JPH04242963A - 冷却装置 - Google Patents

冷却装置

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JPH04242963A
JPH04242963A JP3147656A JP14765691A JPH04242963A JP H04242963 A JPH04242963 A JP H04242963A JP 3147656 A JP3147656 A JP 3147656A JP 14765691 A JP14765691 A JP 14765691A JP H04242963 A JPH04242963 A JP H04242963A
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JP
Japan
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cooling
heat
refrigerant
stud
heat transfer
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JP3147656A
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Katsumi Kuno
勝美 久野
Tomiya Sasaki
富也 佐々木
Masaru Ishizuka
勝 石塚
Hideo Iwasaki
秀夫 岩崎
Shigeki Kadoma
茂樹 門間
Katsumasa Araoka
勝政 荒岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の発熱
体の冷却に用いられる冷却装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップ等の発熱体は動作時に発熱
するので、性能を一定に維持するために冷却装置によっ
て冷却が行なわれる。
【0003】従来、半導体チップの冷却には例えば図3
0乃至図34に示すような種々の冷却装置が用いられて
いる。
【0004】図30に示した半導体チップの冷却装置で
は、上部にフィン101を取付けた半導体チップ102
が各基板103上に複数実装されている。そして、これ
らのフィン101を取付けた半導体チップ102と基板
103が収容されている容器104内に、ファン105
によって空気等の流体を流して半導体チップ102の熱
をフィン101より大気中に放熱していた。
【0005】しかしながら、上記したような半導体チッ
プ102に取付けたフィン101に、ファン105によ
って空気を流して冷却を行うような冷却装置では、今日
のように基板103上に半導体チップ102が高密度実
装されると、半導体チップ102全体の放熱量も大幅に
増加するので、各半導体チップ102を均一な温度分布
で効率よく冷却できなくなる問題が生じてきた。
【0006】また、図31に示した半導体チップの冷却
装置では、基板112に実装された複数個(図では3個
)の半導体チップ111は、基板112を内側に取付け
た基台113と伝熱ブロック114とで形成された空間
115内に配設されている。
【0007】半導体チップ111の上部は、伝熱ブロッ
ク114に形成した孔114a内に隙間を設けて挿入さ
れている冷却スタッド116が接触しており、孔114
a内に取付けたばね117によって冷却スタッド116
が半導体チップ111に押圧されている。また、伝熱ブ
ロック114内には、冷却液が流れる流路118が形成
されており、基台113と伝熱ブロック114間で形成
される空間115には、ヘリウムガスが充填されている
【0008】上記した従来の冷却装置では、半導体チッ
プ111で発熱が生じると、この熱は冷却スタッド11
6に伝わり、さらにヘリウムガスを通して伝熱ブロック
114に伝熱される。そして、この伝熱ブロック114
を、流路118内を流れる冷却液によって冷却すること
により、半導体チップ111の冷却が行なわれる。
【0009】しかしながら、上記した従来の冷却装置で
は、組立て精度不良等によって冷却スタッド116が半
導体チップ111の上部に片当たりして接触している場
合は、この接触部での熱抵抗が大きくなることにより冷
却効果が低下し、また、半導体チップ111の熱を、ヘ
リウムガスによる熱伝導によって伝熱ブロック114に
伝えるために熱抵抗が大きかった。
【0010】また、図32に示した半導体チップの冷却
装置では、半導体チップ121の裏面に伝熱ブロック1
22が熱的に接続されており、伝熱ブロック122の半
導体チップ121と反対側の面には、直線上に配列され
た複数のフィン123(各フィン123は断面が数十〜
数百μm角程度)によって流路124が形成されている
(図33参照)。フィン123はエッチング処理で作成
される。
【0011】伝熱ブロック122上のフィン123はカ
バープレート125で囲まれており、カバープレート1
25の両側には、伝熱ブロック122内の流路124に
冷却液を循環させるための供給口126と排出口127
が挿通されている。
【0012】上記した従来の冷却装置では、半導体チッ
プ121で発熱が生じると、この熱は伝熱ブロック12
2のフィン123に伝わる。そして、この伝熱ブロック
122のフィン123を流路124に沿って流れる冷却
液によって冷却することにより、半導体チップ121の
冷却が行なわれる。
【0013】しかしながら、上記した従来の冷却装置で
は、冷却液が循環される供給口126と排出口127間
にフィン123が直線上に長く形成されているので、フ
ィン123の熱伝達率が低下し、さらにこのフィン12
によって形成される流路124の流路抵抗も大きくなる
ことによって半導体チップ121の冷却効率が低下する
問題があった。
【0014】また、図34に示した半導体チップの冷却
装置では、複数個(図では3個)の半導体チップ131
が基板132に実装されており、基板132の裏面(図
では半導体チップ131と反対側の面)には、パイプ部
134が一体に接続されている冷媒135を封入したキ
ャップ136が配設され、ヒートパイプが構成されてい
る。パイプ部134の外側にはフィン133が取付けら
れている。
【0015】上記した従来の冷却装置では、半導体チッ
プ131で発熱が生じると、この熱は基板132を通し
てキャップ136内の冷媒135に伝えられることによ
り、冷媒135が蒸発する。蒸発した冷媒135は、パ
イプ部134へ上昇してフィン133による放熱によっ
て熱を奪われた後、重力によりキャップ136内に戻る
【0016】しかしながら、上記した従来の冷却装置で
は、基板132の熱伝導率が悪い場合には、熱抵抗が大
きくなって半導体チップ131の熱を効果的にキャップ
136内の冷媒135に伝えることができず、半導体チ
ップ131の冷却効率が低下する問題があった。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、図3
0乃至図34に示した従来の半導体チップの冷却装置で
は、今日にように高密度実装される半導体チップや発熱
量の大きい半導体チップが実装される場合には良好な冷
却を行うことができなかった。
【0018】本発明は上記した課題を解決する目的でな
され、熱抵抗を低減して発熱体の冷却を良好に行うこと
ができる冷却装置を提供しようとするものである。
【0019】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために第1の本発明は、発熱体に熱的に接続された冷却
スタッドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を気化に
より奪う冷媒と、この冷媒を前記冷却スタッドに供給す
る冷媒供給器と、この冷媒供給器によって冷却スタッド
に供給された前記冷媒が通過する冷媒気化路とから構成
されることを特徴としている。
【0020】第2の本発明は、発熱体に熱的に接続され
た冷却スタッドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を
奪う冷媒と、この冷媒を前記冷却スタッドに供給する冷
媒供給路と、前記冷媒を前記発熱体から隔絶するシート
と、このシートを前記冷却スタッドに圧着する圧着部材
と、この圧着部材による前記シートの、前記冷媒を前記
発熱体から隔絶する性能を高める隔絶性能向上部材とか
ら構成されるされることを特徴としている。
【0021】第3の本発明は、発熱体に熱的に接続され
た冷却スタッドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を
奪う冷媒と、この冷媒を前記発熱体から隔絶するシート
と、前記冷媒を加圧して前記冷却スタッドに供給し、前
記冷却スタッドを前記冷媒の圧力で前記発熱体に圧着す
るための冷媒供給路とから構成されることを特徴として
いる。
【0022】第4の本発明は、発熱体に熱的に接続され
た冷却スタッドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を
対流伝熱により奪う冷媒と、この冷媒を前記冷却スタッ
ドに供給する冷媒供給器と、前記冷媒の対流を攪拌する
ための攪拌機とから構成されることを特徴としている。
【0023】第5の本発明は、発熱体から生じる熱を吸
収して蒸発する伝熱媒体と、前記発熱体から生じる熱を
伝熱媒体に伝える伝熱シート部と、この伝熱シート部を
介して前記発熱体から生じる熱を吸収する前記伝熱媒体
を溜める伝熱媒体溜留流槽と、この伝熱媒体溜流槽内で
前記発熱体から生じる熱を吸収して蒸発した前記伝熱媒
体の蒸気が上昇するパイプ部と、このパイプ部を上昇す
る前記伝熱媒体の蒸気から熱を奪う放熱部とから構成さ
れることを特徴としている。
【0024】第6の本発明は、発熱体に熱的に接続され
た伝熱ブロックと、この伝熱ブロックの外面に備えられ
スタガード状に配置された放熱フィン群と、この放熱フ
ィン間を流れて前記伝熱ブロックに伝えられた熱を奪う
冷媒とから構成されることを特徴としている。
【0025】
【作用】請求項1に記載の第1の本発明によれば、発熱
体から熱が伝えられた冷却スタッドに冷媒を供給するこ
とにより、冷媒が気化する際に冷却スタッドの熱を奪う
ことができる。
【0026】請求項3と5に記載の第2,第3の本発明
によれば、発熱体から熱が伝えられた冷却スタッドは、
発熱体と良好に密着して熱を良く奪い、容器内に注入さ
れたあるいは流路を流れる冷却液に直接熱交換される。
【0027】請求項6に記載の第4の本発明によれば、
発熱体から熱が伝えられた冷却スタッドは冷媒の対流伝
熱と、この対流伝熱を促進する攪拌機により効率良く冷
却される。
【0028】請求項7に記載の第5の本発明によれば、
発熱体はヒートパイプの原理により冷却される。
【0029】請求項9に記載の第6の本発明によれば、
発熱体から熱が伝えられた伝熱ブロックのフィンは、フ
ィンの間に供給される冷却液に直接熱交換される。
【0030】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。
【0031】<実施例1>図1は、本発明の実施例1に
係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に示すよ
うに、基板2上には例えばバンプやボンディングワイヤ
(図示省略)を介して複数個(図では3個)の半導体チ
ップ1が縦実装されており、各半導体チップ1の上面に
は、それぞれ冷却スタッド3,4が熱的に接続されてい
る。
【0032】冷却スタッド3,4は、容器5内にシール
して配設されており、冷却スタッド4の先端は容器5の
内面に接触している。冷却スタッド4の容器5内に位置
する部分は多孔質体(例えば多孔金属)6で形成されて
おり、その内部には容器5と連通している孔4aが形成
されている。
【0033】冷却スタッド4の孔4a内にはそれぞれ配
管7a,7bが配設されており、配管7a,7bは液化
・冷却装置8が接続されている配管7cに接続され、配
管7cの他端側は容器5内に連通している。配管7a,
7b,7c間には、冷却スタッド4の多孔質体6を通し
て冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカーボン等
)が循環される。また、冷却スタッド3にはフィン3a
が一体に形成されている。
【0034】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱は接続されている各冷却スタッド3,4に伝熱され
る。
【0035】この時、液化・冷却装置8で液化・冷却さ
れた冷却媒体(例えば代替フレオンとしてのフロロカー
ボン等)は、配管7a,7bを通して冷却スタッド4の
多孔質体6に導入され、多孔質体6を通して容器5内に
流出する(図2参照)。この際、液化・冷却された冷媒
が多孔質体6内を通るときに気化して冷却スタッド4の
熱を奪うことにより、半導体チップ1の冷却を良好に行
うことができる。また、冷却スタッド4の多孔質体6か
ら容器5内に気化して流出した冷媒は、配管7cを通し
て再び液化・冷却装置8に導入されて液化・冷却される
。なお、冷却スタッド3に伝熱された熱は、フィン3a
により放熱される。
【0036】<実施例2>図3は、本発明の実施例2に
係る冷却装置の要部を示す概略断面図である。本実施例
では、図1,2で示した実施例1で用いた冷却スタッド
4の多孔質体6の代わりに冷却スタッド4の容器5内に
位置する部分に、冷却スタッド4を径方向に貫通するよ
うにして小径の穴9を複数形成した構成である。他の構
成は上記した実施例1と同様である。
【0037】このように本実施例においても、液化・冷
却された冷媒が冷却スタッド4に形成した小径の穴9内
を通るときに気化して冷却スタッド4の熱を奪うことに
より、半導体チップ1の冷却を良好に行うことができる
【0038】<実施例3>図4は、本発明の実施例3に
係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に示すよ
うに、基板2上には例えばバンプやボンディングワイヤ
(図示省略)を介して複数個(図では4個)の半導体チ
ップ1が実装されており、各半導体チップ1の上面には
、それぞれ冷却スタッド10,11が熱的に接続されて
いる。
【0039】冷却スタッド10は、ダクト12で形成さ
れた流路内13内に配設されており、冷却スタッド10
の先端はダクト12の内面に接触している。冷却スタッ
ド10の流路13内に位置する部分は多孔質体(例えば
多孔金属)14で形成されており、その内部にはダクト
12と連通している孔10aが形成されている。
【0040】冷却スタッド10の孔10a内には冷媒供
給装置(図示省略)が接続されている配管15が配設さ
れており、冷媒供給装置(図示省略)から配管15を通
して液状の冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカ
ーボン等)が冷却スタッド10内に導入される。
【0041】また、流路13内には、流路13内に流体
(例えば空気等)を流すためのファン16が配設されて
いる。また、各冷却スタッド10,11には、それぞれ
フィン10b,11aが形成されている。
【0042】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、半導体チップ1で発熱が生じると、この
熱は接続されている各冷却スタッド10,11に伝熱さ
れる。
【0043】この時、冷媒が、配管15を通して冷却ス
タッド10の多孔質体14に導入され、多孔質体14を
通して流路13内に流出する。この際、冷媒が多孔質体
14内を通るときに気化し、冷却スタッド10の熱を奪
うことにより、半導体チップ1の冷却を良好に行うこと
ができる。
【0044】また、流路13内に放出された冷媒は、フ
ァン16によって流路13内を流れる流体によって大気
中に放出される。この時、ファン16によって流路13
内に送風することによって、冷却スタッド10の表面に
流出する冷液の気化効率を高めることができる。なお、
冷却スタッド11に伝熱された熱は、フィン11aを通
して流路13内に放熱される。
【0045】<実施例4>図5は、本発明の実施例4に
係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に示すよ
うに、基板2上には例えばバンプやボンディングワイヤ
(図示省略)を介して複数個(図では2個)の半導体チ
ップ1が実装されており、各半導体チップ1の上面には
、表面に細い溝上のウィック16aが形成されている冷
却スタッド16が熱的に接続されている。
【0046】冷却スタッド16は、ダクト17で形成さ
れた流路18内に配設されており、冷却スタッド16の
上部の中央部上に位置するダクト17にはそれぞれ冷却
液(例えば水)を冷却スタッド16に供給する液体供給
装置19が配設されている。また、冷却スタッド16の
上部の傾斜およびウィック16aは、供給される冷却液
を冷却スタッド16の周囲にまんべんなく広げるための
ものである。
【0047】また、流路18内には、流路18内に流体
(例えば空気等)を流すためのファン20が配設されて
いる。
【0048】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、半導体チップ1で発熱が生じると、この
熱は接続されている冷却スタッド16に伝熱される。
【0049】この時、液体供給装置19から冷却液が冷
却スタッド16上に供給される。供給された冷却液は、
ウィック16aにより冷却スタッド16の表面にまんべ
んなく広がり気化して冷却スタッド16の熱を奪うこと
によって、半導体チップ1の冷却を良好に行うことがで
きる。
【0050】また、ファン20によって流路18内に送
風することにより、冷却スタッド16の表面に供給され
る冷却液の気化効率を高めることができる。流路18内
に気化されて放出された冷却媒は外気中に放出されるか
、あるいは回収装置によって回収される。液体供給装置
19から冷却スタッド16上に供給される冷却液の供給
量は半導体チップ1の発熱量に応じて制御される。
【0051】<実施例5>図6は、本発明の実施例5に
係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例では、
図5で示した実施例4で用いた冷却スタッド16の代わ
りに多孔金属21を半導体チップ1の上面に熱的に接続
した構成である。多孔金属21としては、銅やニッケル
などの金属焼結体や発泡金属がある。他の構成は上記し
た実施例4と同様である。
【0052】このように本実施例においても、液体供給
装置19から多孔金属21上に冷却液(例えば水)を供
給することにより、冷却液は毛管力により多孔金属21
内にまんべんなく広がり気化して半導体チップ1の熱を
奪うことによって、半導体チップ1の冷却を良好に行う
ことができる。
【0053】また、多孔金属21以外にも例えば金属繊
維結合体、金属と繊維の結合体、不織布なども使用する
ことも可能である。
【0054】<実施例6>図7は、本発明の実施例6に
係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に示すよ
うに、基台22上に配設された基板2上には例えばバン
プやボンディングワイヤ(図示省略)を介して複数個(
図では3個)の半導体チップ1が実装されており、各半
導体チップ1の上面には冷却スタッド23が熱的に接触
している。
【0055】冷却スタッド23は、基台22上に断熱ブ
ロック24を介して配設した流路ブロック25内に配置
されており、各冷却スタッド23の上部は流路ブロック
25内に形成した孔25a内に配設され、孔25a内に
設けたばね26によって冷却スタッド23は半導体チッ
プ1に押圧されている。断熱ブロック24と流路ブロッ
ク25間には柔軟性を有するシート27が配設されてお
り、各冷却スタッド23の中央部は、流路ブロック25
とシート27間に形成された冷却液(例えば水)が流れ
る流路28内に位置している。
【0056】シート27は、冷却スタッド23の半導体
素子1に接触する上部より径の大きい下部の上面に挿通
されており、冷却スタッド23に螺合される保持部材2
9によって狭着されている。保持部材29内にはOリン
グ30が配設されており(図8参照)、Oリング30に
よってシート27と冷却スタッド23間をシールして、
半導体チップ1が流路28内を流れる冷却液と接しない
ようにしている。断熱ブロック24には各冷却スタッド
23が貫通する貫通孔が設けられ、シート27の剛性を
高めるためにシート27は断熱ブロック24に固着され
ている。
【0057】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱は接触している各冷却スタッド23に伝熱される。 そして、冷却スタッド23に伝熱された熱は、流路28
内を流れる冷却液27によって直接熱交換されることに
より、半導体チップ1の冷却を良好に行うことができる
【0058】また、各冷却スタッド23はシート27に
よって弾性的に支持されているので、半導体チップ1に
密着した状態でばね26のばね力および流路28内を流
れる冷却液の圧力で押圧されることにより、熱抵抗の低
減を図ることができる。
【0059】また、前記した冷却スタッド23は一体物
であったが、図9に示す変形例のようにほぼ同一の外径
からなる半導体チップ1に接する第1スタッド23aと
、流路28内および流路ブロック25内の孔25a内に
位置する第2スタッド23bとで冷却スタッド23を構
成することもできる。この冷却スタッド23では、シー
ト27を挿通した第1スタッド23aを第2スタッド2
3b内に形成したねじ部を有する孔23cに螺合し、柔
軟性を有するシート27を第1スタッド23aと第2ス
タッド23b間に狭着する。
【0060】第2スタッド23bの孔23cの下部には
傾斜部23dが形成され、この傾斜部23dと第1スタ
ッド23aによって形成される空間には、狭着されたシ
ート27をシールするためのOリング30が配設されて
いる。また、本実施例の冷却スタッド23の外径は、半
導体チップ1とほぼ同じ大きさかやや小さく形成される
【0061】なお、本実施例では、冷却スタッド23を
構成する第2スタッド23bの孔23cは上部まで貫通
しているが、図10に示すようにねじ部を有する孔23
cが上部まで貫通していない第2スタッド23bに、第
1スタッド23aを螺合する冷却スタッド23でもよい
。また、図7に示した本実施例において、シート27に
弾性を有する金属薄板他を用いてもよく、この場合保持
部材29によって冷却スタッド23に狭着され部分を溶
接でシールすることによってシール効果の向上を図るこ
とができる。
【0062】<実施例7>図11は、本発明の実施例7
に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に示す
ように、基板2上には例えばバンプやボンディングワイ
ヤ(図示省略)を介して複数個(図では3個)の半導体
チップ1が縦実装されており、各半導体チップ1の上面
には、それぞれフィン31aが一体に形成されている冷
却スタッド31が熱的に接続されている。
【0063】冷却スタッド31は、冷却液(例えば水)
が封入されている容器34内にシールされて配設されて
いる。また、容器34内には、熱交換器35に接続され
ているフィン36を設けた配管37と、容器34内の冷
却液を攪拌する撹拌器38が配設されている。
【0064】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱は接続されている各冷却スタッド31に伝熱される
。そして、冷却スタッド31に伝熱された熱は、容器3
4内の冷却液によって直接熱交換されることにより、半
導体チップ1の冷却を良好に行うことができる。
【0065】この時、熱交換された冷却液は、熱交換器
35に接続されている配管37内を循環する冷媒(例え
ば代替フレオン)によって熱交換され、更に撹拌器38
によって攪拌されるので、より効果的に半導体チップ1
の冷却を行うことができる。
【0066】<実施例8>図12は、本発明の実施例8
に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例では
、図11で示した実施例7における冷却装置の容器34
内の冷却液を、配管37を通して熱交換器35との間で
循環するようにした構成である。他の構成は上記した実
施例7と同様である。なお、半導体チップ1に接続され
て容器34内に配設されている冷却スタッド40にはフ
ィン40aが形成され、冷却スタッド41にはフィンは
形成されていない。
【0067】このように本実施例においても、半導体チ
ップ1で発熱が生じると、この熱は冷却スタッド40,
41に伝熱される。そして、冷却スタッド40,41に
伝熱された熱は、容器34内の冷却液によって直接熱交
換されることにより、半導体チップ1の冷却を良好に行
うことができる。
【0068】この時、熱交換された冷却液は、配管37
を通して熱交換器35に循環されて熱交換され、更に撹
拌器38によって攪拌されるので、より効果的に半導体
チップ1の冷却を行うことができる。
【0069】<実施例9>図13は、本発明の実施例9
に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例では
、冷却液(例えば水)を封入した容器34の外側の両面
(図では左側面と右側面)に、基板2に例えばバンプや
ボンディングワイヤ(図示省略)を介して実装された複
数個(図では片側に2個)の半導体チップ1a,1b,
1c,1dが対向して配設されている。
【0070】対向している半導体チップ1a,1c間は
、1つの冷却スタッド42で連結され、半導体チップ1
b,1dにはそれぞれ独立した冷却スタッド43が熱的
に接続されている。冷却スタッド42,43は、容器3
4内にシールされて配設されている。
【0071】また、容器34には配管37を介して熱交
換器35が接続されており、容器34内の冷却液は、配
管37と熱交換器35を通して循環する。
【0072】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1a,1b,1c,1d
で発熱が生じると、この熱は接続されている各冷却スタ
ッド42,43に伝熱される。そして、冷却スタッド4
2,43に伝熱された熱は、容器34内の冷却液によっ
て直接熱交換されることにより、容器34の両面に配設
された各半導体チップ1a,1b,1c,1dの冷却を
良好に、且つ省スペースで行うことができる。
【0073】この時、熱交換された冷却液は、配管37
を通して熱交換器35に循環されて熱交換されるので、
効果的に半導体チップ1の冷却を行うことができる。
【0074】<実施例10>図14は、本発明の実施例
10に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例
では、図11で示した実施例7の冷却液が封入された容
器34内に配設されている配管37と、フィン44aが
形成されている各冷却スタッド44との間に板状の整流
板45を接続した構成である。配管37には熱交換器3
5が接続されている。また、容器34内の配管37上に
は撹拌器38が配設されており、この撹拌器38により
冷却液は、整流板45の外周面に沿って容器34内を循
環する。他の構成は図11に示した実施例7と同様であ
る。
【0075】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、半導体チップ1で発熱が生じると、この
熱は冷却スタッド44に伝熱される。そして、冷却スタ
ッド44に伝熱された熱は、容器34内の冷却液によっ
て直接熱交換されることにより、半導体チップ1の冷却
を良好に行うことができる。
【0076】この時、熱交換された冷却液は、熱交換器
35に接続されている配管37内を循環する冷媒(例え
ば代替フレオンとしてのフロロカーボン等)によって熱
交換され、更に撹拌器38によって整流板45の外周面
に沿って容器34内を循環するように攪拌されるので、
より効果的に半導体チップ1の冷却を行うことができる
【0077】<実施例11>図15は、本発明の実施例
11に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基台21上に配設された基板2上には例え
ばバンプやボンディングワイヤ(図示省略)を介して複
数個(図では3個)の半導体チップ1が実装されており
、各半導体チップ1の上面には柔軟性を有するシート5
0を介してフィン51aが形成されている冷却スタッド
51が熱的に接触している。
【0078】冷却スタッド51は、基台21上に配設し
た流路ブロック52内に配置されており、各冷却スタッ
ド51の上部と流路ブロック52の内面との間に設けた
板ばね53によって、各冷却スタッド51はシート50
を介して半導体チップ1に押圧されている。シート50
の両端は基台21と流路ブロック52間にシールして狭
着されており、冷却スタッド51が配置されている流路
ブロック52とシート50間には、冷却液が流れる流路
54が形成されている。
【0079】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート50を介して接触している各冷却スタッド
51に伝熱される。そして、冷却スタッド51に伝熱さ
れた熱は、流路54内を流れる冷却液によって直接熱交
換されることにより、半導体チップ1の冷却を良好に行
うことができる。
【0080】また、冷却スタッド51は、柔軟性を有す
るシート50を介して半導体チップ1上に密着している
ので、熱抵抗の低減を図ることができる。
【0081】<実施例12>図16は、本発明の実施例
12に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例
では図15で示した実施例11における冷却装置で、柔
軟性を有するシート50を、各半導体チップ1上に接続
される冷却スタッド51の下側の周面に形成した溝にシ
ールして狭着した構成である。また、本実施例では冷却
スタッド51を半導体チップ1上に接続した構成によっ
て、液圧により冷却スタッド51を押圧する板ばねは不
要である。他の構成は上記した実施例11と同様である
【0082】本実施例においても、半導体チップ1から
冷却スタッド51に伝熱された熱は、流路54内を流れ
る冷却液によって直接熱交換されることにより、半導体
チップ1の冷却を良好に行うことができる。
【0083】<実施例13>図17は、本発明の実施例
13に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例
では図16で示した実施例12における冷却装置の流路
ブロック41の内面と冷却スタッド51の上面との間に
配設したばね55によって冷却スタッド51を半導体チ
ップ1上に押圧した構成である。また、本実施例ではば
ね55によって冷却スタッド51が半導体チップ1に押
圧されているので、冷却スタッド51は半導体チップ1
に接触して配設されている。他の構成は上記した実施例
12と同様である。
【0084】本実施例においても半導体チップ1から冷
却スタッド51に伝熱された熱は、流路54内を流れる
冷却液によって直接熱交換されることにより、半導体チ
ップ1の冷却を良好に行うことができる。
【0085】また、冷却スタッド51は、ばね55によ
るばね力で半導体チップ1上に押圧されて密着している
ので熱抵抗の低減を図ることができる。
【0086】<実施例14>図18は、本発明の実施例
14に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上には例えばバンプやボンディング
ワイヤ(図示省略)を介して複数個(図では4個)の半
導体チップ1が実装されており、各半導体チップ1の上
面には冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカーボ
ン等)60が封入されているキャップ61が取付けられ
ている。キャップ61の各半導体チップ1と接する底面
には、柔軟性と熱伝導性を有するシート62がシールし
て配設されており、キャップ61の上部には、フィン6
3を取付けた複数のパイプ部61aが一体に形成されて
いる。
【0087】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート62を通してキャップ61内の冷媒60に
伝熱される。そして、冷媒60は半導体チップ1からの
熱によって蒸発し、蒸発した冷媒60はパイプ部61a
へ上昇する。パイプ部61aはフィン63によって冷却
されているので、パイプ部61aに上昇した冷媒60の
蒸気は熱を奪われた後重力によりキャップ61内に戻る
。このような冷媒60の循環を繰り返すことにより、連
続して冷却が行なわれる。
【0088】<実施例15>図19は、本発明の実施例
15に係る冷却装置を示す概略断面図である。本実施例
では図18で示した実施例14における冷却装置で、キ
ャップ61にパイプ部66aを形成する代わりにキャッ
プ61の上部にフィン64を設けた構成である。他の構
成は上記した実施例14と同様である。
【0089】本実施例においても、図18に示した実施
例14と同様に各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート62を通してキャップ61内の冷媒60に
伝熱される。そして、冷媒60は半導体チップ1からの
熱によって蒸発し、蒸発した冷媒60はキャップ61内
の上部へ上昇する。キャップ61の上部はフィン63に
よって冷却されているので、キャップ61内の上部に上
昇した冷媒60の蒸気は熱を奪われ液化した後重力によ
りキャップ61内に戻る。
【0090】<実施例16>図20は、本発明の実施例
16に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上には例えばバンプやボンディング
ワイヤ(図示省略)を介して複数個(図では4個)の半
導体チップ1が実装されており、各半導体チップ1の上
面には冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカーボ
ン等)60が封入されているキャップ65が取付けられ
ている。キャップ65の各半導体チップ1と接する底面
には、柔軟性と熱伝導性を有するシート66がシールし
て配設されている。
【0091】キャップ65上には連通管67が傾斜して
配設されており、連通管67の一端側(傾斜している上
側)はキャップ65の一方の側面の上部と連通し、連通
管67の他端側(傾斜している下側)はキャップ65の
他方の側面の下部と連通している。また、連通管67の
傾斜部分には、フィン68を取付けた中空のフィン支柱
部67aが一体に形成されている。
【0092】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート66を通してキャップ65内の冷媒60に
伝熱される。そして、冷媒60は半導体チップ1からの
熱によって蒸発し、蒸発した冷媒60は連通管67を通
ってフィン支柱部67aへ上昇する。フィン支柱部67
aはフィン68によって冷却されているので、フィン支
柱部67aに上昇した冷媒60の蒸気は熱を奪われた後
重力により傾斜した連通管67を通ってキャップ65内
に戻る。
【0093】<実施例17>図21は、本発明の実施例
17に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上には例えばバンプやボンディング
ワイヤ(図示省略)を介して複数個(図では2個)の半
導体チップ1が縦実装されており、各半導体チップ1の
上面には冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカー
ボン等)60が封入されているキャップ70が取付けら
れている。キャップ70の各半導体チップ1と接する面
には、柔軟性と熱伝導性を有するシート71がシールし
て配設されている。
【0094】キャップ70にはフィン72を取付けた中
空のフィン支柱部73aが一体に形成されている連通管
73がキャップ70に沿って縦方向に接続されており、
連通管73の一方はキャップ70の上部と連通し、連通
管73の他方はキャップ70の下部と連通している。
【0095】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート71を通してキャップ70内の冷媒60に
伝熱される。そして、冷媒60は半導体チップ1からの
熱によって蒸発し、蒸発した冷媒60は連通管73を通
ってフィン支柱部72aへ上昇する。フィン支柱部72
aはフィン72によって冷却されているので、フィン支
柱部72aに上昇した冷媒60の蒸気は熱を奪われた後
重力により連通管73を通ってキャップ70内に戻る。
【0096】<実施例18>図22は、本発明の実施例
18に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上には例えばバンプやボンディング
ワイヤ(図示省略)を介して複数個(図では3個)の半
導体チップ1が縦実装されており、各半導体チップ1の
上面には冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカー
ボン等)60が封入されているキャップ75が取付けら
れている。キャップ75の各半導体チップ1と接する面
には、柔軟性と熱伝導性を有するシート76がシールし
て配設されている。
【0097】キャップ75にはフィン77を取付けた中
空のフィン支柱部78aが一体に形成されている連通管
78がキャップ75に沿って縦方向に接続されており、
連通管78の一方はキャップ75の上部と連通し、連通
管78の他方はキャップ75の下部と連通している。
【0098】キャップ75の両側面(図では縦方向の上
面と下面)には、弾性を有するベローズ部75aが形成
されており、半導体チップ1が発熱していない時にはベ
ローズ部75aが収縮していてキャップ75内の体積が
小さくなっているので、キャップ75、連通管78、フ
ィン支柱部78a内に冷媒60が充満している。
【0099】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じるとこの
熱はシート76を通してキャップ75内の冷媒60に伝
熱される。そして、冷媒60に半導体チップ1からの熱
が伝わると、冷媒60は蒸発して圧力が上昇することに
より、ベローズ部75aが伸びてキャップ75の体積が
増える(図23参照)。
【0100】キャップ75の体積が増えると体積増加分
だけ冷媒60の液面が下がることにより、蒸発した冷媒
60は連通管78を通ってフィン支柱部78aへ上昇す
る。フィン支柱部78aはフィン77によって冷却され
ているので、フィン支柱部78aに上昇した冷媒60の
蒸気は熱を奪われ液化した後重力により連通管78を通
ってキャップ75内に戻る。
【0101】そして、半導体チップ1の発熱がなくなる
と、冷媒60の蒸発が止まって圧力が下がることによっ
てベローズ部75aが元の状態に戻り、キャップ75、
連通管78、フィン支柱部78a内に冷媒60が充満す
る(図23参照)。
【0102】なお、キャップ75内に冷媒60を封入す
る前には、キャップ75、連通管78、フィン支柱部7
8a内を一旦真空にして不純ガスを除去しておく必要が
ある。即ち、不純ガスがキャップ75、連通管78、フ
ィン支柱部78a内に残っていると、不純ガスによって
冷媒60の上記の凝縮面が減ったりするなどしてフィン
支柱部78aでの放熱性能が大幅に低下するからである
。しかしながら、本実施例の冷却装置のように、冷媒6
0をキャップ75、連通管78、フィン支柱部78a内
に充満させた後に温度を少し上げた状態で封入すること
により、不純ガスの混入を防止して放熱性能を向上させ
ることができる。
【0103】<実施例19>図24は、本発明の実施例
19に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上にはバンプ80を介して複数個(
図では3個)の半導体チップ1が実装されており、各半
導体チップ1の上面には冷媒(例えば代替フレオン)6
0が封入されているキャップ81が取付けられている。
【0104】キャップ81の半導体チップ1側には弾性
を有するベローズ部81aが形成されており、ベローズ
部81aの底部と半導体チップ1との間には柔軟性と熱
伝導性を有するシート82が熱的に接続されている。ま
た、キャップ81の上部には、フィン83を取付けた複
数のパイプ部81bが一体に形成されている。
【0105】各半導体チップ1は、基板2とキャップ8
1の側面81c,81dとで形成される空間に配設され
ることによってLSIモジュールを構成しており、基板
2とキャップ81の側面81c,81dとで形成される
空間84には良熱伝導性の不活性ガス(例えばヘリウム
ガス)が充填されている。
【0106】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はシート82を通してキャップ81内の冷媒60に
伝熱される。そして、冷媒60は半導体チップ1からの
熱によって蒸発し、蒸発した冷媒60はパイプ部81b
へ上昇する。パイプ部81bはフィン83によって冷却
されているので、パイプ部81bに上昇した冷媒60の
蒸気は熱を奪われた後重力によりキャップ81内に戻る
【0107】また、半導体チップ1の熱の一部は、良熱
伝導性の不活性ガス(例えばヘリウムガス)を通してキ
ャップ1に伝えられて冷却される。
【0108】このように本実施例では、キャップ81の
ベローズ部81aによって半導体チップ1との押し付け
圧力を一様に保持するように調整することができるので
、半導体チップ1がシート82を介してキャップ81の
ベローズ部81aの底面に良好に密着し、熱抵抗の低減
を図ることができる。
【0109】また、本実施例において、キャップ81の
パイプ部81bの内壁にウィックを設けることにより、
凝縮した冷媒60をキャップ81内に戻り易くすること
ができる。
【0110】また、本実施例において、キャップ81の
ベローズ部81aの底面に微小な凹凸を設けることによ
り、沸騰核をでき易くすることもでき、更に、キャップ
81のパイプ部81bの内壁に伝熱面積を拡大するため
の溝を設けることにより、パイプ部81bでの冷媒60
の蒸気の伝熱を促進することができる。
【0111】<実施例20>図25は、本発明の実施例
20に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、基板2上には例えばバンプやボンディング
ワイヤ(図示省略)を介して複数個(図では8個)の半
導体チップ1が縦実装されており、各半導体チップ1の
上面には冷媒(例えば代替フレオンとしてのフロロカー
ボン等)60が封入されているキャップ85が熱的に接
続されている。
【0112】キャップ85の半導体チップ1と反対側の
上部と下部には、それぞれ複数個のフィン86を取付け
たパイプ部85a,85bが一体に形成されている。冷
媒60は、キャップ85内の上部のパイプ部85aの下
まで注入されている。
【0113】また、図26に示すように、キャップ85
の両側面に設けた締付部85c,85dをねじやばね(
図示省略)を用いて適切な力で締め付けることにより、
半導体チップ1とキャップ85を良好に熱接触させるこ
とができる。
【0114】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、各半導体チップ1で発熱が生じると、こ
の熱はキャップ85内の冷媒65に伝熱される。そして
、冷媒60の蒸気は上部に設けたパイプ部85a内に上
昇する。パイプ部85aはフィン86によって冷却され
ているので、パイプ部85aに上昇した冷媒60の蒸気
は熱を奪われ液化した後重力によりキャップ85内に戻
る。
【0115】また、下部に設けたパイプ部85b内の冷
媒60に伝えられた半導体チップ1からの熱は、フィン
86によって外部に放熱される。本実施例では、キャッ
プ85の上部と下部にフィン86を取付けたパイプ部8
5a,85bによって熱交換されることにより、縦実装
された各半導体チップ1をほぼ均一な温度分布で良好に
冷却することができる。
【0116】このように、実施例14〜実施例20では
ヒートパイプの原理によって小さい熱抵抗で半導体チッ
プ1からの熱を伝達(輸送)することができるので、半
導体チップ1の冷却を良好に行うことができる。
【0117】また、実施例14〜実施例19では柔軟性
と熱伝導性を有するシート62,66,71,76,8
2が半導体チップ1に密接しているので、小さい熱抵抗
で半導体チップ1の熱を冷媒60に伝熱することができ
る。
【0118】また、実施例14〜実施例19において、
柔軟性と電気絶縁性を有するシートを半導体チップ1上
に熱的に接続することにより、半導体チップ1とキャッ
プ間の電気的接合を無くすことができる。
【0119】<実施例21>図27は、本発明の実施例
21に係る冷却装置を示す概略断面図である。この図に
示すように、半導体チップ1の裏面(図では上側の面)
には、伝熱ブロック90が全面に亘って熱的に接続され
ており、伝熱ブロック90の半導体チップ1と反対側の
面には、エッチング処理によって複数個の微小なフィン
91がスタガード状に形成されている(図28参照)。
【0120】伝熱ブロック90の周面上にはフィン91
を覆うようにしてカバープレート92がシールして配設
されている。また、伝熱ブロック90内のフィン91の
両側(図では上側と下側)には、フィン91に冷却液(
例えば水)を供給する供給管93と排出する排出管94
が伝熱ブロック90の中心線上に配設されている。
【0121】本実施例に係る冷却装置は上記のように構
成されており、半導体チップ1で発熱が生じると、この
熱は伝熱ブロック90内の各フィン91に伝熱される。 そして、フィン90を形成した伝熱ブロック90内に供
給管93から冷却液を供給してフィン91の熱を奪い、
熱を奪った冷却液を排出管94から排出することによっ
て、半導体チップ1の冷却を良好に行うことができる。
【0122】また、各フィン91を伝熱ブロック90に
スタガード状に形成したことにより、フィン列の数を少
なくすることができるので、冷却水のフィン91に対す
る流路抵抗が低減される。
【0123】図29は、本実施例の変形例に係る冷却装
置を示す一部破断平面図である。本実施例では、伝熱ブ
ロック90のフィン91を形成した面の冷却水の供給管
93と排出管94側(図では上側と下側)の内壁面90
aを、それぞれ供給管93と排出管94方向に沿って傾
斜させ、また、フィン91も内壁面90aの形状に対応
して形成した構成である。他の構成は図26、図27に
示した実施例21と同様である。
【0124】本実施例においても前記実施例同様、伝熱
ブロック90の内壁面90aに沿って冷却水がフィン9
1の間を小さい流路抵抗で流れて半導体チップ1の冷却
を良好に行うことができる。
【0125】なお、前記した各実施例の冷却装置は、大
電力量の発熱素子等に用いることによっても大きな効果
を得ることができる。
【0126】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように本発明によれば、熱抵抗を低減して発熱体の冷
却を良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係る冷却装置を示す概略断
面図である。
【図2】実施例1の要部を示す拡大断面図である。
【図3】本発明の実施例2に係る冷却装置の要部を示す
拡大断面図である。
【図4】本発明の実施例3に係る冷却装置を示す概略断
面図である。
【図5】本発明の実施例4に係る冷却装置を示す概略断
面図である。
【図6】本発明の実施例5に係る冷却装置を示す概略断
面図である。
【図7】本発明の実施例6に係る冷却装置を示す概略断
面図である。
【図8】実施例6の要部を示す拡大断面図である。
【図9】実施例6の変形例に係る冷却装置の要部を示す
拡大断面図である。
【図10】実施例6の変形例に係る冷却装置の要部を示
す拡大断面図である。
【図11】本発明の実施例7に係る冷却装置を示す概略
断面図である。
【図12】本発明の実施例8に係る冷却装置を示す概略
断面図である。
【図13】本発明の実施例9に係る冷却装置を示す概略
断面図である。
【図14】本発明の実施例10に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図15】本発明の実施例11に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図16】本発明の実施例12に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図17】本発明の実施例13に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図18】本発明の実施例14に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図19】本発明の実施例15に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図20】本発明の実施例16に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図21】本発明の実施例17に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図22】本発明の実施例18に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図23】実施例18で半導体チップが発生したときの
冷却装置を示す概略断面図である。
【図24】本発明の実施例19に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図25】本発明の実施例20に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図26】実施例20に係る冷却装置を示す正面図であ
る。
【図27】本発明の実施例21に係る冷却装置を示す概
略断面図である。
【図28】実施例21に係る冷却装置を示す一部破断平
面図である。
【図29】実施例21の変形例に係る冷却装置を示す一
部破断平面図である。
【図30】従来の冷却装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【図31】従来の冷却装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【図32】従来の冷却装置の一例を示す一部破断斜視図
である。
【図33】図32に示した冷却装置の一部破断平面図で
ある。
【図34】従来の冷却装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【符号の説明】
1,1a,1b,1c,1d  半導体チップ3,4,
10,11,16,23,31,41,41,42,4
3,44,51冷却スタッド 5,34  容器 6,14  多孔質体 8  液化・冷却装置 9  小径の穴 12,17  ダクト 16a  溝状のウィック 19  液体供給装置 21  多孔金属 25,52  流路ブロック 26,55  ばね 27,50,62,66,71,76,82  シート
35  熱交換器 46  整流板 60  冷媒 61,65,70,75,81,85  キャップ61
a,81b,85a,85b  パイプ部64  フィ
ン 67,73,78  連通管 67a,73a,78a  フィン支柱部75a,81
a  ベローズ部 90  伝熱ブロック 91  微小なフィン

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  発熱体に熱的に接続された冷却スタッ
    ドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を気化により奪
    う冷媒と、この冷媒を前記冷却スタッドに供給する冷媒
    供給器と、この冷媒供給器によって冷却スタッドに供給
    された前記冷媒が通過する冷媒気化路とから構成される
    ことを特徴とする冷却装置。
  2. 【請求項2】  前記冷却スタッドは多孔質体から成り
    、前記冷媒気化路は前記冷却スタッド内部に供給された
    冷媒が通過する多孔質体内部の細孔であることを特徴と
    する請求項1記載の冷却装置。
  3. 【請求項3】  発熱体に熱的に接続された冷却スタッ
    ドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を奪う冷媒と、
    この冷媒を前記冷却スタッドに供給する冷媒供給器と、
    前記冷媒を前記発熱体から隔絶するシートと、このシー
    トを前記冷却スタッドに圧着する圧着部材と、この圧着
    部材による前記シートの、前記冷媒を前記発熱体から隔
    絶する性能を高める隔絶性能向上部材とから構成される
    ことを特徴とする冷却装置。
  4. 【請求項4】  前記隔絶性能向上部材は前記シートと
    前記冷却スタッドとの間に生じる隙間をシールするOリ
    ングであり、前記シート圧着部材は前記Oリングを隙間
    に押圧するねじ止めの保持部材と前記冷却スタッドを前
    記発熱体に押圧するばねであることを特徴とする請求項
    3記載の冷却装置。
  5. 【請求項5】  発熱体に熱的に接続された冷却スタッ
    ドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を奪う冷媒と、
    この冷媒を前記発熱体から隔絶するシートと、前記冷媒
    を加圧して前記冷却スタッドに供給し、前記冷却スタッ
    ドを前記冷媒の圧力で前記発熱体に圧着するための冷媒
    供給路とから構成されることを特徴とする冷却装置。
  6. 【請求項6】  発熱体に熱的に接続された冷却スタッ
    ドと、この冷却スタッドに伝えられた熱を対流伝熱によ
    り奪う冷媒と、この冷媒を前記冷却スタッドに供給する
    冷媒供給器と、前記冷媒の対流を攪拌するための攪拌機
    とから構成されることを特徴とする冷却装置。
  7. 【請求項7】  発熱体から生じる熱を吸収して蒸発す
    る伝熱媒体と、前記発熱体から生じる熱を伝熱媒体に伝
    える伝熱シート部と、この伝熱シート部を介して前記発
    熱体から生じる熱を吸収する前記伝熱媒体を溜める伝熱
    媒体溜留流槽と、この伝熱媒体溜流槽内で前記発熱体か
    ら生じる熱を吸収して蒸発した前記伝熱媒体の蒸気が上
    昇するパイプ部と、このパイプ部を上昇する前記伝熱媒
    体の蒸気から熱を奪う放熱部と、から構成されることを
    特徴とする冷却装置。
  8. 【請求項8】  前記伝熱媒体が蒸気を発生していない
    ときには前記伝熱媒体溜流槽およびパイプ部を満液にす
    るように縮み、蒸気発生時には前記伝熱媒体の蒸気を保
    持するように蒸気圧により伸長するベローズ部を含むこ
    とを特徴とする請求項7記載の冷却装置。
  9. 【請求項9】  発熱体に熱的に接続された伝熱ブロッ
    クと、この伝熱ブロックの外面に備えられスタガード状
    に配置された放熱フィン群と、この放熱フィン間を流れ
    て前記伝熱ブロックに伝えられた熱を奪う冷媒とから構
    成されることを特徴とする冷却装置。
JP3147656A 1990-06-30 1991-06-19 冷却装置 Pending JPH04242963A (ja)

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