JPH04356934A - 絶縁樹脂ペースト - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC、LSI等の半導体
素子を金属フレーム等に接着する絶縁ペーストに関する
ものである。
素子を金属フレーム等に接着する絶縁ペーストに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体
にAu−Si共晶法により接合し、次いでハーメチック
シールによって封止して、半導体製品とするのが普通で
あった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂
封止法が開発され、現在は、一般化されている。これに
伴い、マウント工程に於けるAu−Si共晶法の改良と
してハンダ材料や導電性樹脂ペーストや樹脂ペーストと
いったマウント用樹脂による方法が取り上げられるよう
になった。
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと
進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集
積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、こ
れらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於
ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題とな
ってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体
にAu−Si共晶法により接合し、次いでハーメチック
シールによって封止して、半導体製品とするのが普通で
あった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂
封止法が開発され、現在は、一般化されている。これに
伴い、マウント工程に於けるAu−Si共晶法の改良と
してハンダ材料や導電性樹脂ペーストや樹脂ペーストと
いったマウント用樹脂による方法が取り上げられるよう
になった。
【0003】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極を汚染し易いこと等が欠点とされ、高熱伝導
性を要するパワートランジスター、パワーICの素子に
使用が限られている。これに対しマウント用樹脂はハン
ダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れ
ており、その需要が急激に増大している。中でも、シリ
カ粉末を用いた絶縁ペーストは貴金属を全く用いていな
いため安価であり、特に導電性を必要としない用途での
需要が増大している。
素子の電極を汚染し易いこと等が欠点とされ、高熱伝導
性を要するパワートランジスター、パワーICの素子に
使用が限られている。これに対しマウント用樹脂はハン
ダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れ
ており、その需要が急激に増大している。中でも、シリ
カ粉末を用いた絶縁ペーストは貴金属を全く用いていな
いため安価であり、特に導電性を必要としない用途での
需要が増大している。
【0004】更に最近、IC等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフレームである42合金フレームが高価なこ
とより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられ
るようになってきた。ここで、IC等のチップの大きさ
が約4〜5mm角より、大きくなるとマウント法として
Au−Si共晶法を用いた場合には組立工程での加熱に
よりチップと銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップ
のクラックや反りが発生しこれに起因する特性不良が問
題となっている。
り、チップが大型化してきており、一方従来用いられて
きたリードフレームである42合金フレームが高価なこ
とより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられ
るようになってきた。ここで、IC等のチップの大きさ
が約4〜5mm角より、大きくなるとマウント法として
Au−Si共晶法を用いた場合には組立工程での加熱に
よりチップと銅フレームの熱膨張率の差に基づくチップ
のクラックや反りが発生しこれに起因する特性不良が問
題となっている。
【0005】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が3×10−8/℃であるのに対し、42
合金フレームでは8×10−6/℃であるが、銅フレー
ムでは20×10−6/℃と大きくなる為である。これ
に対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いること
が考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペーストでは、熱
硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が大きく、チッ
プと銅フレームとの歪を吸収するに至らなかった。一方
、線状高分子タイプのポリイミド樹脂系ではエポキシ樹
脂に較べ弾性率が小さく、チップの反りは改良される。 しかし、ポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用いる
には、作業性の点から、N−メチル−2−ピロリドン、
N、N−ジメチルホルムアミド等の多量の極性溶剤に溶
解して、粘度を低くしなければならない。この時の溶剤
量は、マウント樹脂中の30重量%以上にもなり、チッ
プと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化加熱時の
溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成し、接着強
度低下、及び熱伝導不良の原因となり、信頼性面から好
ましくない。
等の熱膨張率が3×10−8/℃であるのに対し、42
合金フレームでは8×10−6/℃であるが、銅フレー
ムでは20×10−6/℃と大きくなる為である。これ
に対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いること
が考えられるが、従来のエポキシ樹脂ペーストでは、熱
硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が大きく、チッ
プと銅フレームとの歪を吸収するに至らなかった。一方
、線状高分子タイプのポリイミド樹脂系ではエポキシ樹
脂に較べ弾性率が小さく、チップの反りは改良される。 しかし、ポリイミド樹脂をマウント用樹脂として用いる
には、作業性の点から、N−メチル−2−ピロリドン、
N、N−ジメチルホルムアミド等の多量の極性溶剤に溶
解して、粘度を低くしなければならない。この時の溶剤
量は、マウント樹脂中の30重量%以上にもなり、チッ
プと金属フレームとの接着に用いた場合、硬化加熱時の
溶剤の抜け跡として硬化物中にボイドが生成し、接着強
度低下、及び熱伝導不良の原因となり、信頼性面から好
ましくない。
【0006】また絶縁樹脂ペーストにおいて含有シリカ
フィラー量を少なくすると低弾圧率化は図れるが、より
低弾圧率の絶縁樹脂ペーストが要求されているとともに
、超微粒子シリカ粉末を併用しないとペーストの揺変度
が低いためディスペンス時にたれや糸引きが生じ非常に
作業性が悪化する。
フィラー量を少なくすると低弾圧率化は図れるが、より
低弾圧率の絶縁樹脂ペーストが要求されているとともに
、超微粒子シリカ粉末を併用しないとペーストの揺変度
が低いためディスペンス時にたれや糸引きが生じ非常に
作業性が悪化する。
【0007】さらに使用する超微粒子シリカ粉末が何ん
ら表面処理を施していない通常のシリカ粉末だと表面の
シラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素
結合を取りはじめ粘度および揺変度の低下が起こり作業
性の低下につながっていた。
ら表面処理を施していない通常のシリカ粉末だと表面の
シラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水素
結合を取りはじめ粘度および揺変度の低下が起こり作業
性の低下につながっていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は揺変度が高く
、ディスペンサー塗布時の作業性に優れかつその経時変
化がなく、IC等の大型チップと銅フレームとの組合せ
でもチップクラックやチップの反りによるIC等の特性
不良が起らない絶縁ペーストを提供するものである。
、ディスペンサー塗布時の作業性に優れかつその経時変
化がなく、IC等の大型チップと銅フレームとの組合せ
でもチップクラックやチップの反りによるIC等の特性
不良が起らない絶縁ペーストを提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)シリカ
フィラー、(B)常温で液状のエポキシ樹脂、(C)硬
化剤および(D)可撓性付与剤を必須成分とし、該成分
中に(A)シリカフィラーが10〜30重量%でシリカ
フィラー中の10〜50重量%が1次粒子の平均粒径が
2〜50nmでかつ表面のシラノール基の50%以上と
下記式〔I〕で示される有機珪素ハロゲン化合物あるい
はアルコール類と反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉
末であり、(D)可撓性付与剤としてエポキシ基を有す
るポリブタジエン化合物を3〜20重量%含有する絶縁
樹脂ペーストで塗布作業性が良好でかつその経時変化が
なく、また硬化物の弾圧率が小さく、シリコンチップと
銅フレームとの熱膨張率の差による歪みを吸収し、応力
緩和特性に優れているものである。
フィラー、(B)常温で液状のエポキシ樹脂、(C)硬
化剤および(D)可撓性付与剤を必須成分とし、該成分
中に(A)シリカフィラーが10〜30重量%でシリカ
フィラー中の10〜50重量%が1次粒子の平均粒径が
2〜50nmでかつ表面のシラノール基の50%以上と
下記式〔I〕で示される有機珪素ハロゲン化合物あるい
はアルコール類と反応させた疎水性の超微粒子シリカ粉
末であり、(D)可撓性付与剤としてエポキシ基を有す
るポリブタジエン化合物を3〜20重量%含有する絶縁
樹脂ペーストで塗布作業性が良好でかつその経時変化が
なく、また硬化物の弾圧率が小さく、シリコンチップと
銅フレームとの熱膨張率の差による歪みを吸収し、応力
緩和特性に優れているものである。
【0010】本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において、溶剤を必要とする。溶
剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下さ
せてしまう。
のものに限定してあるが、常温で液状のものでないとシ
リカフィラーとの混練において、溶剤を必要とする。溶
剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下さ
せてしまう。
【0011】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、例
えばビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるポ
リグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシク
ロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシ
ド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはn−ブチルグリシジルエーテル
、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオキ
サイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシ
ジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドのよ
うな通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるものが
ある。
えばビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノール
ノボラックとエピクロルヒドリンとの反応で得られるポ
リグリシジルエーテルで常温で液状のもの、ビニルシク
ロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシ
ド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのような
脂環式エポキシ、更にはn−ブチルグリシジルエーテル
、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオキ
サイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシ
ジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシドのよ
うな通常エポキシ樹脂の希釈剤として用いられるものが
ある。
【0012】また硬化剤としては特に限定されないがフ
ェノール樹脂系硬化剤とジシアンジアミド、アジピン酸
ヒドラジド等の潜在型アミン化合物の併用が好ましい。 更に、本発明においては、必要に応じ、硬化促進剤、顔
料、染料、消泡剤等の添加剤を用いることもできる。
ェノール樹脂系硬化剤とジシアンジアミド、アジピン酸
ヒドラジド等の潜在型アミン化合物の併用が好ましい。 更に、本発明においては、必要に応じ、硬化促進剤、顔
料、染料、消泡剤等の添加剤を用いることもできる。
【0013】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
が1μm以上、20μm以下の溶融および/または破砕
シリカ粉末および一次粒子の平均粒子径が2〜50nm
の疎水性超微粒子シリカ粉末からなり、全シリカフィラ
ー中の疎水性超微粒子シリカ粉末は、10〜50重量%
である。さらにシリカフィラーと常温で液状のエポキシ
樹脂、硬化剤および可撓性付与剤からなる絶縁樹脂組成
物中に10〜30重量%のシリカフィラーを含有する。
が1μm以上、20μm以下の溶融および/または破砕
シリカ粉末および一次粒子の平均粒子径が2〜50nm
の疎水性超微粒子シリカ粉末からなり、全シリカフィラ
ー中の疎水性超微粒子シリカ粉末は、10〜50重量%
である。さらにシリカフィラーと常温で液状のエポキシ
樹脂、硬化剤および可撓性付与剤からなる絶縁樹脂組成
物中に10〜30重量%のシリカフィラーを含有する。
【0014】絶縁樹脂ペースト中の全シリカフィラー量
が10重量%より少ないとマウント後の接着強度が不足
し、30重量%より多いと硬化物の弾圧率が上がるため
チップの反りが大きくなり、目的とする応力緩和特性が
望めない。またシリカフィラー中の超微粒子シリカ粉末
が10重量%より少ないとペーストの揺変度が小さすぎ
るため、ペーストのたれや糸引きが生じ、塗布作業性が
悪くなる。また、50重量%より多いと樹脂ペーストの
粘度が高くなりすぎる為実用的ではない。
が10重量%より少ないとマウント後の接着強度が不足
し、30重量%より多いと硬化物の弾圧率が上がるため
チップの反りが大きくなり、目的とする応力緩和特性が
望めない。またシリカフィラー中の超微粒子シリカ粉末
が10重量%より少ないとペーストの揺変度が小さすぎ
るため、ペーストのたれや糸引きが生じ、塗布作業性が
悪くなる。また、50重量%より多いと樹脂ペーストの
粘度が高くなりすぎる為実用的ではない。
【0015】さらに使用する超微粒子シリカ粉末が、何
んら表面処理を施していない通常のシリカ粉末だと表面
のシラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水
素結合を取りはじめ、粘度および揺変度の低下が起こり
、塗布作業性が低下してしまうので好ましくない。
んら表面処理を施していない通常のシリカ粉末だと表面
のシラノール基が樹脂ペースト中の樹脂成分と徐々に水
素結合を取りはじめ、粘度および揺変度の低下が起こり
、塗布作業性が低下してしまうので好ましくない。
【0016】可撓性付与剤としてのポリブタジエン化合
物はエポキシ基を有することが必要で、エポキシ基を有
しないポリブタジエンを用いると硬化後エポキシ樹脂と
の分離が生じるため接着力が低下するとともに耐湿性が
悪化する。またポリブタジエン化合物が絶縁樹脂ペース
ト中で3重量%より少ないと目的とする応力緩和特性を
発揮し得ないし、20重量%を越えるとペーストの粘度
が上がり過ぎ実用的ではない。さらにポリブタジエン化
合物の分子量は作業性の面より、500〜3000程度
が好ましく、エポキシ基は1分子あたり2個以上である
ことが好ましい。
物はエポキシ基を有することが必要で、エポキシ基を有
しないポリブタジエンを用いると硬化後エポキシ樹脂と
の分離が生じるため接着力が低下するとともに耐湿性が
悪化する。またポリブタジエン化合物が絶縁樹脂ペース
ト中で3重量%より少ないと目的とする応力緩和特性を
発揮し得ないし、20重量%を越えるとペーストの粘度
が上がり過ぎ実用的ではない。さらにポリブタジエン化
合物の分子量は作業性の面より、500〜3000程度
が好ましく、エポキシ基は1分子あたり2個以上である
ことが好ましい。
【0017】本発明の製造方法は例えば各成分を予備混
合し三本ロールを用いて混練しペーストを得て、真空下
脱泡することなどがある。
合し三本ロールを用いて混練しペーストを得て、真空下
脱泡することなどがある。
【0018】
【実施例】以下実施例で本発明を具体的に説明する。配
合割合は重量部で示す。
合割合は重量部で示す。
【0019】実施例1〜4
平均粒径が3μmの球状無定形シリカ粉末(以下球状シ
リカ)と一次粒子の平均粒径が約12nmでかつ表面の
シラノール基の約70%をジメチルジクロロシランで処
理した疎水性の超微粒子シリカ粉末(以下疎水シリカA
)、およびビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの
反応により得られるジグリシジルエーテル(エポキシ当
量180で常温で液状。以下エポキシ樹脂)とフェノー
ルノボラック樹脂(OH当量104、軟化点110℃)
、ジシアンジアミド、希釈剤のクレジルグリシジルエー
テルならびにエポキシ基を有するポリブタジエン化合物
(品名Poly bd R−45EPT:出光石油
化学(株)製)(以下ポリブタA)を表1に示す割合で
配合し、三本ロールで混練して絶縁樹脂ペーストを得た
。この絶縁樹脂ペーストを真空チャンバーにて2mmH
g、30分間脱泡した後、以下の方法により各性能を評
価した。結果を表1に示す。
リカ)と一次粒子の平均粒径が約12nmでかつ表面の
シラノール基の約70%をジメチルジクロロシランで処
理した疎水性の超微粒子シリカ粉末(以下疎水シリカA
)、およびビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの
反応により得られるジグリシジルエーテル(エポキシ当
量180で常温で液状。以下エポキシ樹脂)とフェノー
ルノボラック樹脂(OH当量104、軟化点110℃)
、ジシアンジアミド、希釈剤のクレジルグリシジルエー
テルならびにエポキシ基を有するポリブタジエン化合物
(品名Poly bd R−45EPT:出光石油
化学(株)製)(以下ポリブタA)を表1に示す割合で
配合し、三本ロールで混練して絶縁樹脂ペーストを得た
。この絶縁樹脂ペーストを真空チャンバーにて2mmH
g、30分間脱泡した後、以下の方法により各性能を評
価した。結果を表1に示す。
【0020】粘度
E型粘度計を用い25℃、2.5rpmでの値を粘度と
した。 揺変度 次式に従い0.5rpmと2.5rpmでの粘度の比を
もって揺変度とした。 マウント強度 銀めっきした銅フレームにペーストを塗布し2×2mm
のシリコンチップをマウント後、60′200℃硬化し
、300℃の熱板上でテンションゲージを用いて接着強
度を測定した。 ペーストのたれ 内径1.0mmのニードルをつけたシリンジにペースト
を5ml入れ、ニードルを下にして試験管立てに垂直に
置き、30分後ニードルの先端にたれたペーストの重量
を測定した。 糸ひき性 絶縁樹脂ペーストの中へ直径1mmφのピンを深さ5m
mまで沈めて、それを300mm/分の速度で引き上げ
ペーストが切れた時の高さを測定した。 チップ歪 銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコンチップ(
サイズ:6×15×0.3mm)をマウントして200
℃1時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計にて
チップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂上
までの高さを測定した。
した。 揺変度 次式に従い0.5rpmと2.5rpmでの粘度の比を
もって揺変度とした。 マウント強度 銀めっきした銅フレームにペーストを塗布し2×2mm
のシリコンチップをマウント後、60′200℃硬化し
、300℃の熱板上でテンションゲージを用いて接着強
度を測定した。 ペーストのたれ 内径1.0mmのニードルをつけたシリンジにペースト
を5ml入れ、ニードルを下にして試験管立てに垂直に
置き、30分後ニードルの先端にたれたペーストの重量
を測定した。 糸ひき性 絶縁樹脂ペーストの中へ直径1mmφのピンを深さ5m
mまで沈めて、それを300mm/分の速度で引き上げ
ペーストが切れた時の高さを測定した。 チップ歪 銅フレーム上に絶縁ペーストを塗布しシリコンチップ(
サイズ:6×15×0.3mm)をマウントして200
℃1時間オーブン中で硬化した。これを表面粗さ計にて
チップの両端を結ぶ線上から垂直にチップの反りの頂上
までの高さを測定した。
【0021】実施例6
使用する超微粒子シリカ粉末として一次粒子の粒径が約
12nmでかつ表面をオクチルトリメトキシシランで処
理した疎水性の超微粒子シリカ粉末(以下疎水シリカB
)を用いた他は実施例1〜5と同様にして絶縁樹脂ペー
ストを作製し、評価した。結果を表1に示す。
12nmでかつ表面をオクチルトリメトキシシランで処
理した疎水性の超微粒子シリカ粉末(以下疎水シリカB
)を用いた他は実施例1〜5と同様にして絶縁樹脂ペー
ストを作製し、評価した。結果を表1に示す。
【0022】比較例1〜5
表2に示す配合割合で実施例と同様にして絶縁樹脂ペー
ストを得た。比較例5では可撓性付与剤としてエポキシ
基を有しないポリブタジエン化合物(品名Poly
bd R−45HT:出光石油化学(株)製)(以下
ポリブタB)を用いた。また比較例6では一次粒子の平
均粒径が約12nmで表面処理を施していない親水性の
超微粒子シリカ粉末(以下親水シリカ)を用いた。評価
結果を表2に示す。
ストを得た。比較例5では可撓性付与剤としてエポキシ
基を有しないポリブタジエン化合物(品名Poly
bd R−45HT:出光石油化学(株)製)(以下
ポリブタB)を用いた。また比較例6では一次粒子の平
均粒径が約12nmで表面処理を施していない親水性の
超微粒子シリカ粉末(以下親水シリカ)を用いた。評価
結果を表2に示す。
【0023】
【表1】
【0024】
【表2】
【0025】
【発明の効果】本発明の絶縁樹脂ペーストは揺変度が高
く塗布作業性が良好でかつその経時変化がなくまた硬化
物の弾性率が低く、銅、42アロイ等の金属フレーム、
セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基板へのIC
等の半導体素子の接着に用いることができ、特に銅フレ
ーム上への大型チップの接着に適しており、銅フレーム
とシリコーンチップとの熱膨張率の差に基ずくIC等の
特性不良を防ぐことができ、従来になかった応力緩和特
性に優れたマウント用絶縁樹脂ペーストである。
く塗布作業性が良好でかつその経時変化がなくまた硬化
物の弾性率が低く、銅、42アロイ等の金属フレーム、
セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基板へのIC
等の半導体素子の接着に用いることができ、特に銅フレ
ーム上への大型チップの接着に適しており、銅フレーム
とシリコーンチップとの熱膨張率の差に基ずくIC等の
特性不良を防ぐことができ、従来になかった応力緩和特
性に優れたマウント用絶縁樹脂ペーストである。
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)シリカフィラー、(B)常温で
液状のエポキシ樹脂、(C)硬化剤および(D)可撓性
付与剤を必須成分とし、該成分中に(A)シリカフィラ
ーが10〜30重量%でシリカフィラー中の10〜50
重量%が1次粒子の平均粒径が2〜50nmでかつ表面
のシラノール基の50%以上と下記式〔I〕で示される
有機珪素ハロゲン化合物あるいはアルコール類と反応さ
せた疎水性の超微粒子シリカ粉末であり、(D)可撓性
付与剤としてエポキシ基を有するポリブタジエン化合物
を3〜20重量%含有することを特徴とする絶縁樹脂ペ
ースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3228122A JP2935919B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 絶縁樹脂ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3228122A JP2935919B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 絶縁樹脂ペースト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04356934A true JPH04356934A (ja) | 1992-12-10 |
JP2935919B2 JP2935919B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16871560
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JP3228122A Expired - Lifetime JP2935919B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 絶縁樹脂ペースト |
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Cited By (8)
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JPH08124967A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
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-
1991
- 1991-05-31 JP JP3228122A patent/JP2935919B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
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JPH08124967A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
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JP2935919B2 (ja) | 1999-08-16 |
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