JPH04252095A - セラミックプリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミックプリント配線
板に関する。

【０００２】図４に示すようにセラミックプリント配線
板１は、セラミック基板本体２と、この表面に形成され
た薄膜配線層体３とよりなり、薄膜配線層体３の絶縁膜
ビア４が、セラミック基板表面の接続用メタルパッド５
を介して、セラミック基板本体２の導体ビア６と電気的
に接続された構成である。

【０００３】このセラミックプリント配線板１は、セラ
ミック基板本体２については焼成して製造し、薄膜配線
層体３については薄膜形成技術により形成されたもので
あり、両者の形成技術は異質である。このため、セラミ
ックプリント配線板１は、セラミック基板本体２と薄膜
配線層体３との境面において、電気的接続不良が起き易
くなる。

【０００４】そこで、セラミックプリント配線板１にお
いては、絶縁膜ビア４と導体ビア６との電気的接続の信
頼性を向上することが望まれている。

【０００５】

【従来の技術】図５（Ａ），（Ｂ）は従来のセラミック
プリント配線板１０を示す。１１はセラミック基板本体
であり、導体ビア１２−１〜１２−３が形成してある。

【０００６】１３は薄膜配線層体であり、下面において
上記導体ビア１２−１〜１２−３と電気的に接続された
接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と、有機絶縁膜
１５と、接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と電気
的に接続されて上記絶縁膜１５を貫通して形成された絶
縁膜ビア１６−１〜１６−３と、絶縁膜ビア１６−１〜
１６−３と一体の配線層１７−１〜１７−３とよりなる
。

【０００７】接続用メタルパッド１４−１〜１４−３は
、セラミック基板本体１１の焼成時の収縮率のばらつき
を見込んで、導体ビア１２−１〜１２−３の径ｄ１　の
数倍大きい径ｄ２　の大きさとしてある。これにより、
セラミック基板本体１１の収縮率のばらつき如何に関係
なく、各接続用メタルパッド１４−１〜１４−３は、対
応する導体ビア１２−１〜１２−３を拾い、対応する導
体ビア１２−１〜１２−３と電気的に接続される。

【０００８】絶縁膜ビア１６−１〜１６−３は、対応す
る接続用メタルパッド１４−１〜１４−３の中心に形成
してあり、各接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と
電気的に接続してある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、導体ビ
ア１２−１〜１２−３と絶縁膜ビア１６−１〜１６−３
とは、共に同じ接続用メタルパッド１４−１〜１４−３
に対向して形成してあるため、例えば導体ビア１２−２
と絶縁膜ビア１６−２のように、一致することがある。

【００１０】一致すると、以下に述べる問題が起きる危
険性がある。セラミックの原料であるグリーンシートと
、導体ビアの原料である銅ペーストとは焼成時の挙動に
違いがあるため、図６に拡大して示すように、導体ビア
１２−２とセラミック基板本体１１との間に隙間２０が
でき、この隙間２０内に処理液２１が残留することがあ
る。

【００１１】この場合には、残留した処理液２１が接続
用メタルパッド１４−２に作用してこれを溶解し、更に
はこの真上に形成された絶縁膜ビア１６−２に作用して
、絶縁膜ビア１６−２を溶解してしまう。

【００１２】２２は、接続用メタルパッド１４−１のう
ち溶解されて欠落した部分を示す。２３は絶縁層ビア１
６−２のうち溶解されて欠落した部分を示す。

【００１３】このような状態が起きると、最悪の場合に
は、導体ビア１２−２と絶縁膜ビア１６−２との電気的
接続が不良となってしまう。

【００１４】また、これとは逆に、絶縁膜ビア１６−２
の形成に使用した処理液の影響が、導体ビア１２−２に
まで及び、同様に電気的接続不良を起こしてしまう。

【００１５】本発明は、導体ビアと絶縁膜ビアとの接続
の信頼性の向上を図ることを可能としたセラミックプリ
ント配線板を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、導体
ビアを有するセラミック基板本体と、該セラミック基板
本体の表面の接続用メタルパッドと絶縁膜ビアを有し、
上記セラミック基板本体の表面に形成された薄膜配線層
体とよりなり、上記導体ビアと上記絶縁膜ビアとが上記
接続用メタルパッドを介して電気的に接続された構成の
セラミックプリント配線板において、上記接続用メタル
パッドを、上記セラミック基板本体の収縮率のばらつき
を見込んだ大きさを有して、前記導体ビアと電気的に接
続される導体ビア接続用パッド部と、該導体ビア接続用
パッド部より延出して形成してあり、前記絶縁膜ビアが
電気的に接続される絶縁膜ビア接続用パッド部とよりな
る構成とし、前記導体ビアが上記導体ビア接続用パッド
部と電気的に接続され、前記絶縁膜ビアが上記絶縁膜ビ
ア接続用パッド部と電気的に接続された構成としたもの
である。

【００１７】請求項２の発明は、請求項１の接続用メタ
ルパッドを、上記絶縁膜ビア接続用パッド部が上記導体
ビア接続用パッド部に隣接して配された形状としたもの
である。

【００１８】

【作用】請求項１の発明において、絶縁膜ビア接続用パ
ッド部を導体ビア接続用パッド部とは別個に設けた構成
は、導体ビアと絶縁膜ビアとを必ずその位置を食い違わ
せる。

【００１９】請求項２の発明において、絶縁膜ビア接続
用パッド部を、導体ビア接続用パッド部に隣接させる構
成は、接続用メタルパッドが大きくなることを制限する
。

【００２０】

【実施例】図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施例に
なるセラミックプリント配線板３０を示す。図中、図５
（Ａ），（Ｂ）に示す構成部分と対応する部分には同一
符号を付す。

【００２１】３１−１〜３１−３は接続用メタルパッド
であり、導体ビア接続用パッド部３１−１ａ　〜３１−
３ａ　と、これに隣接した絶縁膜ビア接続用パッド部３
１−１ｂ　〜３１−３ｂ　とよりなる構成である。

【００２２】３２は薄膜絶縁層体である。この薄膜絶縁
層体３２は、上記の接続用メタルパッド３１−１〜３１
−３と、有機絶縁膜３３と、この絶縁膜３３を貫通して
形成された絶縁膜ビア３４−１〜３４−３と、絶縁膜ビ
ア３４−１〜３４−３と一体の配線層３５−１〜３５−
３とよりなる。

【００２３】接続用メタルパッド３１−１〜３１−３の
うち導体ビア接続用パッド部３１−１ａ　〜３１−３ａ
　は、従来例における接続用メタルパッド１４−１〜１
４−３と同様にセラミック基板本体１１の焼成時の収縮
率のばらつきを見込んで、導体ビア１２−１〜１２−３
の径ｄ１　の数倍大きい径ｄ１０の大きさとしてある。

【００２４】これにより、セラミック基板本体１１の収
縮率のばらつきの如何に関係なく、各接続用パッド部３
１−１ａ　〜３１−３ａ　は、対応する導体ビア１２−
１〜１２−３を拾い、対応する導体ビア１２−１〜１２
−３と電気的に接続された状態でセラミック基板本体１
１の表面に形成される。

【００２５】焼成した後はセラミック基板本体１１は収
縮せず、接続用メタルパッド３１−１〜３１−３の位置
、即ち、絶縁膜ビア接続用パッド部３１−１ｂ　〜３１
−３ｂ　の位置は、精度良く定まっている。従って絶縁
膜ビア３４−１〜３４−３の接続用メタルパッド３１−
１〜３１−３に対する形成位置を精度良く定めることは
可能である。

【００２６】絶縁膜ビア３４−１〜３４−３は、接続用
メタルパッド３１−１〜３１−３のうち、導体ビア接続
用パッド部３１−１ａ　〜３１−３ａ　ではなく、これ
より延出して一辺がａの矩形状に形成してある絶縁膜ビ
ア接続用パッド部３１−１ｂ　〜３１−３ｂ　の部位に
、これと電気的に接続されて形成してある。

【００２７】これにより、絶縁膜ビア３４−１〜３４−
３は、夫々接続用メタルパッド３１−１〜３１−３のう
ちの絶縁膜ビア接続用パッド部３１−１ｂ　〜３１−３
ｂ　，次いで導体ビア接続用パッド部３１−１ａ　〜３
１−３ａ　を介して、導体ビア１２−１〜１２−３と電
気的に接続されている。

【００２８】また、絶縁膜ビア３４−１は導体ビア１２
−１に対して寸法ｅ１　ずれている。絶縁膜ビア３４−
２は導体ビア１２−２に対して寸法ｅ２　，絶縁膜ビア
３４−３は導体ビア１２−３に対して寸法ｅ３　ずれて
いる。

【００２９】このように、全部の絶縁膜３４−１〜３４
−３が、対応する導体ビア１２−１〜１２−３に対して
必ずずれている。

【００３０】このため、例えば導体ビア１２−２と絶縁
膜ビア３４−２とについてみるに、図２に拡大して示す
ように、図６に示す場合と同様に導体ビア１２−２とセ
ラミック本体１１との間に隙間２０が出来て、この隙間
２０内に処理液２１が残留している場合でも、この処理
液の影響は接続用メタルパッド３１−２のうち導体ビア
接続用パッド部３１−２ａ　に及ぶにとどまり、絶縁膜
接続用パッド部３１−２ｂ　，更には絶縁膜ビア３４−
２には全く及ばない。

【００３１】従って、絶縁膜ビア３４−２は正常に形成
され、且つ全く溶解されず、絶縁膜ビア３４−２と導体
ビア１２−２とは信頼性良く電気的に接続される。

【００３２】また、絶縁膜ビア３４−２の形成時に残留
した処理液の影響は、及んだとしても図３に示すように
絶縁膜ビア接続用パッド部３１−２ｂ　が限度であり、
導体ビア接続用パッド部３１−２ａ　，ましてや導体ビ
ア１２−２には及ばない。

【００３３】このことによっても、絶縁膜ビア３４−２
と導体ビア１２−２とは信頼性良く電気的に接続される
。

【００３４】図２中、３７は導体ビア接続用パッド部３
１−２ａ　のうちの欠落した部分を示し、図３中、３８
は絶縁膜ビア接続用パッド部３１−２ｂ　のうちの欠落
した部分を示す。

【００３５】また、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜ビ
ア接続用パッド部３１−１ｂ　〜３１−３ｂ　は夫々導
体ビア接続用パッド部３１−１ａ　〜３１−３ａ　に隣
接して形成してあり、接続用メタルパッド３１−１〜３
１−３の配設密度を損ねることはなく、接続用メタルパ
ッド３１−１〜３１−３は高密度に配置してある。

【００３６】なお、図１（Ａ）中、ｄ１　は例えば０．
０８ｍｍ，ｄ１０は例えば０．５５ｍｍ，ａは例えば０
．１　ｍｍである。

【００３７】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、導体ビアと絶縁膜ビアとが必ずずれることになり
、導体ビアの影響が絶縁膜ビアに及ぶこと及び絶縁膜ビ
アの影響が導体ビアに及ぶことを確実に防止することが
出来、導体ビアと絶縁膜ビアとの電気的接続の信頼性を
向上させることが出来る。

【００３８】請求項２の発明によれば、接続用メタルパ
ッドを高密度に配置することが妨げられず、配線の高密
度化が損なわれることを防止出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックプリント配線板の一実施例
であり、（Ａ）は接続用メタルパッド形成後の平面図、
（Ｂ）は薄膜配線層体形成後の断面図である。

【図２】図１中、一の導体ビアの欠落の影響を示す図で
ある。

【図３】図１中、一の絶縁膜ビアの欠落の影響を示す図
である。

【図４】セラミックプリント配線板の基本的な構成を分
解して示す図である。

【図５】従来のセラミックプリント配線板の１例であり
、（Ａ）は接続用メタルパッド形成後の平面図、（Ｂ）
は薄膜配線層体形成後の断面図である。

【図６】図５中、導体ビアの欠落が絶縁膜ビアに及ぶこ
とを示す図である。

【符号の説明】

１１　　セラミック基板本体 １２−１〜１２−３　　導体ビア ３０　　セラミックプリント配線板 ３１−１〜３１−３　　接続用メタルパッド３１−１ａ
　〜３１−３ａ　　　導体ビア接続用パッド部３１−１
ｂ　〜３１−３ｂ　　　絶縁膜ビア接続用パッド部３２
　　薄膜配線層体 ３３　　有機絶縁膜 ３４−１〜３４−３　　　　絶縁膜ビア３５−１〜３５
−３　　　　配線層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　導体ビア（１２−２）を有するセラミ
   ック基板本体（１１）と、該セラミック基板本体の表面
   の接続用メタルパッド（３１−２）と絶縁膜ビア（３４
   −２）を有し、上記セラミック基板本体の表面に形成さ
   れた薄膜配線層体（３２）とよりなり、上記導体ビア（
   １２−２）と上記絶縁膜ビア（３４−２）とが上記接続
   用メタルパッド（３１−２）を介して電気的に接続され
   た構成のセラミックプリント配線板において、上記接続
   用メタルパッド（３１−２）を、上記セラミック基板本
   体の収縮率のばらつきを見込んだ大きさを有して、前記
   導体ビア（１２−２）と電気的に接続される導体ビア接
   続用パッド部（３１−２ａ　）と、該導体ビア接続用パ
   ッド部（３１−２ａ　）より延出して形成してあり、前
   記絶縁膜ビア（３４−２）が電気的に接続される絶縁膜
   ビア接続用パッド部（３１−２ｂ　）とよりなる構成と
   し、前記導体ビア（１２−２）が上記導体ビア接続用パ
   ッド部（３１−２ａ　）と電気的に接続され、前記絶縁
   膜ビア（３４−２）が上記絶縁膜ビア接続用パッド部（
   ３１−２ｂ　）と電気的に接続された構成のセラミック
   プリント配線板。
2. 【請求項２】　　請求項１の接続用メタルパッドを、上
   記絶縁膜ビア接続用パッド部（３１−２ｂ　）が上記導
   体ビア接続用パッド部（３１−２ａ　）に隣接して配さ
   れた形状としたことを特徴とするセラミックプリント配
   線板。