JPH04314427A - 核スピン共鳴撮像装置用干渉抑制フィルタ - Google Patents
核スピン共鳴撮像装置用干渉抑制フィルタInfo
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- JPH04314427A JPH04314427A JP3293669A JP29366991A JPH04314427A JP H04314427 A JPH04314427 A JP H04314427A JP 3293669 A JP3293669 A JP 3293669A JP 29366991 A JP29366991 A JP 29366991A JP H04314427 A JPH04314427 A JP H04314427A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、核スピン共鳴撮像装置
内の勾配コイルへの導線の干渉抑制のための干渉抑制フ
ィルタに関する。
内の勾配コイルへの導線の干渉抑制のための干渉抑制フ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】核スピン共鳴撮像装置または核スピント
モグラフでは、患者の断層像の生成のために、患者から
送り出されアンテナにより受信された高周波の核スピン
共鳴信号が評価される。核スピン共鳴信号はパワーが微
弱なので、乱されない処理に特別な注意が向けられなけ
ればならない。特に受信アンテナへのノイズの侵入が回
避されなければならない。従って、適当な仕方で核スピ
ン共鳴信号の励起および受入れのためのアンテナまたは
共振器と、必要な磁界の発生のためのコイルとは、干渉
信号が侵入し得ない高周波に対して密なボックスのなか
に配置されている。このボックスは、さらに、アンテナ
から生成された高周波電磁界が干渉信号として外から到
達し得ないことを保証する。
モグラフでは、患者の断層像の生成のために、患者から
送り出されアンテナにより受信された高周波の核スピン
共鳴信号が評価される。核スピン共鳴信号はパワーが微
弱なので、乱されない処理に特別な注意が向けられなけ
ればならない。特に受信アンテナへのノイズの侵入が回
避されなければならない。従って、適当な仕方で核スピ
ン共鳴信号の励起および受入れのためのアンテナまたは
共振器と、必要な磁界の発生のためのコイルとは、干渉
信号が侵入し得ない高周波に対して密なボックスのなか
に配置されている。このボックスは、さらに、アンテナ
から生成された高周波電磁界が干渉信号として外から到
達し得ないことを保証する。
【０００３】勾配磁界を発生するためのコイル（以下で
は勾配コイルと呼ぶ）は、高周波ボックスの外側に配置
された勾配電流供給部を介して給電されるので、勾配コ
イルへの導線を介してノイズが高周波ボックスの内部空
間に到達し得る。このノイズを抑制するために、勾配コ
イルへの導線は干渉抑制フィルタを介して高周波ボック
スのなかへ導かれている。
は勾配コイルと呼ぶ）は、高周波ボックスの外側に配置
された勾配電流供給部を介して給電されるので、勾配コ
イルへの導線を介してノイズが高周波ボックスの内部空
間に到達し得る。このノイズを抑制するために、勾配コ
イルへの導線は干渉抑制フィルタを介して高周波ボック
スのなかへ導かれている。
【０００４】勾配コイルへの導線に対する干渉抑制フィ
ルタの設定の際には、下記の条件に注意する必要がある
。干渉抑制フィルタを介して高い直流電流が低い直流電
流減衰および高い高周波抑制減衰で高周波ボックスのな
かへ導かれなければならない。その際に、干渉抑制フィ
ルタのなかのインダクタンスは、核スピン共鳴撮像装置
内の高い直流磁界による飽和および勾配コイルの励起の
ために必要とされる高い電流のために、フェライト材料
では実現され得ない。勾配磁界は送信‐受信サイクルの
間に特定の順序でスイッチオンおよびスイッチオフされ
、従って干渉抑制フィルタは勾配電流供給部に対して最
大の容量性負荷のみを呈し得る。干渉抑制フィルタ内の
キャパシタンス値は勾配電流供給部の定格データに関係
しており、それらは最大値を超過してはならない。
ルタの設定の際には、下記の条件に注意する必要がある
。干渉抑制フィルタを介して高い直流電流が低い直流電
流減衰および高い高周波抑制減衰で高周波ボックスのな
かへ導かれなければならない。その際に、干渉抑制フィ
ルタのなかのインダクタンスは、核スピン共鳴撮像装置
内の高い直流磁界による飽和および勾配コイルの励起の
ために必要とされる高い電流のために、フェライト材料
では実現され得ない。勾配磁界は送信‐受信サイクルの
間に特定の順序でスイッチオンおよびスイッチオフされ
、従って干渉抑制フィルタは勾配電流供給部に対して最
大の容量性負荷のみを呈し得る。干渉抑制フィルタ内の
キャパシタンス値は勾配電流供給部の定格データに関係
しており、それらは最大値を超過してはならない。
【０００５】これまでの解決策は干渉抑制フィルタとし
て、特定の下限周波数以下のすべての周波数を高周波ボ
ックスから遠ざける低域通過フィルタを用いるものであ
った。その際に下限周波数は主として勾配コイルのスイ
ッチオンおよびスイッチオフの際の立ち上がりおよび立
ち下がりエッジにより予め与えられている。従って、低
域通過フィルタは特に、種々の物質の核の核スピン共鳴
を評価するために、核スピン共鳴撮像装置内に使用され
る。それらは許容差に対して敏感でなく、従って高い精
度で製造または調整されなくてよい。しかし、低域通過
フィルタのなかに使用されるコイルは、高いインダクタ
ンス値が低い直流抵抗で実現されなけれならないので、
大きな占有空間を必要とする。十分な阻止減衰を達成す
るためには、次数の高い低域通過フィルタしか考慮の対
象にならない。その際に必要とされるコイルは個々に遮
蔽されていなけさばならない。さもなければ、それらの
インダクタンスが相互結合のために減ぜられるからであ
る。この理由からこれまでは最高５次の低域通過フィル
タしか実現されていない。
て、特定の下限周波数以下のすべての周波数を高周波ボ
ックスから遠ざける低域通過フィルタを用いるものであ
った。その際に下限周波数は主として勾配コイルのスイ
ッチオンおよびスイッチオフの際の立ち上がりおよび立
ち下がりエッジにより予め与えられている。従って、低
域通過フィルタは特に、種々の物質の核の核スピン共鳴
を評価するために、核スピン共鳴撮像装置内に使用され
る。それらは許容差に対して敏感でなく、従って高い精
度で製造または調整されなくてよい。しかし、低域通過
フィルタのなかに使用されるコイルは、高いインダクタ
ンス値が低い直流抵抗で実現されなけれならないので、
大きな占有空間を必要とする。十分な阻止減衰を達成す
るためには、次数の高い低域通過フィルタしか考慮の対
象にならない。その際に必要とされるコイルは個々に遮
蔽されていなけさばならない。さもなければ、それらの
インダクタンスが相互結合のために減ぜられるからであ
る。この理由からこれまでは最高５次の低域通過フィル
タしか実現されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、核ス
ピン共鳴撮像装置内の勾配コイルへの導線の干渉抑制の
ための干渉抑制フィルタにおいて、占有空間および費用
を減ずることである。その際に干渉抑制フィルタは高い
直流電流を非常に低い直流電流減衰および高い高周波抑
制減衰で導き得なければならない。干渉抑制フィルタに
よる勾配増幅器の容量性負荷はわずかでなければならな
い。
ピン共鳴撮像装置内の勾配コイルへの導線の干渉抑制の
ための干渉抑制フィルタにおいて、占有空間および費用
を減ずることである。その際に干渉抑制フィルタは高い
直流電流を非常に低い直流電流減衰および高い高周波抑
制減衰で導き得なければならない。干渉抑制フィルタに
よる勾配増幅器の容量性負荷はわずかでなければならな
い。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は、干渉抑制フ
ィルタが核スピン共鳴撮像装置の作動周波数に対する帯
域阻止フィルタとして構成されていることにより解決さ
れる。それによって、より高い次数の干渉抑制フィルタ
を構成することが可能である。そのために必要とされる
インダクタンスは小さく、それによって占有空間が同じ
く小さく保たれている。インダクタンスの減結合が容易
に行なわれ得る。
ィルタが核スピン共鳴撮像装置の作動周波数に対する帯
域阻止フィルタとして構成されていることにより解決さ
れる。それによって、より高い次数の干渉抑制フィルタ
を構成することが可能である。そのために必要とされる
インダクタンスは小さく、それによって占有空間が同じ
く小さく保たれている。インダクタンスの減結合が容易
に行なわれ得る。
【０００８】１つの有利な構成は、干渉抑制フィルタが
２つの入力端子および２つの出力端子を有する方向対称
な四端子回路を成してり、第１の入力端子および第１の
出力端子が勾配コイルへの導線のなかに挿入可能であり
、第２の入力端子および第２の出力端子が１つの基準電
位線と接続されており、多数の阻止回路が直列に第１の
入力端子と第１の出力端子との間に配置されており、多
数の吸収回路がそれぞれ入力端子の間、阻止回路の接続
点と基準電位線との間および出力端子の間に配置されて
おり、吸収回路の数が阻止回路の数よりも１だけ大きい
ことを特徴とする。フィルタのこのような構成では、相
応に多くの吸収回路および阻止回路の連鎖回路により所
望の阻止減衰および必要な帯域幅が実現され得る。
２つの入力端子および２つの出力端子を有する方向対称
な四端子回路を成してり、第１の入力端子および第１の
出力端子が勾配コイルへの導線のなかに挿入可能であり
、第２の入力端子および第２の出力端子が１つの基準電
位線と接続されており、多数の阻止回路が直列に第１の
入力端子と第１の出力端子との間に配置されており、多
数の吸収回路がそれぞれ入力端子の間、阻止回路の接続
点と基準電位線との間および出力端子の間に配置されて
おり、吸収回路の数が阻止回路の数よりも１だけ大きい
ことを特徴とする。フィルタのこのような構成では、相
応に多くの吸収回路および阻止回路の連鎖回路により所
望の阻止減衰および必要な帯域幅が実現され得る。
【０００９】干渉抑制フィルタの簡単な構成は、阻止回
路が阻止回路コイルと阻止回路コンデンサとの並列回路
から、また吸収回路が吸収回路コイルと吸収回路コンデ
ンサとの直列回路から成っていることにより可能である
。
路が阻止回路コイルと阻止回路コンデンサとの並列回路
から、また吸収回路が吸収回路コイルと吸収回路コンデ
ンサとの直列回路から成っていることにより可能である
。
【００１０】別の有利な構成は、各阻止回路コイルがそ
の中点に、コンデンサを介して基準電位線と接続されて
いるタップを有することを特徴とする。それによって、
帯域阻止フィルタの限界周波数の上の周波数に対しても
干渉抑制が達成され得る。
の中点に、コンデンサを介して基準電位線と接続されて
いるタップを有することを特徴とする。それによって、
帯域阻止フィルタの限界周波数の上の周波数に対しても
干渉抑制が達成され得る。
【００１１】特に有利な構成では、阻止回路コイルが１
つの平面内に配置されており、またこの平面内に蛇行状
に構成されている導体片から成っている。それによって
、阻止回路コイルの相互の良好な減結合が達成され、ま
た干渉抑制フィルタの外形高さが小さく保たれ得る。
つの平面内に配置されており、またこの平面内に蛇行状
に構成されている導体片から成っている。それによって
、阻止回路コイルの相互の良好な減結合が達成され、ま
た干渉抑制フィルタの外形高さが小さく保たれ得る。
【００１２】別の有利な構成は、阻止回路コイルがプリ
ント板の第１の側に接触されており、プリント板の同じ
側に、阻止回路の接続点と接続されている吸収回路の吸
収回路コイルを形成する導体帯が配置されており、阻止
回路コンデンサと、接続点と接続されている吸収回路に
属する吸収回路コンデンサとがプリント板の第１の側に
配置されており、またプリント板の第２の側がほぼ完全
に、基準電位線に接続されている薄い金属化面により覆
われていることを特徴とする。この構成は特に組立が容
易である。なぜならば、比較的大きい導体断面を有する
阻止回路コイルがプリント板と接触される以前に、プリ
ント板の上に阻止回路コンデンサおよび吸収回路コンデ
ンサがろう付けされ得るからである。
ント板の第１の側に接触されており、プリント板の同じ
側に、阻止回路の接続点と接続されている吸収回路の吸
収回路コイルを形成する導体帯が配置されており、阻止
回路コンデンサと、接続点と接続されている吸収回路に
属する吸収回路コンデンサとがプリント板の第１の側に
配置されており、またプリント板の第２の側がほぼ完全
に、基準電位線に接続されている薄い金属化面により覆
われていることを特徴とする。この構成は特に組立が容
易である。なぜならば、比較的大きい導体断面を有する
阻止回路コイルがプリント板と接触される以前に、プリ
ント板の上に阻止回路コンデンサおよび吸収回路コンデ
ンサがろう付けされ得るからである。
【００１３】特に有利な構成は、阻止および吸収回路が
全面を閉じられた遮蔽ケースのなかに配置されており、
第１の入力端子および第１の出力端子がそれぞれ絶縁性
の貫通部を介して遮蔽ケースから導かれており、基準電
位線が遮蔽ケースと接続されており、また遮蔽ケースの
長さ対幅の比が、中空導体減衰がフィルタ減衰よりも大
きいように選定されていることを特徴とする。それによ
って、フィルタの干渉抑制作用が、干渉抑制フィルタを
橋絡する中空導体波により減ぜられていないことが保証
されている。
全面を閉じられた遮蔽ケースのなかに配置されており、
第１の入力端子および第１の出力端子がそれぞれ絶縁性
の貫通部を介して遮蔽ケースから導かれており、基準電
位線が遮蔽ケースと接続されており、また遮蔽ケースの
長さ対幅の比が、中空導体減衰がフィルタ減衰よりも大
きいように選定されていることを特徴とする。それによ
って、フィルタの干渉抑制作用が、干渉抑制フィルタを
橋絡する中空導体波により減ぜられていないことが保証
されている。
【００１４】別の有利な構成では、端子と接続されてい
る吸収回路が遮蔽ケースのなかで直接に貫通部および遮
蔽ケースに接続されており、これらの吸収回路により形
成される導体ループが互いに直交している。こうしてフ
ィルタの干渉抑制作用は直接に遮蔽ケース内の貫通部に
おいて開始する。なぜならば、貫通部においてケース内
に配置されている吸収回路が貫通部におけるノイズを基
準電位へ導き出すからである。導体ループが互いに直交
していることにより、貫通部における吸収回路の間の磁
気結合がほぼ回避される。
る吸収回路が遮蔽ケースのなかで直接に貫通部および遮
蔽ケースに接続されており、これらの吸収回路により形
成される導体ループが互いに直交している。こうしてフ
ィルタの干渉抑制作用は直接に遮蔽ケース内の貫通部に
おいて開始する。なぜならば、貫通部においてケース内
に配置されている吸収回路が貫通部におけるノイズを基
準電位へ導き出すからである。導体ループが互いに直交
していることにより、貫通部における吸収回路の間の磁
気結合がほぼ回避される。
【００１５】特に有利な構成では、遮蔽ケースのなかに
２つの干渉抑制フィルタがわずかな間隔で配置されてお
り、両干渉抑制フィルタの阻止回路コイルが重なってお
り、両干渉抑制フィルタのなかの直流電流の向きが逆向
きであり、従って直流電流により惹起される磁界が遮蔽
ケースのなかでほぼ相殺する。勾配コイルの往線および
復線に対する両干渉抑制フィルタのこの配置により、勾
配電流により発生される磁界がほぼ相殺する。高周波ボ
ックスのなかの均一な基本磁界はこうして干渉抑制フィ
ルタによりほぼ乱されていない。
２つの干渉抑制フィルタがわずかな間隔で配置されてお
り、両干渉抑制フィルタの阻止回路コイルが重なってお
り、両干渉抑制フィルタのなかの直流電流の向きが逆向
きであり、従って直流電流により惹起される磁界が遮蔽
ケースのなかでほぼ相殺する。勾配コイルの往線および
復線に対する両干渉抑制フィルタのこの配置により、勾
配電流により発生される磁界がほぼ相殺する。高周波ボ
ックスのなかの均一な基本磁界はこうして干渉抑制フィ
ルタによりほぼ乱されていない。
【００１６】
【実施例】以下、図面に示されている実施例により本発
明を一層詳細に説明する。
明を一層詳細に説明する。
【００１７】本発明を説明するために、先ず図１により
核スピン共鳴撮像装置または核スピントモグラフの基本
構成要素が示される。コイル１ないし４は高い磁界強さ
のほぼ均一な基本磁界を発生し、そのなかに医学診断へ
の応用の際には患者の検査すべき身体５が位置している
。これにさらに、直角座標系６による方向ｘ、ｙ、ｚの
独立の互いに垂直な磁界成分を発生するために設けられ
ている勾配コイルが対応付けられている。図１には、図
面を見易くするために、向かい合う同じ形式の一対の勾
配コイルと一緒にｘ方向の勾配を発生する役割をする勾
配コイル７および８のみが示されている。ｙ方向の勾配
磁界を発生するための同じ形式の図示されていない勾配
コイルは身体５に対して平行にその上下に位置しており
、ｚ方向の勾配磁界を発生するための同じ形式の図示さ
れていない勾配コイルは身体５の長手方向軸線に対して
直角に頭端および脚端に位置している。
核スピン共鳴撮像装置または核スピントモグラフの基本
構成要素が示される。コイル１ないし４は高い磁界強さ
のほぼ均一な基本磁界を発生し、そのなかに医学診断へ
の応用の際には患者の検査すべき身体５が位置している
。これにさらに、直角座標系６による方向ｘ、ｙ、ｚの
独立の互いに垂直な磁界成分を発生するために設けられ
ている勾配コイルが対応付けられている。図１には、図
面を見易くするために、向かい合う同じ形式の一対の勾
配コイルと一緒にｘ方向の勾配を発生する役割をする勾
配コイル７および８のみが示されている。ｙ方向の勾配
磁界を発生するための同じ形式の図示されていない勾配
コイルは身体５に対して平行にその上下に位置しており
、ｚ方向の勾配磁界を発生するための同じ形式の図示さ
れていない勾配コイルは身体５の長手方向軸線に対して
直角に頭端および脚端に位置している。
【００１８】装置はさらに核共鳴の発生および受入れの
役割をする高周波コイル９をも含んでいる。鎖線１０に
より囲まれているコイル１ないし４および７ないし９は
本来の検査装置を成している。それによって核スピン共
鳴撮像装置のなかに、干渉信号からほぼ遮蔽された１つ
の空間も定められているので、それは以下では高周波ボ
ックスと呼ばれる。高周波ボックスのなかに配置されて
いるコイル１ないし４および７ないし９は、コイル１な
いし４を作動させるための電源装置１１と、勾配コイル
７および８ならびに別の勾配コイルが接続されている勾
配電流供給部１２とを含んでいる１つの電気的装置から
作動させられる。勾配電流供給部１２から供給される勾
配コイルの励起のための電流は２００Ａのオーダである
。勾配電流供給部１２の容量性負荷はたとえば２０ｎＦ
を越えてはならない。高周波コイル９は信号増幅器１４
または高周波送信器１５を介してプロセス計算機１７に
結合されており、このプロセス計算機１７には像の出力
のためにディスプレイ装置１８が接続されている。構成
要素１４および１５は信号発生および受入れのための高
周波装置１６を形成している。切換スイッチ１９は送信
作動から受信作動への切換を可能にする。
役割をする高周波コイル９をも含んでいる。鎖線１０に
より囲まれているコイル１ないし４および７ないし９は
本来の検査装置を成している。それによって核スピン共
鳴撮像装置のなかに、干渉信号からほぼ遮蔽された１つ
の空間も定められているので、それは以下では高周波ボ
ックスと呼ばれる。高周波ボックスのなかに配置されて
いるコイル１ないし４および７ないし９は、コイル１な
いし４を作動させるための電源装置１１と、勾配コイル
７および８ならびに別の勾配コイルが接続されている勾
配電流供給部１２とを含んでいる１つの電気的装置から
作動させられる。勾配電流供給部１２から供給される勾
配コイルの励起のための電流は２００Ａのオーダである
。勾配電流供給部１２の容量性負荷はたとえば２０ｎＦ
を越えてはならない。高周波コイル９は信号増幅器１４
または高周波送信器１５を介してプロセス計算機１７に
結合されており、このプロセス計算機１７には像の出力
のためにディスプレイ装置１８が接続されている。構成
要素１４および１５は信号発生および受入れのための高
周波装置１６を形成している。切換スイッチ１９は送信
作動から受信作動への切換を可能にする。
【００１９】勾配電流供給部１２からｘ方向の勾配磁界
に対する勾配コイル７および８への供給導線およびｙお
よびｚ方向の勾配磁界の発生のための図示されていない
勾配コイルに対する供給導線は、高周波ボックス１０へ
の貫通部において干渉抑制されなければならない。その
ために供給導線は干渉抑制フィルタ２０を介して高周波
ボックス１０のなかへ導かれる。ここではただ１つの干
渉抑制フィルタ２０が示されているが、もちろん各供給
導線に干渉抑制フィルタ２０が挿入されていなければな
らない。干渉抑制フィルタ２０なしでは、これらの供給
導線を介して、誤って高周波コイル９により核スピン共
鳴信号として受入れられ得るであろう望ましくない信号
が入結合されであろう。さらに高周波ボックス１０のな
かで核共鳴の励起のために数キロワットのピーク電力の
大電力の高周波パルスが発生される。干渉抑制フィルタ
２０は同じく、これらの信号が干渉信号として高周波ボ
ックス１０の外側に生ずるのを回避しなければならない
。
に対する勾配コイル７および８への供給導線およびｙお
よびｚ方向の勾配磁界の発生のための図示されていない
勾配コイルに対する供給導線は、高周波ボックス１０へ
の貫通部において干渉抑制されなければならない。その
ために供給導線は干渉抑制フィルタ２０を介して高周波
ボックス１０のなかへ導かれる。ここではただ１つの干
渉抑制フィルタ２０が示されているが、もちろん各供給
導線に干渉抑制フィルタ２０が挿入されていなければな
らない。干渉抑制フィルタ２０なしでは、これらの供給
導線を介して、誤って高周波コイル９により核スピン共
鳴信号として受入れられ得るであろう望ましくない信号
が入結合されであろう。さらに高周波ボックス１０のな
かで核共鳴の励起のために数キロワットのピーク電力の
大電力の高周波パルスが発生される。干渉抑制フィルタ
２０は同じく、これらの信号が干渉信号として高周波ボ
ックス１０の外側に生ずるのを回避しなければならない
。
【００２０】干渉抑制フィルタ２０は核スピン共鳴撮像
装置の作動周波数に一致する１つの中心周波数を有する
帯域阻止フィルタとして構成されている。それによって
、特に高周波コイル９が核スピン共鳴撮像装置の作動周
波数に対して選択的にのみ敏感であるので、十分な干渉
抑制が保証されている。
装置の作動周波数に一致する１つの中心周波数を有する
帯域阻止フィルタとして構成されている。それによって
、特に高周波コイル９が核スピン共鳴撮像装置の作動周
波数に対して選択的にのみ敏感であるので、十分な干渉
抑制が保証されている。
【００２１】帯域阻止フィルタとして構成された１１次
の干渉抑制フィルタ２０の回路図が図２に示されている
。干渉抑制フィルタ２０は２つの入力端子２２および２
４および２つの出力端子２６および２８を有する方向対
称な四端子回路として構成されており、端子２４および
２８は基準電位線２９を介して互いに接続されている。 第１の入力端子２２と第１の出力端子２６との間には直
列に、阻止回路コンデンサＣｐと阻止回路コイルＬｐと
の並列回路から成る５つの阻止回路３０が接続されてい
る。阻止回路３０は、核スピン共鳴撮像装置の作動周波
数において共鳴状態にあるように同調されている。 すなわち、そのインピ−ダンスは作動周波数に対しては
非常に高い。入力端子２２と２４との間、阻止回路３０
間の接続点と基準電位線２９との間および出力端子２６
と２８との間にそれぞれ吸収回路３４が接続されている
。こうして干渉抑制フィルタのなかに６つの吸収回路３
４および５つの阻止回路３０が設けられている。干渉抑
制フィルタ２０のこの構造では吸収回路３４の数が阻止
回路３０の数よりも１だけ大きい。
の干渉抑制フィルタ２０の回路図が図２に示されている
。干渉抑制フィルタ２０は２つの入力端子２２および２
４および２つの出力端子２６および２８を有する方向対
称な四端子回路として構成されており、端子２４および
２８は基準電位線２９を介して互いに接続されている。 第１の入力端子２２と第１の出力端子２６との間には直
列に、阻止回路コンデンサＣｐと阻止回路コイルＬｐと
の並列回路から成る５つの阻止回路３０が接続されてい
る。阻止回路３０は、核スピン共鳴撮像装置の作動周波
数において共鳴状態にあるように同調されている。 すなわち、そのインピ−ダンスは作動周波数に対しては
非常に高い。入力端子２２と２４との間、阻止回路３０
間の接続点と基準電位線２９との間および出力端子２６
と２８との間にそれぞれ吸収回路３４が接続されている
。こうして干渉抑制フィルタのなかに６つの吸収回路３
４および５つの阻止回路３０が設けられている。干渉抑
制フィルタ２０のこの構造では吸収回路３４の数が阻止
回路３０の数よりも１だけ大きい。
【００２２】吸収回路３４は吸収回路コイルＬｓと吸収
回路コンデンサＣｓとの直列回路から成っており、また
阻止回路３０と同じく核スピン共鳴撮像装置の作動周波
数に同調されている。すなわち、そのインピ−ダンスは
作動周波数に対しては非常に低い。阻止回路３０からな
お通過される作動周波数を有する干渉信号および信号残
部は吸収回路３４を介して直接的に基準電位線２９へ導
き出される。
回路コンデンサＣｓとの直列回路から成っており、また
阻止回路３０と同じく核スピン共鳴撮像装置の作動周波
数に同調されている。すなわち、そのインピ−ダンスは
作動周波数に対しては非常に低い。阻止回路３０からな
お通過される作動周波数を有する干渉信号および信号残
部は吸収回路３４を介して直接的に基準電位線２９へ導
き出される。
【００２３】図３には図２の回路図による干渉抑制フィ
ルタ２０の機械的構成が平面図で示されている。第１の
入力端子２２と第１の出力端子２６との間に阻止回路コ
イルＬｐが１つの平面内に配置されている。各阻止回路
コイルＬｐは蛇行状に構成された導体片から成っている
。ここに選ばれた阻止回路３０の設計では阻止回路コイ
ルＬｐのたとえば１５ｎＨのインダクタンスの実現のた
めにＵ字状に構成された導体片で十分である。阻止回路
コイルＬｐを経て勾配コイルに対するたとえば２００Ａ
の大きい直流電流が流れるので、阻止回路コイルＬｐの
断面積は、端子２２と２６との間の直流抵抗が十分に低
い値、たとえば０，６ないし０，８ミリオームであるよ
うに大きく選ばれている。阻止回路コイルＬｐの断面形
状は長方形に選ばれているので、平らな基本平面が絶縁
されたねじ締めを介してプリント板３６と接触され得る
。そのためにプリント板３６の上に、阻止回路コイルＬ
ｐが接触されるべき側に、阻止回路コイルＬｐの基本平
面の形状と一致する形状の導体帯が構成されている。 この導体帯は突き出た接続導体帯３８を有し、これらの
接続導体帯３８はＵ字状に構成された阻止回路コイルＬ
ｐの端に突出している。接続導体帯３８は阻止回路コン
デンサＣｐのろう付けの役割をし、こうして阻止回路３
０への阻止回路コイルＬｐと阻止回路コンデンサＣｐと
の接続を形成する。各接続点３２と別の導体帯４０が接
続されており、この導体帯４０はＵ字状に構成された阻
止回路コイルＬｐの脚に対して平行に向けられている。 長さは、それらが吸収回路コイルＬｓに対するインダク
タンスの半分を形成するように選ばれている。導体帯４
０への延長部に、導体帯４０と等しい長さで、導体帯４
２が配置されている。それらは吸収回路コイルＬｓのイ
ンダクタンスの他の半分を形成する。導体帯４０および
４２の接続は吸収回路コンデンサＣｓを介して形成され
る。吸収回路コンデンサＣｓと反対側の導体帯４２の端
はプリント板３６の裏側を覆う金属化部４４と接続され
ている。金属化部４４は基準電位線２９と接続されてい
る。
ルタ２０の機械的構成が平面図で示されている。第１の
入力端子２２と第１の出力端子２６との間に阻止回路コ
イルＬｐが１つの平面内に配置されている。各阻止回路
コイルＬｐは蛇行状に構成された導体片から成っている
。ここに選ばれた阻止回路３０の設計では阻止回路コイ
ルＬｐのたとえば１５ｎＨのインダクタンスの実現のた
めにＵ字状に構成された導体片で十分である。阻止回路
コイルＬｐを経て勾配コイルに対するたとえば２００Ａ
の大きい直流電流が流れるので、阻止回路コイルＬｐの
断面積は、端子２２と２６との間の直流抵抗が十分に低
い値、たとえば０，６ないし０，８ミリオームであるよ
うに大きく選ばれている。阻止回路コイルＬｐの断面形
状は長方形に選ばれているので、平らな基本平面が絶縁
されたねじ締めを介してプリント板３６と接触され得る
。そのためにプリント板３６の上に、阻止回路コイルＬ
ｐが接触されるべき側に、阻止回路コイルＬｐの基本平
面の形状と一致する形状の導体帯が構成されている。 この導体帯は突き出た接続導体帯３８を有し、これらの
接続導体帯３８はＵ字状に構成された阻止回路コイルＬ
ｐの端に突出している。接続導体帯３８は阻止回路コン
デンサＣｐのろう付けの役割をし、こうして阻止回路３
０への阻止回路コイルＬｐと阻止回路コンデンサＣｐと
の接続を形成する。各接続点３２と別の導体帯４０が接
続されており、この導体帯４０はＵ字状に構成された阻
止回路コイルＬｐの脚に対して平行に向けられている。 長さは、それらが吸収回路コイルＬｓに対するインダク
タンスの半分を形成するように選ばれている。導体帯４
０への延長部に、導体帯４０と等しい長さで、導体帯４
２が配置されている。それらは吸収回路コイルＬｓのイ
ンダクタンスの他の半分を形成する。導体帯４０および
４２の接続は吸収回路コンデンサＣｓを介して形成され
る。吸収回路コンデンサＣｓと反対側の導体帯４２の端
はプリント板３６の裏側を覆う金属化部４４と接続され
ている。金属化部４４は基準電位線２９と接続されてい
る。
【００２４】こうして、吸収回路コンデンサＣｓを有す
る導体帯４０および４２は、接続点３２と基準電位線２
９との間に配置されている吸収回路３４を形成する。
る導体帯４０および４２は、接続点３２と基準電位線２
９との間に配置されている吸収回路３４を形成する。
【００２５】直接に端子２２、２４と２６、２８との間
に配置されている吸収回路３４はプリント板３６の上に
ではなく直接に端子２２および２６と、またこの端子２
２、２６のすぐ近くで干渉抑制フィルタケース（ここに
は図示されていない）と接続されている。干渉抑制フィ
ルタケースは金属化部４４を介して基準電位線２９と接
続されている。このような吸収回路３４はその端子を有
する吸収回路コンデンサＣｓにより形成されている。吸
収回路コンデンサＣｓの端子の長さは、それらが吸収回
路コイルＬｓを形成するように選ばれている。端子２２
および２４における吸収回路３４と端子２６および２８
における吸収回路３４との間の磁気的結合を回避するた
め、端子の導体ループにより形成される平面は互いに垂
直に配置されている。このことは図３中に、端子２２に
おける吸収回路３４の導体ループが紙面に対して垂直に
、また端子２６における吸収回路３４の導体ループが紙
面に対して平行に位置するように示されている。
に配置されている吸収回路３４はプリント板３６の上に
ではなく直接に端子２２および２６と、またこの端子２
２、２６のすぐ近くで干渉抑制フィルタケース（ここに
は図示されていない）と接続されている。干渉抑制フィ
ルタケースは金属化部４４を介して基準電位線２９と接
続されている。このような吸収回路３４はその端子を有
する吸収回路コンデンサＣｓにより形成されている。吸
収回路コンデンサＣｓの端子の長さは、それらが吸収回
路コイルＬｓを形成するように選ばれている。端子２２
および２４における吸収回路３４と端子２６および２８
における吸収回路３４との間の磁気的結合を回避するた
め、端子の導体ループにより形成される平面は互いに垂
直に配置されている。このことは図３中に、端子２２に
おける吸収回路３４の導体ループが紙面に対して垂直に
、また端子２６における吸収回路３４の導体ループが紙
面に対して平行に位置するように示されている。
【００２６】図４には、図３に平面図で示されている干
渉抑制フィルタ２０が側面図で示されている。図４では
阻止回路コイルＬｐを構成するための導体片の大きい断
面または厚みが見られる。接続点２２および２６は直角
に曲げられており、ここでもう一度、端子２２、２４お
よび２６、２８における阻止回路３４の構成が示されて
いる。プリント板３６は阻止回路コイルＬｐと向かい合
う側に金属化部４４を設けられている。
渉抑制フィルタ２０が側面図で示されている。図４では
阻止回路コイルＬｐを構成するための導体片の大きい断
面または厚みが見られる。接続点２２および２６は直角
に曲げられており、ここでもう一度、端子２２、２４お
よび２６、２８における阻止回路３４の構成が示されて
いる。プリント板３６は阻止回路コイルＬｐと向かい合
う側に金属化部４４を設けられている。
【００２７】帯域阻止フィルタの上限周波数の上側の周
波数範囲内の改善された阻止減衰は、干渉抑制フィルタ
２０の図５に示されている第２の実施例を有し、この実
施例では、各阻止回路コイルＬｐがその中点にタップ４
６を有する。各タップ４６はコンデンサＣｚを介して基
準電位線２９と接続されている。干渉抑制フィルタ２０
の構成はその他の点では図２に示されている干渉抑制フ
ィルタ２０と一致している。
波数範囲内の改善された阻止減衰は、干渉抑制フィルタ
２０の図５に示されている第２の実施例を有し、この実
施例では、各阻止回路コイルＬｐがその中点にタップ４
６を有する。各タップ４６はコンデンサＣｚを介して基
準電位線２９と接続されている。干渉抑制フィルタ２０
の構成はその他の点では図２に示されている干渉抑制フ
ィルタ２０と一致している。
【００２８】干渉抑制フィルタ２０の別の変形例は図６
による回路を有する。そこで図５中と同じく各阻止回路
コイルＬｐはタップ４６を有する。しかし、１つのタッ
プ４６では、ここでは最も右に示されている阻止回路コ
イルＬｐにおけるタップ４６では、コンデンサＣｚの代
わりに抵抗Ｒがタップ４６と基準電位線２９との間に配
置されている。抵抗Ｒにより端子２２および２６におけ
る直流電位が基準電位線２９に関して固定されている。 図６によるそれぞれ１つの干渉抑制フィルタ２０が１つ
の勾配コイル、たとえば７、８への往線および復線に挿
入されているならば、抵抗Ｒが等大であれば、基準電位
線２９の電位は勾配コイルの端子における電位の間の中
心にある。
による回路を有する。そこで図５中と同じく各阻止回路
コイルＬｐはタップ４６を有する。しかし、１つのタッ
プ４６では、ここでは最も右に示されている阻止回路コ
イルＬｐにおけるタップ４６では、コンデンサＣｚの代
わりに抵抗Ｒがタップ４６と基準電位線２９との間に配
置されている。抵抗Ｒにより端子２２および２６におけ
る直流電位が基準電位線２９に関して固定されている。 図６によるそれぞれ１つの干渉抑制フィルタ２０が１つ
の勾配コイル、たとえば７、８への往線および復線に挿
入されているならば、抵抗Ｒが等大であれば、基準電位
線２９の電位は勾配コイルの端子における電位の間の中
心にある。
【００２９】干渉抑制フィルタ２０の阻止減衰は図７に
示されている。図２、図５および図６による干渉抑制フ
ィルタ２０の周波数特性は４０ＭＨｚの前後の周波数範
囲内で等しい。干渉抑制フィルタ２０のすべての変形例
により７ＭＨｚの帯域幅において−１０５ｄＢの阻止減
衰が達成れさる。しかし、５０ＭＨｚの上側では干渉抑
制フィルタ２０の周波数特性は相違している。図２によ
る干渉抑制フィルタ２０は５０ＭＨｚの上側ではとるに
たるほどの減衰をもはや有していないが、図５および図
６による干渉抑制フィルタ２０に対してはコンデンサＣ
ｚによりなお約−３０ｄＢの減衰が生ずる。この追加的
な減衰は、作動周波数の高調波範囲内のノイズを減衰さ
せるために望ましい。
示されている。図２、図５および図６による干渉抑制フ
ィルタ２０の周波数特性は４０ＭＨｚの前後の周波数範
囲内で等しい。干渉抑制フィルタ２０のすべての変形例
により７ＭＨｚの帯域幅において−１０５ｄＢの阻止減
衰が達成れさる。しかし、５０ＭＨｚの上側では干渉抑
制フィルタ２０の周波数特性は相違している。図２によ
る干渉抑制フィルタ２０は５０ＭＨｚの上側ではとるに
たるほどの減衰をもはや有していないが、図５および図
６による干渉抑制フィルタ２０に対してはコンデンサＣ
ｚによりなお約−３０ｄＢの減衰が生ずる。この追加的
な減衰は、作動周波数の高調波範囲内のノイズを減衰さ
せるために望ましい。
【００３０】干渉抑制フィルタ２０の帯域幅は、たとえ
ば複数の作動周波数に対する抑制作用を達成するために
、阻止回路コイルＬｐのインダクタンスが増大され、か
つ（または）阻止回路コンデンサＣｐのキャパシタンス
が減少され、かつ（または）吸収回路コンデンサＣｓの
キャパシタンスが増大され、かつ（または）吸収回路コ
イルＬｓのインダクタンスが減少されることによって、
拡大され得る。
ば複数の作動周波数に対する抑制作用を達成するために
、阻止回路コイルＬｐのインダクタンスが増大され、か
つ（または）阻止回路コンデンサＣｐのキャパシタンス
が減少され、かつ（または）吸収回路コンデンサＣｓの
キャパシタンスが増大され、かつ（または）吸収回路コ
イルＬｓのインダクタンスが減少されることによって、
拡大され得る。
【００３１】電磁的な入結合を回避するため、干渉抑制
フィルタ２０は、図８に斜視図で概要を示されているよ
うに、遮蔽ケース４８のなかに収容されている。遮蔽ケ
ース４８から貫通部を介して端子２２および２６が導き
出されている。干渉抑制フィルタの端子２４および２８
は遮蔽ケース４８と接続されている。遮蔽ケース４８の
長さ５０および幅５２の決定の際に、遮蔽ケース４８が
中空導体を成し、それを介して、端子２２および２６が
位置している端面の間で中空導体波を介してエネルギー
が伝送され得ることに注意する必要がある。遮蔽ケース
４８の長さ５０および幅５２は、作動周波数に対する中
空導体減衰が干渉抑制フィルタのフィルタ減衰よりも大
きいように選ばれている。
フィルタ２０は、図８に斜視図で概要を示されているよ
うに、遮蔽ケース４８のなかに収容されている。遮蔽ケ
ース４８から貫通部を介して端子２２および２６が導き
出されている。干渉抑制フィルタの端子２４および２８
は遮蔽ケース４８と接続されている。遮蔽ケース４８の
長さ５０および幅５２の決定の際に、遮蔽ケース４８が
中空導体を成し、それを介して、端子２２および２６が
位置している端面の間で中空導体波を介してエネルギー
が伝送され得ることに注意する必要がある。遮蔽ケース
４８の長さ５０および幅５２は、作動周波数に対する中
空導体減衰が干渉抑制フィルタのフィルタ減衰よりも大
きいように選ばれている。
【００３２】図９には、ここでは参照符号Ｌｘを付され
ている勾配コイル、たとえばコイル７および８への往線
および復線に対する干渉抑制フィルタの構造が示されて
いる。図９中の左の端子２２および２６は勾配電流供給
部１２と、また右の端子２６および２２は勾配コイルＬ
ｘと接続されている。その際に両干渉抑制フィルタを通
る電流の流れは矢印５４および５６により示されている
。フィルタ２０はいま、両干渉抑制フィルタの阻止回路
コイルＬｐが重なるように構成され、かつケース内に配
置されている。両干渉抑制フィルタ２０の阻止回路コイ
ルＬｐの間隔５７はわずかであり、プリント板３６およ
び保持板５８の厚みによってのみ定められている。両干
渉抑制フィルタ２０の平行に導かれた阻止回路コイルＬ
ｐのこのわずかな間隔により、勾配電流により惹起され
る干渉抑制フィルタ内の磁界はほぼ補償されており、こ
うして高周波ボックスのなかの均等な基本磁界がもはや
とるにたるほど影響されない。
ている勾配コイル、たとえばコイル７および８への往線
および復線に対する干渉抑制フィルタの構造が示されて
いる。図９中の左の端子２２および２６は勾配電流供給
部１２と、また右の端子２６および２２は勾配コイルＬ
ｘと接続されている。その際に両干渉抑制フィルタを通
る電流の流れは矢印５４および５６により示されている
。フィルタ２０はいま、両干渉抑制フィルタの阻止回路
コイルＬｐが重なるように構成され、かつケース内に配
置されている。両干渉抑制フィルタ２０の阻止回路コイ
ルＬｐの間隔５７はわずかであり、プリント板３６およ
び保持板５８の厚みによってのみ定められている。両干
渉抑制フィルタ２０の平行に導かれた阻止回路コイルＬ
ｐのこのわずかな間隔により、勾配電流により惹起され
る干渉抑制フィルタ内の磁界はほぼ補償されており、こ
うして高周波ボックスのなかの均等な基本磁界がもはや
とるにたるほど影響されない。
【００３３】図１０には、３つの勾配コイルＬｘ、Ｌｙ
、Ｌｚの供給線の干渉抑制のための６つの干渉抑制フィ
ルタがケース４８のなかに配置されている実施例が側面
図で概要を示されている。供給線に挿入されているすべ
ての６つの干渉抑制フィルタはコンパクトに遮蔽ケース
４８のなかに収容され得る。なぜならば、個々の干渉抑
制フィルタの間の磁気的結合はわずかであるからである
。一方では、たとい非対称な擾乱電流の磁界が補償され
ているにせよ、勾配コイルの往線および復線に対する干
渉抑制フィルタ２０の密な案内により勾配コイルにより
惹起される磁界がほぼ補償されている。他方では、阻止
回路コイルＬｐおよび吸収回路コイルＬｓのインダクタ
ンスが小さく，従ってまた対称な擾乱電流により惹起さ
れる磁界も小さい。
、Ｌｚの供給線の干渉抑制のための６つの干渉抑制フィ
ルタがケース４８のなかに配置されている実施例が側面
図で概要を示されている。供給線に挿入されているすべ
ての６つの干渉抑制フィルタはコンパクトに遮蔽ケース
４８のなかに収容され得る。なぜならば、個々の干渉抑
制フィルタの間の磁気的結合はわずかであるからである
。一方では、たとい非対称な擾乱電流の磁界が補償され
ているにせよ、勾配コイルの往線および復線に対する干
渉抑制フィルタ２０の密な案内により勾配コイルにより
惹起される磁界がほぼ補償されている。他方では、阻止
回路コイルＬｐおよび吸収回路コイルＬｓのインダクタ
ンスが小さく，従ってまた対称な擾乱電流により惹起さ
れる磁界も小さい。
【図１】核スピン共鳴撮像装置の基本構成要素の配置図
である。
である。
【図２】干渉抑制フィルタの第１の実施例の電気回路図
である。
である。
【図３】図２による干渉抑制フィルタの１つの実現例の
平面図である。
平面図である。
【図４】図３による干渉抑制フィルタの側面図である。
【図５】帯域阻止限界周波数の上側の周波数をも減衰さ
せる干渉抑制フィルタの第２の実施例の電気回路図であ
る。
せる干渉抑制フィルタの第２の実施例の電気回路図であ
る。
【図６】入力端子と出力端子との間の電位が固定されて
いる図５による干渉抑制フィルタの１つの変形例の電気
回路図である。
いる図５による干渉抑制フィルタの１つの変形例の電気
回路図である。
【図７】図２、図５および図６による干渉抑制フィルタ
の阻止減衰の特性線図である。
の阻止減衰の特性線図である。
【図８】遮蔽ケースの斜視図である。
【図９】２つの干渉抑制フィルタがわずかな間隔で配置
されており、また両干渉抑制フィルタの阻止回路コイル
が重なっている遮蔽ケースの断面図である。
されており、また両干渉抑制フィルタの阻止回路コイル
が重なっている遮蔽ケースの断面図である。
【図１０】６つの干渉抑制フィルタが配置されている遮
蔽ケースの断面図である。
蔽ケースの断面図である。
【符号の説明】
１〜４ コイル
５ 身体
６ 直角座標系
７、８ 勾配コイル
９ 高周波コイル
１１ 電源装置
１２ 勾配電流供給部
１４ 信号増幅器
１５ 高周波送信器
１６ 高周波装置
１７ プロセス計算機
１８ ディスプレイ装置
１９ 切換スイッチ
２０ 干渉抑制フィルタ
２２、２４ 入力端子
２６、２８ 出力端子
２９ 基準電位線
３０ 阻止回路
３２ 接続点
３４ 吸収回路
３６ プリント板
３８ 接続導体帯
４０、４２ 導体帯
４４ 金属化部
４６ タップ
４８ 遮蔽ケース
５０ 長さ
５２ 幅
５７ 間隔
５８ 保持板
Ｃｐ 阻止回路コンデンサ
Ｃｓ 吸収回路コンデンサ
Ｌｐ 阻止回路コイル
Ｌｓ 吸収回路コイル
Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ 勾配コイル
Ｒ 抵抗
Claims (12)
- 【請求項１】 核スピン共鳴撮像装置内の勾配コイル
（７、８、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ）への導線の干渉抑制のた
めの干渉抑制フィルタにおいて、干渉抑制フィルタ（２
０）が核スピン共鳴撮像装置の作動周波数に対する帯域
阻止フィルタとして構成されていることを特徴とする核
スピン共鳴撮像装置用干渉抑制フィルタ。 - 【請求項２】 干渉抑制フィルタ（２０）が２つの入
力端子（２２、２４）および２つの出力端子（２６、２
８）を有する方向対称な四端子回路を成しており、第１
の入力端子（２２）および第１の出力端子（２６）が勾
配コイル（７、８、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ）への導線のなか
に挿入可能であり、第２の入力端子（２４）および第２
の出力端子（２８）が基準電位線（２９）と接続されて
おり、多数の阻止回路（３０）が直列に第１の入力端子
（２２）と第１の出力端子（２６）との間に配置されて
おり、多数の吸収回路（３４）がそれぞれ入力端子（２
２、２４）の間、阻止回路（３０）の接続点（３２）と
基準電位線（２９）との間および出力端子（２６、２８
）の間に配置されており、吸収回路（３４）の数が阻止
回路（３０）の数よりも１だけ大きいことを特徴とする
請求項１記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項３】 阻止回路（３０）が阻止回路コイル（
Ｌｐ）と阻止回路コンデンサ（Ｃｐ）との並列回路から
、また吸収回路（３４）が吸収回路コイル（Ｌｓ）と吸
収回路コンデンサ（Ｃｓ）との直列回路から成っている
ことを特徴とする請求項２記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項４】 各阻止回路コイル（Ｌｐ）がその中点
に、コンデンサ（Ｃｚ）を介して基準電位線（２９）と
接続されているタップ（４６）を有することを特徴とす
る請求項３記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項５】 タップ（４６）がコンデンサ（Ｃｚ）
を介する代わりに抵抗（Ｒ）を介して基準電位線（２９
）と接続されていることを特徴とする請求項４記載の干
渉抑制フィルタ。 - 【請求項６】 阻止回路コイル（Ｌｐ）が１つの平面
内に配置されており、またこの平面内に蛇行状に構成さ
れている導体片から成っていることを特徴とする請求項
３ないし５の１つに記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項７】 各阻止回路コイル（Ｌｐ）がＵ字状に
構成された導体片から成っており、また導体片の端が阻
止回路コンデンサ（Ｃｐ）を介して互いに接続されてい
ることを特徴とする請求項６記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項８】 阻止回路コイル（Ｌｐ）がプリント板
（３６）の第１の側に接触されており、プリント板（３
６）の同じ側に、阻止回路（３０）の接続点（３２）と
接続されている吸収回路の吸収回路コイル（Ｌｓ）を形
成する導体帯が配置されており、阻止回路コンデンサ（
Ｃｐ）と、プリント板（３２）と接続されている吸収回
路（３４）に属する吸収回路コンデンサ（Ｃｓ）とがプ
リント板（３６）の第１の側に配置されており、またプ
リント板（３６）の第２の側がほぼ完全に、基準電位線
（２９）に接続されている金属化部（４４）により覆わ
れていることを特徴とする請求項６または７記載の干渉
抑制フィルタ。 - 【請求項９】 阻止および吸収回路（３０または３４
）が全面を閉じられた遮蔽ケース（４８）のなかに配置
されており、第１の入力端子（２２）および第１の出力
端子（２６）がそれぞれ絶縁性の貫通部を介して遮蔽ケ
ース（４８）から導かれており、基準電位線（２９）が
遮蔽ケース（４８）と接続されており、また遮蔽ケース
の長さ（５０）対幅（５２）の比が、中空導体減衰がフ
ィルタ減衰よりも大きいように選定されていることを特
徴とする請求項２ないし８の１つに記載の干渉抑制フィ
ルタ。 - 【請求項１０】 端子（２２、２４および２６、２８
）と接続されている吸収回路（３４）が遮蔽ケース（４
８）のなかで直接に貫通部および遮蔽ケース（４８）に
接続されており、これらの吸収回路（３４）により形成
される導体ループが互いに直交していることを特徴とす
る請求項９記載の干渉抑制フィルタ。 - 【請求項１１】 核スピン共鳴撮像装置内の勾配コイ
ル（７、８、Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ）の往線および復線の干
渉抑制のための２つの干渉抑制フィルタ（２０）を有す
る干渉抑制フィルタにおいて、１つの遮蔽ケース（４８
）のなかに２つの干渉抑制フィルタ（２０）がわずかな
間隔で配置されており、両干渉抑制フィルタ（２０）の
阻止回路コイル（Ｌｐ）が重なっており、両干渉抑制フ
ィルタ（２０）のなかの直流電流の向きが逆向きであり
、直流電流により惹起される磁界が遮蔽ケース（４８）
のなかでほぼ相殺することを特徴とする核スピン共鳴撮
像装置用干渉抑制フィルタ。 - 【請求項１２】 核スピン共鳴撮像装置のなかの３つ
の勾配コイル（Ｌｘ、Ｌｙ、Ｌｚ）の往線および復線の
干渉抑制のための干渉抑制フィルタにおいて、１つの遮
蔽ケース（４８）のなかに３つの干渉抑制フィルタが配
置されていることを特徴とする核スピン共鳴撮像装置用
干渉抑制フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
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| DE4032707.8 | 1990-10-15 | ||
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| JPH04314427A true JPH04314427A (ja) | 1992-11-05 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |