JPH05251743A

JPH05251743A - 発光素子

Info

Publication number: JPH05251743A
Application number: JP8485292A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Hayamizu; 一行速水
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1992-03-06
Filing date: 1992-03-06
Publication date: 1993-09-28

Abstract

(57)【要約】【目的】２波長型の発光素子において、電極の接触抵
抗を小さくし、電流の閉じ込め効果を高くして光出力を
向上させ、さらに製造プロセスを簡単にする。【構成】ｎ−ＧａＡｓ基板１の上にｎ⁺−Ａｌ_0.03Ｇ
ａ_0.97Ａｓ下部発光層２、ｎ⁺−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）
_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ下クラッド層３、ｐ−ＧａＩｎＰ活性層
４、ｐ−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ上クラッ
ド層５、ｎ^-−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ電
流ブロック層６、ｐ⁺−ＧａＡｓキャップ層７を順次成
長させる。キャップ層７の上面から下部発光層２までＺ
ｎを拡散させてｐ型の電流通路領域９を形成する。キャ
ップ層７の上のｐ側電極１０から電流通路領域９に電流
を流すと、活性層４における電流通路領域９の周囲の活
性層発光部１４で可視域の発光が起こり、電流通路領域
９の下部の下部発光層２との界面の下部発光部１３で赤
外域の発光が起こる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は発光素子に関する。具体
的にいうと、１素子で２波長の光を出射する発光ダイオ
ードや半導体レーザ素子等の半導体発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の２波長型の半導体発光素子として
は、活性層を２つ持つものが一般的である。しかしなが
ら、このような構造の半導体発光素子をエンコーダのよ
うに微小発光径を要求されるセンサに応用しようとすれ
ば、その素子の発光領域も微小発光領域化する必要があ
る。

【０００３】図７は絶縁物を用いることによって微小発
光領域化した従来の面発光型の発光素子２０を示す一部
破断した斜視図である。この発光素子２０にあっては、
ｐ−ＧａＡｓ基板２１の上に、ｐ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａ
ｓ下クラッド層２２、ｉ−Ａｌ_0.03Ｇａ_0.97Ａｓ下部活
性層２３、ｉ−Ａｌ_0.33Ｇａ_0.67Ａｓ上部活性層２４、
ｎ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａｓ上クラッド層２５、ｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層２６を順次成長させてあり、キャップ層
２６による光の吸収を防止するためにキャップ層２６の
一部に窓２６ａを開口している。さらに、当該窓２６ａ
及びその周囲を除く領域にＳｉＯ₂絶縁層２７を形成し
てキャップ層２６の内周部分を絶縁層２７から露出さ
せ、絶縁層２７の上にｎ側電極２８を形成し、ｎ側電極
２８に窓２６ａと一致させて開口２８ａをあけると共に
ｎ側電極２８の内周部下面をキャップ層２６の内周部分
上面にオーミック接触させている。また、基板２１の下
面全体にはｐ側電極２９が形成されている。

【０００４】しかして、ｎ側電極２８とｐ側電極２９間
に駆動電圧を印加すると、電子はｎ側電極２８の内周部
分からキャップ層２６の内周部分へ流れ、上部活性層２
４及び下部活性層２３へ注入される。電子の注入により
下部活性層２３で発生した赤外光及び上部活性層２４で
発生した赤色光はキャップ層２６の窓２６ａ及びｎ側電
極２８の開口２８ａから外部へ出射される。

【０００５】また、図８は絶縁層によって電流注入領域
を制限した別な従来の端面出射型の発光素子３０を示す
一部破断した斜視図である。この発光素子３０にあって
は、ｎ−ＧａＡｓ基板３１の上に、ｎ−Ａｌ_0.70Ｇａ
_0.30Ａｓ下クラッド層３２、ｐ−Ａｌ_0.03Ｇａ_0.97Ａｓ
下部活性層３３、Ａｌ_0.33Ｇａ_0.67Ａｓ上部活性層３
４、ｐ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａｓ上クラッド層３５、ｐ−
ＧａＡｓキャップ層３６を順次成長させてあり、さら
に、キャップ層３６の上にＳｉＯ₂絶縁層３７を形成し
て絶縁層３７に開口３８をあけ、絶縁層３７の上にｐ側
電極３９を設け、開口３８を通してｐ側電極３９をキャ
ップ層３６に接合している。また、基板３１の下面全体
にはｎ側電極４０が形成されている。

【０００６】この発光素子３０にあっては、ｐ側電極３
９から電流を注入すると絶縁膜３７の開口３８を通して
上部活性層３４及び下部活性層３３に電流が注入され、
下部活性層３３で発生した赤外光及び上部活性層３４で
発生した赤色光が素子端面から出射される。

【０００７】図７のような発光素子や図８のような発光
素子は、電極とキャップ層とのオーミック接触する領域
を制限することによりキャップ層への電流注入領域を小
さくしている。すなわち、図７に示した発光素子にあっ
ては、ｎ側電極は環状の内周部分でのみキャップ層と接
触しており、それ以外の領域では絶縁層によって絶縁さ
れており、図８に示した発光素子にあっては、ｐ側電極
は絶縁層の開口を通してのみキャップ層と接触してい
る。このため、キャップ層側の電極からの電流注入面積
が小さくなってオーミック電極が取りにくくなり、接触
抵抗が大きくなるという欠点があった。また、キャップ
層上面の絶縁層で電流注入領域を制限しているだけであ
るため、電流の閉じ込め効果が小さく、素子の光出力が
弱くなるという欠点があった。

【０００８】図９はさらに別な従来例の発光素子を示す
一部破断した斜視図であって、メサエッチングにより微
小発光領域化した面発光型の発光素子５０である。この
発光素子５０にあっては、ｐ−ＧａＡｓ基板５１の上に
ｐ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａｓ下クラッド層５２、ｉ−Ａｌ
_0.03Ｇａ_0.97Ａｓ下部活性層５３、ｉ−Ａｌ_0.33Ｇａ
_0.67Ａｓ上部活性層５４、ｎ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａｓ上
クラッド層５５、ｎ−ＧａＡｓキャップ層５６を順次成
長させてあり、キャップ層５６、上クラッド層５５、上
部活性層５４及び下部活性層５３をメサエッチングする
と共に、このメサ形部分６０の外側にポリイミド樹脂等
の絶縁物５７を埋め込み、さらに、キャップ層５６の中
央部に窓５６ａを開口している。また、絶縁物５７及び
キャップ層５６の上にｎ側電極５８を形成すると共にｎ
側電極５８にキャップ層５６の窓５６ａと対向する開口
５８ａをあけ、基板５１の下面全体にｐ側電極５９を形
成している。

【０００９】しかして、ｐ側電極５９とｎ側電極５８間
に駆動電圧を印加すると、下部活性層５３〜キャップ層
５６からなるメサ形部分６０を電流が流れて下部活性層
５３で赤外光が発生すると共に上部活性層５４で赤色光
が発生し、赤外光及び赤色光が窓５６ａ及び開口５８ａ
から出射される。このとき、赤外光及び赤色光はメサ形
部分６０を通って上面から出射されるので、発光領域が
制限され、微小発光領域化されている。

【００１０】また、図１０はさらに別な従来例の発光素
子を示す一部破断した斜視図であって、メサエッチング
により微小発光領域化した端面出射型の発光素子７０で
ある。この発光素子７０にあっては、ｎ−ＧａＡｓ基板
７１の上にｎ−Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30Ａｓ下クラッド層７
２、ｉ−Ａｌ_0.03Ｇａ_0.97Ａｓ下部活性層７３、ｉ−Ａ
ｌ_0.33Ｇａ_0.67Ａｓ上部活性層７４、ｐ−Ａｌ_0.70Ｇａ
_0.30Ａｓ上クラッド層７５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層７
６を順次成長させてあり、キャップ層７６及び上クラッ
ド層７５を２箇所平行にメサエッチングしてエッチング
溝間にメサ形部分７７を形成し、この上面をＳｉＯ₂絶
縁膜７８で覆ってメサ形部分７７の上面で絶縁膜７８に
窓７９を開口している。さらに、絶縁層７８の上にｐ側
電極８０を形成し、窓７９を通してｐ側電極８０をキャ
ップ層７６の上面に接合させ、基板７１の下面全体にｎ
側電極８１を形成している。

【００１１】しかして、ｐ側電極８０とｎ側電極８１間
に電流を流すと、メサ形部分７７を通して上部活性層７
４及び下部活性層７３に電流が注入され、下部活性層７
３で赤外光が発生すると共に上部活性層７４で赤色光が
発生し、赤外光及び赤色光が素子端面から出射される。
このとき、電流はメサ形部分７７を通って上部活性層７
４及び下部活性層７３に注入されるので、上部活性層７
４及び下部活性層７３の発光領域が制限され、微小発光
領域化される。

【００１２】しかしながら、これらのメサ形構造によっ
て微小発光領域化した発光素子にあっては、電極とキャ
ップ層との接触面積は最大でメサ形部分の面積となる。
すなわち、図９の発光素子では電流注入面積が環状をし
たキャップ層に限られ、図１０の発光素子ではＳｉＯ₂
絶縁層の窓領域に限られる。このため、いずれの場合も
素子を微小発光領域化しようとすると、電流注入面積が
小さくなるため、オーミック電極を取りにくくなり、接
触抵抗が大きくなるという欠点があった。また、メサエ
ッチングを行なったり、メサ形部分の周囲にポリイミド
樹脂などの絶縁物を埋め込んだり、表面を絶縁層で覆っ
たりする必要があるため、素子の製造プロセスが複雑に
なるという問題があった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、接触抵抗が小さく、電流の閉じ込め効果が高
く、しかも、製造プロセスが容易な２波長発光素子を提
供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、活
性層の下に下クラッド層を持ち、活性層より上方に少な
くとも１つの逆方向ｐｎ接合による電流ブロック層を持
ち、最上層が電流導通層となり、かつ、不純物拡散によ
って電流ブロック層、活性層及び下クラッド層の一部を
貫いて電流通路領域が形成され、電流通路領域の下部界
面に下部発光部が形成されていることを特徴としてい
る。

【００１５】また、上記電流通路領域は、活性層を貫い
て活性層下方の基板部に到達するように形成し、基板部
に下部発光部を形成してもよい。

【００１６】

【作用】本発明の発光素子にあっては、電流通路領域か
ら活性層に電流（電子）が注入されると、活性層で第１
の波長の光が発生する。また、電流通路領域の下部界面
から当該界面のある層へ電流（電子）が注入されると、
電流通路領域の下部界面のｐｎ接合により第２の波長の
光が発生する。

【００１７】しかも、不純物拡散により形成された電流
通路領域によって電流狭窄構造にしているため、光取り
出し窓を除く最上層の全面に電極を形成することがで
き、しかも、最上層が電流導通層となっているため、広
い面積のオーミック電極を設けることができ、素子の接
触抵抗を小さくすることができる。

【００１８】また、電流ブロック層の一部を不純物導入
によって導電型を反転させて電流狭窄構造としているの
で、平坦な結晶成長基板に不純物拡散を施し、電極を形
成するだけの簡単なプロセスによって製造することがで
きる。

【００１９】さらに、電流ブロック層を貫通する電流通
路領域によって電流注入領域を制限しているので、電流
の閉じ込め効果が高く、光出力が向上する。

【００２０】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例による面発光型
の発光素子Ａを示す一部破断した斜視図、図２（ａ）〜
（ｄ）はその発光素子Ａの製造方法を示す断面図であ
る。この発光素子Ａの構造を製造順序に沿って説明す
る。この発光素子Ａは、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）
成長法またはＭＯＣＶＤ（metal-organic CVD）法等を
用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上にｎ⁺−Ａｌ_0.03Ｇａ
_0.97Ａｓ下部発光層２、ｎ⁺−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）
_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ下クラッド層３、ｐ−ＧａＩｎＰ活性層
４、ｐ−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ上クラッ
ド層５、ｎ^-−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ電
流ブロック層６、ｐ⁺−ＧａＡｓキャップ層７を順次成
長させる〔図２（ａ）〕。これによってｐｎｐｎ構造が
形成される。

【００２１】ついで、キャップ層７の上の発光領域とす
べき領域（例えば、中央部）に塗布性の拡散剤（ＯＣ
Ｄ）を用いて、あるいは石英管内でのＺｎ拡散工程によ
り、所望の発光径で下部発光層２に達するまでＺｎを拡
散させる〔図２（ｂ）〕。これによって電流ブロック層
６の一部がｐ型に反転し、電流通路領域９が形成され
る。電流ブロック層６と上クラッド層５との界面は、逆
バイアスを加えられたときに電流阻止面となり、ｐ型の
電流通路領域９にのみ電流が流れるから電流狭窄構造と
なる。また、ｐ型の電流通路領域９によって下部発光層
２中にｐｎホモ接合が形成されている。

【００２２】つぎに、フォトリソグラフィ工程等によ
り、電流通路領域９上のみに電流通路領域９よりも小さ
な直径（例えば、電流通路領域９の直径が１００μｍで
あれば、８０μｍの直径）でＡＺレジストによるマスク
１５を形成し、キャップ層７の上面全体にｐ側電極１０
を蒸着〔図２（ｃ）〕した後、マスク１５を除去してリ
フトオフ法によりｐ側電極１０に光取り出し窓１１を形
成する。キャップ層７は出射光の吸収層として働くた
め、光取り出し窓１１に対向する領域においてキャップ
層７をエッチングにより除去し、キャップ層７にも光取
り出し窓８を開口する〔図２（ｄ）〕。この結果、ｐ側
電極１０はキャップ層７の上面全体に形成されると共に
光取り出し窓８，１１の周囲で電流通路領域９の上面と
オーミック接触している。最後に、基板１の下面全体に
ｎ側電極１２を形成する〔図１〕。

【００２３】しかして、上記のようにして製造された発
光素子Ａにあっては、活性層４における電流通路領域９
の外周部に活性層発光部１４が形成されており、電流通
路領域９の下部と下部発光層２の間の界面（ｐｎ接合
面）に下部発光部１３が形成されている。したがって、
ｐ側電極１０とｎ側電極１２間に駆動電圧を印加する
と、ｐ側電極１０から電流通路領域９へ電流が流れ、電
流通路領域９を通って電流が電流ブロック層６を通過す
る。この電流の一部は、電流通路領域９の下部から下部
発光層２へ注入され、下部発光部１３で赤外域（本実施
例では、ピーク波長８５０ｎｍ）の発光が起こる。ま
た、下部発光層２及び下クラッド層３のｎ型のキャリア
濃度を高くしているため、活性層４より下のｐ型のキャ
リア濃度が低くなり、この部分の抵抗が高くなり、ＴＪ
Ｓ（transverse junction stripe）レーザのように電流
通路領域９から活性層４へも電流が注入される。この結
果、活性層４内の活性層発光部１４では可視域（本実施
例ではピーク波長６７０ｎｍ）の発光が起こる。下部発
光層２で発生した赤外光と活性層発光部１４で発生した
可視光は、光取り出し窓８，１１から出射される。

【００２４】ここで、ｐ側電極１０は光取り出し窓８，
１１を除いてキャップ層７の全体に設けられており、し
かも、最上層にあるキャップ層７はキャリア濃度の高い
電流導通層となっているので、キャップ層７への電流注
入面積が大きくなり、広いオーミック電極を設け易くな
り、素子の接触抵抗を小さくすることができる。さら
に、この実施例では、キャップ層７としてＡｌを含まな
いＧａＡｓを用いているので、より一層オーミック接触
抵抗を小さくすることができる。

【００２５】また、ｐ側電極１０から供給された電流
は、電流通路領域９を通って活性層４及び下部発光層２
へ注入されるので、電流の閉じ込め効果が高く、光出力
が向上する。さらに、メサ形エッチング等の必要がない
ので、製造プロセスも簡単になる。

【００２６】図３は本発明の第２の実施例による面発光
型の発光素子Ｂを示す一部破断した斜視図である。この
発光素子Ｂにあっては、下部発光層２を設けることなく
基板１の上に下クラッド層３からキャップ層７までを成
長させ、Ｚｎを活性層４及び下クラッド層３を貫通させ
て基板１に達するまで拡散させ、電流通路領域９の下部
を基板１内に到達させてある。

【００２７】しかして、この実施例にあっては、活性層
４における電流通路領域９の外周部に活性層発光部１４
が形成され、電流通路領域９の下部と基板１との間の界
面（ｐｎ接合面）に下部発光部１６が形成されている。
ｐ側電極１０とｎ側電極１２間に駆動電圧を印加する
と、電流通路領域９を流れる電流の一部が活性層４へ注
入され、活性層発光部１４で可視域（本実施例では、ピ
ーク波長６７０ｎｍ）の光が発生する。また、電流通路
領域９を流れる電流の一部は基板１内に注入され、下部
発光部１６で赤外域（本実施例では、ピーク波長８７０
ｎｍ）の光が発生する。

【００２８】図４は本発明の第３の実施例による端面出
射型の発光素子Ｃを示す斜視図、図５（ａ）（ｂ）はこ
の発光素子Ｃの製造方法を説明する断面図である。この
発光素子Ｃの製造工程を説明することにより、その構造
を明らかにする。まず、ＭＢＥ成長法またはＭＯＣＶＤ
法等を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上にｎ⁺−Ａｌ₀
_.03Ｇａ_0.97Ａｓ下部発光層２、ｎ⁺−（Ａｌ_0.70Ｇａ
_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ下クラッド層３、ｐ−ＧａＩｎＰ
活性層４、ｐ−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ_0.50Ｐ上
クラッド層５、ｎ^-−（Ａｌ_0.70Ｇａ_0.30）_0.50Ｉｎ
_0.50Ｐ電流ブロック層６、ｐ⁺−ＧａＡｓキャップ層７
を順次成長させる〔図５（ａ）〕。これによってｐｎｐ
ｎ構造が形成される。

【００２９】つぎに、キャップ層７の上面にマスク１７
を形成し、フォトリソグラフィ工程等によって光出射側
の端面に臨む所定位置においてマスク１７に所定の大き
さの窓１８を開口する。この窓１８を通して塗布性の拡
散剤（ＯＣＤ）を用いて、あるいは石英管内でのＺｎ拡
散工程により、下部発光層２に達するまでＺｎを拡散さ
せる〔図５（ｂ）〕。これによって電流ブロック層６の
一部がｐ型に反転し、電流通路領域９が形成される。電
流ブロック層６と上クラッド層５との界面は、逆バイア
スを加えられたときに電流阻止面となり、ｐ型の電流通
路領域９にのみ電流が流れるから電流狭窄構造となる。
また、ｐ型の電流通路領域９によって下部発光層２中に
ｐｎホモ接合が形成されている。

【００３０】ついで、例えばフッ酸（ＨＦ）等を用いて
マスク１７を除去した後、キャップ層７の上面全体にｐ
側電極１０を形成し、基板１の下面全体にｎ側電極１２
を形成する〔図４〕。

【００３１】しかして、上記のようにして製造された発
光素子Ｃにあっては、活性層４における電流通路領域９
の外周部に活性層発光部１４が形成されており、電流通
路領域９の下部と下部発光層２の間の界面（ｐｎ接合
面）に下部発光部１３が形成されている。したがって、
ｐ側電極１０とｎ側電極１２間に駆動電圧を印加する
と、ｐ側電極１０から電流通路領域９へ電流が流れ、電
流通路領域９を通って電流が電流ブロック層６を通過す
る。この電流の一部は、電流通路領域９の下部から下部
発光層２へ注入され、下部発光部１３で赤外域（本実施
例では、ピーク波長８５０ｎｍ）の発光が起こる。ま
た、下部発光層２と下クラッド層３のｎ型のキャリア濃
度を高くしているため、活性層４より下のｐ型のキャリ
ア濃度が低くなり、この部分の抵抗が高くなり、電流通
路領域９から活性層４へも電流が注入される。この結
果、活性層４内の活性層発光部１４では可視域（本実施
例ではピーク波長６７０ｎｍ）の発光が起こる。下部発
光層２で発生した赤外光と活性層発光部１４で発生した
可視光は、素子の光出射側端面から出射される。

【００３２】この発光素子Ｃにおいても、ｐ側電極１０
はキャップ層７の全体に設けられており、しかも、最上
層にあるキャップ層７はキャリア濃度の高い電流導通層
となっているので、キャップ層７への電流注入面積が大
きくなり、広いオーミック電極を設け易くなり、素子の
接触抵抗を小さくすることができる。さらに、この実施
例では、キャップ層７としてＡｌを含まないＧａＡｓを
用いているので、より一層オーミック接触抵抗を小さく
することができる。

【００３３】また、ｐ側電極１０から供給された電流
は、電流通路領域９を通って活性層４及び下部発光層２
へ注入されるので、電流の閉じ込め効果が高く、光出力
が向上させられる。さらに、メサ形エッチング等の必要
がないので、製造プロセスも簡単になる。

【００３４】図６は本発明の第４の実施例による端面出
射型の発光素子Ｄを示す斜視図である。この発光素子Ｄ
にあっては、下部発光層２を設けることなく基板１の上
に下クラッド層３からキャップ層７までを成長させ、Ｚ
ｎを活性層４及び下クラッド層３を貫通させて基板１に
達するまで拡散させ、電流通路領域９の下部を基板１内
に到達させてある。

【００３５】しかして、この実施例にあっては、活性層
４における電流通路領域９の外周部に活性層発光部１４
が形成され、電流通路領域９の下部と基板１との間の界
面（ｐｎ接合面）に下部発光部１６が形成されている。
ｐ側電極１０とｎ側電極１２間に駆動電圧を印加する
と、電流通路領域９を流れる電流の一部が活性層４へ注
入され、活性層発光部１４で可視域（本実施例では、ピ
ーク波長６７０ｎｍ）の光が発生する。また、電流通路
領域９を流れる電流の一部は基板１内に注入され、下部
発光部１６で赤外域（本実施例では、ピーク波長８７０
ｎｍ）の光が発生する。

【００３６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のでなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で種々設計変
更可能である。例えば、発光ダイオードや半導体レーザ
素子等の発光素子は、ＡｌＧａＩｎＰ系に限定されるも
のでなく、これ以外の材料系のものでも良い。また、ｐ
型もしくはｎ型の導電型は上記実施例と逆になっていて
もよく、その場合には電流通路領域の導電型もｎ型とす
る必要がある。さらに、電流通路領域の形状は任意の形
状であっても差し支えない。

【００３７】また、上記実施例では、活性層の上のｐｎ
接合が２つであるが、最上層を電流導通層とすれば、ｐ
ｎ接合はいくつであってもよい。また、端面出射型の場
合には、活性層発光部で赤外域の光を発生させ、下部発
光部で可視域の光を発生させることもできる。

【００３８】

【発明の効果】本発明の発光素子によれば、活性層と電
流通路領域の下部界面のある層とにおいてそれぞれ２つ
の異なる波長の光を発生させることができる。しかも、
光取り出し窓を除く最上層の全面に電極を形成すること
ができ、しかも、最上層が電流導通層となっているの
で、広い面積のオーミック電極を設けることができ、素
子の接触抵抗を小さくできる。

【００３９】また、平坦な結晶成長基板に不純物拡散を
施し、電極を形成するだけで製造することができるの
で、簡単なプロセスにより製造することができる。

【００４０】さらに、電流ブロック層を貫通する電流通
路領域によって電流注入領域を制限しているので、電流
の閉じ込め効果が高く、光出力が向上するという利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による２波長型発光素子
を示す一部破断した斜視図である。

【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は同上の発光素子の
製造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の第２の実施例による２波長型発光ダイ
オードを示す一部破断した斜視図である。

【図４】本発明の第３の実施例による２波長型発光ダイ
オードを示す斜視図である。

【図５】（ａ）（ｂ）は同上の発光素子の製造方法を示
す断面図である。

【図６】本発明の第４の実施例による２波長型発光ダイ
オードを示す斜視図である。

【図７】従来例による面発光型の２波長発光ダイオード
を示す一部破断した斜視図である。

【図８】別な従来例による端面出射型の２波長発光ダイ
オードを示す一部破断した斜視図である。

【図９】さらに別な従来例による面発光型の２波長発光
ダイオードを示す一部破断した斜視図である。

【図１０】さらに別な従来例による端面出射型の２波長
発光ダイオードを示す一部破断した斜視図である。

【符号の説明】

１基板２下部発光層３下クラッド層４活性層６電流ブロック層７キャップ層９電流通路領域１３下部発光部１４活性層発光部１６下部発光部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】活性層の下に下クラッド層を持ち、活性
層より上方に少なくとも１つの逆方向ｐｎ接合による電
流ブロック層を持ち、最上層が電流導通層となり、か
つ、不純物拡散によって電流ブロック層、活性層及び下
クラッド層の一部を貫いて電流通路領域が形成され、電
流通路領域の下部界面に下部発光部が形成されているこ
とを特徴とする発光素子。
【請求項２】前記電流通路領域が活性層を貫いて活性
層下方の基板部に到達するように形成され、基板部に下
部発光部が形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の発光素子。