JPH04196527A - Dry etching equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造装置に関し、特に微細加工を行
なうためのドライエツチング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a dry etching apparatus for performing microfabrication.
第３図（ａ）〜（ｄ）は従来のドライエツチング装置の
構成を示した模式図である。FIGS. 3(a) to 3(d) are schematic diagrams showing the structure of a conventional dry etching apparatus.
第３図（ａ）に示すように従来のドライエツチング装置
で最も簡単な構成のものは、半導体基板の収納キャリヤ
３０１を載置する収納キャリヤ載置部３０２と、エツチ
ング処理室３０３と、半導体基板の収納キャリヤとエツ
チング処理室間で搬送する搬送機構３０４とにより構成
されていた。As shown in FIG. 3(a), the simplest conventional dry etching apparatus has a storage carrier mounting section 302 on which a semiconductor substrate storage carrier 301 is placed, an etching processing chamber 303, and a semiconductor substrate storage carrier 301. It was comprised of a storage carrier and a transport mechanism 304 for transporting between the etching processing chambers.
また、第３図（ｂ）に示すように、エツチング処理室３
０３と大気との間に、ロードロック室３０５を設けて、
半導体基板に対するゴミの耐着や、エツチング処理室３
０３が大気に開放されることによる雰囲気の変化を押さ
えるようにした装置があった。In addition, as shown in FIG. 3(b), the etching processing chamber 3
A load lock chamber 305 is provided between 03 and the atmosphere,
Prevents dust from adhering to semiconductor substrates and etching process chamber 3
There was a device designed to suppress changes in the atmosphere caused by exposing 03 to the atmosphere.
更に、第３図ｆｃ）に示すように、特に枚葉型の処理装
置において、エツチング処理室３０３の後に第二のプラ
ズマ処理室３０６を設けて、エツチング処理とエツチン
グのマスクとしたフォトレジストの剥離を連続して行な
うようにした装置もあった。Furthermore, as shown in FIG. 3fc), especially in a single-wafer type processing apparatus, a second plasma processing chamber 306 is provided after the etching processing chamber 303 to perform the etching process and to remove the photoresist used as an etching mask. There was also a device that did this continuously.
更に、第３図（ｄ）に示すように、フォトレジストが剥
離された後の半導体基板に水洗処理等をするためのウェ
ット処理装置３０７を一体の装置として接続したものな
どかあっな。Furthermore, as shown in FIG. 3(d), a wet processing device 307 for washing the semiconductor substrate after the photoresist has been removed may be connected as an integrated device.
従来のエツチング装置で、特にアルミニウムやその合金
のような反応性の高い金属をエツチングしようとすると
き、半導体基板に吸着して残る塩素系の反応ガス及び反
応生成物（以下、吸着物という）が大気中の水分と反応
することによって後から発生する腐蝕が大きな問題なっ
ていた。When attempting to etch highly reactive metals such as aluminum and its alloys using conventional etching equipment, chlorine-based reactive gases and reaction products (hereinafter referred to as adsorbates) that remain adsorbed onto the semiconductor substrate are produced. Corrosion that occurs later due to reaction with moisture in the atmosphere has become a major problem.
そのなめエツチング処理を行なった後の処理に関してさ
まざまな検討が行なわれてきた。Various studies have been conducted regarding the treatment after the lick etching process.
まず一つの方法として、エツチング後純水による水洗を
行なう方法があった。One method is to wash with pure water after etching.
これは、大量の水により吸着物を速やかに希釈して洗い
流すことにより腐蝕の進行を防ぐ方法であるが、最近多
用されるようになってきた銅を含んだアルミニウム合金
などの場合には吸着した銅の塩化物などが水に対して速
やかに溶出しないことや、アルミニウム内で偏析した銅
かアルミニウムのエツチング面で微小な電池を形成する
ことなどが原因となって、アルミニウムパターンの部分
的な溶出を起こす問題があり、逆効果であることが分っ
ている。This is a method to prevent the progress of corrosion by quickly diluting and washing away the adsorbed substances with a large amount of water. Partial elution of the aluminum pattern may occur due to copper chloride etc. not being eluted quickly in water, or copper segregated within the aluminum or the formation of minute batteries on the etched surface of the aluminum. This has been shown to cause problems and is counterproductive.
また別の方法として、工・ソチング後パターン１１１！
ｊ面に有機系のデポジション膜が堆積するような条件の
プラズマを発生させ、大気中の水分とアルミニウム面が
直接触れることの無いようにする方法も考えられた。Another method is pattern 111 after machining and sowing!
Another idea was to generate plasma under conditions that would deposit an organic deposition film on the j-plane, thereby preventing moisture in the atmosphere from coming into direct contact with the aluminum surface.
この方法では、堆積したデポジション膜が充分に緻密で
強固な膜でなければ、膜の弱いところから水分が浸入し
て腐蝕か起こる。しかし、アルミニウム面のデポジショ
ン膜は後の工程で除去しなければならないため、あまり
に強固過ぎる膜は望ましくない上に１、二のようなデポ
ジション膜はｆ＆工程でゴミや汚染のものになる可能性
が常にある。In this method, if the deposited film is not sufficiently dense and strong, moisture will penetrate through the weak parts of the film and cause corrosion. However, since the deposited film on the aluminum surface must be removed in a later process, a film that is too strong is undesirable, and the deposited films like 1 and 2 can become dust and contaminants in the f& process. There is always gender.
また、第３図（Ｃ）の装置のようにエツチング処理後、
大気に取り出さずに酸化プラズマによるレジストに１離
を行ない、同時に吸着物の除去もしくは塩化物から酸化
物への置換、更には、酸素だけではなく弗素系のガスを
混合して、弗化物へ置換する方法があった。In addition, after etching treatment as in the apparatus shown in FIG. 3(C),
The resist is exposed to oxidation plasma without being exposed to the atmosphere, and at the same time adsorbed substances are removed or chlorides are replaced with oxides.Furthermore, fluorine-based gases are mixed in with not only oxygen to replace them with fluorides. There was a way to do it.
この方法は、一般に充分な吸着物の除去効果を得ようと
すると、エツチング処理時間よりもはるかに長大な処理
時間を要し、装置全体としての処理効率に対して大きな
制限をくわえることになっていた。また、処理を重ねる
と、プラズマ処理室の雰囲気か吸着物により汚染されて
除去効果が低くなってくる問題も含んでいた。In general, this method requires much longer processing time than the etching processing time in order to obtain a sufficient removal effect of adsorbed substances, and this imposes a large limitation on the processing efficiency of the entire device. Ta. Another problem is that as the treatments are repeated, the atmosphere in the plasma processing chamber becomes contaminated with adsorbed substances, reducing the removal effect.
そのため、プラズマ処理による除去効果は補助的な物と
考えて、第３図ｆｄ）のような装置を使用して、有機ア
ルカリ液による吸着物の塩素分を中和して除去する方法
または硝酸を主成分とした酸による処理で吸着物の除去
と同時にアルミニウム表面を酸化して耐腐蝕性を向上さ
せる方法があった。Therefore, the removal effect of plasma treatment is considered to be an auxiliary one, and a method such as the one shown in Figure 3 fd) is used to neutralize and remove the chlorine content of the adsorbed matter with an organic alkaline solution or with nitric acid. There is a method to improve corrosion resistance by removing adsorbed materials and oxidizing the aluminum surface by treatment with acid as the main component.
しかし、この方法では処理後の水洗が不充分だと、かえ
って腐蝕のもとになる物質を半導体基板表面に残すこと
になる。また、高周波高電力装置であるドライエツチン
グ装置に、取扱の困難な強酸や強アルカリの溶液を多量
に使用する部分を付属させることは安全上好ましくない
という問題があった。However, with this method, if the water washing after processing is insufficient, substances that cause corrosion may remain on the surface of the semiconductor substrate. Furthermore, there is a problem in that it is not desirable for safety to attach a part that uses a large amount of strong acid or strong alkaline solution, which is difficult to handle, to the dry etching apparatus, which is a high frequency, high power apparatus.
またもう一つの方法として、エツチング後クリーンオー
ブンなどにより十分な熱処理を行なう方法かあった。Another method is to perform sufficient heat treatment in a clean oven or the like after etching.
この方法では、物理吸着した吸着物を除去するたけでは
なく、アルミニウムに化学吸着した塩素なども２００°
Ｃ程度まで昇温することにより除去することができる。This method not only removes physically adsorbed substances, but also removes chemically adsorbed chlorine from aluminum at 200°C.
It can be removed by raising the temperature to about C.
しかし、この方法では、一般に大気中で吸着物と水分の
反応か非常に速やかに起こるため、エツチング装置から
取り出してオープンに入れるまでに数分以上の余裕がな
いことになり、投錨の構成と作業方法に対する制限が非
常に強くなるという問題があった。However, with this method, the reaction between the adsorbate and moisture generally occurs very quickly in the atmosphere, so there is not more than a few minutes to take it out of the etching equipment and put it in the open, so it is difficult to set up the anchor and work properly. The problem was that there were very strong restrictions on the method.
本発明の目的は、腐蝕を防止することができるドライエ
ツチング装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a dry etching device that can prevent corrosion.
前記目的を達成するため、本発明に係るドライエツチン
グ装置においては、半導体装置の製造装置で微細加工を
行なうためのドライエツチング装置において、
エツチングを行なう処理室と、
熱処理を行う熱処理室と、
エツチング処理室と熱処理室間を真空雰囲気中で半導体
基板を搬送する機構とを有するものである。In order to achieve the above object, a dry etching apparatus according to the present invention includes a processing chamber for performing etching, a heat treatment chamber for performing heat treatment, and a dry etching apparatus for performing microfabrication in a semiconductor device manufacturing apparatus. It has a mechanism for transporting semiconductor substrates between the chamber and the heat treatment chamber in a vacuum atmosphere.
エツチングを行なう処理室と、熱処理室を持ち、かつエ
ツチング処理室と熱処理室間を真空中で半導体基板を搬
送する。これにより、所期目的を達成する。It has a processing chamber for etching and a heat treatment chamber, and a semiconductor substrate is transported between the etching processing chamber and the heat treatment chamber in a vacuum. This achieves the intended purpose.
次に、本発明の実施例について説明する。 Next, examples of the present invention will be described.
（実施例１）
第１図は本発明によるドライエツチング装置の構成を示
す模式図である。(Example 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of a dry etching apparatus according to the present invention.
図において、本実施例のドライエツチング装置は、半導
体基板の収納キャリヤを載置するロード側収納キャリヤ
載置部１０１と、エツチング処理室１０３と、エツチン
グ処理室１０３と大気を分離するためのロードロック室
１０２と、約り５０℃〜２５０℃程度の温度範囲に設定
可能な熱処理室１０５と、エツチング処理の終了した半
導体基板を１キャリヤ分収納し、エツチング処理室１０
３と熱処理室１０５との間を真空雰囲気にするアンロー
ドロック室１０４と、熱処理の終了した半導体基板を収
納するためのキャリヤを載置するアンロード側収納キャ
リヤ載置部１０６と、各熱処理室１０５とエツチング処
理室１０３との間に真空雰囲気中で半導体基板を搬送す
る第２．第３．第４の搬送機構１０８ 、１０９ 。In the figure, the dry etching apparatus of this embodiment includes a load-side storage carrier placement section 101 on which a semiconductor substrate storage carrier is placed, an etching processing chamber 103, and a load lock for separating the etching processing chamber 103 from the atmosphere. a heat treatment chamber 105 that can be set to a temperature range of about 50°C to 250°C, and an etching chamber 105 that stores one carrier of semiconductor substrates that have been etched.
an unload lock chamber 104 that creates a vacuum atmosphere between the heat treatment chamber 105 and the heat treatment chamber 105; 105 and the etching processing chamber 103 in which the semiconductor substrate is transported in a vacuum atmosphere. Third. Fourth transport mechanism 108 , 109 .
１１０と、第１．第５の搬送機構１０７ 、１１１とに
より構成される。110 and the first. It is composed of a fifth transport mechanism 107 and 111.
実際には、搬送機構の内装置構成により共通に使用でき
る部分もあり、特に第２と第３の搬送機構１０８ 、１
０９は同一の機構に兼ねさせるのか一般的である。In reality, some parts of the transport mechanism can be used in common depending on the device configuration, especially the second and third transport mechanisms 108 and 1.
It is common for 09 to have the same mechanism.
つまり本装置は、ドライエツチング装置のアンロードロ
ック室１０４を１キャリヤ分の半導体基板に収容できる
ようにし、エツチング処理室１０３でエツチング処理さ
れた１キャリヤ分の半導体基板をまとめてアンロードロ
ック室１０４に収容し、これを熱処理室１０５で熱処理
し、かつエツチング処理室１０３と熱処理室１０５との
開に真空雰囲気中で半導体基板を搬送機構１０８□１０
９ 、１１０で搬送する。In other words, in this device, the unload lock chamber 104 of the dry etching apparatus can accommodate one carrier of semiconductor substrates, and one carrier of semiconductor substrates that have been etched in the etching chamber 103 are stored in the unload lock chamber 104. The semiconductor substrate is then heat treated in the heat treatment chamber 105, and the semiconductor substrate is transferred to the transfer mechanism 108□10 in a vacuum atmosphere between the etching treatment chamber 103 and the heat treatment chamber 105.
9, conveyed at 110.
またロード側収納キャリヤ載置部１０１からは基板が第
１の搬送［１４９１１０７によりロードロツク室１０２
に送り込まれる。Further, the substrate is transported from the load side storage carrier placement section 101 to the load lock chamber 102 by the first transport [1491107].
sent to.
また、熱処理室１０５からは基板か第５の搬送機構１１
１によりアンロード側収納キャリヤ載置部１０６に搬出
される。Further, from the heat treatment chamber 105, the substrate is transferred to the fifth transport mechanism 11.
1, it is carried out to the unload side storage carrier placement section 106.
熱処理室の加熱法は、通常の抵抗ヒーターによる方法ば
かりでなく、赤外線ヒータ、高照度のハロゲンランプ加
熱、マイクロ波加熱等どのような方法をとってもよく、
半導体基板を１５０〜２５０℃まで充分に速く昇温でき
れは良い。The heating method in the heat treatment chamber is not limited to the usual method using a resistance heater, but any method such as an infrared heater, high-intensity halogen lamp heating, microwave heating, etc. can be used.
It is good if the temperature of the semiconductor substrate can be raised sufficiently quickly to 150 to 250°C.
本装置でアンロードロック室１０４が１キャリヤ分の半
導体基板を収容できるようにすることは本質的なことで
ある。これにより１キャリヤ分の半導体基板を処理する
時間の分余裕ができ、腐蝕を防止するために必要十分な
時間熱処理を行なうことができるようになる。実際、エ
ツチング処理の１枚あたりの所要時間は、１分３０秒か
ら３程度度となるのが一般的な値であり、■−１ｉ−ヤ
リャ２５枚で計算すると、少なくとも３７分以上の熱処
理を行なうことか装置の処理能力を劣化させずに可能と
なる。In this apparatus, it is essential that the unload lock chamber 104 be able to accommodate one carrier of semiconductor substrates. This allows time for processing one carrier's worth of semiconductor substrates, making it possible to carry out heat treatment for a sufficient period of time to prevent corrosion. In fact, the time required for etching per sheet is generally 1 minute 30 seconds to about 3 degrees, and if calculated using 25 sheets of ■-1i-Yaya, the heat treatment will take at least 37 minutes. This can be done without degrading the processing capacity of the device.
以上のようなドライエツチング装置によりエツチング後
、アルミニウムに対する塩素の化学吸着の結合を切るた
めに必要十分な温度である約２００℃での熱処理を３０
分程度行なうことにより、腐蝕を防止することができる
。After etching using the dry etching equipment described above, heat treatment is performed for 30 minutes at approximately 200°C, which is a temperature necessary and sufficient to break the bonds of chemical adsorption of chlorine on aluminum.
Corrosion can be prevented by cleaning for about a minute.
（実施例２） 第２図は、本発明の実施例２を示す構成図である。(Example 2) FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
本実施例のドライエツチング装置は、半導体基板の収納
キャリヤを載置するロード側収納キャリヤ載置部２０１
と、エツチング処理室２０３と、エツチング処理室２０
３と大気を分離するためのロードロック室２０２と、約
１５０°Ｃ〜２５０℃程度の温度範囲に設定可能な熱処
理室２０５と、エツチング処理の終了した半導体基板を
１キャリヤ分収納し、工ッチング処理室２０計と熱処理
室２０５との間を真空雰囲気にするアンロードロック室
２０４と、熱処理の終了した半導体基板の温度を、通常
使用されている樹脂製の収納キャリヤで取り扱える温度
まで下げるための冷却室２０６と、熱処理の終了した半
導体基板を収納するためのキャリヤを載置するアンロー
ド側収納キャリヤ載置部２０７と、エツチング処理室２
０３と熱処理室２０５との間に真空雰囲気中で半導体基
板を搬送する第２．第３．第４．第５の搬送機構２０９
、２１０ 、２１１ 、２１２と、第１゜第６の搬送
機構２０８ 、２１３とにより主要部が構成される。The dry etching apparatus of this embodiment has a load-side storage carrier placement section 201 on which a storage carrier for semiconductor substrates is placed.
, etching processing chamber 203 , and etching processing chamber 20
A load-lock chamber 202 for separating the substrate from the etching process and the atmosphere, a heat treatment chamber 205 that can be set to a temperature range of approximately 150°C to 250°C, and a carrier for storing semiconductor substrates that have been subjected to etching processing. An unload lock chamber 204 creates a vacuum atmosphere between the processing chamber 20 and the heat treatment chamber 205, and an unload lock chamber 204 for lowering the temperature of the semiconductor substrate after heat treatment to a temperature that can be handled by a commonly used resin storage carrier. A cooling chamber 206, an unload side storage carrier placement section 207 on which a carrier for storing a semiconductor substrate that has been heat-treated is placed, and an etching processing chamber 2.
03 and the heat treatment chamber 205 in which the semiconductor substrate is transported in a vacuum atmosphere. Third. 4th. Fifth transport mechanism 209
, 210 , 211 , 212 and the first to sixth transport mechanisms 208 , 213 constitute the main part.
実際には、搬送機構の内装置Ｆ構成により共通に使用で
きる部分もあり、特に第２と第３の搬送機構２０９ 、
２１０は同一の機構に兼ねさせるのが一般的である。In reality, some parts of the transport mechanism can be used in common depending on the configuration of the device F, and in particular, the second and third transport mechanisms 209,
Generally, the same mechanism serves as 210.
つまり本装置は、ドライエツチング装置のアンロードロ
ック室２０４を１キャリヤ分の半導体基板に収容できる
ようにし、エツチング処理室２０３でエツチング処理さ
れた１キャリヤ分の半導体基板をまとめてアンロードロ
ック室２０４に収容し、これを熱処理室２０５で熱処理
し、かつ半導体基板を冷却室２０６で冷却し、その間を
真空雰囲気中で基板を搬送機構２０９ 、２１０ 、２
１１ 、２１２で搬送する。In other words, in this device, the unload lock chamber 204 of the dry etching apparatus can accommodate one carrier of semiconductor substrates, and one carrier of semiconductor substrates that has been etched in the etching chamber 203 is stored in the unload lock chamber 204. The semiconductor substrate is heat-treated in a heat treatment chamber 205, and the semiconductor substrate is cooled in a cooling chamber 206, and the substrate is transported between them by transport mechanisms 209, 210, 2 in a vacuum atmosphere.
11, 212.
熱処理室の加熱法とロードロック室の収容できる半導本
基板数に関しては実施例１と同じことになる。The heating method of the heat treatment chamber and the number of semiconductor substrates that can be accommodated in the load lock chamber are the same as in the first embodiment.
実施例１では、熱処理後の半導体基板を受は取る収納キ
ャリヤに通常使用されている樹脂製のキャリヤを使用す
ることは、基板温度が高い状態で取り出す必要があるた
め使用できないが、本実施例による装置では通常のキャ
リヤを使用することができるようになる。In Example 1, it is not possible to use a resin carrier, which is normally used as a storage carrier for receiving and taking the semiconductor substrate after heat treatment, because the substrate needs to be taken out while the substrate temperature is high. However, in this example The device allows the use of conventional carriers.
以上のように本発明によるドライエツチング装置を使用
することにより、装置から半導体基板を取り出した時点
で配線の腐蝕を防止することができ、腐蝕防止用の後処
理が装置の処理能力に制限を加えることのないドライエ
ツチングを行なうことができる。As described above, by using the dry etching apparatus according to the present invention, it is possible to prevent corrosion of the wiring at the time the semiconductor substrate is taken out from the apparatus, and post-treatment for preventing corrosion can limit the processing capacity of the apparatus. Dry etching can be performed without any problems.
第１図は、本発明の実施例１を示す構成図、第２図は、
本発明の実施例２を示す構成図、第３図［ａ） 、 ｆ
ｂ） 、 ｆｃ） 、 ｆｄ）は、従来例を示す構成図
である。
１０１・・・ロード側収納キャリヤ載置部１０２・・・
ロードロック室
１０３・・・エツチング処理室
１０４・・・アンロードロック室
７０５・・・熱処理室
１０６・・・アンロード側収納キャリヤ載置部１０７・
・・第１の搬送機構 １０８・・・第２の搬送機構１０
９・・・第３の搬送機構 １１０・・・第４の搬送機構
１１１・・・第５の搬送機構
２０１・・・ロード側収納キャリヤ載置部２０２・・・
ロードロック室
２０３・・・エツチング処理室
２０４・・・アンロードロック室
２０５・・・熱処理室 ２０６・・・冷却室２０
７・・・アンロード側収納キャリヤ載置部２０８・・・
第１の搬送ｍＭ ２０９・・・第２の搬送ＩＩ楕２１
０・・・第３の搬送機構 ２１１・・・第４の搬送機構
２１２・・・第５の搬送機ｉ ２１３・・・第６の搬
送機構特許出願人 日本電気株式会社
代 理 人 弁理士 菅 野
中 ；−゛、
＼で−１−
ズ屯□・ノ
ー２□
第１図
ゝ３０３
３′０２ 品２（ｂ）
第３図
３ρ７
第３図FIG. 1 is a configuration diagram showing Embodiment 1 of the present invention, and FIG.
Configuration diagram showing Embodiment 2 of the present invention, FIG. 3 [a), f
b), fc), fd) are configuration diagrams showing conventional examples. 101...Load side storage carrier placement section 102...
Load lock chamber 103...Etching processing chamber 104...Unload lock chamber 705...Heat treatment chamber 106...Unload side storage carrier placement section 107...
...First transport mechanism 108...Second transport mechanism 10
9...Third transport mechanism 110...Fourth transport mechanism 111...Fifth transport mechanism 201...Load side storage carrier placement section 202...
Load lock chamber 203... Etching processing chamber 204... Unload lock chamber 205... Heat treatment chamber 206... Cooling chamber 20
7... Unload side storage carrier placement section 208...
First transport mm 209...Second transport II ellipse 21
0...Third conveyance mechanism 211...Fourth conveyance mechanism 212...Fifth conveyance machine i 213...Sixth conveyance mechanism Patent applicant NEC Co., Ltd. Agent Patent attorney Suga field
Medium ;-゛, ＼で-1- zutun□・No2□ Fig. 1ゝ303 3'02 Product 2 (b) Fig. 3 3ρ7 Fig. 3
Claims (1)
ドライエッチング装置において、エッチングを行なう処
理室と、 熱処理を行う熱処理室と、 エッチング処理室と熱処理室間を真空雰囲気中で半導体
基板を搬送する機構とを有することを特徴とするドライ
エッチング装置。(1) In a dry etching system for microfabrication in semiconductor device manufacturing equipment, a processing chamber where etching is performed, a heat treatment chamber where heat treatment is performed, and a semiconductor substrate is transported in a vacuum atmosphere between the etching processing chamber and the heat treatment chamber. A dry etching apparatus characterized by having a mechanism for.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32834990A JPH04196527A (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Dry etching equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32834990A JPH04196527A (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Dry etching equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196527A true JPH04196527A (en) | 1992-07-16 |
Family
ID=18209250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32834990A Pending JPH04196527A (en) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Dry etching equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196527A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204726A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | Vacuum treatment device |
| JPH01243522A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | Dry etching equipment and cassette |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32834990A patent/JPH04196527A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204726A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | Vacuum treatment device |
| JPH01243522A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | Dry etching equipment and cassette |
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