JPH04165583A - Non-contact id tag - Google Patents

Non-contact id tag

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JPH04165583A
JPH04165583A JP2292959A JP29295990A JPH04165583A JP H04165583 A JPH04165583 A JP H04165583A JP 2292959 A JP2292959 A JP 2292959A JP 29295990 A JP29295990 A JP 29295990A JP H04165583 A JPH04165583 A JP H04165583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
fuse type
section
memory
otprom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2292959A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Hisanaga
哲生 久永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
Priority to JP2292959A priority Critical patent/JPH04165583A/en
Publication of JPH04165583A publication Critical patent/JPH04165583A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a non-contact ID tag (RF-ID) highly reliable for storage contents by using a FUSE type or ANTI-FUSE type OTPROM as a memory element. CONSTITUTION:The FUSE type or ANTI-FUSE type OTPROM is used as the memory element comprising a built-in memory part. In the memory part, all bits are initially '0' (or 1) and changed into '1' (or 0) when data are written. Since, fusion or short-circuit is caused by writing in the OTPROM and such a change is permanent, the original state cannot be recovered once the writing has been executed. Thus, the reliability for the storage contents can be improved and the RF-ID usable for multi-purpose application can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えばビルの入退室管理、工場の物流管理
等において、運搬、取扱い等が容易な記録媒体として用
いられる非接触IDタグ(以下、RF−I Dという)
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is directed to non-contact ID tags (hereinafter referred to as ID tags) which are used as recording media that are easy to transport and handle, for example, in entrance/exit management of buildings, logistics management of factories, etc. , RF-ID)
It is related to.

[従来の技術〕 従来、RF−IDは各種情報を格納するメモリ部を内蔵
して構成されており、その運搬、取扱い等が容易なこと
から広(使用されてきた。そして、前記メモリ部を構成
するメモリ素子としては、マスクROM (第1の従来
例)、E”PROMあるいはバッテリーバックアップさ
れたSRAM等のり−ド/ライトタイプ(第2の従来例
)が用いられている。
[Prior Art] Conventionally, RF-ID has been constructed with a built-in memory section for storing various information, and has been widely used because it is easy to transport and handle. As the constituting memory element, a read/write type (second conventional example) such as a mask ROM (first conventional example), an E''PROM, or a battery-backed SRAM is used.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

まず、第1の従来例では、RF−IDの製造時に、予め
固有する情報をマスクROMに書き込んでおき、使用中
のデータ書込み、書換え等を禁止して、固定の情報のみ
を使用する用途に用いられている。
First, in the first conventional example, when manufacturing an RF-ID, unique information is written in advance into a mask ROM, and writing or rewriting of data during use is prohibited, so that the RF-ID is designed for applications that only use fixed information. It is used.

また、第2の従来例のようなり−ド/ライトタイプでは
、回数券、プリペイドカード等のように使用中にデータ
の書込み、あるいは書換えを必要とする用途に用いられ
ている。
Further, the read/write type of the second conventional example is used for applications such as coupon tickets and prepaid cards that require data to be written or rewritten during use.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来のRF−I Dは以上のように構成されているので
、第1の従来例では、使用中のデータ書換え等が行えな
いため、記憶内容の信頼性は高いが、用途が限定されて
いた。また、第2の従来例では、データの保持時間が有
限であったり、バッテリーが切れるとデータが消失する
ことのほか、ノイズ等の誤動作により記憶内容が変化し
たり、使用者による記憶内容の不正書換え等も可能であ
り、該記憶内容の信頼性に欠けるなどの課題があった。
Since the conventional RF-ID is configured as described above, in the first conventional example, the data cannot be rewritten during use, so the reliability of the stored contents is high, but the usage is limited. . In addition, in the second conventional example, the data retention time is limited, the data is lost when the battery runs out, and the stored content may change due to noise or other malfunctions, or the stored content may be tampered with by the user. It is also possible to rewrite, etc., and there are problems such as a lack of reliability of the stored contents.

この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、使用中のデータ書込みを可能にするとともに、
記憶内容について信頼性の高いRF−IDを得ることを
目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and makes it possible to write data while in use.
The purpose is to obtain an RF-ID with high reliability regarding stored contents.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係るRF−IDは、内蔵するメモリ部を構成
するメモリ素子として、FUSE型、あるいはANTI
−FUSE型のOTFROMを用いるようにしたもので
ある。
The RF-ID according to the present invention uses a FUSE type or an ANTI type memory element as a built-in memory element.
- It uses a FUSE type OTFROM.

〔作用] この発明におけるFUSE型、あるいはANTI−FU
SE型のOTFROMは、書込み動作により、内部に配
線に物理的な永久的変化を生じるため、−度書込まれた
データへの変更等はできない。
[Operation] FUSE type or ANTI-FU in this invention
In the SE type OTFROM, a write operation causes a physical permanent change in the internal wiring, so that it is impossible to change the written data.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の第1の実施例におけるメモリ部の使
用動作を説明する図であり、図において、1は該メモリ
部の書込みエリアである。
FIG. 1 is a diagram illustrating the operation of using a memory section in a first embodiment of the present invention, and in the figure, 1 is a write area of the memory section.

また、第2図はこの発明の第2の実施例におけるメモリ
部の使用動作を説明する図であり、2は各ビットがデー
タエリア31,32.33へのデータ記録の有無を示す
アドレス部、3は前記データエリア31,32.33を
はじめ、複数のデータエリアから構成されるデータ部、
31゜32.33は実際にデータが書込まれるデータエ
リアである。
Further, FIG. 2 is a diagram explaining the operation of using the memory section in the second embodiment of the present invention, in which 2 is an address section in which each bit indicates whether or not data is recorded in the data areas 31, 32, and 33; 3 is a data section consisting of a plurality of data areas including the data areas 31, 32, and 33;
31, 32, and 33 are data areas where data is actually written.

RF−IDに内蔵されるメモリ部は初期的には全てのビ
ットが0(または1)であり、書込みを行うと1(また
はO)になる。書込みを行うと、OTPROMでは溶断
または短絡が発生し、これらは永久的変化であるため、
−度書込みを行うと元の状態に戻すことはできない。こ
のOTPROMの特性を活かすことにより、従来のり−
ド/ライトタイプのメモリ素子を使用したRF−IDで
は信頼性の点で問題のあった用途に使うことができる。
In the memory section built into the RF-ID, all bits are initially 0 (or 1), and become 1 (or O) when written. When writing, an OTPROM will fuse or short, and these are permanent changes.
- Once written, the original state cannot be restored. By taking advantage of the characteristics of this OTPROM, it is possible to
RF-IDs using read/write type memory elements can be used in applications where reliability has been a problem.

例えば、乗り物の回数券やプリペイドカード等のカード
上に使用情報が遂次変更されて記憶されるもので、利用
者が不正に書換えを行うことが好ましくないような場合
である。
For example, this is a case where the usage information is changed and stored on a card such as a ride ticket or a prepaid card, and it is undesirable for the user to illegally rewrite the information.

第1の実施例では、第1図(a)に示すようなメモリ部
の書込みエリア1へ、使用するたび1を書込んでいけば
よく(第1図(b))、使用者が不正に記録内容を書換
えようとしても、該使用者にとって不利な方向へしか書
込めなくなる。
In the first embodiment, the user only has to write 1 to write area 1 of the memory section as shown in FIG. 1(a) each time it is used (FIG. 1(b)), and the user can Even if an attempt is made to rewrite the recorded contents, it will only be possible to write in a direction disadvantageous to the user.

次に、第2の実施例について説明する。Next, a second example will be described.

前記第1の実施例において、もつと複雑な情報を記録す
る場合には、1回に記憶するビット数を固定にし、逐次
追記すればよいが、この方法によると、追記する際、書
込むべきメモリ部の場所を探すため、過去の記憶内容を
すべて読み出す必要があり、時間がかかるとともに、該
記憶内容が偶然全部0(または1)であるとメモリ部の
初期値の区別がつかないことがあるので、第2図に示す
ように、メモリ部内に最新データの位置を示すアドレス
部2と該複雑なデータを記憶するデータ部3を設けて構
成している。このような情報量の多い用途としては、例
えば個人の医療カルテ、自動車の整備記録、銀行通帳等
が考えられる。
In the first embodiment, when recording complicated information, the number of bits to be stored at one time is fixed and data is added sequentially. In order to find the location of the memory section, it is necessary to read out all past memory contents, which takes time, and if the memory contents are all 0 (or 1) by chance, the initial value of the memory section may not be distinguishable. Therefore, as shown in FIG. 2, an address section 2 indicating the location of the latest data and a data section 3 storing the complex data are provided in the memory section. Examples of applications with a large amount of information include personal medical records, automobile maintenance records, and bank passbooks.

なお、前記RF−IDに内蔵されたメモリ部の内容は、
該RF−IDの製造時にはテストができないので、初期
的に全ビットO(または1)であることは確認できるが
、書込もうとしても書込めないというエラーが生じる恐
れがある。そこで書込みの後は必ず読出しを行い、正し
く書込まれたかどうか照合することで、エラーがあった
場合には再書込みを行う。
The contents of the memory section built into the RF-ID are as follows:
Since testing cannot be performed when the RF-ID is manufactured, it can be confirmed that all bits are O (or 1) initially, but there is a risk that an error may occur in which writing is not possible even if an attempt is made to write. Therefore, reading is always performed after writing, and by verifying whether the writing was correct, rewriting is performed if there is an error.

第3図は例えば第1の実施例において、欠陥のあったビ
ット1の(図中、Xで表わし、実際の値は0)の次のビ
ット1bに1を書込むようにした第3の実施例の使用動
作を示す図であり、この第3の実施例によりトータルの
1の数を所望のビツト数にすることができる。
FIG. 3 shows a third embodiment in which, for example, in the first embodiment, 1 is written to bit 1b next to defective bit 1 (represented by X in the figure, the actual value is 0). FIG. 6 is a diagram showing the operation of using the example, and according to this third embodiment, the total number of 1's can be set to a desired number of bits.

また、同様に第2の実施例の場合は、第4図に示す第4
の実施例により、データ部3に書込んだデータを読出し
、正しい場合にアドレス部2の対応するビットに1を書
込み、さらにそのアドレス部2の内容も読出して正しく
1が書込まれたかどうかをチエツクする。従って、デー
タ部3、アドレス部2のいずれかにエラーがある場合(
図中2a、32a)は該データ部3、アドレス部2の次
の場所を使って再度上記の手順で書込みを行う。
Similarly, in the case of the second embodiment, the fourth
According to the embodiment, the data written in the data section 3 is read out, and if the data is correct, 1 is written in the corresponding bit of the address section 2, and the contents of the address section 2 are also read to check whether 1 was written correctly. Check. Therefore, if there is an error in either data section 3 or address section 2 (
2a, 32a) in the figure performs writing again in the above procedure using the next location of the data section 3 and address section 2.

これにより、極めて高い記憶内容の信頼性を得ることが
できる。
This makes it possible to obtain extremely high reliability of stored contents.

[発明の効果] 以上のように、この発明によればRF−I Dに内蔵し
たメモリ部を構成するメモリ素子として、FUSE型あ
るいはANTI−FUSE型のOTPROMを用いるよ
うにしたので、使用中の書込みが可能になるとともに、
記憶内容の信頼性を向上でき、多方面の用途に使用でき
るRF−IDが得られるという効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a FUSE type or ANTI-FUSE type OTPROM is used as the memory element constituting the memory section built into the RF-ID, so that the Along with being able to write,
This has the effect of improving the reliability of stored contents and providing an RF-ID that can be used for a variety of purposes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1の実施例におけるメモリ部の使
用動作を説明する説明図、第2図はこの発明の第2の実
施例におけるメモリ部の使用部動作を説明する説明図、
第3図はこの発明の第3の実施例におけるメモリ部の使
用動作を説明する説明図、第4図はこの発明の第4の実
施例におけるメモリ部の使用動作を説明する説明図であ
る。 図において、1は記憶エリア、2はアドレス部、3はデ
ータ部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining the operation of using the memory section in the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation of the use section of the memory section in the second embodiment of the invention,
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the operation of using the memory section in the third embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the operation of using the memory section in the fourth embodiment of the invention. In the figure, 1 is a storage area, 2 is an address section, and 3 is a data section. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  各種情報を格納するメモリ部を内蔵し、運搬可能な記
憶媒体として用いられる非接触IDタグにおいて、前記
メモリ部を構成するメモリ素子として、FUSE型、あ
るいはANTI−FUSE型のOTPROMを用いたこ
とを特徴とする非接触IDタグ。
In a non-contact ID tag that has a built-in memory section for storing various information and is used as a transportable storage medium, a FUSE type or ANTI-FUSE type OTPROM is used as a memory element constituting the memory section. Features a contactless ID tag.
JP2292959A 1990-10-30 1990-10-30 Non-contact id tag Pending JPH04165583A (en)

Priority Applications (1)

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JP2292959A JPH04165583A (en) 1990-10-30 1990-10-30 Non-contact id tag

Applications Claiming Priority (1)

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JP2292959A JPH04165583A (en) 1990-10-30 1990-10-30 Non-contact id tag

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04165583A true JPH04165583A (en) 1992-06-11

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ID=17788643

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2292959A Pending JPH04165583A (en) 1990-10-30 1990-10-30 Non-contact id tag

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004006248A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data retention of integrated circuit on record carrier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004006248A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data retention of integrated circuit on record carrier

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