JPH0444204A - Aluminum electrode for electrolytic capacitor - Google Patents

Aluminum electrode for electrolytic capacitor

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JPH0444204A
JPH0444204A JP14871390A JP14871390A JPH0444204A JP H0444204 A JPH0444204 A JP H0444204A JP 14871390 A JP14871390 A JP 14871390A JP 14871390 A JP14871390 A JP 14871390A JP H0444204 A JPH0444204 A JP H0444204A
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JP
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titanium
barium
aluminum
metal
capacitance
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JP14871390A
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Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Yokoyama
豊 横山
Susumu Ando
進 安藤
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Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain an aluminum electrode for electrolytic capacitors having a capacitance which is twice or more as large as that of the conventional one by forming a barium-titanium oxide layer by anodic oxidation after a barium- titanium layer is formed on the surface of high-purity aluminum by permitting barium and titanium to adhere to the surface by a cathode arc vapor deposition method. CONSTITUTION:When cathode arc vapor deposition with barium and titanium is performed an etched high-purity aluminum foil of 50 X 100 mm in size under a condition of 5 X 10<-4> Torr in chamber pressure, 200 nm in vaporizing dis tance, 0.05 mum/min in vaporizing speed, 0.2 mum in barium-titanium film thickness, and 300 deg.C in substrate temperature, the targets materials melt and vaporize into metallic ions 12 and 13 in a moment. The metallic ions are evolved into a vacuum space and stick to the surface of an object 14 to be coated together with accelerated reactive gas particles, forming a compact film. When anodic oxidization is performed under a condition of 85 deg.C and 70V in aluminum dihydrogen phosphate aqueous solution (1.3 g/l) by using the aluminum foil coated with the vapor-deposited film, an oxide having a high specific dielectric constant is obtained. Therefore, the capacitance can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電解コンデンサ用アルミニウム電極に関し、
更に詳しくは、高純度アルミニウムの表面に陰極アーク
蒸着法により特定の金属を付着させ、その後陽極酸化を
行うことにより表面に峨密な酸化物層を形成させた電解
コンデンサ用アルミニウム電極に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an aluminum electrode for an electrolytic capacitor,
More specifically, the present invention relates to an aluminum electrode for an electrolytic capacitor in which a specific metal is deposited on the surface of high-purity aluminum by cathodic arc evaporation, and then anodized to form a dense oxide layer on the surface.

[従来の技術] 電解コンデンサは、小形、大容量、安価で、整流出力の
平滑化等に優れた特性を示し各種電気・電子機器の重要
な構成要素の一つであり、一般に表面を電解酸化によっ
て酸化皮膜に変えたアルミニウム箔を陽極とし、この酸
化皮膜を誘電体とし集電陰極との間に電解液を介在させ
て作成される。
[Prior art] Electrolytic capacitors are small, large-capacity, inexpensive, and have excellent properties such as smoothing rectified output, and are one of the important components of various electrical and electronic devices. It is created by using an aluminum foil that has been changed into an oxide film as an anode, using this oxide film as a dielectric, and interposing an electrolyte between it and a current collecting cathode.

アルミニウム以外にも、いわゆる弁作用金属と呼ばれる
タンタルやチタン等の金属を、アルミニウムと同機に電
解コンデンサの電極として使用することができる。この
種の金属の内で、製品電解コンデンサのWpt容量に密
接に関連する酸化皮膜の比誘電率を指標として見た場合
、酸化アルミニウムの比誘電率は7〜10であり、酸化
タンタルの比誘電率25.2や酸化チタンの比誘を率6
6.1と比較すると決して大きな値ではない、iS電解
コンデンサタンタルやチタンではなくアルミニウムが一
般的に使用されるのは、主として、これらよりアルミニ
ウムの方がコスト的に優れているためといえる。
In addition to aluminum, metals such as tantalum and titanium, which are so-called valve metals, can be used as electrodes of electrolytic capacitors in the same way as aluminum. Among these types of metals, when looking at the dielectric constant of the oxide film, which is closely related to the Wpt capacity of a product electrolytic capacitor, as an index, the dielectric constant of aluminum oxide is 7 to 10, and the dielectric constant of tantalum oxide is 7 to 10. The ratio is 25.2 and the specific permittivity of titanium oxide is 6.
The reason why aluminum is generally used instead of tantalum or titanium is mainly because aluminum is superior in terms of cost.

物性として規定される一定の比誘電率を有する材料であ
るアルミニウムを用いて、より大きな静電容量の電解コ
ンデンサを得るために、アルミニウム箔の表面に高倍率
のエツチング処理を施すことにより表面積の増大が図ら
れている。材料の表面に複雑な凹凸を与えることにより
表面積を増大させるこの技術は、現在では高度に洗練さ
れているが、この技術による表面積増大のみによって電
解コンデンサの静電容量を増加させるのは次第に困難に
なりつつある。
In order to obtain an electrolytic capacitor with a larger capacitance using aluminum, which is a material with a certain dielectric constant defined as a physical property, the surface area is increased by applying a high-magnification etching treatment to the surface of the aluminum foil. is planned. This technique of increasing the surface area by creating complex irregularities on the surface of a material is now highly sophisticated, but it is becoming increasingly difficult to increase the capacitance of electrolytic capacitors solely by increasing the surface area using this technique. It is becoming.

一定の比誘電率を有するアルミニウム材料の表面積増大
には限界があり、より比誘電率の大きな他の弁作用金属
等を電極に使用するには主としてコスト的に問題がある
There is a limit to increasing the surface area of an aluminum material having a constant dielectric constant, and there is a problem mainly in terms of cost when using other valve metals having a higher dielectric constant for the electrode.

これを解決する手段として、アルミニウム材料の表面に
、より比誘電率の大きな他の弁作用金属等を付着または
溶着させて薄膜を形成させ、コストを増加させることな
く比誘電率の増大を図るものがある0例えば、真空蒸着
法、イオンブレーティング法またはスパッタリング法の
ような物理的方法によりアルミニウム基板上に所望の金
属を蒸着させ、表面にアルミニウムと蒸着金属との混在
複合膜なる蒸着膜を形成させることによって大容量を得
るものである。この種の技術は、PbTiOsの薄膜化
に端を発するものであり、この合成は、1987年10
月7日(化工)発表の大工試において、プラズマCVD
法とスパッタリング法とを同時に行うことにより成功裡
に実現された。
As a means to solve this problem, a thin film is formed by attaching or welding another valve metal with a higher relative permittivity to the surface of the aluminum material, thereby increasing the relative permittivity without increasing cost. For example, a desired metal is evaporated onto an aluminum substrate by a physical method such as a vacuum evaporation method, an ion blasting method, or a sputtering method, and a evaporated film, which is a mixed composite film of aluminum and the evaporated metal, is formed on the surface. By doing so, large capacity can be obtained. This type of technology originated from the thinning of PbTiOs, and this synthesis began in October 1987.
Plasma CVD
It was successfully realized by performing the method and sputtering method simultaneously.

しかしながら、前記した方法では、アルミニウム基板上
におけるチタンのような金属の蒸着膜の密着性や緻密性
が必ずしも十分ではなく、特に蒸着技術を改良して、よ
り優れた電解コンデンサ用アルミニウム電極を!!!造
する余地が残されていた。また、前記した蒸着技術を用
いる方法では、処理時間か長くかがるため生産効率の点
で不十分である。
However, with the above-mentioned method, the adhesion and density of the vapor-deposited film of metal such as titanium on the aluminum substrate are not necessarily sufficient.In particular, we need to improve the vapor-deposition technique to create a better aluminum electrode for electrolytic capacitors! ! ! There was still room to build. Further, the method using the above-mentioned vapor deposition technique is insufficient in terms of production efficiency because the processing time is long.

例えば、特開昭63−306614号には、イオンブレ
ーティング法によりアルミニウムーチタン金属層を形成
後、陽極酸化処理を行って混在酸化物誘電体を形成させ
る方法が開示され、まt二、特開昭59−167009
号には、蒸着法により導電性金属を蒸着させて多孔質金
属皮膜を形成させる方法が開示されているが、このよう
な従来の方法では、密着性やは密性に問題があり、特に
、チタンを用いて作製するチタン陽極膜は膜特性が不安
定である。
For example, JP-A-63-306614 discloses a method in which a mixed oxide dielectric is formed by forming an aluminum-titanium metal layer by an ion blating method and then performing an anodizing treatment. Kaisho 59-167009
No. 1 discloses a method of forming a porous metal film by depositing a conductive metal using a vapor deposition method, but such conventional methods have problems with adhesion and density, and in particular, Titanium anode films made using titanium have unstable film properties.

本土V人は、先に特願平1−165388号として、電
解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するに際し、
高純度アルミニウムの表面に蒸着によりタンタルを付着
させて表面にタンタル層からなる蒸着膜を形成させ、そ
の後陽極酸化を行うことからなり、前記蒸着を陰極アー
ク蒸着法により行うことを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウムTh %箔の製造方法を提案した。この提
案は、蒸着を行う方法として陰極アーク蒸着法に着目し
たものであるが、更に検討を重ねた結果、高純度アルミ
ニウムの表面に付着させる金属として、弁作用金属に加
えて弁作用金属以外の金属を混在させて陰極アーク蒸着
を行い、その後陽極酸化を行うことにより、更に優れた
電解コンデンサ用アルミニウム電極を提供し得ることを
この度突き止めた。
In manufacturing aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, the mainland V people previously filed a patent application No. 1-165388.
An electrolytic capacitor characterized in that tantalum is deposited on the surface of high-purity aluminum by vapor deposition to form a vapor deposited film consisting of a tantalum layer on the surface, and then anodization is performed, and the vapor deposition is performed by a cathodic arc vapor deposition method. We proposed a method for producing aluminum Th% foil for aluminum. This proposal focused on the cathodic arc evaporation method as a method for vapor deposition, but after further study, we found that in addition to valve metals, other metals than valve metals could be used as the metal to be deposited on the surface of high-purity aluminum. We have now discovered that it is possible to provide an even better aluminum electrode for electrolytic capacitors by performing cathodic arc evaporation with a mixture of metals, followed by anodic oxidation.

[発明が解決しようとする課題] 本発明は、高純度アルミニウムの表面に陰極アーク蒸着
法によりチタンを付着させて表面にチタン層からなる蒸
着膜を形成させた電解コンデンサ用アルミニウム電極を
改良し、高純度アルミニウムの表面に付着させる金属と
して、チタンに加えて弁作用金属以外の特定の金属を混
在させて陰極アーク蒸着を行い、更にその後陽極酸化を
行うことにより、チタンと弁作用金属以外の特定の金属
との混在酸化物層を形成させ、これによりlIi極酸極
管化った酸化アルミニウムと比較して2倍以上の静電容
量を与え得る電解コンデンサ用アルミニウム電極を提供
することを目的とする。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention improves an aluminum electrode for an electrolytic capacitor in which titanium is deposited on the surface of high-purity aluminum by cathodic arc evaporation to form a deposited film consisting of a titanium layer on the surface. In addition to titanium, a specific metal other than the valve metal is mixed as a metal to be attached to the surface of high-purity aluminum, and cathodic arc evaporation is performed, followed by anodic oxidation. The purpose of the present invention is to provide an aluminum electrode for an electrolytic capacitor that can provide an electrostatic capacitance more than twice that of aluminum oxide formed into a lIi electrode by forming a mixed oxide layer with a metal. do.

[課題を解決するための手段] 本発明によれば、高純度アルミニウムの表面にバリウム
およびチタンを陰極アーク蒸着法により付着させ、表面
にバリウム・チタン層を形成させた後、陽極酸化により
バリウム・チタン酸化物層を形成させたことを特徴とす
る電解コンデンサ用アルミニウムtfi!が提供される
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, barium and titanium are deposited on the surface of high-purity aluminum by cathodic arc evaporation to form a barium/titanium layer on the surface, and then barium/titanium is deposited by anodizing. Aluminum TFI for electrolytic capacitors characterized by forming a titanium oxide layer! is provided.

高純度アルミニウムの表面にバリウムおよびチタンの2
つの金属を蒸着させるため、陰極アーク蒸着を行うに際
して、金属ターゲット(蒸発源)たるカソードユニット
を複数設置し、少くともその1つをバリウムとし、かつ
少くともその1つをチタンとすることにより、2つの金
属を同時に蒸着させることができる。
Barium and titanium on the surface of high-purity aluminum
When performing cathodic arc evaporation, a plurality of cathode units are installed as metal targets (evaporation sources), and at least one of them is barium and at least one of them is titanium. Two metals can be deposited simultaneously.

高純度アルミニウムを、エツチング処理を施した高純度
アルミニウム箔とすれば好適である。
It is preferable that the high-purity aluminum be a high-purity aluminum foil that has been subjected to an etching treatment.

陰極アーク蒸着法によるバリウム・チタン酸化物の好適
な製造条件は次の通りである。
Suitable conditions for producing barium titanium oxide by cathodic arc evaporation are as follows.

チャンバー圧力範囲は、lX1G−”〜lX10−’T
orrとする。
The chamber pressure range is lX1G-'' to lX10-'T
orr.

アルゴン、ヘリウム、並びに窒素よりなる群から選択さ
れる不活性ガス雰囲気中で陰極アーク蒸着を行えば好適
である。
Preferably, cathodic arc deposition is carried out in an inert gas atmosphere selected from the group consisting of argon, helium, and nitrogen.

50〜400 amの蒸発距離で陰極アーク蒸着を行え
ば好適である。なお、蒸発距離は、使用する装置の性能
等に依存するため、装置によっては必ずしもこの蒸発距
離が好適とは限らず、適宜定める必要がある。
Cathodic arc deposition with an evaporation distance of 50 to 400 am is preferred. Note that since the evaporation distance depends on the performance of the device used, this evaporation distance is not necessarily suitable depending on the device, and needs to be determined as appropriate.

0.01〜0.5μ/分の蒸発速度で陰極アーク蒸着を
行えば好適である。
Cathodic arc deposition is preferably carried out at an evaporation rate of 0.01 to 0.5 μ/min.

バリウム・チタン酸化物蒸着膜の厚さを0.05〜5μ
とすれば好適である。
The thickness of the barium/titanium oxide vapor deposited film is 0.05 to 5μ.
It is suitable if

基板温度は、200〜450℃とするのが好適である。The substrate temperature is preferably 200 to 450°C.

前記した陰極アーク蒸着により高純度アルミニウムの表
面にバリウムおよびチタンを付着させ、表面にバリウム
・チタン層を形成させ、更に通常の陽極酸化条件により
陽f!酸化を行ってバリウム・チタン酸化物層を形成さ
せ、これを用いて常法により電解コンデンサを製造する
ことができる。
Barium and titanium are deposited on the surface of high-purity aluminum by cathodic arc evaporation as described above, a barium-titanium layer is formed on the surface, and further anodic f! Oxidation is performed to form a barium titanium oxide layer, which can be used to manufacture electrolytic capacitors by conventional methods.

[作用] 実質的真空下で、金属ターゲット(蒸発源)を陰極とし
てアーク放電を起こすと、アークはターゲット表面上に
アークスポットを形成し、ターゲット表面上をランダム
に走り回る。
[Operation] When an arc discharge is caused under a substantial vacuum using a metal target (evaporation source) as a cathode, the arc forms an arc spot on the target surface and runs around randomly on the target surface.

アークスポットに集中するアークを流のエネルギにより
、ターゲツト材は瞬時に溶融蒸発すると同時に金属イオ
ンとなり、真空中に放出される。この際、バイアス電圧
を被コーテイング物に印加することにより、この金属イ
オンは、加速された反応ガス粒子と共に被コーテイング
物の表面に密着し、縁帯な膜を生成する。
Due to the energy of the arc concentrated at the arc spot, the target material is instantaneously melted and vaporized, simultaneously turning into metal ions and being emitted into the vacuum. At this time, by applying a bias voltage to the object to be coated, the metal ions, together with the accelerated reaction gas particles, adhere to the surface of the object to be coated, forming a borderline film.

本発明は、このような陰極アーク蒸着の原理を応用する
ものであり、金属ターゲット(蒸発源)としてバリウム
およびチタンを用い、被コーテイング物として高純度ア
ルミニウムを用いるものである。
The present invention applies the principle of such cathodic arc evaporation, and uses barium and titanium as metal targets (evaporation sources) and high-purity aluminum as the object to be coated.

本発明の陰極アーク蒸着法と従来のイオンブレーティン
グ法およびスパッタリング法について、基板上のイオン
化率および粒子エネルギを比較して第1表に示す、なお
、イオン化率は、基板単位面積に到達した原子の内、イ
オン化していたものの数をパーセントで表したものであ
る。
Table 1 shows a comparison of the ionization rate and particle energy on the substrate between the cathodic arc evaporation method of the present invention and the conventional ion blating method and sputtering method. The number of ionized substances expressed as a percentage.

1土上 IIアーク     イオン       スパッタリ
ング獣厘看法       ル−ティング注 イオン化率(%)    30〜50   2〜8  
  2〜81子Xネルギ(eV)   10〜100 
 0.1〜1    0.2〜10このような陰極アー
ク蒸着法によれば、イオン化率が著しく大きく、高イオ
ンエネルギであるため、反応効率が向上し、アルミニウ
ム基板とバリウムおよびチタンとの密着性を票著に向上
させることができる。
1 Tsuchigami II Arc Ion Sputtering Veterinary Control Routing Injection Ionization Rate (%) 30-50 2-8
2~81 child X energy (eV) 10~100
0.1-1 0.2-10 According to this cathodic arc evaporation method, the ionization rate is extremely high and the ion energy is high, so the reaction efficiency is improved and the adhesion between the aluminum substrate and barium and titanium is improved. can be significantly improved.

また、特に陰極アーク蒸着法を使用することにより、カ
ソードユニットを複数装着することができ、それぞれ独
自に陰極アーク蒸着を行うことができ、更に、イオン化
率が著しく大きく高イオンエネルギであるなめ、緻密な
金属層を形成することができる。
In addition, by using the cathodic arc evaporation method in particular, it is possible to install multiple cathode units, each of which can perform cathodic arc evaporation independently. A metal layer can be formed.

そしてこのバリウムおよびチタンを蒸着させたアルミニ
ウム基板を陽極として用いる場合には、陽極酸化により
表面を酸化処理して比誘電率の高い酸化物とすることに
より、静電容量の増大を図ることができる。
When an aluminum substrate on which barium and titanium are vapor-deposited is used as an anode, the capacitance can be increased by oxidizing the surface by anodic oxidation to form an oxide with a high dielectric constant. .

[発明の効果コ 本発明によれば、高純度アルミニウムの表面に1!!極
ア一ク蒸着法によりチタンを付着させて表面にチタン層
からなる蒸着膜を形成させた電解コンデンサ用アルミニ
ウムを極を改良し、高純度アルミニウムの表面に付着さ
せる金属として、チタンに加えて弁作用金属以外の金属
であるバリウムを混在させて陰極アーク蒸着を行い、更
にその後陽fi!酸化を行うことにより、バリウムおよ
びチタンの混在酸化物層を形成させ、これにより陽I7
f!酸化を行った酸化アルミニウムと比較して2倍以上
の静電容量を与え得る電解コンデンサ用アルミニウム電
極が提供される。
[Effects of the Invention According to the present invention, 1! ! Aluminum for electrolytic capacitors is made of aluminum for electrolytic capacitors, which is made by adhering titanium using the polar arc vapor deposition method to form a vapor-deposited film consisting of a titanium layer on the surface. Barium, which is a metal other than the working metal, is mixed and cathodic arc evaporation is performed, and then positive fi! By performing the oxidation, a mixed oxide layer of barium and titanium is formed, which results in the formation of a positive I7
f! Provided is an aluminum electrode for an electrolytic capacitor that can provide a capacitance twice or more as compared to oxidized aluminum oxide.

し実施例] 以下に実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
EXAMPLES] The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below, but the present invention is not limited only to the following Examples.

割1皿ユ 常法によりエツチング処理を施した高純度アルミニウム
箔50x ioo +i+iを使用し、チャンバー圧力
5 X 10−’TOrr、蒸発FIEM200111
1. i発速度0.05μ/分、バリウム・チタン膜厚
0.2μ、基板温度300℃とし、バリウム・チタンに
よる陰極アーク蒸着を行った。
Using high-purity aluminum foil 50 x ioo + i + i etched using a conventional method, the chamber pressure was 5 x 10-' TOrr, and the evaporation FIEM200111 was used.
1. Cathode arc evaporation of barium/titanium was performed at an i firing rate of 0.05 μ/min, a barium/titanium film thickness of 0.2 μ, and a substrate temperature of 300° C.

陰極アーク蒸着に使用する装置の概略を第1図に示す、
この装置を用い、実質的真空下で、バリウムからなる金
属ターゲット(蒸発源)10およびチタンからなる金属
ターゲット(蒸発R)11を陰極としてアーク放電を起
こすと、アークはターゲット表面上にアークスポットを
形成し、ターゲット表面上をランダムに走り回る結果、
アークスポットに集中するアーク電流のエネルギ(10
0A)により、ターゲツト材は瞬時に溶融蒸発すると同
時に金属イオン12および13となり、真空中に放出さ
れ、この際、高純度アルミニウム箔とする被コーテイン
グ物14に対しバイアス電圧を印加することにより、こ
れらの金属イオンは、加速さt′LfS反応ガス粒子1
Gと共に被コーテイング物14の表面に密着し、緻密な
膜を生成する。なお、第1図中、18および2oはアー
ク;源、22はバイアス電源、24は回転テーブル、2
6はガス入口、28はガス出口、3oは真空チャンバで
ある。
The outline of the equipment used for cathodic arc evaporation is shown in Figure 1.
When this device is used to generate an arc discharge under a substantial vacuum using a metal target (evaporation source) 10 made of barium and a metal target (evaporation R) 11 made of titanium as cathodes, the arc creates an arc spot on the target surface. As a result, they form and run randomly over the target surface.
The energy of the arc current concentrated at the arc spot (10
0A), the target material instantaneously melts and evaporates into metal ions 12 and 13, which are released into vacuum. The metal ions are accelerated t′LfS reaction gas particles 1
Together with G, it adheres closely to the surface of the object to be coated 14 to form a dense film. In FIG. 1, 18 and 2o are arc sources, 22 is a bias power source, 24 is a rotary table, 2
6 is a gas inlet, 28 is a gas outlet, and 3o is a vacuum chamber.

この蒸着膜を有するアルミニウム箔を用い、リン酸二水
素−アンモニウム水溶液(1,3g/j )中にて85
℃、70Vの陽極酸化条件で陽極酸化を行い、これを電
解コンデンサ用アルミニウム@極として用い、常法によ
り電解コンデンサを製造した。得られた電解コンデンサ
の静電容量を第2表に示す。
Using the aluminum foil having this vapor-deposited film, 85%
C. and 70 V, and using this as an aluminum electrode for an electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor was manufactured by a conventional method. Table 2 shows the capacitance of the obtained electrolytic capacitor.

反敷■ユ 常法によりエツチング処理を施した高純度アルミニウム
箔50x ioo l111を使用し、リン酸二水素−
アンモニウム水浴i (1,3g/# )中にて85℃
、70Vの陽極酸化条件で陽極酸化を行い、このアルミ
ニウム箔を電解コンデンサ用アルミニウム% ffiと
して用い、常法により電解コンデンサを製造した。得ら
れた電解コンデンサの静電容量を第2表に示す。
Using high-purity aluminum foil 50x IOO 111 that has been etched using a conventional method, dihydrogen phosphate-
85°C in ammonium water bath (1,3g/#)
, 70 V anodic oxidation conditions, and using this aluminum foil as aluminum %ffi for an electrolytic capacitor, an electrolytic capacitor was manufactured by a conventional method. Table 2 shows the capacitance of the obtained electrolytic capacitor.

静電容量(+F/c12)  IL4   4.7Capacitance (+F/c12) IL4 4.7

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、陰極アーク蒸着に使用する装置の概略を示す
図である。 10・・・バリウムからなる金属ターゲット(蒸発源) 11・・・チタンからなる金属ターゲット(蒸発源)1
2・・・金属イオン   13・・・金属イオン14・
・・高純度アルミニウムとする被コーテイング物 16・・・反応ガス粒子  18・・・アーク電源20
・・・アーク@ 源22・・・バイアス電源24・・・
回転テーブル  26・・・ガス入口28・・・ガス出
口    30・・・真空チャンバFIG。
FIG. 1 is a diagram schematically showing an apparatus used for cathodic arc deposition. 10... Metal target made of barium (evaporation source) 11... Metal target made of titanium (evaporation source) 1
2...Metal ion 13...Metal ion 14.
...Object to be coated made of high-purity aluminum 16...Reactive gas particles 18... Arc power source 20
... Arc @ source 22 ... bias power supply 24 ...
Rotary table 26...Gas inlet 28...Gas outlet 30...Vacuum chamber FIG.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)高純度アルミニウムの表面にバリウムおよびチタ
ンを陰極アーク蒸着法により付着させ、表面にバリウム
・チタン層を形成させた後、陽極酸化によりバリウム・
チタン酸化物層を形成させたことを特徴とする電解コン
デンサ用アルミニウム電極。
(1) Barium and titanium are deposited on the surface of high-purity aluminum by cathodic arc evaporation to form a barium-titanium layer on the surface, and then barium and titanium are deposited on the surface of high-purity aluminum by anodic oxidation.
An aluminum electrode for an electrolytic capacitor characterized by forming a titanium oxide layer.
JP14871390A 1990-06-08 1990-06-08 Aluminum electrode for electrolytic capacitor Pending JPH0444204A (en)

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Cited By (4)

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