JPH04204919A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH04204919A
JPH04204919A JP34016790A JP34016790A JPH04204919A JP H04204919 A JPH04204919 A JP H04204919A JP 34016790 A JP34016790 A JP 34016790A JP 34016790 A JP34016790 A JP 34016790A JP H04204919 A JPH04204919 A JP H04204919A
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JP
Japan
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liquid crystal
light
image
display device
image writing
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Pending
Application number
JP34016790A
Other languages
English (en)
Inventor
Mariko Ban
伴 真理子
Tadashi Kimura
直史 木村
Yozo Narutaki
陽三 鳴瀧
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光変調素子として光導電層と液晶層を有する光
書込み型液晶ライトパルプを用いた投射型液晶表示装置
に関するものである。
〈従来技術〉 第8図は光導電層を有する液晶ライトパルプ31を用い
た液晶表示装置の従来例の光学的構成を示す図である。
液晶表示装置に画像を表示させるときは、CRT(ブラ
ウン管)32によってレンズ33を介して液晶ライトパ
ルプに画像を書き込み、ランプ34とレンズ35からな
る照明光学系でスクリーン36に投影する。
第10図は上記液晶ライトパルプ31の一構成を示す断
面図である。液晶ライトパルプ31は、ガラス基板21
a+21b上に5no2透明導電膜からなる透明電極2
2a、22bを形成し、次に透明電極22b上に光導電
体層23として非晶質水素化シリコン(a−5i:H)
を形成する。a−5i:H膜は、シランガスと水素ガス
とを原料とし、プラズマCVD法を用いて作成する。そ
のうえに吸収層29を形成し、嘔らに誘電体ミラー24
として5i02/TiO2の多層膜をスグヅ、久法ある
いは電子ビーム蒸着によって形成する。
つぎに配向膜zsa、25bとしてポリイミド膜をスピ
ンコードによって形成した後、ラビングによる分子配向
処理を施し、ガラス基板21a。
21bをスペーサ26を介して貼合わせる。液晶層27
としてカイラル材料を添加した混合ネマチツク液晶を注
入し封止することによって液晶ライトパルプ31が構成
される。尚、液晶ライトパルプ31の動作モードとして
は、ツィステッドネマチック(TN)モード、ハイブリ
ッド電界効果(HFE)モード、ゲストホスト(GH)
モード、相転移モード、液晶複合膜などを用いる。
このような構造の液晶ライトパルプ31の透明電極22
a、22b間には、交流電源28によって電圧が印加て
れる。ガラス基板21b側で前述のようにCRT32か
らの画像光が入射されると、光の当たった領域(明状態
)では、光導電層23のインピーダンスが減少し、交流
電源28によって印加された電圧は液晶層に加わる。−
力先の当たらない領域(暗状態)では、光導電層のイン
ピーダンスは変化せず液晶には電圧が加わらない。
この明状態と暗状態の違いによ多画像が形成される。
このようにして画像が形成された液晶ライトパルプ31
にランプ34からの光がレンズ35及び偏光ビームスプ
リンタ37を介して入射すると、この入射光は誘電体ミ
ラー24によって反射てれ、このうち電界印加時もしく
は無電界時に液晶層27の配向状態が一様もしくはラン
ダムに変化している部分を透過した反射光は電気光学効
果によって偏光方向が変化するので偏光ビームスプリッ
タ37を透過することが出来る。この反射光はレンズ3
8によって拡大され、これによって液晶ライトパルプ3
1に形成でれた画像がスクリーン36に投影される。
ところで、第8図に示した照明光学系以外に、相転移型
や、液晶複合膜などの散乱型の場合第9図のような光学
系もよく用いられる。図中70はCRT、72は液晶ラ
イトパルプ、74は照明光源、76はハーフミラ−17
8はスクリーンである0 まだ、このような投射型液晶表示装置をカラー表示装置
として用いる場合、光源からの光をグイクロイックミラ
ーやプリズムによすR,G、  Bの3色に分離しそれ
ぞれ3枚の液晶ライトパルプを通した後、再びプリズム
などで合成しスクリーン上に投影する。
〈発明が解決しようとする課題〉 これまで液晶ライトパルプに画像を書き込む画像書き込
み素子としてCRTが提案きれている。
しかしCRTは、重く奥行きが大きいだめに、薄型のり
アブロジェクションやコンパクトなフロントプロジェク
ションを実現する際に問題となっていた。また書き込み
画像としてアクティブマトリックス駆動液晶素子、プラ
ズマデイスプレィなどのフラットデイスプレィを用いる
ことは、現状では高コントラストの表示性能を保持しつ
つ、簡易な小型サイズで高解像度のパネルを実現するこ
とは極めて難しい。さらに、画像書き込み素子として、
レーザービームを用いる場合には、装置のコンパクト化
が難しいことと、点順次走査となるために、高解像度、
リアルタイムで駆動する場合、1絵素あたりの走査時間
が数runs以下となり光導電体層に要求される電気的
性能゛が極めて厳しくなる、。
本発明は上述したよう々問題点に鑑みて、小型・高解像
度で薄型低コストの画像書き込み素子を用いた投影型液
晶表示装置を提供することを目的とする。
く課題を解決するだめの手段〉 本発明は上記問題点を解決することを企図するものであ
り、1対の基板間に液晶層と光導電体層を内設して成る
光変調器と、該光変調器に画像を書き込む画像書き込み
素子と、前記光変調器の画像を投影する照明光学手段と
を具備して成る液晶表示装置において、前記画像書き込
み素子をマトリックス駆動型液晶表示素子で構成したこ
とを特徴とする。
く作用〉 このような構成とすることにより本発明の液晶表示装置
は画像書き込み素子が薄型となるため、小型で高解像度
の投影型表示を行なうことが可能となる。
〈実施例1−〉    ・ 第4図に本発明の1実施例に用いる画像書き込み型TN
モード液晶素子の断面図を示す。ガラス基板11a+1
1b上にITO(透明導電膜)電112a、12bをス
パッタにより形成しストライプ状にパターン化する。そ
の上にスピンナーによシ配向層として、ポリイミド膜1
3 a、  13 bを形成しラビングを行った後、ス
ペーサー16を分散σせたシール剤を介してITO電極
12a。
12bが格子状になるよう側基板をはりあわせる。
液晶層の層厚は約7.0μm、ねじれ角は90’でるる
液晶材料としてはピリミジン系ネマティック液晶材料Z
LI−3243(メルク社製)を用い、真空注入法で封
入される。それから、ガラス基板の各々の背面に偏光板
15を設定する。この書き込み素子の電気光学特性の視
角変化を第2図及び第3図に示す。正面方向より最適視
角方向に傾けていくにしたがって急峻性αが1.0に近
づき良くなっていく。
通常、目視によシこの単純マトリックス駆動の液晶表示
素子を利用する場合にはある領域の視角方向の特性が平
均化でれる。そのためある特定な方向において鋭い急峻
性φ高コントラストの表示を有していても利用てれない
でいた。本実施例では書き込み液晶素子の設置条件を光
軸に対して調整することによシ特定方向の光のみを液晶
ライトパルプの画像光として用いることができる。でら
に後述する液晶ライトパルプの光導電層の光感度が目視
よりも高いため高輝度な明るさを必要としない。したが
ってTPTアクティブマトリックス駆動液晶素子を用い
なくても画像光として同程度の効果が得られる。即ち、
液晶素子を光軸に対し特定方向に設置することで書き込
み素子として要求される性能が目視の場合よりも軽減す
るだめに低コストでコンパクトな高解像度素子の実現が
可能となる。
一方、液晶素子の電気光学特性には波長依存性がある。
通常、白色光によりこの単純マトリックス駆動の液晶表
示素子を利用する場合にはある広さの波長領域の特性が
平均化される。そのためある特定な波長において鋭い急
峻性・高コントラストの表示を有していても利用されな
いでいた。本実施例では液晶ライトパルプへの画像書き
込み光として、光導電層の光感度の良いところの単波長
あるいは半値幅の狭い光を用いることができる。
したがってTPTアクティブマトリックス駆動液晶素子
を用いなくても画像光として同程度の効果が得られる。
即ち、画像書き込み光として、光導電層の光感度の良い
ところの単波長あるいは半値幅の狭い光を用いることで
書き込み素子として要求される性能が白色光の場合より
も軽減するために低コストでコンパクトな高解像度素子
の実現が可能となる。
次に、第5図に本実施例で用いる液晶ライトパルプの詳
細断面図を示す。ガラス基板21a、21b上に5n0
2透明導電膜からなる透明電極22a。
22bをスパッタ法を用いて形成し、次に透明電極22
b上に光導電層23と七で非晶質水素化シリコン(a−
5i:H)を形成する□ a  S 1 :H膜は、シ
ランガス(SiH4L水素ガス(H2)を原料とし、プ
ラズマCVD法を用いて作製する。
膜厚は約3μmである。その上に吸収層29としてカー
ボンブラックを分散したアクリル系樹脂をスピンナーに
より形成した後、誘電体ミラー24としてシリコン/酸
化シリコンの多層膜を電子ビーム蒸着によって形成する
つぎに配向膜25a、25bとしてポリイミド膜をスピ
ンコードによって形成した後、ラビングによる分子配向
処理を施し、ガラス基板21a。
21bをスペーサ26を分散δせたシール剤によシ貼合
わせる。液晶層27としてフェニルシクロヘキサン系ネ
マチック液晶を注入し封止することによって液晶ライト
パルプが構成される。セル厚は約6μmである。尚、液
晶ライトパルプの動作モードとしては、HFEモードを
用りる。
第1図に第4図に示した画像書き込み素子と第5図に示
した液晶ライトパルプを光変調器として用いた本発明の
1実施例である投影型表示装置のシステム図を示す。画
像書き込み素子は光軸に対し第2図の特性曲線すまたは
Cの特性を示す方向に傾けて設置する。後方に光源52
と、画像書き込み光が平行光となるようレンズ53とを
設置する。この状態で画像書き込み素子60の像を、液
晶ライトパルプ61に書き込む。画像が形成された液晶
ライトパルプ61にランプ55からの光がレンズ56及
び偏光ビームスプリッタ57を介して入射すると、この
入射光は誘電体ミラー24によって反射され、このうち
液晶層の配向状態が変化している部分を透過した反射光
は電気光学効果によって偏光方向が変化するので偏光ビ
ームスプリッタ57を透過することができる。この反射
光はレンズ58によって拡大され、これによって液晶ラ
イトパルプ61に形成された画像がスクリーン59に投
影される。
ここで液晶ライトパルプの液晶表示モードとしては、ネ
マチック液晶を用いた場合には本実施例テ示したHFE
モードのほかに、ツィステッドネマチックモード、電界
誘起複屈折モード、動的散乱モード、ゲストホストモー
ド、相転移モードが利用できる。またスメクチック液晶
を用いた場合、複屈折モード、ゲストホストモード、光
散乱モードが利用でき、このほかに強誘電性液晶を用い
ることができる。また液晶複合膜を用いることもできる
さらに本実施例ではレンズ54を用いて画像書き込み素
子60と液晶ライトパルプ61との光学画像接続を行な
ったが、画像書き込み素子60、液晶ライトパルプ61
をしかるべき光学部品例えばファイバープレートのよう
なものを介して直接接続しても表示は可能となる。
〈実施例2〉 第6図(A)CB)に本発明の他の実施例の説明に供す
る画像書き込み素子の断面図とラビング方向の平面図を
示す。この場合さらにコントラストを上げるため、表示
駆動用液晶セルと光学補償用液晶セルを重ねた2層型液
晶素子を用いである。駆動側液晶セル47の作製プロセ
スは実施例1と同じである。また液晶層のねじれ角は2
40°に設定する。
光学補償側液晶セル40はポリイミドの配向膜を塗布し
た後、駆動側の液晶分子のねじれ方向と反対向きになる
ようラビングし、はりあわせる。この2層型液晶素子の
コントラストの子方向と一方向における視角特性を第7
図に示す。投影型表示装置への設置の方法は実施例1と
おなし光軸に対して子方向に約15度傾ける。
〈実施例3〉 第11図に本発明の他の実施例の説明に供する画像書き
込み素子の断面図を示す。ストライプ状のITO電極上
81albに配向膜としてS i02斜方蒸着膜saa
+bを形成しツイスト角が270゜になるよう張り合わ
せる。そして液晶材料のZLI−2293(メルク社製
)を真空注入し偏光板85を設置する。この素子の各波
長に対する電気光学変化の急峻性αを第12図に示した
。570nm付近で急峻性が良くなっている。投影型表
示装置への設置の方法を第13図に示す。第14図の特
性を有する干渉フィルター94を使用して書き込み光を
単波長に近づけた。
〈発明の効果〉 本発明の画像書き込み素子は高解像度でしかも低コスト
の軽量薄型であるために、これを用いた光書き込み型投
影表示装置は薄型のりアブロジェクシッンやコンパクト
なフロントプロジェクションデイスプレィを実現するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例を示す液晶表示装置の光学シ
ステム図である。 第2図及び第3図は第1図に示す画像書き込み素子の電
気光学特性と視角の関係を示す説明図である。 第4図は第1図に示す画像書き込み素子の構成図である
。 第5図は第1図に示す液晶ライトパルプの構成図である
。 4第6は本発明の他の実施例の説明に供する画像書き込
み素子の説明図である。 第7図は第6図に示す画像書き込み素子のコントラスト
の視角変化を示す説明図である。 第8図及び第9図は従来の投射型液晶表示装置の光学シ
ステム図である。 第10図は従来の液晶ライトパルプの構成図である0 第11図は本発明の他の実施例の説明に供する画像書き
込み素子の構成図である。 第12図は第11図に示す画像書き込み素子の電気光学
特性図である。 第13図は本発明の他の実施例である液晶表示装置の光
学システム図でるる。 第14図は第13図の液晶表示装置に用いる干渉フィル
タの特性図である。 52・°投射光源 53+  54.56・・・レンズ
55・・・照明光源 57・・・偏光ビームスプリッタ
58・・・投影レンズ 59・・・スクリーン 60・
・・画像書き込み素子 61・・液晶ライトパルプ代理
人 弁理士 梅 1) 勝(他2名)cp ttrt 
t L 第211!J R町 O/de。 第3図 l5 第4図 第5図 (A) (B) 第6図 第7図 第8図 へ 第qrl!J 第1O図 第11図 4jf入(nm’) 第14図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、1対の基板間に液晶層と光導電体層を内設して成る
    光変調器と、該光変調器に画像を書き込む画像書き込み
    素子と、前記光変調器の画像を投影する照明光学手段と
    を具備して成る液晶表示装置において、前記画像書き込
    み素子をマトリックス駆動型液晶表示素子で構成したこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
JP34016790A 1990-11-30 1990-11-30 液晶表示装置 Pending JPH04204919A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34016790A JPH04204919A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 液晶表示装置

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JP34016790A JPH04204919A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 液晶表示装置

Publications (1)

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JPH04204919A true JPH04204919A (ja) 1992-07-27

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ID=18334373

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34016790A Pending JPH04204919A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 液晶表示装置

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JP (1) JPH04204919A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475513A (en) * 1993-06-02 1995-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Projection type image display device maintaining resolution of an image unaffected by parallax
US5663817A (en) * 1992-12-22 1997-09-02 Thomson-Csf Projector of narrow field moving images

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US5663817A (en) * 1992-12-22 1997-09-02 Thomson-Csf Projector of narrow field moving images
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