JPH0417339A - Ｉｎバンプの形成方法 - Google Patents
Ｉｎバンプの形成方法Info
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- JPH0417339A JPH0417339A JP12061990A JP12061990A JPH0417339A JP H0417339 A JPH0417339 A JP H0417339A JP 12061990 A JP12061990 A JP 12061990A JP 12061990 A JP12061990 A JP 12061990A JP H0417339 A JPH0417339 A JP H0417339A
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- bumps
- holes
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はハイブリッド型のデバイスに使用するＩｎバン
プの形成方法に関する。
プの形成方法に関する。
［従来の技術］
数種のデバイスをＩｎバンプで結合して使用するハイブ
リッド型のデバイスは、通常、単一素子を２次元に数千
〜数万個配列した構造をしている。
リッド型のデバイスは、通常、単一素子を２次元に数千
〜数万個配列した構造をしている。
デバイスにＩｎバンプを形成するには、第３図に示すよ
うに、まずデバイス１の一面に厚さｌ○μｍ程度のレジ
スト６を塗布し、そのレジスト６のうちＩｎバンプを形
成する部分のみレジストを溶がして直径２０〜３０１１
ｍ程度の円筒状の穴６ａをあけて下地金属３を露出させ
る。その後デバイスｌをＩｎメッキ液７中に浸漬し、円
筒状穴６ａ内の下地金属３上にＩｎバンプ５を成長させ
ている。
うに、まずデバイス１の一面に厚さｌ○μｍ程度のレジ
スト６を塗布し、そのレジスト６のうちＩｎバンプを形
成する部分のみレジストを溶がして直径２０〜３０１１
ｍ程度の円筒状の穴６ａをあけて下地金属３を露出させ
る。その後デバイスｌをＩｎメッキ液７中に浸漬し、円
筒状穴６ａ内の下地金属３上にＩｎバンプ５を成長させ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
数種のデバイスを確実にＩｎバンプで結合するためには
、Ｉｎバンプの形状を均一にする必要がある。
、Ｉｎバンプの形状を均一にする必要がある。
上述したように、Ｉｎバンプを成長させる部分は直径２
（１−３０ｐｍ、深さＩＯｐｍの穴６ａであり、その穴
６ａを完全に埋めると円柱型のＩｎバンプ５が形成され
る訳であるが、メッキ法ではバンプ金属の成長方向が一
定していないため、たとえば円柱の高さ方向に成長しや
すい場合は、第３図に示すようにレジスト６の穴６ａを
完全に埋めつくせない形状のバンブも生じることがあっ
た。第４図に示すようにＩｎバンプ５が所定の形状でな
いと、２個のデバイス１と２との間を結合する際、Ｉｎ
バンプ５が折れ曲がったり、結合が不十分となる欠点が
あった。
（１−３０ｐｍ、深さＩＯｐｍの穴６ａであり、その穴
６ａを完全に埋めると円柱型のＩｎバンプ５が形成され
る訳であるが、メッキ法ではバンプ金属の成長方向が一
定していないため、たとえば円柱の高さ方向に成長しや
すい場合は、第３図に示すようにレジスト６の穴６ａを
完全に埋めつくせない形状のバンブも生じることがあっ
た。第４図に示すようにＩｎバンプ５が所定の形状でな
いと、２個のデバイス１と２との間を結合する際、Ｉｎ
バンプ５が折れ曲がったり、結合が不十分となる欠点が
あった。
本発明の目的は、Ｉｎバンプの形状を均一にする電気メ
ッキ法によるＩｎバンプの形成方法を提供することにあ
る。
ッキ法によるＩｎバンプの形成方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係るＩｎバンプの形
成方法においては、穴明は工程と、膜形成工程とを含み
、電気メッキ法によるＩｎバンプの形成方法であって、 穴明は工程は、デバイスの一面上に塗布されたレジスト
に穴明は加工を施して該デバイスの下地金属を外部に露
出させるものであり、 膜形成工程は、外部に露出した下地金属にイオンミリン
グ加工を施し、該下地金属と電気的に導通した再付着膜
を、下地金属に対応してレジストに開口された穴の内周
面に形成するものである。
成方法においては、穴明は工程と、膜形成工程とを含み
、電気メッキ法によるＩｎバンプの形成方法であって、 穴明は工程は、デバイスの一面上に塗布されたレジスト
に穴明は加工を施して該デバイスの下地金属を外部に露
出させるものであり、 膜形成工程は、外部に露出した下地金属にイオンミリン
グ加工を施し、該下地金属と電気的に導通した再付着膜
を、下地金属に対応してレジストに開口された穴の内周
面に形成するものである。
本発明では、レジストの穴の内周面は下地金属の再付着
膜で覆われており、電気的に下地金属と導通しているの
で、電気メッキによるバンプ金属の成長はデバイスｌの
一面上の下地金属３のみからたけてなく、レジストの穴
の側面からも行われる。従って、レジストの穴の全体に
メッキの金属を成長させることができる。
膜で覆われており、電気的に下地金属と導通しているの
で、電気メッキによるバンプ金属の成長はデバイスｌの
一面上の下地金属３のみからたけてなく、レジストの穴
の側面からも行われる。従って、レジストの穴の全体に
メッキの金属を成長させることができる。
［実施例］
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図である
。
。
第１図に示すように、デバイス１の一面にレジスト６を
塗布し、そのレジスト６のうち、Ｉｎバンプを形成する
部分のみレジストを溶かして円筒状の穴６ａをあけて、
デバイス１の一面上に存在する下地金属３を六６ａを介
して外部に露出させる点は従来と同じである。
塗布し、そのレジスト６のうち、Ｉｎバンプを形成する
部分のみレジストを溶かして円筒状の穴６ａをあけて、
デバイス１の一面上に存在する下地金属３を六６ａを介
して外部に露出させる点は従来と同じである。
本発明では、Ｉｎバンプを成長させる前工程として、メ
ッキの電極として作用する下地金属３をイオンミリング
で叩き、その叩き出された金属をレジスト６の円筒状穴
６ａの内周面に再付着させて、下地金属３と電気的に導
通した円環状の再付着膜４を形成するものである。
ッキの電極として作用する下地金属３をイオンミリング
で叩き、その叩き出された金属をレジスト６の円筒状穴
６ａの内周面に再付着させて、下地金属３と電気的に導
通した円環状の再付着膜４を形成するものである。
本発明によれば、Ｉｎバンプ形成領域内に存在するデバ
イス１の下地金属３はレジスト６の円筒状穴６ａを介し
て外部に露出し、かつ、レジスト６の円筒状穴６ａの内
周面は下地金属３と電気的に導通した再付着膜４により
覆われることとなり、本発明でのメッキ電極は、底部を
下地金属３とし、その下地金属３の外縁より穴６ａの高
さ方向に立ち上った円環状再付着膜４をもつカップ状の
メッキ電極として構成される。
イス１の下地金属３はレジスト６の円筒状穴６ａを介し
て外部に露出し、かつ、レジスト６の円筒状穴６ａの内
周面は下地金属３と電気的に導通した再付着膜４により
覆われることとなり、本発明でのメッキ電極は、底部を
下地金属３とし、その下地金属３の外縁より穴６ａの高
さ方向に立ち上った円環状再付着膜４をもつカップ状の
メッキ電極として構成される。
最後に、デバイス１の穴６ａの部分をＩｎメッキ液７．
７に浸漬させ、カップ状メッキ電極３，４に通電を行い
、下地金属３上に、穴６ａの内周面にて規制される形状
のＩｎバンプ５を成長形成させる。
７に浸漬させ、カップ状メッキ電極３，４に通電を行い
、下地金属３上に、穴６ａの内周面にて規制される形状
のＩｎバンプ５を成長形成させる。
第１図に示すように、Ｉｎバンプ５はデバイスｌをＩｎ
メッキ液７に浸し７電流を流して形成するが、Ｉｎバン
プ５を成長させるためのレジスト６の穴６ａの内周面に
は下地金属３のイオンミリングによる再付着膜４が形成
されているため、メッキ成長は下地金属３からのみでな
く、イオンミリングによる円環状再付着膜４からも行わ
れる。従って、レジスト６の穴６ａの全体にメッキを成
長させて該穴６ａ内をＩｎで完全に埋めることができ、
Ｉｎバンプ５はレジスト６の穴６ａの形状通りの円筒状
に成型することができる。したがって、本発明では、デ
バイス１の一面上の各Ｉｎバンプ５は全て円筒状に均一
化されるため、第２図に示すように２個のデバイス１と
２とを結合するときにＩｎバンプ５が折れ曲がって結合
が不十分になることがなく、素子の欠陥をなくすことが
できる。
メッキ液７に浸し７電流を流して形成するが、Ｉｎバン
プ５を成長させるためのレジスト６の穴６ａの内周面に
は下地金属３のイオンミリングによる再付着膜４が形成
されているため、メッキ成長は下地金属３からのみでな
く、イオンミリングによる円環状再付着膜４からも行わ
れる。従って、レジスト６の穴６ａの全体にメッキを成
長させて該穴６ａ内をＩｎで完全に埋めることができ、
Ｉｎバンプ５はレジスト６の穴６ａの形状通りの円筒状
に成型することができる。したがって、本発明では、デ
バイス１の一面上の各Ｉｎバンプ５は全て円筒状に均一
化されるため、第２図に示すように２個のデバイス１と
２とを結合するときにＩｎバンプ５が折れ曲がって結合
が不十分になることがなく、素子の欠陥をなくすことが
できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の電気メッキ法によるＩｎ
バンプ形成法では、Ｉｎバンプを成長させるためのレジ
ストパターンの側面に下地金属のイオンミリングによる
再付着膜を形成するため、Ｉｎメッキ成長は下地金属の
みからだけでなく、レジストパターンの穴の内周面から
も行われるため、各Ｉｎバンプの形状を均一にすること
ができる効果がある。
バンプ形成法では、Ｉｎバンプを成長させるためのレジ
ストパターンの側面に下地金属のイオンミリングによる
再付着膜を形成するため、Ｉｎメッキ成長は下地金属の
みからだけでなく、レジストパターンの穴の内周面から
も行われるため、各Ｉｎバンプの形状を均一にすること
ができる効果がある。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３
図、第４図は従来の技術を示す断面図である。 １．２・・デバイス ３・・・下地金属４・
・・イオンミリングによる再付着膜５・・・Ｉｎバンプ
６・・レジスト７・・・Ｉｎメッキ液
図、第４図は従来の技術を示す断面図である。 １．２・・デバイス ３・・・下地金属４・
・・イオンミリングによる再付着膜５・・・Ｉｎバンプ
６・・レジスト７・・・Ｉｎメッキ液
Claims (1)
- （１）穴明け工程と、膜形成工程とを含み、電気メッキ
法によるＩｎバンプの形成方法であって、穴明け工程は
、デバイスの一面上に塗布されたレジストに穴明け加工
を施して該デバイスの下地金属を外部に露出させるもの
であり、 膜形成工程は、外部に露出した下地金属にイオンミリン
グ加工を施し、該下地金属と電気的に導通した再付着膜
を、下地金属に対応してレジストに開口された穴の内周
面に形成するものであることを特徴とするＩｎバンプの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12061990A JPH0417339A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12061990A JPH0417339A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417339A true JPH0417339A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14790723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12061990A Pending JPH0417339A (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0417339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273117A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | Ｉｎバンプの製造方法 |
| JP2016181555A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 日本電気株式会社 | バンプ構造とバンプ接合構造およびバンプ製造方法 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP12061990A patent/JPH0417339A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273117A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | Ｉｎバンプの製造方法 |
| JP2016181555A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 日本電気株式会社 | バンプ構造とバンプ接合構造およびバンプ製造方法 |
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