JPH04210481A - Composition for forming palladium or palladium alloy thin film and its manufacture - Google Patents

Composition for forming palladium or palladium alloy thin film and its manufacture

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JPH04210481A
JPH04210481A JP2410154A JP41015490A JPH04210481A JP H04210481 A JPH04210481 A JP H04210481A JP 2410154 A JP2410154 A JP 2410154A JP 41015490 A JP41015490 A JP 41015490A JP H04210481 A JPH04210481 A JP H04210481A
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JP
Japan
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palladium
dispersed
metal
particle
organic solvent
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Pending
Application number
JP2410154A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Sato
淳二 佐藤
Katsumi Takahashi
勝美 高橋
Masaaki Oda
正明 小田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vacuum Metallurgical Co Ltd
NE Chemcat Corp
Original Assignee
Vacuum Metallurgical Co Ltd
NE Chemcat Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Vacuum Metallurgical Co Ltd, NE Chemcat Corp filed Critical Vacuum Metallurgical Co Ltd
Priority to JP2410154A priority Critical patent/JPH04210481A/en
Publication of JPH04210481A publication Critical patent/JPH04210481A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To form a dense thin film fine line in which the number of films to be laminated can remarkably be increased by specifying the components of a conductive composition and their ratios. CONSTITUTION:The composition for forming a palladium or palladium alloy thin film in this invention is as follows. Namely, it is a one contg., simple grain dispersed ultrafine powder of palladium or a palladium alloy having 30 to 1000Angstrom average grain size by 5 to 70wt.% as metal, simple grain dispersed ultrafine powder of rhodium or iridium having 30 to 1000Angstrom average grain size by 0.005 to 1.0wt.% as metal, arbitrarily contg. simple grain dispersed ultrafine powder of gold having 30 to 1000Angstrom average grain size by 2.5 to 35wt.% as metal and furthermore 0.5 to 10wt.% of one or more kinds among lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, Ti and Ba having the same grain size.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[0001] [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法に関す
る。 [00021本発明の調合物は、とくに民生用または産
業用エレクトロニクス機器に使用される積層セラミック
コンデンサ、低温焼成多層セラミック基板、ガラス基板
、グレーズ基板、アルミナ基板等に用いて導電回路や積
層回路を製造することができる。 [0003]
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a formulation for forming palladium or palladium alloy thin films and a method for producing the same. [00021 The composition of the present invention can be used in particular for manufacturing multilayer ceramic capacitors, low-temperature fired multilayer ceramic substrates, glass substrates, glazed substrates, alumina substrates, etc. used in consumer or industrial electronics equipment to produce conductive circuits and multilayer circuits. can do. [0003]

【従来の技術とその問題点】積層コンデンサや多層セラ
ミックス基板は、一般にセラミック粉末をビヒクルに均
一に分散させたセラミックス調合物を成型し、てつくっ
た未焼成のシート上に、導電性金属粉末とビヒクルとか
らなる導電性金属粉末含有調合物(以下、単に導電性調
合物ということもある)をスクリーン印刷して電極また
は回路層を形成し、乾燥した後、所望の枚数だけ積み重
ね、最後に電極または回路の印刷されていないシートを
重ねてこれを圧縮するか、または前記セラミックス調合
物と導電性調合物を交互にスクリーン印刷し、乾燥して
積層し、セラミックス層と電極または回路層を交互に有
した積層体を形成して作らねていた。このようにして得
られた未焼成の積層体を所定の大きさに切断した後、十
分な温度で焼成し一体とした積層体に、外部電極、回路
または半導体チップ等をマウントして積層コンデンサや
多層セラミックス基板等を完成させていた。 [0004]この導電性調合物は、従来より一般に、厚
膜ハイブリッドIC用導電性調合物を転用していた。厚
膜バーイブリッドIC用導電性調合物は、現在多くの種
類のものが市販されているが、導電性調合物の原料であ
る金属粉の粒子が数μmと大きなものを使用しているも
のや1次粒子は細かいが2次凝集を起こし凝集粒子寸法
が数μmと大きくなってしまっているものを用いていた
。 そのため均一で緻密な焼成被膜を作るには、乾燥膜厚を
十数μmとしなければならなかった。このため、回路を
形成したシートを積層し、圧縮すると回路を形成してい
ない部分同士を密着させるためにシート自体に大きな歪
みが生じてしまっていた。したがって均一にシートを鳳
ねることが困難になり、積層体はデイラミネーションを
起こしやすかった。また、小型化、高性能化に伴い積層
枚数を増やす傾向にあるが、厚膜ハイブリッドIC用の
導電性調合物を転用したのでは焼成被膜の均一性の問題
から乾燥膜厚を大幅に下げることができず、同じ総合膜
厚でのシート積層枚数を増やすことが困難になっていた
。 [0005]
[Prior Art and Its Problems] Multilayer capacitors and multilayer ceramic substrates are generally produced by molding a ceramic composition in which ceramic powder is uniformly dispersed in a vehicle, and placing conductive metal powder on an unfired sheet. An electrode or circuit layer is formed by screen printing a conductive metal powder-containing formulation (hereinafter also simply referred to as a conductive formulation) consisting of a vehicle, and after drying, the desired number of sheets are stacked, and finally the electrode or by stacking and compressing unprinted sheets of circuitry, or by alternately screen-printing said ceramic and conductive formulations, drying and laminating, and alternating ceramic layers with electrode or circuit layers. It was not possible to form a laminate with the same material. The unfired laminate thus obtained is cut into a predetermined size, then fired at a sufficient temperature, and external electrodes, circuits, semiconductor chips, etc. are mounted on the integrated laminate to form a multilayer capacitor. They had completed multilayer ceramic substrates, etc. [0004] This conductive formulation has previously been commonly adapted from conductive formulations for thick film hybrid ICs. There are currently many types of conductive formulations for thick film hybrid ICs on the market, but some use metal powder particles as large as several μm, which is the raw material for the conductive formulations. Although the primary particles were fine, they caused secondary aggregation and the size of the agglomerated particles increased to several μm. Therefore, in order to produce a uniform and dense fired film, the dry film thickness had to be about ten micrometers. For this reason, when sheets with circuits formed on them are laminated and compressed, the sheets themselves are greatly distorted because the parts on which no circuits are formed are brought into close contact with each other. Therefore, it became difficult to uniformly press the sheets, and the laminate was prone to delamination. In addition, there is a tendency to increase the number of laminated layers as miniaturization and performance increases, but if conductive formulations for thick-film hybrid ICs are repurposed, the dry film thickness must be significantly reduced due to problems with the uniformity of the fired film. This made it difficult to increase the number of laminated sheets with the same total film thickness. [0005]

【発明の目的】従って本発明の目的は、薄膜ファインラ
インを形成することによってデイラミネーションやクラ
ックの発生を減らし、積層枚数を大幅に増やすことので
きる緻密で薄膜化が可能な導電性調合物を提供すること
であり、またその製造方法を提供することである。 [0006]
[Object of the Invention] Therefore, the object of the present invention is to provide a conductive composition that is dense and can be formed into a thin film, which can reduce delamination and cracking by forming thin film fine lines, and greatly increase the number of laminated sheets. The purpose is to provide a method for manufacturing the same. [0006]

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に従
い、単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒
径が30から1000Åであるパラジウムまたはパラジ
ウム合金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%か
ら70重量%含有しかつロジウムおよび/またはイリジ
ウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のま
ま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000
1(であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子
分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重量%含
有し、任意に金の金属有機化合物および/または単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Aである金の単粒子分散超微粉末を金属とし
て2.5重量%から35重量%含有し、また任意に単粒
子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30
から1000八である鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バ
ナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコ
ニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物からな
る群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分散超微
粉末を金属として0.5重量%から10重量%含有し、
さらに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム
、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、
チタン、バリウムからなる群から選ばれる1種または1
種以上の金属有機化合物を金属として0.51量%から
10重量%含有することを特徴とするパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜形成用調合物により達成される。 [0007]また、上記目的は、本発明に従い、単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Åであるパラジウムまたはパラジウム合金の
単粒子分散超微粉末にロジウムおよび/またはイリジウ
ムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のまま
有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000Å
であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子分散
超微粉末、任意に金の金属有機化合物および/または単
粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が3
0から1000Åである金の単粒子分散超微粉末、任意
に単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物
からなる群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分
散超微粉末ならびに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス
、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジ
ルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれる
1種または1種以上の金属有機化合物を配合することを
特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物の製造方法により達成される。 [00081以下、本発明のパラジウムまたはパラジウ
ム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法について詳
細に説明する。 [00091本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Å、好ましくは
30から50OAであるパラジウムまたはパラジウム合
金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%から70
重量%、好ましくは15重量%から45重量%含有して
いる。 [00101パラジウムおよび/またはパラジウム合金
の単粒子分散超微粉末の含有量を5重量%から70重量
火としたのは、5重量%以下だと均一な焼成薄膜を作る
ことが困難であるからであり、70重量%以上では導電
性調合物が高粘度になりすぎ、印刷特性が悪くなるため
である。 [00111平均粒径が1000Å以上の単粒子分散超
微粉末では、ロジウムやイリジウムでパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜の粒状化を抑えることが困難になる
傾向がある。 [00121本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、さらにロジウムおよび/またはイ
リジウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態
のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から10
00Åであるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒
子分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重風%
、好ましくは、0.01重量%から0.5重量%含有し
ている。 [0013]ロジウムおよび/またはイリジウム含有量
が、0.005重量%以下だと焼成膜の凝集を抑えるこ
とが困難であり、ロジウムおよび/またはイリジウムの
含有量が1.0重量%以上では、膜形成させる効果がと
がらないばかりか、抵抗値が大きく上がるためでる。 [00141本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、金の金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである金の単粒子分散超微粉末を
金属として2.5重量%から35重量%、好ましくは1
0重量%から20重量%含有していてもよい。 [0015]金の金属有機化合物および/または上記の
金の単粒子分散超微粉末を2.5重量%から3S重量%
含有させたのは、パラジウムまたはパラジウム合金薄膜
をより良く形成させるためである。パラジウムの特性を
崩さないように、パラジウム金属に対し金含有率は50
%以下が好ましい。 [00161本発明の調合物の調合成分である金属有機
化合物とは、金属の有機酸塩、たとえば樹脂酸塩、カル
ボン酸塩や有機溶剤に可溶な金属錯体である。 [0017]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、また単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末を金属として0゜5
重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5重量
%含有していてもよい。 [00181本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
H膿形成用調合物は、さらに鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれ
る1種または1種以七の金属有機化合物を金属として0
.5重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5
重量%含有していてもよい。 [00191上記単粒子分散超微粉末および/またはL
記金属有機化合物を添加させたのは、導電性調合物中の
パラジウムおよび/またはパラジウム合金の単粒子分散
超微粉末が非常に細かいため、単粒子分散超微粉末の焼
結膜とセラミックス基板を密着させるためには、従来の
ガラスフリットや金属酸化物では粒子が大きすぎて、緻
密な焼結膜の形成をかえって破壊してしまったり、パラ
ジウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に比
べ微量の添加なので大きい粒子ではあまりにも部分的に
しか接着できず、密着力が小さいのでその状態を改善す
るためである。本発明のパラジウムまたはパラジウム合
金薄膜形成用調合物は、調合物の粘度を上げるためにあ
るいは、調合物をペースト状にするために、ロジン、ア
スファルト、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース樹脂などを
適宜含有していてもよい。 [002ONさらに本発明の調合物は、必要に応じてパ
ラフィンワックス、マイクロワックス等のワックス類、
ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビタン酸モノス
テアレート等の界面活性剤、有機溶剤などを適宜含有し
ていても良い。 [0021]本調合物は、樹脂および有機溶剤のR合バ
ランスにより筆塗り用、スクリーン印刷用、スタンプ用
、凸版印刷用等のいずれにも使用可能である。 [00221本発明に用いられる単粒子分散超微粉末は
、ガス中蒸発法により生成した金属または酸化物の超微
粉の表面に有機溶剤を吸着させ単粒子分散状態のまま取
り出す方法により製造することができる。 [0023]例えば、圧力が10Torr以下のヘリウ
ム等の不活性ガスの雰囲気のもとて金属を加熱蒸発させ
た後、不活性ガス中で凝縮させ粒子を生成し、粒子がガ
ス流に乗って回収部へ搬送される途中で有機溶剤例えば
、テレピネオール、アネトール、ボルネオール、リモネ
ン、テレピン油、ローズマリー油、ブチルカルピトール
、トルエン、ヘキサン、酢酸ベンジル、酢酸テレビニル
等を導入して粒子の表面を有機溶剤で被覆し、粒子同士
の付着、凝集を防止した上で冷却面に付着回収する方法
により製造することができる。有機溶剤と共に回収され
た単粒子分散超微粒子にさらに添加剤を加え、粒子の分
散をさらに安定化させることもできる。 [0024]また、本発明に用いられるパラジウムまた
はパラジウム合金の単粒子分散超微粉末は単粒子分散超
微粉末の表面を酸化させであるものも含んでいる。 [0025]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Åであるパラジ
ウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に、ロ
ジウムおよび/またはイリジウムの金属有機化合物およ
び/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた
平均粒径が30から1000八であるロジウムおよび/
またはイリジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金
属有機化合物および/または単粒子の状態のまま有機溶
剤中に分散させた平均粒径が30から1000八である
金の単粒子分散超微粉末、単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末ならびに任意に鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
からなる群から選ばれる1種または1種以上の金属有機
化合物を配合する工程を含む方法によって製造すること
ができる。 [0026]本発明の調合物の製造において、調合物の
粘度を上げるためにあるいは、調合物をペースト状にす
るために、ロジン、アスファルト、アルキド樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
セルロース樹脂等を配合することができる。 [0027]また、本発明の調合物の製造において、必
要に応じてパラフィンワックス、マイクロワックス等の
ワックス類、ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビ
タン酸モノステアレート等の界面活性剤、有機溶剤など
を適宜配合しても良い。 [0028]上記工程で得られた配合物は、そのまま本
願発明の調合物として使用することもあるが、必要に応
じて、たとえば公知の方法で上記配合物を振とう、撹拌
、粗練、混線、加熱その他の方法で処理することによっ
て本発明の調合物とすることもできる。 [0029]スクリーン印刷用、スタンプ用、凸版印刷
用等の本発明の調合物は、たとえば上記単粒子分散超微
粉末と樹脂及び有機溶剤とを、少量ならば乳鉢等、多量
ならば万能混合撹拌機或いはライカイ機等の混合機で良
く粗練りし、さらに三本ロールミルで良く混練すること
によって製造することができる。 [00301また、筆塗り用の本発明の調合物は、たと
えば上記印刷用調合物に添加している樹脂等の量を減ら
し粘度を減少させ、振とうまたは撹拌することによって
得ることができる。 [00311本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、一般に使用されている厚膜バイブ
ノットIC用調合物と比較して、下記の特徴がある、■
 本発明のパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC用調合物に比べ
原料の金属粉末の粒径が30Aから1000Åと非常に
細かく、しかも1つ1つが粒子の状態で分散している超
微粒子から成っているので薄層印刷や50μmのファイ
ンラインが容易に印刷できる。 [0032]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30八から10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子にロジウムおよび/またはイリ
ジウムの金属有機化合物および/または超微粉末を単粒
子の状態で有機溶剤に分散させたロジウムおよび/また
はイリジウムの単粒子分散超微粉末を含有させているの
で、超微粉の焼結凝集粒の発生を防いだ被膜を形成させ
ることができる。 [0033]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子を添加しているので反応性が強
く、より低温で焼成することができる。 [00341■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末粒径が30人から100
0Aと非常に細かく、しかも1つ1つがしかも単粒子の
状態で分散しており、基板との密着性を上げるためのガ
ラス成分や化学結合させるための原料粉を、超微粉末を
単粒子の状態で有機溶剤に分散させた単粒子分散超微粉
末、単粒子分散超微粉末の酸化物および/または金属有
機化合物の状態で混合させであるので、薄層でも緻密で
しかも基板との密着力のある膜を得ることができる。 [0035]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散しているので、印刷膜厚が薄くても均一な膜を形
成することができるので積層がしやすくなり、そのため
デイラミネーションの起こる傾向を少くすることができ
る。 [0036]
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, the above object is to provide a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the form of single particles. A metal-organic compound of rhodium and/or iridium containing 5% to 70% by weight as a metal and/or having an average particle size of 30 to 1000 dispersed in an organic solvent as a single particle.
1 (contains 0.005 to 1.0% by weight of a single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium as a metal, optionally containing a gold metal-organic compound and/or a single-particle dispersed ultrafine powder in an organic solvent in the state of a single particle of gold). Contains 2.5% to 35% by weight of metal, single-particle dispersed ultrafine powder of gold having an average particle diameter of 30 to 1000A, and optionally dispersed in an organic solvent as a single particle. The average particle size was 30
to 10,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000,000 Contains 0.5% to 10% by weight of particle-dispersed ultrafine powder as metal,
Furthermore, lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium,
One or more selected from the group consisting of titanium and barium
This is achieved by a formulation for forming palladium or palladium alloy thin films, which is characterized by containing 0.51% to 10% by weight of one or more metal-organic compounds as metal. [0007] The above object is also achieved by adding rhodium and/or rhodium to a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the form of single particles. Or a metal-organic compound of iridium and/or a single particle dispersed in an organic solvent with an average particle size of 30 to 1000 Å.
Single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium, optionally a metal organic compound of gold, and/or a single-particle dispersed ultrafine powder in an organic solvent with an average particle size of 3.
Single-particle dispersion ultrafine powder of gold having a size of 0 to 1000 Å, optionally lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in a single particle state. , nickel, chromium, tin, iron,
One or more single-particle dispersed ultrafine powders selected from the group consisting of zirconium, titanium, barium, and their oxides, and optionally lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, and tin. This is achieved by a method for producing a palladium or palladium alloy thin film-forming formulation, which comprises blending one or more metal-organic compounds selected from the group consisting of iron, zirconium, titanium, and barium. [00081] Hereinafter, the palladium or palladium alloy thin film forming composition of the present invention and the method for producing the same will be explained in detail. [00091 The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention comprises palladium or palladium alloy monomers having an average particle size of 30 to 1000 Å, preferably 30 to 50 OA, dispersed in an organic solvent in the form of single particles. 5% to 70% by weight of particle-dispersed ultrafine powder as metal
The content is preferably from 15% to 45% by weight. [00101 The reason why the content of single-particle dispersed ultrafine powder of palladium and/or palladium alloy was changed from 5% by weight to 70% by weight is because it is difficult to create a uniform fired thin film if it is less than 5% by weight. This is because if it exceeds 70% by weight, the conductive formulation will have too high a viscosity and the printing properties will deteriorate. [00111 With single-particle dispersed ultrafine powders having an average particle diameter of 1000 Å or more, it tends to be difficult to suppress the granulation of palladium or palladium alloy thin films with rhodium or iridium. [00121 The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention further comprises a metal-organic compound of rhodium and/or iridium and/or a compound having an average particle size of 30 to 10
0.005 to 1.0% heavy air as a metal using single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium with a diameter of 0.00 Å
, preferably 0.01% to 0.5% by weight. [0013] If the rhodium and/or iridium content is 0.005% by weight or less, it is difficult to suppress agglomeration of the fired film, and if the rhodium and/or iridium content is 1.0% by weight or more, the film This is because not only the effect of formation is not sharp, but also the resistance value increases greatly. [00141 The palladium or palladium alloy thin film forming composition of the present invention comprises a metal organic compound of gold and/or a single gold particle having an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of a single particle. 2.5% to 35% by weight of the dispersed ultrafine powder as metal, preferably 1
It may be contained in an amount of 0% to 20% by weight. [0015] 2.5% by weight to 3S% by weight of the gold metal organic compound and/or the above-mentioned gold single particle dispersed ultrafine powder
The reason why it is included is to better form a palladium or palladium alloy thin film. In order to maintain the properties of palladium, the gold content is 50% relative to palladium metal.
% or less is preferable. [00161 The metal-organic compounds that are formulation components of the formulations of the present invention are organic acid salts of metals, such as resinates, carboxylates, and metal complexes that are soluble in organic solvents. [0017] The palladium or palladium alloy thin film-forming formulation of the present invention also contains lead, boron, silicon, bismuth, vanadium having an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of single particles. , zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, barium, and their oxides.
The content may be from 10% by weight, preferably from 1% to 5% by weight. [00181 The palladium or palladium alloy H pus-forming formulation of the present invention further comprises lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron,
One or more metal-organic compounds selected from the group consisting of zirconium, titanium, and barium as a metal.
.. 5% to 10% by weight, preferably 1% to 5% by weight
It may contain % by weight. [00191 The above single particle dispersed ultrafine powder and/or L
The metal-organic compound was added because the single-particle dispersed ultrafine powder of palladium and/or palladium alloy in the conductive formulation is extremely fine, so that the sintered film of the single-particle dispersed ultrafine powder and the ceramic substrate are closely bonded. In order to achieve this, the particles of conventional glass frits and metal oxides are too large, which may actually destroy the formation of a dense sintered film, and it is necessary to add a small amount compared to single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy. Therefore, large particles can only be bonded partially and the adhesion force is low, so the purpose is to improve this situation. The palladium or palladium alloy thin film-forming formulation of the present invention may be made of rosin, asphalt, alkyd resin, epoxy resin, acrylic resin, polyvinyl butyral resin in order to increase the viscosity of the formulation or to make the formulation into a paste. , cellulose resin, etc. may be contained as appropriate. [002ON] Furthermore, the formulation of the present invention may optionally contain waxes such as paraffin wax and microwax,
It may contain a plasticizer such as dioctyl phthalate, a surfactant such as sorbitan monostearate, an organic solvent, etc. as appropriate. [0021] This formulation can be used for brush painting, screen printing, stamping, letterpress printing, etc. depending on the R combination balance of the resin and organic solvent. [00221 The single-particle dispersed ultrafine powder used in the present invention can be produced by a method in which an organic solvent is adsorbed on the surface of the metal or oxide ultrafine powder produced by an evaporation method in a gas, and the single-particle dispersed state is taken out. can. [0023] For example, after the metal is heated and evaporated in an atmosphere of an inert gas such as helium at a pressure of 10 Torr or less, it is condensed in the inert gas to generate particles, and the particles are collected by riding on the gas flow. While the particles are being transported to the chamber, organic solvents such as terpineol, anethole, borneol, limonene, turpentine oil, rosemary oil, butylcarpitol, toluene, hexane, benzyl acetate, and terpenyl acetate are introduced to coat the surface of the particles. It can be manufactured by a method in which particles are coated with water to prevent adhesion and agglomeration of particles, and then the particles are attached and collected on a cooling surface. It is also possible to further stabilize the dispersion of the particles by adding an additive to the single-particle dispersed ultrafine particles recovered together with the organic solvent. [0024] Furthermore, the single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy used in the present invention includes those obtained by oxidizing the surface of the single-particle dispersed ultrafine powder. [0025] The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention is a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the form of single particles. metal-organic compounds of rhodium and/or iridium and/or rhodium and/or having an average particle size of 30 to 10008 dispersed in an organic solvent in the form of single particles.
or a single-particle dispersed ultrafine powder of iridium, optionally a metal-organic compound of gold, and/or a single-particle dispersed ultrafine gold particle having an average particle size of 30 to 1000, dispersed in an organic solvent in the form of a single particle. Lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, barium with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of powder or single particles. and one or more types of single particle dispersed ultrafine powder selected from the group consisting of oxides thereof and optionally lead,
Produced by a method including a step of blending one or more metal organic compounds selected from the group consisting of boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, and barium. be able to. [0026] In the production of the formulation of the present invention, rosin, asphalt, alkyd resin, epoxy resin, acrylic resin, polyvinyl butyral resin,
Cellulose resin etc. can be blended. [0027] In the production of the formulation of the present invention, waxes such as paraffin wax and microwax, plasticizers such as dioctyl phthalate, surfactants such as sorbitan monostearate, organic solvents, etc. may be added as necessary. They may be blended as appropriate. [0028] The blend obtained in the above step may be used as it is as a blend of the present invention, but if necessary, the blend may be shaken, stirred, coarsely kneaded, or mixed by a known method, for example. The formulations of the present invention can also be obtained by processing by heating or other methods. [0029] The formulation of the present invention for screen printing, stamping, letterpress printing, etc. can be prepared by, for example, mixing the above-mentioned single-particle dispersed ultrafine powder with a resin and an organic solvent in a mortar or the like for a small amount, or by universal mixing and stirring for a large amount. It can be produced by thoroughly kneading the mixture using a mill or a mixer such as a Raikai machine, and then thoroughly kneading it using a three-roll mill. [00301] The formulation of the present invention for brush application can also be obtained by, for example, reducing the amount of resin etc. added to the above printing formulation to reduce the viscosity and shaking or stirring. [00311 The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention has the following characteristics compared to commonly used thick film vibe knot IC formulations:
The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention has a raw material metal powder having a particle size of 30A to 1000Å, which is extremely fine compared to conventional thick film hybrid IC formulations, and each individual particle is in the form of particles. Since it is made of dispersed ultrafine particles, thin layer printing and 50 μm fine lines can be easily printed. [0032] ■ The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention can be used to form conventional thick film hybrid ICs.
The particle size of the raw metal powder is 308 to 10 compared to the formulation for
Ultrafine particles of 00A, each of which is dispersed in the form of a single particle, are made by dispersing rhodium and/or iridium metal organic compounds and/or ultrafine powder in an organic solvent in the form of single particles. Since it contains ultrafine powder dispersed in single particles of rhodium and/or iridium, it is possible to form a coating that prevents the generation of sintered agglomerates of the ultrafine powder. [0033]■ The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention can be used to form conventional thick film hybrid ICs.
The particle size of the raw metal powder is 30A to 10A compared to the formulation for
Because it contains ultrafine particles as small as 00A, each of which is dispersed in the form of a single particle, it has strong reactivity and can be fired at lower temperatures. [00341■ The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention can be used to form conventional thick film hybrid ICs.
The particle size of the raw metal powder is 30 to 100 compared to the formulation for
0A, each particle is dispersed in the state of a single particle, and the glass component to increase adhesion to the substrate and the raw material powder for chemical bonding are mixed into ultrafine powder into single particles. Since it is a single-particle dispersed ultrafine powder dispersed in an organic solvent, a single-particle dispersed ultrafine powder oxide and/or a metal organic compound is mixed in the state, so even a thin layer can be dense and have good adhesion to the substrate. It is possible to obtain a film with [0035] ■ The palladium or palladium alloy thin film forming formulation of the present invention can be used to form conventional thick film hybrid ICs.
The particle size of the raw metal powder is 30A to 10A compared to the formulation for
00A, which is very fine and each particle is dispersed in the state of a single particle, so even if the printed film thickness is thin, it can form a uniform film, making it easier to stack layers, which causes delamination. tendency can be reduced. [0036]

【実施例および比較例】以下、実施例および比較例によ
り本発明の詳細な説明する。 [0037]
[Examples and Comparative Examples] The present invention will be explained in detail below using Examples and Comparative Examples. [0037]

【実施例1】パラジウム薄膜を形成するための本発明に
従うパラジウム薄膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム薄膜の形成を例示する。 [0038]下記の調合成分(a)、 (b)、  (
c)、(d)及び(e) (a)  テレピネオール中に平均粒径50Aのパラジ
ウム超微粉末を単粒子分散させたPd60重量%含有分
散液(以下、パラジウム単粒子分散超微粉末分散液と略
記する。) (b)   ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にロジウムオクトエートを溶解
させたPh、5重量%含有溶液(以下、ロジウム塩溶液
と略記する。) (C)  アネトールとリモネンを7対3の重量比で混
合した溶剤中にロジンを20重量%溶解させた溶液(以
下、ロジン溶液と略記する。、) (d)  エチルセルロース(パーキュレス製 N−1
,0(e)  ブチルカルピトール(和光紬薬製)を用
意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C)、
(d)および(e)を下記の重量比 調合成分                重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液    80.
0(b)ロジウム塩溶液              
 5.0(c)ロジン溶液             
    5.0(d)エチルセルロース       
        3.0(e)ブチルカルピトール  
           7,0で混合して、調合成分(
a)、 (b)、 (e)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0039]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム薄
膜形成用調合物を得た。 [00403該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、導電回路を製造した。 [00411得られた導電回路のファインラインの厚さ
は1.0μ膳であり、比抵抗は25 X 10−6Ω・
cmであった。 [0042]
Example 1 illustrates the preparation of a palladium film forming formulation according to the present invention for forming a palladium film and the formation of a palladium film using the formulation. [0038] The following formulation ingredients (a), (b), (
c), (d) and (e) (a) A dispersion containing 60% by weight of Pd in which ultrafine palladium powder with an average particle size of 50 A is dispersed in terpineol (hereinafter referred to as an ultrafine powder dispersion containing single particles of palladium) (b) A solution containing 5% by weight of Ph, which is obtained by dissolving rhodium octoate in a solvent prepared by mixing rosemary oil and benzyl acetate at a weight ratio of 6:4 (hereinafter abbreviated as rhodium salt solution). ) (C) A solution in which 20% by weight of rosin is dissolved in a solvent containing anethole and limonene mixed at a weight ratio of 7:3 (hereinafter abbreviated as rosin solution) (d) Ethyl cellulose (manufactured by Percules N-1)
,0(e) Prepare butyl calpitol (manufactured by Wako Tsumugi Pharmaceutical Co., Ltd.), and prepare these preparation ingredients (a), (b), (C),
Mix (d) and (e) with the following weight ratios: weight ratio (a)
) Palladium single particle dispersion ultrafine powder dispersion 80.
0(b) Rhodium salt solution
5.0(c) Rosin solution
5.0(d) Ethylcellulose
3.0(e) Butylcarpitol
Mix at 7.0 and add the blended ingredients (
Blends of a), (b), (e), (d) and (e) were obtained. [0039] After thoroughly kneading 50 g of the above platform in an agate mortar, the mixture was kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium thin film-forming formulation. [00403 The formulation was used to deposit 50 μm on a glass substrate.
Screen print a pattern of wide slits and heat at 125℃
After drying for 15 minutes at 550℃, the temperature was raised at a rate of 20℃/min in a tunnel furnace, held at 550℃ for 10 minutes, and then heated to 20℃.
The temperature was lowered at a rate of 1/min, and a conductive circuit was manufactured. [00411 The thickness of the fine line of the obtained conductive circuit is 1.0 μm, and the specific resistance is 25 × 10−6Ω・
It was cm. [0042]

【実施例2】パラジウム−金合金薄膜を形成するための
本発明に従うパラジウム−金合金薄膜形成用調合物の製
造および該調合物を用いるパラジウム−金合金薄膜の形
成を例示する。 [0043]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、 (c)、 (d)、 (e)ならびに下記調合成
分(f) (f)  テレピネオール中に平均粒径10〇への全超
微粉末を単粒子分散させたAu60重量%含有分散液(
以下、全単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)を用
意し、これらの調合成分(a)〜(f)を下記重域比調
合成分                重量比(a)
パラジウム単粒子分散超微粉末分散液    70.0
(b)ロジウム塩溶液               
 5.0(c)ロジン溶液             
     5,0(d)エチルセルロース      
         3.0(e)ブチルカルピトール 
            7.0(f)全単粒子分散超
微粉末分散液        10.0で混合して、調
合成分(a)、(b)、(C)、(d)、 (e)およ
び(f)の配合物を得た。 [0044]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールにて混練し、パラジウム−金合
金膜形成用調合物を得た。 [00451これを用いて低温焼成用ガラス−セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、よく乾燥させたものを30層
積層し、加圧成型したものを電気炉にて200℃/時間
の速度で昇温し1000℃にて2時間保持した後、20
0℃/時間の速度で降温し、積層導電回路(積層回路)
を製造した。 [00461得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [00471
Example 2 illustrates the preparation of a palladium-gold alloy thin film forming formulation according to the present invention for forming a palladium-gold alloy thin film and the formation of a palladium-gold alloy thin film using the formulation. [0043] Preparation components (a) and (b) described in Example 1
), (c), (d), (e) and the following preparation ingredients (f) (f) A dispersion containing 60% by weight of Au, in which a single particle of all ultrafine powder with an average particle size of 100 is dispersed in terpineol (
Hereinafter, it will be abbreviated as a total single particle dispersed ultrafine powder dispersion. ) are prepared, and these preparation ingredients (a) to (f) are prepared as follows:
Palladium single particle dispersion ultrafine powder dispersion 70.0
(b) Rhodium salt solution
5.0(c) Rosin solution
5,0(d) ethylcellulose
3.0(e) Butylcarpitol
7.0 (f) Total single particle dispersion ultrafine powder dispersion 10.0 to mix the preparation components (a), (b), (C), (d), (e) and (f) I got something. [0044] After thoroughly kneading 50 g of the above platform in an agate mortar, the mixture was kneaded with three rolls to obtain a palladium-gold alloy film-forming formulation. [00451 Using this, a pattern of 50 μm wide slits was screen printed on a green sheet of glass-ceramics for low-temperature firing, and after being thoroughly dried, 30 layers were laminated and pressure molded to form a 200 μm wide slit pattern in an electric furnace. After increasing the temperature at a rate of ℃/hour and holding it at 1000℃ for 2 hours,
The temperature decreases at a rate of 0°C/hour, forming a laminated conductive circuit (laminated circuit).
was manufactured. [00461 No cracking or delamination was observed in the obtained laminated circuit. [00471

【実施例3]ガラスグレーズ基板に調合物を筆塗り法に
よって塗布し、これを焼成することにより光沢を有する
パラジウム色薄膜を得るためのパラジウム−金合金膜形
成用調合物の製造および該調合物を用いるパラジウム金
合金薄膜を例示する。 [0048]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、および(C)、実施例2に記載した調合成分(f)
ならびに下記調合成分(g)、 (h)、 (i)およ
び(j) (g)   ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にクロムオクトエートを溶解さ
せたCr5重量%溶液(以下、クロム塩溶液と略記する
。)(h)   ローズマリー油と酢酸ベンジルを4対
6の重量比で混合した溶剤中にビスマスオクトエートを
溶解させたBi5重量%溶液(以下、ビスマス塩溶液と
略記する。) (i)  ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の重
量比で混合した溶剤中に鉛オクトエートを溶解させたP
b5重量%溶液(以下、鉛塩溶液と略記する。)(j)
  アネトールとリモネンを3対7の重量比で混合した
溶剤中にギルツナイト(チグラーケミカル&ミネラル社
製)を10重蟻%溶解させた溶液(以下、ギルツナイト
溶液と略記する。) を用意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C
)、(f)、 (g)、 (h)、 (i)および(j
)を下記重量比 調合成分                重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液    6o、
0(b)ロジウム塩溶液              
 5.0(c)ロジン溶液             
   11.0(f)全単粒子分散超微粉末分散液  
      12.0(g)クロム塩溶液      
          2.0(h)ビスマス塩溶液  
             2.0(i)鉛塩溶液  
                2.0(j)ギルツ
ナイト溶液              6.0で混合
して、調合成分(a)、(b)、(C)、(f)、 (
g)、 (h)、 (i)および(j)の配合物を得た
。 [00491上記配合物100gを500m1ビンに入
れ、シェーカーにて1時間振とうすることによりパラジ
ウム−金合金薄膜形成用調合物が得られた。 [00501この調合物をガラスグレーズ基板に筆塗り
により塗布し、750℃で10分間焼成することにより
光沢ある膜厚0.671mのパラジウム−金合金薄膜を
得ることができた。 [00511 【実施例4]パラジウム合金薄膜を形成するための本発
明に従うパラジウム合金薄膜形成用調合物の製造および
該調合物を用いるパラジウム合金薄膜の形成を例示する
。 [00521下記調合成分(k)、(1)、(m)、(
n)、(o)、(p)、(q)および(r)(k)テレ
ピネオール中に平均粒径100Aのパラジウム−銀合金
の超微粉末を単粒子分散させたPd−Ag(70/30
)65重量%含有分散液(以下、パラジウム−銀単粒子
分散超微粉末分散液と略記する。)(1)酢酸テレビニ
ル中に平均粒径50Aのニッケル超微粉末を単粒子分散
させたNi、40重量%含有分散液(以下、ニッケル単
粒子分散超微粉末分散液と略記する) (m)テレピネオール中に平均粒径50Aの鉛の超微粉
末を単粒子分散させたPb、40重量%含有分散液(以
下、鉛単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)(n)
ブチルセルソルブ中に平均粒径200への酸化チタンの
超微粉末を単粒子分散させたTi0z、25重量%含有
分散液(以下、酸化チタン単粒子分散超微粉末分散液と
略記する。) (0)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にジルコニウムオクトエートを溶解さ
せたZr、20重量%溶液(以下、ジルコニウム塩溶液
と略記する。) (p)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にイリジウムオクトエートを溶解させ
たIr、20重量%溶液(以下、イリジウム塩溶液と略
記する。) (q)ポリビニルブチラール樹脂(積木化学製)(r)
トルエン を用意し、これらの調合成分(k)、 (1)、 (m
)、(n)、 (o)、 (p)、 (q)および(r
)を下記重量比 調合成分                 重量比(
k)パラジウム−銀単粒子分散超微粉末分散液    
70.1(1)ニッケル単粒子分散超微粉末分散液  
      1.0(m)鉛単粒子分散超微粉末分散液
           1.0(n)酸化チタン単粒子
分散超微粉末分散液       1.0(o)ジルコ
ニウム塩溶液               2.0(
p)イリジウム塩溶液               
 3.0(q)ポリビニルブチラール樹脂      
      3.0(r)トルエン         
           19.0で配合して、調合成分
(k)〜(r)の配合物を得た。 [0053]上上記合物30gをメノウ乳鉢によく粗練
りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム合金
薄膜形成用調合物を得た。これを用いてコンデンサー用
グリーンシート上に50μm幅のスリットのパターンを
スクリーン印刷し、150℃で15分乾燥させた後電気
炉に200℃/時間の速度で昇温し1100℃にて2時
間保持した後、200℃/時間の速度で降温し、積層回
路を製造した。 [0054]得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [0055] 【比較例1】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0056]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、(e)並びに下記調合成分(s)(S)パラジウム
粉(1次粒子の平均粒径は1.ttmで2次粒子では1
0粒までの凝集が見られる)を下記本量比調合成分  
               重量比(s)パラジウ
ム粉(平均粒径1 (t、m)          6
0.0(c)ロジン溶液              
    15.0(d)エチルセルロース      
           3.0(e)ブチルカルピトー
ル              22.0で配合して、
調合成分(s)、 (c)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0057]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0058]該調合物を用いてアルミナ基板上に実施例
1と同ような50μm幅のスリットのパターンをスクリ
ーン印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネ
ル炉にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分
間保持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好な
ファインラインは得られなかった。また、良好なライン
を形成させることが可能なスリット幅は、300μmで
あり、そのラインの厚さは5μmであった。 [0059]
[Example 3] Production of a formulation for forming a palladium-gold alloy film to obtain a glossy palladium-colored thin film by applying the formulation to a glass glaze substrate by a brush coating method and baking it, and the formulation The following is an example of a palladium-gold alloy thin film using . [0048] Preparation components (a) and (b) described in Example 1
), and (C), formulation component (f) as described in Example 2.
and the following formulation components (g), (h), (i) and (j) (g) Cr5 weight in which chromium octoate is dissolved in a solvent prepared by mixing rosemary oil and benzyl acetate in a weight ratio of 6:4. % solution (hereinafter abbreviated as chromium salt solution) (h) Bi 5% solution by weight (hereinafter referred to as bismuth (abbreviated as salt solution) (i) P in which lead octoate is dissolved in a solvent containing rosemary oil and benzyl acetate in a weight ratio of 6:4.
b5% by weight solution (hereinafter abbreviated as lead salt solution) (j)
A solution (hereinafter abbreviated as Giltonite solution) in which 10% Giltonite (manufactured by Ziegler Chemical & Minerals) was dissolved in a solvent containing anethole and limonene in a weight ratio of 3:7 was prepared. Preparation ingredients (a), (b), (C
), (f), (g), (h), (i) and (j
) to the following weight ratio preparation components Weight ratio (a
) Palladium single particle dispersion ultrafine powder dispersion 6o,
0(b) Rhodium salt solution
5.0(c) Rosin solution
11.0(f) Total single particle dispersion ultrafine powder dispersion
12.0 (g) Chromium salt solution
2.0(h) bismuth salt solution
2.0(i) Lead salt solution
2.0 (j) Giltonite solution Mix at 6.0 and prepare ingredients (a), (b), (C), (f), (
Blends of g), (h), (i) and (j) were obtained. [00491 100 g of the above formulation was placed in a 500 ml bottle and shaken for 1 hour in a shaker to obtain a palladium-gold alloy thin film forming formulation. [00501 This formulation was applied to a glass glaze substrate by brush painting and baked at 750° C. for 10 minutes to obtain a glossy palladium-gold alloy thin film with a thickness of 0.671 m. [00511] Example 4 illustrates the production of a palladium alloy thin film forming formulation according to the present invention for forming a palladium alloy thin film and the formation of a palladium alloy thin film using the formulation. [00521 The following formulation ingredients (k), (1), (m), (
n), (o), (p), (q) and (r) (k) Pd-Ag (70/30
) 65% by weight dispersion (hereinafter abbreviated as palladium-silver single particle dispersion ultrafine powder dispersion) (1) Ni in which ultrafine nickel powder with an average particle size of 50 A is dispersed in single particles in terpenyl acetate, Dispersion liquid containing 40% by weight (hereinafter abbreviated as nickel single particle dispersion ultrafine powder dispersion) (m) Containing 40% by weight Pb, which is a single particle dispersion of ultrafine lead powder with an average particle size of 50 A in terpineol. Dispersion liquid (hereinafter abbreviated as lead single particle dispersed ultrafine powder dispersion liquid) (n)
A dispersion containing 25% by weight of Ti0z, which is a single particle dispersion of ultrafine titanium oxide powder with an average particle size of 200 in butyl cellosolve (hereinafter abbreviated as titanium oxide single particle dispersed ultrafine powder dispersion) ( 0) Zr, 20% by weight solution in which zirconium octoate is dissolved in a solvent prepared by mixing rosemary oil and benzyl acetate at a weight ratio of 6:4 (hereinafter abbreviated as zirconium salt solution) (p) Rosemary Ir, 20% by weight solution (hereinafter abbreviated as iridium salt solution) in which iridium octoate is dissolved in a solvent mixed with oil and benzyl acetate at a weight ratio of 6:4 (q) Polyvinyl butyral resin (Building Chemical Co., Ltd.) (manufactured by) (r)
Prepare toluene and prepare these ingredients (k), (1), (m
), (n), (o), (p), (q) and (r
) to the following weight ratio preparation components Weight ratio (
k) Palladium-silver single particle dispersion ultrafine powder dispersion
70.1 (1) Nickel single particle dispersed ultrafine powder dispersion liquid
1.0 (m) Lead single particle dispersed ultrafine powder dispersion 1.0 (n) Titanium oxide single particle dispersed ultrafine powder dispersion 1.0 (o) Zirconium salt solution 2.0 (
p) Iridium salt solution
3.0(q) Polyvinyl butyral resin
3.0(r) toluene
19.0 to obtain a blend of formulation components (k) to (r). [0053] After thoroughly kneading 30 g of the above compound in an agate mortar, the mixture was kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium alloy thin film-forming formulation. Using this, a 50 μm wide slit pattern was screen printed on a capacitor green sheet, dried at 150°C for 15 minutes, heated in an electric furnace at a rate of 200°C/hour, and held at 1100°C for 2 hours. After that, the temperature was lowered at a rate of 200° C./hour to produce a laminated circuit. [0054] No cracking or delamination was observed in the obtained laminated circuit. [0055] Comparative Example 1 This example illustrates the production of a palladium film-forming formulation and the formation of a palladium film using the formulation according to conventional techniques for forming palladium membranes. [0056] Preparation components (C) and (d) described in Example 1
), (e) and the following preparation ingredients (s) (S) palladium powder (the average particle size of the primary particles is 1.ttm and the secondary particles are 1.ttm).
Aggregation of up to 0 grains is observed) is mixed with the following volume ratio adjustment ingredients.
Weight ratio (s) Palladium powder (average particle size 1 (t, m) 6
0.0(c) Rosin solution
15.0(d) Ethylcellulose
3.0 (e) butylcarpitol 22.0 blended,
A blend of formulation components (s), (c), (d) and (e) was obtained. [0057] 50 g of the above platform was thoroughly kneaded in an agate mortar and then kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium film-forming formulation. [0058] A pattern of 50 μm wide slits similar to those in Example 1 was screen printed on an alumina substrate using the formulation, dried at 125°C for 15 minutes, and then heated at 20°C/min in a tunnel furnace. Although the temperature was raised at a rate of 550°C and maintained at 550°C for 10 minutes, the temperature was lowered at a rate of 20°C/min, but a good fine line could not be obtained. Further, the slit width that allowed formation of a good line was 300 μm, and the thickness of the line was 5 μm. [0059]

【比較例2】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成調合物にロジウムを添加した場
合のパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を
用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [00601実施例1に記載した調合成分(b)、(c
)、 (d)および(e)ならびに下記調合成分(S) (S)パラジウム粉(平均粒径17Lm)を下記重量比
調合成分                 重量比(
s)パラジウム粉(平均粒径1μm)        
  60.0(b)ロジウム塩溶液         
        5.0(c)ロジン溶液      
            10.0(d)エチルセルロ
ース                 3.0(e)
ブチルカルピトール               2
2.0で配合して、調合成分(s)、 (b)、 (c
)、 (d)および(e)の配合物を得た。 [00611上記配合物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0062]調合物を用いてアルミナ基板上に実施例1
と同様な50μm幅のスリットのパターンをスクリーン
印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネル炉
にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分間保
持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好なファ
インラインは得られなかった。また、良好なラインを形
成させることが可能なスリット幅は、300μmであり
、そのラインの厚さは57zmであった。 [0063]
Comparative Example 2 This example illustrates the production of a palladium film-forming formulation in which rhodium is added to the palladium film-forming formulation according to a conventional technique for forming a palladium membrane, and the formation of a palladium membrane using the formulation. [00601 Preparation ingredients (b) and (c) described in Example 1
), (d) and (e) and the following formulation ingredients (S) (S) Palladium powder (average particle size 17Lm) in the following weight ratio formulation ingredients (
s) Palladium powder (average particle size 1 μm)
60.0(b) Rhodium salt solution
5.0(c) Rosin solution
10.0(d) Ethylcellulose 3.0(e)
Butyl calpitol 2
2.0, the preparation ingredients (s), (b), (c
), (d) and (e) were obtained. [00611 50 g of the above mixture was thoroughly kneaded in an agate mortar and then kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium film-forming composition. [0062] Example 1 on an alumina substrate using the formulation
A similar 50 μm wide slit pattern was screen printed, dried at 125°C for 15 minutes, heated at a rate of 20°C/min in a tunnel furnace, held at 550°C for 10 minutes, and then dried at 20°C. Although the temperature was lowered at a rate of 1/min, a good fine line could not be obtained. Further, the slit width that allowed formation of a good line was 300 μm, and the thickness of the line was 57 zm. [0063]

【比較例3】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0064]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、 (e)ならびに下記調合成分(1)(1)パラジ
ウム粉(1次粒子の平均粒径は0.1μmで2次粒子で
は数ミクロンまでの海綿状の凝集が見られた。)を下記
重量比 調合成分                 重量比(
1)パラジウム粉(平均粒径0.1μm凝集あり)  
   50.0(c)ロジン溶液          
        15.0(d)エチルセルロース  
               3.0(e)ブチルカ
ルピトール              32.0で配
合して、調合成分(1)、(c)、(d)および(e)
の配合物を得た。 [0065]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
粘りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成調合物を得た。 [0066]これを用いて酸化チタン系誘電体セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、30層積層、加圧成型しかも
のを電気炉にて200℃/時間の速度で昇温し1100
℃にて2時間保持した後、200℃/時間の速度で降温
したが、良好なファインラインは得られなかった。また
、良好なラインを形成させることが可能なスリット幅は
、200u[IIであり、そのラインの厚さは3μmで
あった。 [0067]
Comparative Example 3 illustrates the production of a palladium film-forming formulation and the formation of a palladium film using the formulation according to conventional techniques for forming palladium membranes. [0064] Preparation components (C) and (d) described in Example 1
), (e) and the following preparation ingredients (1) (1) palladium powder (the average particle size of the primary particles was 0.1 μm, and spongy aggregation of up to several microns was observed in the secondary particles). Weight ratio adjustment component Weight ratio (
1) Palladium powder (average particle size 0.1μm with agglomeration)
50.0(c) Rosin solution
15.0(d) Ethylcellulose
3.0 (e) Butylcarpitol 32.0 to formulate ingredients (1), (c), (d) and (e)
A formulation of was obtained. [0065] After 50 g of the above-mentioned platform was made coarse and sticky in an agate mortar, it was kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium film-forming composition. [0066] Using this, a 50 μm wide slit pattern was screen printed on a titanium oxide dielectric ceramic green sheet, 30 layers were laminated, pressure molded, and the product was heated in an electric furnace at a rate of 200° C./hour. Raise the temperature to 1100
After being held at ℃ for 2 hours, the temperature was lowered at a rate of 200 ℃/hour, but a good fine line could not be obtained. Further, the slit width that allowed formation of a good line was 200 u[II, and the thickness of the line was 3 μm. [0067]

【比較例4】パラジウム膜を形成するために、実施例1
に記載した製造方法において、ロジウム塩溶液を除去し
たパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を用
いたパラジウム膜の形成を例示する。 [0068]実施例1に記載した調合成分(a)、(c
)、(d)および(e) 調合成分                 重量比(
a)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液      
80.0(c)ロジン溶液             
      5.0(d)エチルセルロース     
            3.0(e)ブチルカルピト
ール              12.0で配合して
、調合成分(a)、 (c)、 (d)および(e)の
配合物を得た。 [0069]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [00701該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、ファインラインを形成させたが、
ファインラインの導電性は不良であった。 [00711実施例1.2および4ならびに比較例1〜
4により得られた導電回路について、ファインラインの
形成性、厚さおよび導電性を検査した結果を表1に示す
。 [0072]また、実施例2および4ならびに比較例1
〜4により得られた積層回路については、クラック発生
率およびデイラミネーション発生率を検査した結果も表
1に示す。 [0073]
[Comparative Example 4] In order to form a palladium film, Example 1
In the production method described in , the production of a palladium film-forming formulation from which the rhodium salt solution has been removed and the formation of a palladium film using this formulation will be exemplified. [0068] Preparation components (a) and (c) described in Example 1
), (d) and (e) Preparation ingredients Weight ratio (
a) Palladium single particle dispersion ultrafine powder dispersion
80.0(c) Rosin solution
5.0(d) Ethylcellulose
3.0 (e) Butylcarpitol 12.0 to obtain a blend of formulation components (a), (c), (d) and (e). [0069] After thoroughly kneading 50 g of the above platform in an agate mortar, the mixture was kneaded in a three-roll mill to obtain a palladium film-forming formulation. [00701 The formulation was used to deposit 50 μm on a glass substrate.
Screen print a pattern of wide slits and heat at 125℃
After drying for 15 minutes at 550℃, the temperature was raised at a rate of 20℃/min in a tunnel furnace, held at 550℃ for 10 minutes, and then heated to 20℃.
The temperature was lowered at a rate of /min to form a fine line, but
The conductivity of the fine line was poor. [00711 Examples 1.2 and 4 and Comparative Examples 1-
Table 1 shows the results of testing the fine line formability, thickness, and conductivity of the conductive circuit obtained in Example 4. [0072] Also, Examples 2 and 4 and Comparative Example 1
Table 1 also shows the results of testing the crack occurrence rate and delamination occurrence rate for the laminated circuits obtained in steps 4 to 4. [0073]

【発明の効果】本発明によって得られるパラジウムまた
はパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることにより
、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い緻密
なパラジウムまたはパラジウム合金膜を形成させること
ができる。ニーで形成される膜の厚さは、厚膜ハイブリ
ッドIC用導電性調合物によって得られる膜の厚さに比
べて3分の1から5分の1に減少する。 [0074]また、本発明によって得られるパラジウム
またはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることに
より、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い
緻密なパラジウムまたはパラジウム合金のファインライ
ンを有する導電回路を製造することができる。 [0075]さらに、本発明によって得られるパラジウ
ムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いること
により、上記導電回路を積層したクラックの発生および
デイラミネーションの発生が少ない積層回路を製造する
ことができる。 [0076]
Effects of the Invention By using the formulation for forming a palladium or palladium alloy thin film obtained by the present invention, a thin and dense palladium or palladium alloy film can be formed on a substrate such as a glass substrate or a ceramic substrate. The thickness of the film formed with the knee is reduced by a factor of 3 to 5 compared to the thickness of the film obtained with conductive formulations for thick film hybrid ICs. [0074] Furthermore, by using the formulation for forming palladium or palladium alloy thin films obtained by the present invention, a conductive circuit having thin and dense fine lines of palladium or palladium alloy on a substrate such as a glass substrate or a ceramic substrate can be manufactured. can do. [0075] Furthermore, by using the formulation for forming palladium or palladium alloy thin films obtained by the present invention, it is possible to produce a laminated circuit in which the above-mentioned conductive circuits are laminated and the occurrence of cracks and delamination is reduced. [0076]

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末を金属として
5重量%から70重量%含有しかつロジウムおよび/ま
たはイリジウムの金属有機化合物および/または単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Åであるロジウムおよび/またはイリジウム
の単粒子分散超微粉末を金属として0.005〜1.0
重量%含有することを特徴とするパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物。
Claim 1: Contains 5% to 70% by weight of metal as a single particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy with an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the form of a single particle. and a metal-organic compound of rhodium and/or iridium and/or a single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium having an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent as a single particle as a metal. 0.005-1.0
A formulation for forming a thin film of palladium or palladium alloy, characterized by containing % by weight of palladium or palladium alloy.
【請求項2】 金の金属有機化合物および/または単粒
子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30
から1000Åである金の単粒子分散超微粉末を金属と
して2.5重量%から35重量%含有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物。
[Claim 2] A metal organic compound of gold and/or a single particle dispersed in an organic solvent with an average particle size of 30
2. The composition for forming a palladium or palladium alloy thin film according to claim 1, which contains 2.5% to 35% by weight of the metal as a single particle dispersed ultrafine powder of gold having a diameter of 1000 Å.
【請求項3】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åである鉛、ほう素、
珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム
、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウムおよびそ
れらの酸化物からなる群から選ばれる1種または1種以
上の単粒子分散超微粉末を金属として0.5重量%から
10重量%含有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項記載のパラジウムまたはパラジウム合
金薄膜形成用調合物。
3. Lead, boron, and the average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of single particles;
One or more single-particle dispersed ultrafine powders selected from the group consisting of silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, barium, and their oxides are used as metals. The palladium or palladium alloy thin film forming formulation according to claim 1 or 2, characterized in that it contains 5% to 10% by weight.
【請求項4】 鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウ
ム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム
、チタン、バリウムからなる群から選ばれる1種または
1種以上の金属有機化合物を金属として0.5重量%か
ら10重量%含有することを特徴とする特許請求の範囲
第1項、第2項または第3項記載のパラジウムまたはパ
ラジウム合金薄膜形成用調合物。
4. One or more metal-organic compounds selected from the group consisting of lead, boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, and barium as the metal. The palladium or palladium alloy thin film forming formulation according to claim 1, 2 or 3, characterized in that it contains 0.5% to 10% by weight.
【請求項5】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末を配合することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物の製造方法。
5. A metal-organic compound of rhodium and/or iridium and/or a metal-organic compound of rhodium and/or iridium is added to a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent as a single particle. Claim 1, characterized in that a single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium having an average particle diameter of 30 to 1000 Å is blended in an organic solvent in a single-particle state. A method for producing a formulation for forming a palladium or palladium alloy thin film as described.
【請求項6】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末ならびに金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末を配合することを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載のパラジウムまたはパラジウム合金薄膜
形成用調合物の製造方法。
6. A metal-organic compound of rhodium and/or iridium and/or a metal-organic compound of rhodium and/or iridium is added to a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent as a single particle. or ultrafine rhodium and/or iridium particles with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of single particles, and metal-organic compounds of gold and/or in the form of single particles. A formulation for forming a thin film of palladium or palladium alloy according to claim 2, which contains ultrafine gold particles dispersed in an organic solvent and having an average particle diameter of 30 to 1000 Å. manufacturing method.
【請求項7】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末ならびに単粒子の状態のまま有機溶剤中
に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
およびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種また
は1種以上の単粒子分散超微粉末を配合することを特徴
とする特許請求の範囲第3項記載のパラジウムまたはパ
ラジウム合金薄膜形成用調合物の製造方法。
7. A metal organic compound of rhodium and/or iridium and/or a metal organic compound of rhodium and/or iridium is added to a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the form of a single particle. or a single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of a single particle, optionally a metal organic compound of gold and/or in the form of a single particle; Single-particle dispersion ultrafine powder of gold with an average particle size of 30 to 1000 Å when dispersed as is in an organic solvent, and lead with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed as a single particle in an organic solvent. ,
Contains one or more single-particle dispersed ultrafine powders selected from the group consisting of boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, barium, and their oxides. A method for producing a formulation for forming a palladium or palladium alloy thin film according to claim 3.
【請求項8】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末、任意に単粒子の状態のまま有機溶剤中
に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
およびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種また
は1種以上の単粒子分散超微粉末ならびに鉛、ほう素、
珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム
、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウムからなる
群から選ばれる1種または1種以上の金属有機化合物を
配合することを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の
パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物の製
造方法。
8. A metal organic compound of rhodium and/or iridium and/or a metal organic compound of rhodium and/or iridium is added to a single-particle dispersed ultrafine powder of palladium or palladium alloy having an average particle size of 30 to 1000 Å, which is dispersed in an organic solvent in the state of a single particle. or a single-particle dispersed ultrafine powder of rhodium and/or iridium with an average particle size of 30 to 1000 Å dispersed in an organic solvent in the form of a single particle, optionally a metal organic compound of gold and/or in the form of a single particle; Single-particle dispersion ultrafine powder of gold with an average particle size of 30 to 1000 Å when dispersed as is in an organic solvent, optionally dispersed as a single particle in an organic solvent with an average particle size of 30 to 1000 Å Some lead,
One or more single particle dispersed ultrafine powder selected from the group consisting of boron, silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, barium and oxides thereof, and lead. , boron,
Claim No. 1, characterized in that one or more metal-organic compounds selected from the group consisting of silicon, bismuth, vanadium, zinc, nickel, chromium, tin, iron, zirconium, titanium, and barium are blended. 5. A method for producing a palladium or palladium alloy thin film-forming formulation according to item 4.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5953629A (en) * 1995-06-09 1999-09-14 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Method of thin film forming on semiconductor substrate
US6194316B1 (en) 1998-08-10 2001-02-27 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Method for forming CU-thin film
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