JPH04325672A - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
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- JPH04325672A JPH04325672A JP9580391A JP9580391A JPH04325672A JP H04325672 A JPH04325672 A JP H04325672A JP 9580391 A JP9580391 A JP 9580391A JP 9580391 A JP9580391 A JP 9580391A JP H04325672 A JPH04325672 A JP H04325672A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成の手段として用
いるスパッタリング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus used as a means for forming thin films.
【0002】0002
【従来の技術】近年、スパッタリングは薄膜形成におい
て最も一般的に用いられている成膜手段であり種々のデ
バイス製造に用いられている。2. Description of the Related Art In recent years, sputtering is the most commonly used method for forming thin films, and is used in the manufacture of various devices.
【0003】以下に従来のスパッタリング装置について
説明する。図2は、従来のスパッタリング装置を示すも
のである。図2において、11は真空槽である。12は
パレットであり、回転軸17を介してモータ18に接続
されている。13,14は基板であり、基板保持具15
,16によってパレット12に装着されている。19,
20はターゲットであり、基板13,14に対向する位
置に設置されている。実際にはターゲットの数は4個程
度、基板の数は10枚程度とするのが一般的であるが、
本図では簡略化のために省略した。A conventional sputtering apparatus will be explained below. FIG. 2 shows a conventional sputtering apparatus. In FIG. 2, 11 is a vacuum chamber. A pallet 12 is connected to a motor 18 via a rotating shaft 17. 13 and 14 are substrates, and a substrate holder 15
, 16 to the pallet 12. 19,
Reference numeral 20 denotes a target, which is installed at a position facing the substrates 13 and 14. In reality, the number of targets is generally about 4 and the number of substrates is about 10.
This figure is omitted for simplicity.
【0004】以上のように構成されたスパッタリング装
置は、ターゲットの使用効率の向上と基板1枚当りの成
膜時間の短縮を図ったものであり、モータ18によって
パレット12を回転させながら、ターゲット19,20
を同時に使用して成膜を行なう。The sputtering apparatus constructed as described above is intended to improve the efficiency of target use and shorten the film forming time per substrate. ,20
Film formation is performed using both at the same time.
【0005】[0005]
【発明が解決しょうとする課題】上記の従来の構成では
、ターゲット19,20の中心とパレット12の回転軸
との距離はほぼ等しく、基板13,14の中心とパレッ
ト12の回転中心との距離とほぼ一致している。通常ス
パッタリングではターゲットの中心の直上で最も成膜速
度が速い。したがって、基板13,14上での膜厚分布
は図3に示すように、基板の中心付近で厚く、外周部で
薄くなる。光ディスクのように基板の全面にわたって精
度よく、均一に成膜する必要がある場合には、基板に対
して大きなターゲットが必要となり、コストが高くなる
という問題点を有していた。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional configuration described above, the distances between the centers of the targets 19 and 20 and the rotation axis of the pallet 12 are approximately equal, and the distance between the centers of the substrates 13 and 14 and the rotation center of the pallet 12 is approximately the same. is almost in agreement. In normal sputtering, the film formation rate is fastest directly above the center of the target. Therefore, as shown in FIG. 3, the film thickness distribution on the substrates 13 and 14 is thick near the center of the substrate and thinner at the outer periphery. When it is necessary to form a film accurately and uniformly over the entire surface of a substrate, as in the case of an optical disk, a large target is required for the substrate, resulting in an increase in cost.
【0006】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、比較的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚
分布の小さな成膜ができるスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to provide a sputtering apparatus capable of forming a film with a small thickness distribution at low cost using a relatively small target.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のスパッタリング装置は、複数のターゲットの
うち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転中心
との距離が他と異なる構成としている。In order to achieve this object, the sputtering apparatus of the present invention is configured such that at least one of the plurality of targets has a different distance from the rotation center of the pallet.
【0008】[0008]
【作用】この構成によって、成膜時にパレットの回転に
伴って基板が通過していくターゲット毎に基板とターゲ
ットの相対位置が異なり、基板上での膜厚分布も異なる
結果となる。これによって個々のターゲットにおける膜
厚分布が相殺され、大きなターゲットを使用しなくても
、総合的には基板上での膜厚分布を小さくすることがで
きる。[Operation] With this configuration, the relative position of the substrate and target differs for each target that the substrate passes as the pallet rotates during film formation, and the film thickness distribution on the substrate also differs. This cancels out the film thickness distribution in each target, and it is possible to reduce the film thickness distribution on the substrate as a whole without using a large target.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図1は本発明の一実施例における
スパッタリング装置を示すものである。図1において、
1は真空槽である。2はパレットであり、回転軸7を介
してモータ8に接続されている。3,4は基板であり、
基板保持具5,6によってパレット2に装着されている
。9,10はターゲットであり、基板3,4に対向する
位置に設置されている。実際にはターゲットの数は4個
、基板の数は8枚であるが、本図では簡略化のために省
略した。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a sputtering apparatus in one embodiment of the present invention. In Figure 1,
1 is a vacuum chamber. A pallet 2 is connected to a motor 8 via a rotating shaft 7. 3 and 4 are substrates;
It is attached to the pallet 2 by substrate holders 5 and 6. Targets 9 and 10 are installed at positions facing the substrates 3 and 4. In reality, the number of targets is four and the number of substrates is eight, but they are omitted in this figure for the sake of simplicity.
【0010】パレットの回転中心と基板の中心との距離
をR,基板の半径をrとすると、パレットの回転中心と
ターゲット9,10の中心との距離a,bは、概略(数
1),(数2)の関係にある。また、図示しなかったタ
ーゲットとパレットの回転中心の位置関係は、一方はタ
ーゲット9と、他方はターゲット10と同じである。When the distance between the rotation center of the pallet and the center of the substrate is R, and the radius of the substrate is r, the distances a and b between the rotation center of the pallet and the centers of the targets 9 and 10 are approximately (Equation 1), There is a relationship as shown in (Equation 2). Further, the positional relationship between the rotation centers of a target (not shown) and the pallet is the same as that of the target 9 on one side and the target 10 on the other side.
【0011】[0011]
【数1】[Math 1]
【0012】0012
【数2】以上のように構成されたスパッタリング装置で
、パレットを回転させながらターゲット9,10、ある
いは全てのターゲットを同時に使用して成膜することに
より、個々のターゲットにおける膜厚分布が相殺され、
図4に示すように、総合的には基板上での膜厚分布が小
さくなる。[Equation 2] In the sputtering apparatus configured as above, by forming a film by using targets 9 and 10 or all targets simultaneously while rotating the pallet, the film thickness distribution in each target is offset. ,
As shown in FIG. 4, overall, the film thickness distribution on the substrate becomes smaller.
【0013】なお、パレットの回転に伴って基板が自転
する機構を設けることによって、基板上での膜厚分布を
さらに小さくすることができる。[0013] By providing a mechanism for rotating the substrate as the pallet rotates, the film thickness distribution on the substrate can be further reduced.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上のように本発明は、複数のターゲッ
トのうち少なくとも一つのターゲットのパレットの回転
中心との距離が他と異なる構成とすることにより、比較
的小さなターゲットを用いて、低コストで膜厚分布の小
さな成膜ができる優れたスパッタリング装置を実現でき
るものである。Effects of the Invention As described above, the present invention has a structure in which at least one of the plurality of targets has a different distance from the rotation center of the pallet, thereby reducing costs by using a relatively small target. This makes it possible to realize an excellent sputtering device that can form a film with a small thickness distribution.
【図1】本発明の実施例におけるスパッタリング装置の
断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a sputtering apparatus in an embodiment of the present invention.
【図2】従来のスパッタリング装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional sputtering apparatus.
【図3】従来のスパッタリング装置で成膜した際の基板
上での膜厚分布を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a film thickness distribution on a substrate when a film is formed using a conventional sputtering apparatus.
【図4】本発明の実施例におけるスパッタリング装置で
成膜した際の基板上での膜厚分布を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a film thickness distribution on a substrate when a film is formed using a sputtering apparatus in an example of the present invention.
1,11 真空槽 2,12 パレット 3,4,13,14 基板 5,6,15,16 基板保持具 7,17 回転軸 8,18 モータ 9,10,19,20 ターゲット 1,11 Vacuum chamber 2,12 Palette 3, 4, 13, 14 Board 5, 6, 15, 16 Substrate holder 7, 17 Rotation axis 8, 18 Motor 9,10,19,20 Target
Claims (2)
させながら、同一真空槽中に設置した複数のターゲット
を同時に使用して、成膜を行なうスパッタリング装置で
あって、少なくとも一つのターゲットは、パレットの回
転中心との距離が他のターゲットと異なるスパッタリン
グ装置。1. A sputtering apparatus that performs film formation by simultaneously using a plurality of targets installed in the same vacuum chamber while rotating a pallet on which a plurality of substrates are mounted, wherein at least one target is attached to the pallet. A sputtering device whose distance from the center of rotation of the target is different from that of other targets.
る機構を有する請求項1記載のスパッタリング装置。2. The sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for rotating the substrate as the pallet rotates.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9580391A JPH04325672A (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9580391A JPH04325672A (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Sputtering device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04325672A true JPH04325672A (en) | 1992-11-16 |
Family
ID=14147593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9580391A Pending JPH04325672A (en) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Sputtering device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04325672A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137145A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | Film forming device and film forming method |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP9580391A patent/JPH04325672A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137145A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社アルバック | Film forming device and film forming method |
CN112639158A (en) * | 2018-12-28 | 2021-04-09 | 株式会社爱发科 | Film forming apparatus and film forming method |
JPWO2020137145A1 (en) * | 2018-12-28 | 2021-09-09 | 株式会社アルバック | Film formation equipment and film formation method |
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