JPH04219921A - Semiconductor processing equipment - Google Patents
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハの加熱処理を行
うための半導体製造装置に関するものである。近年、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩの微細化、高集積化に伴い、回路パターンの
微細化による寸法の安定性が要求されている。そのため
、ウェハの加熱処理行程においても正確な温度制御によ
ってウェハを加熱処理する必要性がある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for heat-treating wafers. In recent years, I
BACKGROUND ART With the miniaturization and higher integration of LSIs, dimensional stability is required due to miniaturization of circuit patterns. Therefore, there is a need to heat the wafer through accurate temperature control during the wafer heat treatment process.
【０００２】0002
【従来の技術】従来、ウェハの製造装置、例えばフォト
リソ工程におけるレジストを乾燥させるために使用され
る加熱装置は、ウェハをヒータ及び熱板により構成され
るホットプレートの上部に近接させて加熱し、ヒータの
制御にてホットプレートの温度を制御し、ウェハを加熱
処理するプロキシミティーベーク法が提案されている。
しかし、実際に温度を検出、制御しているのはヒータの
みで、ウェハ自体の温度を検出していない。従って、ウ
ェハを所望の温度で正確に加熱処理されているかを知る
ことができないため、ウェハを所望の温度で加熱処理す
ることができない。2. Description of the Related Art Conventionally, wafer manufacturing equipment, for example, a heating device used for drying resist in a photolithography process, heats a wafer by placing it close to the top of a hot plate composed of a heater and a hot plate. A proximity bake method has been proposed in which the temperature of a hot plate is controlled by controlling a heater to heat-process a wafer. However, only the heater actually detects and controls the temperature, not the temperature of the wafer itself. Therefore, it is not possible to know whether the wafer is being accurately heat-treated at the desired temperature, and therefore the wafer cannot be heat-treated at the desired temperature.
【０００３】そこで、図４に示すように、ヒータ３０及
び熱板３１により構成されるホットプレート３２の上面
にはウェハ３３をホットプレート３２に近接配置する支
持部３４を設けるとともに、前記ホットプレート３２に
熱電対３５を挿通させて前記ウェハ３３の下面に該熱電
対３５を押し付けてウェハ３３の温度を検出する方法が
考えられている。そして、前記熱電対３５からの検出信
号に基づいてウェハ３３の温度を検出し、温度制御装置
３６はヒータ３０を制御してホットプレート３２の温度
を制御している。Therefore, as shown in FIG. 4, a support section 34 is provided on the upper surface of the hot plate 32 composed of a heater 30 and a hot plate 31 to place the wafer 33 close to the hot plate 32. A method has been considered in which the temperature of the wafer 33 is detected by inserting a thermocouple 35 through the wafer 33 and pressing the thermocouple 35 against the lower surface of the wafer 33. The temperature of the wafer 33 is detected based on the detection signal from the thermocouple 35, and the temperature control device 36 controls the heater 30 to control the temperature of the hot plate 32.
【０００４】0004
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱電対
３５がホットプレート３２内を直接貫通しているため、
ヒータ３０及び熱板３１の熱が直接熱電対３５に影響す
る。そのため、ウェハ３３の温度を正確に検出すること
ができないという問題がある。又、ウェハ３３の温度を
正確に検出するためには前記熱電対３５をウェハ３３に
しっかりと接触させなければならないが、ウェハ３３の
自重が軽いため熱電対３５をウェハ３３の下面に対して
しっかりと接触させることができない。そのため、ウェ
ハ３３の温度を正確に検出をすることができないという
問題がある。[Problem to be Solved by the Invention] However, since the thermocouple 35 directly passes through the inside of the hot plate 32,
The heat from the heater 30 and the hot plate 31 directly affects the thermocouple 35. Therefore, there is a problem that the temperature of the wafer 33 cannot be detected accurately. In addition, in order to accurately detect the temperature of the wafer 33, the thermocouple 35 must be brought into firm contact with the wafer 33, but since the weight of the wafer 33 is light, the thermocouple 35 must be firmly brought into contact with the bottom surface of the wafer 33. cannot be brought into contact with. Therefore, there is a problem that the temperature of the wafer 33 cannot be detected accurately.
【０００５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的はウェハの温度を正確に検
出して、正確にウェハの温度制御を行うことができる半
導体製造装置を提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can accurately detect the temperature of a wafer and accurately control the temperature of the wafer. It's about doing.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。ヒータ１の上部には前記ヒータ１に加熱され
る熱板２が設けられている。又、前記ヒータ１及び熱板
２には複数の支持部材３が挿通されて、前記熱板２の上
面に突出されている。そして、前記支持部材３の先端部
にはウェハ４が載置され、熱板２の上面に対し近接配置
されている。又、前記ヒータ１及び熱板２にはパイプ５
が挿通され、熱板２の上面に突出されて前記ウェハ４の
下面に当接されている。更に、前記パイプ５内には温度
検出手段６が導入され、該温度検出手段６が前記ウェハ
４の下面に接触するようにパイプ５の内部に配設されて
いる。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. A hot plate 2 heated by the heater 1 is provided above the heater 1 . Further, a plurality of support members 3 are inserted through the heater 1 and the hot plate 2 and protrude from the upper surface of the hot plate 2. A wafer 4 is placed on the tip of the support member 3, and is placed close to the top surface of the hot plate 2. Further, a pipe 5 is connected to the heater 1 and the hot plate 2.
is inserted, protrudes from the upper surface of the hot plate 2, and comes into contact with the lower surface of the wafer 4. Further, a temperature detecting means 6 is introduced into the pipe 5, and the temperature detecting means 6 is arranged inside the pipe 5 so as to be in contact with the lower surface of the wafer 4.
【０００７】又、パイプ５には該パイプ５内を吸引する
吸引手段７が接続され、この吸引手段７によってパイプ
５内が負圧になりウェハ４の下面を吸着し、温度検出手
段６がウェハ４の下面に接触する。A suction means 7 for suctioning the inside of the pipe 5 is connected to the pipe 5. The suction means 7 creates a negative pressure inside the pipe 5 to attract the lower surface of the wafer 4, and the temperature detection means 6 detects the wafer. Contact the bottom surface of 4.
【０００８】[0008]
【作用】ウェハ４を支持部材３の先端部に載置した状態
で、ヒータ１を駆動して熱板２を加熱することによりウ
ェハ４が加熱される。又、この状態で吸引手段７を駆動
してパイプ５内を吸引すると、負圧によりパイプ５がウ
ェハ４の下面を吸着する。このとき、パイプ５内に導入
された温度検出手段６がウェハ４の下面に接触する。[Operation] With the wafer 4 placed on the tip of the support member 3, the heater 1 is driven to heat the hot plate 2, thereby heating the wafer 4. In this state, when the suction means 7 is driven to suck the inside of the pipe 5, the pipe 5 attracts the lower surface of the wafer 4 due to the negative pressure. At this time, the temperature detection means 6 introduced into the pipe 5 comes into contact with the lower surface of the wafer 4.
【０００９】これにより、ヒータ１の熱はパイプ５によ
って温度検出手段６に伝わりにくくなり、ウェハ４の温
度を正確に検出することができる。更に、吸引手段７の
吸引力によりパイプ５内の温度検出手段６がウェハ４の
下面に押し付けられることを利用し、温度検出手段６を
ウェハ４の下面に接触させることができる。このため、
温度検出手段６はウェハ４の温度を一層確実に検出する
ことができる。[0009] This makes it difficult for the heat of the heater 1 to be transmitted to the temperature detecting means 6 through the pipe 5, so that the temperature of the wafer 4 can be detected accurately. Further, by utilizing the fact that the temperature detection means 6 in the pipe 5 is pressed against the lower surface of the wafer 4 by the suction force of the suction means 7, the temperature detection means 6 can be brought into contact with the lower surface of the wafer 4. For this reason,
The temperature detection means 6 can detect the temperature of the wafer 4 more reliably.
【００１０】0010
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図２，
３に従って説明する。支持台１０にはヒータ１１が載置
され、前記ヒータ１１の上部にはヒータ１１によって加
熱される熱板１２が設けられている。前記熱板１２には
クロメル−アルメルにより構成された熱電対１８が埋設
されており、この熱電対１８によって熱板１２の温度を
検出するようになっている。前記熱電対１８はヒータ温
度制御装置１９に接続されている。又、前記ヒータ温度
制御装置１９はヒータ１１に接続されている。従って、
熱板１２の温度を熱電対１８が検出し、この検出信号に
基づいてヒータ温度制御装置１９がヒータ１１を駆動制
御して熱板１２を所望の温度にするようになっている。[Example] An example embodying the present invention is shown in FIG.
The explanation will be given according to 3. A heater 11 is placed on the support base 10, and a hot plate 12 heated by the heater 11 is provided above the heater 11. A thermocouple 18 made of chromel-alumel is embedded in the hot plate 12, and the temperature of the hot plate 12 is detected by this thermocouple 18. The thermocouple 18 is connected to a heater temperature control device 19. Further, the heater temperature control device 19 is connected to the heater 11. Therefore,
A thermocouple 18 detects the temperature of the hot plate 12, and a heater temperature control device 19 drives and controls the heater 11 based on this detection signal to bring the hot plate 12 to a desired temperature.
【００１１】前記ヒータ１１及び熱板１２には複数個（
本実施例においては３個）の挿通孔１３が設けられ、該
挿通孔１３には支持部材としての支持ピン１４が上下方
向に移動可能に貫通されている。そして、前記支持ピン
１４の先端が前記ヒータ１１の上面から突出している。
又、前記支持ピン１４の先端部は円錐形状をなしている
。The heater 11 and the hot plate 12 include a plurality of (
In this embodiment, three (3) insertion holes 13 are provided, and a support pin 14 serving as a support member passes through the insertion holes 13 so as to be movable in the vertical direction. The tip of the support pin 14 protrudes from the upper surface of the heater 11. Further, the tip of the support pin 14 has a conical shape.
【００１２】更に、前記ヒータ１１及び熱板１２には前
記挿通孔１３より大径となる貫通孔１５が設けられてい
る。前記貫通孔１５にはＳＵＳサニタリーパイプよりな
るパイプ１６が前記支持ピン１４と同様に上下方向に移
動可能に設けられ、該パイプ１６の先端がヒータ１１の
上面に突出している。そして、前記ヒータ１１の上面に
突出する支持ピン１４及びパイプ１６の高さは全て同一
となっている。又、前記支持ピン１４及びパイプ１６の
先端によってウェハ１７が４点支持となるように載置さ
れ、熱板１２に対し近接配置されている。Further, the heater 11 and the hot plate 12 are provided with a through hole 15 having a larger diameter than the through hole 13. A pipe 16 made of a SUS sanitary pipe is provided in the through hole 15 so as to be movable in the vertical direction like the support pin 14, and the tip of the pipe 16 protrudes from the upper surface of the heater 11. The heights of the support pins 14 and pipes 16 protruding from the upper surface of the heater 11 are all the same. Further, the wafer 17 is placed so as to be supported at four points by the support pins 14 and the tips of the pipes 16, and is placed close to the hot plate 12.
【００１３】前記ウェハ１７を支持する支持ピン１４及
びパイプ１６の基端は連結板２０に固定されている。
又、前記連結板２０は昇降装置２１に接続され、この昇
降装置２１によって連結板２０が上下方向に昇降するよ
うになっている。そして、後述するウェハ温度制御装置
２３の指令信号に基づいて昇降装置２１は連結板２０を
介して前記支持ピン１４及びパイプ１６を上下方向に昇
降させ、ウェハ１７と熱板１２との近接距離を調整する
ことができるようになっている。The support pin 14 that supports the wafer 17 and the base end of the pipe 16 are fixed to a connecting plate 20. Further, the connecting plate 20 is connected to a lifting device 21, and the connecting plate 20 is raised and lowered in the vertical direction by the lifting device 21. Then, based on a command signal from a wafer temperature control device 23, which will be described later, the lifting device 21 moves the support pins 14 and pipes 16 up and down in the vertical direction via the connecting plate 20, thereby reducing the proximity distance between the wafer 17 and the hot plate 12. It is now possible to adjust.
【００１４】又、前記パイプ１６の内部には温度検出手
段としてのクロメル−アルメルにより構成された熱電対
２２が配設され、その先端部がパイプ１６の先端面より
若干露出するように配設されている。そして、熱電対２
２の先端がウェハ１７の下面に接触するようになってい
る。又、前記熱電対２２の基端はパイプ１６の外部に導
出され、ウェハ温度制御装置２３に接続されている。そ
して、ヒータ１１によって加熱されたウェハ１７の温度
を該熱電対２２が検出し、熱電対２２の検出信号に基づ
いてウェハ温度制御装置２３がウェハ１７の温度を演算
処理して求める。A thermocouple 22 made of chromel-alumel is disposed inside the pipe 16 as a temperature detecting means, and its tip is slightly exposed from the tip surface of the pipe 16. ing. And thermocouple 2
The tip of the wafer 17 comes into contact with the lower surface of the wafer 17. Further, the base end of the thermocouple 22 is led out of the pipe 16 and connected to a wafer temperature control device 23. Then, the thermocouple 22 detects the temperature of the wafer 17 heated by the heater 11, and the wafer temperature control device 23 calculates the temperature of the wafer 17 based on the detection signal of the thermocouple 22.
【００１５】そして、ウェハ１７の温度が所望の温度よ
り低ければウェハ温度制御装置２３が昇降装置２１を駆
動し、連結板２０を介して支持ピン１４及びパイプ１６
を降下させ、ウェハ１７と熱板１２との近接距離を短く
してウェハ１７の温度を上昇させる。又、ウェハ１７の
温度が所望の温度より高ければウェハ温度制御装置２３
が昇降装置２１を駆動し、連結板２０を介して支持ピン
１４及びパイプ１６を上昇させ、ウェハ１７と熱板１２
との近接距離を長くしてウェハ１７の温度を降下させる
。If the temperature of the wafer 17 is lower than the desired temperature, the wafer temperature control device 23 drives the lifting device 21 and lifts the support pins 14 and pipes 16 via the connecting plate 20.
is lowered to shorten the proximity distance between the wafer 17 and the hot plate 12, thereby increasing the temperature of the wafer 17. Further, if the temperature of the wafer 17 is higher than the desired temperature, the wafer temperature control device 23
drives the lifting device 21 to raise the support pins 14 and pipes 16 via the connecting plate 20, and lift the wafer 17 and the hot plate 12.
The temperature of the wafer 17 is lowered by increasing the proximity distance between the wafer 17 and the wafer 17.
【００１６】前記パイプ１６には吸引手段としての吸引
装置２４が設けられ、この吸引装置２４によってパイプ
１６内を約２００Ｔｏｒｒ に吸引するようになってい
る。
つまり、ウェハ１７がパイプ１６の先端に載置された状
態で前記吸引装置２４を駆動すると、前記パイプ１６の
先端がウェハ１７の下面に吸着するようになっている。
そのため、前記熱電対２２はパイプ１６の先端面から若
干露出しているので、熱電対２２がウェハ１７の下面に
押し付けられた状態となる。The pipe 16 is provided with a suction device 24 as a suction means, and the suction device 24 suctions the inside of the pipe 16 to about 200 Torr. That is, when the suction device 24 is driven with the wafer 17 placed on the tip of the pipe 16, the tip of the pipe 16 is attracted to the lower surface of the wafer 17. Therefore, since the thermocouple 22 is slightly exposed from the tip end surface of the pipe 16, the thermocouple 22 is pressed against the lower surface of the wafer 17.
【００１７】次に、例えばウェハ１７の上面に塗布され
たレジストを上記のように構成された半導体製造装置に
より加熱乾燥させる場合について説明する。まず、支持
ピン１４及びパイプ１６の先端にウェハ１７を載置する
と、パイプ１６の先端から若干露出する熱電対２２の先
端がウェハ１７の下面に接触した状態となる。そして、
通常ウェハ１７を１００℃に加熱してウェハ１７の上面
に塗布されたレジストを加熱乾燥させるため、ヒータ温
度制御装置１９によりヒータ１１を制御して熱板１２を
約１２０℃に加熱する。そして、熱電対１８が熱板１２
の温度を検出し、熱電対１８の検出信号に基づいてヒー
タ温度制御装置１９は熱板１２が常に１２０℃となるよ
うに温度制御する。Next, a case will be described in which, for example, a resist coated on the upper surface of the wafer 17 is heated and dried using the semiconductor manufacturing apparatus configured as described above. First, when the wafer 17 is placed on the support pin 14 and the tip of the pipe 16, the tip of the thermocouple 22, which is slightly exposed from the tip of the pipe 16, comes into contact with the lower surface of the wafer 17. and,
Normally, in order to heat the wafer 17 to 100.degree. C. and heat and dry the resist coated on the upper surface of the wafer 17, the heater 11 is controlled by the heater temperature control device 19 to heat the hot plate 12 to about 120.degree. Then, the thermocouple 18 is connected to the hot plate 12.
Based on the detection signal from the thermocouple 18, the heater temperature control device 19 controls the temperature of the hot plate 12 so that the temperature is always 120°C.
【００１８】この状態で、吸引装置２４を駆動してパイ
プ１６内を約２００Ｔｏｒｒ となるように吸引すると
、パイプ１６の先端にウェハ１７の下面が吸着するので
、熱電対２２の先端がさらにウェハ１７の下面にしっか
りと接触する。そして、前記熱電対２２がウェハ１７の
温度を検出し、この検出信号に基づいてウェハ温度制御
装置２３はウェハ１７自身の温度を演算処理してウェハ
１７が常に１００℃に加熱されているかを判別する。In this state, when the suction device 24 is driven to suck the inside of the pipe 16 to about 200 Torr, the lower surface of the wafer 17 is attracted to the tip of the pipe 16, so that the tip of the thermocouple 22 is further pulled into the wafer 17. Make firm contact with the underside of the Then, the thermocouple 22 detects the temperature of the wafer 17, and based on this detection signal, the wafer temperature control device 23 processes the temperature of the wafer 17 itself to determine whether the wafer 17 is always heated to 100°C. do.
【００１９】この結果、ウェハ１７の温度が１００℃を
越える場合、ウェハ温度制御装置２３は昇降装置２１を
駆動して連結板２０を介して支持ピン１４及びパイプ１
６を上昇させる。すると、ウェハ１７と熱板１２との近
接距離が大きくなって熱板１２からの熱がウェハ１７に
伝わりにくくなり、ウェハ１７の温度が低くなって１０
０℃にすることができる。As a result, when the temperature of the wafer 17 exceeds 100° C., the wafer temperature control device 23 drives the lifting device 21 to move the support pins 14 and the pipe 1 through the connecting plate 20.
Raise 6. Then, the proximity distance between the wafer 17 and the hot plate 12 increases, making it difficult for the heat from the hot plate 12 to be transferred to the wafer 17, and the temperature of the wafer 17 decreases to 10.
It can be brought to 0°C.
【００２０】又、ウェハ１７の温度が１００℃を下回る
場合、ウェハ温度制御装置２３は昇降装置２１を駆動し
て連結板２０を介して支持ピン１４及びパイプ１６を降
下させる。すると、ウェハ１７と熱板１２との近接距離
が小さくなって熱板１２からの熱がウェハ１７に伝わり
易くなり、ウェハ１７の温度が高くなって１００℃にす
ることができる。When the temperature of the wafer 17 is below 100° C., the wafer temperature control device 23 drives the lifting device 21 to lower the support pins 14 and pipes 16 via the connecting plate 20. Then, the proximity distance between the wafer 17 and the hot plate 12 becomes smaller, and the heat from the hot plate 12 is easily transmitted to the wafer 17, and the temperature of the wafer 17 increases to 100°C.
【００２１】又、この時吸引装置２４によりパイプ内を
吸引することにより、熱電対２２の先端がウェハ１７の
下面にしっかりと接触するため、ウェハ１７の温度を正
確に検出することができる。更に、パイプ１６によりヒ
ータ１１及び熱板１２の熱を熱電対２２に伝わらないよ
うにすることができるため、ウェハ１７の温度検出を更
に正確に検出することができる。Further, at this time, by suctioning the inside of the pipe by the suction device 24, the tip of the thermocouple 22 comes into firm contact with the lower surface of the wafer 17, so that the temperature of the wafer 17 can be detected accurately. Further, since the pipe 16 prevents the heat of the heater 11 and the hot plate 12 from being transmitted to the thermocouple 22, the temperature of the wafer 17 can be detected more accurately.
【００２２】この結果、ウェハ１７の上面に塗布された
レジストを一定の温度にて加熱乾燥することができるの
で、レジストの乾燥むらを防止することができ、回路パ
ターンの微細化に伴う回路パターンの寸法を安定させる
ことができる。尚、本実施例の半導体製造装置をウェハ
１７の上面に塗布したレジストを加熱乾燥する場合に使
用したが、ウェハ１７をアニールする場合等に使用する
半導体製造装置に応用することも可能である。As a result, the resist coated on the upper surface of the wafer 17 can be heated and dried at a constant temperature, making it possible to prevent uneven drying of the resist and to reduce the size of the circuit pattern due to miniaturization of the circuit pattern. Dimensions can be stabilized. Although the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment was used to heat and dry the resist coated on the upper surface of the wafer 17, it can also be applied to a semiconductor manufacturing apparatus used for annealing the wafer 17.
【００２３】又、本実施例においては支持ピン１４及び
パイプ１６によってウェハ１７を４点支持したが、支持
ピン１４によってウェハ１７を４点支持又は３点支持し
、ウェハ１７の中心にパイプ１６を配置して熱電対２２
によりウェハ１７の温度を検出したり、パイプ１６及び
熱電対２２の数を増やし、ウェハ１７全体の温度をトー
タル的に管理することも可能である。Further, in this embodiment, the wafer 17 is supported at four points by the support pins 14 and the pipe 16, but the wafer 17 is supported at four or three points by the support pins 14, and the pipe 16 is placed at the center of the wafer 17. Place thermocouple 22
It is also possible to detect the temperature of the wafer 17 or to increase the number of pipes 16 and thermocouples 22 to manage the temperature of the entire wafer 17 in total.
【００２４】更に、熱電対２２の他にサーミスタ等、そ
の他温度検出手段を使用することも可能である。又、ヒ
ータ温度制御装置１９によって熱板１２及びウェハ１７
の温度制御を行うことも可能である。Furthermore, in addition to the thermocouple 22, it is also possible to use other temperature detection means such as a thermistor. In addition, the heater temperature control device 19 controls the temperature of the hot plate 12 and the wafer 17.
It is also possible to perform temperature control.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ウ
ェハの温度を正確に検出して、正確にウェハの温度制御
を行うことができる優れた効果がある。As described in detail above, the present invention has the excellent effect of accurately detecting the wafer temperature and accurately controlling the wafer temperature.
【図１】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.
【図２】本発明の半導体製造装置の一実施例を示す構成
図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図３】半導体製造装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the semiconductor manufacturing apparatus.
【図４】従来の半導体製造装置の構成を示す一部側断面
図である。FIG. 4 is a partial side sectional view showing the configuration of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
１ ヒータ ２ 熱板 ３ 支持部材 ４ ウェハ ５ パイプ ６ 温度検出手段 ７ 吸引手段 1 Heater 2 Hot plate 3 Support member 4 Wafer 5 Pipe 6 Temperature detection means 7 Suction means
Claims (3)
よって加熱され、ウェハ（４）を加熱する熱板（２）と
により構成される半導体製造装置において、前記ウェハ
（４）を前記熱板（２）の上側に近接支持する支持部材
（３）と、前記熱板（２）を貫通して該ウェハ（４）の
下面に当接するパイプ（５）と、前記パイプ（５）内に
挿通されウェハ（４）の温度を検出する温度検出手段（
６）とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a heater (1) and a hot plate (2) that is heated by the heater (1) and heats a wafer (4), wherein the wafer (4) is a support member (3) that is closely supported on the upper side of the plate (2); a pipe (5) that penetrates the hot plate (2) and comes into contact with the lower surface of the wafer (4); Temperature detection means (which is inserted through and detects the temperature of the wafer (4)
6) A semiconductor manufacturing device comprising:
れ、ウェハを加熱する熱板とにより構成される半導体製
造装置において、前記ウェハを前記熱板の上側に近接支
持する支持部材と、前記熱板を貫通して該ウェハの下面
に当接するパイプと、前記パイプ内を吸引してパイプを
負圧にしてウェハの下面を吸着させ、前記温度検出手段
にてウェハの温度を検出させる吸引手段とを備えたこと
を特徴とする半導体製造装置。2. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a heater and a hot plate that is heated by the heater and heats a wafer, comprising: a support member that supports the wafer in close proximity to an upper side of the hot plate; The method includes a pipe that penetrates and comes into contact with the lower surface of the wafer, and a suction means that sucks the inside of the pipe to create a negative pressure in the pipe to attract the lower surface of the wafer, and causes the temperature detection means to detect the temperature of the wafer. A semiconductor manufacturing device characterized by:
を検出する温度検出手段と温度検出手段の検出信号に基
づいてウェハの温度分布を演算する温度分布演算手段と
、前記温度分布演算手段の演算結果に基づいて支持部材
を昇降動作させる昇降手段とを備えたことを特徴とする
請求項１又は２記載の半導体製造装置。3. Temperature detection means that is inserted into the pipe and detects the temperature of the wafer; temperature distribution calculation means that calculates the temperature distribution of the wafer based on the detection signal of the temperature detection means; and calculation of the temperature distribution calculation means. 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising an elevating means for elevating and lowering the support member based on the result.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40415990A JP3014770B2 (en) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40415990A JP3014770B2 (en) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219921A true JPH04219921A (en) | 1992-08-11 |
| JP3014770B2 JP3014770B2 (en) | 2000-02-28 |
Family
ID=18513855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40415990A Expired - Lifetime JP3014770B2 (en) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014770B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490228A (en) * | 1990-03-12 | 1996-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating units for use in semiconductor-producing apparatuses and production thereof |
| US6084215A (en) * | 1997-11-05 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP40415990A patent/JP3014770B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490228A (en) * | 1990-03-12 | 1996-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating units for use in semiconductor-producing apparatuses and production thereof |
| US6084215A (en) * | 1997-11-05 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3014770B2 (en) | 2000-02-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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