JPH0456246A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPH0456246A
JPH0456246A JP16720690A JP16720690A JPH0456246A JP H0456246 A JPH0456246 A JP H0456246A JP 16720690 A JP16720690 A JP 16720690A JP 16720690 A JP16720690 A JP 16720690A JP H0456246 A JPH0456246 A JP H0456246A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing device
bumps
bump
semiconductor
central processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP16720690A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Nakaoka
中岡 久
Yukio Yamaguchi
幸雄 山口
Satoru Waga
悟 和賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP16720690A priority Critical patent/JPH0456246A/ja
Publication of JPH0456246A publication Critical patent/JPH0456246A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体製造装置、詳しくは、突起電極部の自
動形状検査装置に関する。
従来の技術 近年、サーマルヘッドドライバ、液晶デイスプレィドラ
イバ、ゲートアレイ等の超多ピン素子の組立・実装技術
としてバンプ電極による工法が行なわれている。このバ
ンプ電極を簡便に形成する方法としてワイヤボンダによ
るポールボンディング法が試みられているが、この場合
形成されたバンプの形状を検査することが不可欠である
従来のバンプ形状検査方法について図面を参照して説明
する。
第2図は従来の構成によるバンプ形状検査方法の一例を
示すパターン処理図形である。第2図において、1はポ
ンディングパッド、2はバンプの台座としてのボール部
、3はループ部、4はテール部、5は頭頂部を示すもの
である。各部寸法は通常ポンディングパッド1は100
μm角、ボール部2は径80μm、高さ25μm、テー
ル部4は8μm、頭頂部5は高さ45μm、径50μm
程度である。(a)図はバンプの形成されたパ・ソド部
1を斜め上方から見たもの、(b)〜(e)はパッド部
に対し直上方向から見たものであり、(b)は良好に形
成されたバンプ、(C)はバンプが形成されていないパ
ッド、(d)はパッド中心に対しずれが生じているバン
プ、(e)は頭頂部径が小さいバンプをそれぞれ示して
いる。
以上のようなバンプを検査する場合は、従来は通常10
0倍から200倍程度の倍率に顕微鏡により拡大し、目
視による検査で良否判定を行なっていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の検査方法では、良否判定は検査
作業者の判断により行なっており、品質管理上問題が大
きかった。特にω)のようなバンプがパッドに対しずれ
ている場合や、(e)のように頭頂部径が小さい場合な
どは良否判定が難しく、定量的に把握しようとすると多
大な検査時間が必要となって、コスト的に不利となる課
題を有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、バンプの
形状寸法を自動的に検査することにより品質的に安定し
たバンプ形成素子を安価に提供することを目的とするも
のである。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体製造装置は半
導体素子を水平面内で移送・位置決めする機構と、バン
プを撮像する光学系と、画像出力より抽出を行なう画像
処理装置とを備えている。
作用 この構成によって多数個のバンプを連続的に検査するこ
とができ、またバンプの形状寸法を定量的に把握するこ
とが可能となって、品質管理上大きな効果を発揮するこ
とができる。
実施例 以下本発明の実施例のバンプ形状検査装置の一実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例におけるバンプ形状検査装置
の構成を示すものである。第1図において、6は半導体
ウェハ、7は半導体ウェハ6上に形成されたバンプ、8
は搬送および位置決めステージ、9はTV左カメラ10
は照明、11は画像処理装置、12は中央処理装置、1
3はコンポジット信号、14.15は通信手段、16は
イン力、17は大容量補助記憶装置、18はドライバ 
19は駆動出力、20は不良マークを示すものである。
以上のように構成されたバンプ形状検査装置について、
以下その動作を説明する。
まず、中央処理装置12からの指令が通信手段15を介
してドライバ18に送られ、駆動出力19に変換されて
搬送・位置決めステージ8を駆動し、これにより、半導
体ウェハ6が水平面内でx”y・θ方向に移送され、位
置決めされる。この状態で、バンプ7の形成されたパッ
ド部が照明10により適切な状態に照射され、TV左カ
メラによって撮像されて、コンポジット信号13に変換
されて画像処理装置11に入力される。画像処理装置1
1は半導体素子上の不良マーク20を認識し、検査をス
キップすることができる。良品に対しては寸法計測や任
意形状外接長方形の長辺・短辺を得る等の機能を備えて
おり、これによりパッド部にバンプ7が形成されていな
いことも識別できる。この計測結果は通信手段14を介
して中央処理装置12に送信され、あらかじめ設定され
た数値と比較し、バンプ形状の良否が判定される。この
結果に基づき、イン力16により不良素子面上に不良マ
ークを付加することが可能である。また、測定結果は中
央処理装置12に接続された補助記憶装置17に備え、
必要に応じCRTデイスプレィまたはプリンタにより検
査マツプ等の形で出力することもできる。以下、搬送機
構により半導体ウェハ6上に形成されたバンプ7を順次
自動検査し、半導体ウェハ6全面について検査を完了す
る。
発明の効果 以上のように本発明のバンプ形状検査装置によれば、バ
ンプ形状寸法を定量的に評価して良否を判定することが
実施可能になり、また大幅な省人化が図れるため、品質
管理上にもコスト低減上も著しい効果がある。
なお、半導体ウェハをローディングおよびアンローディ
ングする機構をとりつけることにより、なお−層の省人
化を図ることができ、非常に有効であることは言うまで
もない。またワイヤボンディング法によらないバンブに
対しても本形状検査装置が適用可能であり、半導体素子
が個片に切断されていても、搬送機構を工夫することで
適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるバンブ形状検査装置
の構成図、第2図はパッド上に形成されたバンブを検査
するパターン処理図形である。 1・・・・・・パッド部、2・・・・・・ボール部、3
・・・・・・ループ部、4・・・・・・テール部、5・
・・・・・頭頂部、6・・・・・・半導体ウェハ、7・
・・・・・バンブ、8・・・・・・搬送および位置決め
ステージ、9・・・・・・TV左カメラ10・・・・・
・照明、11・・・・・・画像処理装置、12・・・・
・・中央処理装置、13・・・・・・コンポジット信号
、14.15・・・・・・通信手段、16・・・・・・
イン力、17・・・・・・大容量補助記憶装置。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)突起電極が形成された半導体装置を水平面内で搬
    送・位置決めする機構と、前記突起電極を撮像する光学
    系と、前記光学系からの画像出力より抽出を行なう画像
    処理装置と、中央処理装置とを備え、前記突起電極の形
    状寸法を計測し、この計測値と設定値との比較を行なう
    検査機能を有することを特徴とする半導体製造装置。
  2. (2)突起電極の形状寸法を計測する際に、計測結果に
    基づいて突起電極の有無を判定することを特徴とする請
    求項1記載の半導体製造装置。
  3. (3)半導体装置上の識別マークにより検査を行なう半
    導体装置を選別することを特徴とする請求項1記載の半
    導体製造装置。
  4. (4)検査結果に基づき、半導体装置上に識別マークを
    施すことを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
JP16720690A 1990-06-25 1990-06-25 半導体製造装置 Pending JPH0456246A (ja)

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JP16720690A JPH0456246A (ja) 1990-06-25 1990-06-25 半導体製造装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229088A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Fujitsu Ltd 半導体部材の検査方法及び装置及び半導体製造装置及び半導体部材
US6121062A (en) * 1993-08-13 2000-09-19 Fujitsu Limited Process of fabricating semiconductor unit employing bumps to bond two components
US6133052A (en) * 1997-02-24 2000-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump inspection method

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