JPH04290081A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH04290081A
JPH04290081A JP3080867A JP8086791A JPH04290081A JP H04290081 A JPH04290081 A JP H04290081A JP 3080867 A JP3080867 A JP 3080867A JP 8086791 A JP8086791 A JP 8086791A JP H04290081 A JPH04290081 A JP H04290081A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に各画素毎に増幅素子を有する増幅型固体撮像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置のうち、ＣＣＤ（Ｃｈａｒ
ｇｅ　ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）　型固体撮像装置
では、各画素の光電変換部に入射光に応じて蓄積された
信号電荷を、ＣＣＤを用いて電荷のまま出力部に転送す
る構成となっているが、ＣＣＤによる電荷転送中に雑音
成分が混入することにより、Ｓ／Ｎが劣化し易いという
不具合があった。かかる不具合を解消すべくなされた固
体撮像装置として、入射光に応じて信号電荷を蓄積する
光電変換部と、この光電変換部に蓄積された信号電荷を
増幅して垂直信号線に出力する増幅用ＭＯＳトランジス
タと、この増幅用ＭＯＳトランジスタの入力をリセット
するリセット手段とを有するフォトセンサ部を、２次元
配列された複数画素の各画素毎に設けた構成の増幅型固
体撮像装置が知られている（例えば、特開平１−１５４
６７８号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種の固体撮像装置
における出力回路では、図３に示すように、各垂直信号
線９と接地間にコンデンサＣが接続されており、このコ
ンデンサＣにサンプリングスイッチ３１によって水平ブ
ランキング期間で図示せぬフォトセンサ部からの出力電
圧を蓄えておき、水平走査回路１９による水平走査によ
って水平ゲートスイッチ３３をスイッチングすることに
より、コンデンサＣのホールド電圧をバッファ３２を通
して順次水平信号線１５へ導出する構成となっている。 ここで、バッファ３２と水平信号線１５の間の水平ゲー
トスイッチ３３をＭＯＳトランジスタで構成すると、バ
ッファ３２の出力インピーダンスｒＢ　とスイッチＭＯ
Ｓトランジスタ３３の抵抗ｒＳ　が直列接続されたこと
になり、この直列抵抗（ｒＢ　＋ｒＳ　）が出力回路の
出力インピーダンスとなる。
【０００４】一方、スイッチＭＯＳトランジスタ３３の
抵抗ｒＳ　は信号レベルにより変動するので、スイッチ
ＭＯＳトランジスタ３３のチャネル幅Ｗを大きめに設定
する必要がある。しかしながら、水平信号線１５の配線
をなすアルミニウム（Ａｌ）線の容量をＣＡｌ、スイッ
チＭＯＳトランジスタ３３のゲート‐ソース間容量及び
ソース‐基板間接合容量をＣＪＳ、水平方向の画素数を
Ｎとすると、水平信号線１５の負荷容量ＣＨ　は、ＣＨ
　≒ＣＡｌ＋Ｎ・ＣＪＳ なる式で表され、ＭＯＳトランジスタ３３のチャネル幅
Ｗを大きくすると、容量ＣＪＳが大きくなるため、水平
信号線１５の負荷容量ＣＨ　が増加することになる。こ
のように、出力インピーダンスが大きいと、回路時定数
が大きくなるため、水平走査の際のスイッチング速度の
高速化が図れないことなる。
【０００５】そこで、本発明は、出力回路を低インピー
ダンス化することにより、水平走査の際のスイッチング
速度の高速化を可能とした固体撮像装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、２次元配列された複数画素の各画素毎に
、光電変換された信号電荷を増幅して垂直信号線に出力
する増幅素子を有し、各垂直信号線に対して蓄電手段が
接続された構成の固体撮像装置において、ソース電極が
水平信号線に接続されたＦＥＴと、前記蓄電手段の出力
端と前記ＦＥＴのゲート電極間に接続された第１のスイ
ッチ手段と、前記ＦＥＴのゲート電極と基準電位点間に
接続された第２のスイッチ手段とからなる出力回路を各
垂直信号線毎に設けた構成を採っている。
【０００７】
【作用】本発明による固体撮像装置において、ソースフ
ォロワのＦＥＴがバッファ及び水平ゲートスイッチの機
能を持つことから、従来の水平ゲートスイッチの抵抗分
ｒＳ　をなくすことができ、又これによりＦＥＴのチャ
ネルＷを小さくできることから、負荷容量も低減できる
。 さらに、ＦＥＴの電極側に第１，第２のスイッチ手段を
配したことにより、第１，第２のスイッチ手段が小電流
スイッチで良く、しかも水平信号線に直接接続されない
ので、水平信号線の負荷にならない。したがって、出力
回路の出力抵抗及び負荷容量を低減でき、低インピーダ
ンス化できるため、回路時定数が小さくなることにより
、水平走査の際のスイッチング速度の高速化が図れる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明による固体撮像装置の一実
施例の要部を示す回路図である。この図では、説明の都
合上、水平及び垂直方向においてマトリクス状に２次元
配列された複数画素のうち、隣り合うｎ番目及びｎ＋１
番目の２ラインの各１画素のみの回路構成を示している
が、残りの画素も全て同じ回路構成となっているものと
する。図において、各画素に光が入射すると、その入射
光に応じた信号電荷がストレージ（ＳＴ）１に蓄えられ
る。このストレージ１及びその出力ゲート（ＯＧ）スイ
ッチ２により１ビットのＣＣＤが構成されている。また
、このＣＣＤと同一チップ上にリセット用ＭＯＳ‐ＦＥ
Ｔ３とソースホロワの増幅用ＭＯＳ‐ＦＥＴ４が作られ
、増幅用ＭＯＳ‐ＦＥＴ４のゲートがＦＤ（Ｆｌｏａｔ
ｉｎｇ　Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）に接続されてフローティ
ング・ディフュージョン・アンプ（ＦＤＡ）５を構成し
ている。
【０００９】このフローティング・ディフュージョン・
アンプ５において、出力ゲートスイッチ２のゲート電極
が出力ゲート（ＯＧ）信号線６に接続され、またリセッ
ト用ＭＯＳ‐ＦＥＴ３のゲート電極がリセットゲート（
ＲＧ）信号線７ａに、リセット電極がリセットドレイン
（ＲＤ）信号線７ｂにそれぞれ接続されている。そして
、垂直走査回路８から、出力ゲートスイッチ２のゲート
電極に出力ゲートパルスφＯＧが、またリセット用ＭＯ
Ｓ‐ＦＥＴ３のゲート電極にリセットゲートパルスφＲ
Ｇが、ドレイン電極にリセットドレインパルスφＲＤが
それぞれ印加されることによって水平ラインの選択を行
うように構成されている。また、増幅用ＭＯＳ‐ＦＥＴ
４のドレイン電極には電源電圧ＶＤＤが印加され、その
ソース電極が出力端Ｖｏｕｔ　として垂直信号線９に接
続されている。そして、１の水平ラインが選択されると
、その選択された水平ラインの全画素の信号電荷が増幅
用ＭＯＳ‐ＦＥＴ４によって増幅されて垂直信号線９に
出力される。
【００１０】垂直信号線９には、負荷用ＭＯＳトランジ
スタ１０及びＰ型ＭＯＳ‐ＦＥＴからなる転送ゲートス
イッチ１１が接続されており、この垂直信号線９に出力
された各画素の増幅出力はノイズ除去用コンデンサＣ０
　に蓄えられる。このコンデンサＣ０　の出力端にはク
ランプスイッチ１２が接続されており、クランプスイッ
チ１２がそのゲート電極にクランプパルスφＣＬＰ　が
印加されることによってオン状態となることにより、コ
ンデンサＣ０　の出力端の電位がクランプレベルＶＣＬ
Ｐ　にクランプされる。このノイズ除去用コンデンサＣ
０　及びクランプスイッチ１２により、増幅用ＭＯＳ‐
ＦＥＴ４のソース出力に含まれるリセット雑音等の雑音
を低減するためのＣＤＳ（相関二重サンプリング）回路
１３が構成されている。
【００１１】ノイズ除去用コンデンサＣ０　の出力はバ
ッファアンプ１３を経た後、その出力端と接地（基準電
位点）間に接続されたサンプル／ホールド用コンデンサ
Ｃ１　に供給される。一方、水平信号線１５にソース電
極が接続されたＦＥＴ１６からなるソースフォロワ回路
がバッファとして設けられており、このＦＥＴ１６のゲ
ート電極とサンプル／ホールド用コンデンサＣ１　の出
力端間に第１のスイッチ手段１７が、さらにＦＥＴ１６
のゲート電極と接地（基準電位点）間に第２のスイッチ
手段１８がそれぞれ接続されている。これら第１，第２
のスイッチ手段１７，１８のスイッチング制御は、水平
走査回路１９から出力される水平タイミングパルスφＨ
　によって行われる。以上の構成による出力回路２０は
、各垂直信号線９毎に設けられるものである。
【００１２】次に、上述した出力回路２０の回路動作に
つき、図２のタイミングチャートに基づき説明する。先
ず、１水平走査期間内において、その水平ブランキング
期間に水平方向の全ての第１，第２のスイッチ手段１７
，１８をオフ状態とし、コンデンサＣ１　に信号電圧を
印加する。このとき、ＦＥＴ１６のゲート電極は０〔Ｖ
〕にホールドされているので、全てのソースフォロワ回
路はオフ状態となっている。有効期間において、ｎ番目
の第１のスイッチ手段１６が水平タイミングパルスφＨ
ｎでオン状態になると、ｎ番目のコンデンサＣ１　の出
力電圧が第１のスイッチ手段１６及びソースフォロワの
ＦＥＴ１６を介して水平信号線１５に導出される。次に
、水平タイミングパルスφＨｎ＋１が“Ｈ”レベルに遷
移すると、第２のスイッチ手段１７がオン状態になるこ
とにより、ｎ番目のＦＥＴ１６のゲート電極が０〔Ｖ〕
となってそのＦＥＴ１６がオフ状態となると同時に、ｎ
＋１番目の第１のスイッチ手段１６がオン状態になるこ
とによってＦＥＴ１６が動作し、ｎ＋１番目のコンデン
サＣ１　の出力電圧が水平信号線１５に導出される。以
降、上述の動作が順に水平方向に繰り返される。なお、
水平タイミングパルスφＨｎ＋１が“Ｈ”レベルに遷移
した後、その前の水平タイミングパルスφＨｎはそのま
ま“Ｈ”レベルを維持しても良く、又図２に一点鎖線で
示すように、同じタイミングで“Ｌ”レベルに遷移して
も良い。
【００１３】このように、ソースフォロワのＦＥＴ１６
を用いて従来例（図３参照）におけるバッファ３２及び
水平ゲートスイッチ３３を構成したことにより、従来の
水平ゲートスイッチ３３の抵抗分ｒＳ　をなくすことが
でき、又これによりＦＥＴ１６のチャネルＷを小さくで
きることから、負荷容量も低減できることになる。さら
に、ＦＥＴ１６の電極側に第１，第２のスイッチ手段１
７，１８を配したことにより、第１，第２のスイッチ手
段１７，１８が小電流スイッチで良く、しかも水平信号
線１５に直接接続されないので、水平信号線１５の負荷
にならない。したがって、出力回路２０の出力抵抗及び
負荷容量を低減でき、低インピーダンス化できるため、
回路時定数が小さくなることにより、水平走査の際のス
ッチング速度の高速化が図れることになる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素毎に増幅素子を有する増幅型固体撮像装置の出力回
路において、ソースフォロワのＦＥＴにバッファ及び水
平ゲートスイッチの機能を持たせ、又各垂直信号線に対
して接続されたコンデンサの出力端とＦＥＴのゲート電
極間に第１のスイッチ手段を、ＦＥＴのゲート電極と基
準電位点間に第２のスイッチ手段をそれぞれ配す構成と
したことにより、出力回路の出力抵抗及び負荷容量を低
減でき、低インピーダンス化できるので、回路時定数が
小さくなることにより、水平走査の際のスッチング速度
の高速化が図れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による固体撮像装置の一実施例の要部を
示す回路図である。
【図２】本発明に係る出力回路の回路動作を説明するタ
イミングチャートである。
【図３】従来の出力回路の要部を示す回路図である。
【符号の説明】
３　　リセット用ＭＯＳ‐ＦＥＴ ４　　増幅用ＭＯＳ‐ＦＥＴ ５　　ＦＤＡ（フローティング・ディフュージョン・ア
ンプ） １０　　負荷用ＭＯＳトランジスタ １２　　クランプスイッチ １３　　ＣＤＳ（相関二重サンプルホールド）回路１５
　　水平信号線 １６　　ソースフォワロのＦＥＴ １７　　第１のスイッチ手段 １８　　第２のスイッチ手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　２次元配列された複数画素の各画素毎
    に、光電変換された信号電荷を増幅して垂直信号線に出
    力する増幅素子を有し、各垂直信号線に対して蓄電手段
    が接続された構成の固体撮像装置において、ソース電極
    が水平信号線に接続されたＦＥＴと、前記蓄電手段の出
    力端と前記ＦＥＴのゲート電極間に接続された第１のス
    イッチ手段と、前記ＦＥＴのゲート電極と基準電位点間
    に接続された第２のスイッチ手段とからなる出力回路を
    各垂直信号線毎に設けたことを特徴とする固体撮像装置
    。
  2. 【請求項２】　　水平方向にて隣り合う出力回路間にお
    いて、走査順序の次の出力回路の第１のスイッチ手段と
    前の出力回路の第２のスイッチ手段の駆動を同一のタイ
    ミング信号で行うことを特徴とする請求項１記載の固体
    撮像装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000002434A1 (fr) * 1998-07-08 2000-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Imageur transistorise
WO2005069608A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置およびこれを用いたカメラ
US7944491B2 (en) 1998-06-08 2011-05-17 Sony Corporation Solid-state image-pickup device including unit pixels having a 3-transistor design and wherein a vertical selection pulse provides a reset potential

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456326B2 (en) 1994-01-28 2002-09-24 California Institute Of Technology Single chip camera device having double sampling operation
USRE42918E1 (en) 1994-01-28 2011-11-15 California Institute Of Technology Single substrate camera device with CMOS image sensor
JPH07255013A (ja) * 1994-01-31 1995-10-03 Sony Corp 固体撮像装置
JP3966557B2 (ja) * 1995-08-11 2007-08-29 株式会社東芝 画像システム並びにそこで用いられる固体撮像装置半導体集積回路および差分出力方法
US5953060A (en) * 1995-10-31 1999-09-14 Imec Vzw Method for reducing fixed pattern noise in solid state imaging devices
JP3911788B2 (ja) * 1997-03-10 2007-05-09 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JPH10257392A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electron Corp 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法
US6786420B1 (en) 1997-07-15 2004-09-07 Silverbrook Research Pty. Ltd. Data distribution mechanism in the form of ink dots on cards
US5920345A (en) * 1997-06-02 1999-07-06 Sarnoff Corporation CMOS image sensor with improved fill factor
US6320616B1 (en) 1997-06-02 2001-11-20 Sarnoff Corporation CMOS image sensor with reduced fixed pattern noise
US6115066A (en) * 1997-06-12 2000-09-05 International Business Machines Corporation Image sensor with direct digital correlated sampling
US6618117B2 (en) 1997-07-12 2003-09-09 Silverbrook Research Pty Ltd Image sensing apparatus including a microcontroller
US20040119829A1 (en) * 1997-07-15 2004-06-24 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead assembly for a print on demand digital camera system
US6690419B1 (en) 1997-07-15 2004-02-10 Silverbrook Research Pty Ltd Utilising eye detection methods for image processing in a digital image camera
US7110024B1 (en) 1997-07-15 2006-09-19 Silverbrook Research Pty Ltd Digital camera system having motion deblurring means
US6879341B1 (en) 1997-07-15 2005-04-12 Silverbrook Research Pty Ltd Digital camera system containing a VLIW vector processor
US6624848B1 (en) 1997-07-15 2003-09-23 Silverbrook Research Pty Ltd Cascading image modification using multiple digital cameras incorporating image processing
JPH11103418A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Canon Inc 光電変換装置
JP3466886B2 (ja) * 1997-10-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6433822B1 (en) * 1998-03-31 2002-08-13 Intel Corporation Method and apparatus for self-calibration and fixed-pattern noise removal in imager integrated circuits
US6963372B1 (en) * 1998-04-24 2005-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing apparatus and method of operating the same
KR100352757B1 (ko) * 1998-06-02 2002-09-16 가부시끼가이샤 도시바 고속도 동작 고체 촬상 장치
JP4305970B2 (ja) * 1998-06-05 2009-07-29 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JP3011196B2 (ja) * 1998-07-29 2000-02-21 日本電気株式会社 イメージセンサ
AUPP702098A0 (en) 1998-11-09 1998-12-03 Silverbrook Research Pty Ltd Image creation method and apparatus (ART73)
US6624850B1 (en) * 1998-12-30 2003-09-23 Eastman Kodak Company Photogate active pixel sensor with high fill factor and correlated double sampling
JP3762604B2 (ja) * 1999-03-30 2006-04-05 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
AUPQ056099A0 (en) 1999-05-25 1999-06-17 Silverbrook Research Pty Ltd A method and apparatus (pprint01)
JP3685445B2 (ja) * 2000-02-18 2005-08-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
US7286174B1 (en) * 2001-06-05 2007-10-23 Dalsa, Inc. Dual storage node pixel for CMOS sensor
US7304674B2 (en) * 2002-11-15 2007-12-04 Avago Technologies General Ip Pte Ltd Sampling image signals generated by pixel circuits of an active pixel sensor (APS) image sensor in a sub-sampling mode
EP1463306B8 (en) * 2003-03-25 2009-11-11 Panasonic Corporation Imaging device that prevents loss of shadow detail
US7808022B1 (en) 2005-03-28 2010-10-05 Cypress Semiconductor Corporation Cross talk reduction
JP5730030B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4914519A (en) * 1986-09-19 1990-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for eliminating noise in a solid-state image pickup device
JPS63100879A (ja) * 1986-10-17 1988-05-02 Hitachi Ltd 固体撮像装置
EP0272152B1 (en) * 1986-12-18 1994-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Signal reading out circuit
US4942474A (en) * 1987-12-11 1990-07-17 Hitachi, Ltd. Solid-state imaging device having photo-electric conversion elements and other circuit elements arranged to provide improved photo-sensitivity
US5144447A (en) * 1988-03-31 1992-09-01 Hitachi, Ltd. Solid-state image array with simultaneously activated line drivers
JP3050583B2 (ja) * 1990-10-17 2000-06-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
US5134489A (en) * 1990-12-28 1992-07-28 David Sarnoff Research Center, Inc. X-Y addressable solid state imager for low noise operation

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8922689B2 (en) 1998-06-08 2014-12-30 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US8031248B2 (en) 1998-06-08 2011-10-04 Sony Corporation Solid state imaging element having horizontal scanning circuit for providing reset signals
US9445020B2 (en) 1998-06-08 2016-09-13 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US9313430B2 (en) 1998-06-08 2016-04-12 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US7944491B2 (en) 1998-06-08 2011-05-17 Sony Corporation Solid-state image-pickup device including unit pixels having a 3-transistor design and wherein a vertical selection pulse provides a reset potential
US8023024B2 (en) 1998-06-08 2011-09-20 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US9253422B2 (en) 1998-06-08 2016-02-02 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US8284284B2 (en) 1998-06-08 2012-10-09 Sony Corporation Solid-state imaging element, method for driving the same, and camera system
US9179081B2 (en) 1998-06-08 2015-11-03 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
US8743257B2 (en) 1998-06-08 2014-06-03 Sony Corporation Solid-state imaging element having image signal overflow path
WO2000002434A1 (fr) * 1998-07-08 2000-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Imageur transistorise
US6977682B2 (en) 1998-07-08 2005-12-20 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imaging device
WO2005069608A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置およびこれを用いたカメラ
US7626622B2 (en) 2004-01-13 2009-12-01 Panasonic Corporation Solid state image pickup device and camera using the same

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