JPH04364035A - Electrode wiring - Google Patents
Electrode wiringInfo
- Publication number
- JPH04364035A JPH04364035A JP13810291A JP13810291A JPH04364035A JP H04364035 A JPH04364035 A JP H04364035A JP 13810291 A JP13810291 A JP 13810291A JP 13810291 A JP13810291 A JP 13810291A JP H04364035 A JPH04364035 A JP H04364035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atoms
- electrode wiring
- wiring
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 40
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 titanium tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- DJQJFMSHHYAZJD-UHFFFAOYSA-N lidofenin Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O DJQJFMSHHYAZJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
電極配線に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to electrode wiring.
【０００２】0002
【従来の技術】砒化ガリウム（ＧａＡｓ）トランジスタ
およびＩＣの電極配線として、主として金（Ａｕ）が用
いられている。Ａｕは化学的に安定であり、また電気抵
抗率が２．３μΩ−ｃｍと小さい。さらに、Ａｕの電極
配線は真空蒸着法とリフトオフ法の組み合わせにより容
易に形成できる。もちろんスパッタ法とイオンミリング
法の組み合わせ、あるいはメッキ法によっても形成でき
る。実際には、図３の従来例の電極配線の断面図に示さ
れるように、チタン（Ｔｉ）２，白金（Ｐｔ）３，Ａｕ
４の順に積層した金属多層膜等が用いられている。図３
ではＧａＡｓ基板１上の電極配線として示されている。
この電極配線の構造は、例えばヒダ（Ｈｉｄａ）等によ
りアイ・イー・イー・イー トランザクションズ
オン エレクトロン デバイシズ（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｄｅｖｉｃｅｓ）第３６巻２２２３頁（１９８９年
）に示されている。この構造でＴｉ層２は下地となるＧ
ａＡｓ基板１あるいは絶縁膜との密着性を向上するため
に用いられ、Ｐｔ層３はＡｕ，Ｔｉ，Ｇａ，Ａｓ等の原
子が相互拡散するのを防止するために用いられる。この
金属多層膜は真空蒸着法とリフトオフ法の組み合わせに
より形成できる。2. Description of the Related Art Gold (Au) is mainly used for electrode wiring of gallium arsenide (GaAs) transistors and ICs. Au is chemically stable and has a low electrical resistivity of 2.3 μΩ-cm. Furthermore, Au electrode wiring can be easily formed by a combination of vacuum evaporation and lift-off methods. Of course, it can also be formed by a combination of sputtering and ion milling, or by plating. In reality, as shown in the cross-sectional view of the conventional electrode wiring in FIG.
A metal multilayer film laminated in the order of 4 is used. Figure 3
, it is shown as an electrode wiring on a GaAs substrate 1. The structure of this electrode wiring is, for example, Hida, etc.
On Electron Devices (IEEE T
transactions on electron
devices), Vol. 36, p. 2223 (1989). In this structure, the Ti layer 2 is the underlying G
The Pt layer 3 is used to improve adhesion to the aAs substrate 1 or the insulating film, and the Pt layer 3 is used to prevent atoms of Au, Ti, Ga, As, etc. from interdiffusion. This metal multilayer film can be formed by a combination of vacuum evaporation method and lift-off method.
【０００３】また、拡散防止層としてＰｔの代わりに、
モリブデン（Ｍｏ），窒化チタン（ＴｉＮ），チタンタ
ングステン（ＴｉＷ），窒化チタンタングステン（Ｔｉ
ＷＮ），タングステン（Ｗ），タングステンシリサイド
（ＷＳｉ），窒化タングステンシリサイド（ＷＳｉＮ）
，ほう化チタン（ＴｉＢ２ ）等の耐熱性金属も用いら
れている。例えばＴｉ／Ｍｏ／Ａｕ構造の電極配線は藤
井等によって第３５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集９２５頁（１９８８年）に示されている。これらの
耐熱性金属はＰｔよりも良好な拡散防止効果を示す。
形成方法としては、これらの金属が高融点のためスパッ
タ法あるいは反応性スパッタ法が主として用いられる。[0003] Also, instead of Pt as a diffusion prevention layer,
Molybdenum (Mo), titanium nitride (TiN), titanium tungsten (TiW), titanium tungsten nitride (Ti
WN), tungsten (W), tungsten silicide (WSi), tungsten silicide nitride (WSiN)
, titanium boride (TiB2), and other heat-resistant metals are also used. For example, electrode wiring having a Ti/Mo/Au structure is shown by Fujii et al. in the proceedings of the 35th Applied Physics Association Conference, page 925 (1988). These refractory metals exhibit better anti-diffusion effects than Pt. As a forming method, a sputtering method or a reactive sputtering method is mainly used because these metals have high melting points.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】従来例で述べたような
電極配線を用いた半導体装置において、長期間の使用に
おいて、ＧａＡｓ基板上の配線部分ではＡｕ層中からＡ
ｕ原子がＰｔ等の拡散防止層中を通ってＧａＡｓ基板中
に拡散することにより、電極配線とＧａＡｓ基板との間
のポテンシャル障壁が小さくなり、電極配線からＧａＡ
ｓ基板へのリーク電流が増大するという問題が生じた。
またオーム性電極上の配線部分では、同様にＡｕ原子が
オーム性電極中およびその下のＧａＡｓ中に拡散し、接
触抵抗が増大するという問題が生じた。これらの問題点
は、半導体装置の動作不良を引き起こした。[Problems to be Solved by the Invention] In a semiconductor device using an electrode wiring as described in the conventional example, during long-term use, the wiring part on the GaAs substrate loses A from the Au layer.
As U atoms diffuse into the GaAs substrate through a diffusion prevention layer such as Pt, the potential barrier between the electrode wiring and the GaAs substrate becomes smaller, and the GaAs is removed from the electrode wiring.
A problem arose in that leakage current to the s-substrate increased. Further, in the wiring portion on the ohmic electrode, similarly, Au atoms diffused into the ohmic electrode and into the GaAs below the ohmic electrode, resulting in an increase in contact resistance. These problems have caused malfunctions of semiconductor devices.
【０００５】拡散防止層としてＷＳｉのような耐熱性金
属を用いた場合には、Ａｕ原子の拡散の抑制効果は大き
い。しかし、膜質によっては、粒界を通ってＡｕ原子の
拡散７が起こることがあり、また電極配線の端部を通っ
て拡散８が起こることもあった。この電極配線端付近に
おけるＡｕ原子の拡散は先に述べた藤井等によっても報
告された。また耐熱性金属には一般的に電気抵抗率が高
いという問題点があり、さらに膜のストレスの制御が難
しく、膜はがれなどを起こすことがあった。[0005] When a heat-resistant metal such as WSi is used as the diffusion prevention layer, the effect of suppressing the diffusion of Au atoms is large. However, depending on the film quality, diffusion 7 of Au atoms may occur through the grain boundaries, and diffusion 8 may occur through the ends of the electrode wiring. This diffusion of Au atoms near the ends of the electrode wiring was also reported by Fujii et al. mentioned above. Furthermore, heat-resistant metals generally have a problem of high electrical resistivity, and furthermore, it is difficult to control the stress on the film, which can sometimes cause film peeling.
【０００６】ここで述べたようなＡｕ原子の拡散の経路
は図３に矢印で示してある。[0006] The diffusion route of Au atoms as described here is shown by arrows in FIG.
【０００７】本発明の目的は、従来のＡｕが下地へ拡散
しやすく、信頼性に欠けるという欠点を除去した電極配
線を提供することにある。[0007] An object of the present invention is to provide an electrode wiring which eliminates the conventional drawback that Au easily diffuses into the underlying layer and lacks reliability.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の電極配線は、銀
層と、銀層上に形成された金属とによって構成されるこ
とを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The electrode wiring of the present invention is characterized in that it is composed of a silver layer and a metal formed on the silver layer.
【０００９】[0009]
【作用】図１は本発明の配線金属の一実施例として、Ｇ
ａＡｓ基板上に形成された電極配線を示す断面図である
。ＧａＡｓ基板１上にＴｉ２，Ｐｔ層３，Ａｇ層５が順
に形成されている。図２は、図１に示した実施例を用い
た半導体装置を長時間動作させた場合における、図１に
示した一実施例の配線電極の変化を示す断面図である。[Operation] FIG. 1 shows an example of the wiring metal of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing electrode wiring formed on an aAs substrate. A Ti layer 2, a Pt layer 3, and an Ag layer 5 are formed in this order on a GaAs substrate 1. FIG. 2 is a cross-sectional view showing changes in the wiring electrode of the embodiment shown in FIG. 1 when the semiconductor device using the embodiment shown in FIG. 1 is operated for a long time.
【００１０】この構造において、半導体装置の長期間の
使用により、Ａｕ層５中のＡｕ原子はＡｇ層４中へ拡散
する。拡散したＡｕ原子はＡｇ原子との合金層６を形成
する。この合金層６は熱的に安定であり、下のＰｔ層３
へのＡｕ原子の拡散が起こりにくい。つまり、Ａｕ原子
の拡散が、Ａｇ層４との安定な合金層６を形成すること
により抑制されることになる。電極配線端を経由したＡ
ｕ原子の拡散も抑制できる。さらには、Ａｇ層へのＡｕ
原子の拡散速度は、Ｐｔ層などの拡散防止層へのＡｕ原
子の拡散速度に比べて小さく、Ａｇ層自信も拡散防止層
として働く。またＡｇ原子のＧａＡｓ基板１中への拡散
速度はＡｕ原子の場合より小さく問題とならない。In this structure, Au atoms in the Au layer 5 diffuse into the Ag layer 4 due to long-term use of the semiconductor device. The diffused Au atoms form an alloy layer 6 with Ag atoms. This alloy layer 6 is thermally stable and the underlying Pt layer 3
It is difficult for Au atoms to diffuse into. In other words, diffusion of Au atoms is suppressed by forming a stable alloy layer 6 with the Ag layer 4. A via the electrode wiring end
Diffusion of u atoms can also be suppressed. Furthermore, Au to Ag layer
The diffusion rate of atoms is smaller than the diffusion rate of Au atoms into a diffusion prevention layer such as a Pt layer, and the Ag layer itself also acts as a diffusion prevention layer. Further, the diffusion rate of Ag atoms into the GaAs substrate 1 is smaller than that of Au atoms and does not pose a problem.
【００１１】このように、本発明の電極配線構造では、
電極配線からＧａＡｓ基板へのリーク電流が増大すると
いう問題が生じない。またオーム性電極上の配線部分で
接触抵抗が増大するという問題が生じない。従って、半
導体装置の動作不良が引き起こされるという問題が解決
される。さらに、ＷＳｉ等の高融点金属を用いなくても
十分に信頼性の高い電極配線が得られる。従って、高融
点金属を用いた場合の膜はがれのような問題とは無縁で
ある。As described above, in the electrode wiring structure of the present invention,
This eliminates the problem of increased leakage current from the electrode wiring to the GaAs substrate. Further, the problem of increased contact resistance at the wiring portion on the ohmic electrode does not occur. Therefore, the problem of malfunction of the semiconductor device is solved. Furthermore, sufficiently reliable electrode wiring can be obtained without using a high melting point metal such as WSi. Therefore, there is no problem such as film peeling when using a high melting point metal.
【００１２】さらにＡｇの電気抵抗率は１．５９μΩ−
ｃｍであり、Ａｕよりも小さい。Ａｕとの合金層を形成
しても、抵抗率の増大は小さい。従って、少なくともＡ
ｇ層４の存在によって、配線抵抗が増大するという問題
は生じない。Furthermore, the electrical resistivity of Ag is 1.59μΩ-
cm, which is smaller than Au. Even if an alloy layer with Au is formed, the increase in resistivity is small. Therefore, at least A
Due to the presence of the g layer 4, the problem of increased wiring resistance does not occur.
【００１３】またこの電極構造では、化学的に不活性な
Ａｕ層５によってＡｇ層４がほとんど覆われているため
、Ａｇ層４が酸化されて抵抗が増大するという問題を避
けられる。Furthermore, in this electrode structure, since the Ag layer 4 is almost completely covered by the chemically inert Au layer 5, the problem of increased resistance due to oxidation of the Ag layer 4 can be avoided.
【００１４】本発明の電極配線構造は、真空蒸着法とリ
フトオフ法の組み合わせにより容易に形成でき、従来の
電極配線形成の工程を複雑にすることはない。もちろん
スパッタ法とイオンミリング法の組み合わせ等の他の方
法によっても形成できる。The electrode wiring structure of the present invention can be easily formed by a combination of vacuum deposition method and lift-off method, and does not complicate the conventional electrode wiring formation process. Of course, it can also be formed by other methods such as a combination of sputtering and ion milling.
【００１５】[0015]
【実施例】次に、本発明の一実施例として、図１および
図２を参照して説明する。ＧａＡｓ基板１上にＴｉ層２
（厚さ５０ｎｍ），Ｐｔ層３（厚さ５０ｎｍ），Ａｇ層
４（厚さ５０ｎｍ），Ａｕ層５（厚さ２５０ｎｍ）が順
に形成されている。これらの多層膜は、真空蒸着法によ
ってＧａＡｓ基板上に連続して形成でき、電極配線パタ
ンはリフトオフ法によって形成できる。Embodiment Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Ti layer 2 on GaAs substrate 1
(thickness: 50 nm), Pt layer 3 (thickness: 50 nm), Ag layer 4 (thickness: 50 nm), and Au layer 5 (thickness: 250 nm) are formed in this order. These multilayer films can be continuously formed on a GaAs substrate by vacuum evaporation, and the electrode wiring pattern can be formed by lift-off.
【００１６】この構造において、Ａｕ層５中のＡｕ原子
の拡散は、Ａｇ層４との安定な合金層６を形成すること
により抑制される。またＡｇ原子のＧａＡｓ基板１中へ
の拡散速度はＡｕ原子の場合より小さく問題とならない
。またＡｇ層４の電気抵抗率は低く、配線抵抗が増大す
るという問題は生じない。さらに、化学的に不活性なＡ
ｕ層５によってＡｇ層４がほとんど覆われているため、
Ａｇ層４が酸化されて抵抗が増大するという問題を避け
られる。Ａｇ層４は真空蒸着法とリフトオフ法の組み合
わせにより容易に形成できるため、従来の電極配線形成
の工程を複雑にすることなく、信頼性の高い電極配線が
得られる。In this structure, diffusion of Au atoms in the Au layer 5 is suppressed by forming a stable alloy layer 6 with the Ag layer 4. Further, the diffusion rate of Ag atoms into the GaAs substrate 1 is smaller than that of Au atoms and does not pose a problem. Furthermore, the electrical resistivity of the Ag layer 4 is low, and the problem of increased wiring resistance does not occur. Furthermore, chemically inert A
Since the Ag layer 4 is almost covered by the u layer 5,
The problem of increased resistance due to oxidation of the Ag layer 4 can be avoided. Since the Ag layer 4 can be easily formed by a combination of a vacuum evaporation method and a lift-off method, highly reliable electrode wiring can be obtained without complicating the conventional electrode wiring formation process.
【００１７】各金属層の厚さはここに示した値である必
要はない。またここではＴｉ／Ｐｔ／Ａｇ／Ａｕ構造の
電極配線について述べたが、Ｐｔ層３は例えばＭｏのよ
うな他の金属層あるいは多層金属層でもかまわない。Ｐ
ｔやＭｏなどの拡散防止層はなくてもかまわないが、存
在する方がＡｕの拡散防止効果はより大きくなり、電極
配線の信頼性が増加する。Ｔｉ層２は、電極配線の下地
への密着性が問題とならない場合には無くてもかまわな
い。極端な場合、Ａｇ層４とＡｕ層５のみでも、高信頼
性が要求されない場合には十分である。またＡｇ層４と
Ａｕ層５の間にＰｔ層のような拡散防止層をはさんだＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｇ／Ｔｉ／Ａｕのような構造でもかまわな
い。The thickness of each metal layer does not have to be the values shown here. Although the electrode wiring having a Ti/Pt/Ag/Au structure has been described here, the Pt layer 3 may be another metal layer such as Mo or a multilayer metal layer. P
Although there is no need for a diffusion prevention layer such as T or Mo, the presence of the diffusion prevention layer of Au will be greater and the reliability of the electrode wiring will increase. The Ti layer 2 may be omitted if the adhesion of the electrode wiring to the base is not a problem. In an extreme case, the Ag layer 4 and Au layer 5 alone are sufficient if high reliability is not required. In addition, a diffusion prevention layer such as a Pt layer is sandwiched between the Ag layer 4 and the Au layer 5.
A structure such as i/Pt/Ag/Ti/Au may also be used.
【００１８】電極配線の形成方法はここに示した方法で
ある必要はなく、例えば真空蒸着法とイオンミリング法
の組み合わせ、あるいはスパッタ法とイオンミリング法
の組み合わせなどの他の方法によってもかまわない。The method for forming the electrode wiring does not have to be the method shown here, and other methods such as a combination of vacuum evaporation and ion milling, or a combination of sputtering and ion milling may be used.
【００１９】また、ここではＧａＡｓ基板１上の電極配
線について説明したが、Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ多層金属膜等
で形成されたオーム性電極上の配線あるいはＴｉ／Ａｕ
等で形成されたショットキー電極上の配線に用いても、
Ａｕ原子の拡散が抑制されることにより信頼性が向上し
、十分な効果が得られる。あるいはショットキー電極そ
のものにこの電極配線構造を用いても効果が得られる。
さらには、絶縁膜上の電極配線、あるいはＩｎＰ基板や
Ｓｉ基板上の電極配線としても用いてもかまわない。Although the electrode wiring on the GaAs substrate 1 has been explained here, the wiring on the ohmic electrode formed of a multilayer metal film of Au/Ge/Ni or the like or the Ti/Au
Even when used for wiring on Schottky electrodes formed by
By suppressing the diffusion of Au atoms, reliability is improved and sufficient effects can be obtained. Alternatively, the effect can be obtained by using this electrode wiring structure for the Schottky electrode itself. Furthermore, it may be used as electrode wiring on an insulating film, or as electrode wiring on an InP substrate or a Si substrate.
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明の電極配線構造において、Ａｕ層
中のＡｕ原子の拡散は、Ａｇ層との安定な合金層を形成
することにより抑制されるため、ＧａＡｓ中へ拡散しな
い。従って信頼性の高い電極配線が得られる。Effects of the Invention In the electrode wiring structure of the present invention, diffusion of Au atoms in the Au layer is suppressed by forming a stable alloy layer with the Ag layer, so that they do not diffuse into GaAs. Therefore, highly reliable electrode wiring can be obtained.
【図１】本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view for explaining one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view for explaining one embodiment of the present invention.
【図３】従来の電極配線を説明するための断面図である
。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining conventional electrode wiring.
１ ＧａＡｓ基板 ２ Ｔｉ層（密着性強化層） ３ Ｐｔ層（拡散防止層） ４ Ａｇ層 ５ Ａｕ層 ６ ＡｕとＡｇとの合金層 1 GaAs substrate 2 Ti layer (adhesion reinforcement layer) 3 Pt layer (diffusion prevention layer) 4 Ag layer 5 Au layer 6 Alloy layer of Au and Ag
Claims (1)
とによって構成されることを特徴とする電極配線。1. An electrode wiring comprising a silver layer and a gold layer formed on the silver layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810291A JPH04364035A (en) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Electrode wiring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810291A JPH04364035A (en) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Electrode wiring |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364035A true JPH04364035A (en) | 1992-12-16 |
Family
ID=15213999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13810291A Withdrawn JPH04364035A (en) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | Electrode wiring |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364035A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005184005A (en) * | 2003-12-23 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Flip-chip nitride light emitting element and its manufacturing method |
| JP2010034355A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Heterojunction bipolar transistor |
| JP2011233899A (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP13810291A patent/JPH04364035A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005184005A (en) * | 2003-12-23 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Flip-chip nitride light emitting element and its manufacturing method |
| JP2010034355A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Heterojunction bipolar transistor |
| JP2011233899A (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2967743B2 (en) | Contact electrode of n-type gallium nitride based semiconductor and method of forming the same | |
| JP2701730B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2003243323A (en) | Semiconductor element and its manufacturing method | |
| US5422307A (en) | Method of making an ohmic electrode using a TiW layer and an Au layer | |
| TWI291232B (en) | Copper metalized ohmic contact electrode of compound semiconductor device | |
| US6809352B2 (en) | Palladium silicide (PdSi) schottky electrode for gallium nitride semiconductor devices | |
| JPH04364035A (en) | Electrode wiring | |
| US6573599B1 (en) | Electrical contact for compound semiconductor device and method for forming same | |
| US6787910B2 (en) | Schottky structure in GaAs semiconductor device | |
| JP3344416B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH10284437A (en) | Method for forming metal interconnection layer of semiconductor device | |
| JP2599432B2 (en) | Method of forming ohmic electrode | |
| JPS6015970A (en) | Semiconductor device | |
| JPH01166556A (en) | N-type gaas ohmic electrode and formation thereof | |
| JP2630208B2 (en) | Ohmic electrode | |
| JP3171677B2 (en) | Ohmic electrode | |
| JP4147441B2 (en) | Compound semiconductor device | |
| US6037663A (en) | Ohmic electrode structure for Inx Ga1-x As layer | |
| JPH05167063A (en) | Ohmic electrode, its formation method and semiconductor device | |
| JP3017810B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| TW550715B (en) | Method for manufacturing a microelectronic device and device manufacturing in accordance with said method | |
| JP2599433B2 (en) | Method of forming ohmic electrode | |
| JP2713697B2 (en) | Ohmic electrode for p-type compound semiconductor, bipolar transistor using the same, and methods of manufacturing the same | |
| JP2002261044A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3123217B2 (en) | Method of forming ohmic electrode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |