JPH0457283A - Dynamic ram - Google Patents
Dynamic ramInfo
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- JPH0457283A JPH0457283A JP2165237A JP16523790A JPH0457283A JP H0457283 A JPH0457283 A JP H0457283A JP 2165237 A JP2165237 A JP 2165237A JP 16523790 A JP16523790 A JP 16523790A JP H0457283 A JPH0457283 A JP H0457283A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はダイナミックRAMに関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] This invention relates to dynamic RAM.
第3図は従来の16本の入出力信号を持つダイナミック
RA M (DRAM)の簡単な構成図である。FIG. 3 is a simple configuration diagram of a conventional dynamic RAM (DRAM) having 16 input/output signals.
図において、石は行アトVヌストローブ信号、CASI
、CAS2は列アドレスストローブ信号、工101〜1
6は入出力信号である。第4図は第3図のダイナミック
RAMの信号のダイナミックチャートであり、Addは
外部から与えるアドレス、int、RAx int、
CAはそのアドレスを取りこんでDRAli!内部で発
生する信号である。1メガビットDRAMまでは入出力
信号が1本、及び4本のものが主流であったが、4メが
ビット以上のDRAMでは、1本、4本のもの−けでな
く、8.16といった多数の入出力信号を持ったものが
市場に出回ると考えられている。In the figure, the row AtoV Nustrobe signal, CASI
, CAS2 is a column address strobe signal,
6 is an input/output signal. FIG. 4 is a dynamic chart of signals of the dynamic RAM in FIG. 3, where Add is an address given from the outside, int, RAx int,
The CA takes that address and uses DRAli! This is an internally generated signal. Up to 1 megabit DRAM, input/output signals were mainly 1 or 4, but DRAM with 4 bits or more has not only 1 or 4 input signals, but also many input/output signals such as 8.16. It is thought that products with input/output signals of
次に動作について説明する。第3図に示す構成のDRA
Mでは、16個のIloを8個ずつのブロックに分け、
石は各ブロック共通、麻をブロックごとに異なった信号
、本例ではCASI、 CAS2としている。このよう
にすることにより6丁だけを立ち下げたときKは左側の
ブロックの工101〜8が動作し、CAS2だけを立ち
下げたときには右個jのブロックの工109〜】6だけ
が動作する。すなわち8個の110を持つDRAMとし
ても動作する。そしてCASllCAS2を同時に立ち
下げた時には工101〜16が動作する。Next, the operation will be explained. DRA with the configuration shown in Figure 3
In M, 16 Ilo are divided into blocks of 8 each,
The stones are common to each block, and the hemp signals are different for each block, in this example CASI and CAS2. By doing this, when only 6 guns are brought down, the machines 101 to 8 of the block on the left side of K will operate, and when only CAS2 is brought down, only the machines 109 to 6 of the right block J will operate. . In other words, it also operates as a DRAM having eight 110s. When CASll and CAS2 are brought down at the same time, steps 101 to 16 operate.
ここでポイントとなるのはCASI、 CAS2を同時
に立ち下げるということであるが、外部からDRAMに
複数の信号を入力する場合、必ず、一方の信号が他方よ
り早く立ち下がった、遅く立ち下がったといった、時間
のずれ、すなわちスキューが生゛る。スキューが生じた
場合、第4図に示すように、CASI、 CAS2で異
なったアドレスを取りこむという不具合が発生すること
が考えられる。CAS 1でアドレスBを、CAS2で
アドレスCを取りこむ。そして、外部から入力するアド
レス信号も複数あ抄ここでもスキューを生じることから
、前記不具合はより一層発生する傾向があると考える。The key point here is to bring down CASI and CAS2 at the same time, but when inputting multiple signals to the DRAM from the outside, there will always be cases where one signal falls earlier or later than the other. , a time difference, or skew, occurs. If skew occurs, a problem may occur in which different addresses are taken in by CASI and CAS2, as shown in Figure 4. Capture address B with CAS 1 and capture address C with CAS 2. Since skew also occurs in multiple address signals input from the outside, it is thought that the above-mentioned problem tends to occur even more.
従来のダイナミックRAMは以上のように構成されてい
るので、荘信号間にスキューがあると、各CAS信号が
異なったアドレスを取りこむという問題点があった。Since the conventional dynamic RAM is configured as described above, there is a problem that if there is a skew between the signals, each CAS signal takes in a different address.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、麻間にスキューがあっても不具合が生じない
ダイナミックRAMを得ることを目的とする、
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るダイナミック’RAMは、複数ある韮信
号のうち、最初に立ち下げた罷信号のみアドレスを取り
こみ、その後に立ち下げた全信号はアドレスを取りこま
ないようにしたものである。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to obtain a dynamic RAM that does not cause any problems even if there is a skew between the lines. [Means for solving the problems] The dynamic RAM according to the present invention is configured such that among a plurality of dwarf signals, an address is taken in only for the first signal that falls, and addresses are not taken in for all signals that fall thereafter.
〔作用]
この発明におけるダイナミックRAMは、最初に立ち下
がった列アドレスストローブ信号にのみアドレス信号を
取りこむ機能を持たしているので、列アドレスストロー
ブ信号間にスキューが生じても異なったアドレスを取り
こむという不具合は生じない。[Operation] The dynamic RAM of the present invention has a function of capturing an address signal only for the column address strobe signal that falls first, so even if a skew occurs between the column address strobe signals, a different address can be captured. No problems will occur.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明のダイナミックRAMの簡単な構成図で
あるが、構成そのものについては従来例の第3図とまっ
たく同じである。又、第2図は本発明における各信号の
タイミングチャートである。Although FIG. 1 is a simple configuration diagram of the dynamic RAM of the present invention, the configuration itself is exactly the same as that of the conventional example shown in FIG. 3. Further, FIG. 2 is a timing chart of each signal in the present invention.
ここでWは行アドレスストローブ信号、五■、り事は列
アドレスストローブ信号、Ilo 1〜16は入出力信
号、Addは外部から与えるアドレス信号int、 R
A 、 1rlt、 CAはそのアドレスを取りこんで
ダイナミックRAM内部で発生する信号である。Here, W is a row address strobe signal;
A, 1rlt, and CA are signals generated inside the dynamic RAM by taking in the address.
次に本発明の一実施例の動作について説明す私従来、複
数のτ信号はそれぞれアドレスを取りこむ機能を有して
いたのに対して、本発明では複数の翫信号のうち最初に
立ち下げ九韮信号のみブトレスを取りこむようにしてい
る。よって第2図に示すよりな麻信号間のスキューが生
じた場合にも、π訂信号のみアドレスBを取りこみ、σ
「信号はアドレスを取りこまず、CAS2が入力される
ブロックにおいてはアドレスBがそのまま指定される。Next, I will explain the operation of one embodiment of the present invention. Conventionally, multiple τ signals each had the function of taking in an address. I am trying to capture buttress only for the dwarf signal. Therefore, even if a skew occurs between the hemp signals shown in FIG.
``The signal does not take in an address, and address B is specified as is in the block to which CAS2 is input.
このようにすることにより、CAS信号間にスキューが
生じた場合も問題なく動作し、かつ従来例のように8個
のIloを持つようにも変更できるダイナミックRAM
が得うレル。By doing this, the dynamic RAM can operate without problems even if there is a skew between CAS signals, and can also be changed to have 8 Ilo like the conventional example.
The rel you get.
以上のように、この発明によれば、複数のコラムアドレ
スストローブ信号のうち、最初に立ち下下たものにのみ
、アドレス信号を取りこむ機能を持たせたので、コラム
アドレスストローブ信号間にスキューが生じても誤動作
を防ぐことができる。As described above, according to the present invention, only the first falling column address strobe signal among a plurality of column address strobe signals is provided with the function of taking in the address signal, so a skew occurs between the column address strobe signals. Malfunctions can be prevented even if the
第1図はこの発明の一実施例による16本の入出力信号
を持つダイナミックRAMの簡単な構成図、第2図は第
1図の各信号のタイミングチャート図、第3図は従来の
16本の入出力信号を持つダイナミックRAMの簡単な
構成図、第4図は第3図の各信号のタイミングチャート
図である。
図において、RASは行アドレスストローブ信号、CA
SI 、 CAS2は列アトvヌストローブ信号、l1
01〜16は入出力信号、Addは外部から与えるアド
レス、int、 RA 、 int、 CAはそのアド
レスを取りこんでDRAM内部で発生する信号である。
なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
RAJj−ff131ストロ−7゛1己づ4tnT、R
A 、 DRAM内−1ffiIa5int、CA ’
第2図
第8図
第4図Fig. 1 is a simple configuration diagram of a dynamic RAM having 16 input/output signals according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a timing chart of each signal in Fig. 1, and Fig. 3 is a diagram of the conventional 16 input/output signals. FIG. 4 is a timing chart of each signal in FIG. 3. In the figure, RAS is the row address strobe signal, CA
SI, CAS2 is the column atv Nustrobe signal, l1
01 to 16 are input/output signals, Add is an address given from the outside, and int, RA, int, and CA are signals generated inside the DRAM by taking in the addresses. In each figure, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. RAJj-ff131 Straw-7゛1self4tnT,R
A, DRAM-1ffiIa5int, CA' Figure 2 Figure 8 Figure 4
Claims (1)
ブ信号(■信号)を有するダイナミックRAMにおいて
、最初に立ち下げた1本の■信号のみ列アドレスを取り
こむことを特徴とするダイナミックRAM。1. A dynamic RAM having a plurality of input/output signals and a plurality of column address strobe signals (■ signals), which is characterized in that only one (■) signal that falls first takes in a column address.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2165237A JPH0457283A (en) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Dynamic ram |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2165237A JPH0457283A (en) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Dynamic ram |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0457283A true JPH0457283A (en) | 1992-02-25 |
Family
ID=15808470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2165237A Pending JPH0457283A (en) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Dynamic ram |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0457283A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0922989A (en) * | 1995-04-27 | 1997-01-21 | Samsung Electron Co Ltd | Semiconductor memory and its transmission line formation |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2165237A patent/JPH0457283A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0922989A (en) * | 1995-04-27 | 1997-01-21 | Samsung Electron Co Ltd | Semiconductor memory and its transmission line formation |
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