JPH05230673A - Dry etching apparatus - Google Patents

Dry etching apparatus

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JPH05230673A
JPH05230673A JP7278892A JP7278892A JPH05230673A JP H05230673 A JPH05230673 A JP H05230673A JP 7278892 A JP7278892 A JP 7278892A JP 7278892 A JP7278892 A JP 7278892A JP H05230673 A JPH05230673 A JP H05230673A
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JP
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Patent type
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substrate
carrier
etching
base body
etching treatment
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Pending
Application number
JP7278892A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Hayashi
厚 林
Original Assignee
Ulvac Seimaku Kk
アルバック成膜株式会社
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Abstract

PURPOSE:To obviate the generation of various defects, such as staining of a base body, during an etching treatment and transportation before and after the etching treatment and to improve the uniformity of the etching depth of the base body in the etching treatment. CONSTITUTION:The base body 1 to be etched of the dry etching device is mounted in a recess provided atop 2a a carrier 2 having a flat shape in such a manner that the front surface 1a of the base body 1 does not project by a prescribed value or above from the front surface 2a of the carrier 2. The base body is transported as it is by a transporting means on a high-frequency electrode 10 in an etching treatment chamber 40A and is subjected to the etching treatment. The base body 1 is again held mounted on the carrier 2 and transferred in this state by the transporting means from the etching treatment chamber 40 after the end of the etching treatment.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明はエッチング処理すべき基体の搬送を伴うドライエッチング装置に関する。 The present invention relates to a dry etching apparatus with the transport of the substrate to be etched.

【0002】 [0002]

【従来の技術及びその問題点】従来のドライエッチング装置は、図11にその全体が示されているように、大別するとエッチング処理室40、ローディング室41及びアンローディング室42からなる。 BACKGROUND OF THE INVENTION Conventional dry etching apparatus, as a whole thereof is shown in FIG. 11, when roughly classified etching chamber 40, consisting of the loading chamber 41 and the unloading chamber 42. 又エッチングすべき基体35はフォトマスク用ガラス基板等である。 The substrate 35 to be etched is a glass substrate or the like for a photomask. エッチング処理室40は真空容器12によってその外壁の大部分が形成され、その内部40Aには下方に、基体35が設置される支持台である高周波電極10が配設され、上方に対向電極13がエッチング用ガスを導入する管32 Etching chamber 40 by the vacuum chamber 12 the majority of the outer walls are formed, downwardly therein 40A, a high-frequency electrode 10 is arranged a supporting table body 35 is installed, the counter electrode 13 upward tube 32 for introducing the etching gas
によって真空容器12の上壁部に固定されて配設されている。 Is fixed to the upper wall of the vacuum vessel 12 is disposed by. 高周波電極10にはカップリング・コンデンサ2 Coupling capacitors 2 to the high-frequency electrode 10
0を介して高周波電源21が接続されており、これにより高周波電極10にはエッチング処理するための電圧が印加される。 Through 0 it is connected to a high frequency power source 21, thereby the voltage to the high-frequency electrode 10 to the etching process is applied. 又この高周波電極10の中央上面には、円形の凹部及びエッチング処理室40の外部へと貫通する穴が形成されており、ここに基体35の受け渡し機構であるホイスト9が上下動可能なように嵌合している。 Also in the middle upper surface of the high-frequency electrode 10 is formed with holes through to the outside of the circular recess and etching chamber 40, as herein hoist 9 is a delivering mechanism of the base 35 is vertically movable It is fitted. なお、このホイスト9の下部には、高周波電極10との間にシールリング14が装着されており、これによりエッチング処理室40が外部からシールされるようになっている。 Note that the lower portion of the hoist 9, the seal ring 14 is mounted between the high-frequency electrode 10, thereby so that the etching chamber 40 is sealed from the outside. 又高周波電極10は絶縁体11を介して、真空容器12とその下面において外壁の一部を構成するように一体化されている。 The high-frequency electrode 10 through the insulator 11 are integrated to constitute a part of the outer wall and the vacuum chamber 12 at its lower surface. 一方対向電極13には多数の小孔が形成され、真空容器12の外方へと延びる管32の一端にはガス導入口31が形成されている。 On the other hand a large number of small holes are formed in the counter electrode 13, to one end of the tube 32 extending outwardly of the vacuum container 12 is formed a gas inlet port 31. 真空容器12の側壁部には基体35を搬入、搬出するための基体搬入口16及び基体搬出口17が形成され、ゲート18、19 The side wall portion of the vacuum container 12 carrying the substrate 35, the substrate carry-in port 16 and the substrate carry-out port 17 for unloading are formed, the gate 18 and 19
によってそれぞれ開閉される。 It is opened and closed respectively by. 又この真空容器12にはエッチング処理室内40Aの気体を排気するための排気口15が形成されるが、エッチング処理中はゲート1 Also although the exhaust port 15 for exhausting the gas in the etching chamber 40A to the vacuum chamber 12 is formed, during the etching process is gate 1
8、19が閉成されることにより気密が保たれるようになっている。 8 and 19 so that the airtight can be maintained by is closed.

【0003】ローディング室41とアンローディング室42は共に同じ構造を有し、基体35を収容するカセット22、24及び基体35を搬送するための搬送手段である搬送系23、25からなる。 [0003] loading chamber 41 and the unloading chamber 42 has both the same structure, consisting of the transport system 23, 25 is a conveying means for conveying the cassettes 22, 24 and the base 35 to accommodate the substrate 35.

【0004】従来のドライエッチング装置は以上のように構成されるが、次にこの作用について説明する。 [0004] Conventional dry etching apparatus configured as described above, will be described the actions.

【0005】まず、ローディング室41のカセット22 [0005] First, the cassette 22 of the loading chamber 41
に収容される1枚の基体35が受け渡し部26で図示しない受け渡し機構により搬送系23上に載せられる。 One substrate 35 is housed is placed on the conveyor system 23 by the transfer mechanism (not shown) by the transfer unit 26. すなわち図12〜図14にその詳細が示されるように、搬送ベルト7と共に移動するボート8の上に載せられる。 That is, as its details are shown in FIGS. 12 to 14, is placed on the boat 8 to be moved together with the conveying belt 7.
このベルト7は図示しない駆動装置により、駆動され、 The belt 7 by the driving device (not shown) being driven,
ボート8上の基体35を次の受け渡し部27(図11参照)に対して搬送させるのであるが、この過程において基体35は直接ボート8の上に置かれているので接触部33によって常にボート8の上面と接触している。 The substrate 35 on the boat 8 next delivery section 27 but of letting conveyed against (see FIG. 11), always boat 8 by the contact portion 33 so base 35 is placed directly on the boat 8 in this process in contact with the upper surface. 基体35が搬送ベルト7の端部すなわち受け渡し部27の付近にさしかかると、受け渡し機構である受け渡しアーム6が搬送ベルト7とボート8の間に図12に示すようにさしのべられて、図13の矢印に示すように基体35を接触部34で当接することにより、すくい上げられるように持ち上げる。 When the substrate 35 approaches the vicinity of the end or delivery section 27 of the conveyor belt 7, a helping are as shown in FIG. 12 between the delivery arm 6 is transfer mechanism of the conveyor belt 7 and the boat 8, arrows in FIG. 13 by contacting the substrate 35 with the contact portion 34 as shown in, it lifted to be scooped up. この後基体35はこの受け渡しアーム6によって、今開成している真空容器12の基体搬入口16を通ってエッチング処理室内40Aのホイスト9の上方(図11の受け渡し部28)に搬送される。 By After the substrate 35 is the delivery arm 6 this is conveyed through the substrate carry-in port 16 of the vacuum vessel 12, which now is open above the hoist 9 of etching chamber 40A (transfer section 28 in FIG. 11). この行程においても上述したように基体35の裏面と受け渡しアーム6とは接触部34によって常に接触した状態で行われる。 This is the back and the delivery arm 6 of the base body 35 as described above also in the process carried out in a state of constant contact with the contact portion 34. そして今、受け渡しアーム6上にある基体35 And now, the substrate 35, which is on the transfer arm 6
は直下のホイスト9が図16に示す矢印のように上昇し、基体35の裏面と当接して、更に上昇することにより、受け渡しアーム6から持ち上げられ、離脱される。 The hoist 9 immediately below rises as indicated by arrows in FIG. 16, in contact with the back surface of the substrate 35, by further rises, lifted from the transfer arm 6, it is detached.
そして受け渡しアーム6が後退(図15において上方に移動)し、ホイスト9が下降することにより、基体35 And by transfer arm 6 is retracted (moved upward in FIG. 15), the hoist 9 is lowered, the substrate 35
は図16に一点鎖線で示す位置、すなわち高周波電極1 Position indicated by the chain line in FIG. 16, namely the high-frequency electrode 1
0の上に設置された状態になる(図17参照)。 0 becomes the installed state on (see FIG. 17). なお、 It should be noted that,
図17に示されているように、この状態でも基体35の裏面はホイスト9の上面と、更には高周波電極10と接触している。 As shown in Figure 17, the top surface of the hoist 9 is the back surface of the substrate 35 in this state, even in contact with the high-frequency electrode 10. 一方、受け渡しアーム6は、今開成している基体搬入口16を通り、エッチング処理室40の外に移動し、この後、ゲート18によって基体搬入口16は閉成される。 On the other hand, the transfer arm 6 through the base entrance 16, which now is opened, moved out of the etching chamber 40, thereafter, the substrate carry-in port 16 by the gate 18 is closed. なお、これにより、今基体搬出口17はゲート19によって閉成されているので、エッチング処理室40は外部から完全に密閉されることになる。 Incidentally, thereby, is now a substrate carry-out port 17 because it is closed by the gate 19, the etching chamber 40 will be completely sealed from the outside.

【0006】この状態でエッチング処理が開始されるのであるが、まず、エッチング処理室内40Aの気体が図示しない排気系により排気口15から排気され、エッチング処理室内40Aの気圧は所定値以下の圧力(例えば0.01Torr以下)になる。 [0006] although the etching process in this state is started, is exhausted from the exhaust port 15 by the exhaust system gas etching chamber 40A is not shown, the pressure in the etching chamber 40A predetermined value or less pressure ( for example, to 0.01Torr below). 次にガス導入口31から導入されたエッチング用ガスが対向電極13の小孔から吐出されるのであるが、この時も導入した量と同じ量だけ、このエッチング用ガスを排気口15から排気するようにしているのでエッチング処理室内40Aの気圧は上述の所定値のまま保たれる。 Then the gas for etching is introduced from the gas inlet port 31 is the discharged from the small hole of the counter electrode 13 by the same amount as the amount that introduced this time, evacuating the etching gas from the exhaust port 15 since the way the pressure of the etching chamber 40A is maintained while the predetermined value described above. そして高周波電極10には高周波電源21の所定の電力(例えば13.5MHz And the high-frequency electrode 10 a predetermined electric power of the high frequency power source 21 (e.g. 13.5MHz
で100〜400W)によって電圧がかけられ、これにより高周波は電極10と対向電極13との間に放電プラズマが発生し、励起されて活性化したエッチング用ガス、すなわちエッチング種が、今高周波電極10の上に直接設置されている基体35の表面あるいはその表面に形成されている膜をエッチング処理する。 In 100 to 400 W) a voltage is applied by which the high frequency discharge plasma is generated between the electrode 10 and the counter electrode 13, excited by the activated etching gas, i.e. an etching species, now high-frequency electrode 10 film is etched, which is formed directly installed to have the substrate 35 surface or the surface of the top of the.

【0007】基体35のエッチング処理は以上のように行われるのであるが、所定時間が経過し、エッチング処理が終了するとエッチング処理室内40Aにはガス導入口31から空気あるいはN 2ガスが導入され、エッチング処理室内40Aは大気圧と等しくなる。 [0007] although the etching treatment of the substrate 35 is performed as described above, the predetermined time has elapsed, the the etching process is completed etching chamber 40A is introduced air or N 2 gas from the gas inlet 31, etching chamber 40A is equal to the atmospheric pressure. そして基地搬出口17がゲート19により開かれ、図示しない受け渡しアームによってこの処理済の基体35は、この基体搬出口17を通ってエッチング処理室40の外に搬出され、この後更に各搬送手段によって受け渡し部29、搬送系25、受け渡し部30を経て、カセット24に収容される。 Then, the base-out port 17 is opened by the gate 19, the substrate 35 of the processed by the transfer arm, not shown, through the substrate carry-out port 17 is unloaded out of the etching chamber 40, by further thereafter each conveying means transfer unit 29, the transport system 25, through the transfer portion 30, it is accommodated in the cassette 24. なお、これらの搬送行程はエッチング処理前のカセット22、受け渡し部26、搬送系23、受け渡し部27及び28での搬送行程と各搬送手段の動作は逆であるが、同様に行われる。 Note that these transport stroke etching pretreatment cassette 22, transfer unit 26, the transport system 23, although the operation of the transfer stroke and the conveying means in the delivery unit 27 and 28 are opposite, it is similarly performed. 又処理済の基体35と各搬送手段とは、上述したエッチング処理前の搬送行程と同様に接触して行われる。 Also the substrate 35 of the processed and each transfer means is carried out in contact as with conveying stroke before the above-mentioned etching process.

【0008】以上は1枚目の基体35のエッチング処理及びその処理前後の搬送の工程についてであったが、ローディング室41のカセット22に複数の基体35を収容すれば、2枚目以後の基体35も1枚目と同様の工程を反復することにより、自動でおこなわれる。 [0008] The above is was the first sheet of substrates 35 steps of the etching process and the process before and after the transport of, if receiving a plurality of substrates 35 in the cassette 22 of the loading chamber 41, the second sheet after the substrate 35 also by repeating the same steps as the first sheet, is carried out automatically.

【0009】また、ローディング室41とアンローディング室42をそれぞれ真空排気できるようにして基体3 Further, the substrate 3 and the loading chamber 41 and the unloading chamber 42 to allow each evacuation
5の搬送時にエッチング処理室40を大気圧にしなくともゲート18、19を開けられるようにした装置も知られている。 Even when 5 transport rather the etching chamber 40 to the atmospheric pressure is also known apparatus that opened the gates 18 and 19.

【0010】以上述べたように従来のドライエッチング装置では、エッチング処理すべき基体35がエッチング処理及びその処理前後の基体搬送において、高周波電極10、ホイスト9、受け渡しアーム6等と、直接接触するので、この接触による基体35の裏面の汚れ、ごみ、 [0010] In conventional dry etching apparatus as mentioned above, the base member 35 to be etched is etched and before and after the treatment of the substrate transport, the high-frequency electrode 10, hoists 9, and the like transfer arm 6, since direct contact , backside contamination of the substrate 35 by this contact, dust,
傷、欠けその他の諸欠陥の発生を免れなかった。 Scratch, did not escape the occurrence of chipping other various defects. これは特にエッチングすべき基体35がガラス基板フォトマスクの場合、極力少なくする必要がある。 This is especially when the substrate 35 to be etched of the glass substrate photomask, it is necessary to minimize.

【0011】又、エッチング処理すべき基体のサイズが変わった場合には、基体自体を直接搬送するので、基体の搬送を自動で行うことが困難になるという問題もあった。 [0011] Further, when the size of the substrate to be etched is changed, they carry the substrate itself directly, there is a problem that it is difficult to perform the conveyance of the substrate automatically.

【0012】更に基体35のエッチング処理においては、エッチング処理中に高周波電極10によって基体3 Furthermore in the etching treatment of the substrate 35, the substrate 3 by the high frequency electrode 10 during the etching process
5にかかる電場が不均一になるため、基体35中央部と周辺部とでエッチング速度が異なり、よってエッチング深さの不均一性が発生するという問題もあった。 Since the electric field according to the 5 becomes uneven, unlike the etching rate between the base 35 center and periphery, thus non-uniformity of the etch depth is a problem that occurs.

【0013】これらの問題のうち前者の問題に対し、基体をキャリアに搭載してエッチング処理室まで搬送し、 [0013] For the former problem of these problems, by mounting the substrate to the carrier and conveyed to the etching chamber,
そのままエッチング処理を行うことが公知となっている。 Performing the etching process has become known as.

【0014】 [0014]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、エッチング処理すべき基体のエッチング処理及びエッチング処理前後の搬送で基体の汚れ、傷等の諸欠陥の発生をなくし、又基体のサイズが変わっても基体の搬送の自動制御を容易に行うことができるとしながらも、かつ基体のエッチング深さの均一性を一段と向上させることを目的としている。 [0008] The present invention has been made in view of the above problems, without contamination of the substrate by etching and etching before and after transportation of the substrate to be etched, the occurrence of various defects such as scratches, and it is intended to be varied the size of the substrate while the it is possible to easily perform automatic control of conveyance of the substrate, and further improve the uniformity of the etching depth of the substrate.

【0015】 [0015]

【問題点を解決するための手段】以上の目的はエッチング処理室と、該エッチング処理室内に配設され、電圧を印加される支持台と、エッチングすべき基体をキャリアに搭載させて外部から該支持台に搬送し、かつ該支持台から処理済の基体を前記キャリアに搭載させたまま外部に搬出するための搬送手段とから成り、該基体を該キャリアに搭載させたままエッチング処理するようにしたドライエッチング装置において、前記キャリアは偏平な形状で凹所を設けており、該凹所に前記基体を搭載させると、前記基体の上面は前記キャリアの上面から所定値以上突出しないことを特徴とするドライエッチング装置によって達成される。 Means for Solving the Problems] The above object and etching chamber, is disposed in the etching chamber, a support base which is applied a voltage, said a substrate to be etched from the outside so mounted on the carrier transported to the support, and become a substrate processed from the support base and a conveying means for conveying to the outside while keeping mounted on the carrier, the base body so as to etching while keeping mounted on the carrier in the dry etching apparatus, the carrier is provided with a recess in a flat shape, when mounted to the substrate in the recess, the upper surface of said substrate and characterized in that it does not protrude more than a predetermined value from an upper surface of the carrier It is achieved by a dry etching apparatus.

【0016】 [0016]

【作用】エッチング処理すべき基体をキャリアに搭載させてエッチング処理室の支持台まで搬送し、基体をキャリアに搭載したままエッチング処理を行い、エッチング処理後も基体をキャリアに搭載したまま、エッチング処理室から搬出する。 [Action] with the substrate to be etched is mounted on a carrier and conveyed to the support base of the etching chamber performs equipped with left etching treatment of the substrate to the carrier, while mounted after the etching process also base on the carrier, the etching process It is unloaded from the chamber. これによりエッチング処理及びエッチング処理前後の搬送において、基体は支持台や搬送手段と直接接触することがない。 Thus, in the etching process and the etching process before and after the transport, the substrate does not contact directly with the support table and the conveying means. 又基体の寸法が変わっても、基体を搭載するキャリアの外形寸法を一定にすることにより、基体の搬送手段やその作動工程を変更する必要がない。 Also they change the dimensions of the substrate, by a constant outer dimensions of the carrier for mounting the substrate, there is no need to change the conveying means and the operation steps of the substrate.

【0017】又、キャリアは偏平な形状でその上面に基体を搭載する凹所を設けてあり、かつこの凹所に基体を収容させたときに基体の上面がキャリア上面から所定値以上突出しないようになっているので、このキャリアに基体を搭載したままエッチング処理室内の支持台の上でエッチング処理すると、この支持台によって基体にかかる電場が乱れることなく、均一になる。 [0017] Further, the carrier is provided with a recess for mounting the substrate on the upper surface in the flat shape, and so that the upper surface of the base does not protrude from the carrier top above a predetermined value when brought into containing the substrate to the recess since going on, when an etching treatment on a support base while etching chamber equipped with a substrate to the carrier, without the disturbed electric field according to the substrate by the supporting base, becomes uniform.

【0018】 [0018]

【実施例】以下、本発明の第1実施例によるドライエッチング装置について、図面を参照して説明する。 EXAMPLES Hereinafter, the dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. なお、 It should be noted that,
従来例と同一の構成の部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。 The same reference numerals are given to parts of the conventional example same structure, detailed description thereof will be omitted.

【0019】図1及び図2に示すように、本発明の基体1はキャリア2の上面2aに形成された凹所に収容される(これを基体つきキャリア5とする)。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 1 of the present invention (to do this the substrate with the carrier 5) is accommodated in a recess formed on the upper surface 2a of the carrier 2. ここで基体1 Here, the substrate 1
は外形寸法、厚さtが2.3mm、縦及び横の長さCが127mmの合成石英基板にCr膜を厚さ1000Åでスパッタ成膜したフォトマスクブランクスの上にフォトレジストパターンを形成したものである。 Those external dimensions, the thickness t is 2.3 mm, the vertical and horizontal lengths C is to form a photoresist pattern on the photomask blank formed by sputtering in a thickness of 1000Å a Cr film on a synthetic quartz substrate of 127mm is it is. 又、キャリア2はステンレス製で外形寸法、厚さTが6.35mm、 Moreover, outer dimensions of the carrier 2 is made of stainless steel, the thickness T 6.35 mm,
縦及び横の長さAが178mmである。 Vertical and horizontal length A is 178 mm. 凹所は深さが3.3mmで縦及び横の長さBが128mmであり、左右一対の段部2bを有し、ここに基体1の両端部が当接して収容されるようになっている。 Recesses are vertical and horizontal length B is 128mm is at 3.3mm depth, has a pair of right and left step portions 2b, here so both ends of the base body 1 is accommodated in contact there. この段部2bにより図2に示すように基体1がキャリア2の凹所に収容されたときに基体1の裏面と凹所の底面との間にギャップ Gap between the bottom surface of the back surface and the recess of the base body 1 when the substrate 1 as shown in FIG. 2 housed in the recess of the carrier 2 by the stepped portion 2b 4
が生じるようになっている。 It is adapted to occur. 又この収容された状態での基体1の側面と凹所との間には若干の隙間4a (約1m The slight gap 4a between the base body 1 side and the recess in the state that the stowed (about 1m
m程度)ができるようになっている。 About m) so that the can. 従って、基体1とキャリア2とは主に接触部3で接触していることになるが、これは図1に示すように線接触的なものにすぎない。 Thus, although will be in contact with the main contact portion 3 and the substrate 1 and the carrier 2, which is only line contact ones as shown in FIG.

【0020】更にキャリア2の凹所の段部2bまでの深さ、すなわち凹所のギャップを除く基体1を収容し得る深さは基体1を搭載した時、その上面1aがキャリア2の上面2aから所定値(2mm)以上出ないように形成されている。 Furthermore stepped portion to 2b depth of the recess of the carrier 2, i.e. when the depth that can accommodate the substrate 1 except for the gap 104 of the recess provided with the substrate 1, the upper surface thereof the upper surface 1a of carrier 2 It is formed so as not to predetermined value (2 mm) or more from 2a.

【0021】本発明の第1実施例のドライエッチング装置の基体1は、上述のようにキャリア2に搭載されるのであるが、これらは、一体で基体付きキャリア5としてエッチング処理及びその処理前後の搬送をされる。 The substrate 1 of a dry etching apparatus of the first embodiment of the present invention, although being mounted to the carrier 2 as described above, they are before and after the etching treatment and the process as a substrate with a carrier 5 integrally It is the transport.

【0022】なお、本発明の第1実施例においては、従来例の基体35の代わりに基体つきキャリア5を用いる点以外の搬送手段やエッチング処理室40の構造等及びこれらによるエッチング処理及びその処理前後の搬送の工程(これを総じてエッチングプロセスとする)は、従来例のエッチングプロセスとまったく同じである(図1 [0022] In the first embodiment of the present invention, conventional etching process and the process structure and the like of the conveying means and the etching chamber 40 except that it uses a substrate with the carrier 5 and by these in place of the base 35 of step before and after the transport (referred to as general etching process) is exactly the same as the conventional example of an etching process (FIG. 1
1参照)。 Reference 1). 次にこの作用について説明する。 Next, a description will be given of this action.

【0023】図3は従来例と同様にローディング室41 FIG. 3 is similar to the prior art loading chamber 41
内に設けられた搬送手段である搬送系23(図11参照)の詳細を示す平面図であるが、従来例とは異なり、 A conveying means provided within the transport system 23 is a plan view showing the details of the (see FIG. 11), unlike the conventional example,
搬送ベルト7のボート8上には基体つきキャリア5が載置されている。 On the boat 8 of the conveyor belt 7 is placed is the substrate with the carrier 5. これにより図4及び図5でその断面が示されていることからわかるように、基体1はボート8とは直接接触することなく搬送されることになる。 Thus as can be seen from the fact that the cross-section shown in FIG. 4 and FIG. 5, the substrate 1 will be conveyed without direct contact with the boat 8. この基体つきキャリア5は次の受け渡し部27付近で、このボート8により搬送されると従来例と同様に受け渡し機構である受け渡しアーム6によりすくい上げられ、ボート8から離脱されるのであるが、この時にも勿論図4から明らかなように基体1と受け渡しアーム6とは接触することはない。 The substrate with the carrier 5 in the vicinity of the next transfer unit 27, is picked up by the transfer arm 6 is likewise delivering mechanism in the conventional example is conveyed by the boat 8, although being detached from the boat 8, when the not contact the course of 4 and the substrate 1 as apparent and the transfer arm 6. なお、図4及び図5において図示されてはいないが、基体1とキャリア2との間にはギャップ及び間隙4aがあるものとし、以下図7においても同様とする。 Incidentally, although not shown in FIGS. 4 and 5, between the substrate 1 and the carrier 2 shall have the gap 104 and gap 4a, also the same in FIG. 7 below.

【0024】次に基体つきキャリア5は受け渡しアーム6により従来例と同様にエッチング処理室内40Aの受け渡し部28まで搬送され、他の受け渡し機構であるホイスト9上へと受け渡されるのであるが、このときも図7から明らかなようにホイスト9と基体1とは直接接触することはない。 [0024] Then the substrate with the carrier 5 is conveyed by the transfer arm 6 to the delivery unit 28 of the conventional example as well as etching chamber 40A, but of being passed to the upper hoist 9 is another delivery mechanism, this not be in direct contact also with hoist 9 and the substrate 1 as apparent from FIG time. 更にホイスト9が下降することにより基体付きキャリア5は図8に示すように支持台である高周波電極10上に設置され、この状態、すなわち基体1 Furthermore the substrate with a carrier 5 by the hoist 9 is lowered placed on the high-frequency electrode 10 as a supporting base, as shown in FIG. 8, the state, i.e. the substrate 1
をキャリア2に搭載したままの状態でエッチング処理が開始される。 Etching process is started in a state that remains mounted on the carrier 2. なお、本実施例のエッチング処理の工程は上述したように従来例と同様であるが、その処理条件は下記の通りである。 The step of the etching process of this embodiment is similar to the conventional example as described above, the processing conditions are as follows.

【0025】導入ガス種:CF 4 、ガス流量:100S [0025] The introduction of gas species: CF 4, gas flow rate: 100S
CCM、作動圧力:0.1Torr、電極間距離:60 CCM, working pressure: 0.1 Torr, distance between electrodes: 60
mm、投入RF電力:200W、エッチング時間:15 mm, RF power: 200 W, etching time: 15
分。 Minute.

【0026】又エッチング処理中、キャリア2もプラズマにさらされることになるが、これはエッチングあるいは損傷を受けない材質で作ってあるので、エッチング処理によるダメージは回避される。 [0026] Also during the etching process, but would also carrier 2 is exposed to the plasma, since this is are made from material that does not undergo etching or damage, damage due to the etching process are avoided.

【0027】エッチング処理が終了すると、基体つきキャリア5は従来例と同様に図示しない受け渡しアームによってエッチング処理室40の外に搬出され、以後、各搬送手段により受け渡し部29、搬送系25及び受け渡し部30を経てカセット24に収容される。 [0027] etching process is completed, the substrate with the carrier 5 is carried out of the transfer arm (not shown) as in the conventional example outside the etching chamber 40, thereafter, the delivery unit 29 by the transport means, the transport system 25 and delivery unit It is accommodated in the cassette 24 through 30. なお、以後同一条件において自動で計8枚の基体つきキャリア5についてエッチング処理を行うものとする。 Note that the substrate with the carrier 5 of a total of eight automatically and performs the etching process in the subsequent same conditions.

【0028】以上述べたように本発明の第1実施例によるドライエッチング装置では、上記の公知技術と同様に基体1をキャリア2に搭載したまま、エッチング処理及びその処理前後の搬送を行うので、基体1は高周波電極10や搬送系、受け渡し機構等の搬送手段と全く接触することがない。 [0028] In the dry etching apparatus according to the first embodiment of the present invention as mentioned above, while the prior art as well as the substrate 1 described above is mounted on the carrier 2, since the etching process and the process before and after the conveyance, substrate 1 high-frequency electrode 10 and the transfer system, it is not possible to entirely contact with the conveying means such as a delivery mechanism. 従って、エッチング処理及びその処理前後の基体搬送における基体1の汚れ、ごみ、傷、欠け等の諸欠陥の発生を著しく少なくすることができるのであるが、これとともに本発明の第1実施例では上述したように、基体1をキャリア2に搭載させたとき、基体1の上面1aがキャリア2の上面2aから2mm以上突出しないようになっているので、エッチング処理において高周波電極10により基体1にかかる電場が均一になり、 Therefore, the above description in the first embodiment of the etching process and the fouling of the base body 1 in the substrate conveying of the before and after processing, dust, scratches, but it is possible to significantly reduce the occurrence of various defects chipping, the present invention with this as was, when was mounted substrate 1 on the carrier 2, the upper surface 1a of the base 1 is prevented from protruding from the upper surface 2a of the carrier 2 2 mm or more, the electric field applied to the substrate 1 by the high-frequency electrode 10 in the etching process becomes uniform,
エッチング深さの面内分布を良くすることができる。 It is possible to improve the in-plane distribution of etching depth. すなわち、基体1の上面1aがキャリア2の上面2aより0.3〜0.64mmでるようにしたときのエッチング深さの面内不均一性は±3%であるが、基体1の上面1 In other words, the etching depth plane non-uniformity of when the upper surface 1a is so out 0.3~0.64mm the upper surface 2a of the carrier 2 of the base 1 is ± 3%, the upper surface of the base body 1 1
aがキャリア2の上面2aから2mm以上突出すると、 When a is protruded from the upper surface 2a of the carrier 2 2 mm or more,
エッチング深さの面内分布の不均一性は±7%より大きくなる。 Non-uniformity of in-plane distribution of etching depth is greater than ± 7%. これは、従来例の±8%に近い値である。 This is close to the ± 8% of the conventional example.

【0029】次に本発明の第2実施例について図9及び図10を参照して説明する。 [0029] Next, a second embodiment of the present invention with reference to FIGS. 9 and 10 will be described. なお、従来例及び第1実施例に対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。 Incidentally, the same reference numerals are given to portions corresponding to the conventional example and the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

【0030】第2実施例においては第1実施例の基体1 [0030] In a second embodiment the substrate of the first embodiment 1
と異なり、エッチング処理すべき基体として外形寸法の厚さt'が1.5mm、縦及び横の長さEが102mm Unlike, the thickness t 'is 1.5mm in outer dimensions as a substrate to be etched, the vertical and horizontal lengths E 102 mm
の青板基板にCr膜を厚さ1000Åでスパッタ成膜したフォトマスクブランクスの上にフォトレジストパターンを形成したものも使用する。 Also used as forming a photoresist pattern on a photomask blank formed by sputtering in a thickness of 1000Å a Cr film on the soda-lime substrate. すなわち、このエッチング処理すべき基体51は図9及び図10に示されているように第1実施例の基体1(図1及び図2参照)とはサイズが異なる(すなわちE<Cでt'<tである)。 That is, the base body 51 to be the etching process has size different from the substrate 1 of the first embodiment as shown in FIGS. 9 and 10 (see FIGS. 1 and 2) (i.e. E <t at C ' <is t).

【0031】又、本実施例においても、この基体51 [0031] Also in this embodiment, the base body 51
を、やはりその上面52aに凹所を有するキャリア52 The carrier 52 also has a recess in its upper surface 52a
に搭載し(これを基体つきキャリア55とする)、一体としてエッチング処理及びその前後の搬送を行うのであるが、このキャリア52は第1実施例でのキャリア2とは外形寸法が同一で(ともに厚さがT、縦及び横の長さがAである。)、その上面52aに基体51を収容するために形成される凹所の寸法が異なるものである。 It mounted on (referred to as substrate with carrier 55), although the etching is performed and before and after the transport integrally, the carrier 52 is identical external dimensions with the carrier 2 in the first embodiment (both thickness T, vertical and horizontal length is a.), the dimensions of the recess being formed to accommodate the base 51 on the upper surface 52a are different. すなわち、凹所の寸法は深さが2.5mmで、底の縦及び横の長さが103mmである。 That is, in dimension depth of the recess is 2.5 mm, the vertical and horizontal length of the bottom is 103 mm. 従ってこの凹所には上述の基体51を第1実施例の図1及び図2での隙間4bと同様に若干の間隙54bを有して、収容することができる。 Thus in the recess can have a similarly slight gap 54b and the gap 4b of the substrate 51 described above in Figures 1 and 2 of the first embodiment, to accommodate. 又本実施例でもこの凹所には左右一対の段部52b Also in in the recess present embodiment the pair of left and right step portions 52b
が形成されており、ここに基体51の両端部が線接触的に当接するようになっている。 There are formed, both ends of the case to the base 51 is adapted to abut the line contact manner. 従って、キャリア52と基体51とは第1実施例と同様に主に接触部53で接触するのであるが、更に、この凹所の段部までの深さも第1実施例と同様基体51を搭載したときにその上面51 Thus, although the carrier 52 and the substrate 51 is to contact the main contact portion 53 as in the first embodiment, further, the depth of up to the stepped portion of the recess is also equipped with a first embodiment and a similar base 51 the upper surface 51 when
aがキャリア52の上面52aから所定値(2mm)以上出ないようになっている。 a is adapted to not output from the upper surface 52a of the carrier 52 a predetermined value (2 mm) or more. なお、キャリア52の材質はアルミニウムである。 The material of the carrier 52 is aluminum.

【0032】本実施例の基体つきキャリア55は以上のように構成されるのであるが、エッチング処理及びその前後の基体搬送が後述するように基体つきキャリア5のみならず基体つきキャリア55についても行われる点以外は第1実施例のエッチングプロセスとまったく同じである。 The substrate with the carrier 55 of the present embodiment but is to be configured as described above, the line also substrates with the carrier 55 not only the base with the carrier 5 as an etching treatment and before and after the substrate conveyance later except dividing point is exactly the same as the etching process of the first embodiment.

【0033】以下、作用について説明する。 [0033] The following is a description of the operation.

【0034】第2実施例によるドライエッチング装置では、まず上述の基体つきキャリア55を4枚用意し、次に第1実施例で使用した基体つきキャリア5を4枚用意して、これら2種類の基体つきキャリア5、55を1枚づつ交互に計8枚カセット22(図11参照)に充填する。 [0034] In the dry etching apparatus according to the second embodiment, first, the substrate with the carrier 55 of the above-prepared four, and then prepare 4 sheets of substrate with carrier 5 used in the first embodiment, these two filled into the substrate with the carrier 5 and 55 to one by one alternately eight-sheet tray 22 (see FIG. 11). そして、以後これらについて、第1実施例と同様のエッチングプロセスでドライエッチング処理が自動で行われる。 Then, for these subsequent dry etching process is performed automatically in the same etching process as in the first embodiment. すなわち基体つきキャリア5、55は1枚づつ順次、カセット22から図示しない受け渡し機構により搬送系23に移され、以後受け渡し部27、28を経て、高周波電極10上に設置されエッチング処理される。 That substrate with the carrier 5 and 55 sequentially one by one, transferred to the transport system 23 by the transfer mechanism (not shown) from the cassette 22, through the subsequent transfer sections 27 and 28, are placed on the high-frequency electrode 10 is etched. そして更にエッチング処理後に他の図示しない受け渡し機構によって受け渡し部29、搬送系25及び受け渡し部30を経てカセット24に収容される。 And it is further housed after the etching process to the cassette 24 via the transfer unit 29, the transport system 25 and the transfer unit 30 by another unillustrated delivery mechanism. これらの工程でも勿論基体51と各搬送手段や高周波電極10とは直接接触することがないのであるが、更に上述したように本実施例の基体51は第1実施例の基体1とサイズが異なるにも拘わらず、それを搭載するキャリア52の外形寸法が第1実施例のキャリア2と同じであるため、 Although of course the substrate 51 in these processes and the transport means and the high-frequency electrode 10 is of no direct contact, even substrate 51 of the present embodiment as described above is different from the substrate 1 and the size of the first embodiment Nevertheless, because of the dimensions of the carrier 52 is the same as the carrier 2 in the first embodiment for mounting it,
これらを一緒に、すなわち1枚づつ交互にカセット22 Them together, that is, one by one alternately cassette 22
に充填した状態で第1実施例と同様のエッチング処理前後の基体搬送を行うことができる。 It is possible to perform substrate transport before and after the same etching process as in the first embodiment in a state of being filled in.

【0035】なお、本実施例のドライエッチング処理条件は下記の通りであり、同一条件で上述の8枚の基体1、51についてエッチング処理を行うものとする。 [0035] Incidentally, the dry etching conditions of this embodiment are as follows, for the eight base 1 and 51 described above and performs an etching treatment under the same conditions.

【0036】導入ガス種とガス流量:CH 2 Cl 2 (2 [0036] introducing the gas species and the gas flow rate: CH 2 Cl 2 (2
5SCCM)+O 2 (75SCCM)、作動圧力:0. 5SCCM) + O 2 (75SCCM) , working pressure: 0.
3Torr、電極間距離:100mm、投RF電力:2 3 Torr, distance between electrodes: 100 mm, projecting RF Power: 2
00W、エッチング時間:4分(オーバーエッチング3 00W, etching time: 4 minutes (over-etching 3
0秒を含む) Including 0 seconds)

【0037】又本実施例でも上述したように、基体51 [0037] Also as described above in this embodiment, the substrate 51
はキャリア52に搭載されたとき、その上面51aがキャリア52の上面52aより所定値(2mm)以上突出しないようになっているので、第1実施例と同様にエッチング処理中に基体51にかかる電場が均一になり、エッチング深さの面内分布が良くなる。 When mounted on the carrier 52, since the upper surface 51a is prevented from protruding from the upper surface 52a of the carrier 52 a predetermined value (2 mm) or more, the electric field applied to the substrate 51 in the same manner as the etching process of the first embodiment becomes uniform in-plane distribution of etching depth is improved.

【0038】以上のように本実施例では基体のサイズが変わってもエッチング処理前後の搬送を容易に自動で行わせることができるとしながら、エッチング処理においては基体51のエッチング深さの面内不均一性を向上させることができる。 [0038] While the above in the present embodiment, as can be varied the size of the substrate to perform automatically to facilitate transfer of the longitudinal etching process, not in the plane of the etching depth of the substrate 51 in the etching process it is possible to improve the uniformity.

【0039】以上、本発明の各実施例について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。 [0039] Having described the embodiments of the present invention, of course, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible based on the technical idea of ​​the present invention.

【0040】例えば、以上の各実施例では基体1、51 [0040] For example, in each embodiment described above the substrate 1 and 51
と、それを収容するキャリア2、52の凹所にそれぞれギャップ54を設けたが、このギャップ54をなくしてもよい。 When, is provided respectively in the recess gap 4, 54 of the carrier 2, 52 to accommodate it, it may eliminate this gap 4, 54.

【0041】又、以上の各実施例では1つのキャリア2、52にそれぞれ1枚の基体1、51を搭載したが、 [0041] Also, more than has been equipped with a respective one of the substrate 1 and 51 to one carrier 2, 52 in each of the embodiments,
2枚以上の基体を搭載するようにしてもよい。 Two or more of the substrate may be mounted.

【0042】又、第1実施例ではステンレスを、第2実施例ではアルミニウムをそれぞれキャリア2、52の材質として用いたが、他の金属や、石英等の絶縁体を用いてもよく、又用いた材質がプラズマ処理によってその表面を侵される場合等には、侵されない材質によって被覆したキャリアを使用してもよい。 [0042] Further, the stainless steel in the first embodiment, is used as a material of aluminum each carrier 2, 52 in the second embodiment, the other or metals, may be used an insulator such as quartz, also use the like if had been made is violated its surface by plasma treatment, it may be used carrier coated with not attacked material.

【0043】又、以上の各実施例では平行平板型のRF [0043] Also, more RF parallel plate in each Example
リアクティブ・イオンエッチング装置に適用したが、E Was applied to the reactive ion etching apparatus but, E
CR有磁場のリアクティブ・イオンエッチング等、他の処理方式によるドライエッチング装置に適用してもよい。 Reactive ion etching of CR a magnetic field or the like, may be applied to a dry etching apparatus according to another processing method.

【0044】 [0044]

【発明の効果】以上述べたように、本発明のドライエッチング装置によれば、基体のエッチング処理中及びエッチング処理前後の基体搬送において、基体の汚れ、傷等の諸欠陥の発生を皆無とし、又基体の寸法が変わっても、それを搭載するキャリアの外形寸法を一定にすることにより、エッチング処理後の搬送が容易に自動化できるとしながら、かつ、基体のエッチング深さの均一性を一段と向上させることができる。 As described above, according to the present invention, according to the dry etching apparatus of the present invention, in an etching process during and etching before or after the substrate conveyance of the substrate, substrate contamination, the occurrence of various defects such as scratches and none, also it changes the dimensions of the substrate by the outer dimensions of the carrier for mounting it on a fixed, while the transport after the etching process can be easily automated, and, further improve the uniformity of the etching depth of the substrate it can be.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1実施例によるドライエッチング装置の基体つきキャリアの平面図である。 It is a plan view of a substrate with the carrier of the dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG.

【図2】図1における[2]−[2]線方向の断面図である。 [2] in Figure 2 Figure 1 - it is a cross-sectional view of [2] line direction.

【図3】本発明の第1実施例によるドライエッチング装置の搬送系及び基体受け渡し機構の詳細を示す平面図である。 3 is a plan view showing details of the conveyance system and the substrate transfer mechanism of the dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図4】図3における[4]−[4]線方向の断面図である。 [4] in FIG. 3; FIG - is a cross-sectional view of [4] line direction.

【図5】図3における[5]−[5]線方向の断面図である。 [5] [5] in FIG. 3 - it is a cross-sectional view of [5] line direction.

【図6】本発明の第1実施例によるドライエッチング装置のエッチング処理室内での基体の受け渡しの詳細を示す平面図である。 Is a plan view showing the details of transfer of the substrate in the etching chamber of the dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG.

【図7】図6における[7]−[7]線方向の断面図である。 [7] [7] in FIG. 6 - [7] line is a sectional view of the direction.

【図8】本発明の第1実施例によるドライエッチング装置のエッチング処理室の主要部を示す断面図である。 8 is a sectional view showing a main part of the etching chamber of the dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2実施例によるドライエッチング装置の基体付きキャリアの平面図である。 9 is a plan view of a substrate with a carrier of the dry etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図10】図9における[10]−[10]線方向の断面図である。 [10] [10] in FIG. 9 - is a cross-sectional view of [10] line direction.

【図11】従来例によるドライエッチング装置の全体を示す展開図である。 11 is a development view showing the overall dry etching apparatus according to the prior art.

【図12】同ドライエッチング装置の搬送系及び基体受け渡し機構の詳細を示す平面図である。 12 is a plan view showing details of the conveyance system and the substrate transfer mechanism of the dry etching apparatus.

【図13】図12における[13]−[13]線方向の断面図である。 In [13] Figure 12 [13] - [13] line is a sectional view of the direction.

【図14】図12における[14]−[14]線方向の断面図である。 [14] [14] in FIG. 12 - [14] line is a sectional view of the direction.

【図15】従来例のドライエッチング装置のエッチング処理室内での基体の受け渡しの詳細を示す平面図である。 15 is a plan view showing the details of transfer of the substrate in the etching chamber of conventional dry etching apparatus.

【図16】図15における[16]−[16]線方向の断面図である。 [16] in FIG. 16 15 - [16] line is a sectional view of the direction.

【図17】従来例のドライエッチング装置のエッチング処理室の主要部を示す断面図である。 17 is a sectional view showing a main part of the etching chamber of the dry etching apparatus in the prior art.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基体 1a 上面 2 キャリア 2a 上面 6 受け渡しアーム 7 搬送ベルト 8 ボート 9 ホイスト 10 高周波電極 23 搬送系 25 搬送系 40 エッチング処理室40Aエッチング処理室内 51 基体 51a 上面 52 キャリア 52a 上面 1 substrate 1a upper surface 2 carrier 2a top 6 transfer arm 7 conveyor belt 8 boat 9 hoist 10 high-frequency electrode 23 transport system 25 transport system 40 etching chambers 40A etching chamber 51 substrate 51a upper surface 52 carrier 52a upper surface

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 エッチング処理室と、該エッチング処理室内に配設され、電圧を印加される支持台と、エッチングすべき基体をキャリアに搭載させて外部から該支持台に搬送し、かつ該支持台から処理済の基体を前記キャリアに搭載させたまま外部に搬出するための搬送手段とから成り、該基体を該キャリアに搭載させたままエッチング処理するようにしたドライエッチング装置において、 And 1. A etching chamber, is disposed in the etching chamber, and conveying a supporting base applied voltage, the substrate to be etched from the outside by mounting the carrier to the support base, and the support become the processed substrate from the base and a conveying means for conveying to the outside while keeping mounted on the carrier, in the dry etching apparatus so as to etching while keeping mounted on said carrier to said substrate,
    前記キャリアは偏平な形状で凹所を設けており、該凹所に前記基体を搭載させると、前記基体の上面は前記キャリアの上面から所定値以上突出しないことを特徴とするドライエッチング装置。 The carrier is provided with a recess in a flat shape, when mounted to the substrate in the recess, the upper surface of the substrate dry etching apparatus characterized in that it does not protrude more than a predetermined value from the top surface of the carrier.
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Cited By (2)

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JP4869533B2 (en) * 2000-03-10 2012-02-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Processing chambers and apparatus for supporting a substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4869533B2 (en) * 2000-03-10 2012-02-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Processing chambers and apparatus for supporting a substrate
JP2007214577A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Veeco Instruments Inc System and method for changing surface temperature of wafer by temperature compensation of wafer carrier
US8603248B2 (en) 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset

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