge tip, provided with a layer or air layer dielectric and the dielectric constant of different dielectric at the bottom of the microstrip line conductor portions remote from the ridge tip waveguide tube over the microstrip line converter.
JP7479492A 1992-03-31 1992-03-31 Waveguide-microstrip line converter Pending JPH05283915A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7479492A JPH05283915A (en) 1992-03-31 1992-03-31 Waveguide-microstrip line converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7479492A JPH05283915A (en) 1992-03-31 1992-03-31 Waveguide-microstrip line converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05283915A true JPH05283915A (en) 1993-10-29

Family

ID=13557569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7479492A Pending JPH05283915A (en) 1992-03-31 1992-03-31 Waveguide-microstrip line converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05283915A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335664B1 (en) 1998-04-28 2002-01-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system
WO2004030142A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-08 Eads Deutschland Gmbh Junction between a microstrip line and a waveguide

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335664B1 (en) 1998-04-28 2002-01-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system
US6592021B2 (en) 1998-04-28 2003-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Circuit board bonding method, branch circuit and its designing method, waveguide-microstrip transition, and application to HF circuit, antenna and communication system
WO2004030142A1 (en) * 2002-09-20 2004-04-08 Eads Deutschland Gmbh Junction between a microstrip line and a waveguide
US7336141B2 (en) 2002-09-20 2008-02-26 Eads Deutschland Gmbh Junction with stepped structures between a microstrip line and a waveguide
CN100391045C (en) * 2002-09-20 2008-05-28 伊兹德国有限公司 Junction between a microstrip line and a waveguide
AU2003257396B2 (en) * 2002-09-20 2008-09-25 Eads Deutschland Gmbh Junction between a microstrip line and a waveguide
KR100958790B1 (en) * 2002-09-20 2010-05-18 이에이디에스 도이치란트 게엠베하 Junction between a microstrip line and a waveguide

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3047836B2 (en) Meander Line Antenna
CN1184838C (en) Laminated resonant structure antenna and multi-frequency radio communication apparats. contg. same
US7199680B2 (en) RF module using mode converting structure having short-circuiting waveguides and connecting windows
US4500887A (en) Microstrip notch antenna
US6650303B2 (en) Ceramic chip antenna
US6124829A (en) Circularly polarized wave patch antenna with wide shortcircuit portion
EP0790663A1 (en) Surface mounting antenna and communication apparatus using the same antenna
EP0883328B1 (en) Circuit board comprising a high frequency transmission line
US6246377B1 (en) Antenna comprising two separate wideband notch regions on one coplanar substrate
AU727581B2 (en) A high frequency balun provided in a multilayer substrate
US5036335A (en) Tapered slot antenna with balun slot line and stripline feed
US6292153B1 (en) Antenna comprising two wideband notch regions on one coplanar substrate
US2825876A (en) Radio frequency transducers
US6121930A (en) Microstrip antenna and a device including said antenna
US4651115A (en) Waveguide-to-microstrip transition
USH956H (en) Waveguide fed spiral antenna
US5689217A (en) Directional coupler and method of forming same
US5369379A (en) Chip type directional coupler comprising a laminated structure
CN100487980C (en) Miniaturized ultra-wideband microstrip antenna
US6225959B1 (en) Dual frequency cavity backed slot antenna
US5400041A (en) Radiating element incorporating impedance transformation capabilities
AU743866B2 (en) A radiocommunication device and a dual-frequency microstrip antenna
US5892486A (en) Broad band dipole element and array
US5278569A (en) Plane antenna with high gain and antenna efficiency
JP3288059B2 (en) Power supply device for a radiating element operating in two polarization