JPH05257285A - Radiosensitive material and formation of pattern using the same - Google Patents

Radiosensitive material and formation of pattern using the same

Info

Publication number
JPH05257285A
JPH05257285A JP5377292A JP5377292A JPH05257285A JP H05257285 A JPH05257285 A JP H05257285A JP 5377292 A JP5377292 A JP 5377292A JP 5377292 A JP5377292 A JP 5377292A JP H05257285 A JPH05257285 A JP H05257285A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
copolymer
resist
pattern
polymer
radiosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5377292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroko Kaimoto
Koji Nozaki
Satoshi Takechi
敏 武智
耕司 野崎
裕子 開元
Original Assignee
Fujitsu Ltd
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PURPOSE:To attain excellent transparency particularly to ultraviolet rays and sufficient dry etching resistance by using a polymer or a copolymer of cyclohexylmaleimide. CONSTITUTION:The radiosensitive material is composed of a polymer or a copolymer of cyclohexylmaleimide. A resist made from the radiosensitive material is applied on the substrate to be processed to form a resist layer. The resist layer is selectively exposed to radiosensitive rays to be developed and a resist pattern is formed. In this case, the typical example of a comonomer constituting the useful copolymer is a monomer having a structure generating an alkali-soluble group by the action of an acid-generating agent and t- butylmethacrylate or tetrahydropyranyl methacrylate is exemplified as the monomer. It is particularly advantageous for the radiosensitive material to use the copolymer with the acid-generating agent.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法に関する。 The present invention relates to a radiation-sensitive material and a pattern forming method using the same.

【0002】半導体集積回路においては、近年集積化が進み、LSIやVLSIが実用化され、これとともに配線パターンの最小線幅はサブミクロン(submicron) に及んでおり、しかも更に微細化の傾向にある。 [0002] In the semiconductor integrated circuit is progressed in recent years integration, LSI and VLSI have been put to practical use, which together with the minimum line width of the wiring pattern spans the submicron (submicron), yet still tend miniaturization . ここで、微細パターンの形成には、薄膜を形成した被処理基板上にレジストを被覆し、選択露光を行った後に現像してレジストパターンを作り、これをマスクとしてドライエッチングを行い、その後にレジストを溶解除去することにより薄膜パターンを得る写真蝕刻技術の使用が必須である。 Here, the formation of a fine pattern, a resist is coated on the substrate to be processed a thin film is formed, making the resist pattern by developing after the selective exposure, dry etching is performed using as a mask, after which the resist use photoetching technique to obtain a thin film pattern by dissolution removal is essential. この写真蝕刻技術に使用する光源として、当初は紫外線が使用されていたが、波長による制限からサブミクロン幅の解像は不可能であり、これに代わって波長の短い遠紫外線や電子線、X線などを光源としてサブミクロン幅の解像が行われるようになった。 As a light source used in this photolithography technique, although initially UV was used, resolution of submicron width from limitations due to wavelength is not possible, short deep UV or electron beam wavelength Instead of this, X resolution of submicron width is to be performed line like as a light source. 本発明は、これら放射線レジスト材料に関するものである。 The present invention relates to these radiation resist material.

【0003】 [0003]

【従来の技術】レジストとしては、従来、フェノール樹脂をベースとするものが数多く開発されてきた。 2. Description of the Related Art A resist, conventionally, those based on phenolic resins have been developed many. 但し、 However,
これらの材料は芳香族環を含むために光の吸収が大きく、そのため、かかる材料によって、微細化に対応できるだけのパターン精度を得ることはできない。 These materials greatly absorb the light to include an aromatic ring, therefore, by such material can not be obtained only pattern accuracy can respond to miniaturization.

【0004】一方、光吸収の少ない樹脂として、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やポリイソプロペニルケトン(PMIPK)などを用いることが検討されているが、これらの材料は芳香環を含んでいないために、十分なドライエッチング耐性をもっていない。 On the other hand, as less light-absorbent resin, for polymethyl methacrylate (PMMA) and poly isopropenyl ketone (PMIPK) be used and the like have been studied, but these materials do not contain an aromatic ring, It does not have a sufficient dry etching resistance.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】以上記したように、サブミクロンの微細パターンを実現するには、電離放射線、特に遠紫外光に対して透明性が優れ、かつ、十分なドライエッチング耐性をもつ感光材料が必要であり、従って本発明は、この両方の特性を兼ね備えた放射線用感光材料を実用化することを課題とするものである。 As noted above [0008], to achieve fine patterns of submicron, high transparency to ionizing radiation, especially deep ultraviolet light, and has a sufficient dry etching resistance the photosensitive material is required, the present invention therefore, it is an object of the invention to practical radiation photosensitive material that combines properties of both.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するため、シクロヘキシルマレイミドの重合体または共重合体からなる放射線感光材料を提供する。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, in order to solve the above problems, to provide a radiation sensitive material comprising a polymer or copolymer of cyclohexyl maleimide.

【0007】上記本発明の放射線感光材料からなるレジストを被処理基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層を放射線により選択的に露光し、次いで現像することにより、レジストパターンを形成することができる。 [0007] by coating a resist made of radiation-sensitive material of the present invention on a substrate to be processed to form a resist layer, by the resist layer was selectively exposed by radiation and then developed, forming a resist pattern can do.

【0008】我々は、すでに、エステル部にアダマンタン構造をもつ放射線感光材料を提案した。 [0008] We have already proposed a radiation-sensitive material having an adamantane structure esters portion. 本発明においては、アダマンタン構造の代わりにノルボルナン構造を導入し、透明性およびドライエッチング性に優れた材料を得ることに成功したものである。 In the present invention, by introducing a norbornane structure instead of adamantane structure, in which succeeded in obtaining an excellent material transparency and dry etching resistance.

【0009】本発明に有用な共重合体を構成するコモノマーの典型的な例は、酸発生剤の作用によりアルカリ可溶性基を生じる構造を有するモノマーであり、かかるモノマーの例としてt−ブチルメタクリレートやテトラヒドロピラニルメタクリレートを挙げることができる。 Typical examples of comonomers constituting the copolymers useful with the invention is a monomer having a structure resulting an alkali-soluble group by the action of an acid generating agent, t- butyl methacrylate Ya Examples of such monomers it can be mentioned tetrahydropyranyl methacrylate. 本発明の放射線感光材料としてかかる共重合体を酸発生剤とともに用いるのが特に有利である。 Such copolymer as a radiation-sensitive material of the present invention for use with an acid-generating agent is particularly advantageous.

【0010】また、本発明の放射線感光材料を用いてパターン形成を行うに際しては、前記放射線感光材料からなるレジストを被処理基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層をプリベークして不溶化した後に放射線により選択的に露光し、次いで現像するか、またはレジスト層を形成し、このレジスト層を放射線により選択的に露光した後にベークし、次いで現像するのが有利である。 Further, when forming a pattern using the radiation sensitive material of the present invention, a resist made of the radiation sensitive material to form a resist layer by coating on the substrate to be processed, and pre-baked resist layer selectively exposed by radiation after insolubilization, and then either developed, or resist layer is formed, and baked the resist layer after the selective exposure by radiation, then it is advantageous to develop.

【0011】 [0011]

【作用】本発明は、電離放射線、特に遠紫外光に対して透明性が優れ、かつ、十分なエッチング耐性を持つ感光材料として、シクロヘキシルマレイミドの重合体または共重合体からなる材料を用いるものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, ionizing radiation, excellent transparency, particularly for deep UV light, and, as a photosensitive material having a sufficient etching resistance, but using a material comprising a polymer or copolymer of cyclohexyl maleimide is there.

【0012】下記式、 [0012] The following formula,

【化1】 [Formula 1] で示される構造を有するシクロヘキシルマレイミドは、 In-cyclohexyl maleimide having the structure shown,
化学的に安定で耐熱性にも優れている。 It is excellent in chemical stability and heat resistance. 本発明者らは、 The present inventors have found that,
シクロヘキシルマレイミド構造を含むポリマーは芳香環がないにもかかわらず、優れたエッチング耐性を示し、 Polymers containing cyclohexyl maleimide structure even though there is no aromatic ring exhibit excellent etching resistance,
また電離放射線、特に遠紫外光に対して吸収が少ない点に着目した。 The ionizing radiation, focused to a point low absorption, especially for deep ultraviolet light. そして、この特徴を活かし、シクロヘキシルマレイミドの重合体または共重合体を感光材料として使用することにより、本発明に到達したのである。 Then, taking advantage of this feature, by using a polymer or copolymer of cyclohexyl maleimide as a photosensitive material, it had reached the present invention.

【0013】このような感光材料は優れたエッチング耐性を持つとともに、透明性に優れているため、これを放射線レジスト材料として用いることにより精度よくサブミクロンパターンを形成することができる。 [0013] with such light-sensitive material having excellent etching resistance and excellent transparency, which can be formed with high accuracy submicron patterns by using a radiation-resist material.

【0014】 [0014]

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに説明する。 EXAMPLES The following examples further illustrate the present invention. 実施例1シクロヘキシルマレイミドを、反応溶媒としてトルエンを用いて5 mol%の溶液とした後、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)を2 mol%添加した。 Example 1-cyclohexyl maleimide, after the 5 mol% of the solution using toluene as the reaction solvent, was azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator (AIBN) was added 2 mol%. 次に、昇温し、80℃で30分間重合を行った。 Then, the temperature was raised, and polymerization was carried out for 30 minutes at 80 ° C..
反応終了後、メタノールで沈殿精製を行った。 After completion of the reaction, it was precipitated methanol. この結果、重量平均分子量12万、分散度 2.4のポリマーが得られた。 As a result, the weight-average molecular weight of 120,000, the polymer dispersity 2.4 was obtained.

【0015】このポリマーをシクロヘキサノン溶液とした後、石英基板上に1μm厚に被覆し、遠紫外光(248n [0015] After this polymer cyclohexanone solution was coated 1μm thick on a quartz substrate, far ultraviolet light (248N
m) に対する透明性を調べた結果、透過率は約85%であった。 m) results of examining the transparency to the transmittance was about 85%. なお、フェノールノボラック樹脂の場合は30 In the case of phenolic novolak resins 30
%であった。 %Met.

【0016】さらに、四フッ化炭素ガス(CF 4 )によるエッチングレートをPMMAと比較した結果、PMMA Furthermore, as a result of the etching rate due to carbon tetrafluoride gas (CF 4) was compared with PMMA, PMMA
のエッチングレートが1100Å/分であるのに対し、ポリシクロヘキシルマレイミドの場合は 950Å/分と優れていた。 The etching rate of contrast is 1100 Å / min, in the case of poly-cyclohexyl maleimide was excellent and 950 Å / min. なお、エッチング条件はCF 4圧力0.02Torr (10 The etching conditions were CF 4 pressure 0.02 Torr (10
0sccm)、パワー 200Wであった。 0sccm), it was a power 200W.

【0017】次いで、得られたシクロヘキシルマレイミドポリマーに、架橋剤として下記式、 [0017] Then, the resulting cyclohexyl maleimide polymer of the following formula as a crosslinking agent,

【化2】 ## STR2 ## の構造を有する4,4'−ジアジドフェニルメチレンを20 The structure has a 4,4'-diazide phenylmethylene 20
重量%添加してキシレン溶液とし、Si基板上に 0.5μ A xylene solution was added wt%, 0.5 [mu] on a Si substrate
m厚に塗布した後、 100℃で30分間プリベークした。 After coating the m thick, it was pre-baked for 30 minutes at 100 ° C..

【0018】次に、キセノン・水銀(Xe−Hg)ランプにより30秒間露光した後、キシレンで60秒間現像してパターニング特性を調べた。 Next, after exposing for 30 seconds by a xenon-mercury (Xe-Hg) lamp, it was examined patterning properties by development for 60 seconds in xylene. その結果、 0.6μmのライン・アンド・スペースを解像することができた。 As a result, it was able to resolve the line-and-space of 0.6μm.

【0019】 実施例2架橋剤として4,4'−ジアジドフェニルメチレンの代わりに下記式、 The following formula in place of the Example 2 the crosslinking agent 4,4'-diazide phenylmethylene,

【化3】 [Formula 3] の構造を有する4,4'−ジアジドフェニルスルホンを用いて実施例1の操作を繰り返した。 The procedure of Example 1 was repeated using 4,4'-diazide phenyl sulfone having the structure. この場合にも同様な結果を得ることができた。 Also in this case it was possible to obtain the same results.

【0020】 実施例3 AIBNを重合開始剤として用い、シクロヘキシルマレイミドとメタクリル酸とを1,4-ジオキサン中で80℃で20分間重合した後、ヘキサンを用いて再沈精製した結果、重量平均分子量7万、分散度 2.5、組成比6:4の共重合体が得られた。 [0020] Using Example 3 AIBN as a polymerization initiator, was polymerized for 20 minutes at 80 ° C. and cyclohexyl maleimide and methacrylic acid with 1,4-dioxane, a result of the reprecipitation purification using hexane, the weight average molecular weight 70,000, dispersity 2.5, the composition ratio of 6: copolymer of 4 was obtained.

【0021】このポリマーに架橋剤として4,4'−ジアジドフェニルメチレンを30重量%加えてシクロヘキサノン溶液とし、Si基板上に 0.5μm厚に塗布し、 100℃ [0021] The polymer was added 30 wt% of 4,4'-diazide phenylmethylene as a crosslinking agent and a cyclohexanone solution was applied to 0.5μm thickness on the Si substrate, 100 ° C.
で30分間プリベークを行った。 In prebaked for 30 minutes. その後、Xe−Hgランプにより30秒間露光し、アルカリ現像を行った。 Thereafter, exposed for 30 seconds by Xe-Hg lamp, it was alkali development. この結果、 0.5μmライン・アンド・スペースパターンを解像することができた。 As a result, it was able to resolve the 0.5μm line-and-space pattern. なお、この場合のエッチング耐性はポリシクロヘキシルマレイミドの場合と同等であった。 The etching resistance in this case was equivalent to that of poly-cyclohexyl maleimide.

【0022】 実施例4実施例3に述べたと同様な方法により、シクロヘキシルマレイミドとt−ブチルメタクリレートを共重合した結果、重量平均分子量 1.8万、分散度 1.9、組成比4:6 [0022] the same manner as described in Example 4 Example 3, the results obtained by copolymerizing cyclohexyl maleimide and t- butyl methacrylate, weight average molecular weight 18,000, dispersity 1.9, the composition ratio of 4: 6
の共重合体が得られた。 Copolymer was obtained. このポリマーに酸発生剤であり、下記式、 The polymer is an acid-generating agent represented by the following formula,

【化4】 [Of 4] の構造を有するトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートを5重量%加えてシクロヘキサノン溶液とし、Si基板上に1μmの厚さに塗布後、90℃で3 Structure and triphenylsulfonium hexafluorophosphate 5 wt% addition cyclohexanone solution with the later applied to a thickness of 1μm on the Si substrate, 3 at 90 ° C.
0分間プリベークを行った。 0 minutes pre-baking was carried out.

【0023】次に、Xe−Hgランプにより20秒間露光し、 110℃で20分間ベークを行い、アルカリで現像した。 Next, it exposed for 20 seconds by Xe-Hg lamp, and baked 20 minutes at 110 ° C., and developed with an alkali. その結果、 0.5μmライン・アンド・スペースパターンを解像した。 As a result, it was resolved 0.5μm line-and-space pattern. なお、この場合のエッチングレートはポリシクロヘキシルマレイミドの場合と同等であった。 The etching rate in this case was equivalent to that of poly-cyclohexyl maleimide.

【0024】 実施例5酸発生剤として下記式、 The following formula as Example 5 acid generator,

【化5】 [Of 5] の構造を有するジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートを用いて実施例4の操作を繰り返した。 It was repeated in Example 4 using diphenyliodonium hexafluorophosphate having structure. この場合にも同様の結果が得られた。 Similar results in this case were obtained.

【0025】 実施例6実施例3に述べたと同様な方法によりシクロヘキシルマレイミドとテトラヒドロピラニルメタクリレートを共重合した結果、重量平均分子量 5.8万、分散度 2.0、組成比6:4の共重合体が得られた。 [0025] Example 6 Example 3 similar to that described in method a result of copolymerization of cyclohexyl maleimide and tetrahydropyranyl methacrylate, the weight-average molecular weight 58,000, dispersity 2.0, the composition ratio of 6: copolymer of 4 obtained obtained.

【0026】この重合体にトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートを3重量%添加してシクロヘキサノン溶液とした。 [0026] was cyclohexanone solution in this polymer added triphenylsulfonium hexafluorophosphate 3 wt%. Si基板上に1μmの厚さに塗布後、90℃で30分間プリベークを行った。 After coating on a Si substrate to a thickness of 1 [mu] m, and prebaked for 30 minutes at 90 ° C.. 次いで、X Then, X
e−Hgランプにより5秒間露光し、 110℃で20分間ベークを行い、アルカリで現像した。 It exposed 5 seconds by the e-Hg lamp, and baked 20 minutes at 110 ° C., and developed with an alkali. その結果、 0.5μ As a result, 0.5μ
mライン・アンド・スペースパターンを解像した。 It was resolved m line-and-space pattern. なお、この場合、エッチングレートおよび透過率ともにポリシクロヘキシルマレイミドの場合と同様であった。 In this case, it was the same as in the case of poly-cyclohexyl maleimide in both the etching rate and transmittance.

【0027】 実施例7下記式、 [0027] Example 7 the following formula,

【化6】 [Omitted] の構造を有するベンゾイントシレートを酸発生剤として用いて実施例6の操作を繰り返した結果、露光時間3秒で同様な結果が得られた。 Result of repeating the procedure of Example 6 using benzoin tosylate as an acid generator having a structure, similar results in exposure time of 3 seconds is obtained.

【0028】 実施例8 Xe−Hgランプの代わりに加速電圧20kVの電子線露光装置を用いて実施例6の操作を繰り返した結果、 [0028] EXAMPLE 8 Xe-Hg lamp result of repeating the procedure of Example 6 using an electron beam exposure apparatus of acceleration voltage 20kV instead of,
1.6μC/cm 2で 0.7μmライン・アンド・スペースパターンが得られた。 Is 0.7μm line-and-space pattern was obtained in 1.6μC / cm 2.

【0029】 実施例9実施例4に述べた共重合体に下記式、 The formula in the copolymer described in Example 9 Example 4,

【化7】 [Omitted] の構造を有する4,4'−ジアジドカルコンを10重量%添加してシクロヘキサノン溶液とした。 And cyclohexanone solution of 4,4'-diazide chalcone having a structure of adding 10 wt%. この溶液をSi基板上に1μm厚に塗布した後、N 2気流中、 200℃で1 After application to 1μm thick of this solution onto a Si substrate, N 2 gas stream, 1 200 ° C.
時間プリベークして不溶化した。 It was insoluble in time pre-baked. 次に、加速電圧20k Then, the acceleration voltage 20k
Vの電子線露光装置を用いて露光した。 It was exposed using an electron beam exposure apparatus of V.

【0030】これをシクロヘキサノンで現像した結果、 [0030] As a result of this was developed with cyclohexanone,
72μC/cm 2で 0.9μmのライン・アンド・スペースパターンを解像した。 It was resolved a line-and-space pattern of 0.9μm in 72μC / cm 2.

【0031】 [0031]

【発明の効果】本発明によれば、電離放射線に対し透明性が高く、かつ、十分なエッチング耐性を持つレジストパターンを得ることができ、これにより高い精度をもってサブミクロンパターンを形成することができる。 According to the present invention, a high transparency to ionizing radiation, and sufficient etching resistance can be obtained a resist pattern having, it is possible to form submicron patterns have thereby high accuracy .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 5識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/039 501 H01L 21/027 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (51) Int.Cl. 5 identification symbol Agency Docket No. FI art display portion G03F 7/039 501 H01L 21/027

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 シクロヘキシルマレイミドの重合体または共重合体からなる放射線感光材料。 1. A radiation sensitive material comprising a polymer or copolymer of cyclohexyl maleimide.
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の放射線感光材料からなるレジストを被処理基板上に塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層を放射線により選択的に露光し、次いで現像してレジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 Wherein a resist layer is formed by applying a resist consisting of a radiation sensitive material as claimed in target substrate in claim 1, selectively exposing the resist layer with radiation, and then developing the resist pattern pattern forming method and forming a.
JP5377292A 1992-03-12 1992-03-12 Radiosensitive material and formation of pattern using the same Granted JPH05257285A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5377292A JPH05257285A (en) 1992-03-12 1992-03-12 Radiosensitive material and formation of pattern using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5377292A JPH05257285A (en) 1992-03-12 1992-03-12 Radiosensitive material and formation of pattern using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05257285A true true JPH05257285A (en) 1993-10-08

Family

ID=12952111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5377292A Granted JPH05257285A (en) 1992-03-12 1992-03-12 Radiosensitive material and formation of pattern using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05257285A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372854B1 (en) 1998-06-29 2002-04-16 Mitsui Chemicals, Inc. Hydrogenated ring-opening metathesis polymer and its use and production
US6605408B2 (en) 2000-04-13 2003-08-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6699645B2 (en) 1996-03-07 2004-03-02 Fujitsu Limited Method for the formation of resist patterns
US6878508B2 (en) 2001-07-13 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist patterning process

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699645B2 (en) 1996-03-07 2004-03-02 Fujitsu Limited Method for the formation of resist patterns
US6372854B1 (en) 1998-06-29 2002-04-16 Mitsui Chemicals, Inc. Hydrogenated ring-opening metathesis polymer and its use and production
US6605408B2 (en) 2000-04-13 2003-08-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6878508B2 (en) 2001-07-13 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist patterning process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4272608A (en) Photosensitive compositions containing thermoplastic ionomeric elastomers useful in flexographic printing plates
US5017461A (en) Formation of a negative resist pattern utilize water-soluble polymeric material and photoacid generator
US6737215B2 (en) Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
EP0794458A2 (en) An energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6187506B1 (en) Antireflective coating for photoresist compositions
US5738975A (en) Photosensitive resin and method for patterning by use of the same
US5866304A (en) Photosensitive resin and method for patterning by use of the same
US4061829A (en) Negative resist for X-ray and electron beam lithography and method of using same
US5045431A (en) Dry film, aqueous processable photoresist compositions
US6686429B2 (en) Polymer suitable for photoresist compositions
US4702990A (en) Photosensitive resin composition and process for forming photo-resist pattern using the same
US6072006A (en) Preparation of partially cross-linked polymers and their use in pattern formation
JPH10319595A (en) Resist composition and resist pattern forming method
US4764247A (en) Silicon containing resists
US4507384A (en) Pattern forming material and method for forming pattern therewith
US5529888A (en) Water-soluble film forming composition
US6147177A (en) Polycyclic resist compositions with increased etch resistance
US6887644B1 (en) Polymer compound for a chemical amplification resist and a fabrication process of a semiconductor device using such a chemical amplification resist
US4318976A (en) High gel rigidity, negative electron beam resists
JPH0950126A (en) Resist composition and resist pattern forming method
US5547812A (en) Composition for eliminating microbridging in chemically amplified photoresists comprising a polymer blend of a poly(hydroxystyrene) and a copolymer made of hydroxystyrene and an acrylic monomer
US6110637A (en) Photoresists which are suitable for producing sub-micron size structures
US5728506A (en) Lithographic processes employing radiation sensitive polymers and photosensitive acid generators
US4788127A (en) Photoresist composition comprising an interpolymer of a silicon-containing monomer and an hydroxystyrene
US5194364A (en) Process for formation of resist patterns

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990518