JPH04192135A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04192135A JPH04192135A JP2324271A JP32427190A JPH04192135A JP H04192135 A JPH04192135 A JP H04192135A JP 2324271 A JP2324271 A JP 2324271A JP 32427190 A JP32427190 A JP 32427190A JP H04192135 A JPH04192135 A JP H04192135A
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- magnetic layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光変調ダイレクト・オーバーライド可能な
光磁気記録媒体に関するものである。
光磁気記録媒体に関するものである。
第４図は、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、６７ Ｎｏ、 ９ （１
，Ｍａｙ、’９０）、ｐｐ、４４１５〜４４１６に示さ
れた従来の光磁気記録媒体の構成図および記録・再生時
の光ビームである。（１）は半導体レーザ等より出射さ
れたレンズにより集光された光ビーム、（２）はＨｂの
磁界を発生させる外部磁界発生装置、（３）はガラスま
たはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は互いに
交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１磁性層
、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（７）か
第４磁性層である。
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓｖｏｌ、６７ Ｎｏ、 ９ （１
，Ｍａｙ、’９０）、ｐｐ、４４１５〜４４１６に示さ
れた従来の光磁気記録媒体の構成図および記録・再生時
の光ビームである。（１）は半導体レーザ等より出射さ
れたレンズにより集光された光ビーム、（２）はＨｂの
磁界を発生させる外部磁界発生装置、（３）はガラスま
たはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は互いに
交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１磁性層
、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（７）か
第４磁性層である。
次にダイレクト・オーバーライドのメカニズムについて
説明する。第５図（ａ）は、ある温度での遷移金属副格
子磁化の方向を示し、第４図ｆｂ）に記録時（、Ｐ Ｍ
ｌ、、、 Ｐ 、ｏ、）と再生時（Ｐ、ｌＥＡ＋、）の
３Ｖｉ変調される光ビームの光強度を示している。Ｐ、
い。
説明する。第５図（ａ）は、ある温度での遷移金属副格
子磁化の方向を示し、第４図ｆｂ）に記録時（、Ｐ Ｍ
ｌ、、、 Ｐ 、ｏ、）と再生時（Ｐ、ｌＥＡ＋、）の
３Ｖｉ変調される光ビームの光強度を示している。Ｐ、
い。
は非常に小さなパワーのため磁化状態（記録状態）は変
化しないが、Ｐ Ｌｏｗ、 Ｐ ＨＩＧＩＩては記録膜
の温度が上昇し、その最高到達温度は’ｌ’ Ｌｏｖ、
Ｔ 、＋。、となり、以後冷却時の磁化状態の変化に
より“０”または“１”の記録が行われ、それぞれ“低
パワー・プロセス１と“高パワー・プロセス”と呼び、
この２つについて説明する。“低パワー・プロセス”に
おいては第２磁性層（５）と第４磁性層（７）はその遷
移金属副格子磁化の方向に変化な（上向であり、その後
の冷却時に第１磁性層（４）は第２磁性層（５）からの
交換力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向きと
なり“０”が記録される。また、“高パワー・プロセス
”においては媒体温度がＴ ＨＩＧＨまで、つまり第２
磁性層（５）のキュリー温度Ｔｃ、近傍まで上昇するた
め第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁化の方向は
上向きとなっている。
化しないが、Ｐ Ｌｏｗ、 Ｐ ＨＩＧＩＩては記録膜
の温度が上昇し、その最高到達温度は’ｌ’ Ｌｏｖ、
Ｔ 、＋。、となり、以後冷却時の磁化状態の変化に
より“０”または“１”の記録が行われ、それぞれ“低
パワー・プロセス１と“高パワー・プロセス”と呼び、
この２つについて説明する。“低パワー・プロセス”に
おいては第２磁性層（５）と第４磁性層（７）はその遷
移金属副格子磁化の方向に変化な（上向であり、その後
の冷却時に第１磁性層（４）は第２磁性層（５）からの
交換力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上向きと
なり“０”が記録される。また、“高パワー・プロセス
”においては媒体温度がＴ ＨＩＧＨまで、つまり第２
磁性層（５）のキュリー温度Ｔｃ、近傍まで上昇するた
め第４磁性層（７）のみが遷移金属副格子磁化の方向は
上向きとなっている。
その後の冷却時に外部磁界発生装置（２）による磁界Ｈ
ｂにより第２磁性層（５）の遷移金属副格子磁化の方向
が下向きとなり、次に第１磁性層（４）が“低パワー・
プロセス”同様に第２磁性層（５）からの交換力により
下向きになる。そして、室温近傍において第２磁性層（
５）が第３磁性層（６）からの交換力により上向きとな
る初期化過程が起こるが、第１磁性層（４）はこの時点
では交換力による反転はな（下向きを保ち“ｌ”が記録
される。
ｂにより第２磁性層（５）の遷移金属副格子磁化の方向
が下向きとなり、次に第１磁性層（４）が“低パワー・
プロセス”同様に第２磁性層（５）からの交換力により
下向きになる。そして、室温近傍において第２磁性層（
５）が第３磁性層（６）からの交換力により上向きとな
る初期化過程が起こるが、第１磁性層（４）はこの時点
では交換力による反転はな（下向きを保ち“ｌ”が記録
される。
以上のような光磁気記録媒体には、第１磁性層を第２磁
性層の遷移金属副格子磁化の方向に揃える温度では、第
１磁性層と第２磁性層間の交換力は強く、室温近傍での
初期化過程では、第１磁性層と第２磁性層間の交換力は
弱くする必要があり、第１、第２磁性層の膜厚の作成マ
ージンが狭くなり安定して生産することが困難であった
。
性層の遷移金属副格子磁化の方向に揃える温度では、第
１磁性層と第２磁性層間の交換力は強く、室温近傍での
初期化過程では、第１磁性層と第２磁性層間の交換力は
弱くする必要があり、第１、第２磁性層の膜厚の作成マ
ージンが狭くなり安定して生産することが困難であった
。
この発明は上記のような問題点を解消するために成され
たちのて、第１磁性層と第２磁性層間の交換力を有効に
制御する光磁気記録媒体を得ることを目的としている。
たちのて、第１磁性層と第２磁性層間の交換力を有効に
制御する光磁気記録媒体を得ることを目的としている。
この発明の光磁気記録媒体は、基板上に第１磁性層と第
２磁性層間の交換力を制御するために第１磁性層と第２
磁性層との間に希土類副格子磁化優勢の希土類−遷移金
属合金層を設けたものである。
２磁性層間の交換力を制御するために第１磁性層と第２
磁性層との間に希土類副格子磁化優勢の希土類−遷移金
属合金層を設けたものである。
この発明における光磁気記録媒体は、第１磁性層と第２
磁性層との間に希土類副格子磁化優勢の希土類−遷移金
属合金層を設けることで、光変調ダイレクト・オーバー
ライド可能な光磁気記録媒体を安定して得ることができ
る。
磁性層との間に希土類副格子磁化優勢の希土類−遷移金
属合金層を設けることで、光変調ダイレクト・オーバー
ライド可能な光磁気記録媒体を安定して得ることができ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）はガ
ラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は
互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１
磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（
７）が第４磁性層であり、（８）が第５磁性層である。
図に本発明の光磁気記録媒体の構成を示す。（３）はガ
ラスまたはプラスチックの透明基板、（４）〜（７）は
互いに交換結合した４層の磁性層であり、（４）が第１
磁性層、（５）が第２磁性層、（６）が第３磁性層、（
７）が第４磁性層であり、（８）が第５磁性層である。
この発明の一実施例は透明基板（３）上に第１磁性層（
４）、第５磁性層（８）、第２磁性層（５）と順次スパ
ッタ法により成膜されている。
４）、第５磁性層（８）、第２磁性層（５）と順次スパ
ッタ法により成膜されている。
実施例１
基 板 ：１．２ｍ＋溝付きガラス基板誘電体層 ：
Ｓ＋Ｎｘ 第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ２２
Ｆｅａ＊ＣＯｓ 膜厚：６００人第５磁性層：
ＧｄＦｅ２元系非晶質合金ＧｄａｓＦｅｔｓ
膜厚：５０人第２磁性層： ＧｄＤｙＦｅＣｏ４
元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄｙ＋ｔＦｅｓｏＣＯ＋ｓ
膜厚：１０００人第３磁性層： ＴｂＰｅＣｏ３元系非
晶質合金Ｔｂ＋ｓＦｅ、 膜厚：２００人
第４磁性層： ＴｂＣｏ２元系非晶質合金Ｔｂ５ｏＣＯ
ｔｏ 膜厚：４００人保護層 ： Ｓｉ
Ｎｘ 実施例１の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライドの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速Ｊｉ
ｍ／ｓｅｅ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度を１３ｍ
Ｗと５ｍＷで光変調して消去比４０ｄＢ以上でＣＮ比４
７ｄＢが得られた。
Ｓ＋Ｎｘ 第１磁性層： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金Ｔｂ２２
Ｆｅａ＊ＣＯｓ 膜厚：６００人第５磁性層：
ＧｄＦｅ２元系非晶質合金ＧｄａｓＦｅｔｓ
膜厚：５０人第２磁性層： ＧｄＤｙＦｅＣｏ４
元系非晶質合金Ｇｄ５Ｄｙ＋ｔＦｅｓｏＣＯ＋ｓ
膜厚：１０００人第３磁性層： ＴｂＰｅＣｏ３元系非
晶質合金Ｔｂ＋ｓＦｅ、 膜厚：２００人
第４磁性層： ＴｂＣｏ２元系非晶質合金Ｔｂ５ｏＣＯ
ｔｏ 膜厚：４００人保護層 ： Ｓｉ
Ｎｘ 実施例１の光磁気記録媒体を用い、光変調ダイレクト・
オーバーライドの動作確認を行ったところ、ビット長２
μｍの信号上にビット長０．７６μｍの信号を線速Ｊｉ
ｍ／ｓｅｅ印加磁界３０００ｅ、光ビーム強度を１３ｍ
Ｗと５ｍＷで光変調して消去比４０ｄＢ以上でＣＮ比４
７ｄＢが得られた。
第２図に上記の光変調ダイレクト・オーバーライドの動
作確認後の消去比のＲＥ組成依存性を示す。第５磁性層
としてＧｄＦｅ、ＤｙＦｅＣｏを用いた。図より補償組
成である２１ｓｔ％以上の希土類副格子磁化優勢の組成
において良好な消去比（＞４０ｄＢ）が得られる。この
ほかの材料としてＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＨｏＣｏな
との希類類−遷移金属合金を用いてもよい。
作確認後の消去比のＲＥ組成依存性を示す。第５磁性層
としてＧｄＦｅ、ＤｙＦｅＣｏを用いた。図より補償組
成である２１ｓｔ％以上の希土類副格子磁化優勢の組成
において良好な消去比（＞４０ｄＢ）が得られる。この
ほかの材料としてＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＨｏＣｏな
との希類類−遷移金属合金を用いてもよい。
また、第５磁性層の膜厚として５〜１００人程度が望ま
しい。
しい。
第３図に第５磁性層の有無による第１磁性層と第２磁性
層間の交換結合力を決定する界面磁壁エネルギーの温度
依存性を示す。図より第５磁性層を設けることにより室
温近傍で界面磁壁エネルギーを大きく減少させることが
でき記録特性が向上するとともに作成マージンが広くな
り記録媒体の生産性の向上が望める。
層間の交換結合力を決定する界面磁壁エネルギーの温度
依存性を示す。図より第５磁性層を設けることにより室
温近傍で界面磁壁エネルギーを大きく減少させることが
でき記録特性が向上するとともに作成マージンが広くな
り記録媒体の生産性の向上が望める。
以上のように、この発明によれば第１磁性層と第２磁性
層の間に希土類副格子磁化優勢な非晶質合金層を設ける
ことにより、室温近傍での第１磁性層と第２磁性層間の
交換結合力を減少させるとともに安定に作成ができるよ
うになり光変調ダイレクト・オーバーライド可能な光磁
気記録媒体の特性および生産性の向上に効果かある。
層の間に希土類副格子磁化優勢な非晶質合金層を設ける
ことにより、室温近傍での第１磁性層と第２磁性層間の
交換結合力を減少させるとともに安定に作成ができるよ
うになり光変調ダイレクト・オーバーライド可能な光磁
気記録媒体の特性および生産性の向上に効果かある。
第１図はこの発明の一実施例による光磁気記録媒体の構
成図、第２図はダイレクト・オーバーライド後の消去比
の第５磁性層の希土類（ＲＥ）組成依存性、第３図は第
１磁性層と第２磁性層間の界面磁壁エネルギーの温度依
存性、第４図は従来の記録媒体の構成図、第５図は従来
方式の記録（オーバーライド）メカニズムである。（３
）はガラスまたはプラスチックからなる透明基板、（４
）は第１磁性層、（５）は第２磁性層、（６）は第３磁
性層、（７）は第４磁性層、（８）は第５磁性層である
。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
成図、第２図はダイレクト・オーバーライド後の消去比
の第５磁性層の希土類（ＲＥ）組成依存性、第３図は第
１磁性層と第２磁性層間の界面磁壁エネルギーの温度依
存性、第４図は従来の記録媒体の構成図、第５図は従来
方式の記録（オーバーライド）メカニズムである。（３
）はガラスまたはプラスチックからなる透明基板、（４
）は第１磁性層、（５）は第２磁性層、（６）は第３磁
性層、（７）は第４磁性層、（８）は第５磁性層である
。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板上に垂直磁気異方性を有する第１磁性層から第４磁
性層までの４層が積層され、それぞれ接する層は交換結
合力で結合しており、第１磁性層と交換結合している第
２磁性層との間に希土類副格子磁化優勢な希土類−遷移
金属合金からなる層を有することを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324271A JPH04192135A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
| US07/757,685 US5191561A (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
| EP96113822A EP0750295A3 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| EP91115375A EP0487847A1 (en) | 1990-11-26 | 1991-09-11 | Magnetooptical recording medium |
| KR1019910017041A KR950003184B1 (ko) | 1990-11-26 | 1991-09-30 | 광자기 기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324271A JPH04192135A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192135A true JPH04192135A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18163946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324271A Pending JPH04192135A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2324271A patent/JPH04192135A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
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